KR100555509B1

KR100555509B1 - 선택적 전압 레퍼런스로 소모 전력을 절감하는 내부 전압변환기, 이를 구비한 반도체 장치 및 그 방법

Info

Publication number: KR100555509B1
Application number: KR1020030050501A
Authority: KR
Inventors: 김의승; 김찬용
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-07-23
Filing date: 2003-07-23
Publication date: 2006-03-03
Also published as: FR2858071A1; FR2858071B1; KR20050011408A; US7282984B2; US20050017790A1; DE102004036027A1

Abstract

선택적 전압 레퍼런스로 소모 전력을 절감하는 내부 전압 변환기, 이를 구비한 반도체 장치 및 그 방법이 개시된다. 상기 반도체 장치는, 노말 동작 상태와 IVC 스탠-바이 상태를 구별하여, IVC 스탠-바이 상태에서 선택적 전압 레퍼런스들 중 작은 전력을 소모하는 전압 레퍼런스를 선택하여 내부 전압을 발생시키는 내부 전압 변환기를 이용한다. 따라서, 반도체 장치의 전력 절감에 크게 기여하고, 전력에 크리티컬한 반도체 장치에 이용되어 큰 효과를 발휘할 수 있다.

Description

선택적 전압 레퍼런스로 소모 전력을 절감하는 내부 전압 변환기, 이를 구비한 반도체 장치 및 그 방법{Internal voltage converter for low power consumption by selective voltage references and method thereof}

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 내부 전압 변환기를 구비한 반도체 장치의 블록도이다.

도 2는 IVC 스탠-바이 알림 신호와 아날로그 먹스의 출력 전압 간의 관계를 나타내는 파형도이다.

도 3은 스마트 카드의 비접촉 모드 시의 전력 공급과 IVC 스탠-바이 알림 신호 간의 관계를 나타내는 파형도이다.

도 4는 스마트 카드의 통신 모드와 IVC 스탠-바이 알림 신호 간의 관계를 나타내는 파형도이다.

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히, 반도체 장치의 내부 전압 발 생 장치에 관한 것이다.

반도체 장치 내부에 구비되는 내부 전압 발생 장치(internal voltage converter)(IVC)는, 보통, 외부 전원으로부터 입력되는 DC(direct current) 전압을 수신하여 입력 전압보다 크거나 작은 전압 레벨로 변환하고, 변환된 전압 레벨은 동작 중 정확히(accurate) 유지시키며, 전류 구동 능력도 향상시켜서, 그 변환된 일정 내부 DC 전압을 내부 코아 블록에 공급한다. 내부 전압 발생 장치에 공급되는 DC 입력 전압은 보통 외부의 기준 전압 발생 장치에서 발생된다. 상기 기준 전압 발생 장치는 다수의 소자들을 이용하여 상기 DC 입력 전압이 정확히 유지되도록 하고, 이때 소모되는 전력이 존재한다. 이와 같은 내부 전압 발생 장치에 대한 일례가 미국 특허, "US6,078,210"에 나타나 있다.

내부 전압 발생 장치에서 변환되어 코아 블록에 공급되는 내부 DC 전압은, 노말(normal) 동작 시에 내부 코아 블록의 구동을 위한 전원으로 이용되므로, 코아 블록이 정상적으로 동작되도록 하기 위하여 일정 전압으로 정확히 유지되어야 한다. 내부 코아 블록은, 반도체 메모리 장치에서 셀 어레이 블록, X-디코더 블록, Y-디코더 블록, 또는 주변 테스트 회로 블록 등이 될 수 있다. 이외에도, IC(integrated circuit) 카드 또는 스마트 카드(smart card)에 구비되는 통신용 칩도 내부 코아 블록이 될 수 있다.

