KR19990073592A - Fabrication of carbon nanotube field-emitting device using lift-off process. - Google Patents

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Abstract

본 발명은 FED(Field Emitting Device) 제작에 관한 것으로써, 특히 Lift-off 공정을 이용하여 3전극 구조의 탄소나노튜브 FED를 제작하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 lift-off 공정을 이용하는 탄소나노튜브 FED의 제작방법에 있어서, 대면적 글라스기판 또는 알루미나 기판 또는 세라믹 기판위에 캐소드로 사용되는 금속막을 증착시킨 후, 상기 금속막위에 저온에서 절연박막을 형성시킨 후, 상기 절연박막위에 게이트로 사용되는 금속막을 증착시킨 후, 상기 금속막위에 포토레지스트를 도포시킨 후, 사진식각 공정을 실시하여 상기금속막과 상기 절연박막에 구멍을 형성시켜 캐소드로 사용되는 금속막이 드러나게 한다. 이어서 열증착법으로 상기 포토레지스트와 캐소드 금속막위에 전이금속을 증착시킨 후, lift-off 공정으로 상기 포토레지스트 패턴을 제거함으로써, 상기 캐소드 금속막위에만 전이금속을 남겨놓는다. 이어서 상기 전이금속막의 표면을 식각시켜 전이금속막의 표면에 미세한 그레인을 형성시킨 후, 아세틸렌 등의 탄화가스를 사용하여 화학기상증착법으로 상기 전이금속막위에서만 탄소나노튜브를 수직방향으로 성장시킨 후, 상기 게이트 금속막위에 스페이서를 설치한 후, 이어서 상기 스페이서위에 형광체와 투명전극이 부착된 글라스기판을 올려놓은 후, 진공으로 밀봉시켜 실장하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to fabrication of FED (Field Emitting Device), and more particularly, to a method of fabricating a carbon nanotube FED having a three-electrode structure using a lift-off process. In the manufacturing method of the carbon nanotube FED using the lift-off process according to the present invention, after depositing a metal film used as a cathode on a large area glass substrate or an alumina substrate or a ceramic substrate, an insulating thin film on a low temperature on the metal film After the formation, a metal film used as a gate is deposited on the insulating thin film, and then a photoresist is applied on the metal film, followed by a photolithography process to form holes in the metal film and the insulating thin film to be used as a cathode. Make the metal film come out. Subsequently, the transition metal is deposited on the photoresist and the cathode metal film by thermal evaporation, and then the photoresist pattern is removed by a lift-off process, thereby leaving the transition metal only on the cathode metal film. Subsequently, the surface of the transition metal film is etched to form fine grains on the surface of the transition metal film, and carbon nanotubes are grown vertically only on the transition metal film by chemical vapor deposition using carbonization gas such as acetylene. After the spacer is provided on the gate metal film, a glass substrate on which the phosphor and the transparent electrode are attached is placed on the spacer, and then sealed by vacuum.

Description

리프트-오프 공정을 이용한 탄소나노튜브 에프이디의 제작.{Fabrication of carbon nanotube field-emitting device using lift-off process.}Fabrication of carbon nanotube field-emitting device using lift-off process.

