KR100413884B1 - 기판처리장치 및 방법 - Google Patents

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닛신덴키 가부시키 가이샤
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Abstract

기판처리장치는 처리실과 진공밸브를 통해 처리실에 인접한 진공예비실을 구비한다. 처리실은 기판을 동일측면에 고정하기 위한 두 개의 홀더를 가진다. 처리실에는 이온원을 설치하고 각각 처리위치 P에 도달하는 홀더위의 기판에 이온빔을 조사하여 이온주입을 시행한다. 처리실 내부에는 두 개의 홀더를 상호 독립적으로 평행하게 이동하여 처리위치 P를 횡단하고, 처리실의 내측과 진공예비실의 사이에서 진공밸브를 통해 동시에 평행하게 이동하는 작업을 수행하는 홀더이동기구를 설치한다. 진공예비실 내부에는 홀더이동기구와 협동하여 두 개의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판을 동시에 교환하는 기판교환기구를 설치한다.

Description

가판처리장치 및 방법
본 발명은 기판에 예컨데, 이온주입, 이온주입을 병용하는 박막형성, 플라즈마처리 등의 처리를 실시하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로는, 장치구성의 간소화와 처리량의 향상을 가능하게 하는 수단과 관련된 것이다.
도10은 종래의 기판처리장치의 일례를 도시한 평면도이다. 이 기판처리장치는, 구체적으로는 이온도핑장치(질량분리 없는 이온주입기. 이하 동일함)로서, 처리실(8), 반출(搬出)로봇실(16) 및 두 개의 진공예비실(14)로 된 합계 4개의 진공조(眞空槽)를 갖는다. (20) 내지 (22)는 진공밸브를 표시한다.
처리실(8)은 기판(예를들면, 액정 디스플레이용 기판 또는 반도체용 기판 등. 이하 동일함)(2)을 처리하기 위한 것으로서, 처리실 내부에는 기판(2)을 고정하는 홀더(4)가 설치된다. 벽면에는 이온원(源)(10)이 부착된다. 홀더(4)위의 기판(2)에 이온빔(12)을 조사하여 이온주입 등의 처리를 실시한다. 홀더(4)는 홀더구동기구(6)에 의해 기판처리를 위한 직립상태와, 기판교환을 위한 수평상태 사이에서 회전한다.
반출로봇실(16)은 진공중에서 기판(2)의 반출을 행하는 반출로봇(18)을 수납하기 위한 것이다. 반출로봇(18)은 2개의 축 또는 3개의 축을 장착한 로봇으로서, 기판(2)을 설치하는 암(arm)(19)을 가지며, 처리실(8)내의 수평상태에 있는 홀더(4)에 대한 처리된 기판과 미처리된 기판을 상호 대체하고, 당해기판(2)의 양 진공예비실(14)에 대한 반출입(搬出入)을 행한다.
각 진공예비실(14)은, 기판(2)을 진공중과 대기중의 사이에서 반출입하기 위한 것으로서, 진공실(14)의 전방의 대기중에는, 암(25)을 가지고 그위에 배치된 기판(2)을 각 진공예비실(14)내에 반출입하는 3축의 반송로봇(24)이 설치된다.
상기 기판처리장치의 전체적인 동작예를 설명하기로 한다. 대기중으로 부터 미처리된 기판(2)을 도10의 화살표 a 내지 c로 표시된 경로를 따라 처리실(8)내에 반송하고, 미처리된 기판(2)에 이온빔(12)을 조사하여 이온주입 등의 처리를 실시하며, 처리된 기판(2)을 화살표 d 내지 f로 표시된 경로를 따라 대기중에 반출한다. 이런 방법으로 기판(2)을 하나씩 처리한다.
상기 기판처리장치는 진공조를 4개(즉, 처리실(8), 반송로봇실(16) 및 2개의 진공예비실(14))를 가지며, 또한, 이 진공용기들은 반드시 각기 진공에 배기되어야 한다. 이로 인해 장치구성이 복잡해진다.
또한, 진공중에서의 기판반송에, 2개 또는 3개의 축을 장착한 전술한 암(arm)식 반송로봇(18)을 사용하며, 그와 같은 반송로봇(18)은 구조가 복잡하고 비싸다. 이로 인해 역시 장치구성이 복잡해진다.
진공예비실(14)(및 대기측의 반송로봇(24))들을 하나의 예비실로 통합하고, 처리전후의 기판을 진공중과 대기중의 사이에서 하나씩 차례로 출입시킬 수 있다. 그러나, 그와 같은 구성에서는 진공예비실(14)이 하나 감소하면 기판(2)의 출입에 필요한 시간이 길어져, 처리량(기판(2)의 단위시간당 처리능력)이 저하된다. 이 경우에도 진공조(眞空槽)가 3개 필요하다.
진공조의 수를 처리실(8)과 진공예비실(14)의 두 개로 줄일 수 있다면, 장치구성은 매우 간소화될 수 있다.
그러나, 그와 같은 단순한 구성으로 인해, 반송로봇(18)은 진공예비실(14)내에 수납되어야 한다. 그와 같은 구성에서는, ①반송로봇(18)이 매우 큰 용적을 점유하기 때문에 진공예비실(14)을 대용적화(大容積化)해야 하고, ②반송로봇(18)이 복잡한 구조를 가짐으로써 주위 대기(大氣)는 진공에 배기되기 어렵게 되는 등의 단점이 있다. 이와 같은 두가지 이유 때문에, 진공예비실의 진공배기속도가 줄어들어 장치의 처리량을 저하시킨다. 또한, 진공예비실(14)을 하나로 하는 것은 상기한 바와 같이 처리량을 저하시킨다. 따라서, 장치의 처리량이 매우 저하된다.
본 발명은, 장치구성의 간소화 및 처리량의 향상을 가능케 하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도1은 본 발명의 기판처리장치의 일례를 도시한 횡단면도.
도2는 도1의 기판처리장치의 이온원(源) 주위를 부분적으로 나타내는 사시도.
도3은 도1의 기판처리장치의 진공밸브 주위를 부분적으로 나타내는 사시도.
도4는 도1중의 홀더의 예를 나타내는 평면도.
도5는 냉각기구의 일례를 나타내는 개략측면도.
도6은 도1중의 기판교환기구를 Y-Y선 방향으로 본 도면.
도7A 내지 도7B는 진공예비실내의 홀더에 대해 기판을 교환하는 동작의 일례를 X-X선 방향으로 본 도면.
