KR100792828B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

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Abstract

기판(G)에 대하여 소정의 처리를 행하기 위한 처리장치(100)는, 복수의 공정으로 구성되는 일련(一連)의 제 1의 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 1 처리유니트군(2a)과, 복수의 공정으로 구성되는 일련의 제 2 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 2 처리유니트군(2b)과, 제 1 및 제 2 처리유니트군(2a, 2b)의 각 처리유니트에 대한 기판의 반송을 행하는 공통의 반송수단(42, 44, 46, 48, 50)을 구비한다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD}
도 1 은 본 발명의 제 1의 실시형태에 관련된 LCD기판의 레지스트 도포현상처리장치를 나타내는 평면도이다.
도 2 는 본 발명의 제 1의 실시형태에 관련된 LCD기판의 레지스트 도포현상처리장치의 내부를 나타내는 측면도이다.
도 3 은 본 발명의 제 1의 실시형태에 관련된 LCD기판의 레지스트 도포현상처리장치에 있어서의 처리스테이션의 제어계(制御系)를 나타내는 블럭도이다.
도 4 는 수평방향반송장치의 개략적 구성을 나타내는 측면도이다.
도 5 는 수평방향반송장치의 개략적 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6 은 본 발명의 제 1의 실시형태에 관련된 LCD기판의 레지스트 도포현상처리장치에 있어, 선택적 기판반입 동작의 일례(一例)를 나타내는 플로우 차트(flow chart)이다.
도 7 은 본 발명의 제 1의 실시형태에 관련된 LCD기판의 레지스트 도포현상처리장치에 있어, 선택적 기판반입동작에 관한 다른 예를 나타내는 플로우 차트이다.
도 8 은 본 발명의 제 1의 실시형태에 관련된 LCD기판의 레지스트 도포현상처리장치에 있어, 처리동작의 일례를 나타내는 플로우 차트이다.
도 9 는 본 발명의 제 2의 실시형태에 관련된 LCD기판의 레지스트 도포현상처리장치를 나타내는 평면도이다.
도 10 은 도 9의 레지스트 도포현상처리장치의 일부를 나타내는 측면도이다.
도 11 은 도 9의 레지스트 도포현상처리장치에 적용된 기판반송장치의 평면도이다.
도 12 는 도 9의 레지스트 도포현상처리장치에 적용된 기판반송장치의 정면도이다.
도 13 은 도 9의 레지스트 도포현상처리장치를 사용한 처리공정의 플로우 차트이다.
도 14 는 도 11, 12에 나타낸 기판처리장치의 변형례(變形例)를 나타낸 평면도이다.
도 15 는 본 발명의 제 2의 실시형태에 관련된 LCD기판 레지스트 도포현상처리의 변형례를 나타내는 평면도이다.
도 16 은 본 발명의 제 2의 실시형태에 관련된 LCD기판 레지스트 도포현상처리의 타 변형례를 나타내는 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 카세트 스테이션 2 : 처리스테이션
2a : 제 1 처리유니트군 2b : 제 2 처리유니트군
3 : 인터페이스 스테이션(Interface Station)
21a, 21b : 자외선조사(紫外線照射)유니트(UV)
22a, 22b, 23a, 23b : 스크러버 세정유니트(SCR)
24a, 24b : 레지스트 도포처리유니트
27a, 27b : 레지스트 처리블럭
28a, 28b, 32, 33, 34, 35 : 처리블럭
29a, 29b, 30a, 30b, 31a, 31b : 현상처리유니트
42, 44, 46, 48, 50 : 반송장치(반송수단)
70 : 콘트롤러(선택수단)
100, 300, 300A, 300B : 레지스트 도포현상처리장치
104, 106, 106A, 106B, 109B, 109C : 액처리계(液處理係) 프로세스부
105, 105A, 105B, 107, 107A, 107B, 109A : 열처리계(熱處理系) 프로세스부
113, 113A, 113B : 서브아암(sub arm)기구
115, 125, 190 : 메인아암(main arm)기구
116, 124, 191 : 중앙반송로(반송로)
G : LCD기판
본 발명은, 예를들어 LCD 유리기판등의 기판에 대하여 레지스트 도포, 노광(露光, exposure) 및 현상처리와 같은 복수의 처리를 행하는 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
액정표시장치(LCD)의 제조에 있어서는, 기판으로서의 LCD유리기판에, 소정의 막을 성막(成膜)시킨 후, 포토레지스트(photoresist)액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 회로 패턴에 대응하여 레지스트막을 노광하고, 이것을 현상처리하는, 이른바 포토리소그래피(photo-lithography) 기술에 의해 회로 패턴이 형성된다.
이 포토리소그래피 기술에서, 피처리기판으로서의 LCD 기판은, 어드히젼(adhesion, 疎水化)처리→ 레지스트 도포→프리베이크(prebake)→노광→현상→포스트베이크(postbake)등의 일련의 처리를 거쳐 레지스트층에 소정의 회로 패턴을 형성한다.
종래에 있어 이와 같은 처리는, 각 처리를 행하는 처리유니트를 반송로의 양측에 프로세스 플로우(process flow)를 의식한 형태로 배치하고, 반송로를 주행할 수 있는 반송장치에 의해 각 처리유니트로의 기판의 반입반출을 행하는 프로세스 블럭을 하나 또는 복수로 배치하여 형성되는 처리시스템에 의해 행하여지고 있다. 이와 같은 처리시스템은, 일반적으로 세정처리, 레지스트 도포처리, 현상처리를 행하는 액처리계의 유니트와, 가열·냉각처리 및 어드히젼 처리를 행하는 열처리계 유니트가, 기판을 반송하기 위한 반송로를 따라 직렬로 병설(倂設)되어 있다.
그러나, 근년에 들어 LCD기판에 대한 대형화의 요구가 커져, 한 변의 길이가 1m의 거대한 기판이 출현하기까지 이르러, 상술한 바와 같은 평면적 배치를 갖추는 처리시스템에서는 풋프린트(footprint, 장치의 면적)가 극단적으로 커져버리기 때문에, 단위면적당의 제조·유지관리 비용이 매우 큰 클린 룸(clean room)을 유효하게 이용하는 관점으로부터 풋프린트의 축소가 크게 열망되고 있다.
또, 최근에 있어서, 회로의 고집적화·미세화의 요구가 커짐으로 인해 공정이 복잡화 하여 유니트의 수가 늘어나고 있고, 이에 따라 처리시스템의 풋프린트가 커지고 있다. 그러나, 각 유니트가 단순히 반송로를 따라 병설되는 종래의 구성에서는 풋프린트를 작게하려고 하여도 유니트 수의 증가에 있어서는 한계가 있고, 한편 유니트 수를 증가시켜 스푸풋(throughput)의 향상을 꾀하려 하면 풋프린트가 커져버린다. 즉, 유니트 수의 증가와 풋프린트의 삭감은 상반되는 관계를 가지고 있기 때문에, 이와 같이 상반되는 2개의 조건을 동시에 만족시킴으로써, 고도화(高度化)·복잡화하는 기판처리의 요구에 충분히 대응할 수 있고, 또 이와 같은 장치의 출현이 크게 열망되고 있다.
본 발명은, 관련된 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은 풋프린트를 작게할 수 있는, 복수의 처리유니트를 갖춘 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.
또, 그 외의 목적으로서는, 풋프린트를 억제함과 동시에 유니트 수를 증가시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 1 관점에 의하면, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하기 위한 기판처리장치이고, 복수의 공정에 의해 구성되는 일련의 제 1 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 1 처리유니트군과, 복수의 공정에 의해 구성되는 일련의 제 2 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 2 처리유니트군과, 상기 제 1 및 제 2 처리유니트군의 각 처리유니트에 대한 기판의 반송을 행하 는 공통의 반송수단을 구비하는 기판처리장치가 제공된다.
본 발명의 제 2 관점에 의하면, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하기 위한 기판처리장치이고, 복수의 공정에 의해 구성되는 일련의 제 1 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 1 처리유니트군과, 복수의 공정에 의해 구성되는 일련의 제 2 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 2 처리유니트군과, 상기 제 1 및 제 2 처리유니트군의 각 처리유니트에 대한 기판의 반송을 행하는 공통의 반송수단과, 상기 제 1 및 제 2 처리유니트군의 어느 한 곳에서 처리할 것인가를 선택하는 선택수단을 구비하는 기판처리장치가 제공된다.
본 발명의 제 3 관점에 의하면, 기판에 대하여 소정의 처리를 행하기 위한 기판처리장치이고, 복수의 공정에 의해 구성되는 일련의 제 1 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 1 처리유니트군과, 복수의 공정에 의해 구성되는 일련의 제 2의 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 2 처리유니트군과, 상기 제 1 및 제 2 처리유니트군의 각 처리유니트에 대한 기판의 반송을 행하는 공통의 반송수단을 구비하고, 상기 제 1 및 제 2 처리유니트군은, 각각, 복수의 처리유니트가 수평으로 배치된 수평처리블럭과, 복수의 처리유니트가 수직방향으로 적층되어 배치된 수직처리블럭을 갖추고, 상기 반송수단은, 수평방향으로 이동이 가능하도록 설치되어 상기 수평처리블럭에 대한 기판의 주고받기를 행하는 수평방향반송장치와, 수직방향으로 이동이 가능하도록 설치되어 상기 수직처리블럭에 대한 기판의 주고받기를 행하는 수직방향반송장치를 갖추는 기판처리장치가 제공된다.
본 발명의 제 4 관점에 의하면, 복수의 공정에 의해 구성되는 일련의 제 1 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 1의 처리유니트군과, 복수의 공정에 의해 구성되는 일련의 제 2 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 2 처리유니트군과, 상기 제 1 및 제 2 처리유니트군의 각 처리유니트에 대한 기판의 반송을 행하는 공통의 반송수단을 구비하는 기판처리장치에 의해 기판에 대한 소정의 처리를 행하는 기판처리방법이고, 각 기판에 대하여 제 1 처리유니트군 및 제 2 처리유니트군의 어느 한 곳에서 처리할 것인가를 선택하고, 각 기판은 그 선택된 쪽의 처리유니트군에서 처리가 행하여지는, 기판처리방법이 제공된다.
상기 본 발명의 제 1로부터 제 4의 관점에 의하면, 각각 독립된 일련의 처리를 행하는 제 1 및 제 2 처리유니트군에 대한 기판의 반송을 행하는 공통의 반송수단을 설치하였기 때문에, 하나의 시스템에 대하여 하나의 반송수단을 설치하는 종래의 장치구성에 비하여 반송수단을 적게할 수 있어, 장치의 풋프린트를 작게 할 수 있다.
이 때, 기판을 제 1 처리유니트군 및 제 2 처리유니트군 중의 어느 곳에서 처리할 것인가를 선택하는 선택수단을 설치하여, 각 기판에 대하여 제 1 처리유니트군 및 제 2 처리유니트군 중의 어느 곳에서 처리할 것인가를 선택하고, 각 기판에 대하여 그 선택된 쪽의 처리유니트군에서 처리를 행하도록 하면, 제 1 처리유니트군과 상기 제 2 처리유니트군을 각각 독립시켜 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 제 5 관점에 의하면, 기판에 도포액을 도포하여 박막(薄膜)을 형 성시킴과 동시에 회로 패턴에 대응하여 노광된 상기 박막을 현상하는 기판처리장치이고, 기판을 회전시켜 처리하는 복수의 회전계 유니트와, 기판을 회전시키는 일 없이 가열·냉각처리하는 복수의 열처리계 유니트와, 기판을 반송하여 상기 각 유니트에 반입반출하는 반송장치와, 상기 반송장치의 이동경로를 형성하는 반송로를 갖추고, 상기 회전계 유니트는 상기 반송로를 따라 병설되고, 상기 열처리계 유니트는 다단(多段)으로 적층되어 열계(熱系) 처리유니트블럭을 구성하고, 상기 열계 처리유니트블럭이 복수로 상기 반송로 위 또는 그 연장선 상의 소정 부분 주위에 배치되어 있는 기판처리장치가 제공된다.
본 발명의 제 6의 관점에 의하면, 기판에 도포액을 도포하여 박막을 형성함과 동시에 회로 패턴에 대응하여 노광된 상기 박막을 현상하는 기판처리장치이고, 기판 상에 소정의 액을 공급하여 처리를 행하는 복수의 액처리유니트와, 기판에 대하여 열적처리(熱的處理)를 행하는 복수의 열처리계 유니트와, 기판을 반송하여 상기 각 유니트에 반입반출하는 반송장치와, 상기 반송장치의 이동경로를 형성하는 반송로를 갖추고, 상기 액처리계 유니트는 상기 반송로를 따라 병설되고, 상기 열처리계 유니트는 다단으로 적층되어 열계 처리유니트블럭을 구성하고, 상기 열계 처리유니트블럭이 복수로 상기 반송로 위 또는 그 연장선 상의 소정 부분 주위에 배치되어 있는 기판처리장치가 제공된다.
