KR100379620B1 - Method of Manufacturing Carbon Nanotube - Google Patents

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KR100379620B1
KR100379620B1 KR10-2000-0069205A KR20000069205A KR100379620B1 KR 100379620 B1 KR100379620 B1 KR 100379620B1 KR 20000069205 A KR20000069205 A KR 20000069205A KR 100379620 B1 KR100379620 B1 KR 100379620B1
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이성훈
손정인
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광주과학기술원
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Abstract

본 발명에 따른 탄소나노튜브 제조방법은 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 금속막을 형성하는 단계와, 상기 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼에 기공을 형성하는 단계와, 상기 기공이 형성된 실리콘 웨이퍼의 앞면에 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴이 형성된 결과물 전면에 금속촉매층을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 제거하여 상기 감광막 패턴이 형성되지 않은 부분에만 상기 금속촉매층을 잔류시키는 단계와 상기 잔류 금속촉매층 상에 수직으로 탄소나노튜브를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 전기화학적 에칭법, 리프트-오프법, 레이저 용발 기술 또는 RF 마그네트론 스퍼터링에 의한 증착법 등을 이용하여 선택적으로 성장되고 우수한 전계 방출 특성을 갖는 수직 배향된 탄소나노튜브를 제조할 수 있다.The carbon nanotube manufacturing method according to the present invention comprises the steps of forming a metal film on the back surface of the silicon wafer, forming pores on the silicon wafer on which the metal film is formed, and forming a photosensitive film pattern on the front surface of the silicon wafer on which the pores are formed Forming a metal catalyst layer on the entire surface of the resultant product having the photoresist pattern formed thereon; removing the photoresist pattern to leave the metal catalyst layer only in a portion where the photoresist pattern is not formed; and vertically on the residual metal catalyst layer. It characterized in that it comprises a step of forming carbon nanotubes. According to the present invention, vertically oriented carbon nanotubes which are selectively grown and have excellent field emission characteristics can be prepared by using an electrochemical etching method, a lift-off method, a laser deposition technique or a deposition method by RF magnetron sputtering. .

Description

탄소나노튜브 제조 방법 {Method of Manufacturing Carbon Nanotube}Carbon nanotube manufacturing method {Method of Manufacturing Carbon Nanotube}

본 발명은 탄소나노튜브를 성장시키는 기술에 관한 것으로, 특히 리프트-오프법 및 레이저 용발 기술 또는 RF 마그네트론 스퍼터링 증착 기술을 이용하여 FED(Field Emission Display)용 전자총과 전력 증폭 소자에 이용되는 균일하고 수직 배향된 탄소나노튜브를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a technique for growing carbon nanotubes, and particularly, a uniform and vertical structure used for an electron gun and a power amplification device for a field emission display (FED) using a lift-off method and a laser deposition technique or an RF magnetron sputter deposition technique. A method for producing oriented carbon nanotubes is disclosed.

현재 디스플레이 산업은 CRT(Cathode Ray Tube)와 LCD(Liquid Crystal Display)가 주종이나 휴대성과 소모 전력 최소화, 밝은 화상을 위해 FED의 개발이시기적으로 요청되고 있다. 기존의 다이아몬드 팁이나 몰리브덴(Mo) 팁에 비하여 내구성이나 전계 방출 특성이 뛰어난 탄소나노튜브에 의한 전자총의 개발, 반도체 제조 공정과 탄소나노튜브 제조 공정을 이용한 전력 증폭 소자 개발은 최근 가장 주목받는 연구 분야가 되어가고 있다.Currently, the display industry is demanding the development of FED for CRT (Cathode Ray Tube) and LCD (Liquid Crystal Display), but for portability, minimizing power consumption, and bright images. Development of electron guns using carbon nanotubes with superior durability and field emission characteristics compared to conventional diamond tips or molybdenum (Mo) tips, and power amplification devices using semiconductor manufacturing processes and carbon nanotube manufacturing processes Is going.

