최근, 휴대 전화와 같은 통신 장치의 소형화 및 경량화에 있어 현저한 기술적 진보가 이루어졌다. 이러한 기술적 진보를 실현하기 위해, 각 부품의 감소 및 소형화뿐만 아니라, 다수의 기능을 포함하는 복합 부품의 개발이 이루어졌다. 특히, 탄성 표면파 필터(SAW filter)의 향상된 성능이 요구된다.
직렬 암과 병렬 암에 교대로 배치된 탄성 표면파 공진자를 포함하는 래더형 탄성 표면파 필터가 이러한 탄성 표면파 필터 중의 하나이다.
도 23에 도시된 바와 같이, 일반적인 래더형 탄성 표면파 필터(100)는 두 개의 직렬 공진자(S111, S112) 및 세 개의 병렬 공진자(P111, P112, P113)를 포함한다. 또한, 이 래더형 탄성 표면파 필터(100)에는, 병렬 공진자들(P111, P112, P113)의 반 공진 주파수 fpa100이 직렬 공진자들(S111, S112)의 공진 주파수 fsr100과 대체로 일치하도록 설정된다. 이 래더형 탄성 표면파 필터(100)에서, 병렬 공진자들(P111, P112, P113)의 반 공진 주파수 fpa100과 직렬 공진자들(S111, S112)의 공진 주파수 fsr100을 설정하는 조건이 한정되기 때문에, 통과 대역폭을 넓히는 것이 곤란하다는 문제가 있다.
래더형 탄성 표면파 필터의 또 다른 예가 일본 특허 문서 1(일본국특허공개공보 제1998-126212호), 특허 문서 2(일본국특허공개공보 제1998-303698호) 및 특허 문서 3(일본국특허공개공보 제1997-167937호)에 개시되어 있다.
특허 문서 1에 개시된 래더형 탄성 표면파 필터에 따르면, 이 래더형 탄성 표면파 필터(100)는 직렬 공진자들의 공진 주파수 fsr100과 병렬 공진자들의 공진 주파수 fpa100이 fsr100 > fpa100 의 조건을 만족하도록 설정되게 구성된다. 이 구성은 직렬 공진자들과 병렬 공진자들 사이의 주파수 간격을 넓힌다. 따라서, 래더형 탄성 표면파 필터의 통과 대역폭이 넓어진다.
그러나, 특허 문서 1의 구성에서는, 직렬 공진자와 병렬 공진자 사이의 주파수 간격이 넓어짐에 따라, 통과 대역폭 내에 리플이 생성되고 전압 정재파비 (VSWR: voltage standing wave ratio)가 증가된다. 따라서, 이것이 대역폭의 증가를 제한한다.
특허 문서 2에 개시된 래더형 탄성 표면파 필터에 따르면, 이 래더형 탄성 표면파 필터(100)는 한 직렬 공진자의 공진 주파수가 다른 직렬 공진자의 공진 주파수와 다르게 되도록 구성된다. 따라서, 래더형 탄성 표면파 필터에서의 전력 저항이 증가된다.
그러나, 특허 문서 2의 구성에서 두 직렬 공진자의 임피던스가 합성될 때 합성된 공진 주파수는 병렬 공진자의 반 공진 주파수와 대체로 일치하여야만 한다. 이 구성은 병렬 공진자들의 공진 주파수와 두 직렬 공진자의 반 공진 주파수 중의 낮은 주파수 사이에 통과 대역폭을 제공한다. 이 구성에서, 두 직렬 공진자의 공진 주파수 사이의 주파수 간격을 넓힘에 따라 대역폭이 감소된다.
도 24에 도시된 바와 같이, 특허 문서 3에 개시된 래더형 탄성 표면파 필터(200)는 세 개의 직렬 공진자들(S211, S212, S213)과 두 개의 병렬 공진자들(P211, P212)을 포함한다. 이 래더형 탄성 표면파 필터(200)에 있어서, 직렬 공진자들(S211, S212, S213)의 공진 주파수는 병렬 공진자들(P211, P212)의 반 공진 주파수와 대체로 일치하도록 설정된다. 직렬 공진자(S213)에 인덕터(L211)가 병렬로 추가된다. 이 인덕터(L211)로 인해 직렬 공진자(S213)의 반 공진 주파수가 더 높은 주파수 쪽으로 쉬프트 되어, 래더형 탄성 표면파 필터의 통과 대역보다 높은 주파수 측의 감쇠량을 증가시킨다.
그러나, 특허 문서 3의 구성에서 래더형 탄성 표면파 필터의 대역폭은 증가될 수가 없다.
위에 설명된 바와 같이, 종래 래더형 탄성 표면파 필터의 다양한 문제점들로 인해, 기존의 구성으로 된 래더형 탄성 표면파 필터의 통과 대역폭을 넓히는 것은 어려움이 있다.
또한 위에 서술된 문제점들은 실리콘(Si) 기판과 진동부를 포함하는 압전 박막이 포함된 래더형 필터에 있어 발생한다. 이 Si 기판에 개구부 또는 오목한 부분이 구비된다. 적어도 하나 혹은 그 이상의, 예를 들어, 산화아연(ZnO)과 질화 알루미늄(AIN)으로 구성된 층으로 이루어지고, 상기 개구부 또는 오목한 부분에 형성된 압전 박막의 상하면이 적어도 한 쌍의 서로 마주하고 있는 상부 전극 및 하부 전극 사이에 끼워지도록 진동부가 구성된다.
