KR100547522B1 - 고 명도의 소립자 적색 방사 인광체의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이트륨 공급원, 가돌리늄 공급원, 유로퓸 공급원, 및 붕소 공급원을 제공하는 유기 전구체를 포함하는 희석액으로부터 형성된 겔을 고상 반응 온도 미만의 온도에서 열 분해시켜 인광체를 얻는 단계를 포함하는, 하기 화학식 1의 유로퓸 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법에 관한 것이다.
<화학식 1>
(Y1-x-y-zEuxGdyMz)BO3
상기 식에서,
0.01≤x≤0.1이고, 0≤y≤0.5이고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba이고, 0≤z≤0.1이다.
고상 반응, 소립자 인광체, 유로퓸 활성화된 이트륨 가돌리늄 붕산염 인광체, 졸/겔 방법, 용액 방법

Description

고 명도의 소립자 적색 방사 인광체의 제조 방법 {Method of Preparing High Brightness, Small Particle Red Emitting Phosphor}
본 발명은 개선된, 유로퓸으로 활성화된 이트륨 가돌리늄 붕산염 인광체 입자 및 이러한 입자의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 평면 패널 디스플레이 (FPD) 용도로 사용할 때 필요한 향상된 성능 (고 명도)의 인광체 소립자를 형성하는, 질산염 및 유기 전구체로부터 이러한 인광체 소립자를 형성하는 개선된 방법에 관한 것이다.
유로퓸 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 ((Y, Gd)BO3:Eu3+)은 효율적인 적색 방사 광발광 및 음극 발광 인광체이다. 최근 몇년 동안, 이러한 인광체를 제조하려는 시도가 이루어지고 있으며, 이러한 인광체는 높은 양자 효율, 지속 특성 및 감소된 채도 때문에 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP)에 현재 사용되고 있다.
이러한 인광체는 통상, Y2O3 (Y 공급원), Gd2O3 (Gd 공급원), Eu2O3 (Eu 공급원), 붕산 및 NH4F 또는 NH4Cl (용제) 사이의 고온 (1200℃ 초과) 고상 반응에 의해 제조된다. SSR에 의해 제조된 인광체 분말의 입자 크기는 5 내지 10 미크론의 차원이다. 평면 패널 디스플레이 장치, 예를 들면 PDP, 장 방사 디스플레이 (FED), 및 전자 발광 (EL) 패널은 더 양호한 성능 및 고 효율을 위해 미세한 입자 (0.1 내지 2 미크론)을 갖는 박막 형광 스크린을 필요로 한다. 이러한 필요조건은 PDP의 경우 더 요구되는데, 이는 인광체가 립과 같은 복잡한 구조들 사이에 스크린 인쇄되기 때문이다. 소립자로 박막 스크린을 형성할 수 있다. 소립자는 또한 더 높은 패킹 밀도 및 더 적은 결합제 함량을 가능하게 한다.
본래, 입자 크기가 작은 인광체는 큰 인광체 입자를 연마, 분쇄 또는 밀링함으로써 얻을 수 있었다. 이러한 방법으로 얻어진 인광체는 효율이 매우 감소되었으며, 입자 형태가 거의 제어되지 않는다. 보다 최근에, SSR의 완료 후, 고온에서 단시간 연소시키거나 또는 저온에서 장기간 연소시키면 인광체 덩어리의 급속 냉각으로써 "밀링하지 않은" 인광체를 제조하였다. 이러한 방법은 인광체 결정의 추가의 성장을 최소화 하는 것을 보조한다. 용제 또는 억제제의 존재하에, 인광체의 입자 크기 분포 (PSD) 및 인광체의 형태를 제어할 수 있다 [코타이사미 (M. Kotaisamy), 자간탄 (R. Jaganthan), 라오 (R.P. Rao), 아부다이타이 (M. Avudaithai), 스리니바산 (L.K.Srinivassan) 및 선다람 (V.S. Sundaram)의 문헌 [J. Electrochem Soc. 142 (1995) 3205]를 참고한다]. 미크론 이하 크기의 인광체 입자가 졸-겔 공정에 의해 제조될 수 있음이 제안되었다 [라오의 문헌 [J. Electrochem Soc. 143 (1996) 189]을 참고한다]. 인광체 소립자는 열수 방법에 의해 합성되었다 [커티 (T.R. Kutty), 자간탄, 라오의 문헌 [Mater.Res. Bull. 25 (1990) 1355]를 참고한다].
적색 인광체에 대한 대부분의 과거의 작업은 형광 램프용 Eu+3 활성화된 산화이트륨 및 음극선관 (CRT)용 옥시황화이트륨과 관련되었다. 이러한 인광체는 모두 교류 PCP 또는 (AC PDP)에 대해 적합하지 않기 때문에, 제논 가스 (147 및 173 nm)에 의해 발생되는 파장에서 여기될 수 있는 PDP에서 유용한 새로운 인광체를 개발하려고 시도되어 왔다. Eu3+ 활성화된 이트륨 및 란타늄 족의 붕산염이 문헌에 기재되어 있으나, 제조 방법 및 유로퓸 활성화된 이트륨 가돌리늄 붕산염 인광체에 대한 정보가 제한되어 있다. 레만 (Lehmann)에게 허여된 미국 특허 제4,202,794호에는 화학식 xCaO.y(Y+Eu)2.zB2O3 (여기서, x는 32 내지 38이고, y는 31 내지 40이며, z는 25 내지 31임)으로 표현된 개선된 인광체 조성물이 제안되어 있다. 이러한 인광체는 254 nm 방사선에서 여기되고 가시광 스펙트럼의 적색 영역에서 방사했을 때, 유사한 형태의 인광체에 비해 더 높은 광발광 효과를 제공하는 것으로 기재되어 있다.
