KR100760156B1 - 탄탈륨 스퍼터링 타겟트 - Google Patents

탄탈륨 스퍼터링 타겟트 Download PDF

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Abstract

탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 했을 때에, (100), (111), (110)의 어느 하나의 배향을 가지는 결정도 그 면적률이 0.5를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트. 성막 속도가 크고 막의 균일성이 우수하며, 또한 아킹이나 파티클의 발생이 적은 성막 특성이 우수한 탄탈륨 스퍼터링용 타겟트를 얻는 것을 과제로 한다.
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스퍼터링 타겟트

Description

탄탈륨 스퍼터링 타겟트{TANTALUM SPUTTERING TARGET}
이 발명은, 랜덤(random)한 결정(結晶) 배향(配向)을 가지고 있고 성막(成膜)속도가 크며 막의 균일성(uniformity)이 우수하고, 또한 아킹(arcing)이나 파티클(particle: 미세한 분말)의 발생이 적고, 나아가 타겟트의 이용효율도 양호한 탄탈륨 스퍼터링 타겟트에 관한 것이다.
최근, 전자공학 분야, 내식성 재료나 장식의 분야, 촉매분야, 절삭· 연마재나 내마모성 재료의 제작등, 많은 분야에 금속이나 세라믹스 재료등의 피막(皮膜)을 형성하는 스퍼터링이 사용되고 있다.
스퍼터링법 자체는 상기의 분야에서 잘 알려진 방법이나, 최근에는 특히 전자공학 분야에 있어서 복잡한 형상의 피막의 형성이나 회로의 형성에 적합한 탄탈륨 스퍼터링 타겟트가 요구되고 있다.
일반적으로, 이 탄탈륨 타겟트는 탄탈륨 원료를 전자 빔(beam) 용해 · 주조한 잉고트(ingot) 또는 빌렛트(billet)의 열간단조, 소둔(열처리)을 반복하고, 다시 압연 및 마무리(기계, 연마등) 가공하여 타겟트로 가공되어지고 있다.
이러한 제조공정에 있어서 잉고트 또는 빌렛트의 열간단조는 주조조직을 파괴하고, 기공(氣孔)이나 편석(偏析)을 확산, 소실(消失)시키며, 또한 이것을 소둔 (燒鈍)하는 것에 의해 재결정화 하여 조직의 치밀화와 강도를 높이는 것에 의해 제조되어지고 있다.
일반적으로 용해 주조된 잉고트 또는 빌렛트는, 50mm 이상의 결정 입경을 가지고 있다. 그리고 잉고트 또는 빌렛트의 열간 단조와 재결정 소둔에 의해 주조 조직이 파괴되어 대략 균일 하고 치밀한(100㎛ 이하) 결정 입(粒)이 얻어진다.
한편 이렇게 하여 제조된 타겟트를 사용하여, 스퍼트링을 실시하는 경우, 타겟트의 재(再) 결정 조직이 보다 미세하고 균일하며 또한 결정 방위(方位)가 특정의 방향으로 정돈되어 있는 것일수록 균일한 성막(成膜)이 가능하며, 아킹이나 파티클의 발생이 적고 안정된 특성을 갖는 막을 얻을 수 있다고 전해지고 있다.
그 때문에, 타겟트의 제조공정에 있어서 재결정 조직의 미세화와 균일화, 나아가 특정의 결정 방위로 정돈 시키려고 하는 방책이 채택 되어지고 있다(예를 들면, 일본특허문헌 1 및 2 참조).
재결정화의 기구(機構)에 대하여 고찰하면, 일반적으로 재결정 조직은 개개의 결정이 각각 상이한 면배향(面配向)을 가지고 집합한 것이며, 개개의 결정은 입계(粒界)에 의하여 구별되어 있다. 재배열이 일어나기 전에는 냉간 압연등의 소성 가공에 의하여 물체에 가해진 스트레인(strain)을 일차 결정 내(內)에서, 어느 면(面)방향으로 입내(粒內) 미끄러짐을 일으켜 흡수되어 스트레인이 내부에 축척된다.
스트레인 된 일차 결정은 전이(轉移)등의 격자(格子)결함(缺陷)이 모여 있는 대단히 미세하고 또한 미묘하게 방위가 상이한 망목상(網目狀) 셀(cell)구조를 하 고 있으며 더욱이 그 방위가 크게 상이한 복수의 영역으로 나누어져 있다. 이러한 변형조직을 가열하면 전이(轉移)의 합체(合體)나 재배열에 의해 셀이 서브그레인(subgrain)으로 변화한다(회복과정). 셀로부터 서브그레인으로의 변화에는 치수의 변화는 그의 수반하지 아니한다.
그리고, 이 서브그레인이 합체(合體)하고, 다시 특정의 서브그레인이 성장하여 재 결정 핵(核)으로 되어, 미재결정(未再結晶) 부분을 침식하고, 성장하여 재 결정화가 진행된다고 생각된다.
탄탈륨 타겟트에서는 조직을 안정화시키기 위해서는 풀 아니링(full annealing) 에 의한 완전 재 결정화(fully recrystallized) 조직을 달성하고, 또한 상기와 같이 특정의 결정 방위에 정돈된 타겟트가 좋다고 말해왔다.
그러나, 이와 같은 탄탈륨 타겟트를 사용하여 스퍼터링을 실시하면, 막의 균일성은 꼭 좋지는 않으며, 또한 아킹이나 파티클의 발생이 많아지며 스퍼터 성막의 품질을 저하시킨다는 문제가 발생했다.
특허문헌1: 일본 특표2002-518593호 공보
특허문헌2: 미국 특허제6,331,233호
(발명의 개시)
본 발명은, 특정의 결정 방위에 정돈된 종래의 타겟트에 비하여 성막 속도가 크고, 막의 균일성이 우수하며, 또한 아킹이나 파티클의 발생이 적은 성막 특성이 우수한 탄탈륨 스퍼터링 용(用) 타겟트를 얻는 것을 과제로 한다.
본 발명은, 상기의 문제를 해결하기 위하여 타겟트의 조직을 개량 · 연구하여, 결정 방위(方位)를 랜덤(random)으로 하는 것에 의해, 종래에 비하여 성막 특성이 우수한 탄탈륨 스퍼터링용 타겟트를 얻을 수 있는 것을 알아내었다.
