KR100780998B1 - 패턴 수정 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents
패턴 수정 장치 및 표시 장치의 제조 방법Info
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Abstract
Description
Claims (34)
- 검사 장치의 검사 데이터를 기초로 하여, 기판 위에 형성한 전자 회로 패턴의 결함을 수정하여 정상화하는 패턴 수정 장치이며, 상기 전자 회로 패턴의 표준 패턴과 동일 형상의 영역에 레이저광을 조사하는 레이저 조사 수단과, 수정부 근방 화상과 수정부 좌표를 상기 검사 장치로부터 수취하는 검사 데이터 수신 수단과, 상기 수정부 근방 화상으로부터 수정부와 패턴을 분리하여 검출하는 수정부·패턴 검출 수단과, 상기 레이저 조사 수단의 조사 영역을 복수 영역으로 분할하여 조사 순서를 결정하는 조사 영역 설정 수단과, 상기 기판 위의 전자 회로 패턴과 상기 레이저 조사 영역과의 어긋남량을 검출하는 패턴 어긋남 검출 수단과, 상기 패턴 어긋남 검출 수단으로 검출한 어긋남량을 기초로 하여, 상기 기판 또는 상기 레이저 조사 영역 중 적어도 한쪽을 이동시켜 상기 기판 상의 패턴과 상기 레이저 조사 영역과의 일치를 취하는 위치 조정 수단과, 상기 레이저 조사 수단의 레이저 조사 후에, 상기 전자 회로 패턴의 결함 수정의 여부를 판정하는 수정 여부 판정 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 레이저 조사 수단은 상기 표준 패턴과 동일 혹은 수배의 크기를 갖는 패턴을 형성한 마스크 또는 미러를 사용하여, 상기 기판 위에 형성된 수정 대상의 패턴의 형상에 따라서 수종류의 상기 마스크 또는 미러를 변경하여 사용하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 위치 조정 수단은 상기 레이저 조사 수단으로서 표준 패턴과 동일 혹은 수배 크기의 패턴을 형성한 마스크 또는 미러를 사용하고, 상기 마스크 또는 미러와 상기 기판을 평행하게 동기하여 이동 가능하고, 상기 마스크 또는 미러를 상기 기판과 같은 방향으로, 상기 마스크 또는 미러의 이동량과 상기 기판의 이동량의 비가 상기 마스크 또는 미러 위에 형성된 상기 패턴과 상기 표준 패턴의 크기의 비와 동등해지도록 이동시키는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 레이저 조사 수단은 복수의 차광 소자 또는 미러를 격자 형상으로 배치하여 이루어지며, 각각의 상기 차광 소자 또는 미러를 독립적으로 제어 가능한 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 위치 조정 수단은 상기 마스크 또는 미러의 이동량과 수정 대상인 상기 기판의 이동량과의 비를 상기 레이저 조사 수단으로 상기 마스크 또는 미러 위에 형성된 패턴을 투영할 때의 투영 배율에 따라서 변경하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 수정부·패턴 검출 수단은 수정부와 패턴의 상대적 위치 관계로부터 수정의 필요 여부를 판정하는 판정 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 조사 영역 설정 수단은 상기 각 분할 영역 내에 정상 패턴부 혹은 수정 완료 패턴부를 포함하도록 레이저 조사 영역을 분할하여, 조사 순서를 결정하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 조사 영역 설정 수단은 상기 기판 위에 형성된 패턴과 상기 레이저 조사 영역을 중합하기 위해 적어도 1점의 기준점을 사용하는 동시에, 그 기준점을 상기 수정부 및 패턴 검출 수단으로 검출한 수정부와 패턴의 상대적 위치에 의해 결정하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 조사 영역 설정 수단은 상기 분할한 상기 레이저 조사 영역의 외형이, 원 또는 12각형 혹은 8각형인 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 조사 영역 설정 수단은 상기 분할한 상기 레이저 조사 영역의 외형이 4각형 또는 6각형이며, 그 모서리가 원 형상인 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 조사 영역 설정 수단은 상기 검사 데이터 수신 수단으로 취득한 상기 수정부 근방 화상을 사용하여 상기 수정부 근방의 기준점을 결정하고, 상기 레이저 