KR100676885B1 - 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 제 1 항에 있어서,상기 중합체는 1,000-100,000의 중량 평균 분자량을 가지는 상부 반사방지막 중합체.
- t-부틸아크릴레이트 단량체, 메트 아크릴산 단량체 및 2,2,3,4,4,4-헥사플루오르부틸 메트아크릴레이트 단량체를 유기용매에 용해시킨 후, 중합개시제를 첨가한 다음, 57℃-77℃의 온도에서 2-10시간 동안 상기 각 단량체들을 자유 라디칼 중합시키는 것을 특징으로 하는, 제 3 항에 의한 상부 반사방지막 중합체의 제조방법.
- t-부틸아크릴레이트 단량체, 2-(트리플루오르메틸)아크릴산 단량체 및 2,2,3,4,4,4-헥사플루오르부틸 메트아크릴레이트 단량체를 유기용매에 용해시킨 후, 중합개시제를 첨가한 다음, 57℃-77℃의 온도에서 2-10시간 동안 상기 각 단량체들을 자유 라디칼 중합시키는 것을 특징으로 하는, 제 4 항에 의한 상부 반사방지막 중합체의 제조방법.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 유기용매로는 아세톤, PGMEA, 테트라하이드로퓨란, 사이클로헥사논, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 디옥산, 메틸에틸케톤, 에틸아세테이트, 벤젠, 톨루엔 및 자일렌으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 용매를 사용하는 상부 반사 방지막 중합체의 제조방법.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 중합 개시제로는 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 벤조일퍼옥사이드, 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트, t-부틸하이드로퍼옥사이드 및 디-t-부틸퍼옥사이드로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 사용하는 상부 반사 방지막 중합체의 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 화학식 4로 표시되는 화합물은 트리페닐설포늄 퍼플루오르옥탄설포네이트인 상부 반사방지막 조성물.
- 제 9 항에 있어서,상기 상부 반사방지막 중합체의 양을 기준으로, 0.05-5중량%의 광산발생제를 포함하는 상부 반사방지막 조성물.
- 제 9 항에 있어서,상기 유기용매는 노말부탄올인 상부 반사방지막 조성물.
- 제 13 항에 있어서,상부 반사방지막 중합체의 양을 기준으로, 1,000-10,000 중량%의 노말부탄올에 상기 중합체를 용해시켜 제조되는 상부 반사방지막 조성물.
- 제 9 항에 있어서,산확산 방지제를 부가적으로 포함하는 상부 반사방지막 조성물.
- 제 15 항에 있어서,상기 산확산 방지제는 L-프롤린인 상부 반사방지막 조성물.
- 제 16 항에 있어서,상부 반사방지막 중합체의 양을 기준으로, 1-20중량%의 L-프롤린(L-proline)을 포함하는 상부 반사방지막 조성물.
- 제 9 항에 있어서굴절율이 1.4 내지 2.0인 상부 반사방지막 조성물.
- 제 9 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,반도체 소자의 제조 공정에 사용되는 상부 반사방지막 조성물.
- (a) 소정의 하부 구조가 형성된 반도체 기판 상에 포토레지스트막을 도포하는 단계;(b) 상기 포토레지스트막의 상부에 제 9 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 의한 상부 반사방지막 조성물을 도포하여, 상부 반사방지막을 형성하는 단계; 및(c) 상기 포토레지스트막에 대해 노광 및 현상을 진행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제 20 항에 있어서,노광 전 또는 노광 후에 각각 베이크 공정을 부가적으로 진행하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제 21 항에 있어서,상기 베이크 공정은 70-200℃의 온도에서 수행되는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 노광 공정에서의 광원에 대한 매질이 물인 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 현상 공정은 0.01 내지 5 중량%의 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH) 수용액을 현상액으로 이용하여 진행되는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040100527A KR100676885B1 (ko) | 2004-12-02 | 2004-12-02 | 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물 |
TW094120245A TWI303252B (en) | 2004-12-02 | 2005-06-17 | Top anti-reflective coating polymer, its preparation method and top anti-reflective coating composition comprising the same |
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CN2005100919515A CN1916764B (zh) | 2004-12-02 | 2005-08-15 | 顶部抗反射涂料聚合物、制法及顶部抗反射涂料组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040100527A KR100676885B1 (ko) | 2004-12-02 | 2004-12-02 | 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060061708A KR20060061708A (ko) | 2006-06-08 |
KR100676885B1 true KR100676885B1 (ko) | 2007-02-23 |
Family
ID=36441834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040100527A KR100676885B1 (ko) | 2004-12-02 | 2004-12-02 | 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7462439B2 (ko) |
JP (1) | JP4662819B2 (ko) |
KR (1) | KR100676885B1 (ko) |
CN (1) | CN1916764B (ko) |
DE (1) | DE102005038087A1 (ko) |
IT (1) | ITTO20050459A1 (ko) |
TW (1) | TWI303252B (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8158325B2 (en) * | 2005-10-03 | 2012-04-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Compositions and processes for photolithography |
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-
2004
- 2004-12-02 KR KR1020040100527A patent/KR100676885B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-06-17 TW TW094120245A patent/TWI303252B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-06-23 US US11/159,735 patent/US7462439B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-23 JP JP2005183965A patent/JP4662819B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-30 IT IT000459A patent/ITTO20050459A1/it unknown
- 2005-08-11 DE DE102005038087A patent/DE102005038087A1/de not_active Withdrawn
- 2005-08-15 CN CN2005100919515A patent/CN1916764B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI303252B (en) | 2008-11-21 |
CN1916764A (zh) | 2007-02-21 |
KR20060061708A (ko) | 2006-06-08 |
JP4662819B2 (ja) | 2011-03-30 |
US20070003861A1 (en) | 2007-01-04 |
ITTO20050459A1 (it) | 2006-06-03 |
JP2006163345A (ja) | 2006-06-22 |
TW200619231A (en) | 2006-06-16 |
DE102005038087A1 (de) | 2006-06-08 |
CN1916764B (zh) | 2010-08-04 |
US7462439B2 (en) | 2008-12-09 |
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