본 발명은 FED(Field Emitting Device)의 제작에 관한 것으로서, 특히 lift-off 공정을 이용하여 구조가 간단하고 저전압에서 동작이 가능한 3전극 구조의 탄소나노튜브 FED를 제작하는 방법에 관한 것이다. 종래의 실리콘 기판을 식각하여 만든 실리콘 탐침을 이용하는 기존의 FED는 소자 제작공정에서 식각공정을 사용하여 미세한 간격으로 양극과 음극을 분리해야 하는 제조공정상의 어려움이 있고, 소자를 작동시키기 위해서는 고전압 인가를 필요로 하며, 고전류 방출에 의한 실리콘 탐침의 열화로 인하여 소자의 신뢰성 및 성능저하가 일어나는 문제점이 있다. 이러한 실리콘 탐침을 이용한 FED의 문제점을 개선하기 위해서 탄소나노튜브를 이용한 FED가 제시되었다. 종래의 탄소나노튜브를 이용한 FED의 제작방법은 먼저 탄소나노튜브를 전기방전법이나 레이저증착법에 의해 합성시킨 후, 합성된 탄소나노튜브를 정제시킨 후, 기판(1)위에 전도성 고분자(2)를 부착시킨 후, 다공질 세라믹필터를 사용하여 상기 전도성 고분자(2)위에 탄소나노튜브(3)를 세운 후, 상기 전도성 고분자(2)위에 spacer(4)를 만들고, 상기 spacer(4)위에 그리드(5)를 부착시킨 후, 상기 그리드(5)의 윗부분에 형광체(6)를 부착시킨 다음, 상기 형광체(6)위에 상부전극(7)을 부착시킴으로서 제작된다. 이러한 구조의 FED는 실리콘 탐침 FED에 비해 안정성이 뛰어나지만, 상기 전도성 고분자(2)위에 상기 탄소나노튜브(3)를 효율적으로 세우는 것이 어렵고, 제조공정이 복잡하기 때문에 FED 제작시 재현성이 나쁘고 수율이 낮은 문제점을 갖고 있다.The present invention relates to the fabrication of a field emitting device (FED), and more particularly, to a method of manufacturing a carbon nanotube FED having a three-electrode structure that is simple in structure and operable at a low voltage by using a lift-off process. Conventional FED using a silicon probe made by etching a conventional silicon substrate has a manufacturing process difficulty of separating the positive electrode and the negative electrode at minute intervals using the etching process in the device fabrication process, and high voltage application is required to operate the device. In addition, there is a problem in that the reliability and performance degradation of the device occurs due to deterioration of the silicon probe due to high current emission. In order to improve the problem of the FED using a silicon probe, a FED using carbon nanotubes has been proposed. In the conventional method of manufacturing FED using carbon nanotubes, carbon nanotubes are first synthesized by an electric discharge method or a laser deposition method, and then the synthesized carbon nanotubes are purified, and then a conductive polymer (2) is deposited on the substrate (1). After attaching, the carbon nanotubes (3) are erected on the conductive polymers (2) using a porous ceramic filter, and then a spacer (4) is formed on the conductive polymers (2), and a grid (5) is formed on the spacers (4). ), And then attaching the phosphor 6 to the upper portion of the grid 5, and then attaching the upper electrode 7 on the phosphor (6). The FED of this structure is more stable than the silicon probe FED, but it is difficult to efficiently build the carbon nanotubes 3 on the conductive polymers 2, and the manufacturing process is complicated. It has a low problem.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 창출한 것으로서, lift-off 공정을 이용하여 선택적으로 전이금속을 형성시킨 후, 상기 전이금속위에서 탄소나노튜브를 기판에 수직인방향으로 합성시켜 탄소나노튜브를 사용한 3전극 FED를 간단하게 제작하는 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 3전극 FED는 탄소나노튜브를 전자방출팁으로 사용하기 때문에 낮은 동작전압에서 큰 방출전류를 얻을 수 있으며, 단위 면적당 매우 높은 탐침밀도를 갖게된다. 본 발명의 중요한 특징은 lift-off 공정을 이용하여 간단한 방법으로 전이금속막을 선택적으로 형성할 수 있고, 또한 촉매금속막위에서만 탄소나노튜브를 선택적으로 성장시킬 수 있기 때문에 제조공정을 크게 간소화시켰을 뿐만아니라 탄소나노튜브의 정제과정이나 미세한 구멍으로의 정렬이 불필요하여 재현성과 경제성을 크게 높일 수 있으며, 또한 한 개의 픽셀당 여러 개의 방출탐침을 담을 수 있기 때문에 신뢰성 및 수율이 높은 3전극 FED 제작방법을 제공하게 된다.The present invention has been made to solve the above problems, and after forming a transition metal selectively by using a lift-off process, by using carbon nanotubes by synthesizing carbon nanotubes perpendicular to the substrate on the transition metal It provides a simple method of manufacturing a three-electrode FED. Since the three-electrode FED according to the present invention uses carbon nanotubes as electron emission tips, a large emission current can be obtained at a low operating voltage, and has a very high probe density per unit area. An important feature of the present invention is to simplify the manufacturing process because it is possible to selectively form the transition metal film using a lift-off process and to selectively grow carbon nanotubes only on the catalytic metal film. In addition, reproducibility and economical efficiency can be greatly improved by eliminating the process of refining carbon nanotubes or aligning with fine pores. Also, since it can contain several emission probes per pixel, a method of manufacturing three-electrode FED with high reliability and yield Will be provided.