과거의 합성 방법은 고온 고상 반응과 관련되기 때문에, 불순물 농도, PSD 및 형태에 대한 제어가 제한되었다. 또한, 소립자 (0.5 내지 2.0 미크론)로 형성된 인광체 스크린은 개선된 성능을 나타냄이 밝혀졌다. 이는 특히 PDP에서 더욱 그러하다. 그러나, 대부분의 상기 방법은 소립자 (1.0 내지 2.0 미크론)를 제공하는데 실패하였다. 소립자의 성장은 반응 온도가 보통의 고체 상태 반응 온도보다 매우 낮은 용액 방법 또는 졸-겔 방법의 경우에서 가능할 수 있다.
<발명 요약>
따라서, 본 발명의 목적은 하기 화학식 1의 유로퓸 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체를 제공하는 것으로, 이 방법으로 명도가 향상된, 입자 크기가 작은 분말 형태의 인광체를 제공한다.
(Y1-x-y-zEuxGdyMz)BO3
상기 식에서,
0.01≤x≤0.1이고, 0≤y≤0.5이고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba이고, 0≤z≤0.1이다.
본 발명의 미립자 인광체는 졸-겔 방법에 의해 합성된다. 졸은 액체 중의 콜로이드 입자의 분산액이다. 입자에 대한 중력은 무시할 수 있다. 졸로부터, 마이크로미터 이하의 세공 및 평균 길이가 미크론 단위인 중합체 쇄를 갖는 상호연결된 경직된 망상구조로 겔이 형성된다. 최종 생성물의 입자 크기는 출발 졸 중의 콜로이드 입자의 초기 농도, 겔화 공정, 겔이 건조되는 방식, 소성 온도, 및 냉각 속도의 함수이다.
졸-겔 방법은 미세한 분말 및 특히 미세한 인광체 분말의 합성에서 종래의 방법에 비해 많은 잇점을 제공한다. 모든 출발 물질이 용액 중의 분자 수준으로 혼합되어 있어서, 고도의 균질도가 성취된다. 용액을 통한 불순물의 도핑 (활성제/조활성제/감광제)은 직접적이고, 용이하며 효과적이다. 적절하게 건조된 겔 중의 세공은 종종 매우 작고, 균질한 겔의 성분들은 밀접하게 혼합되어 있다. 졸-겔로부터 제조된 분말의 표면적은 매우 커서 더 낮은 공정 온도를 사용할 수 있다.
본 발명의 졸-겔 방법에 의해 형성된 인광체 재료는 개선된 형태를 갖고, 인광체 스크린의 제조에 사용되는 페이스트 제제, 예를 들면, 스크린 인쇄용 페이스트 및 슬러리에 사용되기에 매우 적합하다. 또한, 졸-겔 방법을 사용하여 형성된 인광체 입자가 순수하고 크기가 작기 때문에, 많은 이후의 공정 단계, 예를 들면, 용제 및 용제 관련 물질을 제거하기 위한 세정 및, 인광체 입자 크기를 감소시키기 위해 필요한 연마/밀링이 생략될 수 있다.
인광체 재료는 ppb 농도의 불순물에도 매우 민감하다. 본 발명의 저온 졸-겔 합성 방법은 이종 오염에 대한 가능성을 최소화 한다. 종래의 방법에서의 재료 중에 잔류하는 원치않는 불순물의 일부는 인광체의 성능에 위협적일 수 있다. 예를 들면, 용제로부터의 불화물 (MgF2)은 작동 중 디스플레이의 유리 표면을 공격할 수 있다. 인광체 입자 크기가 감소할수록, 불순물의 존재 때문에 전자 및 홀 포획의 가능성이 증가하고, 전자/홀의 편재화가 불순물을 통한 재결합 속도를 증가시킨다 [브하르가브 (R.N. Bhargave), 갈라거 (D. Gallagher) 및 웰커 (T. Welker)의 문헌 [J. Luminescence 60 (1994) 280]을 참고한다]. 최적의 불순물 (활성제) 농도의 수준은 작은 입자 크기에 의해 더욱 증가할 수 있다. 졸-겔 및 용액 방법에 의해 Eu3+ 활성화된 이트륨, 가돌리늄 및 알칼리토 금속 붕산염 인광체를 성장시키는 본 발명은 더 높은 명도를 나타내고, 입자 크기가 더 작은 재료를 제공한다. 본 발명의 방법을 사용하여 형성된 인광체 입자는 크기가 작아서 높은 패킹 밀도가 요구되는 용도로 사용하기에 특히 적합하다.
보다 구체적으로, 본 발명은, 모든 유로퓸 활성제가 이용할 수 있는 부위를 Eu3+로 점유하는, 하기 화학식 1의 Eu3+ 활성화된 이트륨, 가돌리늄, (알칼리토 금속) 붕산염 인광체의 형성 방법을 제공한다.