조사 영역을 분할하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 수정 여부 판정 수단이 상기 수정 전후의 화상을 비교함으로써 수정의 여부를 판정하고, 수정 미완이라 판정된 경우에는 다시 레이저 조사하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴 어긋남 검출 수단이 스테이지 위의 소정 위치에 마스크상을 투영하고, 상기 마스크상을 상기 기판 위 패턴을 검출하기 위한 수단으로 검출하여 이것을 기억한 후, 상기 기판 위 패턴과 상기 기억한 패턴의 어긋남량을 검출하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 마스크상 투영 위치로서, 상기 기판을 상기 스테이지에 주고받는 위치로 상기 스테이지를 이동시켰을 때, 상기 마스크상 투영 영역이 상기 기판 위의 패턴을 검출하기 위한 수단의 시야 내에 존재하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 마스크상 투영 수단이 패턴 수정 장치의 레이저인 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴 어긋남 검출 수단이 스테이지 위의 소정 위치에 마스크상을 투영하고, 상기 마스크상을 상기 기판 위의 패턴을 검출하기 위한 수단으로 검출하여 이것을 기억한 후, 상기 마스크 패턴의 윤곽을 추출하여, 상기 기판 위 패턴 화상에 포개어 표시하고 상기 마스크의 이동과 동기하여 상기 마스크상을 이동시키는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴 어긋남 검출 수단이 스테이지 위의 소정 위치에 마스크상을 투영하고, 상기 마스크상을 상기 기판 위의 패턴을 검출하기 위한 수단으로 검출하여 이것을 기억한 후, 동일 화면 상의 상하 혹은 좌우에 상기 마스크상과 상기 기판 위의 패턴 화상을 각각 표시하여 상기 마스크의 이동과 동기하여 상기 마스크상을 이동시키는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴 어긋남 검출 수단이 마스크상과 상기 기판 위의 패턴을 다른 촬영 수단으로 촬영하여, 동일 화면 상의 상하 혹은 좌우에 상기 마스크상과 상기 기판 위의 패턴 화상을 각각 표시하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴 어긋남 검출 수단이 상기 기판 위의 패턴 화상과 상기 마스크상이 일치했을 때의 상기 기판과 상기 마스크의 상대 위치를 기억하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 조사 영역 설정 수단이 미리 분할된 상기 레이저 조사 영역 중, 상기 수정부 및 패턴 검출 수단으로 검출한 수정부를 포함하는 영역만 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 전자 회로 패턴이 형성된 기판의 패턴 수정 장치이며, 표준 패턴과 동일 형상의 영역에 레이저광을 조사하는 레이저 조사 수단과, 수정부 근방 화상과 수정부 좌표를 검사 장치로부터 수취하는 검사 데이터 수신 수단과, 상기 수정부 근방 화상으로부터 수정부와 패턴을 분리하여 검출하는 수정부 및 패턴 검출 수단과, 상기 레이저 조사 영역을 복수 영역으로 분할하여 조사 순서를 결정하는 조사 영역 설정 수단과, 상기 기판 위 패턴과 상기 레이저 조사 영역의 어긋남량을 검출하는 패턴 어긋남 검출 수단과, 상기 회로 패턴 어긋남 검출 수단으로 검출한 어긋남량을 기초로 하여, 상기 기판 위의 패턴과 상기 레이저 조사 영역이 일치하도록 상기 기판 또는 상기 레이저 조사 영역 중 적어도 한쪽을 이동시키는 위치 조정 수단과, 레이저 조사 후에 수정의 여부를 판정하는 수정 여부 판정 수단과, 상기 전자 회로 패턴과 동등한 기능을 갖는 도포 재료를 공급하여 패턴 결손부를 보완하는 수정 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제21항에 있어서, 적어도 상기 패턴 결손부를 피복하는 양의 도포 재료를 도포하고, 상기 전자 회로 패턴으로서 여분의 부분을 마스크 또는 미러를 사용하여 조사한 레이저광에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 전자 회로 패턴이 형성된 기판의 패턴 수정 장치이며, 표준 패턴과 동일 형상의 영역에 레이저광을 조사하는 레이저 조사 수단과, 수정부 근방 화상과 수정부 좌표를 검사 장치로부터 수취하는 검사 데이터 수신 수단과, 상기 수정부 근방 화상으로부터 