도 1은 종래의 탄소나노튜브를 사용한 FED의 구조도이다.1 is a structural diagram of a FED using conventional carbon nanotubes.

도 2는 본 발명에 의한 lift-off 공정을 이용한 탄소나노튜브 FED의 구조도이다.2 is a structural diagram of carbon nanotube FED using a lift-off process according to the present invention.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 lift-off 공정을 이용한 탄소나노튜브 FED의 제작은, 대면적 글라스기판(8)위에 캐소드로 사용되는 금속막(9)을 증착시킨 후, 상기 금속막(9)위에 저온에서 절연박막(10)을 형성시킨 후, 상기 절연박막(10)위에 게이트로 사용되는 금속막(11)을 증착시킨 후, 상기 금속막(11)위에 포토레지스트를 코팅시킨 후, 사진식각법으로 상기 금속막(11)과 상기 절연박막(10)을 식각시켜 상기 금속막(9)의 표면이 드러나게 한 다음, 열증착법으로 상기 포토레지스트 표면과 상기 금속막(9)의 표면에 전이금속막(12)을 증착시킨다. 이어서 lift-off 공정으로 상기 포토레지스트와 상기 포토레지스트 표면에 증착된 전이금속막을 제거시킴으로써, 상기 금속막(9)의 표면에만 상기 전이금속막(12)이 존재하게 한다. 이어서 상기 전이금속막(12)의 표면을 암모니아가스 또는 HF 화학용액에 식각시켜 상기 전이금속막(12)의 표면에 미세한 그레인을 형성시킨 후, 아세틸렌 등의 탄화가스를 사용하여 화학기상증착법으로 상기 전이금속막(12)위에서만 탄소나노튜브(13)를 수직방향으로 성장시킨 후, 상기 금속막(11)위에 스페이서(14)를 설치한 후, 이어서 글라스 기판(15)위에 ITO 등의 투명전극(16)을 증착시킨 후, 상기 투명전극(16)위에 형광체(17)를 부착시킨 다음, 상기 글라스기판(15)을 상기 스페이서(14)위에 올려놓은 후, 진공으로 밀봉시켜 실장하는 것을 특징으로 한다. 도 2는 본 발명에 의한 lift-off 공정을 이용한 탄소나노튜브 FED의 구조도이다.Carbon nanotube FED using a lift-off process according to the present invention for achieving the above object, after depositing a metal film (9) used as a cathode on a large-area glass substrate (8), the metal film ( 9) After the insulating thin film 10 is formed on the low temperature, the metal film 11 used as a gate is deposited on the insulating thin film 10, and then a photoresist is coated on the metal film 11, The metal film 11 and the insulating thin film 10 are etched by the photolithography method to expose the surface of the metal film 9, and then thermally deposited on the surface of the photoresist and the metal film 9. The transition metal film 12 is deposited. Subsequently, by removing the photoresist and the transition metal film deposited on the photoresist surface by a lift-off process, the transition metal film 12 exists only on the surface of the metal film 9. Subsequently, the surface of the transition metal film 12 is etched with ammonia gas or HF chemical solution to form fine grains on the surface of the transition metal film 12, and then, by chemical vapor deposition using carbonized gas such as acetylene. After growing the carbon nanotubes 13 in the vertical direction only on the transition metal film 12, a spacer 14 is provided on the metal film 11, and then a transparent electrode such as ITO on the glass substrate 15. After the deposition of the (16), the phosphor 17 is attached to the transparent electrode 16, the glass substrate 15 is placed on the spacer 14, and then sealed by vacuum mounting do. 2 is a structural diagram of carbon nanotube FED using a lift-off process according to the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 먼저 대면적인 글라스기판(8) 또는 실리콘기판위에 캐소드로 사용되는 크롬이나 텅스텐 등의 금속막(9)을 0.3 ∼ 0.5μm 정도 증착시키고, 이어서 상기 금속막(9)위에 저온에서 절연박막(10)을 1.0 ∼ 3.0μm 두께정도로 퇴적시킨 다음, 상기 절연박막(10)위에 게이트로 사용되는 금속막(11)을 전자선증착법이나 열증착법으로 0.3 ∼ 1.0μm 정도 증착시킨 후, 상기 금속막(11)위에 포토레지스트를 3 ∼ 5μm 정도 코팅시킨 후, 사진식각법으로 상기 금속막(11)과 상기 절연박막(10)을 식각시켜 상기 금속막(9)의 표면이 드러나게 한다. 