도8A 내지 도8C는 진공예비실내의 기판교환기구에 대해 대기측으로 부터 기판을 교환하는 동작의 일례를 X-X선 방향으로 본 도면.
도9A 내지 도9B는 본 발명의 기판처리방법의 일례를 나타내는 공정도.
도10은 종래의 기판처리장치의 일례를 나타내는 개략평면도.
본 발명의 기판처리장치는. 진공에 배기하는 기판의 처리를 행하는 처리실과, 이 처리실내에 상호 수납된 기판을 상호 동일한 측면에 배치하는 다수의 홀더와, 상기 처리실내의 소정의 처리위치에 있는 각각의 홀더에 배치된 기판을 순차적으로 처리하는 처리장치와, 처리실에 인접하여 배치된 진공예비실과, 이 진공예비실과 상기 처리실과의 사이에 끼여 기판을 고정하는 다수의 홀더가 동시에 통과되도록 하는 진공밸브와, 다수의 홀더가 처리실내에서 상호 독립적으로 왕복직선이동을 하여 다수의 홀더가 처리위치를 횡단하고, 다수의 홀더가 진공밸브를 통하여 처리실 내측과 진공예비실 사이에서 동시에 왕복직선이동을 하도록 수행하는 홀더이동기구와, 상기 홀더와 동수의 미처리된 기판 및 처리된 기판을 고정할 수 있는 진공예비실내에 배치되고, 상기 홀더이동기구와 협동하여 진공예비실내에 이동한 상기 다수의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판과의 교환을 행하는 기판교환기구를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서는 단지 2개의 진공조가 필요하고, 기판반송기구가 간소화되어 장치배열이 간소화될 수 있다. 또한, 기판반송, 진공예비실에 대한 기판교환 및 진공배기의 횟수가 줄어들 수 있고, 진공예비실의 용적이 줄어들어 진공시간을 단축함으로써 장치의 처리량이 향상될 수 있다.
본 발명의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법은, 기판을 처리위치위에 고정하고 처리수단에 의해 기판을 처리하는 다수의 홀더를 왕복이동시키고, 왕복이동시키는 단계 동안에, 기판을 고정하는 나머지 홀더들을 기판이 처리되지 않는 대기위치에 배치하는 단계들을 구비한다. 왕복이동시키는 단계와 배치하는 단계는 다수의 홀더에 대해 순차적으로 이루어지며, 다수의 홀더에 대한 일련의 연속공정은 1회 이상 반복된다.
본 발명의 기판처리방법에서, 하나의 기판은 2개 이상의 단계로 분리되어 처리될 수 있기 때문에, 기판이 하나의 단계에서 필요량을 처리하는 경우에 비하여 기판의 온도상승이 감소될 수 있다. 기판이 처리되는 동안에 처리장치에 변화가 발생하여도, 전술한 경우(기판이 하나의 단계에서 필요량을 처리하는 경우)에 비해 그와 같은 변화로 인한 영향이 감소될 수 있으며, 기판처리의 균일성의 약화가 완화될 수 있다.
이하에서 본 발명에 대해 상술하기로 한다.
본 발명의 기판처리장치는 처리실, 다수의 홀더, 처리장치, 진공예비실, 진공밸브, 홀더이동기구 및 기판교환기구를 가진다. 처리실은 기판처리를 위해 진공에 배기된다. 다수의 홀더는 처리실내에 상호 평행하게 배열되어 기판을 동일측의 표면위에 고정한다. 처리장치는 상기 처리실내의 소정의 처리위치에 있는 각각의 홀더에 배치된 기판을 순차적으로 처리한다. 진공예비실은 처리실에 인접하여 배치된다. 진공밸브는 진공예비실과 처리실 사이에 끼여 기판을 고정하는 다수의 홀더가 동시에 통과되도록 한다. 홀더이동기구는 다수의 홀더가 처리실내에서 상호 독립적으로 왕복직선이동을 하여 다수의 홀더가 처리위치를 횡단하고 다수의 홀더가 진공밸브를 통하여 처리실 내측과 진공예비실 사이에서 동시에 왕복직선이동을 하도록 수행한다. 기판교환기구는 상기 홀더와 동수의 미처리된 기판과 처리된 기판을 고정할 수 있는 상기 진공예비실내에 배치되고, 상기 홀더이동기구와 협동하여 진공예비실내에 이동한 상기 다수의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판과의 교환을 행한다.
상기 구성은 처리실과 진공예비실의 2개의 진공조만를 가진다. 또한, 홀더 이동기구는 다수의 홀더가 상호 독립적으로 왕복직선이동을 하여 처리실내의 처리위치를 횡단하도록 하고, 각 홀더에 고정된 기판을 순차적으로 처리한다. 동일한 홀더이동기구는 기판을 고정하는 다수의 홀더가 처리실의 내측과 진공예비실 사이에서 왕복직선이동을 하고 상기 양실 사이에서 기판을 반송하게 한다. 이러한 이유때문에, 종래기술과 달리, 진공에서의 기판반송을 위한 반송로봇을 설치할 필요가 없으므로, 진공에서의 기판반송기구를 간소화 한다.
그래서, 단지 2개의 진공조만이 필요하고, 진공에서의 기판반송기구가 간소하게 되며, 장치구성도 간소화 될 수 있다.
또한, 기판을 고정하는 다수의 홀더가 홀도이동기구에 의해 진공예비실내로 이동할 수 있다. 진공예비실내에서 다수의 홀더에 대해, 처리된 기판과 미처리된 기판은 홀더이동기구와 기판교환기구의 협동으로 동시에 상호 교환된다. 그러므로, 종래기술에서와 같이 처리된 기판과 미처리된 기판 사이에서 교환이 하나씩 차례로 수행되는 경우에 비해, 기판반송, 기판교환 및 진공예비실의 진공배기의 횟수가 감소되어 장치의 처리량이 향상될 수 있다.
기판교환기구는 홀더이동기구와 협동하여 기판교환을 수행한다. 따라서, 기판교환기구는 종래기술의 반송로봇보다 더 간단하고 소형일 수 있다. 그리하여, 진공예비실의 용적이 감소될 수 있고, 간소한 기구로 인해 진공배기가 용이하게 될 수 있다. 따라서, 진공예비실의 진공배기시간이 단축될 수 있다. 이로 인해, 장치의 처리량이 향상될 수 있다.
본 발명의 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도1은 본 발명의 기판처리장치의 일례의 횡단면도이다. 도2는 도1의 기판처리장치의 이온원(源) 주위를 부분적으로 나타내는 사시도이다. 도3은 도1의 기판처리장치와 진공밸브 주위를 부분적으로 나타내는 사시도이다. 도4는 도1중의 홀더의 예를 나타내는 평면도이다.