상기에 서술된 바와 같은 기존의 문제점들은 해결하기 위해, 본 발명의 바람직한 실시 형태가 통과 대역폭이 향상된 래더형 필터, 이 래더형 필터를 포함하는 분파기, 및 이 래더형 필터와 분파기를 구비한 통신 장치를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 래더형 필터는 직렬 암(arm) 공진자 및 병렬 암 공진자를 포함한다. 이 직렬 암 공진자와 병렬 암 공진자는 교대로 서로 접속되어 있다. 이 직렬 암 공진자의 각각은 인덕터와 병렬로 접속된 제 1 직렬 암 공진자이거나 혹은 인덕터와 접속되지 않은 제 2 직렬 암 공진자이다. 상기 인덕터와 병렬로 접속되어 있는 암 공진자(제 1직렬 암 공진자)의 공진 주파수를 fsr1이라 하고 상기 인덕터와 병렬로 접속되어 있지 않은 암 공진자(제 2 직렬 암 공진자)의 공진 주파수를 fsr2라 할 때, fsr1 < fsr2의 관계를 만족한다.
상기에 서술된 바와 같은 구성에서, 제 1 직렬 암 공진자와 제 2 직렬 암 공진자 사이의 공진 주파수 차이는 공진 주파수와 반 공진 주파수 사이의 간격을 넓혀준다. 이에 따라, 래더형 필터의 대역폭이 증가된다. 더해서, 제 1 직렬 암 공진자에 인덕터의 추가는 통과 대역 외의 감쇠량을 개선한다. 또한, 래더형 필터에서 직렬 암 공진자의 적어도 한 개에 단지 인덕터만을 병렬로 추가함으로써 대역폭을 넓힐 수 있으므로, 래더형 필터의 크기가 증가하지 않고, 이에 따라 소형화와 향상된 성능이 가능해진다.
또한, 상기에 서술된 구성의 래더형 필터는, 병렬 암 공진자의 반 공진 주파수를 fpa라 할 때, fsr1 < fpa < fsr2의 관계를 만족시키는 것이 바람직하다.
더해서, 상기 서술된 구성의 래더형 필터는, 병렬 공진자의 반 공진 주파수를 fpa라 할 때, fpa ×0.995 < (fsr1 + fsr2)/2 < fpa ×1.01의 관계를 만족시키는 것이 바람직하다.
상기에 서술된 구성의 래더형 필터는, 제 1 직렬 암 공진자에 병렬로 접속되어 있는 인덕터의 작용으로 인해 쉬프트 되어 생기는 반 공진 주파수를 fsa1'라 하고 제 2 직렬 암 공진자의 반 공진 주파수를 fsa2 라 할 때, fsa2 < fsa1'의 관계 를 만족시키는 것이 바람직하다.
상기에 서술된 구성의 래더형 필터에서, 제 1 직렬 암 공진자의 공진 주파수는 제 2 직렬 암 공진자의 공진 주파수와 다른 것이 바람직하다.
상기에 서술된 구성의 래더형 필터는 패키지를 추가로 포함하고 병렬로 접속된 인덕터가 이 패키지 내에 구성되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 장치의 소형화가 이루어진다.
상기에 서술된 구성을 포함하는 래더형 필터에서, 공진자는 압전 기판 및 이 압전 기판에 형성된 복수의 빗형 전극 변환 소자를 포함하고 있는 일단 쌍 탄성 표면파 공진자인 것이 바람직하다.
상기에 서술된 구성의 래더형 필터에서, 공진자는 개구부 또는 오목한 부분을 구비한 기판과, 적어도 하나의 층으로 이루어지고 이 개구부 또는 오목한 부분 위에 형성된 압전 박막의 상하면이 최소 한 쌍의 전극 사이에 끼워지도록 구성된 진동부를 포함하는 압전 박막 공진자인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시 형태에 따른 분파기는 상기에 서술된 래더형 필터의 어떤 것이든 포함한다.
본 발명의 더한 또 다른 바람직한 실시 형태에 따른 통신 장치는 상기에 서술된 어떠한 래더형 필터 혹은 분파기를 구비한다.
향상된 통과 대역폭 및 이 통과 대역보다 낮은 주파수 측에서 큰 감쇠량을 갖는 래더형 필터를 포함하는 상기 서술된 구성은 분파기 및 넓은 통과 대역폭과 이 통과 대역보다 낮은 주파수 측에서 큰 감쇠량을 갖는 통신 장치를 제공한다.
복수의 제 1 직렬 암 공진자들이 각각 다른 공진 주파수를 가질 때, 평균 공진 주파수 또는 평균에 가까운 요망되는 공진 주파수를 공진 주파수 fsr1이라 칭한다. 이것은 또한 제 2 직렬 암 공진자들의 공진 주파수, 제 1 직렬 암 공진자들의 반 공진 주파수, 및 제 2 직렬 암 공진자들의 반 공진 주파수에도 적용된다.
상기에 서술된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 래더형 필터는 교대로 서로 접속되어 있는 직렬 암 공진자 및 병렬 암 공진자를 포함한다. 각각의 직렬 암 공진자는 인덕터와 병렬로 접속되어 있는 제 1 직렬 암 공진자 혹은 인덕터와 접속되어 있지 않은 제 2 직렬 암 공진자이다. 제 1 직렬 암 공진자의 공진 주파수를 fsr1, 제 2 직렬 암 공진자의 공진 주파수를 fsr2라고 할 때, fsr1 < fsr2의 관계가 만족된다.