종래에는 불활성 기체 분위기에서 양극과 음극에 흑연봉을 사용하는 아크 방전법을 이용한 고온의 플라즈마 형성에 의한 다중막 탄소나노튜브의 성장(참고자료: Nature, 358, 220, 1992) 또는 온도의 조절을 통한 생성 시료의 열처리(annealing)의 통제가 용이한 기술 및 레이저 증기화법을 이용한 단일막 탄소나노튜브 성장에 관한 연구가 계속 되어 왔으며(참고자료: Chem. Phys. Lett., 243, 49, 1995), 최근에는 PE-HF-CVD법을 이용하여 배열된 탄소나노튜브를 제조하였고(참고자료: Science, 282, 110, 1998), 전이 금속이 입혀진 실리콘 웨이퍼 위에 열적 CVD방법을 이용하여 탄소나노튜브를 제조하는 방법이 알려져 있다(참고자료: Appl. Phys. Lett., 75, 1721, 1999).Conventionally, the growth of multi-layered carbon nanotubes by the formation of high temperature plasma using arc discharge method using graphite rods at the anode and cathode in an inert gas atmosphere (Ref .: Nature, 358, 220, 1992) or temperature control Research on the growth of single-walled carbon nanotubes using laser vaporization has been continued (Technology: Chem. Phys. Lett., 243, 49, 1995). Recently, arrayed carbon nanotubes have been fabricated using PE-HF-CVD (Ref .: Science, 282, 110, 1998), and carbon nanotubes have been fabricated using thermal CVD on a silicon wafer coated with transition metal. Methods of preparation are known (see Appl. Phys. Lett., 75, 1721, 1999).

실리콘 웨이퍼 상에 증착되는 금속촉매는 입자의 크기가 매우 작은 나노 입자일 것을 요구하는데, 종래의 금속촉매 증착방법들을 이용한 탄소나노튜브의 제조방법은 금속촉매의 금속입자 크기가 매우 커서 나노 입자를 생성하기 위해서는 여러 가지 표면처리 기술을 필요로 하였다.The metal catalyst deposited on the silicon wafer requires nanoparticles having a very small particle size. In the conventional method of preparing carbon nanotubes using metal catalyst deposition methods, the metal catalyst has a very large metal particle size to generate nanoparticles. To this end, various surface treatment techniques were required.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 레이저 용발 기술 또는 RF마그네트론 스퍼터링 증착 기술을 이용하여 증착된 금속촉매로 패터닝된 다공성 실리콘 웨이퍼를 사용하여 우수한 전계 방출 특성을 갖는 수직 배향된 탄소나노튜브를 성장시키는 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, a technical object of the present invention is to grow vertically oriented carbon nanotubes having excellent field emission characteristics using a porous silicon wafer patterned with a metal catalyst deposited using a laser deposition technique or an RF magnetron sputter deposition technique. To provide a way to.

도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 다공성 실리콘 웨이퍼를 설명하기 위한 단면도들;1A and 1B are cross-sectional views illustrating a porous silicon wafer of carbon nanotubes according to the present invention;

도 2a 및 도 2b는 도 1b의 다공성 실리콘 웨이퍼(110)에 금속촉매(400)를 증착하는 단계를 설명하기 위한 단면도들; 및2A and 2B are cross-sectional views illustrating a step of depositing a metal catalyst 400 on the porous silicon wafer 110 of FIG. 1B; And

도 3은 본 발명에 의한 탄소나노튜브의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a carbon nanotube according to the present invention.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 탄소나노튜브 제조방법은, 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 금속막을 형성하는 단계와, 상기 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼에 기공을 형성하는 단계와, 상기 기공이 형성된 실리콘 웨이퍼의 앞면에 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴이 형성된 결과물 전면에 금속촉매층을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 제거하여 상기 감광막 패턴이 형성되지 않은 부분에만 상기 금속촉매층을 잔류시키는 단계 및 상기 잔류 금속촉매층 상에 수직으로 탄소나노튜브를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Carbon nanotube manufacturing method according to the present invention for achieving the technical problem, the step of forming a metal film on the back of the silicon wafer, the step of forming pores in the silicon wafer formed the metal film, the silicon wafer with the pores Forming a photoresist pattern on the front surface of the photoresist, forming a metal catalyst layer on the entire surface of the resultant formed photoresist pattern, removing the photoresist pattern, and leaving the metal catalyst layer only in a portion where the photoresist pattern is not formed; and And forming carbon nanotubes vertically on the residual metal catalyst layer.

