KR100381011B1 - 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법 - Google Patents
멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100381011B1 KR100381011B1 KR10-2000-0067065A KR20000067065A KR100381011B1 KR 100381011 B1 KR100381011 B1 KR 100381011B1 KR 20000067065 A KR20000067065 A KR 20000067065A KR 100381011 B1 KR100381011 B1 KR 100381011B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- microstructure
- alcohol
- oxide film
- hydrogen fluoride
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 38
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 37
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 LTO Chemical compound 0.000 claims description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 7
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical group [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002210 supercritical carbon dioxide drying Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00912—Treatments or methods for avoiding stiction of flexible or moving parts of MEMS
- B81C1/0092—For avoiding stiction during the manufacturing process of the device, e.g. during wet etching
- B81C1/00936—Releasing the movable structure without liquid etchant
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
본 발명은 기판(substrate)과 미세구조체(microstructure) 사이에 있는 중간층인 희생산화막을 식각하여 고착현상(stiction)이나 잔류물질(residues) 없이 기판으로부터 미세구조체를 완전하게 분리시켜 띄우는 방법으로서, 특히 멤즈(MEMS: Micro Electro Mechanical System)소자의 제조에 응용하기 위한 방법에 관한 것으로, 불화수소와 버블링한 알코올 증기를 공급하는 단계; 상기 불화수소 및 알코올의 공급장치 및 이동통로를 알코올의 끓는 점 이상으로 유지하는 단계; 온도와 압력을 조절하여 물의 상평형도에 있어서 증기상영역에서 기상식각 공정을 수행하는 단계; 및 미세구조체 막 하부의 희생산화막을 제거하는 단계를 포함하는 멤즈(MEMS; Micro Electro Mechanical System)소자 제조용 미세구조체를 띄우는 방법이다. 본 발명에 따라 단결정 또는 다결정 실리콘의 구조체 하부에 있는 여러가지 희생산화막을 고착현상이나 잔류물질 없이 제거하여 멤즈소자 제조용 미세구조체를 띄울 수 있다.
Description
본 발명은 단순한 반도체 장치의 산화막(silicon oxide) 식각방법이 아니라 기판(substrate)과 미세구조체(microstructure) 사이에 있는 중간층인 희생층 산화막을 식각하여 고착현상(stiction)이나 잔류물질(residues) 없이 기판으로부터 미세구조체를 완전하게 분리시켜 띄우는 방법으로 표면 마이크로머시닝(surface micromachining)으로 멤즈(MEMS: Micro Electro Mechanical System)소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 산화막을 희생층으로 사용하고 실리콘을 미세구조체로 사용하는 경우에는 대부분 불화수소(HF) 용액을 사용하여 습식식각 (wet etch)으로 산화막을 제거한 후, 탈이온수(DI water), 메탄올(methanol), 이소프로필 알콜(isopropylalcohol 또는 2-Propanol) 등의 세척액으로 잔류 불화수소 용액을 세정(rinse)하여 제거하는 방법을 사용한다.
그러나 이러한 방법을 사용하는 경우, 상기 세척액을 증발시키는 건조(drying) 과정에서 미세구조체와 기판 사이에 있는 마이크론 단위의 미세한 틈(gap)에 세척액이 잔류하게 되며, 이로인한 표면장력(surface tension)에 의하여 모세관 힘(capillary force)이 발생하게 된다. 만약 이 힘이 미세구조체에서 발생하는 복원력보다 크게 되면 미세구조물이 일시적으로 기판에 부착하는 현상이 일어나며, 이러한 일시적인 부착현상은 잔류 세척액이 완전히 증발하더라도 반데르발스 힘(van der Waals force), 정전력(electrostatic force), 수소 브리징(hydrogen bridging) 등에 의해 영구적인 표면 부착현상으로 바뀌는데, 이를 고착현상(stiction) 이라 한다.
또한 불화수소 가스와 메탄올, 이소프로필 알코올과 같은 알코올이 서로 반응하면 화학반응에 의해 필연적으로 물(H2O)이 발생하게 되는데, 이때 제거중인 산화막과 기화중인 물방울이 서로 만나면서 응축(condensation) 현상으로 인하여 기판 위에 기화되지 않는 여러 가지 잔류물질을 남기게 된다. 이러한 고착현상과 잔류물질이 발생한 것을 보여주는 사진을 하기 도 1에 나타내었다.