상기에 서술된 구성에서, 대역폭이 넓어지고 통과 대역 외의 감쇠량이 개선된다. 또한, 래더형 필터에서 직렬 암 공진자의 적어도 한 개에 단지 인덕터만을 병렬로 추가함으로써 대역폭을 넓힐 수 있으므로, 래더형 필터의 크기가 증가하지 않고, 이에 따라 소형화와 향상된 성능이 획득된다.
본 발명의 다양한 바람직한 실시 형태에 따라, 래더형 필터, 이 래더형 필터를 포함하는 분파기, 및 이 래더형 필터와 분파기를 구비한 통신 장치가 통과 대역 근처의 현저한 대역외 감쇠량 특성을 보여준다. 특히, 래더형 필터, 분파기, 및 통신 장치는 큰 통과 대역폭을 제공하고, 이 통과 대역보다 낮은 주파수 측에서의 큰 감쇠량을 보여준다. 이에 따라, 통신 분야에서 이 통신 장치가 적합하게 사용되도록 통신 장치의 전송 특성이 크게 향상된다.
본 발명의 다른 특성, 요소, 특질 및 장점은 첨부된 도면을 참고로 다음의 바람직한 실시 형태의 상세한 설명으로부터 명확해 질 것이다.
< 제 1 바람직한 실시 형태 >
제 1 바람직한 실시 형태에 따른 래더형 필터인 탄성 표면파 필터(1)가 도 1 내지 16을 참고로 설명될 것이다.
도 1에서 보여지는 회로도를 참고로, 제 1 바람직한 실시 형태에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(1)는 바람직하게는 래더형 구조 내의 압전 기판(10) 위에 구성된 두 개의 직렬 공진자들(S1:제 1 직렬 암 공진자 및 S2:제 2 직렬 암 공진자)과 세 개의 병렬 공진자들(병렬 암 공진자 P1, P2 및 P3)을 포함한다. 또한, 이 탄성 표면파 필터(1)에서, 인덕터(Lp)가 병렬로 직렬 공진자에 구비된다. 그리고, 이 탄성 표면파 필터(1)에서, 직렬 공진자 S1의 공진 주파수를 fsr1이라 하고 직렬 공진자 S2의 공진 주파수를 fsr2라 할 때, fsr1 < fsr2의 관계를 만족한다. 직렬 공진자 S1의 공진 주파수를 직렬 공진자 S2와 다르게 설정하기 위해서, 예를 들면, 직렬 공진자 S1의 피치를 직렬 공진자 S2의 피치와 다르게 하는 것이 바람직하다.
도 2는 탄성 표면파 필터(1) 구성의 구체적인 예를 보여준다. 도 2에서 도시된 바와 같이, 압전 기판(10)에 구성된 직렬 공진자(S1, S2) 및 병렬 공진자(P1, P2, P3)를 포함하는 칩이 패키지(PKG) 내에 탑재된다. 인덕터(Lp)는 패키지(PKG) 내에 구비되고 직렬 공진자(S1)에 본딩 와이어에 의해 병렬로 접속된다.
직렬 공진자들(S1, S2)은 패키지(PKG)에 구비된 신호 단자들(T1, T2)에 각각 접속된다. 또한, 병렬 공진자들(P1, P2)은 패키지(PKG)에 구비된 접지 단자(T4)에 본딩 와이어에 의해 접속되고, 병렬 공진자(P3)는 패키지(PKG)에 구비된 접지 단자(T3)에 본딩 와이어에 의해 접속된다.
도 2에서 도시된 바와 같이, 각각의 직렬 공진자(S1, S2) 및 병렬 공진자(P1, P2, P3)는 빗형 변환 소자 및 이 빗형 변환 소자를 사이에 끼운 반사기를 포함하고 있는 탄성 표면파 공진자이다.
일반적으로, 래더형 탄성 표면파 필터에서, 통과 대역에서의 정합 조건을 만족하기 위해서, 병렬 공진자들의 반 공진 주파수(fpa)는 직렬 공진자의 공진 주파수(fsr)와 실질적으로 일치하게 설정된다.
한편, 한 공진자의 공진 주파수가 다른 공진자의 공진 주파수와 일치하지 않는 경우, 두 다른 공진 주파수의 합성된 공진이 발생한다. 이에 따라, 한 직렬 공진자의 공진 주파수가 다른 직렬 공진자의 공진 주파수와는 다른 래더형 탄성 표면파 필터에 있어, 직렬 공진자들의 합성 공진 주파수를 fr0이라 할 때, 통과 대역에서의 정합 조건을 만족하기 위해서 fr0이 fpa와 실질적으로 일치하게 설정된다. 여기에, 래더형 탄성 표면파 필터들이 병렬 공진자들의 공진 주파수(fpr)와 직렬 공진자들의 반 공진 주파수(fsa) 사이에 대역폭을 제공한다.
도 3a에서 도시된 바와 같이, 제 1 바람직한 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터(1)에서, 직렬 공진자 S1의 공진 주파수 fsr1은, fsr1 < fsr2의 관계를 만족하기 위해서, 직렬 공진자 S2의 공진 주파수 fsr2와 다른 것이 바람직하다. 더해서, 인덕터(Lp)가 직렬 공진자 S1과 병렬로 접속되어 있으므로, 직렬 공진자 S1의 반 공진 주파수 fsa1은, 직렬 공진자 S2의 반 공진 주파수 fsa2보다 높아지기 위해, 반 공진 주파수 fsa1'로서 쉬프트 된다.