이어서 열증착법으로 상기 포토레지스트 표면과 상기 금속막(9)의 표면에 코발트-니켈합금, 코발트, 니켈, 철, 코발트-철합금, 니켈-철합금 등의 전이금속막(12)을 50 ∼ 200 nm 두께정도로 증착시킨다음, lift-off 공정으로 상기 포토레지스트와 상기 포토레지스트 표면에 증착된 전이금속막을 제거시킴으로써, 상기 금속막(9)의 표면에만 상기 전이금속막(12)이 존재하게 한다. 이어서 상기 전이금속막(12)의 표면을 암모니아가스 또는 HF 화학용액에 식각시켜 상기 전이금속막(12)의 표면에 직경이 20 nm이하인 미세한 그레인을 형성시킨 후, 아세틸렌 등의 탄화가스를 사용하여 열화학기상증착법 또는 플라즈마 화학기상증착법으로 상기 전이금속막(12)위에서만 탄소나노튜브(13)를 수직방향으로 성장시킨 후, 상기 금속막(11)위에 길이가 100 ∼ 700μm 정도인 스페이서(14)를 설치한 다음, 이어서 글라스기판(15)위에 ITO 등의 투명전극(16)을 증착시킨 후, 상기 투명전극(16)위에 형광체(17)를 부착시킨 다음, 상기 글라스기판(15)을 상기 스페이서(14)위에 올려놓은 후, 진공으로 밀봉시켜 실장한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, a metal film 9, such as chromium or tungsten, used as a cathode is deposited on the large glass substrate 8 or silicon substrate by about 0.3 to 0.5 μm, and then the insulating thin film 10 at low temperature on the metal film 9 is deposited. Is deposited to a thickness of about 1.0 to 3.0 μm, and then a metal film 11 used as a gate is deposited on the insulating thin film 10 by about 0.3 to 1.0 μm by an electron beam deposition method or a thermal deposition method, and then deposited on the metal film 11. After coating the photoresist with a thickness of about 3-5 μm, the metal film 11 and the insulating thin film 10 are etched by photolithography to expose the surface of the metal film 9. Subsequently, the transition metal film 12 such as cobalt-nickel alloy, cobalt, nickel, iron, cobalt-iron alloy, nickel-iron alloy, etc. is formed on the surface of the photoresist and the surface of the metal film 9 by thermal evaporation. After the deposition to a thickness of about nm, the photoresist and the transition metal film deposited on the surface of the photoresist are removed by a lift-off process so that the transition metal film 12 exists only on the surface of the metal film 9. Subsequently, the surface of the transition metal film 12 is etched with ammonia gas or HF chemical solution to form fine grains having a diameter of 20 nm or less on the surface of the transition metal film 12, and then carbonized gas such as acetylene is used. After growing the carbon nanotubes 13 in the vertical direction only on the transition metal film 12 by thermal chemical vapor deposition or plasma chemical vapor deposition, the spacer 14 having a length of about 100 to 700 μm on the metal film 11. And then depositing a transparent electrode 16 such as ITO on the glass substrate 15, attaching the phosphor 17 on the transparent electrode 16, and then the glass substrate 15 to the spacer (14) After mounting, it is sealed by vacuum and mounted.