<화학식 1>
(Y1-x-y-zEuxGdyMz)BO3
상기 식에서,
0.01≤x≤0.1이고, 0≤y≤0.5이고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba이고, 0≤z≤0.1이다.
이 방법은,
이트륨 공급원, 가돌리늄 공급원, 알칼리토 원소 공급원, 유로퓸 공급원, 및 붕소 공급원을 제공하는 유기 전구체를 포함하는 희석액을 산 매질 중에서 반응시켜 졸 및(또는) 겔을 형성하는 단계,
졸 및(또는) 겔을 고상 반응 온도 미만의 온도에서 열분해 하는 단계를 포함한다. 용어 "고상 반응 온도"는 2종 이상의 고체를 반응시켜 재료 (착물)을 제조하는데 요구되는 온도를 의미한다. 이 온도는 전형적으로 반응할 고체의 융점에 가깝고, 즉, 고상 반응에는 고온이 일반적으로 요구된다. 전형적으로, 종래에는 산화물 또는 유사한 물질의 고상 반응에 의해 상업적으로 인광체 재료가 합성되었다. 본 발명의 방법은 이러한 고상 반응에 필요한 온도보다 더 낮은 온도의 사용 을 요구한다.
도 1은 희토류 (RE) 붕산염 건조겔 (Xerogel) 분말의 열중량 분석 (TGA)을 제공한다.
도 2는 RE 질산염으로부터 제조된 Eu 활성화된 Y, Gd 붕산염 인광체의 X-선 회절 (XRD) 패턴을 제시한다.
도 3은 (a) 세정 후의 RE 수산화물, (b) 세정 전의 RE 질산염, 및 (c) 및 (d) 세정 후의 RE 질산염으로부터 제조된 Y, Gd 붕산염 인광체의 주사 전자 현미경도를 나타낸다.
도 4는 (a) RE 수산화물 및 (b) RE 질산염으로부터 제조된 Y, Gd 붕산염 인광체의 입자 크기 분포의 그래프이다.
도 5는 MgF2 창 및 적합한 대역 통과 필터를 갖는 a) 147 nm 및 b) 173 nm 파장에서 Xe 램프로부터의 방사선 에너지의 스펙트럼 분포도를 제공한다.
도 6은 실온에서 기록된, (a) 147 nm 및 (b) 173 nm 여기에서 Y, Gd 붕산염 인광체의 방사 스펙트럼을 제시한다.
다수의 디스플레이의 용도에서 고 명도, 더 짧은 잔상, 높은 색 순도 (채도), 및 긴 수명 (작동 시간)을 갖는 적색 인광체가 디스플레이의 성능을 상당히 향상시킬 수 있다. 상업적으로 구입할 수 있는 희토류 기재의 인광체는 상기의 모든 요구사항을 만족시키지 못하기 때문에, 상기의 한계를 극복한 인광체 합성 방법이 개발되었다. 이러한 개발 노력의 결과는 본 발명의 근간을 이룬다.
본 발명은 활성제 이온 (Eu3+)의 혼입률이 높은 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체를 합성하는 방법을 제공한다. 인광체에 중요한 이트륨, 가돌리늄 고용체의 형성은 반응 온도 및 조건에 주로 의존한다. 고상 반응에서, 각각의 산화물은 과량의 붕산의 존재하에 고온에서 반응한다. 이러한 온도에서, 다른 상들은 예를 들면, 이트륨, 가돌리늄 등의 개별 붕산염 및 미반응 산화물을 형성한다. 착물 격자 중으로 불순물 이온을 적절히 도핑하는 것은 불확실하다. 또한, 고온 공정을 사용하면, 더 큰 입자의 성장이 유도된다.
졸-겔 방법은 (1) 금속 염 용액으로부터 출발하는 수성 기재의 방법 및 (2) 금속 알콕시드화물로부터 출발하는 알콜 기재의 방법의 2개의 범주로 나뉠 수 있다. 주로 출발 화합물의 가격 및 이용도를 기준으로 하여 가장 적합한 방법을 선택한다. 인광체의 합성에 대해 출발 화합물의 순도가 중요하기 때문에, 출발 화합물은 0.9999 내지 0.999999의 순도를 갖는다. 금속 알콕시드화물은 비싸므로, 이트륨, 가돌리늄, 유로퓸 및 알칼리토 금속의 질산염을 금속 공급원으로서 선택하는 것이 바람직하다. 붕산트리메틸은 붕소 공급원으로서 바람직하다. 적합한 붕산트리메틸 원액은 붕산트리메틸과 에탄올을 1:10의 몰비로 혼합함으로써 제조된다.
하기의 반응 구조들에 따라 금속 전구체를 합성할 수 있다.
(1) 금속 (예를 들면 이트륨) 아세테이트 (YOOCH3)3.xH2O를 2-메톡시에탄올 (OCH3C2H5OH)에 첨가함으로써 알콕시드를 합성할 수 있다. 125℃에서 12 시간 동안 환류시킨 후, 맑은 용액이 연한 녹황색 용액으로 변한다. 이러한 이트륨 메톡시에톡시드 졸은 실온에서 수 개월 동안 안정하다. 이트륨 이소프로폭시드는 또한 이소프로필 알콜 중의 리튬 이소프로폭시드를 테트라히드로퓨란 중의 염화이트륨과 혼합함으로써 제조할 수 있다. 이 용액은 생성물로부터 염화물 및 리튬 이온을 제거하기 위한 이후의 여과 및 정화 단계를 필요로 한다.
