JP5020925B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
図1はこの発明にかかる基板処理装置の一実施形態である電子ビームキュア装置を装備した基板処理システムを示す図である。この基板処理システムは、複数の基板Wを密閉した状態で収容するFOUP(Front Opening Unified Pod)から取り出した未処理基板Wに対して加熱処理および硬化処理を施した後に基板Wを常温に冷却してFOUPに戻すという一連の処理を実行する。すなわち、基板処理システムは搬送ロボット室1を中心として当該搬送ロボット室1の周囲に、ロードロック室2と、ホットプレート3と、2つの電子ビームキュア装置4A、4Bと、コールドプレート5と、ロードロック室6が配置されている。また、搬送ロボット室1と、ロードロック室2、ホットプレート3、電子ビームキュア装置4A、4B、コールドプレート5およびロードロック室6との間にはシャッター72A、73、74A、74B、75、76Aがそれぞれ配置されている。
Vapor Deposition)により成膜された基板Wをロードロック室2に搬入可能となっている。一方、シャッター72Aが開いた状態で、搬送ロボット室1に配置された搬送ロボット11はハンド(図示省略)をロードロック室2に移動させて未処理基板Wを受け取り、搬送ロボット室1に搬送する。
図2は本発明にかかる基板処理装置の一実施形態である電子ビームキュア装置を示す断面図である。また、図3はバージボックスを下方から見た斜視図および部分拡大底面図である。また、図4は図2に示す電子ビームキュア装置の電気的構成を示すブロック図である。さらに、図5は図2に示す電子ビームキュア装置でのガス供給系統を示す図である。電子ビームキュア装置4A、4Bはともに同一構成であり、以下のように構成されている。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、不活性ガスとしてアルゴンガスを用いているが、アルゴンガス以外の不活性ガス(例えばキセノンガスや窒素ガス等)を用いてもよいことはいうまでもない。
Low−k膜を得るためLow−k膜中に空孔を発生させるようポロジェン(Porogen)等の有機物をLow−k膜中に導入し、これに電子ビームを照射し、ポロジェンを分解・ガス化して空孔を得ると同時に、水素などの末端基をガス化し、より強固な膜を得る基板処理方法にも適用することができる。
40A、40B…電子ビーム発生ユニット
41…処理チャンバ
41a…処理空間
43a〜43e…配管(循環経路形成部)
44…ステージ(移動手段)
46…ステージ駆動ユニット(移動手段)
46b…リニア駆動部(移動手段)
47…パージボックス(循環経路形成部)
48…アルゴンガス供給ユニット(ガス供給手段)
49a…循環ファン
49b…分解処理ユニット(除去部)
49c1、49c2…吸着塔
EB…電子ビーム
F…層間絶縁膜
IR…電子ビーム照射領域IR
W…基板
Wf…基板表面
X…移動方向
Claims (4)
- 基板処理を行うための処理空間を有する処理チャンバと、
前記処理空間内に配置された基板の表面に向けて電子ビームを射出する電子ビーム発生手段と、
前記基板を前記電子ビーム発生手段に対して相対移動させることで電子ビームが照射される電子ビーム照射領域を走査させる移動手段と、
前記電子ビーム照射領域に不活性ガスを供給するガス供給手段と、
前記電子ビーム照射領域の周囲を排気することによって前記基板への前記電子ビーム照射によって発生する汚染物質を前記不活性ガスと一緒に排気ガスとして前記処理チャンバから排気するとともに、前記排気ガスから前記汚染物質を除去して得られる処理ガスを前記処理空間に供給するガス循環供給手段と
を備え、
前記ガス循環供給手段は、
前記電子ビーム照射領域の周囲から前記処理チャンバの外側空間を介して再び前記処理空間に戻るガス循環経路を形成する循環経路形成部と、
前記ガス循環経路上に設けられてガスを前記ガス循環経路に沿って循環させる循環ファンと、
前記ガス循環経路上に設けられて前記ガス循環経路に沿って流通する前記排気ガスから前記汚染物質を取り除く除去部と
を備え、
前記除去部は、
前記ガス循環経路上に設けられて前記排気ガスに含まれる前記汚染物質を水分と二酸化炭素に分解する分解処理部と、
前記ガス循環経路上で、かつ前記処理空間への前記処理ガスの供給口と前記分解処理部との間に設けられて前記排気ガスから水分および二酸化炭素を吸着する吸着塔と
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記除去部は複数の吸着塔を有しており、一の吸着塔により水分および二酸化炭素の吸着処理を行っている間、水分および二酸化炭素の吸着性能を回復させる再生処理を残りの吸着塔に対して行う請求項1記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給手段により供給される前記不活性ガスは未使用ガスである請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 処理チャンバの処理空間に配置された基板の表面に対して電子ビーム発生手段から電子ビームを照射しながら前記基板を前記電子ビーム発生手段に対して相対移動させることで前記電子ビームが照射される電子ビーム照射領域を走査させて前記基板表面に所定の処理を施す基板処理方法において、
前記電子ビーム照射を行っている間、前記電子ビーム照射領域には不活性ガスを供給する一方、
前記電子ビーム照射領域の周囲から前記処理チャンバの外側空間を介して再び前記処理空間に戻るガス循環経路に沿ってガスを循環させることで、前記電子ビーム照射によって発生する汚染物質を前記不活性ガスと一緒に排気ガスとして前記電子ビーム照射領域の周囲から前記外側空間へ排気するとともに前記排気ガスに含まれる前記汚染物質を水分と二酸化炭素に分解した後に吸着することで前記排気ガスから前記汚染物質を除去した処理ガスを前記処理空間に供給する
ことを特徴とする基板処理方法。
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