수정부와 패턴을 분리하여 검출하는 수정부·패턴 검출 수단과, 레이저 조사 영역을 복수 영역으로 분할하여 조사 순서를 결정하는 조사 영역 설정 수단과, 상기 기판 위의 패턴과 상기 레이저 조사 영역의 어긋남량을 검출하는 패턴 어긋남 검출 수단과, 상기 회로 패턴 어긋남 검출 수단으로 검출한 어긋남량을 기초로 하여, 상기 기판 위의 패턴과 상기 레이저 조사 영역이 일치하도록 상기 기판 또는 상기 레이저 조사 영역 중 적어도 한쪽을 이동시키는 위치 조정 수단과, 레이저 조사 후에 수정의 여부를 판정하는 수정 여부 판정 수단과, 상기 기판을 촬영하는 촬상 소자와, 상기 기판에 검사광을 조사하는 수직 낙사 조명과 사방(斜方) 조명과 투과 조명 중 어느 하나를 단일 부재로, 또는 복합하여 이용함으로써 상기 회로 패턴 상에 존재하는 이물질 또는 단선이나 쇼트 등의 패턴 결함을 현재화하고, 또한 화상 처리 장치로 상기 결함의 추출 및 결함종을 분류하는 검사 수단과, 상기 회로 패턴의 결손부에 상기 패턴과 동등한 기능을 갖는 재료를 공급하는 재료 도포 수단과, 상기 회로 패턴과 상기 도포 재료의 광학 특성으로부터 낙사 조명, 사방 조명, 투과 조명, 편광 조명, 검출 등을 단일 부재 또는 복합하여 상기 도포 재료의 도포량을 계측하고, 상기 재료 도포 수단을 제어하는 도포량 제어 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 검사 수단으로 실시하는 검사 공정과, 상기 레이저 조사 혹은 배선 재료를 도포하는 상기 수정 공정에서, 상기 검사 공정과 상기 수정 공정에서의 처리 속도를 조정하기 위해 상기 검사 공정은 일정 속도로 처리하고, 상기 수정 공정과 상기 검사 공정 사이의 반송 및 상기 수정 공정의 반송 속도를 결함종이나 결함 사이즈, 결함 수에 따라서 제어하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 결함종이나 결함 사이즈, 결함 수에 따라서 복수의 수정 반송계로 기판을 반송하고, 결함 위치 정보와 결함 수정 방법과 결함 수정 공정을 제어하는 것을 특징으로 하는 패턴 수정 장치.
- 기판 표면에 형성된 무기물 또는 유기물의 막을 전극 또는 배선으로 패터닝하는 표시 장치의 제조 방법이며,상기 막 상에의 레지스트 도포, 상기 전극 또는 배선에 따른 투과 패턴을 갖는 노광용 마스크를 통한 상기 레지스트의 노광, 및 상기 노광된 레지스트의 현상을 순차적으로 행하여, 상기 레지스트를 상기 투과 패턴에 따른 레지스트 패턴으로 성형하는 제1 공정,상기 레지스트 패턴을 외관 검사하여, 상기 레지스트 패턴에 있어서의 상기 투과 패턴과 다른 형상을 이루는 결함의 위치 정보를 추출하는 제2 공정,상기 결함의 위치 정보를 기초로 하여 상기 결함을 레이저로 조사함으로써 상기 결함에 있어서의 상기 레지스트 패턴의 불필요한 부분을 제거하여, 상기 결함을 수정하는 제3 공정,상기 막을 상기 결함이 수정된 상기 레지스트 패턴을 통해 에칭하여, 상기 전극 또는 배선으로 패터닝하는 제4 공정을 순차적으로 행하고,상기 제3 공정 있어서, 상기 레이저는, 마스크 또는 미러에 의해 상기 레지스트의 상기 결함을 수정하기 위한 패턴과 동일 형상의 표준 패턴이 형성된 상태에서, 상기 레지스트의 상기 결함에 투영되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제26항에 있어서, 상기 제3 공정에 있어서, 상기 전극 또는 배선에 따른 투과 패턴이 형성된 상기 마스크를 이용하여, 상기 레이저를 상기 투과 패턴에 통과시킴으로써 상기 레이저에 상기 표준 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제26항에 있어서, 상기 제1 공정 전에, 상기 기판 상에 형성된 상기 무기물 혹은 유기물의 막의 외관 검사를 실시하고, 또한 상기 외관 검사에서 발견한 이물질을 제거하는 동시에 상기 막 내에 있어서의 상기 이물질 제거 좌표의 정보를 저장하는 공정이 행해지고,상기 제3 공정에 있어서 상기 레지스트로부터 상기 불필요한 부분을 제거하고 또한 그 패턴 형상을 정상적인 형상으로 수정하는 동시에 상기 레지스트의 패턴 수정 좌표의 위치 정보를 저장하고,상기 제4 공정에 있어서의 상기 에칭, 및 이것에 이어지는 상기 레지스트의 박리 처리에 의해 상기 막을 소정의 패턴으로 가공할 때에, 먼저 저장된 상기 이물질 제거 좌표의 정보 및 상기 레지스트 패턴 수정 좌표의 위치 정보로부터 상기 이물질의 발생 상황을 관리하는 동시에 상기 이물질의 발생이 일정한 관리 기준을 넘은 경우에 경고를 발생하여 대책을 