(2) 수산화이트륨 전구체는 물 중의 YCl3 또는 Y(NO3)3 (0.01 M)의 수용액에 염기 (예를 들면, 수산화 암모늄)를 첨가함으로써 침전시켜 제조할 수 있다. pH=10 내지 10.4인 겔화 침전물을 얻을 수 있다. 이러한 겔을 탈이온수로 수차례 세정하여 반대 이온 (NO3 - 또는 NH4 +)을 제거한다. 이러한 이온이 미량만 존재하여도 최종 제품의 효능에 악영향을 끼치는 것으로 이미 밝혀진 바 있다.
그러나, 공정을 제어할 때 다양한 어려움이 있고 출발 화합물이 고가이기 때문에, 방법 (1)과 방법 (2)는 둘다 본 발명의 인광체를 대량으로 제조하는 경제적인 방법을 제공하지 못한다. 상기 방법과 반대로, 하기의 대표적인 반응 방법 (3)에 따라 대량의 본 발명의 인광체가 경제적으로 제조될 수 있다.
(3) 이온 교환 수지를 사용함으로써, 안정한 졸-겔을 제조한다. 0.999999 순도의 질산이트륨을 탈이온 (DI)수 중에 용해시켜 맑은 0.01M의 용액을 얻는다. 이 용액을 실온에서 도웩스 (Dowex) 1X4 (50 내지 100 메시) 수지를 갖는 이온 (OH)- 교환 컬럼을 통과시킨다. 용액의 유동을 제어하여 수집된 용액의 pH를 11.0으로 유지한다. 수지 컬럼의 저부에서 수집된 수산화이트륨 졸은 맑지만, 저장됨에 따라, 그리고 이트륨의 농도가 증가할수록 유백색이 될 것이다. 이트륨의 농도가 낮게 제조된 졸은 수 개월 동안 안정하다. 다른 금속 (Eu, Gd 및 M) 수산화물의 졸을 유사하게 제조할 수 있다.
필요한 금속 용액을 적합한 양의 각 금속 질산염을 미온의 탈이온수 중에 혼합함으로써 0.05 내지 0.1M의 용액을 얻어 제조한다. 화학양론적 양의 금속 (Y, Gd, Eu 및 M)의 용액과 붕산트리메틸을 금속/붕산염 비율이 약 0.95 내지 약 1.05의 범위에서 일정하게 유지되는 방식으로 함께 첨가한다. 금속/붕산염 용액을 둥근 바닥 플라스크로 옮기고, 80 내지 100℃에서 12 내지 18 시간 동안 교반기 맨틀 중에서 해교시킴으로써 겔화를 수행한다.
겔화는 바람직하게는 산 촉매화된 졸 (pH=1.0 내지 2.0)로 수행된다. pH가 낮은 졸 중에서는, 해교 작용이 용액에 적합한 산을 첨가하는 것을 필요로하는 것으로 여겨진다. 산의 첨가는 일반적으로 산의 종류와 pH에 의해 구체화된다. 산의 종류가 일반적으로 pH보다 더 중요하다. 질산 및 붕산이 구조적으로 균질한 겔 망상구조의 형성을 유도하는 특히 유용한 해교제인 것으로 밝혀졌다. 붕산을 사용하는 것이, 산 촉매로서 뿐만아니라 붕소의 공급원으로서 작용하기 때문에 특히 바람직한 것으로 밝혀졌다. 소성 동안의 붕소의 손실량은 과량의 붕산의 존재로 보상된다.
해교 후에, 졸/겔이 점도가 큰 겔이 될 때까지 (3 내지 5 일) 용기 (결정화 접시) 내에 잔류한다. 이어서 소위 겔은 건조겔 (분말)이 될 때까지 50 내지 60℃에서 실험실 오븐 내에서 건조된다. 투명한 물질인 건조겔을 고품질의 알루미나 도가니로 옮기고 2 개의 가열 사이클을 적용하였다. 제1 가열 사이클에서, 시료를 100℃에서 2 시간 동안 침지시킨 후 2 내지 12 시간 동안 800 내지 1000℃로 가열하였다. 실온으로 냉각시킨 다음, 덩어리를 온화하게 (예를 들면, 적합한 막자사발을 사용하여) 분쇄하였다. 이어서 생성된 분쇄된 분말을 탈이온화 수로 세정하고 4 내지 6 시간 동안 100℃에서 건조하였다.
다양한 비율의 금속을 함유한 인광체 시료를 열 분석하면 반응 동력학을 간파할 수 있다. 희토류 붕산염 건조겔 시료의 열분석 자료를 도 1에 제시하였다. 이 자료를 통해 시료의 중량이 3개의 상이한 온도 영역에 대해 연속적으로 2 내지 3회 변화하였음을 알 수 있다. 첫번째의 중량 변화는 100℃ 주변에서 발생하였으며 상응하는 금속염 용액과 관련된 유리된 물 분자의 손실에 해당한다. 200 내지 300℃에서의 두번째의 중량 변화는 열적으로 가속된 산화를 통한 -OCH3의 손실 때문이다.