여기서, 상기 금속막은 알루미늄으로 이루어질 수 있으며, 상기 기공은 균일하게 분포되고 그 각각의 크기가 10Å 내지 5000Å 인 것이 바람직하다.Here, the metal film may be made of aluminum, it is preferable that the pores are uniformly distributed and their respective sizes are 10 kPa to 5000 kPa.

그리고, 상기 기공 형성단계는 전기화학적 방법으로 수행하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 전기화학적 방법은, 에탄올과 HF의 혼합전해질 수용액에 상기 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼와 백금전극을 각각 침적한 후에, 상기 금속막이 상기 백금전극보다 상대적으로 높은 전위를 갖도록 상기 금속막과 백금전극에 전압을 인가하여 행하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 HF와 상기 에탄올의 혼합 부피비는1:1 내지 3:1의 범위를 갖도록 하고, 상기 금속막과 백금전극 사이에는 2~80mA/cm2의 전류밀도를 갖는 전류가 1 내지 10분 동안 흐르도록 하는 것이 더욱 바람직하다.In addition, the pore forming step is preferably performed by an electrochemical method. Here, in the electrochemical method, after depositing the silicon wafer and the platinum electrode on which the metal film is formed in a mixed electrolyte solution of ethanol and HF, respectively, the metal film and the platinum electrode so that the metal film has a relatively higher potential than the platinum electrode. It is preferable to carry out by applying a voltage. At this time, the mixing volume ratio of the HF and the ethanol is in the range of 1: 1 to 3: 1, the current having a current density of 2 ~ 80mA / cm 2 between the metal film and the platinum electrode 1 to 10 minutes More preferably.

한편, 상기 금속촉매층은 레이저 용발 기술 또는 RF 마그네트론 스퍼터링 증착 기술로 증착하는 것이 바람직하고, 상기 금속촉매층은 Co, Fe, Ni, 및 Cr으로 이루어진 금속군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 금속촉매층이 잔류된 실리콘 웨이퍼를 600 내지 900도의 온도 범위하에서 암모니아 기체 분위기에 노출시키는 것이 바람직하다. 그 다음에 상기 금속촉매층이 잔류된 실리콘 웨이퍼를 탄화수소 기체 분위기에 노출시켜 탄소나노튜브를 제조하는 것이 바람직하다.On the other hand, the metal catalyst layer is preferably deposited by laser deposition technology or RF magnetron sputtering deposition technology, the metal catalyst layer is preferably made of any one selected from the group of metals consisting of Co, Fe, Ni, and Cr. In addition, it is preferable to expose the silicon wafer in which the metal catalyst layer remains in an ammonia gas atmosphere under a temperature range of 600 to 900 degrees. Then, the silicon wafer in which the metal catalyst layer remains is preferably exposed to a hydrocarbon gas atmosphere to prepare carbon nanotubes.