반도체 장치의 내부 코아 블록 및 내부 전압 발생 장치는 일반적으로 많은 전력을 소모하므로 이들에 대한 전력 절감 방법에 대하여는 꾸준히 연구가 진행되고 있다. 배터리를 전원으로 사용하는 이동 통신 분야에서는, 특히, 장시간 휴대할 수 있는 편리함을 제공하기 위하여 전력 절감이 절실히 요구된다.

그런데, 코아 블록에서 발생하는 리드(read), 라이트(write), 또는 어떤 기능의 수행과 같은 노말 동작 상태가 아닌, 파워 온(power on) 순간, 또는 아이들링(idling) 중과 같이 노말 동작이 정지된 IVC 스탠-바이(stand-by) 상태에서는, 내부 전압 발생 장치가 정확한 내부 DC 전압을 코아 블록에 공급할 필요 없고, 단지 러프한(rough) DC 전압을 코아 블록에 공급하여도 지장이 없다. IVC 스탠-바이 상태에서는, 코아 블록이 어떤 기능의 수행 없이 이전 상태를 유지하고, 단지 어떤 명령이나 데이터의 수신 또는 데이터의 전송을 대기하는 상태에 있기 때문이다. 그러나, 일반적인 반도체 장치의 내부 전압 발생 장치는, 노말 동작 상태와 IVC 스탠-바이 상태를 구별하지 않고, 외부의 기준 전압 발생 장치로부터 DC 입력 전압을 항상 수신하여 내부 DC 전압을 발생시키므로, 이에 따라 상기 기준 전압 발생 장치 및 상기 내부 전압 발생 장치에서는 DC 출력 전압이 정확히 유지되도록 하기 위하여 많은 전력을 소모하는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 노말 동작 상태와 IVC 스탠-바이 상태를 구별하여, IVC 스탠-바이 상태에서 선택적 전압 레퍼런스들 중 작은 전력을 소모하는 전압 레퍼런스를 선택하여 내부 전압을 발생시키는 내부 전압 변환기, 및 이를 구비한 반도체 장치를 제공하는데 있다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 노말 동작 상태와 IVC 스탠-바이 상태를 구별하여, IVC 스탠-바이 상태에서 선택적 전압 레퍼런스들 중 작은 전력을 소모하는 전압 레퍼런스를 선택하여 내부 전압을 발생시키는 내부 전압 변환 방법, 및 반도체 장치의 구동 방법을 제공하는데 있다.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 내부 전압 변환기는, 제1 기준 전압 발생 회로, 아날로그 먹스, 및 전압 변환 회로를 구비한다. 상기 제1 기준 전압 발생 회로는 제1 전원 전압을 이용하여, 제2 기준 전압의 생성 시에 소모되는 전력 보다 적은 전력으로 제1 기준 전압을 발생시켜 출력한다. 상기 아날로그 먹스는 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제1 논리 상태일 때 상기 제2 기준 전압을 출력하고, 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제2 논리 상태일 때 상기 제1 기준 전압을 출력한다. 상기 전압 변환 회로는 상기 아날로그 먹스의 출력 전압의 레벨을 변환하고, 상기 레벨이 변환된 전압을 안정화시키며 전류 구동 능력도 향상시킨 내부 전압을 생성하여 출력한다. 상기 내부 전압 변환기는, 제2 전원 전압을 이용하여, 상기 제2 기준 전압을 발생시켜 출력하는 제2 기준 전압 발생 회로를 더 구비할 수 있다.

