KR100470371B1 - 반도체 기억 장치 - Google Patents
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract
Description
Claims (9)
- 각각 복수의 메모리 셀을 배열하여 구성되는 복수의 메모리 셀 블록과,상기 각 블록마다 설치되고 블록 내의 불량 셀 어레이를 구제하는 제1 용장 셀 어레이와,상기 복수의 메모리 셀 블록에 대응하여 설치되고, 불량 블록을 구제하는 용장 셀 블록과,상기 용장 셀 블록에 설치되고, 용장 셀 블록 내의 불량 셀 어레이를 구제하는 제2 용장 셀 어레이와,상기 메모리 셀 블록 내의 불량 셀 어레이의 어드레스를 기억하는 제1 어드레스 기억 회로, 및 그 기억된 어드레스 신호와 외부로부터의 어드레스 신호를 비교하여, 상기 불량 셀 어레이를 상기 제1 용장 셀 어레이로 치환하는 치환 신호를 출력하는 제1 어드레스 검지 회로를 갖는 제1 불량 구제 회로와,상기 복수의 메모리 셀 블록의 불량 블록 어드레스를 기억하는 제2 어드레스 기억 회로, 및 그 기억된 어드레스 신호와 외부로부터의 어드레스 신호를 비교하여, 상기 불량 블록을 상기 용장 셀 블록으로 치환하는 치환 신호를 출력하는 제2 어드레스 검지 회로를 갖는 제2 불량 구제 회로를 포함하고,상기 제1 불량 구제 회로는, 상기 제2 불량 구제 회로가 실행되지 않은 어드레스에서는, 상기 제1 어드레스 검지 회로로부터 출력되는 치환 신호를 유효로 하여 출력하고, 상기 제2 불량 구제 회로가 실행되는 어드레스에서는, 상기 용장 셀 블록 내의 상기 제2 용장 셀 어레이로부터 판독되는 치환 신호를 유효로 하여 출력하는 게이트 회로를 갖는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 불량 구제 회로는, 상기 제2 불량 구제 회로의 출력에 의해, 상기 제1 어드레스 검지 회로에 의한 출력 치환 신호를 무효로 하여, 이 치환 신호를 출력하지 않도록 상기 게이트 회로를 제어하는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 불량 구제 회로는, 상기 제2 불량 구제 회로로부터의 출력 치환 신호에 기초하여, 상기 메모리 셀 블록 내의 불량 블록을 검출하고, 그 검출 결과에 의해 상기 용장 셀 블록 내의 상기 제2 용장 셀 어레이로부터 판독된 출력 치환 신호를 유효로 하여, 이 출력 치환 신호를 출력하도록 상기 게이트 회로를 제어하는 불량 블록 검출 회로를 갖는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 메모리 셀 블록은, 복수의 뱅크로 그룹 분류되어 있고, 임의의 뱅크에서 데이터의 소거 또는 기입 실행 중에 다른 뱅크에서 데이터 판독을 가능하게 하는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서,테스트 신호를 입력함으로써, 상기 제2 불량 구제 회로로부터 블록 치환 신호를 출력시켜, 상기 용장 셀 블록 내의 테스트를 행하는 테스트 모드를 갖는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서,상기 메모리 셀은, 전기적으로 소거 재기입 가능한 불휘발성 메모리 셀인 반도체 기억 장치.
- 제6항에 있어서,상기 제1 및 제2 어드레스 기억 회로의 기억 소자는, 상기 불휘발성 메모리 셀과 동일한 구조의 전기적으로 소거 재기입 가능한 불휘발성 메모리 트랜지스터인 반도체 기억 장치.
- 제7항에 있어서,상기 불휘발성 메모리 트랜지스터는, 상기 불휘발성 메모리 셀보다 낮은 임계치 전압으로 설정되는 반도체 기억 장치.
- 제7항에 있어서,상기 불휘발성 메모리 트랜지스터는, 상기 불휘발성 메모리 셀보다 긴 채널 길이를 갖는 반도체 기억 장치.
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