한편, 직렬 공진자들 S1 및 S2의 임피던스가 합성될 때, 직렬 공진자들 S1 및 S2의 합성 공진 주파수는, 도 3b에서 도시된 바와 같이, fsr0이다. 또한, 탄성 표면파 필터(1)에서, 합성 공진 주파수 fsr0은 병렬 공진자들의 반 공진 주파수 fpa와 실질적으로 일치하도록 설정된다.
이에 따라, 탄성 표면파 필터(1)는 통과 대역폭을 병렬 공진자들의 공진 주파수 fpr과 인덕터(Lp)가 접속되어 있지 않은 직렬 공진자 S2의 반 공진 주파수 fsa2 사이에 제공한다. 이에 따라, 대역폭이 증가된다. 더해서, 인덕터(Lp)를 병렬로 직렬 공진자 S1에 추가하여 직렬 공진자 S1의 반 공진 주파수 fsa1을 높은 주파수 쪽으로 쉬프트 함으로써 획득되는 반 공진 주파수 fsa1'로 인해, 통과 대역 보다 높은 주파수 측에서 대역외 감쇠량이 증가된다.
제 1 바람직한 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터(1) 내의 각각의 직렬 공진자 S1 및 S2와 병렬 공진자 P1, P2 및 P3을 위한 구체적인 파라미터를 변경한 실시예가 이제 설명될 것이다. 표 1은 직렬 공진자 S1 및 S2와 병렬 공진자 P1, P2 및 P3의 전극지를 위한 파라미터(공진 주파수, 쌍갯수, 교차폭)를 보여준다.
|
공진 주파수
|
쌍갯수 |
교차폭 |
공진자 |
S1 |
- |
9 0 쌍 |
3 0 ㎛ |
S2 |
- |
9 0 쌍 |
3 0 ㎛ |
P1 |
2 0 0 0 MHz |
4 5 쌍 |
4 2 ㎛ |
P2 |
2 0 0 0 MHz |
9 0 쌍 |
4 2 ㎛ |
P3 |
2 0 0 0 MHz |
4 5 쌍 |
4 2 ㎛ |
표 2는 직렬 공진자 S1 과 S2 각각의 공진 주파수와 이들 사이의 공진 주파수 차이를 보여준다.
조 건
|
S1의 공진 주파수 |
S2의 공진 주파수 |
주파수 차 |
비교예 3 |
2 0 5 3 MHz |
2 0 5 3 MHz |
0 MHz |
1 |
2 0 4 8 MHz |
2 0 5 8 MHz |
10 MHz |
2 |
2 0 4 3 MHz |
2 0 6 3 MHz |
20 MHz |
3 |
2 0 3 8 MHz |
2 0 6 8 MHz |
30 MHz |
4 |
2 0 3 3 MHz |
2 0 7 3 MHz |
40 MHz |
5 |
2 0 2 8 MHz |
2 0 7 8 MHz |
50 MHz |
6 |
2 0 2 3 MHz |
2 0 8 3 MHz |
60 MHz |
7 |
2 0 1 8 MHz |
2 0 8 8 MHz |
70 MHz |
8 |
2 0 1 3 MHz |
2 0 9 3 MHz |
80 MHz |
9 |
2 0 0 8 MHz |
2 0 9 8 MHz |
90 MHz |
10 |
2 0 0 3 MHz |
2 1 0 3 MHz |
100 MHz |
11 |
1 9 9 8 MHz |
2 1 0 8 MHz |
110 MHz |
제 1 바람직한 실시 형태에서, 예를 들면, 약 3.8 nH의 인덕턴스를 갖는 인덕터(Lp)가 병렬로 직렬 공진자 S1에 추가되는 것이 바람직하다. 또한, 이 인덕터(Lp)와 병렬로 접속되어 있는 직렬 공진자 S1의 주파수는, 인덕터(Lp)와 병렬로 접속되지 않은 직렬 공진자 S2의 주파수 보다 낮게 설정되는 것이 바람직하다. 직렬 공진자 S1과 S2 사이의 주파수 간격은 약 10 MHz에서 약 110 MHz 사이에서, 표 2의 조건 1 내지 11에서 보여지는 바와 같이, 연속적으로 변화한다. 특히, 인덕터(Lp)와 병렬로 접속되어 있는 직렬 공진자 S1의 주파수가 감소함에 따라, 또 한 인덕터(Lp)와 병렬로 접속되지 않은 직렬 공진자 S2의 주파수가 증가함에 따라 직렬 공진자 S1과 S2 사이에서의 주파수 간격이 증가된다. 도 4는 제 1 바람직한 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터(1)의 전송 특성을 보여준다. 표 2의 조건 2, 4, 6 및 8은 도 4에 나타난다. 도 5는 제 1 바람직한 실시 형태에 따른 탄성 표면파 필터(1)의 반사 특성(VSWR) 및 대역폭을 보여준다.
도 6은 공진자에 따른 탄성 표면파 필터(1) 내의 인덕터(Lp)와 병렬로 접속된 직렬 공진자 S1의 등가 회로도이다. 인덕터(Lp)와 병렬로 접속되어 있는 직렬 공진자 S1의 임피던스 주파수 특성은 도 7에서 점선으로 보여진다. 비교를 위해, 인덕터(Lp)와 접속되지 않은 직렬 공진자의 임피던스 주파수 특성은 도 7에서 실선으로 보여진다. 직렬 공진자 S1에 병렬로 구비된 인덕터(Lp)는, 공진 주파수 보다 낮은 새로운 반 공진 주파수 fsa3 및 원래 존재하는 반 공진 주파수 fsa1이 쉬프트 된 반 공진 주파수 fsa1'를 생성한다. 이 때, 공진 주파수 fsr1은 일정하다.