본 발명은, 이 알아낸 것을 기초로하여,
1. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에 , (100), (111), (110)의 어느 하나의 배향을 가지는 결정도, 그 면적(面積)율(率)이 0.5를 초과하지 않는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
2. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에, (100), (111), (110)의 내(內)의 어느 것이나 2개의 배향을 가지는 결정의 면적(面積)율(率)의 합계가 0.75를 초과하지 않는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
3. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에, (100), (111), (110)의 내의 어느 것이나 2개의 배향을 가지는 결정의 면적률의 합계가 0.75를 초과하지 않는 전기 1에 기재된 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
4. 탄탈륨 타겟트의 표면이 스퍼터된 에로존(erosion)면인 전기 1~3의 어느 하나에 기재된 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
를 제공 한다.
본 발명은 또한,
5. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 어느 하나의 배향을 가지는 결정으로서, ND 방향(方向)축(軸)(압연면 법선(法線)방향 축)에 대하여 10°이내의 회전 오차인 것과 같은 결정의 면적률이 0.5를 초과하지 않는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
6. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 내의 어느 2개의 배향을 가지는 결정으로서, ND 방향축(압연면 법선 방향축)에 대하여, 10°이내의 회전 오차인 것과 같은 동결정(同結晶)의 면적률의 총합계가 0.75를 초과하지 않는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
7. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 내의 어느 2개의 배향을 가지는 결정으로서, ND 방향축(압연면 법선 방향축)에 대하여, 10°이내의 회전 오차인 것과 같은 동(同)결정의 면적률의 합계가 0.75를 초과하지 않는 5에 기재된 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
8. 탄탈륨 타겟트의 표면이 스퍼터된 에로존 면인 것을 특징으로 하는 전기 5~7의 어느 하나에 기재된 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
를 제공한다.
본 발명은 또한,
9. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, (100)배향을 측정한 EBSP에 의한 극점도(極点圖)에 있어서, 결정 방위의 완전 랜덤을 1로 하여 강도를 측정한 경우에 있어서, 1 이상의 강도를 6분할(分割)한 크기에 의하여 표현하고, 극점도 상(上)의 θ가 0°또는 90°방향뿐만 아니고 그 중간에 강도 1이상의 피크(PEAK)를 갖는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
10. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, (100)배향을 측정한 EBSP에 의한 극점도에 있어서 결정 방위의 완전 랜덤을 1로하여 강도를 측정한 경우에, 1이상의 강도를 6분할한 크기에 의하여 표현하고, 극점도 상(上)의 θ가 0°또는 90°방향 뿐만 아니고 그 중간에 강도 1이상의 피크(PEAK)를 갖는 상기 1~9의 어느 하나에 기재된 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
를 제공한다.
또한 본 발명은,
11. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, (100)배향을 측정한 EBSP에 의한 극점도에 있어서, 결정 방위의 완전 랜덤을 1로 하여 강도를 측정한 경우에 있어서, 1이상의 강도를 6분할한 크기에 의해 표현하고 극점도 상의 ND방향 ( 0°)이외로 출현(出現)하는 피크의 강도 1이상으로 나타내는 부분이 20°이상의 넓이를 가지는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
12. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, (100)배향을 측정한 EBSP에 의한 극점도에 있어서, 결정 방위의 완전 랜덤을 1로 하여 강도를 측정한 경우에 있어서, 1이상의 강도를 6분할한 크기에 의하여 표현하고, 극점도 상의 ND방향(0°) 이외로 출현(出現)하는 피크의 강도 1이상으로 나타내는 부분이 20°이상의 넓이를 가지는 것을 특징으로 하는 상기 1~9의 어느 하나에 기재된 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
13. 타겟트의 평균 결정 입경이 80㎛ 이하인 전기 1~12의 어느 하나에 기재된 타겟트.
14. 타겟트가 압연 가공 조직에 의한 미세 조직을 구비하고, 타겟트 표면을 EBSP로 해석(解析)했을 시, 입경 25~150㎛의 결정입이 100~1000개/㎟ 존재하고 있는 전기 1~13의 어느 하나에 기재된 타겟트.
15. 탄탈륨 타겟트의 표면이 스퍼터된 에로존 면인 전기 14에 기재된 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
16. 타겟트의 순도가 99.99% 이상인 전기 1~15의 어느 하나에 기재된 타겟트.
를 제공 한다.
(발명의 실시 형태)
랜덤(random)한 결정 방위를 갖는 본 발명의 스퍼터링 타겟트는, 통상 다음과 같은 공정에 의하여 제조된다.
그 일예를 보면, 우선 탄탈륨 원료(통상 4N(99.99%)) 이상의 고순도 탄탈륨을 사용한다. 이것을 전자 빔 용해등에 의해 용해하고, 이것을 주조하여 잉고트(ingot) 또는 빌렛트를 제작한다. 다음에 이 잉고트 또는 빌렛트를 소둔-단조, 압연, 소둔(열처리), 마무리 가공 등의 일련의 가공을 행한다.
구체적으로는 예를 들면 잉고트-1373K~1673K의 온도에서의 소둔(1회)-냉간 단조(1회)-재결정 개시 온도~1373K의 온도에서의 재결정 소둔(2회)-냉간 단조(2회)-재결정 개시 온도~1373K의 사이에서의 재결정 소둔(3회)-냉간(열간)압연(1회)-재결정 개시 온도~1373K의 사이에서의 재결정 소둔(4회)-냉간(열간)압연(필요에 따라 2회)-재결정 개시 온도~1373K의 사이에서의 재결정 소둔(필요에 따라 5회)-마무리 가공을 행하여 타겟트 재(材)로 한다.
단조 혹은 압연에 의하여 주조 조직을 파괴하여, 기공이나 편석을 확산 혹은 소실(消失)시킬 수가 있으며, 다시 이것을 소둔하는 것에 의해 재결정화시키며, 이 냉간 단조 또는 냉간 압연과 재결정 소둔의 반복에 의해 조직의 치밀화, 세밀화와 강도를 높일 수 있다.