기판처리장치는 처리실(30)과 그것에 인접한 진공예비실(62)의 합계 두 개의 진공조를 갖는 이온도핑장치이다.
처리실(30)은 기판(2)의 처리를 행하기 위한 것으로서, 도시되지 않은 진공펌프에 의해 예컨데 10-6내지 10-7Torr 정도로 진공배기된다.
진공예비실(62)은, 처리실(30)을 대기압에 돌려보내지 않고 기판(2)을 이 처리실(30)내와 대기중과의 사이에서 출입시키며, 도시되지 않은 진공펌프에 의해 예컨데 10-2내지 10-3Torr 정도로 진공배기된다.
처리실(30)과 진공예비실(62)은 진공밸브(예: 게이트 밸브)(64)에 의해 상호 분리된다. 이 실시예에서, 도3에 나타나 있는 바와 같이, 진공밸브(64)는 수평방향으로 길게 배치되고, 기판(2)을 고정하는 2개의 홀더(32)가 수평상태에서 각기 동시에 통과되도록 하는 폭(W)과 높이(H)를 가진다.
진공예비실(62)과 대기는 진공밸브(예 : 플랩밸브(flap valve))(72)에 의해 상호 분리된다. 진공밸브(72)의 대기측 전방에는 암(74)을 갖고 그 위에 놓인 기판을 화살표 E로 표시된 것 처럼 진공예비실(62)과 대기사이에서 출입시킬 수 있는 2개 또는 3개의 반송로봇(도시되지 않음)이 설치된다. 이 반송로봇은 도10의 반송로봇(24)과 동일한 것이다.
처리실(30)에는 전술한 기판(20)을 상호 동일한 측면(이온원(54)의 측면)에 고정하는 2개의 홀더(32)가 수납된다. 양 홀더(32)는 후술하는 홀더이동기구(34)에 의해 상호 평행하게 지지된다. 각 홀더(32)는 기판(2)의 주변부를 제지하는 환상(環狀)또는 복수개의 클램프와 같은 공지된 홀더(도시되지 않음)를 가진다.
기판(2)은 예컨데, 액정 디스플레이용의 글래스(glass)기판을 가지며 550mm×650mm의 크기를 갖는다. 각 홀더(32)의 크기는 예컨데 당해기판 크기 보다도 종횡 각각 10mm 내지 20mm정도 큰 표면크기이다.
처리장치의 일례로서 이온원(54)이 처리실(30)의 중심점에 있는 벽에 부착된다. 벽앞의 처리위치 P에서, 이온원(54)은 홀더(32)에 의해 고정된 기판(2)에 이온빔을 순차적으로 조사하여 기판(2)에 이온주입 처리를 한다. 이 실시예에서, 도2에 도시된 바와 같이 이온원(54)은 홀더(32)의 화살표 B로 표시된 이동방향에 수직인 방향으로 길고, 상기 수직방향에 있는 기판(2)의 길이 L 보다 긴 밴드형 이온빔을 사출한다.
처리실(30) 내측으로 부터 그 외부에 뻗는 부분에 홀더이동기구(34)가 설치된다. 처리실(3)내에서 홀더이동기구(34)는 처리실(30)과 진공관(64)과 진공예비실(62)을 상호 평행하게 연결하는 선(92)에 평행하게 배열된 볼 스크류(40)를 가진다. 볼 스크류의 양단은 지지부(42, 52)에 의해 회전가능하게 지지된다. 이 실시예에서, 화살표 C로 표시된 것 처럼 양 지지부(42, 52)는 양 볼 스크류(40) 사이의 중심축에 대해 처리실의 벽면을 중심으로 회전가능하다. 그 회전구역은 O링 등의 패킹(도시되지 않음)에 의해 진공밀폐된다. 볼 스크류(40)가 지지부(42)를 통과하는 구역은 또한 O링 등의 패킹(도시되지 않음)에 의해 진공밀폐된다.
전술한 바와 같이, 직립상태와 수평상태 사이에서 각 홀더(32)의 자세를 바꾸기 위해, 이 실시예에서는 처리실(30)은 대기위치와 처리위치 사이의 구역에서 수직방향으로 길고, 홀더회전위치 R의 부분은 홀더(32)의 회전을 허용하기 위해1/4 실린더에 가까운 형상을 한다. 진공예비실(62)은 수평상태의 홀더(32)를 받아들이기 위해 횡방향으로 넓고 종방향으로 낮은 형상이다.
진공예비실(62)내에는 기판교환기구(66)가 설치된다. 이 기판교환기구(66)는 구체적으로는 기판승하강기구이다. 도1, 도6 및 도7에 도시된 바와 같이, 기판 승하강기구는 4개의 지주(68)와, 이 각 지주(68)의 내측에 돌출된 기판(2)의 주변부를 지지하는 4단의 지지핀(70)과, 지주(68)를 동시에 승하강하는 구동기구(71)(도6참조)를 가진다. 이 실시예에서, 상측의 2단의 지지핀(70)에 2개의 미처리된 기판(2)(2a)을, 하측의 2단의 지지핀(70)에 2개의 처리된 기판을 고정시킨다. 상기 각 홀더(32)의 주변부에는, 도4에서와 같이, 상기 지지핀(70)이 통과하는 4개의 노치(notch)(33)가 설치된다.
비록 상세히 후술하겠지만, 상기 기판교환기구(66)는 전술한 홀더이동기구(34)와 협동하여, 즉 2개의 홀더(32)를 도7B 내지 7C의 화살표 ①,③,⑤,⑦로 표시하도록 전술한 화살표 B방향으로 전후이동하는 것과의 소정의 관계로서, 지주(68)를 도7B 내지 7C의 화살표 ② 및 ⑥에 표시된 것과 같이 상하이동하는 것에 의해, 진공예비실(62)내에 있는 2개의 홀더(32)에 대해 2개의 처리된 기판(2b)을 동시에 꺼내고, 2개의 미처리된 기판(2a)을 동시에 장착할 수 있다.
화살표 B로 표시된 것과 같은 2개의 홀더(32)의 왕복직선이동 및 상기 화살표 C로 표시된 것과 같은 자세의 변화, 그리고 상기 기판교환기구(66)의 승하강의 제어는, 구체적으로는 제어장치(60)에 의해 상기 2개의 모터(46, 50) 및 구동기구를 제어함으로써 행한다. 제어장치(60)는 또한, 이온원(54)으로 부터의 이온빔(56)의 인출을 제어하고, 도9A 내지 9B를 참조한 기판처리방법의 제어를 행한다.