일반적인 기상 식각 공정에 의한 SEM 사진을 도 5 에 나타내었다. 식각된 표면위에 찌꺼기(scum), 측면 중합(side wall polymerization), 불화수소 장식(decoration)으로 인해 희생층인 산화막이 완전히 식각되지 않고 고착현상과잔류물질이 발생된 것을 볼 수 있다.
상기한 바와 같은 고착현상과 잔류물질의 발생을 방지하기 위하여 많은 연구들이 진행되어 왔다. 초기에는 실리콘을 거칠게 만들어 표면적을 넓혀 접촉면을 감소시키거나, 실리콘을 비친수성(hydrophobic)이 되도록 NH4F처리를 하는 방법들이 제시되었으나 이러한 경우 재현성 있게 미세 구조체를 띄울 수 없었다. 또 최근에는 세척액을 초임계 영역으로 이동시켜 기체와 액체의 중간상태(fluid)로 변환시킨 후 일정온도에서 압력을 낮추어 초임계 유체로의 상전이 특성을 이용하는 초임계 이산화탄소 건조(supercritical CO2drying) 방법 (도 2 에서의 A->B 경로), 세척액을 고체로 만들어 액체상태를 거치지 않고 승화물질인 t-부틸 알코올, p-DCB (dicholorobenzene) 등에 의한 승화(sublimation)방법 (도 2 에서의 A->C 경로)등이 개발되었으나, 이러한 방법들은 완전하게 물을 제거하지 못하거나, 재현성 있게 미소 실리콘 구조체를 띄울 수 없거나, 공정이 매우 복잡하고 시편을 다루기가 매우 힘들어 비경제적어서 대량생산을 위하여 적합하지 못하다는 문제점이 있어왔다.
따라서 현재 고착현상과 잔류물질의 생성이 없이, 간단한 건식 공정으로 미세구조를 재현성있게 또한 효과적으로 띄우기 위한 방법의 개발이 요청되고 있는 실정이다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 희생산화막의 식각을 위하여 무수 불화수소 가스와 알코올 증기를 이용하고, 온도와 압력에 따른 물의 열역학적 성질을 이용하여 고착현상이나 잔류물질 없이 미세구조체를 완전히 분리시켜 띄우는 새로운 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
도 1은 종래기술에 따른 미세구조체의 제조공정 중 고착현상과 잔류물질이 발생된 단면을 보이는 사진,
도 2는 일반적인 물의 상평형도,
도 3은 본 발명의 일실시예에서 사용된 기상식각 장치의 단면도,
도 4는 희생산화막의 종류에 따른 식각속도 그래프,
도 5는 종래기술에 따른 미세구조체의 제조공정 중 응축에 의해 고착현상과 잔류물질이 발생된 것을 보여주는 SEM 사진,
도 6는 본 발명에 따라 고착현상과 잔류물질 없이 띄워진 캔티레버를 보여주는 사진,
도 7은 본 발명에 따라 멤브레인 하부에서 식각중인 산화막 패턴을 보여주는 사진,
도 8은 본 발명에 따라 고착현상과 잔류물질 없이 띄워진 스프링을 보여주는 사진,
도 9는 본 발명에 따라 제조된 다결정실리콘 자이로스코프를 보여주는 사진,
도 10은 본 발명에 따라 제조된 SOI형 자이로스코프를 보여주는 사진,
도 11은 본 발명에 따라 제조된 광스위치를 보여주는 사진,
도 12는 본 발명에 따라 제조된 광필터를 보여주는 사진.
* 도면의 주요 부분에 대한 세부 명칭 설명 *
101: 고착현상(stiction)
102: 잔류물질(residues)
301: 시료 준비실(load lock chamber)
302: 반응실(etch chamber)
303: 가스공급계(gas delivery system)
304: 진공 펌프(vacuum pump)
305: 웨이퍼
306: LM 가이드(LM guide)
307: 로보틱 아암 (robotic arm)
308: 게이트 밸브(gate valve)
309: 기판(substrate)
310: 3핀 리프트(3-pins lifter)
311: 히터(heater)
312: 트로틀 밸브(throttle valve)
313: 자동 유량조절기(mass flow controller)
314: 가열패드(heating pad)
315: 버블러(bubbler)
316: 니들밸브(needle valve)
317: 방지재 (baffle)
318: 샤워헤드(shower head)
319: 압력게이지(pressure gauge)
320: 잔류물질분석기 (residual gas analyzer)
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 무수 불화수소와 버블링한 알코올 증기를 공급하는 단계; 상기 무수 불화수소 및 알코올의, 공급장치 및 이동통로를 알코올의 끓는 점 이상으로 유지하는 단계; 온도와 압력을 물의 상평형도의 증기상영역이 되도록 조절하여 기상식각 공정을 수행하는 단계; 및 미세구조체 막 하부의 희생산화막을 제거하는 단계를 포함하는 멤즈(MEMS; Micro Electro Mechanical System)소자 제조용 미세구조체를 띄우는 방법을 제공한다.