상기의 가공 프로세스에 있어서, 재결정 소둔은 1회라도 좋으나 2회 반복하는 것에 의해 조직상의 결함을 극력 감소시키는 것이 가능하다. 또한 냉간(열간)압연과 재결정 개시 온도~1373K의 사이에서 재결정 소둔은 반복하여도 좋으나 1 싸이클 이라도 좋다. 그 다음, 기계가공, 연마 가공등의 마무리 가공에 의해 최종적인 타겟트 형상으로 끝마무리 한다.
상기의 제조공정에 의해 탄탈륨 타겟트를 제조하나, 본 발명에 있어서 특히 중요한 것은 타겟트의 결정 방위를 특정의 방향으로 정돈하지 아니하고 결정 방위를 극력 랜덤 하게 하는 것이다. 따라서 상기에 제조공정의 가장 적합한 예시를 나타내지만, 본 발명의 랜덤한 결정 방위가 달성되는 제조공정이면 꼭 이 제조공정만을 한정할 필요는 없다.
일련의 가공에 있어서, 단조·압연으로 주조조직을 파괴함과 동시에 재결정화를 충분히 행하는 것이 필요하다. 본 발명에 있어서도 용해 주조한 탄탈륨 잉고트 또는 비렛트에 단조, 압연 등의 가공을 가한 후에는 재결정 개시 온도~1673K 정도의 온도에서 재결정 소둔하여 조직을 미세하고 균일화하는 것이 바람직하다. 그러나 최종 가공 전까지는 종래와 동일하게 재결정을 수반하는 조직 미세화 및 균일하고 랜덤한 결정 방위를 가지도록 행함으로써 재료특성의 향상을 도모한다.
본 발명에서는 상기와 같이 최종적으로 압연 가공 등의 최종 소성가공 후에, 다시 1273K 이하의 온도에서 소둔을 행하는 것이 바람직하다. 이 소둔을 행하는 경우에는 타겟트의 휘어짐이나 변형등을 완화시키는 효과가 있다. 다음 이것을 타겟트 형상으로 마무리 가공(기계 가공등)한다.
이것에 의해서 얻어진 탄탈륨 타겟트의 조직은 압연가공 조직을 기초로한 재결정 조직이 얻어져, 결정 방위가 랜덤하게 된다. 즉, 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 하였을 때는 (100), (111), (110)의 어느 배향을 가지는 결정도, 그 면적률이 0.5를 초과하지 않는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트를 얻을 수가 있다. 면적률이 0.5를 초과하면 특정의 결정 방위가 우선적으로 되어 본 발명의 목적을 달성할 수 없다.
더욱이, 본 발명은 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에 (100), (111), (110)의 내(內)의 어느 2개의 배향을 가지는 결정의 면적률의 총합계가 0.75를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 이것도 결정 방위가 랜덤하게 되기 위한 바람직한 조건이다.
이와 같은 탄탈륨 타겟트의 표면은 스퍼터 개시전의 면뿐만 아니고 스퍼터된 에로존 면에 있어서도 상기의 조건의 랜덤한 결정 방위를 구비하고 있는 것이 바람직하며 본 발명의 목적과 효과를 충분히 달성하기 위해서는 필요한 것이다.
본 발명은 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 했을 때에, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 어느 하나의 배향을 가지는 결정으로써, ND방향축(압연면 법선 방향축)에 대하여, 10°이내의 회전 오차인 것과 같은 결정의 면적률이 0.5를 초과하지 않는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트 인 것이 바람직하다.
동일하게 또한 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 했을 때에, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 내의 어느 2개의 배향을 가지는 결정으로서, ND방향축(압연면 법선 방향축)에 대하여 10°이내의 회전 오차인 것과 같은 동결정(同結晶)의 면적률의 합계가 0.75를 초과하지 않는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트인 것이 바람직하다.
탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계(總和)를 1로 했을 때에, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 내의 어느 2개의 배향(配向)을 가지는 결정으로서, ND방향축(압연면 법선 방향축)에 대하여 10°이내의 회전 오차인 것과 같은 동결정(同結晶)의 면적률의 합계가 0.75를 초과하지 않는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트 및 탄탈륨 타겟트의 표면이 스퍼터된 에로존 면인 것도 본발명의 타겟트의 결정 방위(方位)를 랜덤으로 하는 목적과 효과를 충분히 달성하기 위하여 바람직한 조건이다.
본 발명은, 또한 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, (100)배향을 측정한 EBSP에 의한 극점도(極点圖: pole figure)에 있어서, 결정 방위의 완전 랜덤을 1로 하여 강도를 특정한 경우에 있어서, 1 이상의 강도를 6분할(分割)한 크기에 의하여 표현하고, 극점도 상(上)의 θ가 0°또는 90°방향뿐만 아니고, 그 중간에 강도 1 이상의 피크를 가지는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트로 하는 것이 바람직하다. 이것에 의하여 랜덤 배향이 보다 컨트롤(control: 제어)된 것으로 된다.
본 발명은, 또한 바람직한 조건으로서 타겟트의 평균 결정 입경이 80㎛ 이하일 것과 타겟트가 압연가공 조직에 의한 미세 조직을 구비하고, 타겟트 표면을 EBSP로 해석 했을 때, 입경 25~150㎛의 결정입이 100~1000개/㎟ 존재하고 있을 것과, 또한 타겟트의 순도가 99.99% 이상인 것이 바람직하다. 결정 입도(粒度)가 보다 적고 또한 결정 방위가 랜덤인 조건은, 스퍼터링의 균일성을 보다 향상시키는 효과가 있다.
본 발명의 탄탈륨 타겟트의 조직(1173K에서 소둔)을 도1(배율×100) 및 도2(배율×50)에 나타낸다.
또한, 종래의 재결정 조직(1373K에서 재결정 소둔)을 도3(배율×100) 및 도4(배율×50)에 나타낸다. 도에서 보는 바와 같이 본 발명의 탄탈륨 타겟트의 조직은 종래의 재결정 조직과는 명백하게 상이하다.