이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 다공성 실리콘 웨이퍼를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 먼저 p형 실리콘 웨이퍼(100) 뒷면에 4000 내지 5000Å 두께의 금속막(200)을 증착시킨다. 금속막(200)은 알루미늄이 사용될 수 있다. 실리콘 웨이퍼(100)와 금속막(200)의 오믹 접촉(ohmic contact)을 위하여 질소 분위기 하에서, 20분간 450℃에서 열처리(annealing)를 한다. 그 다음에, 다공성 실리콘 웨이퍼(110)를 만들기 위해 실리콘의 전기화학적 에칭을 한다. 48% HF 용액과 99.5% 에탄올을 1:1 내지 3:1의부피 비율로 혼합한 반응 용액이 담긴 반응기에 실리콘 웨이퍼(100)를 침적하고, 실리콘 웨이퍼(100)를 양극으로 하고 백금선을 음극으로 사용하여, 2 내지 80㎃/㎠의 전류밀도를 갖는 전류를 인가하면서 양극반응(anodization) 시간을 1 내지 10분으로 변화시켜 균일한 분포의 나노크기의 기공을 갖는 다공성 실리콘 웨이퍼(110)를 형성한다. p형 실리콘 웨이퍼는 100Å정도 크기의 기공형성에 바람직하다. 에탄올은 반응 도중 발생하는 수소 기포의 크기를 감소시켜 균일한 다공성 실리콘 웨이퍼을 형성하기 위해 사용된다. 또한 기공을 나노크기로 하기 위해 HF 용액의 농도를 증가시키고 전류밀도를 낮추는 것이 바람직하다.1A and 1B are cross-sectional views illustrating a porous silicon wafer of carbon nanotubes according to the present invention. Referring to FIGS. 1A and 1B, a metal film 200 having a thickness of 4000 to 5000 Å is deposited on the back surface of a p-type silicon wafer 100. Aluminum may be used for the metal film 200. For ohmic contact between the silicon wafer 100 and the metal film 200, annealing is performed at 450 ° C. for 20 minutes under a nitrogen atmosphere. Then, electrochemical etching of silicon is performed to make the porous silicon wafer 110. The silicon wafer 100 was deposited in a reactor containing a reaction solution containing a 48% HF solution and 99.5% ethanol at a volume ratio of 1: 1 to 3: 1, the silicon wafer 100 as the anode, and the platinum wire as the cathode. By using a current having a current density of 2 to 80 mA / cm 2 to change the anodicization time to 1 to 10 minutes to form a porous silicon wafer 110 having nano-sized pores of uniform distribution. do. P-type silicon wafers are preferred for pore formation of about 100 microns in size. Ethanol is used to reduce the size of hydrogen bubbles generated during the reaction to form a uniform porous silicon wafer. It is also desirable to increase the concentration of HF solution and lower the current density in order to make the pores nanoscale.

도 2a 및 도 2b는 도 1b의 다공성 실리콘 웨이퍼(110)에 금속촉매층(400)을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 먼저 상기 다공성 실리콘 웨이퍼(200) 상에 접착력을 증가시키기 위해 HMDS(Hexamethyldisilazane)를 코팅하고, 스핀 코터(spin coater)로 감광액(Photoresist)을 코팅한다. 그 다음에 88℃에서 20분간 소프트 베이킹(soft baking)을 하고 UV에 노출시키고, 현상(development)을 하면 패턴(300)이 형성된다. 그 다음에 레이저 용발 기술(pulsed laser deposition) 또는 RF 마그네트론 스퍼터링 증착 기술을 적용하여 금속촉매를 증착시켜 금속촉매층(400)을 형성한다. 여기서 금속촉매층(400)은 Fe, Co, Ni, Cr 등의 전이원소가 사용될 수 있다. 레이저 용발 기술에 의해 금속촉매를 증착시키면 금속촉매의 입자의 크기가 매우 작아 탄화수소가스와 반응성이 양호하고 또한 많은 나노튜브 핵생성 사이트를 제공한다. 또한 레이저는 그 에너지가 굉장히 크기 때문에 금속촉매들이 실리콘 웨이퍼에 강하게 증착된다. 그 다음에 금속촉매가 증착된 다공성 실리콘 웨이퍼(200)를 아세톤, 메탄올, 순수(純水, Deionized Water)에 순차적으로 침적하면 원하는 부분에 선택적으로 금속촉매층(400)의 패턴이 형성된다.2A and 2B are cross-sectional views illustrating a step of forming the metal catalyst layer 400 on the porous silicon wafer 110 of FIG. 1B. Referring to FIGS. 2A and 2B, first, HMDS (Hexamethyldisilazane) is coated on the porous silicon wafer 200, and a photoresist is coated with a spin coater. Then, the pattern 300 is formed by soft baking at 88 ° C. for 20 minutes, exposing to UV, and developing. Then, a metal catalyst is deposited by applying pulsed laser deposition or RF magnetron sputtering deposition to form the metal catalyst layer 400. The metal catalyst layer 400 may be a transition element such as Fe, Co, Ni, Cr. Deposition of the metal catalyst by laser evaporation technology provides a very small particle size of the metal catalyst, which is highly reactive with hydrocarbon gas and provides many nanotube nucleation sites. In addition, lasers are so energetic that metal catalysts are strongly deposited on silicon wafers. Next, when the porous silicon wafer 200 on which the metal catalyst is deposited is sequentially deposited on acetone, methanol, and deionized water, a pattern of the metal catalyst layer 400 is selectively formed on a desired portion.

