KR100387192B1 - 내부 전원 회로를 가진 반도체장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 내부전원회로를 갖는 반도체장치에 있어서,내부전원회로를 갖는 상기 반도체 장치의 기판전압을 검출하고 상기 기판전압이 기준전압을 초과할 때 제1 레벨신호를 출력하는 기판전압 검출회로와,상기 기판전압 검출회로의 출력신호가 상기 제1 레벨로 전환될 때 상기 기판전압을 낮추는 제어회로와,테스트 모드를 나타내는 제1 신호를 입력하고 상기 기판전압검출회로의 상기 기준전압을 통상동작시의 전압과, 상기 통상동작시의 전압보다 낮은 전압과, 상기 통상동작시의 전압보다도 높은 전압으로 전환 설정하는 전압설정회로를 포함하는, 내부전원회로를 갖는 반도체장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판전압 검출회로가,게이트들에 접지전압이 주어지고 전원전압과 제1 노드사이에 직렬접속된 복수개의 제1 도전형의 그룹 A의 트랜지스터들과 ,게이트들에 기판전압이 주어지고 상기 제1 노드와 접지사이에 직렬접속된 복수개의 제1 도전형의 그룹 B의 트랜지스터들과,상기 제1 노드에 접속된 복수의 인버터들을 포함하고,상기 출력 신호들은 최종단에 제공된 상기 인버터들에 의해 주어지는, 내부전원회로를 갖는 반도체장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 전압 설정회로가, 상기 그룹들 A와 B의 평형된 전류능력을 갖는 기판전압을 변경시키기 위해 그룹 B의 상기 트랜지스터들의 유효수를 변경시키는, 내부전원회로를 갖는 반도체장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 전압설정회로는 그룹 B의 상기 트랜지스터들의 상호접속단자들과 접지 사이에 각각 접속된 제2 도전형의 트랜지스터들을 가지며, 상기 전압설정회로는, 제2 도전형의 상기 트랜지스터들의 게이트들로 테스트 모드를 나타내는 제1 신호가 입력될 때 선택적으로 제2 도전형의 상기 트랜지스터들을 온(on)시켜서 상기 제1 노드와 접지사이에서 전류능력을 변화시키는, 내부전원회로를 갖는 반도체장치.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한항에 있어서,테스트 모드를 나타내는 제2 신호를 입력하고 상기 기판전압을 상승시키는 기판전압 제어회로를 더 포함하고, 상기 기판전압 제어회로는, 상기 제2 신호와 상기 기판전압 검출회로의 출력신호들과 전압공급시에 접점전압을 초기화하는 신호들을 입력하는 플립플롭 회로와, 상기 플립플롭 회로의 출력신호들의 전압을 변환하는 전압 변환회로와, 상기 기판전압과 접지사이에 접속된 저항과, 상기 저항에 직렬로 접속되고 상기 전압 변환회로의 출력을 자신들의 게이트들에 입력하는 트랜지스터들을 포함하며, 상기 플립플롭 회로는 상기 제2 신호가 입력될 때 설정(set)되고, 상기 플립플롭 회로는 상기 기판전압 검출회로의 출력신호들이 입력될 때 리셋(reset)되는, 내부전원회로를 갖는 반도체장치.
- 내부 전원회로를 갖는 반도체장치에 있어서,통상동작시의 전압과, 상기 통상동작시의 전압보다 낮은 전압과, 상기 통상동작시의 전압보다도 높은 전압을 포함하는 복수의 기준전압의 출력신호들을 발생시키는 기준전압 발생회로와,테스트 모드를 나타내는 제1 신호들에 따라 상기 출력신호들을 선택하는 선택회로와,상기 선택회로의 출력신호들과 내부전원전압을 비교하는 전압비교회로와,상기 전압비교회로에 의해 주어진 비교결과에 따라 상기 내부전원전압을 기준전압에 맞게 제어하는 내부전원 제어회로를 포함하는, 내부전원회로를 갖는 반도체장치.
- 제 6 항에 있어서, 상기 내부 전원전압과 접지사이에 접속되고 테스트 모드를 나타내는 제 2신호가 게이트들에 입력되는 트랜지스터들을 더 포함하고, 상기 테스트 모드가 내부전원전압을 낮추는 것을 가리키면, 상기 제 2신호는 일정기간 동안 하이로 되고 상기 트랜지스터들을 일정기간 동안 턴온시키는, 내부 전원회로를 갖는 반도체장치.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 선택회로는 상기 기준전압 발생회로의 각 출력신호의 출력단자와 상기 전압 비교회로와의 사이에 접속되고 상기 테스트 모드를 나타내는 제 1신호가 게이트에 입력되는 트랜지스터들을 갖는, 내부전원회로를 갖는 반도체장치.
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