상기 식각 공정 수행시 압력은 25-75torr 로 하는 것이 온도는 25-80℃로 하는 것이 바람직하다. 또한 상기 기상식각 공정을 수행하기에 앞서 상기 산화막의 일부를 습식식각 방법으로 식각하는 단계를 부가적으로 포함하는 것도 가능하고, 상기 희생산화막이 TEOS, LTO, PSG, BPSG 또는 열산화막(thermal oxide) 중 선택된 1종 이상을 사용하는 것이, 상기 알코올은 메탄올, 이소프로필 알코올, 에탄올 중 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 상기 멤즈 소자는 적층 또는 단결정 실리콘 구조일 수 있다.
또한 본 발명은 멤즈소자의 미세구조체를 위한 희생산화막 제거방법에 있어서, 반응실내의 온도 및 압력을 물의 상평형도의 증기상영역이 되도록 조절하여,무수 불화수소 및 알코올에 의한 기상식각 공정으로 상기 희생산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
상기 멤즈 소자의 미세구조체를 위한 희생산화막 제거방법에 있어서, 상기 반응실의 압력은 25-75torr로 하는 것이, 온도는 25-80℃로 하는 것이 바람직하다. 식각시의 압력이 25torr이하이거나 온도가 80℃이상이 되면 식각이 늦거나 진행되지 않으며, 압력이 75torr이상이거나 온도가 25℃이하기 되면 응축이 빠르게 진행되어 바람직하지 않다.
이하, 첨부된 도 3을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 일실시예로서 사용된 도 3의 기상식각 장치는 외부와 차단된 시료 준비실(301), 식각 공정을 수행하는 반응실(302), 가스공급계(303), 진공펌프(304), 제어계로 구성되어 있다. 본 기상식각 장치의 특징 중 하나는 불화수소의 공급장치인 가스실린더 뿐만 아니라 반응실까지의 이동통로 및 알코올 버블러(315)에서 반응실(302)까지의 이동통로는 온도를 100℃로 유지하여 알코올이 질소에 의해 기화되어 반응실(302)까지 응축되지 않고 잘 도착할 수 있도록 하였다는 점이다. 만약 알코올의 끓는점(예; 메탄올 64.6℃, 이소프로필 알코올 82.7℃) 이하의 온도가 되면 불화수소 가스나 알코올 증기가 반응실(302)에 도달하지 못하고 가스라인 내벽에서 일부 응축되거나, 긴 시간 동안 차가운 라인상에서 응축되면 나중에 가스라인 내벽을 따라 완전히 액체 기둥(column)이 형성되어 유량조절도 정확히 되지 않게 될 수 있기 때문에 이를 방지하기 위한 것이다. 또한 반응시 발생되는 물이 응축되지 않도록 반응실 또한 가열히터에 의하여 가열되도록 하고 있으며, 또한 본 장치의 반응실(302)와 배기관의 내부는 불화수소 가스에 의해 부식(corrosion)이 되지 않도록 테프론 코팅(teflon coating)이 되어 있다.
이러한 장치에 의하여 상기한 바와 같이 화학반응시 발생하는 많은 물 가운데 일부는 알코올과의 반응에 의하여 기화되고, 나머지 물은 반응실 전체를 가열하여 기판의 온도를 높여 잔류된 물이 기판 위에 응축되지 않고 완전히 기화됨으로써 물의 상평형도 (도 2)의 A->D 경로를 통하여 고착현상이나 잔류물질 없이 완전히 분리되어 띄워진 미세 구조체를 제조하는 것이 가능하게 되는 것이다.