기판처리장치는 처리실(30)과 진공예비실(62)의 2개의 진공조를 갖는다.
홀더이동기구(34)는 2개의 홀더(32)가 상호 독립하여 왕복직선이동을 하고 처리실(30)내의 처리위치 P를 횡단하게 하여, 각 홀더(32)에 고정된 기판에 이온주입을 시행한다. 또한, 홀더이동기구는 각각 기판을 고정하는 2개의 홀더(32)가 처리실(30)과 진공예비실(62) 사이에서 왕복직선이동을 하고 양실 사이에서 기판을 반송하게 한다. 이러한 이유 때문에, 도10의 종래기술과 달리, 진공에서의 기판반송을 위한 반송로봇을 설치할 필요가 없으며, 따라서 진공에서의 기판반송기구를 간소화 한다.
그래서, 본 발명의 기판처리장치에는 단지 2개의 진공조만이 필요하고, 진공에서의 기판반송기구가 간소하게 되며, 장치구성이 간소화 될 수 있다.
또한, 기판(2)을 고정하는 2개의 홀더(32)가 홀더이동기구(34)에 의해 동시에 진공예비실(62)내로 이동할 수 있다. 진공예비실(62)내에서 다수의 홀더에 대해, 처리된 기판(2b)과 미처리된 기판(2a)은 홀더이동기구(34)와 기판교환기구(66)의 협동으로 동시에 상호 교환된다. 그러므로, 도10의 종래기술에서와 같이 처리된 기판과 미처리된 기판 사이에서 교환이 하나씩 차례로 수행되는 경우에 비해, 기판반송, 기판교환 및 진공예비실의 진공배기의 횟수가 감소되어 장치의 처리량이 향상될 수 있다.
구체적으로는, 2개의 기판의 교환이 동시에 이루어지기 때문에 기판 하나의 교환에 소요되는 시간이 절반으로 감소된다. 그리하여 기판처리에 소요되는 전체시간이 그만큼 단축되어 장치의 처리량이 향상될 수 있다. 반면, 교환시간이 단축되는 만큼 처리량이 향상되는 대신에, 기판(2)의 실제 처리에 소요되는 시간이 길어질 수 있다. 이 경우, 기판에 대한 단위시간당 이온빔의 입사전력(入射電力)은 작게 억제될 수 있고, 처리시의 기판의 온도상승도 억제될 수 있다.
기판교환기구(66)는 홀더이동기구(34)와 협동하여 기판(2)의 교환을 행하기 때문에, 기판교환기구(66)는 도10의 종래의 기술의 반송로봇(18)보다 단순하고 소형으로 되어, 진공예비실(62)의 용적은 감소될 수 있고, 이러한 간단한 구조로 인해 진공배기가 용이하게 된다. 따라서, 진공예비실(62)의 진공배기시간이 단축될 수 있고, 장치의 처리량도 향상될 수 있다.
예를 들어, 지지핀(70)들 간의 상하의 간격은 20mm 내지 30mm 이다. 또한 상기 실시예와 같이 4단 지지핀(70)이 설치되는 경우에는, 진공예비실(62)의 내벽과 지지핀(70)사이의 간격은 10mm이고, 진공예비실(62)의 내측높이는 예컨데 100mm내지 150mm 정도로 매우 작을 수 있다. 따라서, 진공예비실(62)의 용적이 감소될 수 있다.
그러나, 2단의 지지핀(70)을 가지는 종래의 장치에서, 지지핀(70)들 간의 종간격과, 진공예비실(62)의 내벽과 지지핀(70)의 간격이 본 실시예와 동일하게 설정되면, 진공예비실(62)의 내부높이는 60mm 내지 80mm이다. 그러나, 종래의 장치에서는 2개의 진공예비실(62)이 필요하므로 진공예비실의 합계 높이는 120mm 내지 160mm이다. 따라서, 본 발명은 종래의 장치에 비해 진공예비실(62)의 용적을 감소시킬 수 있다.
일본특허공보 평4-502534에서는, 각각 기판을 고정하는 2개의 홀더를 처리위치의 정면에서 공통의 구동벨트에 의해 상호 반대방향으로 동시에 이동하는 장치를 기재하고 있다. 그러나, 이 공보에는 ① 이 처리실에 인접하게 진공예비실을 배열하는 것과 ② 처리실과 진공예비실 사이에서 기판을 반송하는 기구 ③ 상기 두개의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판을 상호 교환하는 기구에 관해서는 기재하지 않고 있다.
상기 구동벨트는 홀더를 처리실 외측으로 이동할 수 없기 때문에, 진공예비실이 설치되는 경우에도 일반적으로 상기한 반송로봇을 그 중간에 설치할 필요가 있다. 이와 같은 구성은 도10의 종래의 기술에서와 같은 동일한 문제를 야기한다.
도2에서 명백히 볼 수 있듯이 본 발명의 실시예에서는, 홀더(32)의 지지체인 암(36)이 홀더(32)의 후방부에 설치되어 그 후방으로 약간 돌출한다. 도9에서 보는 바와 같이, 이와 같은 구성에서는 홀더가 진공예비실(62)내로 삽입될 때, 암(36)이 진공밸브(64)에 부딪히지 않으므로 진공밸브(64)의 폭을 증가시킬 필요가 없다. 폭 W은 기판(2)을 고정하는 홀더(32)가 통과할 수 있는 크기를 가진다.
기판에 대한 이온주입처리 때문에 온도가 상승하는 홀더(32)는 냉각기구를 설치함으로써 냉각될 수 있다. 냉각에 관한 실시예는 도5에 도시되어 있다.
도5에서, 냉각기구(80)는 4개의 회전조인트(82)와 그것들을 연결하는 3개의 배관(84)을 포함한다. 이 부재들은 냉매(86)의 왕복의 유로(流路)를 형성하고, 물과 같은 냉매는 처리실(30)의 외측으로 부터 암(36)과 홀더(32)를 통과함으로써 본 실시예의 홀더(32)와 암(36)은 냉각될 수 있다.