또한, 소둔을 행하지 아니하는 압연등의 소성가공 한 것의 타겟트는 가공조건에 따라서는 스퍼터링 조작중의 열에 의하여 스트레인(strain)을 발생하여, 휨(만곡) 혹은 갈라짐(割)이 발생하는 경우가 있으나, 본 발명에 있어서는 이와 같은 스트레인은 발생하지 않는다.
또한, 이들의 타겟트 재(材)는, 경도는 비카스 경도 90 이상, 또한 비카스 경도100 이상, 더욱이 비카스 경도 125 이상으로 되어 강도가 우수한 타겟트가 얻어진다.
본 발명에서 가장 중요한 것은, 압연 및 재결정 소둔에 의해서 보다 랜덤한 결정 방위로 하는 것을 목적으로 하는 것이며, 타겟트 표면뿐만 아니라, 에로존이 진행된 단계, 즉 스퍼터 면에 나타나는 에로존 면에 있어서도 동일하게 본 발명의 랜덤한 결정 방위를 가지도록 하는 것이다.
이러한 타겟트 조직은 현저한 균일성의 개선 효과가 있다. 이러한 조직은 최종 열처리 공정의 변경뿐인 것이므로 지금까지 행해지고 온 어떠한 개선품(改善品)에도 적용 가능하며, 코스트의 증가도 거의 없다고 하는 특징을 가지고 있다.
다음에 실시예에 대하여 설명한다. 즉 본 실시 예는 발명의 일 예를 나타내는 것으로써, 본 발명은 이들의 실시 예에 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 기술사상에 포함되는 타의 태양 및 변형을 포함하는 것이다.
[ 도1 ] 본 발명의 마무리 냉간 가공을 하고 다시 재결정 소둔을 실시하여 얻은 탄탈륨 타겟트의 현미경 조직 사진이다(배율×100).
[ 도2 ] 본 발명의 마무리 냉간 가공하고 다시 재결정 소둔을 실시하여 얻은 탄탈륨 타겟트의 현미경 조직 사진이다(배율×50).
[ 도3 ] 종래의 단조 및 재결정 소둔을 실시하여 얻은 탄탈륨 타겟트의 현미경 조직 사진이다(배율×100).
[ 도4 ] 종래의 단조 및 재결정 소둔을 실시하여 얻은 탄탈륨 타겟트의 현미경 조직 사진이다(배율×50).
( 실시예1 )
순도 99.997%의 탄탈륨 원료를 전자 빔 용해하고 이것을 주조하여 두께 200mm, 직경 200mmø의 잉고트 또는 빌렛트로 하였다. 이 경우의 결정 입경은 약 55mm 이였다.
다음에, 이 잉고트 또는 빌렛트를 실온에서 단신(鍛伸)한 후, 1500K의 온도에서 재결정 소둔 했다. 이것에 의해 평균 결정 입경이 200㎛의 조직을 갖는 두께 100mm, 직경 100mmø 의 재료가 얻어졌다.
다음에, 이것을 다시 실온에서 단신 및 단조하고, 다시 1480K 온도에서 재결정 소둔을 실시했다. 이것에 의해 평균 결정 입경이 100㎛의 조직을 가지는 두께 100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음에, 이것을 냉간에서 단신과 단조 및 1173K의 재결정 소둔을 행하고, 이어서 다시 냉간압연하고, 다음에 1173k(900℃)에서 소둔 및 마무리 가공을 행하여 두께 10mm, 직경 320mmø의 타겟트 재로했다.
이상의 공정에 의해 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 했을 때, (100), (111), (110)의 배향의 면적율이 각각 0.5, 0.4, 0.1 인 랜덤 배향의 탄탈륨 타겟트를 얻을 수가 있었다. 또한 이 타겟트는 후술하는 스퍼터링 후의 에로존 면에서도 동일한 배향을 가진 조직을 구비하고 있다.
타겟트의 평균 결정 입경은 40㎛이며, 타겟트 표면을 EBSP로 해석했을 때, 입경 30~100㎛의 결정입이 100~1000개/㎟ 존재하고 있었다.
쉬트 저항(sheet resistance)은 막 두께에 의존하므로 웨이퍼(8 인치)내의 쉬트 저항의 분포를 측정하여 그것에 의하여 막 두께의 분포 상황을 조사했다.
구체적으로는 웨이퍼 상(上)의 49점(点)의 쉬트 저항을 측정하여 그 표준편 차(σ)를 산출했다. 그 결과를 표1에 나타낸다.
표1에서 명백한 바와 같이 실시 예1에 있어서는, 스퍼터 초기에서 후기에 걸쳐 쉬트 내(內) 저항 분포의 변동이 적은(2.6~3.2%), 즉 막 두께 분포의 변동이 적은 것을 보여주고 있다.
이상에서 실시예1의 탄탈륨 타겟트는 성막 속도가 크고, 막의 균일성이 양호하며, 또한 8인치 웨이퍼에서 막두께의 격차가 적고, 또한 아킹이나 파티클의 발생이 없음으로 스퍼터 성막의 품질을 향상시킬 수가 있다.
Figure 112006035882646-pct00001
( 실시예2 )
순도 99.997%의 탄탈늄 원료를 전자빔 용해하고, 이것을 주조하여 두께 200mm, 직경 200mmø의 잉고트 또는 빌렛트로 하였다. 이경우의 결정 입경은 약 50mm이였다.
다음에 이 잉고트 또는 빌겟트를 실온에서 단신(鍛伸)한 후, 1500K의 온도에서 재결정 소둔했다. 이것에 의해 평균결정 입경이 200㎛의 조직을 가지는 두께100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음에 이것을 다시 실온에서 단신 및 단조하고, 다시 1173K의 온도에서 재결정 소둔을 실시했다. 이것에 의해 평균 결정 입경이 80㎛의 조직을 가지는 두께 100mm,직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음에 이것을 냉간에서 단신과 단조 및 1173K의 재결정 소둔을 행하고, 이어서 다시 냉간압연 하고, 1173K(900℃)에서 소둔의 공정을 2번 반복한 다음에 마무리 가공하여 두께 10mm, 직경 320mmø의 타겟트 재(材)로 하였다.