본 발명의 제 7의 관점에 의하면, 기판에 대하여 복수의 액처리 및 그에 수반되는 열적처리를 포함하는 일련의 처리를 행하는 기판처리장치이고, 기판에 대하여 액처리를 행하는 복수의 액처리계 유니트와, 기판에 대하여 상기 복수의 액처리 에 수반되는 열적처리를 행하는 복수의 열처리계 유니트와, 기판을 반송하여 상기 각 유니트에 반입반출하는 반송장치와, 상기 반송장치의 이동경로를 형성하는 반송로를 갖추고, 상기 액처리 유니트는 상기 반송를 따라 병설되고, 상기 열처리계 유니트는 다단으로 적층되어 열계 처리유니트블럭을 구성하고, 상기 열계 처리유니트블럭이 복수로 상기 반송로 위 또는 그 연장선 상의 소정 부분 주위에 배치되어 있는 기판처리장치가 제공된다.
제 5의 관점으로부터 제 7의 관점까지에서 알 수 있는 바와 같이, 회전계 유니트 또는 액처리계 유니트를 반송로를 따라 설치하고, 열처리계 유니트는 다단으로 적층되어 열계 처리유니트블럭을 구성하고, 이와 같은 열계 처리유니트블럭이 복수로 반송로 위 또는 그 연장선 상의 소정 부분 주위에 배치되어 있기 때문에, 풋프린트가 작아지도록 억제함과 동시에 유니트 수를 증가시킬 수 있다.
본 발명의 제 8의 관점에 의하면, 피처리기판에 액처리 및 열적처리를 포함하는 복수의 공정에 의해 구성되는 처리를 행하는 기판처리장치이고, 수평으로 뻗쳐진 수평반송로를 따라 피처리기판에 액처리를 행하는 복수의 액처리계 처리유니트가 배치되고, 상기 수평반송로를 이동하는 제 1의 반송장치에 의해 상기 수평반송로를 따라 설치된 각 처리유니트에 대한 피처리기판의 반송이 행하여지는 제 1의 처리부와, 수직으로 뻗쳐있는 수직반송로를 따라 상하 방향으로 피처리기판에 대하여 열적처리를 행하는 복수의 열적처리 유니트가 배치되고, 상기 수직반송로를 이동하는 제 2의 반송장치에 의해 상기 수직반송로를 따라 설치된 각 처리유니트에 대한 피처리기판의 반송이 행하여지는 제 2의 처리부를 구비하는 기판처리장치가 제공된다.
이와 같이, 수평반송로를 따라 복수의 처리유니트를 설치하고, 수평반송로를 이동하는 제 1의 반송장치에 의해 수평반송로를 따라 설치된 각 처리유니트에 대한 피처리기판의 반송이 행하여지는 제 1의 처리부와, 수직반송로를 따라 복수의 처리유니트를 설치하여 수직반송로를 이동하는 제 2의 반송장치에 의해 수직반송로를 따라 설치된 각 처리유니트에 대한 피처리기판의 반송이 행하여지는 제 2의 처리부를 구비하기 때문에, 상하로 겹침에 있어 지장이 없는 처리유니트를 제 2의 처리부에 배치함으로써 풋프린트를 작게할 수 있고, 또 제 1의 반송장치는 수평반송로를 따라 수평으로 이동하고, 제 2의 반송장치는 수직반송로를 따라 수직으로 이동하는 등의 반송장치 기능분리가 가능하기 때문에, 스루풋을 높게 유지할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 관하여 상세히 설명한다.
(제 1의 실시형태)
먼저, 제 1의 실시형태에 관하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1의 실시형태에 관련된 LCD 기판의 레지스트 도포현상처리장치를 나타내는 평면도, 도 2는 그 내부를 나타내는 측면도이다.
이 레지스트 도포현상처리장치(100)는, 복수의 기판(G)을 수용하는 카세트(C)를 재치하고 기판(G)의 반입반출{로드(lada)/언로드(unload)}을 행하는 카세트 스테이션(1)과, 기판(G)에 레지스트 도포 및 현상을 포함하는 일련의 처리를 실시하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 처리스테이션(2)과, 노광장치(露光 裝置)(200)와의 사이에서 기판(G)의 주고받기를 행하기 위한 인터페이스(Interface) 스테이션(3)을 갖추고, 처리스테이션(2)의 양단(兩端)에 각각 카세트 스테이션(1) 및 인터페이스 스테이션(3)이 배치되어 있다.
카세트 스테이션(1)은 카세트(C)와 처리스테이션(2)과의 사이에서 LCD 기판(G)의 반송을 행하기 위한 반송기구(11)를 갖추고 있고, 이 카세트 스테이션(1)에서는 외부에 대하여 카세트(C)의 반입과 반출이 행하여진다. 또, 반송기구(11)는 반송아암(11a)을 갖추고, 카세트의 배열방향을 따라 설치된 반송로(10) 상의 이동이 가능하고, 반송아암(11a)에 의해 카세트(C)와 처리스테이션(2)과의 사이에서 기판(G)의 반송이 행하여진다.
인터페이스 스테이션(3)은, 처리스테이션(2)과의 사이에서 기판을 주고받을 때에 일시적으로 기판을 보유유지하는 엑스텐션(61)과, 또 그 양측에 설치된 버퍼 카세트(buffer cassette)를 배치하는 2개의 버퍼 스테이지(62)와, 이들과 노광장치(200)와의 사이에서 기판(G)의 반입반출을 행하는 반송기구(64)를 갖추고 있다. 반송기구(64)는 엑스텐션(61) 및 버퍼 스테이지(62)의 배열방향을 따라 설치된 반송로(63) 상을 이동가능한 반송아암(64a)을 갖추고, 이 반송아암(64a)에 의해 처리 스테이션(2)과 노광장치(200)와의 사이에서 기판(G)의 반송이 행하여진다.
처리스테이션(2)은, 각각 독립하여 일련의 도포현상처리를 행하는 제 1 처리유니트군(2a) 및 제 2 처리유니트군(2b)을 갖추고 있다. 제 1 처리유니트군(2a) 및 제 2 처리유니트군(2b)은, 수평방향으로 복수의 처리유니트 또는 처리블럭이 배열되어 구성되어 있고, 양쪽 모두 동일한 처리유니트를 갖추고 있다.
제 1 처리유니트군(2a)은, 카세트 스테이션(1)측으로부터 차례로, 자외선조사 유니트(UV)(21a), 2개의 스크러버 세정유니트(SCR)(22a, 23a), 레지스트 도포 및 그 후의 처리를 행하는 레지스트 처리블럭(27a), 4개의 열적처리 유니트가 상하로 적층되어 구성된 처리블럭(28a), 노광 후의 현상처리를 행하는 3개의 현상처리유니트(DEV)(29a, 30a, 31a)가 직선상(直線狀)으로 배열된 구성으로 되어 있다.
제 2 처리유니트군(2b)은, 카세트 스테이션(1)측으로부터 차례로, 자외선조사 유니트(UV)(21b), 2개의 스크러버 세정유니트(SCR)(22b, 23b), 레지스트 도포 및 그 후의 처리를 행하는 레지스트 처리블럭(27b), 4개의 열적처리 유니트가 상하로 적층되어 구성된 처리블럭(28b), 노광 후의 현상처리를 행하는 3개의 현상처리유니트(DEV)(29b, 30b, 31b)가 직선상으로 배열된 구성으로 되어 있다.
한편, 제 1 처리유니트군(2a)의 자외선조사 유니트(UV)(21a) 및 2개의 스크러버 세정유니트(SCR)(22a, 23a)와, 제 2 처리유니트군(2b)의 자외선조사 유니트(UV)(21b) 및 2개의 스크러버 세정유니트(SCR)(22b, 23b)는 대향(對向)하여 설치되고, 이들 사이에 수평방향으로 수평반송로(41)가 형성되고, 또 이 수평반송로(41)를 따라 이동이 가능한 수평방향 반송장치(42)가 설치되어, 이들에 의해 제 1의 처리 섹션(section)(36)이 구성되어 있다.
제 1 처리유니트군(2a)의 레지스트 처리블럭(27a)과 제 2 처리유니트군(2b)의 레지스트 처리블럭(27b)은 서로 대향하도록 설치되고, 이들 사이에 수직방향으로 2개의 수직반송로(43, 45)가 형성되어 있다. 그리고, 제 1 및 제 2 처리유니트군(2a, 2b)에 공통되는 4개의 열적처리 유니트가 상하로 적층되어 구성된 처리블럭(33)이 배치되고, 또 수직반송로(43, 45)를 따라 각각 이동이 가능한 수직방향반송장치(44, 46)가 설치되어 있고, 이들에 의해 제 2의 처리섹션(37)이 구성되어 있다.
상기 레지스트 처리블럭(27a)은, 레지스트 도포처리유니트(CT)(24a), 감압건조(減壓乾燥)유니트(VD)(25a), 주연(周緣)레지스트 제거유니트(ER)(26a)가 수평방향으로 배열되어 일체적(一體的)으로 구성되고, 레지스트 처리블럭(27b)은, 레지스트 도포처리유니트(CT)(24b), 감압건조유니트(VD)(25b), 주연레지스트 제거유니트(ER)(26b)가 수평방향으로 배열되어 일체적으로 구성되어 있다.
레지스트 처리블럭(27a)에는, 수직방향반송장치(44)에 의해 기판(G)이 레지스트 도포처리유니트(CT)(24a)로 반입되고, 그 곳에서 레지스트액 도포가 실시되고, 그 후에 레지스트 처리블럭(27a) 내의 서브아암(도시 않됨)에 의해 감압건조유니트(VD)(25a)로 반송되어 감압건조되고, 또 서브아암에 의해 주연레지스트 제거유니트(ER)(26a)로 반송되어 기판(G) 주연의 불필요한 레지스트가 제거되고, 그 후 수직방향 반송장치(46)에 의해 기판(G)이 레지스트 처리블럭(27a)으로부터 반송되도록 되어 있다. 레지스트 처리블럭(27b)과 마찬가지로, 수직방향 반송장치(44)에 의해 기판(G)이 레지스트 도포처리유니트(CT)(24b) 내로 반입되고, 그곳에서 레지스트액 도포가 실시되고, 그 후 레지스트 처리블럭(27b) 내의 서브아암(도시 않됨)에 의해 감압건조유니트(VD)(25b)로 반송되어 감압건조되고, 또 서브아암에 의해 주연레지스트 제거유니트(ER)(26b)로 반송되어 기판(G) 주연의 불필요한 레지스트가 제거되고, 그 후에 수직방향 반송장치(46)에 의해 기판(G)이 레지스트 처리블럭(27b)으로부터 반출되도록 되어 있다.
처리블럭(33)은, 수직반송로(43 및 45)의 사이에 설치되어 있고, 밑으로부터 차례로 수직방향 반송장치(44 및 46) 사이에서 기판을 주고받고, 또 기판을 냉각하는 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL), 기판(G)을 가열처리하는 2개의 핫플레이트 유니트(HP), 및 기판(G)에 소수화처리를 행하는 어드히젼 처리유니트(AD)가 적층된 구성으로 되어 있다.
제 1 처리섹션(36)과 제 2 처리섹션(37) 사이에는, 제 1 및 제 2 처리유니트군(2b)에 공통되는 4개의 열적처리유니트가 상하로 적층되어 구성된 처리블럭(32)이 배치되어 있다. 처리블럭(32)은, 밑에서부터 차례로, 수평방향 반송장치(42)와 수직방향반송장치(44)와의 사이에서 기판(G)의 주고받기 및 기판(G)을 냉각하는 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL), 2개의 핫플레이트 유니트(HP), 및 어드히젼 처리유니트(AD)가 적층된 구성으로 되어 있다.