상술한 바와 같이 본 발명에 의한 lift-off 공정을 이용한 탄소나노튜브 FED는 제작방법이 간단하고 재현성과 수율이 좋은 FED를 제작할 수 있는 장점을 가지고 있다. 또한 본발명에 의한 탄소나노튜브를 사용한 3전극 FED는 낮은 동작전압에서 큰 방출전류를 얻을수 있을 뿐만아니라 단위 면적당 매우 높은 방출탐침 밀도를 갖는 FED를 제작할 수 있어서 FED의 신뢰성 및 수율을 크게 높일 수 있다.As described above, the carbon nanotube FED using the lift-off process according to the present invention has an advantage in that the fabrication method is simple and the FED can be manufactured with good reproducibility and yield. In addition, the three-electrode FED using carbon nanotubes according to the present invention can not only obtain a large emission current at a low operating voltage, but also produce a FED having a very high emission probe density per unit area, thereby significantly increasing the reliability and yield of the FED. .

Claims (4)

lift-off 공정을 이용하여 선택적으로 형성시킨 전이금속막위에 수직방향으로 성장된 탄소나노튜브를 사용하는 3전극 FED의 제작.Fabrication of 3-electrode FED using carbon nanotubes grown vertically on transition metal film selectively formed by lift-off process. 제1항에 있어서, lift-off 공정을 이용한 탄소나노튜브 FED의 제작은, 대면적 글라스기판(8) 또는 알루미나 기판 또는 세라믹 기판 또는 실리콘 기판위에 캐소드로 사용되는 금속막(9)을 증착시키는 제1공정과, 상기 금속막(9)위에 저온에서 절연박막(10)을 형성시키는 제2공정과, 상기 절연박막(10)위에 게이트로 사용되는 금속막(11)을 증착시키는 제3공정과, 상기 금속막(11)위에 포토레지스트를 코팅시키는 제4공정과, 사진식각법으로 상기 금속(11)과 상기 절연박막(10)을 식각시켜 상기 금속막(9)의 표면이 드러나게 하는 제5공정과, 열증착법으로 상기 포토레지스트 표면과 상기 금속막(9)의 표면에 전이금속막(12)을 증착시키는 제6공정과, lift-off 공정으로 상기 포토레지스트와 상기 포토레지스트 표면에 증착된 전이금속막을 제거시킴으로써, 상기 금속막(9)의 표면에만 상기 전이금속막(12)을 남기는 제7공정과, 상기 전이금속막(12)의 표면을 암모니아가스 또는 HF 화학용액에 식각시켜 상기 전이금속막(12)의 표면에 미세한 그레인을 형성시키는 제8공정과, 아세틸렌 등의 탄화가스를 사용하여 화학기상증착법으로 상기 전이금속막(12)위에서만 탄소나노튜브(13)를 수직방향으로 성장시키는 제9공정과, 상기 금속막(11)위에 스페이서(14)를 설치하는 제10공정과, 글라스 기판(15)위에 ITO 등의 투명전극(16)을 증착시키는 제11공정과, 상기 투명전극(16)위에 형광체(17)를 부착시키는 제12공정과, 상기 글라스기판(15)을 상기 스페이서(14)위에 올려놓은 후, 진공으로 밀봉시켜 실장하는 제13공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브을 이용하는 3전극 FED의 제작 방법.The method of claim 1, wherein the fabrication of the carbon nanotube FED using a lift-off process is performed by depositing a metal film 9 used as a cathode on a large-area glass substrate 8 or an alumina substrate or a ceramic substrate or a silicon substrate. A first step, a second step of forming the insulating thin film 10 on the metal film 9 at a low temperature, a third step of depositing a metal film 11 used as a gate on the insulating thin film 10, A fourth process of coating the photoresist on the metal film 11 and a fifth process of etching the metal 11 and the insulating thin film 10 by a photolithography method to expose the surface of the metal film 9. And a sixth process of depositing the transition metal film 12 on the surface of the photoresist and the surface of the metal film 9 by thermal evaporation, and the transition deposited on the surface of the photoresist and the photoresist by a lift-off process. By removing the metal film, the metal film 9 A seventh step of leaving the transition metal film 12 only on the surface, and etching the surface of the transition metal film 12 with ammonia gas or HF chemical solution to form fine grains on the surface of the transition metal film 12. An eighth process and a ninth process of growing carbon nanotubes 13 vertically only on the transition metal film 12 by chemical vapor deposition using carbonization gas such as acetylene, and on the metal film 11 A tenth step of installing the spacers 14, an eleventh step of depositing a transparent electrode 16 such as ITO on the glass substrate 15, and a twelfth step of attaching the phosphor 17 to the transparent electrode 16; And a thirteenth step of placing the glass substrate (15) on the spacers (14) and sealing the package with a vacuum to mount the glass substrate (15). 