이상의 공정에 의해서 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 하였을 때, (100), (111), (110)의 배향의 면적률이 각각 0.4, 0.4, 0.1인 랜덤(random) 배향의 탄탈륨 스퍼터링 타겟트를 얻을 수가 있었다. 또한 이 타겟트는 후술하는 스퍼터링(sputtering) 후의 에로존 면(面)에서도 동일한 배향을 가진 조직을 구비하고 있다.
타겟트의 평균 결정 입경은 60㎛이며, 타겟트 표면을 EBSP로 해석했을 때, 입경 40∼120㎛의 결정입이 100∼1000개/㎟ 존재하고 있었다.
쉬트 저항은 막 두께에 의존함으로, 웨이퍼(wafer)(8 인치) 내(內)의 쉬트 저항의 분포를 측정하고 그것에 의하여 막두께의 분포 상황(狀況)을 조사했다.
구체적으로는 웨이퍼 상(上)의 49점(点)의 쉬트 저항을 측정하고 그 표준 편차(σ)를 산출했다. 그 결과를 표1에 나타낸다.
표1에서 명백한 바와 같이, 실시예2에 있어서는 스퍼터 초기에서 후기에 걸처 쉬트내 저항 분포의 변동이 적은(3.1∼3.3%), 즉 막 두께 분포의 변동이 적은 것을 보이고 있다.
이상에서 실시예2의 탄탈륨 타겟트는 성막(成膜) 속도가 크고, 막의 균일성이 양호하며, 또한 8인치 웨이퍼에서 막 두께의 격차가 적으며, 또한 아킹(arcing)이나 파티클(particle)의 발생이 없으므로, 스퍼터 성막의 품질을 향상시킬 수 가 있다.
( 실시예3 )
순도 99.997%의 탄탈륨 원료를 전자빔 용해하고, 이것을 주조하여 두께 200mm, 직경 200mmø의 잉고트 또는 빌렛트로 하였다. 이경우의 결정 입경은 약 60mm이였다.
다음에, 이 잉고트 또는 빌렛트를 실온에서 단신한 후, 1500K의 온도에서의 재결정 소둔을 했다. 이것에 의해 평균 결정 입경이 200㎛의 조직을 가지는 두께 100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음에 이것을 다시 실온에서 단신 및 단조하고, 다시 1173K 온도에서 재결정 소둔을 실시했다. 이것에 의해 평균 결정 입경이 80㎛의 조직을 가지는 두께 100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음에 이것을 냉간에서 단신과 단조 및 1173K의 재결정 소둔을 행하고, 이어서 냉간 압연하여 1173K(900℃)에서 소둔, 냉간 압연하여 1273K(1000℃)에서 소둔 및 마무리 가공을 행하여 두께 10mm, 직경 320mmø의 타겟트재로 했다.
이상의 공정에 의해 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 했을 때, (100), (111), (110)의 배향의 면적률이 각각 0.3, 0.4, 0.1인 랜덤 배향의 탄탈륨 스퍼터링 타겟트를 얻을 수가 있었다. 또한 이 타겟트는 후술하는 스퍼터링 후의 에로존 면에도 동일한 배향을 가지는 조직을 구비하고 있다.
타겟트의 평균 결정 입경은 80㎛이며, 타겟트 표면을 EBSP로 해석했을 때, 입경 50∼150㎛의 결정입이 100∼1000개/㎟ 존재하고 있었다.
쉬트 저항은 막 두께에 의존하므로, 웨이퍼(8인치) 내의 쉬트 저항의 분포를 측정하고 그것에 의해 막 두께의 분포 상황을 조사했다.
구체적으로는, 웨이퍼 상(上)의 49점의 쉬트 저항을 측정하고 그 표준편차(σ)를 산출했다. 그 결과를 표1에 나타낸다.
표1에서 명백한 바와 같이, 실시예3에 있어서는 스퍼터 초기에서 후기에 걸처 쉬트(sheet)내(內) 저항 분포의 변동이 적은(3.1∼3.4%), 즉 막 두께 분포의 변동이 적은 것을 보여 주고 있다.
이상에서 실시예3의 탄탈륨 타겟트는 성막 속도가 크고, 막의 균일성이 양호하며, 또한 8인치 웨이퍼에서 막 두께의 격차가 적고, 더욱이 아킹이나 파티클의 발생이 없으므로 스퍼터 성막의 품질을 향상시킬 수가 있다.
( 실시예4 )
순도 99.997%의 탄탈륨 원료를 전자빔 용해하고, 이것을 주조하여 두께200mm, 직경 200mmø의 잉고트 또는 빌렛트로 했다. 이 경우의 결정 입경은 약 55mm이였다.
다음에, 이 잉고트 또는 빌렛트를 실온에서 단신한 후, 1500K의 온도에서 재결정 소둔했다. 이것에 의해 평균 결정 입경이 200㎛의 조직을 가진 두께 100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음에, 이것을 다시 실온에서 단신 및 단조하고, 다시 1480k 온도에서 재결정 소둔을 실시했다. 이것에 의해서 평균 결정 입경이 100㎛의 조직을 가지는 두께 100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음, 이것을 냉간에서 단신과 단조 및 1173K의 재결정 소둔을 행하고, 이어서 다시 냉간 압연하고, 이어서 또다시 1173K(900℃)에서 소둔 및 마무리 가공을 하여 두께 10mm, 직경 320mmø의 타겟트 재로 하였다.
이상의 공정에 의해 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 했을 때, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 배향으로서 ND 방향축(압연면 법선(法線)방향축)에 대하여 10°이내의 회전 오차인 것 같은 결정의 면적률이 각각 0.3, 0.3 , 0.1인 랜덤 배향(配向)의 탄탈륨 스퍼터링 타겟트를 얻을 수가 있었다. 또한 이 타겟트는 후술하는 스퍼터링 후의 에로존 면(面)에서도 동일한 배향을 가지는 조직을 구비하고 있다.
타겟트의 평균 결정 입경은 35㎛이며, 타겟트 표면을 EBSP로 해석했을 때, 입경 30∼100㎛의 결정입이 100∼1000개/㎟ 존재하고 있었다.
쉬트 저항은 막 두께에 의존함으로, 웨이퍼(8인치) 내의 쉬트 저항의 분포를 측정하고 그것에 의하여 막 두께의 분포 상황을 조사했다.