제 1 처리유니트군(2a)의 처리블럭(28a)과, 제 2 처리유니트군(2b)의 처리블럭(2b)을 서로 대향하도록 설치되고, 이들 사이에는 수직방향을 따라 수직반송로(47)가 형성되고, 수직반송로(47)를 따라 이동이 가능한 수직방향 반송장치(48)가 설치되고, 이들에 의해 제 3 처리섹션(38)이 구성되어 있다. 또, 이 제 3 처리섹션(38)은, 제 1 및 제 2 처리유니트군(2a, 2b)에 공통되는 2개의 처리블럭(34, 35)이, 처리블럭(28a과 28b)이 대향하는 방향에 직교(直交)하는 방향을 따라 수직반송로(47)를 사이에 두고 대향하도록 배치되어 있다. 처리블럭(28a, 28b)은, 그 어느 쪽에 있어서도, 기판(G)을 가열처리하는 4개의 핫플레이트 유니트(HP)가 적층된 구성으로 되어 있다. 또, 처리블럭(34, 35)은, 그 어느 쪽도, 밑에서부터 차례로 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL), 쿨링유니트(COL), 및 2개의 핫플레이트 유니트(HP)가 적층된 구성으로 되어 있다. 그리고, 처리블럭(34)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)에서 수직방향반송장치(46 및 48)사이의 기판(G)의 주고받기가 행하여지고, 처리블럭(35)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)에서 수직방향 반송장치(48) 및 수평방향 반송장치(50)(후술 함) 사이의 기판(G)의 주고받기가 행하여진다.
제 1 처리유니트군(2a)의 현상처리유니트(DEV)(29a, 30a, 31a)와 제 2 처리유니트군(2b)의 현상처리유니트(DEV)(29b, 30b, 31b)는 서로 대향하여 설치되고, 이들 사이에 수평방향을 따라 수평반송로(49)가 형성되고, 또 이 수평반송로(49)를 따라 이동이 가능한 수평방향 반송장치(50)가 설치되어, 이들에 의해 제 4 처리섹션(39)이 구성되어 있다. 또, 수평방향 반송장치(50)는, 인터페이스 스테이션(3)과의 사이에서 기판(G)의 주고받기를 행하도록 되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 반송로 및 반송장치를 포함하는 반송계는 직선상(直線狀)으로 형성되어 있고, 제 1 처리유니트군(2a)과 제 2 처리유니트군(2b)은 완전히 동일한 유니트가 동일한 순서로 배열되어, 직선상의 반송로를 사이에 두고 대칭적으로 설치되어 있다. 따라서, 제 1 처리유니트군(2a)과 제 2 처리유니트군(2b)은, 공통의 유니트도 사용하면서 완전히 동일한 내용의 처리를 행하는 것이 가능하다.
덧붙여 설명하면, 각 처리유니트에는 도 2에 나타낸 바와 같이, 각 처리블럭 의 반송장치에 의해 기판을 꺼내거나 들여보내기 위한 반입반출구(10)가 설치되어 있고, 이 반입반출구(10)는 셔터(shutter)(도시 않됨)에 의해 개폐가 가능하도록 되어 있다.
상기 처리스테이션(2)에 있어서, 제 1 처리유니트군(2a)의 각 처리유니트, 제 2 처리유니트군(2b)의 각 처리유니트, 공통 처리유니트에 의해 구성되는 블럭(32, 33, 34, 35){공통 처리유니트군(2c)}의 각 처리유니트, 반송장치(42, 44, 46, 48, 50)는, 도 3에 나타내는 바와 같이 콘트롤러(70)에 의해 제어되도록 되어 있다. 이 콘트롤러(70)는 또, 카세트(C)로부터 처리스테이션(2)으로 반입된 기판(G)을 제 1 처리유니트군(2a) 및 제 2 처리유니트군(2b)의 어느 쪽에서 처리를 할 것인가를 선택하는 선택수단으로서 기능한다.
수평방향 반송장치(42 및 50)는 동일한 구성을 갖추고 있고, 도 4에 나타낸 바와 같이, 수평반송로를 따라 이동이 가능한 장치본체(71)와, 장치본체(71)에 대하여 상하 이동 및 선회동(旋回動)이 가능한 베이스 부재(72)와, 베이스 부재(72) 상을 수평방향으로 따라 각각 독립하여 이동이 가능한 상하 2매의 기판지지부재(73a, 73b)를 갖추고 있다. 그리고, 베이스 부재(72)의 중앙부와 장치본체(71)가 연결부(74)에 의해 연결되어 있다. 장치본체(71)에 내장된 구동원(驅動源)(도시 않됨), 예를들어 모터에 의해 연결부(74)를 매개로 하여 베이스 부재(72)가 선회동된다. 이와 같은 기구에 의해 기판(G)의 수평방향 이동 및 선회동을 고속을 행할 수 있다. 또, 베이스 부재(72)는, 장치본체(71) 내에 내장된 구동원, 예를들어 모터에 의해 수직방향으로도 이동이 가능하도록 되어 있고, 반송위치의 상하 방향으로의 미조정(微調整)이 가능하도록 되어 있다.
수직방향 반송장치(44, 46 및 48)는 동일한 구조를 갖추고 있고, 도 5에 나타낸 바와 같이, 수직방향으로 연재하여, 수직벽(垂直壁)(81a, 81b) 및 이들 사이의 측면개구부(側面開口部)(81c)를 갖추는 통상지지체(筒狀支持體)(81)와, 이 내측에 통상지지체(81)를 따라 수직방향으로 승강이 자유롭도록 설치된 기판 주고받기부(82)를 갖추고 있다. 통상지지체(81)는 모터등의 구동원(83)의 회전구동력에 의해 회전이 가능하도록 되어 있고, 이에 수반되어 기판 주고받기부(82)도 일체적으로 회전되도록 되어 있다.
기판 주고받기부(82)는, 반송기대(搬送基臺)(90)와, 반송기대(90)를 따라 전후로 이동이 가능한 2개의 기판 보유유지아암(91, 92)을 갖추고 있고, 이들 아암(91, 92)은 통상지지체(81) 측면개구부(81c)의 통과가 가능한 크기를 갖추고 있다. 이 기판 주고받기부(82)는, 모터(84)에 의해 벨트(85)를 구동시킴으로써 승강이 가능하도록 되어 있다. 덧붙여 설명하면, 부호 86은 구동 풀리, 87은 종동(從動) 풀리이다. 이와 같은 기구에 의해 기판(G)의 수직방향으로의 이동 및 선회동을 고속으로 행할 수 있다.
다음, 이와 같이 구성된 레지스트 도포현상처리장치(100)에 있어서의 처리동작에 관하여 설명한다.
제 1 처리유니트군(2a) 및 제 2 처리유니트군(2b)에서 동일한 내용의 처리를 행할 경우에는, 예를들어 도 6에 나타낸 바와 같이, 먼저 카세트 스테이션(1)으로부터 처리스테이션(2)으로 기판을 반입한다{스텝(S1)}. 다음, 제 1 처리유니트군(2a) 및 제 2 처리유니트군(2b) 중에서 기판(G)의 반송이 가능한 쪽을 검출하여, 이 검출결과에 의거하여 반송이 가능한 처리유니트군으로 기판(G)을 반입하도록, 선택수단으로서 기능하는 콘트롤러(70)에 의해 수평방향 반송장치(42)를 제어하고, 그 후, 선택된 처리유니트군에 의해 일련의 처리를 행한다. 구체적으로는, 제 1 처리유니트군(2a)이 기판(G)의 반입을 허용할 것인가 아닌가를 판단하고{스텝(S2)}, 반입를 허용하는 경우에는, 제 1 처리유니트군(2a)으로 기판(G)을 반입하여{스텝(S3)}, 제 1 처리유니트군(2a)에서 기판(G)처리를 행한다{스텝(S4)}. 한편, 제 1 처리유니트군(2a)이 비어있지 않아 기판(G)의 반입을 허용하지 않을 경우에는, 제 2 처리유니트군(2b)이 기판의 반입을 허용하는가 그렇지 않은가를 판단하고{스텝(S5)}, 반입을 허용하는 경우에는 제 2 처리유니트군(2b)으로 기판(G)을 반입하여{스텝(S6)}, 제 2 처리유니트군(2b)에서 기판(G)의 처리를 행한다{스텝(S7)}.
제 1 처리유니트군(2a) 및 제 2 처리유니트군(2b)에서 상이한 내용의 처리를 행하는 경우에는, 예를들어 기판(G)에 처리내용에 따라 마킹(marking)을 하여 두어 이것을 검출하는 것에 의해 반입할 처리유니트군을 선택한다. 예를들어 도 7에 나타낸 바와 같이, 먼저 카세트 스테이션(1)으로부터 처리스테이션(2)으로 기판(G)을 반입한다{스텝(S11)}. 다음, 기판(G)의 마킹을 검출한다{스텝(S12)}. 검출된 마킹이 제 1 처리유니트군(2a)에 대응하는가 그렇지 않은가를 판단하여{스텝(S13)}, 제 1 처리유니트군(2a)에 대응하는 경우에는, 제 1 처리유니트군(2a)으로 기판을 반입하여{스텝(S14)}, 제 1 처리유니트군(2a)에서 기판(G)의 처리를 행한다{스텝(S15)}. 한편, 마킹이 제 1 처리유니트군(2a)에 대응하지 않은 경우에는, 마킹이 제 2 처리유니트군(2b)에 대응하는가 그렇지 않은가를 판단하고{스텝(S16)}, 제 2 처리유니트군(2b)에 대응하지 않은 경우에는, 제 2 처리유니트군(2b)으로 기판(G)을 반입하여{스텝(S17)}, 제 2 처리유니트군(2b)에서 기판(G)의 처리를 행한다{스텝(S18)}.
이와 같이 어느 하나의 처리유니트군에서 일련의 처리를 행하기 위해서는, 최초에 투입된 처리유니트군에서 일관되어 처리가 행하여지도록, 콘트롤러(70)에 의해 각 반송장치를 제어한다.
다음, 구체적인 처리의 예에 관하여 도 8을 참조하면서 설명한다. 여기서는 제 1 처리유니트군(2a)에 있어서의 처리에 관하여 설명한다. 먼저, 카세트(C)의 기판(G)이 카세트 스테이션(1)에 있어서의 반송기구(11)에 의해 꺼내어지고, 수평방향 반송장치(42)로 건네어져 제 1 처리섹션(36)으로 반입된다{스텝(S21)}. 제 1 처리섹션(36)에서는, 최초에 자외선조사 유니트(UV)(21a)에서 표면개질(表面改質)·세정처리가 행하여지고{스텝(S22)}, 다음에 스크러버 세정유니트(UV)(22a, 23a)에 의해 스크러버 세정이 행하여진다{스텝(S23)}.
그 후 기판(G)은, 수평방향 반송장치(42)에 의해, 처리블럭(32)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)로 반송된 다음, 제 2 처리섹션(37)의 수직방향 반송장치(44)에 의해 처리블럭(32) 또는 처리블럭(33)의 핫플레이트 유니트(HP)로 반송되어 탈수 베이크가 행하여지고{스텝(S24)}, 처리블럭(32) 또는 처리블럭(33)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)에서 소정 온도로 냉각된다{스텝(S25)}. 계속하 여 기판(G)은, 처리블럭(32) 또는 처리블럭(33)의 어드히젼 처리유니트(AD)로 반송되어 레지스트의 정착성을 높이기 위한 소수화처리(HMDS처리)가 행하여진다{스텝(S26)}. 그 후, 기판은, 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)로 반송되어 소정 온도로 냉각되고{스텝(S27)}, 계속하여 수직방향 반송장치(44)에 의해 레지스트 처리블럭(27a)으로 반송된다. 레지스트 처리블럭(27a)에서는, 먼저 레지스트 도포처리유니트(CT)(24a)에서 기판(G)에 대한 레지스트액 도포가 실시되고, 그 다음에 레지스트 처리블럭(27a) 내의 서브 아암(도시 않됨)에 의해 감압건조유니트(VD)(25a)로 반송되어 감압건조되고, 또 서브 아암에 의해 주연레지스트 제거유니트(ER)(26a)로 반송되어 기판(G) 주연의 불필요한 레지스트가 제거된다{스텝(S28)}. 그리고, 주연레지스트가 제거된 후, 기판(G)은 수직방향 반송장치(46)에 의해 레지스트 처리블럭(27a)으로부터 반출된다.
이와 같이, 레지스트 도포처리유니트(CT)(24a)의 뒤에 감압건조 유니트(VD)(25a)를 설치하는 것은, 레지스트를 도포한 기판(G)을 프리베이크 처리한 후 및 현상처리 후의 포스트베이크 처리한 후에, 리프트핀, 고정핀 등의 형상이 기판(G)에 전사(轉寫)되는 일이 있지만, 이와 같이 감압건조유니트(VD)에 의해 가열하지 않고 감압건조를 행함으로써, 레지스트 내의 용제가 서서히 방출되어, 가열하여 건조시키는 경우와 같은 급격한 건조가 발생하지 않아 레지스트에 악영향을 끼치는 일 없이 레지스트의 건조를 촉진시킬 수 있어, 기판 상에 전사가 발생하는 것을 유효하게 방지할 수 있기 때문이다.