950℃에서 연소된 시료에 대한 X선 분말 회절 자료를 도 2에 제시하였다. 800℃에서 연소된 시료는 이트륨, 가돌리늄 붕산염 상에 상응하는 선들을 나타낸다. 이러한 신규한 물질에 대한 자료가 없기 때문에, XRD 선들을 출발 물질 뿐만 아니라 가능한 중간체 조성물, 예를 들면, 각각의 금속의 질산염 및 산화물에 대한 자료와 비교하였다. 이트륨, 가돌리늄 붕산염 상에 해당하는 모든 뚜렷한 선들이 850℃ 이상에서 연소된 시료에서 관찰되었다. 이는 각 금속 질산염 및 산화물에 해당하는 선들이 관찰되지 않았기 때문에, 시료들이 완전히 붕산염으로 전환되었음을 나타낸다. 이 결론은 또한 TGA 자료에 의해서도 지지된다. 금속 붕산염 상에 해당하는 선들은 연소 온도가 증가할수록 더 뚜렷해진다.
인광체의 발광은 형태, 크기, 결정화도, 결함 및 입자 경계에 의존하기 때문에, 다양한 조건에서 제조된 모든 시료들의 형태 및 PSD를 연구하였다. 다양한 조건에서 제조된 인광체 시료의 주사 전자 현미경도를 도 3에 제시되어 있다. 이러한 현미경도로부터 인광체 입자가 균일하고 구 형태를 나타냄을 관찰할 수 있다. 상이한 온도에서 제조된 인광체의 PSD를 도 4(b)에 나타나 있다. 소성 후 시료들을 물로 세정하여 유기 잔류물 뿐만 아니라 매우 미세한 입자 (0.05 미크론 미만)를 제거하고, 건조시킨다. 이러한 인광체의 방사 특성을 실온에서 코팅된 스크린 뿐만 아니라 분말로 측정한다.
도 5는 MgF2 창 및 적합한 대역 통과 필터를 갖는 상이한 맞춤 제작한 제논 (Xenon) 램프로부터의 방사선 에너지 분광 분포를 나타내며, 이 램프는 147 내지 173 nm 방사선의 공급원을 제공한다. 금속 질산염으로부터 Eu 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 방사 스펙트럼을 도 6에 제시한다. 일반적으로, 593, 611 및 627 nm에서의 발광 (방사) 선은 5D0→7F1 (오렌지 적색) 및 5D0→7F2 (적색) 전이의 선에 해당한다.
최대 피크는 Eu 및 Gd의 농도에 의존하고, 다양한 방사 선들의 세기는 변화한다. 램프의 용도로, 593, 611 및 627 nm에서의 모든 3개의 선들은 만족스럽다. 그러나, 몇몇 디스플레이, 구체적으로 TV 디스플레이로는 적색 선 (611 및 627 nm) 만을 갖는 것이 바람직하다. 일반적으로, 오렌지색 선 (593 nm)은 외부의 광학 필터를 사용함으로써 최소화되거나 또는 소거될 수 있다. 본 발명은 적색 선의 세기를 향상시킨 인광체에 관한 것이다. 바람직하게는 본 발명의 인광체의 593 nm에서의 오렌지색 선에 대한 611 및 627 nm에서의 적색 선의 최대 방사 스펙트럼 피크의 비율은 1:0.6보다 크다. 본 발명의 추가의 세부 사항은 하기의 실시예를 참고로 하여 설명될 것이다.
실시예 1
이트륨, 가돌리늄 및 유로퓸의 수산화물, 및 산 촉매를 사용하는, 본 발명에 따른 졸/겔 방법에 의한 개선된 유로퓸 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 제조 방법을 본 실시예에서 기재한다. 본 실시예에서 하기의 출발 물질을 사용하였다. 표 I에서 이온 교환 컬럼 및 붕산염 용액으로부터 제조된 각각의 수산화물 용액 (반-겔)의 양을 배치 당 부피 및 중량 백분율로 나타내었다.
Figure 112000015227269-pct00001
상기의 수산화물 용액을 둥근 바닥 플라스크 내에서 혼합하였다. 필요한 양의 붕산트리메틸을 수산화물 용액에 45℃에서 교반하면서 서서히 첨가하였다. 용액이 최고의 요구되는 온도 (90 내지 95℃)에 도달했을 때 붕산을 적가하고, 용액을 그 온도에서 9 내지 12 시간 동안 해교시켰다. 순환 냉각기를 사용함으로써 해교시키는 동안 수 응축 컬럼을 20℃로 유지하였다. 플라스크를 실온으로 냉각시킨 다음, 용액 (반-겔)을 결정화 접시 (3 L의 용량)로 이송하고 개방된 분위기에 두었다. 5 내지 6 일 후, 용액은 겔이 되었다.
투명한 경질 겔을 실험실 오븐에서 45 내지 50℃에서 12 시간 동안 건조하였다. 건조된 생성물은 건조겔로 일컬어지는 연질 유리 생성물과 유사하였다. 건조겔의 성긴 덩어리를 유리 접시로부터 이송하고 유리 막자사발 내에서 분쇄하였다. 미세한 분말을 도가니 내로 수집하여 박스 로 내에서 300℃에서 2 시간 동안 (가열 속도 2°/분) 연소한 후, 900℃에서 6 시간 동안 동일한 가열 속도로 연소하였다. 시료를 실온으로 냉각시킬 때까지 로 내에 남겨두었다.