제2항에 있어서, 상기 전이금속막(12)의 표면에 형성되는 미세한 그레인은 열에너지 또는 플라즈마 에너지를 이용하여 형성시키는 방법과 상기 미세한 그레인위에 상기 탄소나노튜브(13)를 수직방향으로 정렬시켜 성장시키는 방법은 열화학기상증착법 또는 플라즈마 화학기상증착법을 포함하는 3전극 FED의 제작 방법.The method of claim 2, wherein the fine grains formed on the surface of the transition metal film 12 are grown by using thermal energy or plasma energy, and grow by aligning the carbon nanotubes 13 vertically on the fine grains. The method is a method of manufacturing a three-electrode FED comprising a thermochemical vapor deposition method or a plasma chemical vapor deposition method. 제2항에 있어서, 상기 전이금속막(12)은 코발트-니켈 합금, 코발트, 니켈, 철, 이트륨, 코발트-니켈-철 합금, 코발트-철 합금, 니켈-철 합금, 코발트-니켈-이트륨 합금, 코발트-이트륨 합금 등을 포함하고, 상기 금속막(11)은 크롬 또는 팔라디움을 포함하는 3전극 FED의 제작 방법.3. The transition metal film 12 is formed of cobalt-nickel alloy, cobalt, nickel, iron, yttrium, cobalt-nickel-iron alloy, cobalt-iron alloy, nickel-iron alloy, cobalt-nickel-yttrium alloy. , Cobalt-yttrium alloy and the like, wherein the metal film (11) comprises chromium or palladium.
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KR100379620B1 (en) * 2000-11-21 2003-04-10 광주과학기술원 Method of Manufacturing Carbon Nanotube
KR100464222B1 (en) * 2000-12-28 2004-12-31 주식회사 새 한 Field Emission Material and manufacturing method thereof
KR100480179B1 (en) * 2001-10-19 2005-04-06 엘지전자 주식회사 Field Emission Device with Carbon Nanotubes and Fabricating Method Thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020060422A (en) * 2001-01-11 2002-07-18 엘지전자 주식회사 FED using carbon nanotube and manufacturing method thereof
KR100787420B1 (en) * 2001-06-18 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 Plasma display panel and plasma dischage flat lamp
KR100416492B1 (en) * 2001-06-19 2004-01-31 광주과학기술원 Method for manufacturing electronic device with triod-type carbon nanotube field emitter arrays
KR20030027246A (en) * 2001-09-27 2003-04-07 배경한 A drink vessel with a built-in pressure undiluted solution vessel
KR100436774B1 (en) * 2001-11-23 2004-06-23 한국전자통신연구원 Method of manufacturing a field emission display
KR100493696B1 (en) * 2002-10-24 2005-06-02 엘지전자 주식회사 the manufacturing method for FED by CNTs
KR100879290B1 (en) * 2002-11-26 2009-01-16 삼성에스디아이 주식회사 Field emission display with a sinking type gate electrode structure and method for fabricating the gate electrode structure
KR100707891B1 (en) * 2004-11-24 2007-04-13 진 장 Method for forming carbon nano tube and field emission display comprising the carbon nano tube and method for manufacturing the same
KR100745734B1 (en) 2005-12-13 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 Method for growing carbon nanotubes and manufacturing method of field emission device therewith
KR100745735B1 (en) * 2005-12-13 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 Method for growing carbon nanotubes and manufacturing method of field emission device therewith
KR100851950B1 (en) * 2006-05-18 2008-08-12 경희대학교 산학협력단 Manufacturing Method of Electron Emission Source with Selective Aarray

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100379620B1 (en) * 2000-11-21 2003-04-10 광주과학기술원 Method of Manufacturing Carbon Nanotube
KR100464222B1 (en) * 2000-12-28 2004-12-31 주식회사 새 한 Field Emission Material and manufacturing method thereof
KR100480179B1 (en) * 2001-10-19 2005-04-06 엘지전자 주식회사 Field Emission Device with Carbon Nanotubes and Fabricating Method Thereof

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