구체적으로는, 웨이퍼 상(上)의 49점의 쉬트 저항을 측정하고, 그 표준 편차(σ)를 산출했다. 그 결과를 표1에 나타낸다.
표1에서 명백한 바와 같이 실시예4에 있어서, 스퍼터 초기에서 후기에 걸처 쉬트 내(內) 저항 분포의 변동이 적은(2.8∼3.2%), 즉 막 두께의 분포의 변동이 적은 것을 나타내고 있다.
이상으로부터 실시예4의 탄탈륨 타겟트는 성막속도가 크고, 막의 균일성이 양호하며, 또한 8인치 웨이퍼에서의 막 두께의 격차가 적고, 더욱이 아킹이나 파티클의 발생이 없음으로 스퍼터 성막의 품질을 향상시키는 것이 가능했다.
( 실시예5 )
순도 99.997%의 탄탈륨 원료를 전자빔 용해하고, 이것을 주조하여 두께 200mm, 직경 200mmø의 잉고트 또는 빌겟트로 하였다. 이 경우의 결정 입경은 약 55mm이였다.
다음에, 이 잉고트 또는 빌렛트를 실온에서 단신한 후, 1500K의 온도에서의 재결정 소둔하였다. 이것에 의해 평균결정 입경이 200㎛의 조직을 가진 두께 100mm, 직경 100mmø 의 재료가 얻어졌다.
다음에, 이것을 다시 실온에서 단신 및 단조하고, 다시 1173K 온도에서 재결정 소둔을 실시했다. 이것에 의해 평균 결정 입경이 80㎛의 조직을 가진 두께 100mm, 직경 100mmø 의 재료가 얻어졌다.
다음, 이것을 냉간에서 단신과 단조 및 1173K의 재결정 소둔을 행하고, 이어서 다시 냉간 압연하여 1173K(900℃)에서 소둔의 공정을 2번 반복하고, 마무리 가공을 하여 두께 10mm, 직경 320mmø 의 타겟트 재로 하였다.
이상의 공정에 의하여, 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 했을 때, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 배향으로서, ND방향축(압연면 법선 방향축)에 대하여 10°이내의 회전 오차인 것 같은 결정의 면적률이 각각 0.5, 0.2, 0.1인 랜덤 배향의 탄탈륨 스퍼터링 타겟트를 얻을 수 있었다. 또한 이 타겟트는 후술하는 스퍼터링 후의 에로존 면에도 동일한 배향을 기진 조직을 구비하고 있다.
타겟트의 평균 결정 입경은 60㎛이며, 타겟트 표면을 EBSP로 해석하였을 때, 입경 40∼120㎛의 결정입이 100∼1000개/㎟ 존재하고 있었다.
쉬트 저항은 막 두께에 의존하므로, 웨이퍼(8인치)의 쉬트 저항의 분포를 측정하고, 그것에 의하여 막 두께의 분포 상황을 조사했다.
구체적으로는 웨이프 상(上)의 49점의 쉬트 저항을 측정하여 그 표준편차(σ)를 산출했다. 그 결과를 표1에 나타낸다.
표1에서 명확한 바와 같이 실시예5에 있어서는, 스퍼터 초기에서 후기에 걸쳐 쉬트내 저항 분포의 변동이 적은(3.0 ∼3.3%), 즉 막 두께 분포의 변동이 적은 것을 나타내고 있다.
이상으로부터 실시 예5의 탄탈륨 타겟트는, 성막 속도가 크고 막의 균일성이 양호하며, 또한 8인치 웨이퍼에서 막 두께의 격차가 적으며 더욱이 아킹이나 파티클의 발생이 없으므로 스퍼터링 성막의 품질을 향상시킬 수 있었다.
( 실시예6 )
순도99.997%의 탄탈륨 원료를 전자빔 용해하고, 이것을 주조하여 두께 200mm, 직경 200mmø의 잉고트 또는 빌렛트로 했다. 이 경우의 결정 입경은 약 50mm이였다.
다음에, 이 잉고트 또는 빌렛트를 실온에서 단신한 후에, 1500K의 온도에서 재결정 소둔하였다. 이것에 의해 평균 결정 입경이 200㎛의 조직을 가진 두께 100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음에, 이것을 재차 실온에서 단신 및 단조를 하고, 다시 1173K 온도에서 재결정 소둔을 실시했다. 이것에 의해 평균 결정 입경이 80㎛의 조직을 가지는 두께 100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음에, 이것을 냉간에서 단신과 단조 및 1173K의 재결정 소둔을 행하고, 이어서 냉간 압연하여, 1173K(900℃)에서소둔, 냉간 압연하여, 1273K(1000℃)에서 소둔 및 마무리 가공을 행하여 두께 10mm, 직경 320mmø의 타겟트 재(材)로 하였다.
이상의 공정에 의해 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 했을 때, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 배향이며, ND방향축(압연면 법선 방향:壓延面法線方向)에 대하여, 10°이내의 회전 오차인 것과 같은 결정의 면적률이 각각 0.2, 0.4, 0.1인 랜덤 배향의 탄탈륨 스퍼터링 타겟트를 얻을 수 있었다. 또한, 이 타겟트는 후술하는 스퍼터링 후의 에로존 면에서도 동일한 배향을 가지는 조직을 구비하고 있다.
타겟트의 평균 결정 입경은 80㎛이며, 타겟트 표면을 EBSP로 해석했을 때, 입경 50∼150㎛의 결정입이 100∼1000개/㎟ 존재하고 있었다.
쉬트 저항은 막 두께(膜厚)에 의존하므로, 웨이퍼(8인치) 내의 쉬트 저항의 분포를 측정하여, 그것에 의하여 막 두께의 분포 상황을 조사했다.
구체적으로는, 웨이퍼 상(上)의 49점의 쉬트 저항을 측정하고, 그 표준 편차(σ)를 산출했다. 그 결과를 표1에 나타낸다.
표1에서 명백한 바와 같이, 실시 예6에 있어서는, 스퍼터 초기에서 후기에 걸쳐 쉬트 내(內) 저항 분포의 변동이 적은(2.5∼3.3%), 즉 막 두께 분포의 변동이 적은 것을 나타내고 있다.