본 장치를 통하여 멤즈 소자용 미소구조체를 띄우는 방법을 구체적으로 살펴보면, 우선 반응실내로 웨이퍼(305)를 입출력할 때는 먼저 반응실(302)에 질소를 넣어 대기압 상태로 만든다. 그 다음은 시료 준비실(301)에 있는 LM 가이드(306)에 부착되어 있는 로보틱 아암(307) 위에 웨이퍼(305)를 놓고 게이트 밸브(308)를 통해 반응실(302)로 넣는다. 이 때 기판(309)에 위치한 3핀 리프트(310)가 웨이퍼(305)를 들고 난 후에 로보틱 아암(307)을 빼낸다. 동시에 3핀 리프트(310)가 내려가 반응실 내의 히터(311) 위에 장착된 기판(309)위에 웨이퍼(305)를 놓는다. 다시 진공펌프(304)로 반응실(302)을 진공상태로 배기하고 기판(309)이 공정 온도에 도달하고 트로틀 밸브(312)에 의해 공정 압력에 도달하면 공정 가스들을 반응실(302)로 넣는다. 산화막의 식각은 자동 유량조절기(313)에 의해 공급되는 무수 불화수소와, 캐리어 가스(carrier gas)를 알코올 버블러(315)에 주입하여 발생되는 알코올 증기를 사용한다. 즉 무수 불화수소는 가열패드(314)로 둘러 쌓여 일정온도가 유지된 가스 실린더(gas cylinder)에서 일정압력 10psi로 가스를 공급한다.
그리고 캐리어 가스인 비활성 기체 또한 자동 유량조절기(313)에 의해 원하는 유량괴 속도로 조절하여 알코올 버블러(315)에 넣으면 기화된 알코올이 출구에 있는 압력 조절용 니들밸브(316)에 의해 원하는 압력으로 항상 일정하게 유지되면서 불화 수소와 동시에 방지재(baffle, 317)로 주입되고, 주입가스를 균일하게 공급하도록 해주는 샤워헤드(shower head, 318)를 지나 반응실(302)로 공급된다. 이때 버블러의 압력이 변동하여 공정 중에 알코올의 공급량이 변하면 산화막 식각율에 결정적으로 영향을 미쳐 불화수소의 분압이 변하므로 주의해야 한다. 알코올 버블러의 전체 압력이 변한다는 것은 평형상태에서 알코올의 분압이 포화압력(saturated pressure)으로 일정하다고 가정하면 버블러의 압력은 질소의 분압과 알코올의 분압의 합이므로 질소의 분압이 변하게 되고, 결국, 전체적인 공정압력이 동일할 때 불화수소, 알코올, 질소에 대한 분압이 변동하게 된다. 따라서 희생층 식각율에 결정적으로 영향을 미치는 불화수소의 분압이 변하면서 식각율은 불화수소 분압의 제곱과 알코올 분압의 곱에 비례하므로 식각율이 달라진다.
산화막 식각 과정을 화학반응식으로 나타내면 다음과 같다.
HF(ads)
M(ads), (M = Alcoholic Species)
HF2 -(ads)+MH+(ads) ........... (1)
SiO2(s)+3HF2 -(ads)+3MH+H2SiF6(ads)+2H2O(ads)+3M(ads)...(2)
H2SiF6SiF4(g)+2HF(g) .................. (3)
먼저 산화막 기판에 흡착된 불화 수소와 알코올은 반응식(1)과 같이 HF2 -로 이온화 되며, 이 흡착된 HF2습식 식각에서와 같이 가장 중요한 식각 반응 인자이다. 이 식각 과정에서의 다른 부산물로서 반응식(2)에서와 같이 H2SiF6를 생성시킨다. 이것은 반응식(3)에서 보듯이 가스 상태인 SiF4와 HF로 분해되어 기판 위에 잔류물을 발생시키지 않고 물이나 알코올처럼 기화되어야 하며, 잔류물의 생성을 억제하기 위해서는 무수 불화수소의 분압을 상승시켜 물의 함량을 낮추거나 또는 웨이퍼의 온도를 높이는 것이 바람직하다. 한편, 반응식에서의 산화막 식각율은 흡착된 무수 불화수소와 알코올의 분압에 의해 주로 좌우되며, 이 분압은 두 물질의 사이의 이온화 반응을 지배하게 된다.
하기 도 4는 무수 불화수소와 이소프로필 알코올을 사용하여 공정조건은 압력이 50torr, 온도가 25℃ 에서 기상식각시 공정시간에 따른 여러가지 희생층 산화막인 LTO(Low Temperature Oxide), TEOS (tetraethylorthosilicate) 산화막, PECVD 산화막 및 PSG(phosphosilicate glass)의 식각율을 나타낸 것이다. 다른 산화막보다 PSG 위에 반응물질(reactant species)이 많이 흡착되기 때문에 식각율이 가장 높은 것을 알 수 있다.