보다 구체적으로는, 팁 조인트(tip joint)(82a)는 홀더(32)의 중심축(90)의 주위의 암(36)에 부착되고, 루트 조인트(root joint)(82b)는 지지부(42)에 부착된다. 루트 조인트(82b)는 지지부(42)에 직접 부착되거나, 지지부(42)와 조인트(82) 사이에 설치된 냉매의 유로를 갖는 지주를 통해 도5에 도시된 것 처럼 홀더(32)의 주위에 배치되도록 부착될 수 있다. 중간의 2개의 조인트(82)는 고정되지 않고 전후 및 상하로 자유로이 이동할 수 있다. 그리하여, 냉각기구(80)에서, 조인트(82)는 홀더(32)의 병진(
Figure pat00015
進)동작에 따라 도5의 실선과 2점쇄선으로 표시된 것 처럼 신축(伸縮)할 수 있다.
이 냉각기구(80)를 각 홀더(32)에 대해 한 개씩 상호 반대측에 설치하여 냉각기구들은 상호 충돌하지 않으며, 두 개의 홀더(32)간의 간격은 가능한 한 짧게 만들어질 수 있다. 구체적으로는, 이온원(54)에 가까운 측에 있는 홀더(32)에 대해, 하나의 냉각기구(80)는 이온원(54)에 가까운 측의 면에 부착되고, 반면에, 반대측에 있는 홀더(32)에 대해 다른 냉각기구는 반대측의 면에 부착된다. 그리하여, 2개의 냉각기구는 홀더(32)의 내측과 외측에 대해 대칭적으로 배열된다.
냉각기구(8)를 설치함으로써 홀더(32)를 냉각시킬 수 있으며, 이로 인해, ① 홀더(32)의 열변형을 방지하고 ② 홀더(32)로 부터 나오는 가스방출의 억제에 의해 처리실(30)내의 진공도(眞空度)의 약화를 방지하며 ③ 기판(2)의 처리시의 온도상승을 억제함으로써 기판(2)의 변질을 방지하는 것 등을 구현할 수 있다.
상기 냉각기구(80) 대신에 합성수지제 또는 금속제의 가요성(可撓性)튜브를 사용하는 것을 생각해볼 수 있지만, 합성수지제 튜브는 진공에서 가스방출이 많으므로 실제 사용될 수가 없고, 금속제 튜브는 반복되는 피로에 약하므로 사용될 수가 없다.
이 실시예에서와 같이, 암(36)의 열변형을 방지하고 암(36)으로 부터의 가스방출을 억제할 수 있기 때문에, 냉매를 흘려서 암(36)을 냉각하는 것이 보다 바람직하다.
이 실시예에서와 같이, 팁 조인트(82a)는 홀더(32)의 중심축(90)의 주위에 부착된다. 따라서, 냉각기구(80)는 수축하고, 중간의 조인트(82)와 배관(84)은 중심축(90)으로 부터 동일한 정도로 상하로 돌출한다. 그러므로, 그들중 하나만이 크게 돌출하는 경우에 비해 처리실(30)의 높이를 작게하여 처리실(30)의 여분의 용적증가를 방지한다.
다시 도1을 참조하여, 이 실시예에서는, 상기 화살표 C로 표시된 것과 같이 홀더이동기구(34)를 회전시키기 위해 모터(50)등으로 구성된 회전기구를 설치한다. 따라서, 홀더(32)의 직립상태에서 기판(2)을 처리함으로써 처리시 기판(2)의 처리면에 먼지등이 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 홀더의 수평상태에서 기판교환을 수행함으로써 기판의 교환이 용이하게 되고, 기판교환기구(66)의 구조를 간소화할 수 있다.
이 실시예에서, 기판을 고정하는 홀더(32)는 처리위치 P위에서 왕복병진(往復
Figure pat00016
進)하고, 이온원(54)으로 부터 사출된 이온빔(56)을 도2에서와 같이 대상(帶狀)으로 한다. 그러므로, 이온빔(56)을 기판(2)의 전체면에 조사할 수 있고, 이온빔을 전기적으로(즉, 전계(電界) 또는 자계(磁界)에 의해) 주사함이 없이 기판을균일하게 처리하거나 또는 기판(2)전체를 에워쌀 수 있을 만큼 큰 면적을 제공하며, 이온빔(56)을 기판(2)의 전체면에 조사하여 기판을 균일하게 처리한다.
기판(2)의 처리방법으로서는, 하나의 기판(2)을 한 방향으로 1회씩 이동(병진)시키는 것에 의해 당해기판의 필요한 처리를 전부 완료하고, 그 후에, 다음 기판(2)을 동일하게 한 방향으로 1회씩 이동하는 것에 의해 당해기판(20)의 필요한 처리를 전부 완료하는 방법으로 할 수도 있지만, 다음과 같은 처리방법으로 처리하는 것이 보다 바람직하다.
도9A 내지 9B에서 볼 수 있듯이, 기판(2)을 고정하는 하나의 홀더(32)는, 이온빔(56)을 기판(2)에 조사하여 이온주입을 하는 동안에 화살표(a)와 (b)로 표시된 것 처럼 처리위치 P를 왕복하게 된다. 다른 홀더는 이온빔(56)이 닿지 않는 대기위치 Q에 대기한다(도9A 참조). 도9에서는, 이 하나의 홀더(32)는 이온원(54)근처의 측에 배치된 것이지만, 반대측에 있는 홀더를 사용할 수도 있다.
다음, 기판(2)을 고정하는 다른 홀더(32)는 이온빔(56)을 기판(2)에 조사하여 이온주입을 하는 동안에 화살표(c)와 (d)로 표시된 것 처럼 처리위치 P를 왕복이동하게 된다. 이온원(54) 근처의 측에 있는 하나의 홀더는 대기위치 Q에 대기한다(도9B 참조). 이것은 대응하는 암(36)(도2 참조)이 이온빔(56)을 차단하는 것을 방지하기 위해서이다.
9A도와 9B도에 도시된 일련의 처리단계를 수회 반복하여 각 기판에 필요량의 처리를 한다.
이와 같은 처리방법에 따라, 하나의 기판(2)에는 2회(즉, 왕로(往路)에서 1회, 복로(復路)에서 1회)이상 이온빔(56)을 조사하는 방법으로 2회 이상 처리한다. 그러므로, 이 방법은, 하나의 단계에서 기판(2)에 완전히 필요량의 처리를 하는 경우에 비해 기판(2)의 온도상승을 억제할 수 있다. 이것은 처리단계와 처리단계의 사이에서 기판의 온도감소가 예상될 수 있기 때문이다. 또한, 처리시 이온빔(56)의 빔전류 등에 변화가 발생하여도, 둘 이상의 단계로 나누어 처리하는 경우는 하나의 단계에서 필요량의 처리를 하는 경우보다 변화의 영향이 작으므로, 기판처리의 균일성 약화를 억제할 수 있다.