상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호는, 파워-온 후 노말 동작 상태 이전, 또는 노말 동작 중 아이들링 상태 기간을 포함하는 IVC 스탠-바이 상태에서 제2 논리 상태를 유지하는 것을 특징으로 한다. 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호는, 상기 내부 전압 변환기가 스마트 카드의 코아 블록을 구동하는 경우에 있어서, 상기 스마트 카드의 비접촉 모드 시에 무선으로 공급받는 파워가 펄스 형태이면, 파워를 공급받지 않는 기간에 제2 논리 상태를 유지하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호는, 상기 내부 전압 변환기가 콤비 타입 스마트 카드의 코아 블록을 구동하는 경우에 있어서, 상기 스마트 카드의 비접촉 모드 시에 제2 논리 상태를 유지하는 것을 특징으로 한다. 상기 제1 전원 전압은, 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제1 논리 상태일 때 차단되고, 이에 따라 상기 제1 기준 전압 발생 회로는 상기 제1 기준 전압을 발생시키지 않는 것을 특징으로 한다. 상기 제1 전원 전압은, 상기 제2 전원 전압과 같아도 된다. 상기 제2 전원 전압은, 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제2 논리 상태일 때 차단되고, 이에 따라 상기 제2 기준 전압 발생 회로는 상기 제2 기준 전압을 발생시키지 않는 것을 특징으로 한다.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장치는, 내부 전압 변환기, 및 코아 블록을 구비한다.

상기 내부 전압 변환기는 제1 전원 전압을 이용하여, 제2 기준 전압의 생성 시에 소모되는 전력 보다 적은 전력으로 제1 기준 전압을 발생시키고, IVC 스탠-바이 모드 알림 신호의 논리 상태에 응답하여, 상기 제1 기준 전압 또는 상기 제2 기준 전압 중 어느 하나를 선택하여 그 전압의 레벨을 변환하고, 상기 레벨이 변환된 전압을 안정화시키며 전류 구동 능력도 향상시킨 내부 전압을 생성하여 출력한다. 상기 코아 블록은 상기 내부 전압에 의하여 노말 모드 및 IVC 스탠-바이 모드에서 동작한다.

상기 내부 전압 변환기는, 제1 기준 전압 발생 회로, 아날로그 먹스, 및 전압 변환 회로를 구비한다. 상기 제1 기준 전압 발생 회로는 상기 제1 전원 전압을 이용하여 상기 제1 기준 전압을 발생시켜 출력한다. 상기 아날로그 먹스는 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제1 논리 상태일 때 상기 제2 기준 전압을 출력하고, 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제2 논리 상태일 때 상기 제1 기준 전압을 출력한다. 상기 전압 변환 회로는 상기 아날로그 먹스의 출력 전압의 레벨을 변환하고, 상기 레벨이 변환된 전압을 안정화시키며 전류 구동 능력도 향상시킨 상기 내부 전압을 생성하여 출력한다. 상기 내부 전압 변환기는, 제2 전원 전압을 이용하여, 상기 제2 기준 전압을 발생시켜 출력하는 제2 기준 전압 발생 회로를 더 구비할 수 있다.

상기의 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 내부 전압 변환 방법은, 다음과 같은 단계들을 구비한다.

즉, 본 발명에 따른 내부 전압 변환 방법은 제1 전원 전압을 이용하여, 제2 기준 전압의 생성 시에 소모되는 전력 보다 적은 전력으로 제1 기준 전압을 발생시켜 출력하는 제1 기준 전압 발생 단계; IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제1 논리 상태일 때 상기 제2 기준 전압을 출력하고, 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제2 논리 상태일 때 상기 제1 기준 전압을 출력하는 아날로그 멀티플렉싱 단계; 및 상기 아날로그 멀티플렉싱 단계의 출력 전압의 레벨을 변환하고, 상기 레벨이 변환된 전압을 안정화시키며 전류 구동 능력도 향상시킨 내부 전압을 생성하여 출력하는 전압 변환 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기의 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장치의 구동 방법은, 다음과 같은 단계들을 구비한다.