이상에서 실시 예6의 탄탈륨 타겟트는 성막 속도가 크며, 막의 균일성이 양호하고, 또한 8인치 웨이퍼에서 막 두께의 격차가 적으며, 더욱이 아킹이나 파티클의 발생이 없으므로 스퍼터 성막의 품질을 향상시킬 수가 있었다.
( 비교예1 )
실시 예1과 동일한 순도 99.997%의 탄탈륨 원료를 전자빔 용해하고, 이것을 주조하여 두께 200mm, 직경 200mmø의 잉고트 또는 빌렛트로 하였다. 이 경우의 결정 입경은 약 55mm 이였다. 다음, 이 잉고트 또는 빌렛트를 실온에서 단신과 단조한 후, 1173K의 온도에서 재결정 소둔했다. 이것에 의해 평균 결정 입경이 180㎛의 조직을 가지는 두께 100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음에, 이것을 다시 실온에서 단신과 단조를 행하고, 다시 1173K 온도에서 재결정 소둔을 실시했다. 이것에 의하여 평균 결정 입경이 80㎛의 조직을 가지는 두께 100mm, 직경 100mmø 의 재료가 얻어졌다.
다음, 이것을 냉간 압연과 1173K에서의 재결정 소둔 및 마무리 가공을 행하여 두께 10mm, 직경 320mmø의 타겟트 재(材)로 하였다.
이상의 공정에 의하여 얻은 탄탈륨 타겟트는 평균결정 입경이 55㎛로써, 장소에 의한 격차가 있으며, 탄탈륨 타겟트 표면에 있어서, 전체의 결정배향의 총합계를 1로 했을 때 (100), (111), (110)의 배향의 면적률이 각각 0.8, 0.2, 0인 균일 배향의 탄탈륨 스퍼터링 타겟트를 얻을 수가 있었다.
이 탄탈륨 타겟트를 사용하여 스퍼터링을 실시한바, 막의 균일성이 나쁘며, 스퍼터의 성막의 품질을 저하시키는 원인으로 되었다. 이 결과를 동일하게 표1에 나타낸다.
표1의 비교 예1에 나타내는 결과는, 실시 예1과 동일하게 하여 웨이퍼(8인치)상(上)의 49점의 쉬트 저항을 측정하고, 그 표준 편차(σ)를 산출한 결과이다. 비교 예1에서는 스퍼터 초기에서 후기에 걸처 쉬트 내(內) 저항 분포의 변동이 큰(4.5 ∼5.5), 즉 막 두께 분포의 변동이 현저함을 나타내고 있다.
또한, 8인치 웨이퍼에서 막두께 격차가 크고, 또한 아킹이나 파티클의 발생이 있어, 스퍼터 성막의 품질을 저하시키는 원인으로 되었다.
( 비교예2 )
실시 예1과 동일하게 순도 99.997%의 탄탈륨 원료를 전자빔 용해하고, 이것을 주조하여 두께 200mm, 직경 200mmø의 잉고트 또는 빌렛트로 했다. 이 경우의 결정 입경은 약 55mm이였다. 다음, 이 잉고트 또는 빌렛트를 실온에서 냉간 단조한 후, 1173K의 온도에서 재결정 소둔 했다. 이것에 의해서 평균 결정 입경이 180㎛의 조직을 가지는 두께 100mm, 직경 100mmø 의 재료가 얻어졌다.
다음에, 이것을 다시 실온에서 단신과 단조를 행하고, 다시 1173K 온도에서 재결정 소둔을 실시했다. 이것에 의하여 평균결정 입경이 80㎛의 조직을 가지는 두께 100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음, 이것을 냉간 압연과 1373K에서의 재결정 소둔 및 마무리 가공을 행하여 두께10mm, 직경 320mmø의 타겟트 재로하였다.
이상의 공정에 의하여 얻은 탄탈륨 타겟트는 조대화(粗大化)된 결정을 가진 탄탈륨 타겟트로 되었다.
이상의 공정에 의하여 얻은 탄탈륨 타겟트는 평균결정 입경이 96㎛로서 격차가 있고 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 한 때에, (100), (111), (110)의 배향의 면적률이 각각 0.2, 0.7, 0.1인 균일배향(均一配向)의 탄탈륨 스퍼터링 타겟트를 얻을 수가 있었다.
이 탄탈륨 타겟트를 사용하여 스퍼터링을 실시한바, 막의 균일성이 나쁘고 스퍼터 성막의 품질을 저하시키는 원인으로 되었다. 이 결과를 동일하게 표1에 나타낸다.
표1의 비교예 2에 나타내는 결과는, 실시 예1과 동일하게 하여 웨이퍼(8인치) 상(上)의 49점의 쉬트 저항을 측정하고, 그 표준 편차(σ)를 산출한 결과이다. 비교 예2에서는 스퍼터 초기에서 후기에 걸처 쉬트 내의 저항 분포의 변동이 큰(4.7∼5.3%), 즉 막 두께 분포의 변동이 현저함을 나타내고 있다.
이 탄탈륨 타겟트는, 막의 균일성이 나쁘고, 8인치 웨이퍼에서 막 두께의 격차가 크며, 또한 아킹이나 파티클의 발생이 있어, 스퍼터 성막의 품질을 저하시키는 원인으로 되었다.
(비교예3 )
실시 예1과 동일한 순도 99.997%의 탄탈륨 원료를 전자빔 용해하고, 이것을 주조하여 두께 200mm, 직경 200mmø의 잉고트 또는 빌렛트로 하였다. 이 경우의 결정 입경은 약 55mm이었다. 다음, 이 잉고트 또는 빌렛트를 실온에서 냉간 단조한 후, 1173K의 온도에서 재결정 소둔을 했다. 이것에 의하여 평균결정 입경이 180㎛의 조직을 가지는 두께 100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음에, 이것을 다시 실온에서 단신(鍛伸)과 단조를 행하고, 다시 1173K 온도에서 재결정 소둔을 실시했다. 이것에 의하여 평균결정 입경이 80㎛의 조직을 가지는 두께 100mm, 직경 100mmø의 재료가 얻어졌다.