한편, 반 공진 주파수 fsa3은 직렬 공진자 S1의 전극 용량과 직렬 공진자 S1에 병렬로 구비된 인덕터(Lp)에 의해 결정된다. 이 때, 반 공진 주파수 fsa3을 감쇠량을 위한 요망되는 주파수 영역에 들도록 설정함에 따라, 증가된 감쇠량을 보여주는 필터 특성이 획득된다. 특히, 새로운 반 공진 주파수 fsa3이 공진 주파수 보다 낮은 주파수에서 생성되므로, 이 구성은 통과 대역보다 낮은 주파수에서 감쇠 영역을 갖는 탄성 표면파 필터에 적합하다.
또한, 이 공진 회로는, 인덕터(Lp)가 구비되지 않은 경우와 비교해 좀 더 넓은 주파수 영역(공진 주파수 fsr1과 반 공진 주파수 fsa1' 사이)에서 유도 특성을 보여준다. 여기에서, 직렬 공진자 S1의 공진 주파수를 fsr1이라 하고 직렬 공진자 S2의 공진 주파수를 fsr2라 할 때, 인덕터(Lp)와 병렬로 접속되어 있는 직렬 공진자 S1이, 인덕터(Lp)와 병렬로 접속되지 않은 직렬 공진자 S2와 직렬로 접속되는 예가 검토될 것이다.
조건 fsr1 < fsr2를 만족할 때, 도 3b에서 도시된 바와 같이, 직렬 공진자 S1과 S2의 합성 임피던스는 공진 주파수 fsr1과 fsr2 사이의 새 공진 주파수 fsr0을 제공하고 두 개의 반 공진 주파수 fsa1'와 fsa2'를 제공한다. 탄성 표면파 필터(1)의 대역폭이 공진 주파수와 반 공진 주파수 사이의 간격에 의해 결정되므로, 대역폭이 크게 증가된다. 또한, 예를 들면, 공진 주파수 fsr1과 fsr2 사이의 간격을 더 넓히기 위해서, 공진 주파수 fsr1의 추가 축소는 합성 공진 주파수 fsr0을 축소시키고, 반면에 공진 주파수 fsr2는 일정하게 유지된다. 이에 따라, 증가된 대역폭을 갖는 공진 특성이 획득된다.
탄성 표면파 필터(1)의 병렬 공진자 P1, P2 및 P3은 이제 검토될 것이다. 여기에서, 병렬 공진자 P1, P2 및 P3의 반 공진 주파수를 fpa라 할 때, fsr1 < fpa < fsr2의 조건을 만족한다. 도 8은 직렬 공진자 S1 및 S2와 병렬 공진자 P1, P2 및 P3의 임피던스 관계를 보여준다. 도 8에서 도시된 바와 같이, 반 공진 주파수 fpa에서, 병렬 공진자 P1, P2 및 P3과 유도성 소자로서의 직렬 공진자 S1과 용량성 소자로서의 직렬 공진자 S2는 개회로 이다. 이에 따라, 반 공진 주파수 fpa에서의 상태가 도 9의 등가 회로에 의해 보여진다. 직렬 공진자 S1은 유도성 소자로, S2는 용량성 소자로 각각 칭해지므로, 직렬 공진자 S1과 S2의 리액턴스가 서로 소거하여 통과 대역을 형성한다.
이 구성에 있어, 탄성 표면파 필터(1)는 공진 주파수 fpr과 반 공진 주파수 fsa2 사이에 넓은 통과 대역폭을 제공한다. 또한, 통과 대역보다 높은 주파수 측에서의 감쇠량이 반 공진 주파수 fsa1'로 인해 개선될 수 있다. 특히, 병렬 공진자의 반 공진 주파수 fpa와 직렬 공진자 S1과 S2의 LC 공진이 완전히 일치할 때, 입출력 임피던스의 완전한 정합이 이루어진다.
직렬 공진자 S1과 S2의 임피던스가 서로 완전히 일치할 때, (fsr1 + fsr2)/2 = fpa의 조건을 만족한다. 완전한 정합이 요구되는 경우, 병렬 공진자의 P1, P2 및 P3의 반 공진 주파수 fpa는 직렬 공진자 S1과 S2의 LC 공진과 실질적으로 일치해야만 한다. 그러나, 병렬 공진자의 반 공진 주파수 fpa와 직렬 공진자의 공진 주파수 사이의 간격이 어느 정도까지 증가하는 실용 가능 영역이 있다. 특히, 특성의 측면에 있어 fpa ×0.995 < (fsr1 + fsr2)/2 < fpa ×1.01의 조건을 만족하는 범위가 허용되고 실용 가능하다.
본 발명은 탄성 표면파 필터의 비교예를 참조로 좀 더 상세히 설명될 것이다.