즉, 본 발명에 따른 반도체 장치의 구동 방법은, 제1 전원 전압을 이용하여, 제2 기준 전압의 생성 시에 소모되는 전력 보다 적은 전력으로 제1 기준 전압을 발생시키고, IVC 스탠-바이 모드 알림 신호의 논리 상태에 응답하여, 상기 제1 기준 전압 또는 상기 제2 기준 전압 중 어느 하나를 선택하여 그 전압의 레벨을 변환하고, 상기 레벨이 변환된 전압을 안정화시키며 전류 구동 능력도 향상시킨 내부 전압을 생성하여 출력하는 내부 전압 변환 단계; 및 반도체 장치의 코아 블록이 상기 내부 전압에 의하여 노말 모드 및 IVC 스탠-바이 모드에서 동작하는 단계를 구비한다.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 내부 전압 변환기(110)를 구비한 반도체 장치(100)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치(100)는 내부 전압 변환기(110), 및 코아 블록(130)을 구비한다. 상기 내부 전압 변환기(110)는 제1 전원 전압(VCC1)을 이용하여, 제2 기준 전압(VREF2)의 생성 시에 소모되는 전력 보다 적은 전력으로 제1 기준 전압(VREF1)을 발생시키고, IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)의 논리 상태에 응답하여, 상기 제1 기준 전압(VREF1) 또는 상기 제2 기준 전압(VREF2) 중 어느 하나를 선택하여 그 전압의 레벨을 변환하고, 상기 레벨이 변환된 전압을 안정화시키며 전류 구동 능력도 향상시킨 내부 전압(IVCOUT)을 생성하여 출력한다.

상기 코아 블록(130)은 상기 내부 전압(IVCOUT)에 의하여 노말 모드 및 IVC 스탠-바이 모드에서 동작한다. 노말 모드에서 상기 코아 블록(130)은 기능 수행을 위하여 입력되는 어드레스나 콘트롤 신호(COREIN)에 응답하여, 데이터 리드(read), 데이터 라이트(write), 또는 어떤 기능을 수행하여 소정 데이터(COREOUT)를 출력한다. IVC 스탠-바이 모드에서 상기 코아 블록(130)은 어떤 기능의 수행 없이 이전 상태를 유지하고, 단지 어떤 명령이나 데이터의 수신 또는 데이터의 전송을 대기하는 상태에 있다.

상기 내부 전압 변환기(110)는, 제1 기준 전압 발생 회로(111), 아날로그 먹스(113), 및 전압 변환 회로(115)를 구비한다. 상기 내부 전압 변환기(110)는, 제2 기준 전압 발생 회로(120)를 더 구비할 수 있다. 상기 제2 기준 전압 발생 회로(120)는 제2 전원 전압(VCC2)을 이용하여 상기 제2 기준 전압(VREF2)을 발생시켜 출력하고, 이는 필요에 따라 상기 반도체 장치(100)의 내부 또는 외부에 구비된다. 즉, 상기 제2 기준 전압 발생 회로(120)가 상기 반도체 장치(100)의 내부에 구비되는 경우에, 이는 상기 내부 전압 변환기(110)에 구비된다.

상기 제1 기준 전압 발생 회로(111)는 제1 전원 전압(VCC1)을 저항과 같은 간단한 회로에 인가함으로써, 제2 기준 전압(VREF2)의 생성 시에 소모되는 전력 보다 적은 전력으로 제1 기준 전압(VREF1)을 발생시켜 출력한다. 즉, 상기 제2 기준 전압 발생 회로(120)는 제1 기준 전압(VREF1) 보다 좀더 안정되고 정확한 상기 제2 기준 전압(VREF2)을 발생시키기 위하여, 논리 회로 및 차동 증폭기 등과 같은 다수의 소자들(devices)을 이용하는 회로로서, 상기 제1 기준 전압 발생 회로(111)보다 전력 소모가 많다. 상기 제1 전원 전압(VCC1)은, 상기 제2 전원 전압(VCC2)과 같아도 된다.

상기 아날로그 먹스(113)는 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)가 제1 논리 상태(예를 들어, 논리 로우 상태)일 때 상기 제2 기준 전압(VREF2)을 출력하고, 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)가 제2 논리 상태(예를 들어, 논리 하이 상태)일 때 상기 제1 기준 전압(VREF1)을 출력한다.