이하에서 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 기술하고자 한다.
(실시예 1)
도 3에 나타낸 장치를 이용하여, 공정 압력을 50torr로 하고, 공정온도를 35℃로 하고 가열히터를 100℃로 유지하여 공정을 진행하였다.
우선 반응실(302)에 질소를 넣어 대기압 상태로 만든 후, 웨이퍼를 게이트 밸브(308)를 통해 반응실(302)로 넣어, 반응실 내의 히터(311) 위에 장착된 기판(309)위에 웨이퍼(305)를 놓았다. 진공펌프(304)로 반응실(302)을 진공상태로 배기한 후, 기판(309)의 온도가 35℃에 도달하고 트로틀 밸브(312)에 의해 압력이 50torr 에 도달한 후, 무수 불화수소와, 캐리어 가스(carrier gas)인 질소를 알코올 버블러(315)에 주입하여 발생되는 알코올 증기를 반응실(302)로 넣었다. 무수 불화수소는 가열패드(314)로 둘러 쌓여 40℃가 유지된 가스 실린더(gas cylinder)에서 10psi압력으로 가스를 공급하였고, 질소는 자동 유량조절기(313)에 의해 1,000sccm으로 조절하여 이소프로필 알코올 버블러(315)에 넣었다. 기화된 이소프로필 알코올이 출구에 있는 압력 조절용 니들밸브(316)에 의해 10psi로 일정하게 유지되면서 불화 수소와 동시에 샤워헤드(shower head, 317)로 주입되어 반응실(302)로 공급되었다.
상기 압력에서 물은 온도가 40℃ 이상 되어야 증기로 기화되고, 알코올은 온도가 10℃ 이상에서 증기압이 공정압력 보다 높기 때문에 같은 온도에서 물보다 먼저 기화될 것이므로, 공정온도는 기판의 온도가 증가하면 희생층 산화막의 식각율이 감소되므로 35℃로 선정하였으며, 반응실 내부 온도가 기판의 온도 보다 높은 온도로 유지되도록 하여 공정중에 발생되는 물이 응축시키지 않고 기화상태에서 배기할 수 있도록 하기 위하여 식각 공정동안 반응실 전체를 감싸고 있는 히터를 100℃로 유지하였다.
공정을 수행한 결과, 도 6과 같이 1200㎛의 긴 캔티레버(cantilever)형 미세구조체를 제작할 수 있었다.
또한 동일한 조건에 의하여, 밀폐된 1.7㎛ 두께의 다결정실리콘 멤브레인(membrane) 위에 5㎛ 간격으로 배열된 1㎛ 지름의 구멍을 통하여 4㎛ 두께의 LTO 희생층을 고착현상이나 잔류물질 없이 제거되어 가는 과정을 도 7에 나타내었다.
(실시예 2)
실시예 1과 동일한 조건에 의하여 공정을 수행한 결과, 12㎛ 두께의 다결정실리콘으로 스프링(spring)을 완벽하게 띄울 수 있었으며, 결과의 SEM사진을 도 8 에 나타내었다.
(실시예 3)
실시예 1과 동일한 조건으로 공정을 수행하여 도 9 에 나타낸 SEM 사진과 같이 8.6㎛ 두께의 다결정실리콘으로 구성된 자이로스코프를 띄울 수 있었다.
(실시예 4)
공정 압력을 25torr로 낮춘 것을 제외하고는 실시예 1 과 동일한 방법으로 공정을 수행한 결과, 실시예 1 내지 4 에서와 동일한 결과를 얻을 수 있음을 확인하였다.
(실시예 5)
SOI 웨이퍼를 이용한 자이로스코프의 희생층인 열 산화막(thermal oxide)에 대한 습식 식각을 행한 후에 실시예 1과 동일한 방법으로 기상 식각을 행하였다. 여러가지 희생 산화막 중 열 산화막은 기존의 TEOS 산화막 보다 박질(film quality)이 치밀(dense)하기 때문에 습식 식각을 통하여 일차적으로 필요한 두께만큼 습식식각한 후에 기상식각을 수행하였다. 그 결과, 8㎛ 두께의 SOI 구조의 실리콘으로 구성된 자이로스코프를 고착현상 없이 띄울 수 있었고 그 결과를 도 10에 SEM 사진으로 나타내었다.