도 10을 참조로, 비교예 1과 2에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(10)는 직렬 공진자 S11과 S12 및 병렬 공진자 P11, P12 및 P13을 포함하고 있다. 실시예의 탄성 표면파 필터(1)와는 달리, 비교예 1과 2에 따른 탄성 표면파 필터(10)는 인덕터(Lp)가 병렬로 부가되도록 구성되지 않는다. 표 3은 탄성 표면파 필터(10)의 전극지를 위한 파라미터(공진 주파수, 쌍갯수 및 교차폭)를 보여준다.
|
공진주파수
|
쌍갯수 |
교차폭 |
공진자 |
S 1 1 |
f s r |
9 0 쌍 |
1 6. 5 ㎛ |
S 1 2 |
f s r |
9 0 쌍 |
1 6. 5 ㎛ |
P 1 1 |
f p r |
4 5 쌍 |
6 5 ㎛ |
P 1 2 |
f p r |
9 0 쌍 |
6 5 ㎛ |
P 1 3 |
f p r |
4 5 쌍 |
6 5 ㎛ |
비교예 1에서, 직렬 공진자들의 주파수를 병렬 공진자들의 주파수와 다르게 하기 위해, 병렬 공진자 P11, P12 및 P13의 공진 주파수가 고정되고 직렬 공진자 S11과 S12의 공진 주파수는 변경된다. 비교예 1의 조건이 표 4에서 보여진다. 직렬 공진자와 병렬 공진자 사이의 주파수 차가 표 4에서 보여진다. 조건 1이 만족될 때, 직렬 공진자들의 공진 주파수는 병렬 공진자들의 반 공진 주파수와 실질적으로 일치한다. 비교예 2에서, 직렬 공진자 S11과 S12 사이의 주파수 간격은 직렬 공진자 S11과 S12 각각의 공진 주파수가 변화함에 따라 변한다. 비교예 2의 조건이 표 5에서 보여진다.
|
조 건
|
S11과 S12의 공진 주파수 |
P11, P12 및 P13의 공진 주파수 |
주파수 차 |
비교예 1 |
1 |
2 0 5 3 M H z |
2 0 0 0 M H z |
5 3 M H z |
2 |
2 0 5 8 M H z |
2 0 0 0 M H z |
5 8 M H z |
3 |
2 0 6 3 M H z |
2 0 0 0 M H z |
6 3 M H z |
4 |
2 0 6 8 M H z |
2 0 0 0 M H z |
6 8 M H Z |
5 |
2 0 7 3 M H z |
2 0 0 0 M H z |
7 3 M H z |
|
조 건 |
S11의 공진 주파수 |
S12의 공진 주파수 |
Δf |
비교예 2 |
1 |
2 0 5 3 M H z |
2 0 5 3 M H z |
0 M H z |
2 |
2 0 5 8 M H z |
2 0 4 8 M H z |
1 0 M H z |
3 |
2 0 6 3 M H z |
2 0 4 3 M H z |
2 0 M H z |
4 |
2 0 6 8 M H z |
2 0 3 8 M H z |
3 0 M H z |
5 |
2 0 7 3 M H z |
2 0 3 3 M H z |
4 0 M H z |
도 11은 조건 1 내지 5의 비교예 1에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(10)의 전송 특성을 보여준다. 또한, 조건 1 내지 5의 반사 특성 및 대역폭이 도 12에서 보여진다. 여기에서, 3.5㏈ 대역폭의 관계가 보여진다.
도 11에 보이는 바와 같이, 병렬 공진자와 직렬 공진자 사이의 증가된 주파수 차이로 인해, 전체 대역폭이 증가한다. 그러나, 주파수 차의 증가에 따라 대역 내에 리플(떨어짐:drop)이 생성된다. 또한, 도 12에서 도시된 바와 같이, 주파수 차의 증가에 따라 VSWR이 증가된다. 다시 말해서, 특성들이 저하된다.
또한, 비록 3.5 ㏈의 대역폭이 우선 증가하더라도, 주파수 차가 약 65MHz 혹은 그 이상일 때 대역폭이 급격하게 감소한다. 이것은 대역 내에서 생성된 리플이 약 3.5 ㏈이기 때문이다. 따라서, 비교예 1의 구성으로 대역폭을 증가시키는 것은 곤란하다.
도 13은 조건 1 내지 5의 비교예 2에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(10)의 전송 특성을 보여준다. 비교예 2에서, 인덕터(Lp)는 직렬 공진자에 추가되지 않고, 실시예에서와 같이, 직렬 공진자 S11과 S12 사이의 주파수 간격 Δf가 증가한다. 도 14는 조건 1 내지 5의 반사 특성과 대역폭을 보여준다. 도 13과 14를 통해 알 수 있듯이, 비교예 2의 구성은 대역폭을 넓히는 것에 효과적이지 않으며, 더구나 대역폭을 감소시키는 경향이 있다.
비교예 3에서, 인덕터(Lp)는 비교예 1에서와 같은 동일한 구성으로, 병렬로 직렬 공진자 S11에 추가된다. 비교예 3을 위한 조건은 표 2에서 보여진다. 또한 비교예 3의 전송 특성은 도 4에서, 반사 특성 및 대역폭은 도 5에서 보여진다. 도 4에서 도시된 바와 같이, 비교예 3에 따른 래더형 탄성 표면파 필터의 대역폭은 좁다.
실시예에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(1)는 비교예 1 내지 3의 각각에 따른 래더형 탄성 표면파 필터와 비교될 것이다.
도 4에서 도시된 바와 같이, 비교예 1과는 달리, 실시예에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(1)의 대역 내에는 오직 작은 리플만이 생성된다. 또한, 도 5에서 도시된 바와 같이, 비록 VSWR이 실시예에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(1) 내에서 점차적으로 저하되더라도, VSWR은 주파수 차가 약 10MHz에서 약 80MHz 사이일 때 실질적으로 불변이고 주파수 차가 약 90 MHz가 될 때까지 3.5 ㏈ 대역폭이 거의 선형으로 증가한다. 다시 말해서, 직렬 공진자 S1에 인덕터(Lp)를 병렬로 추가하는 것의 장점이 확인된다.
또한, 실시예에 따른 탄성 표면파 필터(1)는 비교예 2에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(10)와는 완전히 다른 특성을 명확하게 보여준다.