상기 전압 변환 회로(115)는 상기 아날로그 먹스(113)의 출력 전압(MUXOUT)의 레벨을 변환하고, 상기 레벨이 변환된 전압을 안정화시키며 전류 구동 능력도 향상시킨 상기 내부 전압(IVCOUT)을 생성하여 출력한다.

도 2는 IVC 스탠-바이 알림 신호와 아날로그 먹스(113)의 출력 전압(MUXOUT) 간의 관계를 나타내는 파형도이다. 도 2를 참조하면, 노말 동작이 정지된 IVC 스탠-바이 상태에서는, 정확한 내부 전압(IVCOUT)을 코아 블록(130)에 공급할 필요 없고, 단지 러프한(rough) 내부 전압(IVCOUT)을 코아 블록(130)에 공급하면 되므로, 이때, IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)는 제2 논리 상태(ON)를 유지한다. IVC 스탠-바이 상태는 파워-온 후 노말 동작 상태 이전, 또는 노말 동작 중 아이들링 상태 기간 등이다. 예를 들어, 노말 동작 상태에서, IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)는 제1 논리 상태(OFF)에 있고, 이때 만일 아날로그 먹스(113)가 안정되고 정확한 1.2V를 제2 기준 전압(VREF2)으로서 출력하고, 전압 변환 회로(115)도 안정되고 정확한 3.3V를 내부 전압(IVCOUT)으로 출력한다. 또한, IVC 스탠-바이 상태에서, IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)는 제2 논리 상태(ON)에 있고, 이때 만일 아날로그 먹스(113)가 러프한 1.2V를 제1 기준 전압(VREF1)으로 출력하고, 전압 변환 회로(115)도 러프한 3.3V를 내부 전압(IVCOUT)으로 출력한다. 전압 변환 회로(115)가 이와 같은 러프한 내부 전압(IVCOUT)을 출력할 때에는 안정되고 정확한 내부 전압(IVCOUT)을 출력할 때 보다, 전압 변환 회로(115)뿐만 아니라 제1 기준 전압 발생 회로(111)에서 소모되는 전력은 작다.

특히, 상기 제1 전원 전압(VCC1)은, 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)가 제1 논리 상태일 때 차단되어, 제1 기준 전압 발생 회로(111)에 공급되지 않고, 이에 따라 제1 기준 전압 발생 회로(111)는 상기 제1 기준 전압(VREF1)을 발생시키지 않는다. 마찬가지로, 상기 제2 전원 전압(VCC2)은, 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)가 제2 논리 상태일 때 차단되어, 제2 기준 전압 발생 회로(120)에 공급되지 않고, 이에 따라 상기 제2 기준 전압 발생 회로(120)는 상기 제2 기준 전압(VREF2)을 발생시키지 않는다.

도 3은 스마트 카드의 비접촉 모드(contact-less mode) 시의 전력 공급과 IVC 스탠-바이 알림 신호 간의 관계를 나타내는 파형도이다. 도 3을 참조하면, 내부 전압 변환기(110)가 스마트 카드의 코아 블록(130)을 구동하는 경우에 있어서, 상기 스마트 카드의 비접촉 모드 시에 무선으로 공급받는 파워가 펄스 형태이면, 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)는, 상기 파워를 공급받지 않는 기간(전력 공급 OFF)에 제2 논리 상태(ON)를 유지한다. 파워를 공급받지 않는 기간에서도 내부 전압 변환기(110)가 제2 기준 전압(VREF2)을 받아 내부 전압(IVCOUT)을 발생시키면, 스마트 카드의 코아 블록(130)에서 무선으로 파워를 공급받는 회로가 동작 중에 많은 전력을 소모하여 통신 거리와 통신 특성이 불량하게 되는 것을 방지하기 위함이다.