도9A 및 도9에 도시된 일련의 처리단계를 반복하는 횟수는 필요한 처리량(즉, 이온주입량), 이온빔(56)의 빔전류 등에 의해 변한다. 1회 이상 여러번 처리단계를 수행하는 것이 상기 효과가 더 크므로 바람직하다. 그러나, 과도하게 여러번 처리단계를 수행하는 것은 처리에 소요되는 시간을 길게하여 처리량을 감소시키므로, 10회 이하, 구체적으로는 2회 내지 6회의 처리횟수가 바람직하다.
진공예비실(62)내에서, 2개의 홀더(32)에 대해 동시에, 처리된 기판과 미처리된 기판을 교환하는 방법의 상세예를 도7A 내지 7C를 참조하여 설명하기로 한다.
기판교환기구(66)의 상부 2단의 지지핀(70)에는 도7A에 도시된 바와 같이, 2개의 미처리된 기판(2a)이 이미 배치되어 있는 것으로 본다 (이에 대해서는 도8A 내지 8C를 참조하여 후술한다).
도7B에서 보는 바와 같이, 처리된 기판(2b)을 고정하는 2개의 홀더(32)는 하부 2단의 지지핀(70)위로 삽입되고, 화살표 (2)로 표시된 것 처럼 기판교환기구(66)(구체적으로는 지주(68) 및 지지핀(70). 이하 동일함)를 들어올려, 하부 2단의 지지핀(70)에 의해 2개의 처리된 기판(2b)을 들어올린다(이때, 지지핀(70)은 홀더(32)의 노치(33)를 통과한다). 이때, 화살표 (3)으로 표시된 것 처럼 양 홀더(32)를 동시에 끌어낸다.
도7C에서 보는 바와 같이, 화살표(4)로 표시된 것 처럼 기판교환기구(66)를 두단계 낮추고, 화살표(5)로 표시된 것 처럼 두 개의 홀더(32)를 상부 2단의 지지핀(70) 아래에 삽입한다. 화살표 (6)으로 표시된 것 처럼 기판교환기구(66)를 더 낮추고 상부 2단 지지핀(70)위의 미처리된 기판(2a)을 각각의 홀더(32)위에 배치한다(이때, 지지핀(70)은 홀더(32)의 노치(33)를 통과함). 그리고, 양 홀더(32)를 화살표(7)로 표시된 것 처럼 동시에 끌어낸다. 그리하여 기판교환이 완성된다.
진공예비실(62)의 내부와 대기 사이에서 처리된 기판과 미처리된 기판의 반출입을 수행하기 위한 방법에 대해 도8A 내지 8C를 참조하여 상세히 설명한다.
대기측 위의 반송로봇(74)의 하나 또는 두개의 팔(74)을 사용할 수 있다. 그러나, 반송로봇은 하나의 암을 장착하는 것으로 가정한다.
도8A로 부터 보듯이, 두 개의 처리된 기판은 도7A 내지 7C에 나타나 있는 작동에 의해 기판교환기구(66)의 하부 2단지지핀에 이미 배치되는 것으로 가정한다.
도8B로 부터 보듯이, 화살표(1)로 표시된 것 처럼, 대기측위의 반송로봇의 암을 꼭대기로 부터 3단의 지지핀(70)위로 삽입하고, 기판교환기구(66)를 화살표(2)로 표시된 것 처럼 낮춘다(이때, 암(74)은 그 폭이 도1에서 보는 바와 같이 반대측의 지지핀(70) 사이의 간격보다 작기 때문에 지지핀(70)과 부딪히지 않는다). 기판(74)이 설치된 암을 화살표(3)으로 표시된 것처럼 끌어낸다. 그리하여,처리된 기판(2b)은 대기속으로 반송된다.
이 실시예에서와 같은 하나의 암의 경우에는, 기판교환기구(66)를 화살표(4)와 같이 한단계 들어올린다. 그 다음, 상기와 같은 방법으로 하부단계의 처리된 기판을 대기속으로 반송한다.
도8C로 부터 보듯이, 완전히 빈 기판교환기구(66)를 화살표(5)로 표시된 것 처럼 두단계 낮춘다. 미처리된 기판(2a)이 설치되어 있는 암(74)을 지지핀(70)의 최상부위로 삽입한다. 화살표(7)로 표시된 것 처럼, 기판교환기구(66)를 들어올려 지지핀은 암(74)으로 부터 미처리된 기판(2a)을 수납한다. 그 후 암(74)을 화살표(8)로 표시된 것 처럼 들어올린다. 마찬가지로, 미처리된 기판(2a)을 또한 꼭대기로 부터 두단계위의 지지핀(70)위에 배치한다. 그리하여, 기판의 교환이 완성된다.
홀더(32)의 수는 3개 또는 그 이상이다. 이 경우, 기판이동기구(34)와 기판교환기구(66)는 서로 대응하게 설계된다. 그러나, 홀더의 수가 더 많을수록 기판교환기구(66)의 높이가 더 높아지고 그에 따라 진공예비실(62)의 용적이 증가하며, 따라서 진공예비실의 진공예비시간이 길어진다. 이러한 관점에서 볼 때, 홀더의 수는 3개정도, 즉, 2개 내지 3개가 바람직하다.
기판(2)을 처리하는 장치로서, 이온원 대신에 아크(arc)식 증발원(蒸發源)등의 박막형성수단을 설치할 수 있다. 그 대용으로는, 플라즈마 생성수단을 설치하여 플라즈마 CVD 등에 의해 기판(2)에 플라즈마 처리를 시행할 수도 있다.
또한, 홀더이동기구(34)를 회전하기 위한 모터(50)로 구성되는 회전기구를설치하지 않고, 홀더(32)의 자세를 일정하게 하여 기판(2)의 처리와 교환을 행할 수도 있다.
상기와 같은 구성으로 된 본 발명은 다음과 같은 효과를 제공한다.
본 발명에서는, 2개의 진공조만이 필요하고, 기판을 반송하는 기구 또한 간소하여 장치배열이 간소화 될 수 있다. 또한, 기판반송, 기판교환 및 진공예비실에 대한 진공배기의 횟수가 감소될 수 있고, 진공예비실의 용적이 감소되어 진공시간을 단축시킴으로써 장치의 처리량이 향상될 수 있다.
각각의 홀더는 냉각기구에 의해 냉각될 수 있으며, 홀더의 열변형, 홀더로부터의 가스방출을 억제함에 의한 처리실내의 진공도의 약화, 기판처리시의 온도상승을 억제함에 의한 기판의 변형 등을 방지할 수 있다.