도 3은 본 발명에 의한 탄소나노튜브의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 탄소나노튜브(500)를 성장시키기 위해, 상기 패터닝된 금속촉매층(400)이 형성된 실리콘 웨이퍼(110)를 석영 보트(boat)를 이용하여 고온로(furnace) 내부로 주입한다. 이때 불활성 기체를 주입하면서 반응 온도인 600∼900℃까지 상승시킨다. 상기 반응 온도에 도달하면 암모니아 가스를 주입하여 표면 처리를 한다. 금속촉매는 매우 불안정하기 때문에 대기 중에 공기와 산화반응이 일어나 산화물을 형성하는데, 이때 암모니아 가스를 주입하면 금속촉매와 환원반응을 하여 탄소가스와의 반응성이 향상된다. 그 다음에 탄화수소를 20 내지 50sccm으로 흘리면 열분해에 의해서 금속촉매층(400) 상에 선택적으로 수직 배향된 탄소나노튜브(500)가 형성된다. 탄소나노튜브의 길이는 성장시간을 조절하면 원하는 길이만큼의 성장이 가능하다.3 is a cross-sectional view of a carbon nanotube according to the present invention. Referring to FIG. 3, in order to grow the carbon nanotubes 500, the silicon wafer 110 on which the patterned metal catalyst layer 400 is formed is injected into a furnace using a quartz boat. . At this time, it raises to 600-900 degreeC which is reaction temperature, injecting inert gas. When the reaction temperature is reached, ammonia gas is injected to perform surface treatment. Since the metal catalyst is very unstable, an oxidation reaction occurs with air in the air to form an oxide. At this time, when ammonia gas is injected, the reaction with the carbon catalyst is improved by reducing the metal catalyst. Then, flowing hydrocarbon at 20 to 50 sccm, carbon nanotubes 500 that are selectively vertically oriented on the metal catalyst layer 400 are formed by pyrolysis. The length of the carbon nanotubes can be grown to the desired length by controlling the growth time.

본 발명은 전기화학적 에칭법, 리프트-오프법, 레이저 용발 기술 또는 RF 마그테트론 스퍼터링 증착 기술에 의한 증착법 등을 이용하여 선택적으로 성장되고 우수한 전계 방출 특성을 갖는 수직 배향된 탄소나노튜브를 제공한다. 특히 레이저 용발 기술에 의해 금속촉매를 증착시키므로 금속촉매의 입자의 크기가 매우 작아 탄소가스와 반응성이 양호하고 또한 많은 나노튜브 핵생성 사이트를 제공한다. 또한 레이저는 그 에너지가 굉장히 크기 때문에 금속촉매들이 실리콘 웨이퍼에 강하게 증착되며, 금속촉매들은 탄소나노튜브의 팁쪽에 위치하지 않고 실리콘 웨이퍼의 바닥쪽에 위치하므로 전계 방출 특성이 매우 우수한 탄소나노튜브를 제공한다.The present invention provides vertically oriented carbon nanotubes which are selectively grown using electrochemical etching, lift-off method, laser deposition technique or deposition method by RF magnetron sputter deposition technique and have excellent field emission characteristics. . In particular, since the metal catalyst is deposited by the laser deposition technique, the particle size of the metal catalyst is very small, so that it is highly reactive with carbon gas and provides many nanotube nucleation sites. In addition, the laser has a very large energy, so that the metal catalysts are strongly deposited on the silicon wafer, and the metal catalysts are not located at the tip of the carbon nanotubes but at the bottom of the silicon wafer, thereby providing carbon nanotubes having excellent field emission characteristics. .