상기 실시예 이외에도 본 발명에 의한 기상식각 방법에 의하여 도 11의 광스위치(optical switch)와 도 12의 광필터(optical filter)와 같은 여러가지 멤즈(MEMS)소자용 미세 구조체를 고착현상이나 잔류물질 없이 재현성 있게 띄울 수 있었다.
(비교실시예 1)
액체 영역(A)인 압력이 50torr, 온도가 25℃인 공정조건에서 다른 조건은 실시예 1과 동일하게 하여 실험을 수행하였다. 공정 후, 시편의 표면을 육안으로 살펴보았더니, 지름이 동일한 크기의 물기가 마른 흔적들이 규칙적으로 분포되어 있었다. 이는 가스가 지나는 관에서 샤워헤드(317)부분 사이에 불화수소와 알코올의 화학반응으로 인하여 물이 발생되어, 이 물이 시편 표면에 떨어졌다가 부분적으로 기화되면서 흔적을 남긴 것으로 보인다.
(비교실시예 2)
비교실시예 1과 동일한 공정조건에서 공정압력을 75torr까지 증가시켜 실험한 결과, 전체적으로 시편 위에 더 많은 물기의 흔적이 보였다.
이러한 미소 구조체의 고착현상과 잔류물질을 방지하기 위한 방법으로서 공정 중에 발생되는 물을 제거하기 위하여 물의 상평형도에서 압력을 낮추거나 온도를 증가시켜 물의 증기상 영역에서 공정을 수행하는 것이 매유 효과적임을 상기 실시예를 통하여 확인할 수 있었다.
본 발명에 있어서 무수불화수소의 분압을 조절하거나, 알코올의 종류 및 분압을 변화시켜 식각율을 늦추거나 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환,변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 명백할 것이다.
본 발명에 의한 무수 불화수소와 알코올을 이용한 기상식각 방법으로 단결정 또는 다결정 실리콘의 구조체 밑에 있는 여러가지 희생산화막을 고착현상이나 잔류물질 없이 제거하여 멤즈소자 제조용 미세 구조체를 띄울 수 있었다. 본 발명은 또한 무수 불화수소의 분압을 조절하거나, 사용하는 알코올의 종류 또는 분압을 변화시켜 식각율을 늦추거나 향상시킬 수 있어 멤즈 소자 제조시 응용범위가 넓고 제조공정이 매우 단순하여 재현성 있게 미소 실리콘 구조체를 띄울 수 있을 뿐만 아니라, 반도체 장치의 제조방법과 같이 자동화가 가능하므로 대량생산할 수 있는 경제적인 장점들을 가진다.
Claims (10)
- 무수 불화수소와 버블링한 알코올 증기를 공급하는 단계;상기 무수 불화수소 및 알코올의, 공급장치 및 이동통로를 알코올의 끓는 점 이상으로 유지하는 단계;온도와 압력을 물의 상평형도의 증기상영역이 되도록 조절하여 기상식각 공정을 수행하는 단계; 및미세구조체 막 하부의 희생산화막을 제거하는 단계를 포함하는 멤즈(MEMS; Micro Electro Mechanical System)소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 식각 공정 수행시 압력을 25-75torr로 하는 것을 특징으로 하는 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 식각 공정 수행시의 온도를 25-80℃로 하는 것을 특징으로 하는 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기상식각 공정을 수행하기에 앞서 상기 산화막의 일부를 습식식각 방법으로 식각하는 단계를 부가적으로 포함하는 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 희생산화막이 TEOS, LTO, PSG, BPSG 또는 열산화막(thermal oxide)인 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 알코올로 메탄올, 이소프로필 알코올, 에탄올 중 1 종 이상을 사용하는 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 멤즈소자가 적층이나 단결정 실리콘구조인 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법.