이와 같이 하여 도포처리가 종료된 후, 기판(G)은 수직방향 반송장치(46)에 의해, 제 3 처리섹션(38)에 있어서의 처리블럭(34) 내의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)로 반송된다. 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)로 반송된 기판(G)은, 수직방향 반송장치(48)에 의해 처리블럭(28a) 또는 처리블럭(34, 35)의 어느 하나의 핫플레이트(HP)로 반송되어 프리베이크처리되고{스텝(S29)}, 그 후에 처리블럭(34, 35) 내 어느 하나의 냉각유니트(COL)로 반송되어 소정 온도로 냉각된다{스텝(S30)}.
그 후, 기판(G)은 수직방향 반송장치(48)에 의해 처리블럭(35)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)로 반송된다. 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)로 반송된 기판(G)은, 제 4 처리섹션(39)의 수평방향 반송장치(50)에 의해 인터페이스 스테이션(3)으로 반송되어 엑스텐션(61)으로 배치된다. 그리고, 엑스텐션(61) 상의 기판(G)은 반송기구(64)에 의해 노광장치(200)로 반송되어{스텝(S31)}, 소정의 패턴이 노광된다.
노광 종료 후, 기판(G)은 반송기구(64)에 의해 다시 인터페이스 스테이션(3)으로 되돌려져{스텝(S32)}, 반송기구(64)에 의해 처리스테이션(2)으로 반입된다. 구체적으로는, 제 4 처리섹션(39)의 수평방향 반송장치(50)에 의해 인터페이스 스테이션(3)의 엑스텐션(61)으로부터 기판(G)이 수취된다. 그리고, 기판(G)은, 수평방향 반송장치(50)에 의해 현상처리유니트(DEV)(29a, 30a, 31a)의 어느 한 곳으로 반송되어 현상처리되어, 소정 회로의 패턴이 형성된다{스텝(S33)}.
현상처리된 기판(G)은, 수평방향 반송장치(50)에 의해, 제 3 처리섹션(38)에 있어서의 처리블럭(35) 내 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)로 반송되어, 수직방향 반송장치(48)에 의해 처리블럭(28a) 또는 처리블럭(34, 35)의 어느 한 곳의 핫플레 이트(HP)로 반송되어 포스트베이크 처리되고{스텝(S34)}, 그 후에 처리블럭(34, 35)의 어느 한 곳의 냉각유니트(COL)로 반송되어 소정 온도로 냉각된다{스텝(S35)}.
그 후, 기판(G)은, 처리블럭(34)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL), 처리블럭(33)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL) 및 처리블럭(34)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)를 거쳐, 제 1 처리섹션(36)의 수평방향 반송장치(42)에 의해 카세트 스테이션(1)을 향하여 반송되고, 반송기구(11)에 의해 반출되어 카세트 스테이션(1) 상의 소정 카세트(C)에 수용된다{스텝(S36)}.
제 2 처리유니트군(2b)에 의한 처리에 관하여도, 상기 제 1 처리유니트군(2a)에 있어서의 처리와 동일한 처리를 행할 수 있다. 또, 처리의 일부를 생략하거나 하여 제 1 처리유니트군(2a)에 의한 처리와 상이한 처리를 행하도록 하는 것도 가능하다.
이상과 같이 본 실시형태에 의하면, 각각 독립된 일련의 처리를 행하는 제 1 및 제 2 처리유니트군(2a, 2b) 사이에 이들 각 처리유니트에 대한 기판(G)의 반송을 행하는 공통 반송장치(42, 44, 46, 48, 50)을 설치하였기 때문에, 각 시스템에 반송장치를 설치하는 종래의 장치구성에 비하여 반송장치를 적게할 수 있어, 레지스트 도포현상처리장치의 풋프린트를 작게할 수 있다. 또, 본 실시형태의 시스템을 하나의 시스템으로 보면, 액처리계의 유니트가 다수 설치되어 있기 때문에, 스루풋을 매우 높게 할 수 있다.
또, 선택수단으로서 기능하고 있는 콘트롤러(70)에 의해, 기판(G)을 제 1 처 리유니트군(2a) 및 제 2 처리유니트군(2b)의 어느 곳에서 처리하는가를 선택하도록 하여, 각 기판에 대하여 그 선택된 처리유니트군에서 처리를 행하도록 하였기 때문에, 제 1 처리유니트군(2a)과 제 2 처리유니트군(2b)을 각각 독립시켜 기판에 대한 레지스트 도포현상처리를 행하는 것이 가능하다.
또, 반송로 및 반송장치를 포함하는 반송계는 직선상(直線狀)으로 형성되어 있기 때문에 반송경로가 단순하여, 높은 스루풋으로 처리하는 것이 가능하다. 또, 제 1 처리유니트군(2a)과 제 2 처리유니트군(2b)은, 동일한 유니트가 동일한 순서로 배열되어 직선상의 반송로를 사이에 두고 대칭되어 설치되어 있기 때문에, 동일한 내용의 처리를 제 1 처리유니트군(2a)과 제 2 처리유니트군(2b)에서 병행함으로써 높은 스루풋을 달성할 수 있다. 또, 제 1 처리유니트군(2a)과 제 2 처리유니트군(2b)에서 서로 다른 내용의 처리를 행하는 것도 가능하여, 배리에이션(variation)이 높은 처리의 실현이 가능하게 된다.
덧붙여 설명하면, 상기의 예에서, 제 1 처리유니트군(2a)과 제 2 처리유니트군(2b) 내의 동일한 처리유니트를 완전히 동일한 순서로 배열하였지만, 처리유니트의 종류를 다르게 하여도 좋고, 그 배열의 순서를 다르게 하여도 좋다. 또, 제 1 처리유니트군(2a)과 제 2 처리유니트군(2b)을 반송계 양측에 배치하였지만, 한측에 양 처리유니트가 혼재하도록 배치하여도 좋다. 또, 상기의 예에서, 제 1 처리유니트군(2a)과 제 2 처리유니트군(2b)의 처리내용이 동일한 경우에는, 제 1 처리유니트군(2a)과 제 2 처리유니트군(2b) 중에서 기판(G)의 반송이 가능한 쪽을 검출하고, 이 검출결과에 의거하여 반송가능한 처리유니트군에 기판(G)을 반입하도록 하 고, 제 1 처리유니트군(2a)과 제 2 처리유니트군(2b)의 처리내용이 다른 경우에는, 기판(G)에 처리내용에 따라 마킹을 하여 두고 이를 검출함으로써 반입하는 처리유니트군을 선택하도록 하였지만, 이에 한정되지 않고, 예를들어 제 1 처리유니트군(2a)에 의한 처리를 행하는 기판(G)만을 수용한 카세트(C)와 제 2 처리유니트군(2b)에 의한 처리를 행하는 기판(G)만을 수용한 카세트(C)를 따로따로 배치하여, 여기서부터 상호로 기판(G)을 처리스테이션(2)에 반입하도록 하여도 좋다.
(제 2 실시형태)
다음, 본 발명의 제 2 실시형태에 관하여 설명한다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 LCD 기판의 레지스트 도포현상처리장치를 나타내는 평면도이다. 이 레지스트 도포현상처리장치(300)는, LCD 기판에 대하여 레지스트를 도포한 후 노광장치에 일단 건네주고, 이 노광장치(400)에 의해 노광처리된 후의 기판을 다시 건네받아 현상처리를 행한다.
이와 같은 일련을 처리를 행하기 위하여 이 레지스트 도포현상처리장치(300)는, LCD 기판(G)의 반입반출(로드/언로드)를 행하는 반입반출부(103)와, 기판(G)을 회전시켜 세정처리를 행하기 위한 제 1 액처리계 프로세스부(104)와, 기판(G)에 대하여 주고 가열·냉각처리등의 열적처리를 행하기 위한 제 1 열처리계 프로세스부(105)와, 기판(G)을 회전시키면서 레지스트액의 도포(코우팅), 감압건조 및 주연레지스트 제거처리를 행하고 또 기판(G)을 회전시키면서 현상처리를 행하기 위한 제 2 액처리계 프로세스부(106)와, 기판에 대하여 가열·냉각처리를 행하기 위한 제 2 열처리계 프로세스부(107)와, 노광장치(400)와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 인터페이스부(I. F.)(108)를 갖추고 있다.
반입반출부(103)는, 카세트 재치대(110)와 반송부(CS)(111)를 갖추고 있다. 카세트 재치대(110) 상에는 2종류의 카세트(C1, C2)가 재치되어 있다. 예를들어, 제 1 카세트(C1)에는 처리 전의 기판(G)이 수납되고, 제 2 카세트(C2)에는 처리 후의 기판(G)이 수납된다.
또, 반송부(111)에는, 제 1 서브 아암기구(113)가 설치되어 있다. 이 제 1 서브 아암기구(113)은, 기판을 보유유지할 수 있는 아암(114)을 갖추고, 이 아암(114)을 선회시켜 진퇴시킴으로써, 제 1 카세트(C1)에 수납된 기판을 꺼내어 제 1 액처리계 프로세스부(104)측에 전달할 수 있도록 되어 있다. 덧붙여 설명하면, 모든 처리가 종료된 기판은, 이 제 1 서브 아암기구(113)에 의해, 예를들어 제 1 액처리계 프로세스부(104)측으로부터 제 2 카세트(C2)로 수납된다.
제 1 액처리계 프로세스부(104)는, 제 1 서브 아암기구(113)으로부터 기판(G)을 수취하는 제 1 메인 아암기구(115)를 갖추고 있다. 이 메인 아암기구(115)는, Y 방향을 따라 연설(延設)된 제 1 중앙반송로(116) 상을 주행하는 베이스(117)와, 이 베이스(117) 상을 선회, 진퇴, 상하 구동되는, 예를들어 아암(118)을 갖추고 있다.
이 메인 아암기구(115)의 일방측(一方側)에는, 중앙반송로(116)를 따라, 예를들어 브러쉬에 의한 스크러버 세정을 행하는 2개의 세정유니트(SCR)(119)가 병설되어 있다. 또, 제 1 메인 아암기구(115)의 타방측(他方側)에는, 중앙반송로(116) 를 따라, 유기물 세정을 행하는 엑시머 유니트(Excimer)(112)와, 세정유니트(SCR)(119)가 병설되어 있다.
제 1 메인 아암기구(115)는, 반입반출부(103)로부터 건네받은 기판(G)을 처리유니트(112, 119)의 어느 한 곳으로 반입하고, 필요한 처리가 실시된 기판(G)을 처리유니트(112, 119)의 어느 한 곳으로부터 꺼냄과 동시에, 꺼내어진 기판(G)을 타 처리유니트로 반입하든가 제 1 열처리계 프로세스부(105)로 반송한다.
제 1 열처리계 프로세스부(105)는 제 1 중앙반송로(116)에 대하여 직렬{중앙반송로(116)의 연장선 상)로 배치되어 있다. 이 제 1 열처리계 프로세스부(105)에는, 제 2 서브 아암기구(113A)가 설치되어 있다. 이 제 2 서브 아암기구(113A)는, 기판을 보유유지하는 아암(114)을 갖추고, 이 아암(114)을 선회, 진퇴, 상하 구동시킴으로써, 기판을 주위 처리유니트의 소정 장치(후술 함)로 건네줄 수 있도록 되어 있다.
제 2 서브 아암기구(113A)의 주위에는, 제 1 열계처리(熱系處理) 유니트블럭(120)과, 제 2 열계처리 유니트블럭(121)과, 제 3 열계처리 유니트블럭(122)과, 제 4 열계처리 유니트블럭(123)이, 제 2 서브 아암기구(113A)를 감싸듯이 하여 설치되어 있다. 이들 중, 제 1 열계처리 유니트블럭(120)은, 밑에서부터 차례로, 상기 제 1 액처리계 프로세스부(104)과 제 1 열처리계 프로세스부(105)와의 사이에서 기판(G)의 주고받기를 행할 때의 중계부로서의 기능과 기판냉각기능을 겸비한 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)와, 기판을 가열하여 탈수 베이크 처리를 행하는 2개의 탈수 베이크유니트(HP)를 3단으로 적층시켜 구성되어 있다.