다음에, 이것을 냉간압연과 1123K에서의 재결정 소둔 및 마무리 가공을 행하여 두께 10mm, 직경 320mmø의 타겟트 재로 하였다.
이상의 공정으로부터 얻은 탄탈륨 타겟트는 평균결정 입경이 37㎛로서 격차가 있으며, 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 하였을 때, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 배향으로써, ND방향축(압연면 법선 방향축)에 대하여 10°이내의 회전 오차인 것 같은 결정의 면적률이 각각 0.7, 0.2, 0.1인 균일 배향의 탄탈륨 스퍼터링 타겟트를 얻을 수가 있었다. 타겟트 표면에서 중심부에 걸쳐서는 거의 배향이 정돈된 탄탈륨 타겟트로 되었다.
이 탄탈륨 타겟트를 사용하여 스퍼터링을 실시한바, 막의 균일성이 나쁘고 스퍼터 성막의 품질을 저하시키는 원인으로 되었다. 이결과를 동일하게 표1에 나타낸다.
표1의 비교 예3에 나타내는 결과는, 실시 예1과 동일하게 웨이퍼(8인치) 상(上)의 49점의 쉬트 저항을 측정하고, 그 표준 편차(σ)를 산출한 결과이다. 비교 예3에서는, 스퍼터 초기에서 후기에 걸처 쉬트 내의 저항 분포의 변동이 큰(3.9∼4.5%), 즉 막 두께 분포의 변동이 현저함을 보여주고 있다.
이 탄탈륨 타겟트는 막의 균일성이 나쁘고 8인치 웨이퍼에서 막 두께의 격차가 크며 또한 아킹이나 파티클의 발생이 있어, 스퍼터 성막의 품질을 저하시키는 원인으로 되었다.
본 발명은 종래의 재결정 소둔에 의한 조대 결정 또는 결정 방위가 특정의 방위에 정돈된 타겟트가 아니고, 랜덤한 방위를 구비한 탄탈륨 타겟트이며, 이것에 의해 성막속도가 크고, 막의 균일성이 우수하며, 또한 아킹이나 파티클의 발생이 적고, 더욱이 고이용효률인 것이 요구되고 있는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트에 적용될 수 있다.

Claims (16)

  1. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에, (100), (111), (110)의 어느 하나의 배향을 가지는 결정도, 그 면적률이 0.5를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  2. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에, (100), (111), (110)의 내(內)의, 어느 2개의 배향을 가지는 결정의 면적률의 합계가 0.75를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  3. 제1항에 있어서, 상기 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에, (100), (111), (110)의 내(內)의, 어느 2개의 배향을 가지는 결정의 면적률의 합계가 0.75를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 탄탈륨 타겟트의 표면이 스퍼터된 에로존 면(面)인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  5. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 어느 하나의 배향을 가지는 결정으로서, ND방향축(압연면 법선 방향축)에 대하여, 10°이내의 회전 오차인 것과 같은 결정의 면적률이 0.5를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  6. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 내의, 어느 2개의 배향을 가지는 결정으로서, ND방향축(압연면 법선 방향축)에 대하여, 10°이내의 회전 오차인 것과 같은 동(同)결정의 면적률의 합계가 0.75를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  7. 제5항에 있어서, 상기의 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, 전체의 결정 배향의 총합계를 1로 할 때에, (100)<001>, (111)<001>, (110)<001>의 내의, 어느 2개의 배향을 가지는 결정으로서, ND방향축(압연면 법선 방향축)에 대하여, 10°이내의 회전 오차인 것과 같은 동(同)결정의 면적률의 합계가 0.75를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  8. 제5항 내지 제 7항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 탄탈륨의 표면이 스퍼터된 에로존 면인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  9. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, (100)배향을 측정한 EBSP에 의한 극점도(極点圖)에 있어서, 결정 방위의 완전 랜덤을 1로 하여 강도를 측정한 경우에 있어서, 1이 상의 강도를 6분할(分割)한 크기에 의하여 표현하고, 극점도 상(上)의 θ가 0°또는 90°방향뿐만 아니고 그 중간에 강도 1 이상의 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  10. 제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제7항, 제9항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 탈륨 타겟트의 표면에 있어서, (100)배향을 측정한 EBSP에 의한 극점도(極点圖)에 있어서, 결정 방위의 완전 랜덤을 1로 하여 강도를 측정한 경우에 있어서, 1 이상의 강도를 6분할(分割)한 크기에 의하여 표현하고, 극점도 상(上)의 θ가 0°또는 90°방향뿐만 아니고 그 중간에 강도 1 이상의 피크를 가지는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  11. 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, (100)배향을 측정한 EBSP에 의한 극점도(極点圖)에 있어서, 결정 방위의 완전 랜덤을 1로 하여 강도를 측정한 경우에 있어서, 1 이상의 강도를 6분할(分割)한 크기에 의하여 표현하고, 극점도 상(上)의 ND 방향(0°) 이외로 출현하는 피크 강도 1 이상에서 나타내는 부분이 20°이상의 넓이를 가지는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  12. 제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제7항, 제9항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 탄탈륨 타겟트의 표면에 있어서, (100)배향을 측정한 EBSP에 의한 극점도(極点圖)에 있어서, 결정 방위의 완전 랜덤을 1로 하여 강도를 측정한 경우에 있어서, 1 이상의 강도를 6분할(分割)한 크기에 의하여 표현하고, 극점도 상(上)의 ND 방향(0°) 이외로 출현하는 피크 강도 1 이상에서 나타내는 부분이 20°이상의 넓이를 가지는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  13. 제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제7항, 제9항, 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟트의 평균결정 입경이 80㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 타겟트.
  14. 제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제7항, 제9항, 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟트는 압연 가공 조직에 의한 미세조직을 구비하고, 타겟트 표면을 EBSP로 해석한 때에, 입경 25∼150㎛의 결정입이 100∼1000개/㎟ 존재하고 있는 것을 특징으로 하는 타겟트.
  15. 제14항에 있어서, 탄탈륨 타겟트의 표면이 스퍼터된 에로존 면인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타겟트.
  16. 제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제7항, 제9항, 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟트의 순도가 99.99% 이상인 것을 특징으로 하는 타겟트.
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