- 멤즈소자의 미세구조체를 위한 희생산화막의 제거 방법에 있어서, 반응실내의 온도를 25-80℃로 압력을 25-75torr로 조절하고, 무수 불화수소 및 알코올에 의한 기상식각 공정으로 상기 희생산화막을 고착없이 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0067065A KR100381011B1 (ko) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법 |
| US09/753,065 US6806205B2 (en) | 2000-11-13 | 2000-12-29 | Stiction-free microstructure releasing method for fabricating MEMS device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0067065A KR100381011B1 (ko) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020037088A KR20020037088A (ko) | 2002-05-18 |
| KR100381011B1 true KR100381011B1 (ko) | 2003-04-26 |
Family
ID=19698565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0067065A KR100381011B1 (ko) | 2000-11-13 | 2000-11-13 | 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6806205B2 (ko) |
| KR (1) | KR100381011B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100408761B1 (ko) * | 2001-08-23 | 2003-12-11 | 조동일 | 사각 단면을 가지는 (100) 방향 비소화갈륨 빔 제조 방법 |
| KR101350052B1 (ko) * | 2011-07-13 | 2014-01-14 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
| CN104860259A (zh) * | 2014-02-26 | 2015-08-26 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 低压气相刻蚀方法 |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7297471B1 (en) * | 2003-04-15 | 2007-11-20 | Idc, Llc | Method for manufacturing an array of interferometric modulators |
| US20050194356A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-09-08 | Semitool, Inc. | Removing photoresist from a workpiece using water and ozone and a photoresist penetrating additive |
| US7378355B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| US7404863B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
| US6701941B1 (en) * | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
| US7416611B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-08-26 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece with gases |
| US7163588B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-01-16 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece using water, a base, and ozone |
| US6936183B2 (en) * | 2001-10-17 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Etch process for etching microstructures |
| KR20030067847A (ko) * | 2002-02-08 | 2003-08-19 | 조동일 | 갈륨아세나이드 반도체 미세구조물의 제조 방법 |
| US7279431B2 (en) * | 2003-06-18 | 2007-10-09 | Semitool, Inc. | Vapor phase etching MEMS devices |
| US7221495B2 (en) * | 2003-06-24 | 2007-05-22 | Idc Llc | Thin film precursor stack for MEMS manufacturing |
| TW593126B (en) * | 2003-09-30 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same |
| US7214978B2 (en) * | 2004-02-27 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor fabrication that includes surface tension control |
| CN100377312C (zh) * | 2004-03-03 | 2008-03-26 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 蚀刻***及其纯水添加装置 |
| KR100627139B1 (ko) * | 2004-06-18 | 2006-09-25 | 한국전자통신연구원 | 미세기전 구조물 그 제조방법 |
| US20060065622A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Floyd Philip D | Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency |
| US7327510B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
| US7369296B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator |
| US7373026B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate |
| US7192868B2 (en) * | 2005-02-08 | 2007-03-20 | International Business Machines Corporation | Method of obtaining release-standing micro structures and devices by selective etch removal of protective and sacrificial layer using the same |
| CN101228093B (zh) * | 2005-07-22 | 2012-11-28 | 高通Mems科技公司 | 具有支撑结构的mems装置及其制造方法 |
| EP2495212A3 (en) | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
| WO2007013992A1 (en) * | 2005-07-22 | 2007-02-01 | Qualcomm Incorporated | Support structure for mems device and methods therefor |
| US7652814B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device with integrated optical element |
| US7643203B2 (en) * | 2006-04-10 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical display system with broadband characteristics |
| US7369292B2 (en) * | 2006-05-03 | 2008-05-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrode and interconnect materials for MEMS devices |
| JP4327183B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2009-09-09 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関の高圧燃料ポンプ制御装置 |
| US7566664B2 (en) * | 2006-08-02 | 2009-07-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants |
| US7733552B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
| US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
| US8068268B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices having improved uniformity and methods for making them |
| US7570415B2 (en) * | 2007-08-07 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