Claims (13)

실리콘 웨이퍼의 뒷면에 금속막을 형성하는 단계;Forming a metal film on the back side of the silicon wafer; 상기 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼의 기공을 형성하는 단계;Forming pores of the silicon wafer on which the metal film is formed; 상기 기공이 형성된 실리콘 웨이퍼의 앞면에 감광막 패턴을 형성하는 단계;Forming a photoresist pattern on a front surface of the silicon wafer in which the pores are formed; 상기 감광막 패턴이 형성된 결과물 전면에 금속촉매층을 형성하는 단계;Forming a metal catalyst layer on an entire surface of the resultant product on which the photoresist pattern is formed; 상기 감광막 패턴을 제거하여 상기 감광막 패턴이 형성되지 않은 부분에만 상기 금속촉매층을 잔류시키는 단계; 및Removing the photoresist pattern to leave the metal catalyst layer only in a portion where the photoresist pattern is not formed; And 상기 잔류 금속촉매층 상에 수직으로 탄소나노튜브를 형성하는 단계;Forming carbon nanotubes vertically on the residual metal catalyst layer; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법.Carbon nanotube manufacturing method comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 제1항에 있어서, 상기 금속막이 알루미늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조 방법.The method of claim 1, wherein the metal film is made of aluminum. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기공 형성단계가 전기화학적 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조 방법.The method of producing carbon nanotubes, characterized in that the pore forming step is performed by an electrochemical method. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 전기화학적 방법이, 에탄올과 HF의 혼합전해질 수용액에 상기 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼와 백금전극을 각각 침적한 후에, 상기 금속막이 상기 백금전극보다 상대적으로 높은 전위를 갖도록 상기 금속막과 백금전극에 전압을 인가하여 행해지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법.After the electrochemical method deposits the silicon wafer and the platinum electrode on which the metal film is formed in the mixed electrolyte solution of ethanol and HF, respectively, the voltage is applied to the metal film and the platinum electrode so that the metal film has a relatively higher potential than the platinum electrode. Carbon nanotube manufacturing method characterized in that is carried out by applying. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 HF와 상기 에탄올의 혼합 부피비가 1:1 내지 3:1의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법.Carbon nanotube manufacturing method characterized in that the mixing volume ratio of the HF and the ethanol has a range of 1: 1 to 3: 1. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 금속막과 백금전극에 가해지는 전압에 의하여 상기 금속막과 백금전극 사이에서 흐르는 전류는 그 전류밀도가 2~80mA/cm2의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법.The current flowing between the metal film and the platinum electrode by the voltage applied to the metal film and the platinum electrode has a current density of 2 ~ 80mA / cm 2 characterized in that the carbon nanotube manufacturing method. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 금속막과 백금전극에 가해지는 전압이 1 내지 10분 동안 인가되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법.Carbon nanotube manufacturing method characterized in that the voltage applied to the metal film and the platinum electrode is applied for 1 to 10 minutes. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기공이 균일하게 분포되고 그 각각의 크기가 10Å 내지 5000Å 인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조 방법.The pores are uniformly distributed and the size of each of the carbon nanotubes, characterized in that the 10 ~ 5000Å. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속촉매층이 레이저 용발 기술 또는 RF 마그네트론 스퍼터링 증착 기술로 증착되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법.The metal catalyst layer is a carbon nanotube manufacturing method, characterized in that the deposition by laser deposition technology or RF magnetron sputtering deposition technology. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속촉매층이 Co, Fe, Ni, 및 Cr으로 이루어진 금속군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법.The metal catalyst layer is made of carbon nanotubes, characterized in that any one selected from the group of metals consisting of Co, Fe, Ni, and Cr. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속촉매층을 잔류시키는 단계 이후에 상기 금속촉매층이 잔류된 실리콘 웨이퍼를 암모니아 기체 분위기에 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법.And after exposing the metal catalyst layer, exposing the silicon wafer in which the metal catalyst layer remains to an ammonia gas atmosphere. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 암모니아 기체 분위기에 노출시키는 단계가 600 내지 900도의 온도 범위에서 행해지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법.The carbon nanotube manufacturing method, characterized in that the step of exposing to the ammonia gas atmosphere is carried out in a temperature range of 600 to 900 degrees. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 탄소나노튜브를 형성하는 단계가 상기 금속촉매층이 잔류된 실리콘 웨이퍼를 탄화수소 기체 분위기에 노출시키고 상기 탄화수소 기체를 열분해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법.The forming of the carbon nanotubes may include exposing the silicon wafer having the metal catalyst layer to a hydrocarbon gas atmosphere and pyrolyzing the hydrocarbon gas.
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