제 2 열처리계 처리유니트블럭(121)은, 제 2 서브 아암기구(113A)를 사이에 두고 제 1 열계처리 유니트블럭(120)에 Y 방향으로 대향하도록 설치되어 있고, 밑에서부터 차례로, 제 2 액처리계 프로세스부(106)와 제 1 액처리계 프로세스부(105)와의 사이에서 기판의 주고받기를 행할 때의 중계부로서의 기능과 기판냉각기능을 겸비한 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)와, 쿨링유니트(COL)와, 소수화 처리를 행하는 어드히젼 처리유니트(AD)를 3단으로 적층시킴에 의해 구성되어 있다. 또, 제 3 및 제 4 열계처리 유니트블럭(122 및 123)은, 양쪽 모두, 3개의 포스트 베이크 처리용의 핫플레이트 유니트(POST)를 상하 3단으로 적층함에 의해 구성되고, 이들은 제 2 서브 아암기구(113A)를 사이에 두고 서로 X 방향으로 마주보도록 배설(配設)되어 있다. 덧붙여 설명하면, 제 1 열계처리 유니트블럭(120)은 제 1 액처리계 프로세스부(104)의 제 1 중앙반송로(116)에 접속되어 있고, 이 제 2 열계처리 유니트블럭(121)은 제 2 액처리계 프로세스부(106)의 제 2 중앙반송로(124)(후술 함)에 접속되어 있다.
제 2 서브 아암기구(113A)는, 제 1 액처리계 프로세스부(104)의 제 1 메인 아암기구(115)에 의해 제 1 열계처리 유니트블럭(120)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)로 건네어진 기판(G)을 수취하여, 이것을 그 주위의 제 1로부터 제 4 열계처리 유니트블럭(120∼123)의 각 유니트로 반입함과 동시에, 필요한 처리가 실시된 기판(G)을 제 1로부터 제 4 열계처리 유니트블럭(120∼123)의 각 유니트로부터 꺼내어, 차례로 제 1로부터 제 4 열계처리 유니트블럭(120∼123)의 다른 처리유니트 또는 제 3 열계처리 유니트블럭(122)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)로 반송하든가, 그 역(逆)의 조작을 행하도록 되어 있다.
덧붙여 설명하면, 도 10에 제 2 서브 아암기구(113A)를 사이에 두고 Y 방향으로 마주보도록 배설되어 있는 제 1 열계처리 유니트블럭(120)과 제 2 열계처리 유니트블럭(121)의 처리유니트 적층상태를, 서브 아암기구(113A)와 같이 예시한다.
한편, 제 2 액처리계 프로세스부(106)는, Y 방향을 따라 연설된 제 2 중앙반송로(124) 상을 주행하는 제 2 메인 아암기구(125)를 갖추고 있다. 이 제 2 메인 아암기구(125)는, 제 1 메인 아암기구(115)와 마찬가지로 구성된 베이스(126) 및 아암(127)을 갖추고 있다.
또, 이 제 2 메인 아암기구(125)의 일방측에는, 레지스트 처리블럭(130)이 설치되어 있다. 이 레지스트 처리블럭(130)은, 기판에 레지스트액을 도포하는 레지스트액 도포처리유니트(CT)와, 레지스트액이 도포된 기판을 건조처리하는 감압건조처리유니트(VD)와, 건조 후 기판 주연부의 불필요한 레지스트를 제거하는 엣지 리무버(ER)에 의해 구성되고, 이들은 서로 일체로 되어 제 2 중앙반송로(124)를 따라 배열되어 있다. 또 제 2 메인 아암기구(125)의 타방측에는, 제 2 중앙반송로(124)를 따라, 노광 후의 LCD 기판을 현상처리하기 위한 3개의 현상처리유니트(DEV)(131)가 병설되어 있다.
제 2 메인 아암기구(125)는, 제 1 열처리계 프로세스부(5)로부터 수취한 기판(G)을 레지스트 처리블럭(130)으로 반입하고, 처리가 실시된 기판을 레지스트 처리블럭(130)으로부터 꺼내어 제 2 열처리계 프로세스부(107)측으로 반송한다. 또, 제 2 열처리계 프로세스부(107)로부터 수취한 기판을 현상처리유니트(131)로 반입하고, 처리가 실시된 기판(G)을 현상처리유니트(131)로부터 꺼내어 제 1 열처리계 프로세스부(105)측으로 반송한다.
제 2 열처리계 프로세스부(107)는 제 2 중앙반송로(124)에 직렬{중앙반송로(124)의 연장선 상}에 배치되어 있다. 이 제 2 열처리계 프로세스부(107)에는, 제 3 서브 아암기구(113B)가 설치되어 있다. 이 제 3 서브 아암기구(113B)는, 제 2 서브 아암기구(113A)와 마찬가지로 기판(G)을 보유유지하는 아암(114)을 갖추고, 이 아암(114)을 선회, 진퇴, 상하 구동시킴으로써, 기판을 주위 처리유니트의 소정 장치(후술 함)로 건네줄 수 있도록 되어 있다.
제 3 서브 아암기구(113B)의 주위에는, 제 5 열계처리 유니트블럭(132)과, 제 6 열계처리 유니트블럭(133)과, 제 7 열계처리 유니트블럭(134)이, 제 3 서브 아암기구(113B)를 감싸듯이 하여 설치되어 있다. 이들 중, 제 5 열계처리 유니트블럭(132)은, 밑에서부터 차례로, 상기 제 2 액처리계 프로세스부(106)과 제 2 열처리계 프로세스부(107)와의 사이에서 기판(G)의 주고받기를 행할 때의 중계부로서의 기능하는 엑스텐션유니트(EXT)와, 프리베이크처리를 행하는 2개의 프리베이크 유니트(PRE)를 3단으로 적층시켜 구성되고, 제 2 액처리계 프로세스부(106)의 제 2 중앙반송로(124)를 접속함과 동시에, 제 3 서브 아암기구(113B)를 사이에 두고 인터페이스부(I. F.)(108)와 Y 방향으로 마주보도록 배설되어 있다. 또, 제 6 및 제 7 열처리유니트블럭(133 및 134)은, 모두가 밑에서부터 차례로, 기판(G)의 냉각을 행하는 쿨링유니트(COL)와, 프리베이크를 행하는 2개의 프리베이크 유니트(PRE)를 3 단으로 적층시켜 구성되어 있다. 그리고, 이들 제 6 및 제 7 열계처리 유니트블럭(133 및 134)은, 제 3 서브 아암기구(113B)를 사이에 두고 X 방향으로 마주보도록 배설되어 있다.
제 3 서브 아암기구(113B)는, 제 2 액처리계 프로세스부(106)의 제 2 메인 아암기구(125)에 의해 제 4 열계처리 유니트블럭(132)의 엑스텐션 유니트(EXT)에 건네어진 기판(G)을 수취하여, 이것을 이 주위의 제 5로부터 제 7의 열계처리 유니트블럭(132∼134)의 각 유니트에 반입함과 동시에, 필요한 처리가 실시된 기판(G)을 제 5로부터 제 7의 열계처리 유니트블럭(132∼134)의 각 처리블럭으로부터 꺼내어 노광장치(400)측의 인터페이스부(I. F.)(108)로 이송한다. 또, 제 3 서브 아암기구(113B)는, 노광이 종료된 기판(G)을 노광장치(400)로부터 인터페이스부(I. F.)(108)를 매개로 하여 수취하여, 이것을 다시 제 2 액처리계 프로세스부(106)로 반송한다.
인터페이스부(108)(I. F.)는, 반송·대기부(137)와 주고받기부(138)에 의해 구성되어 있다. 반송·대기부(137)는, 제 2 열처리계 프로세스부(107)와, 인터페이스부(I. F.)(108)와의 사이에서 기판(G)의 주고받기를 행할 때의 중계부로서의 기능과 기판냉각기능을 겸비한 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL) 스테이지(136)와, 버퍼 카세트(Buf)(135)와, 제 4 서브 아암기구(도시 않됨)를 갖추고 있다. 또, 주고받기부(138)는, 상기 제 4 서브 아암기구와 노광장치(400)와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 주고받기대(도시 않됨)을 갖추고 있다.
다음, 도 11의 평면도 및 도 12의 측면도를 참조하여, 열처리계 프로세스부(105, 107)에 배설된 제 2 및 제 3 서브 아암기구(113A, 113B)의 구조에 관하여 설명한다. 제 2 및 제 3 서브 아암기구(113A, 113B)는 동일한 구조를 갖추는 수평 스칼라형의 로보트이고, 도 11 및 도 12에 나타낸 바와 같이, 선회축(旋回軸)(도시 않됨)의 주위를 선회 및 상하이동하는 선회판(旋回板)(140)과, 기판(G)을 보유유지하고 전후이동하는 상하 2개의 핸드(142, 144)을 갖추고 있다.
또, 상측 핸드(142)의 기단부(基端部) 양측에는 상방을 향하여 지축(支軸)(150, 150)이 설치되어 있고, 이들 지축(150, 150)에 회동이 가능하도록 연결된 한쌍의 제 1 아암(152, 152)와, 이들 제 1 아암(152, 152)에 지축(157, 157)을 매개로 하여 회동이 가능하도록 연결된 한쌍의 제 2 아암(156, 156)이 설치되어 있다. 제 1 아암(152, 152)은, 제 2 아암(156, 156)의 하측에 설치되고, 핸드(142)는 제 1의 아암(152, 152)에 매달려 지지되어 있다. 한쌍의 제 2 아암(156, 156)은, 상기 선회판(140)으로부터 상방으로 뻗친 한쌍의 제 1 회전구동축(155, 155)에 회전이 가능하도록 연결되어 있다.
한편, 하측 핸드(144)의 기단부 양측에는 하방을 향하여 지축(160, 160)이 설치되어 있고, 이들 지축(160, 160)에 회동이 가능하도록 연결된 한쌍의 제 3 아암(162, 162)와, 이들 제 3 아암(162, 162)에 지축(167, 167)을 매개로 하여 회동이 가능하도록 연결된 한쌍의 제 4 아암(166, 166)이 설치되어 있다. 제 3 아암(162, 162)은, 제 4 아암(166, 166)의 하측에 설치되고, 핸드(144)는 제 3의 아암(162, 162)에 의해 하측으로부터 지지되어 있다. 한쌍의 제 4 아암(166, 166)은, 상기 선회판(140)으로부터 상방으로 뻗친 한쌍의 제 2 회전구동축(165, 165)에 회전이 가능하도록 연결되어 있다.
도시한 바와 같이, 제 1 회전구동축(155)과 제 2 회전구동축(165)은 동축(同軸)에 배치되어 있고, 제 1 회전구동축(155)이 제 2 회전구동축(165) 상방으로 뻗쳐져 있다. 또, 이들 회전구동축(155, 165)은, 서브 아암구동기구(113A, 113B)의 선회 반경 내측이고 핸드(142, 144)의 외측에 해당하는 곳에 위치되어 있다. 덧붙여 설명하면, 각 회전구동축(155, 165)에는 풀리(도시 않됨)가 설치되어 있고, 이 풀리에 걸쳐져 있는 타이밍 벨트에 의해 각 아암(152, 156, 162, 166)이 회동하도록 되어 있다.
다음, 상기 구성의 도포현상처리시스템(300)에 있어서의 처리 순서의 일례를 도 13의 플로우 차트를 참조하면서 설명한다.
먼저, 재치대(110) 상의 제 1 카세트(C) 내에 수납된 미처리 기판(G)이, 반입반출부(103)으로부터 반송부(CS)(111)를 매개로 하여 제 1 액처리계 프로세스부(104)의 제 1 메인 아암기구(115)에 건네어진다{스텝(S41)}. 다음, 이 기판(G)이 엑시머 유니트(Excimer)(112)에 의해 유기물 세정되고{스텝(S)}, 그 후, 예를들어 제 1 열처리계 프로세스부(105)의 제 1 열계처리 유니트블럭(120)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)에서 냉각 처리가 행하여진다{스텝(S43)}.
다음, 냉각처리가 실시된 기판(G)은, 스크러버 세정유니트(SCT)(119)에 의해 브러쉬에 의한 스트러버 세정이 실시되고{스텝(S44)}, 그 처리가 종료된 후 제 2 서브 아암기구(113A)에 의한 반입반출동작에 의해, 제 1 열처리계 프로세스부(105)의 제 1 열계처리 유니트블럭(120)의 핫플레이트(HP)에서 탈수베이크처리가 행하여 지고{스텝(S45)}, 그 다음에 제 2 열처리계 프로세스블럭(121)의 쿨링유니트(COL)에서 냉각처리가 행하여진다{스텝(S46)}. 그 후, 기판은, 레지스트의 정착성을 높이기 위하여, 어드히젼 처리유니트(AD)에서 표면의 소수화처리가 행하여지고{스텝(S47)}, 제 2 열계처리 유니트블럭(121)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)에서 소정의 온도로 냉각된다{스텝(S48)}.