| KR100964970B1 (ko) * | 2007-08-17 | 2010-06-21 | 한국전자통신연구원 | 3 차원 멤즈 미세구조체의 고착방지를 위한 부양 장치 |
| EP2409313A1 (de) * | 2009-03-17 | 2012-01-25 | Roth & Rau AG | Substratbearbeitungsanlage und substratbearbeitungsverfahren |
| TW201116480A (en) * | 2009-11-12 | 2011-05-16 | Nat Univ Tsing Hua | Multilayer film structure, method and apparatus for transferring nano-carbon material |
| US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
| US11107699B2 (en) | 2016-10-08 | 2021-08-31 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing process |
| CN107919298B (zh) | 2016-10-08 | 2021-01-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气相刻蚀装置及设备 |
| CN113506731A (zh) * | 2016-10-08 | 2021-10-15 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种集成电路的制造工艺 |
| GB201820270D0 (en) * | 2018-12-12 | 2019-01-30 | Lam Res Ag | Method and apparatus for treating semiconductor substrate |
| GB2598262B (en) * | 2019-11-14 | 2022-08-17 | Memsstar Ltd | Method of manufacturing a microstructure |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1539700A (en) | 1976-05-14 | 1979-01-31 | Int Plasma Corp | Process for etching sio2 |
| US4749440A (en) | 1985-08-28 | 1988-06-07 | Fsi Corporation | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates |
| US5294568A (en) * | 1990-10-12 | 1994-03-15 | Genus, Inc. | Method of selective etching native oxide |
| US5439553A (en) * | 1994-03-30 | 1995-08-08 | Penn State Research Foundation | Controlled etching of oxides via gas phase reactions |
| US5658636A (en) * | 1995-01-27 | 1997-08-19 | Carnegie Mellon University | Method to prevent adhesion of micromechanical structures |
| US5954911A (en) * | 1995-10-12 | 1999-09-21 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing using vapor mixtures |
| US6126847A (en) * | 1997-11-24 | 2000-10-03 | Micron Technology Inc. | High selectivity etching process for oxides |
| US6238580B1 (en) * | 1998-02-20 | 2001-05-29 | The Aerospace Corporation | Method of HF vapor release of microstructures |
-
2000
- 2000-11-13 KR KR10-2000-0067065A patent/KR100381011B1/ko active IP Right Grant
- 2000-12-29 US US09/753,065 patent/US6806205B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100408761B1 (ko) * | 2001-08-23 | 2003-12-11 | 조동일 | 사각 단면을 가지는 (100) 방향 비소화갈륨 빔 제조 방법 |
| KR101350052B1 (ko) * | 2011-07-13 | 2014-01-14 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
| CN104860259A (zh) * | 2014-02-26 | 2015-08-26 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 低压气相刻蚀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020037088A (ko) | 2002-05-18 |
| US6806205B2 (en) | 2004-10-19 |
| US20020058422A1 (en) | 2002-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100381011B1 (ko) | 멤즈소자 제조용 미세구조체를 고착없이 띄우는 방법 | |
| Lee et al. | Dry release for surface micromachining with HF vapor-phase etching | |
| Jang et al. | Fabrication of MEMS devices by using anhydrous HF gas-phase etching with alcoholic vapor | |
| JP5290172B2 (ja) | 犠牲酸化ケイ素層をエッチングする方法 | |
| US6666979B2 (en) | Dry etch release of MEMS structures | |
| US6936183B2 (en) | Etch process for etching microstructures | |
| US7431853B2 (en) | Selective etching of oxides from substrates | |
| KR101863178B1 (ko) | 개선된 선택도를 갖는 이산화규소의 증기 에칭 | |
| US11335565B2 (en) | Systems and methods to form airgaps | |
| JP6837302B2 (ja) | 構造物を気相化学的にドライエッチングするための方法及び装置 | |
| WO2003055791A2 (en) | Improved etch process for etching microstructures | |
| JP7387377B2 (ja) | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 | |
| Ono et al. | The role of silanol groups on the reaction of SiO2 and anhydrous hydrogen fluoride gas | |
| KR20110139201A (ko) | 광기전력 및 기타 저온 화학적 증착 공정을 위한 규소 박막의 불소 분자 에칭 | |
| US10872778B2 (en) | Systems and methods utilizing solid-phase etchants | |
| US20200013628A1 (en) | Self-limiting selective etching systems and methods | |
| KR100265860B1 (ko) | 무수 불화수소 및 메탄올을 이용한 건식식각에 의한 산화막 제거 방법 | |
| KR20240009492A (ko) | 미세구조의 제조 방법 | |
| Steven et al. | Low Temperature Silane-Based Silicon Oxides for MEMS and Packaging Applications | |
| US20220388837A1 (en) | Method of manufacturing a microstructure | |
| Jang et al. | Silicon surface micromachining by anhydrous HF gas-phase etching with methanol | |
| Jang et al. | Characteristics of residual products in HF gas-phase etching of sacrificial oxides for silicon micromachining | |
| Prášek et al. | Optimization of Cryogenic Deep Reactive Ion Etching Process for On-Chip Energy Storage | |
| KR19990002648A (ko) | 반도체 소자의 산화막 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130325 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160330 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170327 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180406 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190325 Year of fee payment: 17 |