냉각시킨 후 경질 덩어리를 얻었다. 소량의 물을 사용하여 경질 덩어리를 매우 미세한 입자로 펄프 (pulp)시켰다. 이러한 미세한 인광체 분말을 수중에서 초음파 교반시켰다. 초음파 처리는 클러스터를 매우 미세한 입자로 파쇄하는 것을 보조한다. 물로 세정한 후, 이들 분말을 100℃에서 6 시간 동안 건조시켰다. 미크론 이하 크기의 입자 (0.1 미크론 미만)를 회수하기 위해, 인광체 용액을 원심 분리하였다. 하기 표 II에 상기 인광체의 원소 분석을 나타냈다.
Figure 112000015227269-pct00002
실시예 II
질산이트륨, 질산가돌리늄, 질산유로퓸, 및 붕산트리메틸을 산 촉매하에 사용하는 본 발명에 따른 용액 방법에 의한, 개선된 유로퓸 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 제조 방법을 본 실시예에서 기재한다. 본 실시예에서 사용한 출발 물질을 하기의 표 III에 나타내었다. 표 III에서 사용한 출발 물질의 양을 배치 당 그램 및 중량 백분율로 나타내었다.
Figure 112000015227269-pct00003
상기의 질산염 용액을 둥근 바닥 플라스크 내에서 혼합하였다. 필요한 양의 붕산트리메틸을 질산염 용액에 45℃에서 교반하면서 서서히 첨가하였다. 용액을 90℃에서 12 시간 동안 해교시켰다. 나머지 제조 과정은 실시예 I과 동일하다. 상기 인광체의 원소 분석을 하기 표 IV에 나타내었다.
Figure 112000015227269-pct00004
시료들을 적합한 방사원 (Xe 램프)으로부터의 147 및 173 nm에서 여기시킴으로써 이러한 인광체 뿐만 아니라 PDP 용으로 시판되는 상업용 인광체의 방사 특성을 연구하였다. 결과를 하기 표 IX에 제시하였다. 비교 목적으로, 각 시료들의 평균 입자 크기도 표에 제시하였다.
실시예 III
질산이트륨, 질산가돌리늄, 질산유로퓸, 질산바륨 및 붕산트리메틸을 산 촉 매하에 사용하는 본 발명에 따른 용액 방법에 의한, 개선된 유로퓸 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 제조 방법을 본 실시예에서 기재한다. 본 실시예에서 사용한 출발 물질을 하기의 표 V에 나타내었다. 표 V에서 사용한 출발 물질의 양을 배치 당 그램 및 중량 백분율로 나타내었다.
Figure 112000015227269-pct00005
상기의 질산염 용액을 둥근 바닥 플라스크 내에서 혼합하였다. 필요한 양의 붕산트리메틸을 질산염 용액에 45℃에서 교반하면서 서서히 첨가하였다. 용액을 90℃에서 12 시간 동안 해교시켰다. 나머지 제조 과정은 실시예 I과 동일하다. 상기 인광체의 원소 분석을 하기 표 VI에 나타내었다.
Figure 112000015227269-pct00006
시료들을 적합한 방사원 (Xe 램프)으로부터의 147 및 173 nm에서 여기시킴으로써 이러한 인광체 뿐만 아니라 PDP 용으로 시판되는 상업용 인광체의 방사 특성을 연구하였다. 결과를 하기 표 IX에 제시하였다. 비교 목적으로, 각 시료들의 평균 입자 크기도 표에 제시하였다.
실시예 IV
질산이트륨, 질산가돌리늄, 질산유로퓸, 질산스트론튬 및 붕산트리메틸을 산 촉매하에 사용하는 본 발명에 따른 용액 방법에 의한, 개선된 유로퓸 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 제조 방법을 본 실시예에서 기재한다. 본 실시예에서 사용한 출발 물질을 하기의 표 VII에 나타내었다. 표 VII에서 사용한 출발 물질의 양을 배치 당 그램 및 중량 백분율로 나타내었다.
Figure 112000015227269-pct00007
상기의 질산염 용액을 둥근 바닥 플라스크 내에서 혼합하였다. 필요한 양의 붕산트리메틸을 질산염 용액에 45℃에서 교반하면서 서서히 첨가하였다. 용액을 90℃에서 12 시간 동안 해교시켰다. 나머지 제조 과정은 실시예 I과 동일하다. 상기 인광체의 원소 분석을 하기 표 VIII에 나타내었다.
Figure 112000015227269-pct00008
시료들을 적합한 방사원 (Xe 램프)으로부터의 147 및 173 nm에서 여기시킴으로써 이러한 인광체 뿐만 아니라 PDP 용으로 시판되는 상업용 인광체의 방사 특성을 연구하였다. 결과를 하기 표 IX에 제시하였다. 비교 목적으로, 각 시료들의 평균 입자 크기도 표에 제시하였다.