다음, 소수화처리가 종료된 기판은, 제 2 메인 아암기구(125)에 의해 제 2 액처리계 프로세스부(106)로 도입되고, 레지스트 처리블럭(130)의 레지스트액 도포처리유니트(CT), 감압건조처리유니트(VD), 및 엣지리무버(ER)에 의해, 레지스트액 도포, 감압건조처리 및 기판 주연의 불필요한 레지스트액의 제거가 차례로 행하여진다{스텝(S49)}.
이와 같이 레지스트 처리된 기판(G)은, 제 4 열계처리 유니트블럭(132)의 엑스텐션유니트(EXT)를 통하여 제 3 서브 아암기구(113B)에 의해 제 2 열처리계 프로세스부(107)로 도입되고, 이 제 2 열처리계 프로세스부(107)의 제 5로부터 제 7의 열계처리 유니트블럭(132, 133, 134)의 어느 하나의 프리베이크유니트(PRE)에서 프리베이크처리된다{스텝(S50)}. 이에 의해, 기판(G)에 도포된 레지스트액에 포함된 용제가 휘발된다. 다음, 이 기판(G)은 제 2 열처리계 프로세스부(107)의 제 6 또는 제 7의 열계처리 유니트블럭(133, 134)의 어느 하나의 쿨링유니트(COL)에서 거의 실온(室溫)으로 냉각된다{스텝(S51)}. 그 후, 이 기판(G)은, 제 3 서브 아암기구(113B)에 의해, 인터페이스부(108)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)(136)로 반입됨과 동시에, 인터페이스부(108)을 매개로 하여 노광장치(400) 로 건네어지고{스텝(S52)}, 그곳에서 소정의 패턴이 노광된다.
노광처리가 행하여진 기판은, 타이틀러(Titler)(139)에 삽입되어 타이틀링 처리가 행하여진다{스텝(S53)}. 그 후, 기판(G)은, 인터페이스부(108)와 제 2 열처리계 프로세스부(107)를 매개로 하여, 제 2 액처리계 프로세스부(106)로 도입되어 소정의 현상처리유니트(DEV)(131)에서 현상처리가 행하여진다{스텝(S54)}. 이 현상처리유니트(131)에서는, 예를들어 기판이 회전되는 상태에서 기판 상에 현상액이 공급되어 현상이 행하여진다. 또, 린스액으로 현상액이 씻겨진후, 회전에 의해 떨쳐떨어짐으로써 건조가 행하여진다.
현상처리된 기판(G)은, 제 1 열처리계 프로세스부(105) 내로 도입되어, 제 3 또는 제 4 열처리계 프로세스블럭(122, 123)의 포스트베이크 유니트(POST)에서 포스트베이크 처리가 행하여지고{스텝(S55)}, 그 다음에 제 2 열처리계 프로세스블럭(121)의 쿨링유니트(COL) 또는 제 1 또는 제 2 열처리계 프로세스블럭(120, 121)의 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)에서 소정 온도로 냉각된다{스텝(S56)}.
이상의 처리가 전부 실시된 기판(G)은, 제 2 서브 아암기구(113A)로부터, 제 1 메인 아암기구(115)를 매개로 하여 반송부(111)(C/S)에 설치된 제 1 서브 아암기구(113)으로 전달되어, 이 제 1 서브 아암기구(113)에 의해 반입반출부(103)에 재치된 제 2 카세트 내에 수용된다{스텝(S57)}.
이상과 같이, 본 실시형태의 도포현상처리시스템(300)에서는, 비교적 대형의 회전계 유니트인 스크러버 세정유니트(SCR)(119), 레지스트 처리블럭(130)의 레지 스트액 도포처리유니트(CT), 및 현상처리유니트(DEV)(131)를 포함하는 액처리계 유니트가 중앙반송로(116, 124)를 따라 병설되고, 이들 유니트보다 소형의 열처리계 유니트, 즉 탈수베이크유니트, 프리베이크유니트, 포스트베이크유니트(HP, PRE, PSOT), 쿨링유니트(COL), 어드히젼유니트(AD)등이, 중앙반송로(116, 124)의 연장선상에 위치하고 있는 서브 아암기구(113A, 113B) 주위에 다단으로 적층되어 배치되어 있다. 이와 같이, 열처리계 유니트를 집약시켜 일체화하면, 면적을 절약할 수 있을 뿐만 아니라 처리의 효율화를 꾀할 수 있고 또 다수의 유니트를 배치할 수 있다. 즉, 풋프린트를 작게함과 동시에 유니트의 수를 증가시킬 수 있다. 또, 열처리계의 유니트를 집약하여 일체화시키면, 이곳에 전기배선 및 배관을 집중시킬 수 있기 때문에, 각종 라인을 컴팩트하게 배치할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 회전계의 유니트를 주(主) 구성요소로하는 액처리계 프로세스부와 열처리계의 유니트에 의해 형성되는 열처리계 프로세스부가 중앙반송로를 매개로 하여 직열적으로 접속됨으로써 서로 구분되어 있다. 그 때문에, 열처리계 유니트로부터 액처리계 유니트로의 열적 영향을 최소한으로 억제할 수 있다.
또, 수평으로 뻗어있는 중앙반송로(116, 124)를 따라 기판(G)에 액처리를 행하는 복수의 액처리계 유니트가 배치되고, 중앙반송로(116, 124)를 이동하는 메인아암기구(115, 125)에 의해 중앙반송로(116, 124)를 따라 설치된 각 처리유니트에 대한 기판(G)의 반송이 행하여지는 액처리계 프로세스부(104, 106)와, 수직으로 뻗은 수직반송로를 따라 상하방향으로 적층하여 복수의 열처리계 유니트가 배치되고, 수직반송로를 이동하는 서브아암기구(113A, 113B)에 의해 수직으로 적층된 각 열처 리계 유니트에 대한 기판(G)의 반송이 행하여지는 열처리계 프로세스부(105, 107)를 구비하고 있고, 상하로 겹치게 함에 지장이 없는 열처리계 유니트를 상하로 적층시키고, 서브아암기구(113A, 113B)의 주위에 처리유니트를 겹치게 한 열계처리 유니트블럭을 배치하도록 하였기 때문에, 그곳에서 절약된 만큼 풋프린트를 작게할 수 있음과 동시에, 상하로 겹치게 함에 지장이 있는 액처리계 처리유니트를 수평으로 배치하여 메인아암기구(115, 125)로 반송하기 때문에, 메인아암기구(115, 125)로서 수평방향의 이동이 고속으로 행하여질 수 있는 것을 사용하고, 서브아암기구(113A, 113B)로서 수직방향의 이동이 고속으로 행하여질 수 있는 것을 사용할 수 있어, 반송장치의 기능분리가 가능하게 되어 스루풋을 높게 유지할 수 있다.
또, 본 실시형태에 있어 열처리계 프로세스부(105, 107)에 설치된 기판반송장치로서의 제 2 및 제 3 서브아암기구(113A, 113B)는, 양쪽 모두가, 기판(G)을 보유유지하기 위한 2개의 핸드(142, 144)가 각각 2개의 아암(152, 152) 및 아암(162, 162)에 의해 양측으로부터 지지되어 있기 때문에, 강성(剛性)이 높고, 대형의 장방형 LCD 기판을 고속으로 안정되게 지지할 수 있다. 또, 제 1 회전구동축(155)과 제 2 회전구동축(165)은 서로 동축(同軸)에 배치됨과 동시에, 서브아암기구(113A, 113B)의 선회반경 내측이고 핸드(142, 144)의 외측인 곳에 위치되어 있기 때문에, 핸드(142, 144)와 회전구동축(155, 165)과의 간섭(干涉)을 방지하면서 아암기구의 소형화를 꾀할 수 있다.
이와 같은 구조의 기판반송용 서브아암(113A, 113B)은, 본 실시형태와 같은 레지스트 도포현상처리장치(300)에 있어 특히 유익하다. 즉, 본 실시형태의 레지스트 도포현상처리장치(300)에서는, 전술한 바와 같이 열계(熱系)의 유니트가 집약되어 일체화됨에 의해, 장비면적의 절약 및 처리의 효율화가 꾀하여져 있다(풋프린트를 작게 억제하면서 동시에 유니트 수를 증가시킬 수 있다). 따라서, 도 11, 12에 나타낸 바와 같은 특유의 구성에 의해 서브아암기구(113A, 113B)의 소형화가 꾀하여지면, 상기 구성을 갖추는 도포현상처리시스템(300)의 풋프린트의 삭감이 보다 촉진됨과 동시에, 서브아암기구(113A, 113B)의 고강성화(高剛性化)에 동반되어 고속반송이 가능하여지면, 유니트 수의 증가를 가능하게 한 레지스트 도포현상처리장치(300)에 의한 스루풋의 향상이 더욱 촉진된다.
도 14는 제 2 및 제 3 서브아암기구(113A, 113B)의 변형례를 나타내고 있다. 이 변형례에 있어, 하측의 핸드(144)를 동작시키기 위한 제 2 회전구동축(165, 165)은, 상측 핸드(144)를 동작시키기 위한 제 1 회전구동축(155, 155)보다 전방측(X 방향 또는 Y 방향을 따라 떨어진 위치)이고 또 제 1 회전구동축(155, 155)의 외측{선회대(旋回臺)(140) 중심에 대하여 경방향(徑方向) 외측}에 오프셋되어 위치되어 있다. 덧붙여 설명하면, 그 외의 구성은 도 11 및 도 12의 구성과 동일하기 때문에, 동일 부호를 붙여 그 설명을 생략한다. 이 변형례의 구성에 의하면, 도 11 및 도 12의 구성과 동일한 작용효과를 얻을수 있는 외에, 제 2 회전구동축(165, 165)이 제 1 회전구동축(155, 155)의 외측에 오프셋되어 있기 때문에, 핸드(142, 144)와 회전구동축(155, 165)과의 간섭을 한층 더 확실히 방지할 수 있는 등의 효과가 있다.
도 15는, 본 발명의 제 2 실시형태의 변형례를 나타내는 평면도이다. 덧붙여 설명하면, 도 15에 있어 도 9와 공통된 구성부분에 관하여는, 동일 부호를 붙이고 있다.
본 예에 관련된 레지스트 도포현상처리장치(300A)는, LCD 기판(G)의 반입반출(로딩 및 언로딩)을 행하기 위한 반입반출부(103)와, 기판을 회전시켜 세정처리를 행하기 위한 제 1 액처리계 프로세스부(104), 주로 가열·냉각처리를 행하기 위한 제 1 열처리계 프로세스부(105A)와, 기판(G)을 회전시켜 레지스트액의 도포(코우팅) 및 주연레지스트 제거처리를 행하는 제 2 액처리계 프로세스부(106A)와, 가열·냉각처리를 행하기 위한 제 2 열처리계 프로세스부(107A)와, 액처리계/열처리계 겸용프로세스부(109)와, 노광장치(400)와의 사이에서 기판(G)의 주고받기를 행하기 위한 인터페이스부(I. F.)(108)를 갖추고 있다. 또, 액처리계/열처리계 겸용프로세스부(109)는, 가열·냉각처리를 행하기 위한 제 3 열처리계 프로세스부(109A)와, 기판을 회전시켜 현상처리를 행하기 위한 제 3 액처리계 프로세스부(109B)에 의해 구성된다. 덧붙여 설명하면, 이들 중 반입반출부(103), 제 1 액처리계 프로세스부(104), 인터페이스부(I. F.)(108)의 구성은 도 9의 예와 완전히 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
제 1의 열처리계 프로세스부(105A)는 제 1 중앙반송로(116)에 직렬{중앙반송로(116)의 연장선 상}로 배치되어 있고, 제 2 서브아암기구(113A)를 배치하고 있다. 제 2 서브아암기구(113A) 주위에는, 제 1 열처리계 유니트 블럭(170)과, 제 2 열계처리 유니트블럭(171)과, 제 3 열처리기계 유니트블럭(172)이, 제 2 서브아 암기구(113A)를 외측으로부터 감싸듯이 하여 설치되어 있다. 이들 중, 제 1 열계처리 유니트블럭(170)은, 밑에서부터 차례로, 상기 제 1 액처리 프로세스부(104)와 제 1 열처리계 프로세스부(105)와의 사이에서 기판(G)의 주고받기를 행할 때의 중계부로서의 기능과 기판냉각기능을 겸비한 엑스텐션·쿨링유니트(COL)와, 탈수베이크처리를 행하는 2개의 탈수베이크유니트(HP)와, 소수화처리를 행하는 어드히젼처리유니트(AD)를 3단으로 적층시킨 구성을 갖추고 있다. 제 3 열계처리 유니트블럭(172)은, 제 1 열처리계 프로세스부(105A)와 제 2 열처리계 프로세스부(107A)와의 사이에서 기판(G)의 주고받기를 행할 때의 중계부로서의 기능과 기판냉각기능을 겸비한 엑스텐션쿨링·플레이트(EXT·COL)와, 쿨링플레이트(COL)와, 프리베이크 처리를 행하는 2개의 프리베이크 유니트(PRE)를 4단으로 적층시킨 구성을 갖추고 있다. 덧붙여 설명하면, 제 1 열계처리 유니트블럭(170)은, 제 1 액처리계 프로세스부(140)의 제 1 중앙반송로(116)에 접속되어 있고, 제 2 서브아암기구(113A)를 사이에 두고 제 3 열계처리 유니트블럭(172)과 Y 방향으로 마주보도록 배설되어 있다.