기판은 홀더의 직립상태에서 처리될 수 있기 때문에, 처리시 기판의 처리표면에 먼지가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 기판은 수평상태에서 교환될 수 있기 때문에 용이하게 수행될 수 있고, 기판교환기구의 구조가 간소화될 수 있다.
전계 또는 자계에 의해 이온빔을 주사하거나 또는 기판전체를 둘러쌀 만큼 충분히 큰 구역을 갖는 이온빔을 이용하여 이온빔을 주사하지 않고 이온빔을 기판의 전체면에 균일하게 조사할 수 있기 때문에, 기판이 균일하게 처리될 수 있다.
하나의 기판을 둘 이상의 단계로 나누어 처리할 수 있기 때문에, 한단계에서 기판의 필요량의 처리를 수행하는 경우에 비해 기판의 온도상승이 감소될 수 있다. 또한 비록 기판의 처리시 처리장치에 변화가 발생하여도, 상기와 같은 한단계에서기판의 필요량의 처리를 수행하는 경우에 비해 변화에 의한 영향이 감소될 수 있으므로 기판처리의 균일성의 약화가 완화될 수 있다.

Claims (10)

  1. 기판을 처리하기 위하여 진공에 배기되는 처리실과,
    상기 처리실내에 상호 평행하게 배열되어 각각 기판을 그 동일측면에 고정하는 다수의 홀더와,
    상기 처리실내의 전술한 위치에 있는 각각의 홀더에 고정된 기판을 순차적으로 처리하는 처리장치와,
    상기 처리실에 인접하여 배치된 진공예비실과,
    상기 진공예비실과 상기 처리실 사이에 끼여 기판을 고정하는 상기 다수의 홀더가 동시에 통과되도록 하는 진공밸브와,
    상기 처리실 내에서 상호 독립적으로 상기 다수의 홀더의 왕복직선이동을 수행하여 다수의 홀더가 처리위치를 횡단하며, 상기 처리실의 내측과 진공예비실 사이에서 상기 진공밸브를 통하여 상기 다수의 홀더의 왕복직선이동을 동시에 수행하는 홀더이동기구와,
    상기 홀더와 동수의 미처리된 기판과 처리된 기판을 고정할 수 있는 상기 진공예비실내에 배치되어, 홀더이동기구와 협동하여 상기 진공예비실로 이동한 상기 다수의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판을 동시에 교환하는 기판교환기구로 구성되는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 홀더를 냉각하기 위한 냉각장치를 추가로 구비하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 냉각장치는 다수의 회전조인트와, 상기 회전조인트를 연결하는 배관에 의해 냉매의 왕복유로를 형성하는 다수의 냉각기구를 구비하고, 상기 유로를 경유하여 각 홀더를 통해 냉매를 통과할 수 있는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 홀더이동기구를 회전하여 상기 처리실내에서 상기 다수의 홀더가 직립상태 또는 수평상태의 자세를 취하도록 하는 회전기구를 구비하며,
    상기 처리장치는 직립상태의 상기 홀더에 고정된 기판을 처리하고, 상기 진공밸브는 수평상태의 홀더를 통과시키며, 상기 기판교환기구는 수평상태의 홀더에 대해 기판의 교환을 행하는, 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 처리장치는 상기 처리실내의 상기 홀더의 이동방향에 직각인 방향으로 길고 상기 직각방향에 있는 각각의 기판의 길이보다 긴 밴드형 이온빔을 방출하는 이온원인, 기판처리장치.
  6. 기판을 처리하기 위하여 진공에 배기되는 처리실과, 상기 처리실내에 상호평행하게 배열되어 각각 기판을 그 동일측면에 고정하는 다수의 홀더와, 상기 처리실내의 전술한 위치에 있는 각각의 홀더에 고정된 기판을 순차적으로 처리하는 처리장치와, 상기 처리실에 인접하여 배치된 진공예비실과, 상기 진공예비실과 상기 처리실 사이에 끼여 기판을 고정하는 상기 다수의 홀더가 동시에 통과되도록 하는 진공밸브와, 상기 처리실 내에서 상호 독립적으로 상기 다수의 홀더의 왕복직선이동을 수행하여 다수의 홀더가 처리위치를 횡단하며, 상기 처리실의 내측과 진공예비실 사이에서 상기 진공밸브를 통하여 상기 다수의 홀더의 왕복직선이동을 동시에 수행하는 홀더이동기구와, 상기 홀더와 동수의 미처리된 기판과 처리된 기판을 고정할 수 있는 상기 진공예비실내에 배치되어, 홀더이동기구와 협동하여 상기 진공예비실로 이동한 상기 다수의 홀더에 대해 처리된 기판과 미처리된 기판을 동시에 교환하는 기판교환기구로 구성된 기판처리장치를 이용하며,
    상기 기판처리장치에 의해 기판을 처리하기 위해 처리위치위로 상기 기판을 고정하는 다수의 홀더중의 하나를 왕복이동하고, 상기 왕복이동시, 기판을 고정하는 나머지 홀더들을 기판이 처리되지 않는 대기위치에 두는 공정을 구비하며, 상기 왕복이동공정과 대기위치에 두는 공정은 상기 다수의 홀더에 대해 순차적으로 수행되고, 상기 다수의 홀더에 대한 상기 일련의 순차적인 공정은 1회이상 반복되는, 기판처리방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 홀더를 냉각하기 위한 냉각장치를 추가로 구비하는 기판처리방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 냉각장치는 다수의 회전조인트와, 상기 회전조인트를 연결하는 배관에 의해 냉매의 왕복유로를 형성하는 다수의 냉각기구를 구비하고, 상기 유로를 경유하여 각 홀더를 통해 냉매를 통과할 수 있는 기판처리방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 홀더이동기구를 회전하여 상기 처리실내에서 상기 다수의 홀더가 직립상태 또는 수평상태의 자세를 취하도록 하는 회전기구를 구비하며,
    상기 처리장치는 직립상태의 상기 홀더에 고정된 기판을 처리하고, 상기 진공밸브는 수평상태의 홀더를 통과시키며, 상기 기판교환기구는 수평상태의 홀더에 대해 기판의 교환을 행하는, 기판처리방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 처리장치는 상기 처리실내의 상기 홀더의 이동방향에 직각인 방향으로 길고 상기 직각방향에 있는 각각의 기판의 길이보다 긴 밴드형 이온빔을 방출하는 이온원인, 기판처리방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160034178A (ko) * 2014-09-19 2016-03-29 닛신 이온기기 가부시기가이샤 기판 처리 장치

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2349269A (en) * 1999-04-19 2000-10-25 Applied Materials Inc Ion implanter
JP3263684B2 (ja) * 1999-07-26 2002-03-04 株式会社ジェーイーエル 基板搬送用ロボット
US6541353B1 (en) 2000-08-31 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer doping apparatus and method
US6716727B2 (en) * 2001-10-26 2004-04-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods and apparatus for plasma doping and ion implantation in an integrated processing system
WO2004015170A1 (ja) * 2002-08-08 2004-02-19 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho α型結晶構造主体のアルミナ皮膜の製造方法、α型結晶構造主体のアルミナ皮膜と該アルミナ皮膜を含む積層皮膜、該アルミナ皮膜または該積層皮膜で被覆された部材とその製造方法、および物理的蒸着装置
US6987272B2 (en) * 2004-03-05 2006-01-17 Axcelis Technologies, Inc. Work piece transfer system for an ion beam implanter
JP4560321B2 (ja) * 2004-03-31 2010-10-13 株式会社Ｓｅｎ ウエハスキャン装置
GB2415291B (en) 2004-06-15 2008-08-13 Nanobeam Ltd Charged particle beam system
JP4870425B2 (ja) * 2004-12-30 2012-02-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ハンドラ