지시하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제26항에 있어서, 상기 결함이 상기 레지스트 패턴의 일부분에 있어서의 상기 레지스트의 결락으로서 발생하였을 때, 상기 제3 공정에 있어서 상기 레지스트의 결락 부분에 상기 레지스트를 재도포하고, 소성한 후에, 상기 결함을 상기 레이저로 조사하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제26항에 있어서, 상기 결함이 상기 기판 표면에 부착된 이물질에 의해 발생하였을 때, 상기 제3 공정에 있어서 상기 결함의 주변에 상기 레지스트를 재도포하고, 소성한 후에, 상기 결함을 상기 레이저로 조사하여 상기 재도포된 레지스트에 상기 이물질을 우회하는 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 기판 표면에 형성된 무기물 또는 유기물의 막을 상기 막 상에 형성된 레지스트의 패턴으로 성형하는 표시 장치의 제조 방법이며,상기 막 상에의 상기 레지스트의 도포, 투과 패턴이 형성된 노광용 마스크를 통과한 레이저에 의한 상기 레지스트의 노광, 및 상기 노광된 레지스트의 현상을 순차적으로 행하고, 상기 레지스트를 상기 투과 패턴에 따른 레지스트 패턴으로 성형하는 제1 공정,상기 레지스트 패턴을 외관 검사하여, 상기 레지스트 패턴에 있어서의 상기 투과 패턴과 다른 형상을 이루는 결함의 위치 정보를 추출하는 제2 공정,상기 결함의 위치 정보를 기초로 하여 상기 결함을 레이저로 조사함으로써 상기 결함에 있어서의 상기 레지스트 패턴의 불필요한 부분을 제거하는 제3 공정,상기 막을, 상기 제3 공정에서 상기 불필요한 부분이 제거된 상기 레지스트 패턴을 통해 에칭하여, 상기 레지스트 패턴으로 성형하는 제4 공정을 순차적으로 행하고,상기 제3 공정에 있어서, 상기 레이저는, 상기 투과 패턴과 동일 형상의 가공용 투과 패턴이 형성된 가공용 마스크를 통과하여, 상기 레지스트 패턴의 상기 결함에 투영되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 삭제
- 아일랜드 패턴이 형성된 제1 패턴층과, 상기 아일랜드 패턴의 상면으로부터 상기 상면의 외측으로 연장되는 회로 패턴이 형성된 제2 패턴층이 기판 표면에 순차 적층된 표시 장치의 제조 방법이며,상기 제1 패턴층 및 상기 제2 패턴층 각각은,상기 아일랜드 패턴 또는 상기 회로 패턴에 성형되는 무기물 또는 유기물의 막에 레지스트를 도포하고, 상기 레지스트를 투과 패턴이 형성된 노광용 마스크를 통과한 레이저로 노광하고, 또한 상기 노광된 레지스트를 현상하여 상기 아일랜드 패턴 또는 상기 회로 패턴에 대응한 레지스트 패턴으로 성형하는 제1 공정,상기 레지스트 패턴에 혼입된 이물질을 검사하는 제2 공정, 및상기 막을, 상기 레지스트 패턴을 통한 에칭에 의해 상기 아일랜드 패턴 또는 상기 회로 패턴으로 성형하는 제3 공정을 순차적으로 행함으로써 형성하고,상기 제2 공정에 있어서, 상기 레지스트 패턴에 상기 이물질의 혼입 영역이 검출되었을 때,상기 제3 공정 전에, 상기 레지스트 패턴의 상기 이물질 혼입 영역과 그 주위에 상기 레지스트를 재도포하고, 그 후 상기 재도포된 레지스트를 레이저로 조사하여, 상기 레지스트 패턴을, 상기 이물질 혼입 영역을 피하도록 재형성하고, 또한상기 재형성된 레지스트 패턴을 이용하여 상기 제3 공정에 있어서의 상기 막의 에칭을 행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제33항에 있어서, 상기 제1 패턴층을 형성하기 위한 상기 제2 공정에 있어서, 상기 레지스트 패턴에 상기 이물질의 혼입 영역이 검출되었을 때,상기 제1 패턴층의 상기 아일랜드 패턴은, 상기 이물질 혼입 영역을 피하도록 상기 노광 마스크로 결정되는 위치와는 오프셋된 위치에 형성되고,상기 회로 패턴은;상기 제2 패턴층을 형성하는 상기 제1 공정 후, 상기 레지스트를 상기 회로 패턴에 대응하는 레지스트 패턴으로부터 상기 오프셋된 위치의 상기 아일랜드 패턴의 상면에 이르는 영역에 재도포하고, 또한 상기 재도포된 레지스트를 레이저로 조사하여, 상기 레지스트 패턴을 상기 아일랜드 패턴의 상면으로 연장하고, 그 후,상기 제2 패턴층을 형성하는 상기 제3 공정에 있어서, 상기 아일랜드 패턴의 상면으로 연장된 레지스트 패턴에 의해 상기 막을 에칭함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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