제 2 열처리계 프로세스부(107A)는, 액처리계/열처리계 겸용프로세스부(109)의 제 2 중앙반송로(124A)(후술 함)에 직렬{중앙반송로(124A)의 연장선 상}에 배치되어 있고, 제 3의 서브아암기구(113B)를 갖추고 있다.
제 3 서브아암기구(113B)의 주위에는, 제 3 열계처리 유니트블럭(172)과, 제 4 열계처리 유니트블럭(173)과, 제 5 열계처리 유니트블럭(174)이. 제 3 서브아암기구(113B)를 외측으로부터 감싸듯이 하여 설치되어 있다. 즉, 제 3 열계처리 유니 트블럭(172)은, 제 2 서브아암기구(113A)와 제 3 서브아암기구(113B)와의 사이에 배치되어, 제 1 열처리계 프로세스부(105A)와 제 2 열처리계 프로세스부(107A)와의 사이에서 겸용되고 있다. 제 4 열계처리 유니트블럭(173)은, 프리베이크 처리를 행하는 4개의 프리베이크 유니트(PRE)를 상하 4단으로 적층시킴에 의해 구성되어 있다. 또, 제 5 열계처리 유니트블럭(174)은, 밑에서부터 차례로, 제 2 열처리계 프로세스부(107A)와 액처리계/열처리계 겸용프로세스부(109)와의 사이에서 기판(G)의 주고받기를 행할 때의 중계부로서의 기능과 기판냉각기능을 겸비한 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)와, 쿨링유니트(COL)와, 포스트베이크 처리를 행하는 포스트베이크 유니트(POST)를 상하 3단으로 적층시킴에 의해 구성되어 있다. 덧붙여 설명하면, 제 5 열처리계 처리유니트블럭(174)은, 액처리계/열처리계 겸용프로세스부(109)의 제 2 중앙반송로(124A)(후술 함)에 접속되어 있고, 제 3 서브아암기구(113B)를 사이에 두고 제 3 열계처리 유니트블럭(172)에 Y 방향으로 마주보도록 배설되어 있다.
제 2 액처리계 프로세스부(106A)는, 레지스트 처리블럭(130)에 의해 구성되고, 제 1 중앙반송로(116)의 연장선 상에 직렬로 배치된 제 2 및 제 3 서브아암기구(113A, 113B)와, 그 사이의 제 3 열계처리 유니트블럭(172)을 따라 병설되고, 제 2 및 제 3 서브아암기구(113A, 113B)에 의해 접근가능하도록 되어 있다.
액처리계/열처리계 겸용프로세스부(109)는, Y 방향을 따라 연설된 제 2 중앙반송로(124A) 상을 주행하는 제 2 메인아암기구(125)를 갖추고 있다. 이 제 2 메인아암기구(125)는, 도 9에 나타낸 실시형태와 마찬가지로 구성된 베이스(126) 및 아 암(127)을 갖추고 있다.
또, 이 제 2 메인아암기구(125)의 일방측에는, 제 2 중앙반송로(124A)를 따라, 제 6 열계처리 유니트블럭(175)과, 노광처리 후의 LCD 기판을 현상처리하기 위한 2개의 현상처리유니트(dEV)(131)가 병설되어있고, 타방측에는 제 2 중앙반송로(124A)를 따라 제 7 열계처리 유니트블럭(176)과 2개의 현상처리유니트(DEV)(131)가 병설되어 있다. 제 6 및 제 7 열계처리 유니트블럭(175, 176)은, 양쪽 모두가, 포스트베이크 처리를 행하는 2개의 포스트베이크 처리유니트(POST)를 상하 2단으로 적층됨에 의해 구성되어 있고, 제 2 메인아암기구(125)가 제 6 및 제 7 열계처리 유니트블럭(175 및 176) 사이에 위치된 상태에서는 제 5 열계처리 유니트블럭(174)과 같이 제 3 열처리계 프로세스부(109A)를 형성한다. 이 경우, 제 5 열계처리 유니트블럭(174)은, 제 2 열처리계 프로세스부(107A)와 제 3 열처리계 프로세스부(109A) 사이에서 겸용되는 결과로 된다. 또, 제 2 메인아암기구(125)의 양측에 배치된 4개의 현상유니트(DEV)(131)는, 제 2 메인아암기구(125)와 같이 제 3 회전계 프로세스부(109B)를 구성하고 있다.
이와 같이 구성된 레지스트 도포현상처리장치(300A)를 사용하는 처리의 기본적 흐름은 상술한 도 9에 나타낸 시스템의 그것과 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
이상과 같이, 본 예에 관련된 레지스트 도포현상처리장치(300A)에 있어서도, 비교적 대형의 회전계 유니트인 스크러버 세정유니트(SCR)(119), 레지스트 처리블럭(130)의 레지스트액 도포처리유니트(CT), 및 현상처리유니트(DEV)(131)를 포함하 는 액처리계 유니트가 중앙반송로(116, 124A)를 따라 병설되고, 또 열처리계 처리유니트(HP, PRE, POST, COL, AD)가 중앙반송로(116, 124A)의 연장선 상에 위치하는 서브아암기구(113A, 113B)의 주위에 다단으로 적층되어 배치되어 있기 때문에, 도 9에 나타낸 실시형태와 동일한 작용효과를 얻을 수 있다.
도 16은 본 발명의 제 2 실시형태의 타 변형례를 나타내는 평면도이다. 덧붙여 설명하면, 도 16에 있어 도 9와 공통된 구성부분에 관하여는, 동일한 부호를 붙이고 있다.
본 예에 관련된 레지스트 도포현상처리장치(300B)는, LCD 기판(G)의 반입반출(로딩 및 언로딩)을 행하기 위한 반입반출부(103)와, 기판(G)을 회전시켜 세정처리를 행하기 위한 제 1 액처리계 프로세스부(104A), 주로 가열·냉각처리를 행하기 위한 제 1 열처리계 프로세스부(105B)와, 기판(G)을 회전시켜 레지스트액의 도포(코우팅) 및 주연레지스트 제거처리를 행하는 제 2 액처리계 프로세스부(106B)와, 가열·냉각처리를 행하기 위한 제 2 열처리계 프로세스부(107B)와, 기판을 회전시켜 현상처리를 행하기 위한 제 3 액처리계 프로세스부(109C)와, 노광장치(400)와의 사이에서 기판(G)의 주고받기를 행하기 위한 인터페이스부(I. F.)(108)를 갖추고 있다. 또, 반입반출부(103) 및 인터페이스부(I. F.)(108)의 구성은 도 9의 예와 완전히 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
제 1의 액처리계 프로세스부(104A)는, 제 1 서브아암기구(113)로부터 기판을 수취하는 제 1 메인아암기구(115)를 갖추고 있다. 이 제 1 메인아암기구(115)의 일방측에는, 중앙반송로(116A)를 따라, 예를들어 브러쉬 스크러버에 의해 구성되는 2 개의 세정유니트(SCR)(119)와, 유기물 세정을 행하는 엑시머 유니트(Excimer)(112)가 병설되어 있다.
제 1 열처리계 프로세스부(104A)는 제 1 중앙반송로(116A)에 직렬{중앙반송로(16)의 연장선 상}로 배치되어 있다. 이 제 1 열처리계 프로세스부(105B)에는, 제 2 서브아암기구(113A)가 설치되어 있다. 이 제 2 서브아암기구(113A)는, 기본적으로 도 9에 나타낸 것과 마찬가지로 구성되고, 기판(G)을 보유유지할 수 있는 아암(114)을 갖추고, 이 아암(114)을 선회, 진퇴, 상하구동시킴으로써, 기판을 주위처리유니트의 소정 장치(후술함)로 건네줄 수 있도록 되어 있다.
제 2 서브아암기구(113A) 주위에는, 제 1 열처리계 유니트 블럭(177)과, 제 2 열계처리 유니트블럭(178)과, 제 3 열처리기계 유니트블럭(179)이, 제 2 서브아암기구(113A)를 외측으로부터 감싸듯이 하여 설치되어 있다. 이들 중, 제 1 열계처리 유니트블럭(177)은, 밑에서부터 차례로, 상기 제 1 액처리 프로세스부(104A)와 제 1 열처리계 프로세스부(105B)와의 사이에서 기판의 주고받기를 행할 때의 중계부로서의 기능과 기판냉각기능을 겸비한 엑스텐션·쿨링유니트(COL)와, 탈수베이크처리르 행하는 2개의 탈수베이크유니트(HP)를 3단으로 적층시킨 구성을 갖추고 있다. 제 3 열계처리 유니트블럭(179)은, 제 1 열처리계 프로세스부(105B)와 제 2 열처리계 프로세스부(106B)와의 사이에서 기판(G)의 주고받기를 행할 때의 중계부로서의 기능과 기판냉각기능을 겸비한 2개의 엑스텐션쿨링·유니트(EXT·COL)와, 어드히젼 처리유니트(AD)를 3단으로 적층시킨 구성으로 되어있다. 덧붙여 설명하면, 제 1 열계처리 유니트블럭(177)은, 제 1 액처리계 프로세스부(104A)의 제 1 중앙반 송로(116A)에 접속되어 있고, 제 3 열계처리 유니트블럭(179)은 제 2 액처리계 프로세스부(106B)의 제 2 중앙반송로에 접속되어 있고, 이들 제 1 및 제 3 열계처리 유니트블럭(177, 179)은 제 2 서브아암기구(113A)를 사이에 두고 서로 Y 방향으로 마주보도록 배설되어 있다.
한편, 제 2 액처리계 프로세스부(106B)는, Y 방향을 따라 연설된 제 2 중앙반송로(124B) 상을 주행하는 제 2 메인아암기구(125)를 갖추고 있다. 이 제 2 메인아암기구(125)는 제 1 메인아암기구(115)와 마찬가지로 구성되고, 기본적으로 도 9에 나타낸 것과 마찬가지로 구성된 베이스(126 및 127)을 갖추고 있다. 또, 이 제 2 메인아암기구(125)의 일방측에는, 레지스트 처리블럭(130)이 설치되어 있다.
제 2 열처리계 프로세스부(107B)는 제 2 중앙반송로(124B)에 직렬{중앙반송로(24)의 연장선 상}에 배치되어 있다. 이 제 2 열처리계 프로세스부(107B)에는, 제 3 서브아암기구(113B)가 설치되어 있다. 이 제 3 서브아암기구(113B)는, 제 2 서브아암기구(113A)와 마찬가지로 구성되고, 기판(G)의 보유유지가 가능한 아암(114)을 갖추고, 이 아암(114)을 선회, 진퇴, 상하 이동시킴에 의해, 기판을 후술하는 주위 처리유니트의 소정 장소에 전달할 수 있도록 되어 있다.