US7547897B2 (en) * 2006-05-26 2009-06-16 Cree, Inc. High-temperature ion implantation apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using high-temperature ion implantation
KR100871032B1 (ko) 2007-06-22 2008-11-27 삼성전기주식회사 유기 기판의 양 표면의 개질 처리 방법 및 그 장치
CN102177270B (zh) * 2008-11-14 2013-09-04 株式会社爱发科 有机薄膜蒸镀装置、有机el元件制造装置、及有机薄膜蒸镀方法
JP4766156B2 (ja) * 2009-06-11 2011-09-07 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
US8749053B2 (en) 2009-06-23 2014-06-10 Intevac, Inc. Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications
GB2476476B (en) 2009-12-23 2013-05-22 Nanobeam Ltd Charged particle beam system
KR101915753B1 (ko) * 2010-10-21 2018-11-07 삼성디스플레이 주식회사 이온 주입 시스템 및 이를 이용한 이온 주입 방법
US9324598B2 (en) 2011-11-08 2016-04-26 Intevac, Inc. Substrate processing system and method
KR101769493B1 (ko) * 2011-12-23 2017-08-30 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 그를 가지는 기판처리시스템
US10259602B2 (en) 2012-02-28 2019-04-16 The Procter And Gamble Company Method for forming packages
IN2014DN07069A (ko) 2012-02-28 2015-04-10 Procter & Gamble
JP6097973B2 (ja) * 2012-05-10 2017-03-22 株式会社昭和真空 回転導入機構を備えた真空装置
IN2015DN00608A (ko) 2012-07-24 2015-06-26 Procter & Gamble
US9318332B2 (en) 2012-12-19 2016-04-19 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant
JP6094256B2 (ja) * 2013-02-22 2017-03-15 日新イオン機器株式会社 イオンビーム照射装置
JP6230018B2 (ja) * 2013-08-26 2017-11-15 株式会社アルバック イオン注入装置及びイオン注入方法
US9783330B2 (en) 2014-03-06 2017-10-10 The Procter & Gamble Company Method and apparatus for shaping webs in a vertical form, fill, and sealing system
US9643812B2 (en) 2014-03-06 2017-05-09 The Procter & Gamble Company Method for pleating or shaping a web
JP6257455B2 (ja) * 2014-06-17 2018-01-10 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法
CN105491780B (zh) * 2014-10-01 2018-03-30 日新电机株式会社 等离子体产生用的天线及具备该天线的等离子体处理装置
JP6410689B2 (ja) * 2015-08-06 2018-10-24 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入装置及びそれを用いた複数枚のウェハの処理方法
JP7307880B2 (ja) * 2019-05-20 2023-07-13 日新電機株式会社 真空処理装置
US20220081757A1 (en) * 2020-09-11 2022-03-17 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus, film forming system, and film forming method
JP7315905B2 (ja) * 2021-09-06 2023-07-27 日新イオン機器株式会社 基板移送装置
CN114318286A (zh) * 2022-01-27 2022-04-12 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61159570A (ja) * 1984-12-31 1986-07-19 Tokyo Erekutoron Kk イオン注入装置
US4816638A (en) * 1987-02-20 1989-03-28 Anelva Corporation Vacuum processing apparatus
JPH02170336A (ja) * 1988-12-22 1990-07-02 Nissin Electric Co Ltd イオン注入装置
JPH02196441A (ja) * 1989-01-25 1990-08-03 Nissin Electric Co Ltd ウェーハ搬送装置
JPH07221163A (ja) * 1994-02-04 1995-08-18 Nissin Electric Co Ltd 基板搬送装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3717119A (en) * 1971-07-30 1973-02-20 Gen Motors Corp Vacuum processing machine for aluminizing headlamp reflectors
US4775281A (en) * 1986-12-02 1988-10-04 Teradyne, Inc. Apparatus and method for loading and unloading wafers
JPH01301870A (ja) * 1988-05-31 1989-12-06 Hitachi Ltd イオンビームミリング装置
US5486080A (en) * 1994-06-30 1996-01-23 Diamond Semiconductor Group, Inc. High speed movement of workpieces in vacuum processing
US5793050A (en) * 1996-02-16 1998-08-11 Eaton Corporation Ion implantation system for implanting workpieces

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61159570A (ja) * 1984-12-31 1986-07-19 Tokyo Erekutoron Kk イオン注入装置
US4816638A (en) * 1987-02-20 1989-03-28 Anelva Corporation Vacuum processing apparatus
JPH02170336A (ja) * 1988-12-22 1990-07-02 Nissin Electric Co Ltd イオン注入装置
JPH02196441A (ja) * 1989-01-25 1990-08-03 Nissin Electric Co Ltd ウェーハ搬送装置
JPH07221163A (ja) * 1994-02-04 1995-08-18 Nissin Electric Co Ltd 基板搬送装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160034178A (ko) * 2014-09-19 2016-03-29 닛신 이온기기 가부시기가이샤 기판 처리 장치

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Publication number Publication date
US6092485A (en) 2000-07-25
JP3239779B2 (ja) 2001-12-17
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JPH10135146A (ja) 1998-05-22
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