더해서, 실시예에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(1)는 비교예 3에 따른 래더형 탄성 표면파 필터의 대역폭 보다 더 넓은 대역폭을 제공한다.
도 15a는 실시예에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(1) 내의 직렬 공진자 S1 및 S2의 임피던스 합성을 보여준다. 도 15b는 비교예 3에 따른 래더형 탄성 표면파 필터 내의 직렬 공진자의 임피던스 합성을 보여준다. 도 15c는 기존의 래더형 탄성 표면파 필터 내의 직렬 공진자의 임피던스 합성을 보여준다. 도 15d는 비교예 2에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(10) 내의 직렬 공진자의 임피던스 합성을 보여준다. 도 15a에서 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 탄성 표면파 필터(1)는 공진 주파수와 반 공진 주파수 사이의 간격을 증가시켜, 이에 따라, 바람직하게는 대역폭을 증가시킨다.
더해서, 비교예 4에서, 래더형 탄성 표면파 필터는 인덕터(Lp)의 추가 없이 실시예의 조건 4와 동일한 회로 파라미터를 사용하여 구성된다. 도 16은 실시예에 따른 래더형 탄성 표면파 필터(1)의 전송 특성과 비교예 4에 따른 래더형 탄성 표면파 필터의 전송 특성을 보여준다. 도 16에서 도시된 바와 같이, 낮은 주파수 측의 감쇠량은 실시예에 따른 탄성 표면파 필터(1) 내에서 개선된다. 다시 말해서, 인덕터(Lp)의 추가 또한 낮은 주파수 측의 감쇠량을 개선시킨다.
상기에 서술된 바와 같이, 실시예의 구성으로, 대역폭은 반사 특성과 대역 내의 리플 발생에 악영향을 끼치지 않고 증가되는 것이 바람직하다. 또한, 래더형 탄성 표면파 필터 내의 복수의 직렬 공진자들 중 최소 한 공진자에 단지 하나의 인덕터를 병렬로 추가함으로써 대역폭이 증가되므로, 래더형 탄성 표면파 필터의 크기 증가를 방지할 수 있고, 이는 소형화와 고성능화를 가능하게 한다.
인덕터(Lp)와 병렬로 접속된 복수의 직렬 공진자 각각이 다른 공진 주파수를 갖는 경우, 평균 공진 주파수 또는 평균에 가까운 요망되는 공진 주파수가 공진 주파수로 여겨진다. 이것은 또한 인덕터(Lp)와 병렬로 접속되지 않은 직렬 공진자들의 공진 주파수, 인덕터(Lp)와 병렬로 접속된 직렬 공진자들의 반 공진 주파수, 및 인덕터(Lp)와 병렬로 접속되지 않은 직렬 공진자들의 반 공진 주파수에도 적용된다.
< 제 2 바람직한 실시 형태 >
비록 탄성 표면파 공진자가 상기에 서술된 제 1 바람직한 실시 형태 및 실시예에서 래더형 필터로서 사용되었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 압전 박막 공진자로, 제 1 바람직한 실시 형태 및 실시예와 유사한 이점을 획득할 수 있는 제 2 바람직한 실시 형태에 따른 래더형 필터가 제공된다.
도 17a는 압전 박막 공진자가 래더형 필터 내에서와 같이 래더형 구성으로 배치된 예를 보여준다. 도 17a에서 도시된 바와 같이, 각각의 압전 박막 공진자는 실리콘으로 만들어진 지지 기판(60)의 개구부(61) 위에 조성된 절연막(62)을 포함한다. 또한 각각의 압전 박막 공진자는, 압전 박막 상하에서(압전 박막(64)의 깊이 방향으로) 상부 전극(65)과 하부 전극(63) 사이에 끼워지도록, 개구부(61)와 면하는 절연막(62)의 일부 면 위에 조성된 압전 박막(64)을 포함하고 있다.
이에 따라, 각각의 압전 박막 공진자는 절연막(62)과 하부 전극(63) 및 상부 전극(65) 사이에 끼워진 압전 박막(64)의 일부로 진동부가 구분되는 다이어프램 구조를 포함한다. 개구부(61)는 지지 기판(60)을 깊이 방향으로 관통하도록 형성된 다. 절연막(62)은 이산화규소(SiO2) 또는 알루미나(Al2O3)로 이루어지거나 혹은 SiO2 와 Al2O3로 이루어진 다층 구조인 것이 바람직하다. 압전 박막(64)은 산화 아연(ZnO), 질화 알루미늄(AIN), 및 다른 적절한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
또는, 각각의 압전 박막 공진자는, 개구부(61)를 구비하는 것 대신에, 다이어프램에 면하는 부분에 조성되어 지지 기판(60)의 깊이 방향으로 관통하지 않는 오목한 부분(66)이, 도 17b에 도시된 바와 같이, 지지 기판(60)에 구비되도록 형성된다.
도 18에서 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 래더형 필터에서, 도 17a 및 17B의 압전 박막 공진자들(71~74)이, 예를 들어, L 형의 두 단 래더형 배치로 구성될 수도 있고 적어도 한 개의 직렬 암 압전 박막 공진자(72)에 인덕터(Lp)가 병렬로 접속될 수도 있다. 또는, 상기에 설명된 래더형 배치는 파이(pi)형 혹은 T 형일 수도 있다.
도 19 및 20은 이러한 래더형 필터의 구체적인 예를 보여준다. 네 개의 압전 박막 공진자들(71~74)이 래더형으로 구성될 때, 입력 측의 압전 박막 공진자(71, 72)의 상부 전극(87) 및 하부 전극(85)의 일부를 통합함으로써 배선이 감소되고 래더형 필터의 크기가 이에 따라 소형화된다.