제 3 서브아암기구(113B)의 주위에는, 제 4 열계처리 유니트블럭(180)과, 제 5 열계처리 유니트블럭(181)과, 제 6 열계처리 유니트블럭(182)과, 제 7 열계처리 유니트블럭(183)이, 제 3 서브아암기구(113B)를 외측으로부터 원호상(円弧狀)으로 감싸듯이 하여 설치되어 있다. 즉, 제 4 열계처리 유니트블럭(180)은, 밑에서부터 차례로, 제 2 액처리계 프로세스부(106B)와 제 2 열처리계 프로세스부(107B)와의 사이에서 기판의 주고받기를 행하는 중계부로서의 기능과 기판냉각기능을 겸비한 엑스텐션·쿨링유니트(EXT·COL)와, 프리베이크 처리를 행하는 2개의 프리베이크 유니트(PRE)를 상하 3단으로 적층시켜 구성되어 있다. 또, 제 5 열계처리 유니트블럭(181)은, 프리베이크 처리를 행하는 3개의 프리베이크 유니트(PRE)를 상하 3단으로 적층시킨 구성으로 되어 있다. 제 6 열계처리 유니트블럭(182)은, 포스트베이크 처리를 행하는 3개의 포스트베이크유니트(POST)를 상하 3단으로 적층시켜 구성되어 있다. 덧붙여 설명하면, 제 4 열계처리 유니트블럭(180)은 제 2 액처리계 프로세스부(106B)의 제 2 중앙반송로(124B)에 접속되고, 제 7 열계처리 유니트블럭(183)은 제 3 액처리계 프로세스부(109C)의 후술하는 제 3 중앙반송로(191)에 접속되어 있고, 이들 제 4 및 제 7 열계처리 유니트블럭(180, 183)은, 제 3 서브아암기구(113B)를 사이에 두고 서로 방향으로 마주보도록 배설되어 있다.
제 3 액처리계 프로세스부(109c)는, Y 방향을 따라 연설된 제 3 중앙반송로(191) 상을 주행하는 제 3 메인아암기구(190)를 갖추고 있다. 이 제 3 메인아암기구(190)는, 베이스(193) 및 아암(192)를 갖추고 있고, 제 1 메인아암기구(115)와 마찬가지로 구성되어 있다. 또, 이 제 3 메인아암기구(190)의 일방측에는, 제 3 중앙반송로(191)를 따라, 노광처리 후의 기판을 현상처리하기 위한 3개의 현상처리유니트(DEV)(31)가 병설되어 있다.
이와 같이 구성되는 레지스트 도포현상처리장치(300B)를 사용한 처리의 기본적 흐름은 도 9에 나타낸 시스템의 그것과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
이상과 같이, 본 예에 관련된 도포현상처리장치(300B)에 관하여도, 도 9 및 도 15의 예와 마찬가지로, 회전계 유니트인 스크러버 세정유니트(SCR)(119), 레지스트 처리블럭(130)의 레지스트액 도포처리유니트(CT), 및 현상처리유니트(DEV)(131)를 포함하는 액처리계 유니트가 중앙반송로(116A, 124B, 191)를 따라 병설되고, 또 열처리계 유니트(HP, PRE, POST, COL, AD)가 중앙반송로(116A, 124B)의 연장선 상에 위치하는 서브아암기구(113A, 113B)의 주위에 다단으로 적층되어 배치되어 있다. 따라서, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용효과를 얻을 수 있다. 또, 본 실시형태에서는, 유니트가 기판반송로의 한 측에만 설치되어 있기 때문에 기판반송경로는 길어지지만, 시스템의 폭을 도 9 및 도15에 나타낸 2개의 예보다 작게할 수 있다. 또, 본 예에서는 포스트베이크 처리를 행하는 포스트베이크유니트(POST)와 프리베이크 처리를 행하는 프리베이크유니트(PRE)가 일괄적으로 레지스트 처리블럭(130)과 현상처리유니트(DEV)(131)와의 사이에 위치하는 제 2 열처리계 프로세스부(107B)에 집중하여 설치되어 있기 때문에, 프리베이크 처리로부터 노광처리를 거쳐 포스트베이크 처리에 도달할 때까지의 기판반송시간을 짧게 하는 것이 가능하다.
덧붙여 설명하면, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 여러가지로 변형실시가 가능하다. 예를들어, 상기 실시형태에서는 본 발명을 LCD 기판의 레지스트 도포현상처리장치에 적용한 예를 나타내었지만, 이에 한정하지 않고, 칼라 필터등의 타 기판의 도포·현상처리시스템에 적용하는 것이 가능하고, 또 레지스트 도포현상처리장치 이외의 타 기판처리장치에 적용하는 것도 가능하다.
또, 상기 제 1 실시형태에 있어서는, 제 2 실시형태와마찬가지로, 열처리계 유니트가 다단으로 적층되어 구성된 열계처리 유니트블럭이 복수로, 반송로의 연장선 상의 소정부분의 주위에 배치되어 있는 구조를 갖추고 있기 때문에, 제 2 실시형태와 마찬가지의 효과를 기대할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 각각 독립된 일련의 처리를 행하는 제 1 및 제 2의 처리유니트군에 대한 기판의 반송을 행하는 공통의 반송수단을 설치하였기 때문에, 각 시스템에 반송수단을 설치하는 종래의 장치구성에 비하여 반송수단을 적게할 수 있어, 장치의 풋프린트를 작게할 수 있다.
본 발명의 타 관점에 의하면, 회전계 유니트 또는 액처리계 유니트를 반송로를 따라 설치하고, 액처리계 유니트는 다단으로 적층되어 액처리계 유니트블럭을 구성하고, 이와 같은 열계처리 유니트블럭이 복수로, 반송로 상 또는 그 연장선 상의 소정부분의 주위에 배치되어 있기 때문에, 풋프린트를 억제하면서 유니트 수를 증가시킬 수 있다.

Claims (32)

  1. 레지스트도포처리 및 현상처리를 포함하는 일련의 제 1 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 1 처리유니트군과,
    상기 일련의 제 1 처리와는 독립해서 레지스트도포처리 및 현상처리를 포함하는 일련의 제 2 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 2 처리유니트군과,
    상기 제 1 및 제 2 처리유니트군의 각 처리유니트에 대한 기판의 반송을 행하는 공통의 반송수단과,
    상기 제 1 처리유니트군 및 상기 제 2 처리유니트군 중 어느 하나에 있어서 기판에 대한 처리를 행할지를 선택하고, 선택된 처리유니트군에서 일관하여 레지스트 도포·현상처리에 있어서의 일련의 처리가 행해지도록 상기 반송수단을 제어하는 컨트롤러를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 처리유니트군 및 제 2 처리유니트군에서 행하는 처리의 내용이 동일한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 처리유니트군은 반송수단을 사이에 두고 대칭되어 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 처리유니트군 및 제 2 처리유니트군에서 실시하는 처리의 내용이 상이한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송수단은, 수평방향으로 뻗친 수평반송로와, 이 수평반송로를 따라 이동하여 각 처리유니트와의 사이에서 기판을 주고받는 수평반송기구를 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송수단은, 수직방향으로 뻗친 수직반송로와, 이 수직반송로를 따라 이동하여 각 처리유니트와의 사이에서 기판을 주고받는 수직반송기구를 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    기판을 수납할 수 있는 기판수납용기를 재치하는 수납용기 재치부를 갖추고 기판의 반입반출을 행하는 반입반출부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 2 또는 3에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 제 1 처리유니트군 및 제 2 처리유니트군 중 기판이 반송가능한쪽을 검출하고, 상기 검출결과에 의거하여 반송가능한 처리유니트군에 기판을 반입하도록 상기 반송수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 4에 있어서,
    상기 컨트롤러는 기판이 상기 제 1 처리유니트군 및 제 2 처리유니트군 중 어느쪽의 처리를 행할지를 판별하고, 그 결과에 의거하여 판별된 처리유니트군에 기판을 반입하도록 상기 반송수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 레지스트 도포처리 및 현상처리를 포함하는 일련의 제 1처리를 실시하기 위한 복수의 처리유니트를 가지는 제 1 처리유니트군과,
    상기 일련의 제 1 처리와는 독립하여 레지스트도포처리 및 현상처리를 포함하는 일련의 제 2 처리를 행하기 위한 복수의 처리유니트를 갖추는 제 2 처리유니트군과,
    상기 제 1 및 제 2 처리유니트군의 각 처리유니트에 대한 기판의 반송을 행하는 공통의 반송수단과,
    상기 제 1 처리유니트군 및 상기 제 2 처리유니트군중 어느 하나에 있어서 기판에 대한 처리를 행할지를 선택하고, 선택된 처리유니트군에서 일관하여 레지스트 도포·현상처리에 있어서의 일련의 처리가 행해지도록 상기 반송수단을 제어하는 컨트롤러를 구비하고,
    상기 제 1 및 제 2 처리유니트군은 각각 복수의 처리유니트가 수평으로 배치된 수평처리블럭과, 복수의 처리유니트가 수직방향으로 쌓여지도록 배치된 수직처리블럭과,
    상기 반송수단은 수평방향으로 이동가능하게 설치되고 상기 수평처리블럭에 대한 기판의 주고받기를 행하는 수평방향반송장치와, 수직방향으로 이동가능하게 설치되고 상기 수직처리블럭에 대한 기판의 주고받기를 행하는 수직방향 반송장치를 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 수평처리블럭은, 기판에 액처리를 행하는 복수의 액처리유니트를 갖추고, 상기 수직처리블럭은, 기판에 열적처리를 행하는 복수의 열적처리유니트를 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 선택수단은 기판이 상기 제 1 처리유니트군 및 제 2 처리유니트군의 어느 쪽에서 처리를 행하는 가를 판별하고, 그 결과에 의거하여, 판별된 처리유니트군에 기판을 반입하도록 상기 반송수단을 제어하는 기판처리장치.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 수평처리블럭은 복수로 설치되고, 이들에 대응하는 수평방향반송장치가 이동하는 반송로는 직선상(直線狀)으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 수평처리블럭은 기판을 세정하는 세정처리유니트를 더 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    기판에 레지스트액을 도포한 후에 노광처리를 행하는 노광장치와의 사이에서 기판을 주고받는 인터페이스부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 청구항 10에 있어서,
    기판을 수납할 수 있는 기판수납용기를 재치하는 수납용기 재치부를 갖추고 기판의 반입반출을 행하는 반입반출부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 레지스트도포처리 및 현상처리를 포함하는 일련의 제 1 처리를 실시하기 위한 복수의 처리유니트를 가지는 제 1 처리유니트군과, 상기 일련의 제 1 처리와는 독립하여 레지스트도포처리 및 현상처리를 포함하는 일련의 제 2 처리를 실시하기 위한 복수의 처리유니트를 가지는 제 2 처리유니트군과, 상기 제 1 및 제 2 처리유니트군의 각 처리유니트에 대한 기판의 반송을 행하는 공통의 반송수단을 구비하는 처리장치에 의해 기판에 대해서 레지스트 도포처리 및 현상처리를 포함한 일련의 처리를 실시하는 기판처리방법으로서,
    각 기판에 대해서 제 1 처리유니트군 및 제 2 처리유니트군 중 어느쪽에 대해서 처리할지를 선택하고, 각 기판은 그 선택된 쪽의 처리유니트군에서 일관하여 레지스트 도포· 현상처리에 있어서의 일련의 처리가 행해지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  18. 기판에 액체의 도포처리 및 열적처리를 포함하는 복수의 공정으로 이루어지는 처리를 실시하는 기판처리장치로서,
    수평으로 연장하는 수평반송로의 양측에 기판에 도포처리를 실시하는 복수의 도포계 처리유니트가 배치되고, 상기 수평반송로를 이동하는 제 1 반송장치에 의해 상기 수평반송로의 양측에 설치된 각 처리유니트에 대한 기판의 반송이 행해지는 2개의 제 1 처리부와,
    수직으로 연장하는 수직반송로의 주위에 기판에 열적처리를 실시하는 복수의 열적처리유니트를 상하방향으로 적층하여 구성된 처리블럭이 배치되고, 상기 수직반송로를 이동하는 제 2 반송장치에 의해 상기 수직반송로의 주위에 설치된 각 처리유니트에 대한 기판의 반송이 행해지는 제 2 처리부를 구비하고,
    상기 2개의 제 1 처리부의 사이에 상기 제 2 처리부가 배치되고,
    상기 2개의 제 1 처리부의 수평반송로는 직선형상을 이루도록 배치되고,
    상기 제 1 처리부와 상기 제 2 처리부는 상기 수평반송로의 일단과 상기 처리블럭의 하나에서 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 처리장치는 기판에 대해서 레지스트도포 및 노광후의 현상을 행하는 처리장치로서,
    상기 제 1 처리부는 레지스트 도포유니트, 현상처리유니트 중 어느 하나 또는 양쪽 모두를 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 제 1 처리부는 기판을 세정하는 세정처리유니트를 더 갖추는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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