Figure 112000015227269-pct00009
표 IX의 자료로부터 설명되는 바와 같이, 본 발명의 졸/겔 및 졸/졸 방법에 의해 형성된 실시예 1 내지 3의 인광체는 더 작은 입자를 제공하면서도, 일반적으로 더 높은 정도의 세기를 제공한다.
상기의 설명은 단지 본 발명의 예시에 불과하다는 것을 이해해야 한다. 본 발명에서 벗어나지 않고 당업계의 숙련자들에 의해 다양한 변법 및 변형물이 제공될 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구 범위에 상응하는 이러한 변법, 변형물 및 변화를 모두 포함하고자 한다.

Claims (31)

  1. 이트륨 공급원, 가돌리늄 공급원, 유로퓸 공급원 및 붕소 공급원을 제공하는 유기 전구체를 포함하는 희석액으로부터 형성된 겔을 800℃ 내지 100℃의 온도에서 열 분해시켜 인광체를 얻는 단계를 포함하는, 하기 화학식 1의 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
    <화학식 1>
    (Y1-x-y-zEuxGdyMz)BO3
    상기 식에서,
    0.01≤x≤0.1이고, 0≤y≤0.5이고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba이고, 0≤z≤0.1이다.
  2. 제1항에 있어서, 겔이 산 매질 중에서 형성되는 것인 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄, 붕산염 인광체의 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이트륨 공급원이 질산이트륨 또는 수산화이트륨이고, 상기 가돌리늄 공급원이 질산가돌리늄 또는 수산화가돌리늄이며, 상기 유로퓸 공급원이 질산유로퓸 또는 수산화유로퓸이고, 상기 붕소 공급원을 제공하는 유기 전구체가 붕산트리메틸인, 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 이트륨 공급원이 질산이트륨이고, 상기 가돌리늄 공급원이 질산가돌리늄이며, 상기 유로퓸 공급원이 질산유로퓸이고, 상기 붕소 공급원을 제공하는 유기 전구체가 붕산트리메틸인, 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 이트륨 공급원이 수산화이트륨이고, 상기 가돌리늄 공급원이 수산화가돌리늄이며, 상기 유로퓸 공급원이 수산화유로퓸이고, 상기 붕소 공급원을 제공하는 유기 전구체가 붕산트리메틸인, 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 모든 유로퓸 활성화제가, 이용할 수 있는 이트륨 부위를 Eu3+로 점유하는 것인, 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 겔이 개방된 분위기에서 800℃ 내지 950℃의 온도에서 열 분해되는 것인, 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 겔이 건조되어 건조겔 (xerogel)을 형성하고, 상기 건조겔이 분쇄되어 분말을 형성한 후 열분해되는 것인, 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 인광체의 평균 입자 크기가 0.1 내지 2.0 미크론인 구형 입자를 갖는 것인, 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 인광체가 593 nm에서의 오렌지색 선에 대한 611 및 627 nm에서의 적색 선의 최대 방사 스펙트럼 피크의 비가 1:0.6보다 큰 비율을 갖는 것인, 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 인광체가 이트륨 37 중량% 내지 48 중량%, 가돌리늄 18 중량% 내지 9 중량%, 유로퓸 4 중량% 내지 8 중량% 및 붕소 6.6 중량% 내지 7 중량%를 포함하는 것인, 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 희석액이 알칼리토 금속 공급원을 더 포함하는 것인, 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 알칼리토 금속 공급원이 알칼리토 금속 질산염 및 알칼리토 금속 수산화물로부터 선택되는 것인, 유로퓸으로 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체의 형성 방법.
  14. 제1항 또는 제2항에 따른 방법으로 얻을 수 있는, 하기 화학식 1의 유로퓸 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체.
    <화학식 1>
    (Y1-x-y-zEuxGdyMz)BO3
    상기 식에서,
    0.01≤x≤0.1이고, 0≤y≤0.5이고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba이고, 0≤z≤0.1이다.
  15. 이트륨 공급원, 가돌리늄 공급원, 유로퓸 공급원 및 붕소 공급원을 제공하는 유기 전구체를 포함하는 희석액으로부터 형성된 겔을 고상 반응 온도 이하의 온도에서 열 분해시키는 단계를 포함하는 방법에 의해 형성되는, 하기 화학식 1의 유로퓸 활성화된 이트륨, 가돌리늄 붕산염 인광체.
    <화학식 1>
    (Y1-x-y-zEuxGdyMz)BO3
    상기 식에서,
    0.01≤x≤0.1이고, 0≤y≤0.5이고, M은 Mg, Ca, Sr 또는 Ba이고, 0≤z≤0.1이다.
  16. 제15항에 있어서, 겔이 산 매질 중에서 형성되는 것인 인광체.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 이트륨 공급원이 질산이트륨 또는 수산화이트륨이고, 상기 가돌리늄 공급원이 질산가돌리늄 또는 수산화가돌리늄이며, 상 기 유로퓸 공급원이 질산유로퓸 또는 수산화유로퓸이고, 상기 붕소 공급원을 제공하는 유기 전구체가 붕산트리메틸인 인광체.
  18. 제17항에 있어서, 상기 이트륨 공급원이 질산이트륨이고, 상기 가돌리늄 공급원이 질산가돌리늄이며, 상기 유로퓸 공급원이 질산유로퓸이고, 상기 붕소 공급원을 제공하는 유기 전구체가 붕산트리메틸인 인광체.