도 20에서 도시된 바와 같이, 압전 박막 공진자(72, 74)는 실리콘으로 이루어진 지지 기판(82)에 구비된 개구부(84) 위에 형성된 절연막(83)을 포함한다. 압 전 박막 공진자들(72, 74)은 또한 압전 박막의 상하에서(압전 박막(86)의 깊이 방향으로) 압전 박막(86)이 상부 전극(87)과 하부 전극(85) 사이에 끼워지도록, 개구부(84)와 면하는 절연막(83)의 부분 위에 조성된 압전 박막(86)을 포함하고 있다.
이에 따라, 압전 박막 공진자(72, 74)는 절연막(83)과 하부 전극(85) 및 상부 전극(87) 사이에 끼워진 압전 박막(86)의 일부로 진동부가 구분되는 다이어프램 구조(88)를 포함한다. 개구부(84)는 깊이 방향으로 지지 기판(82)을 관통하도록 형성된다. 절연막(83)은 이산화규소(SiO2)(83a) 또는 알루미나(Al2O3)(83b)로 이루어지거나 혹은 SiO2(83a) 및 Al2O3(83b)로 이루어진 다층 구조인 것이 바람직하다. 압전 박막(86)은 산화 아연(ZnO), 질화 알루미늄(AIN), 및 다른 적절한 물질로 이루어진다.
< 제 3 바람직한 실시 형태 >
본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 분파기가 이제 도 21을 참조로 설명될 것이다. 분파기는 송신용 단자(Tx)(95)와 접속된 송신용 필터(93) 및 수신용 단자(Rx)(96)와 접속된 수신용 필터(94)를 포함한다. 송신용 필터(93)는 제 1 혹은 제 2 바람직한 실시 형태 중 하나에 따른 래더형 필터이고 통과 대역으로서의 송신 대역을 갖는다. 수신용 필터(94)는 제 1 혹은 제 2 바람직한 실시 형태에 따른 래더형 필터이고 송신 대역보다 높은 주파수 측에, 통과 대역으로서, 수신 대역을 갖는다.
더해서, 분파기는 안테나 단자(91) 측에 용량성 소자 및 유도성 소자를 구비한 정합 회로(92)를 포함한다. 정합 회로(92)의 구조는 특별히 한정되지 않는다.
특히 수신용 필터(94)를 위해 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 래더형 필터를 포함하고 있는 본 발명의 다른 다양한 바람직한 실시 형태에 따른 분파기는 통과 대역 근처에서 현저한 대역외 감쇠 특성을 보여준다. 또한, 특히 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 분파기는 통과 대역보다 낮은 주파수 측에서의 큰 감쇠량, 및 넓은 통과 대역폭을 제공하는 두드러진 특성을 보여준다.
< 제 4 바람직한 실시 형태 >
제 1 혹은 제 2 바람직한 실시 형태 중 하나에 따른 래더형 필터 또는 제 3 바람직한 실시 형태에 따른 분파기를 포함하는 통신 장치(600)는 도 22를 참조로 이제 설명될 것이다. 통신 장치(600)는, 수신 측(Rx side)으로서, 안테나(601), 안테나 듀플렉서/RF 탑(Top) 필터(602), 증폭기(603), Rx 단계간(inter-stage) 필터(604), 믹서(605), 제 1 IF 필터(606), 믹서(607), 제 2 IF 필터(608), 제 1 + 제 2 로컬 신시사이저(611), 온도 보상 수정 발진기(temperature compensated crystal oscillator:TCXO)(612), 분할기(613), 및 로컬 필터(614)를 포함한다.
바람직하게는, 평형 신호가, 평형을 위해서, Rx 단계간 필터(604)로부터 믹서(605)로, 도 22의 이중선으로 보여지는 바와 같이 송신된다.
통신 장치(600)는, 송신 측(Tx side)으로서, 상기의 안테나 (601) 및 안테나 듀플렉서/RF 탑 필터(602)에 추가로, Tx IF 필터(621), 믹서(622), Tx 단계간 필터(623), 증폭기(624), 결합기(625), 아이솔레이터(626), 및 자동 출력 제어(automatic power control:APC)(627)를 포함한다.
제 1 혹은 제 2 바람직한 실시 형태 중 하나에 따른 래더형 필터는 Rx 단계간 필터(604), 제 1 IF 필터(606), Tx IF 필터(621), 및 Tx 단계간 필터(623)에 적합하다. 제 3 바람직한 실시 형태에 따른 분파기는 안테나 듀플렉서/RF 탑 필터(602)에 적합하다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 래더형 필터는 필터링 기능을 갖는다. 더해서, 통과 대역 근처의 현저한 대역외 감쇠 특성이 획득된다. 특히, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 래더형 필터는 넓은 통과 대역폭 및 통과 대역보다 낮은 주파수 측의 큰 감쇠량을 제공하는 두드러진 특성을 갖는다. 이에 따라, 래더형 필터 및 이 래더형 필터를 사용하는 분파기를 구비한 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 통신 장치는 전송 특성이 크게 향상된다.
본 발명은 상기에 기재된 각각의 바람직한 실시 형태에 한정되지 않으며, 청구항에서 서술된 한도 내에서 다양한 수정이 가능하다. 각각의 다른 바람직한 실시 형태에서 개시된 기술적 특성들을 적절하게 결합함으로써 획득된 실시 형태가 본 발명의 기술적 범위 안에 포함된다.