도 3의 경우와는 달리, 도 4와 같이, 콤비(combi) 타입 스마트 카드에서 비접촉 모드 동안에 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)가 제2 논리 상태(ON)를 유지하도록 할 수도 있다. 도 4는 스마트 카드의 통신 모드와 IVC 스탠-바이 알림 신호 간의 관계를 나타내는 파형도이다. 도 4를 참조하면, 내부 전압 변환기(110)가 스마트 카드의 코아 블록(130)을 구동하는 경우에 있어서, 상기 스마트 카드의 접촉 모드 시에는 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)는 제1 논리 상태(OFF)를 유지하고, 상기 스마트 카드의 비접촉 모드 시에는 상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)는 제2 논리 상태(ON)를 유지한다. 비접촉 모드 시에 내부 전압 변환기(110)가 제2 기준 전압(VREF2)을 받아 내부 전압(IVCOUT)을 발생시키면, 스마트 카드의 코아 블록(130)에서 파워를 공급받는 회로가 동작 중에 많은 전력을 소모하여 통신 거리와 통신 특성이 불량하게 되는 것을 방지하기 위함이다.

위에서 기술한 바와 같이 본 발명에 따른 본 발명의 일실시예에 따른 내부 전압 변환기(110)는, 제1 기준 전압 발생 회로(111)에 의하여 제2 기준 전압(VREF2)의 생성 시에 소모되는 전력 보다 적은 전력으로 제1 기준 전압(VREF1)을 발생시켜 출력하고, 이에 따라 아날로그 먹스(113)는 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호(SBMOD)가 제2 논리 상태일 때 상기 제1 기준 전압(VREF1)을 출력함으로써, IVC 스탠-바이 상태에서 전력 소모를 줄여준다.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 장치는, 노말 동작 상태와 IVC 스탠-바이 상태를 구별하여, IVC 스탠-바이 상태에서 선택적 전압 레퍼런스들 중 작은 전력을 소모하는 전압 레퍼런스를 선택하여 내부 전압을 발생시키는 내부 전압 변환기를 이용한다. 따라서, 반도체 장치의 전력 절감에 크게 기여하고, 전력에 크리티컬한 반도체 장치에 이용되어 큰 효과를 발휘할 수 있다.

Claims

IVC 스탠-바이 모드 알림 신호의 논리 상태에 따라 제1 기준 전압 또는 제2 기준 전압 중 어느 하나를 선택적으로 레벨 변환하고, 상기 레벨 변환된 전압을 내부 전압으로서 출력하는 내부 전압 변환기; 및

상기 제1 기준 전압이 레벨 변환된 내부 전압에 의하여 IVC 스탠-바이 모드에서 동작하고, 상기 제2 기준 전압이 레벨 변환된 내부 전압에 의하여 노말 모드에서 동작하는 코아 블록을 구비하고,

상기 내부 전압 변환기는

제1 전원 전압을 이용하여, 상기 제2 기준 전압의 생성 시에 소모되는 전력 보다 적은 전력으로 상기 제1 기준 전압을 발생시켜 출력하는 제1 기준 전압 발생 회로;

상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호의 논리 상태에 따라 상기 제1 기준 전압 또는 상기 제2 기준 전압 중 어느 하나를 선택적으로 출력하는 아날로그 먹스; 및

상기 아날로그 먹스의 출력 전압의 레벨을 변환하여 상기 내부 전압을 생성하는 전압 변환 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제 1항에 있어서, 상기 내부 전압 변환기는,

제2 전원 전압을 이용하여, 상기 제2 기준 전압을 발생시켜 출력하는 제2 기준 전압 발생 회로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제 1항에 있어서, 상기 코아 블록은,