  19. 제17항에 있어서, 상기 이트륨 공급원이 수산화이트륨이고, 상기 가돌리늄 공급원이 수산화가돌리늄이며, 상기 유로퓸 공급원이 수산화유로퓸이고, 상기 붕소 공급원을 제공하는 유기 전구체가 붕산트리메틸인 인광체.
  20. 제15항 또는 제16항에 있어서, 실질적으로 모든 유로퓸 활성화제가 이용할 수 있는 이트륨 부위를 Eu3+로 점유하는 것인 인광체.
  21. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 겔이 개방된 분위기에서 800℃ 내지 950℃의 온도에서 열 분해되는 것인 인광체.
  22. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 겔이 건조되어 건조겔을 형성하고, 상기 건조겔이 분쇄되어 분말을 형성한 후 열분해되는 것인 인광체.
  23. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 인광체가 평균 입자 크기가 0.1 내지 2.0 미크론인 구형 입자를 갖는 것인 인광체.
  24. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 인광체의 593 nm에서의 오렌지색 선에 대한 611 및 627 nm에서의 적색 선의 최대 방사 스펙트럼 피크의 비가 1:0.6보다 큰 것인 인광체.
  25. 제15항 또는 제16항에 있어서, 이트륨 37 중량% 내지 48 중량%, 가돌리늄 18 중량% 내지 9 중량%, 유로퓸 4 중량% 내지 8 중량% 및 붕소 6.6 중량% 내지 7 중량%를 포함하는 인광체.
  26. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 희석액이 알칼리토 금속 공급원을 더 포함하는 것인 인광체.
  27. 제26항에 있어서, 상기 알칼리토 금속 공급원이 알칼리토 금속 질산염 및 알칼리토 금속 수산화물로부터 선택되는 것인 인광체.
  28. 제15항 또는 제16항에 따른 인광체를 포함하는, 인광체 스크린의 제조에 사용하기 위한 페이스트 제제.
  29. 제15항 또는 제16항에 따른 인광체를 갖는 페이스트 제제의 제조를 포함하는, 인광체 스크린의 제조에 사용하기 위한 페이스트 제제의 제조 방법.
  30. 제28항에 따른 페이스트 제제를 포함하는 인광체 스크린.
  31. 제15항 또는 제16항에 따른 인광체를 갖는 페이스트 제제의 사용을 포함하는, 인광체 스크린의 제조 방법.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576156B1 (en) * 1999-08-25 2003-06-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Phosphors with nanoscale grain sizes and methods for preparing the same
US6284155B1 (en) * 1999-10-23 2001-09-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for making small particle red emitting phosphors
US6585911B2 (en) 2000-04-20 2003-07-01 Osram Sylvania Inc. Method of making a borate phosphor having a discrete particle morphology
CN1149275C (zh) * 2002-06-14 2004-05-12 中国地质大学（武汉） 一种制备铕激活的钇钆硼酸盐荧光粉的方法
KR100490540B1 (ko) * 2002-11-06 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
US8417215B2 (en) * 2004-07-28 2013-04-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for positioning of wireless medical devices with short-range radio frequency technology
EP1797160A1 (en) * 2004-09-29 2007-06-20 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Light emitting device with a eu(iii)-activated phosphor and second phosphor
JP4524607B2 (ja) * 2004-10-26 2010-08-18 豊田合成株式会社 改善されたシリケート系蛍光体及びそれを用いたｌｅｄランプ
WO2006092929A1 (ja) * 2005-02-28 2006-09-08 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 蛍光体及びプラズマディスプレイパネル
FR2896791B1 (fr) * 2006-01-30 2008-10-10 Rhodia Recherches & Tech Dispersion colloidale d'un borate de terre rare, son procede de preparation et son utilisation comme luminophore
JP5512958B2 (ja) * 2007-11-29 2014-06-04 三星ディスプレイ株式會社 ナノ蛍光体粒子の製造方法
CN101260299B (zh) * 2008-04-03 2010-06-02 沈阳化工学院 一种微乳液法制备氧化钇、钆、铕纳米发光粉体的方法
CN101586029B (zh) * 2009-06-25 2012-10-10 彩虹集团电子股份有限公司 一种硼酸钇钆铕红色荧光粉及其制备方法
CN102994085A (zh) * 2013-01-08 2013-03-27 哈尔滨工业大学 一种新型发红光纳米荧光粉及其制备方法
CN105106957B (zh) * 2015-08-26 2023-04-07 东华大学 一种Gd(OH)3@Au-PEI纳米棒-星材料的制备方法
WO2020013016A1 (ja) * 2018-07-11 2020-01-16 日本特殊陶業株式会社 光波長変換部材及び発光装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4202794A (en) * 1978-10-25 1980-05-13 Westinghouse Electric Corp. Calcium yttrium borate phosphor composition
CA1198148A (en) * 1982-06-28 1985-12-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrostatic printing process
FR2743555B1 (fr) * 1996-01-17 1998-02-27 Rhone Poulenc Chimie Borate de terre rare et son precurseur, leurs procedes de preparation et l'utilisation du borate comme luminophore
US5776368A (en) * 1997-08-22 1998-07-07 Osram Sylvania Inc. Borate phosphor synthesis using boron nitride

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