파워-온 후 노말 동작 상태 이전, 또는 노말 동작 중 아이들링 상태 기간을 포함하는 IVC 스탠-바이 상태에서 상기 IVC 스탠-바이 모드에서 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제 1항에 있어서, 상기 코아 블록은 스마트 카드의 코아 블록이고, 상기 스마트 카드의 비접촉 모드 시에 무선으로 공급받는 파워가 펄스 형태이면, 파워를 공급받지 않는 기간에, 상기 코아 블록은 상기 IVC 스탠-바이 모드에서 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제 1항에 있어서, 상기 코아 블록은 콤비 타입 스마트 카드의 코아 블록이고, 상기 스마트 카드의 비접촉 모드 시에, 상기 코아 블록은 상기 IVC 스탠-바이 모드에서 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제 1항에 있어서, 상기 제1 전원 전압은,

상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제1 논리 상태일 때 차단되고, 이에 따라 상기 제1 기준 전압 발생 회로는 상기 제1 기준 전압을 발생시키지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제 2항에 있어서, 상기 제1 전원 전압은,

상기 제2 전원 전압과 같은 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제 2항에 있어서, 상기 제2 전원 전압은,

상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제2 논리 상태일 때 차단되고, 이에 따라 상기 제2 기준 전압 발생 회로는 상기 제2 기준 전압을 발생시키지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
삭제
삭제
삭제
반도체 장치의 구동 방법에 있어서,

제1 전원 전압을 이용하여 제2 기준 전압의 생성 시에 소모되는 전력 보다 적은 전력으로 제1 기준 전압을 발생시켜 출력하는 단계;

IVC 스탠-바이 모드 알림 신호의 논리 상태에 따라 상기 제1 기준 전압 또는 상기 제2 기준 전압 중 어느 하나를 선택적으로 출력하는 단계;

상기 제1 기준 전압 또는 상기 제2 기준 전압 중 선택된 전압을 레벨 변환하여 상기 레벨 변환된 전압을 상기 반도체 장치의 내부 전압으로서 출력하는 단계; 및

상기 반도체 장치의 코아 블록에서 상기 제1 기준 전압이 레벨 변환된 내부 전압에 의하여 IVC 스탠-바이 모드에서 동작하고, 상기 제2 기준 전압이 레벨 변환된 내부 전압에 의하여 노말 모드에서 동작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 구동 방법.
제 12항에 있어서,

제2 전원 전압을 이용하여 상기 제2 기준 전압을 발생시켜 출력하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 구동 방법.
제 12항에 있어서, 상기 IVC 스탠-바이 모드는,

파워-온 후 노말 동작 상태 이전, 또는 노말 동작 중 아이들링 상태 기간을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 구동 방법.
제 12항에 있어서, 상기 코아 블록이 스마트 카드의 코아 블록인 경우에, 상기 스마트 카드의 비접촉 모드 시에 무선으로 공급받는 파워가 펄스 형태이면, 파워를 공급받지 않는 기간에, 상기 코아 블록은 상기 IVC 스탠-바이 모드에서 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 구동 방법.
제 12항에 있어서, 상기 코아 블록이 콤비 타입 스마트 카드의 코아 블록인 경우에, 상기 스마트 카드의 비접촉 모드 시에, 상기 코아 블록은 상기 IVC 스탠-바이 모드에서 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 구동 방법.
제 12항에 있어서, 상기 제1 전원 전압은,

상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제1 논리 상태일 때 차단되고, 이에 따라 상기 제1 기준 전압 발생 단계는 상기 제1 기준 전압을 발생시키지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 구동 방법.
제 13항에 있어서, 상기 제1 전원 전압은,

상기 제2 전원 전압과 같은 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 구동 방법.
제 13항에 있어서, 상기 제2 전원 전압은,

상기 IVC 스탠-바이 모드 알림 신호가 제2 논리 상태일 때 차단되고, 이에 따라 상기 제2 기준 전압 발생 단계는 상기 제2 기준 전압을 발생시키지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 구동 방법.
삭제
삭제
삭제