KR100372331B1 - Method for gas phase purification of carbon nanotubes by thermal treatment in diffusion furnace - Google Patents
Method for gas phase purification of carbon nanotubes by thermal treatment in diffusion furnace Download PDFInfo
- Publication number
- KR100372331B1 KR100372331B1 KR10-2000-0022526A KR20000022526A KR100372331B1 KR 100372331 B1 KR100372331 B1 KR 100372331B1 KR 20000022526 A KR20000022526 A KR 20000022526A KR 100372331 B1 KR100372331 B1 KR 100372331B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- carbon nanotubes
- tube
- temperature
- purifying
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/168—After-treatment
- C01B32/17—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
- C01B2202/30—Purity
Abstract
산성 가스의 열분해에 의하여 가스상으로 탄소나노튜브를 정제하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 정제 방법에서는 열처리용 튜브를 구비한 확산로 내에서 열분해된 산성 가스를 이용하여 탄소나노튜브를 정제한다. 상기 산성 가스는 염산 가스 또는 질산 가스로 이루어질 수 있으며, 수소 가스와 같은 희석 가스에 의하여 희석된 상태로 상기 튜브 내에 공급될 수 있다.A method of purifying carbon nanotubes in a gas phase by pyrolysis of an acidic gas is disclosed. In the method for purifying carbon nanotubes according to the present invention, carbon nanotubes are purified using an acid gas pyrolyzed in a diffusion furnace having a heat treatment tube. The acid gas may be made of hydrochloric acid gas or nitric acid gas, and may be supplied into the tube in a diluted state by a diluting gas such as hydrogen gas.
Description
본 발명은 탄소나노튜브(carbon nanotubes)의 정제 방법에 관한 것으로, 특히 가스상(gas phase)에서의 열처리 방법에 의하여 탄소나노튜브를 정제하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for purifying carbon nanotubes, and more particularly, to a method for purifying carbon nanotubes by a heat treatment method in a gas phase.
탄소나노튜브는 그 직경이 보통 수 nm 정도로 극히 작고, 아스펙트비(aspect ratio)가 10 ∼ 1000 정도인 극히 미세한 원통형의 재료이다. 탄소나노튜브에서 하나의 탄소 원자는 3개의 다른 탄소 원자와 결합되어 있고 육각형 벌집 무늬를 이룬다. 탄소나노튜브는 그 구조에 따라서 금속적인 도전성 또는 반도체적인 도전성을 나타낼 수 있는 재료로서, 여러가지 기술 분야에 폭넓게 응용될 수 있을 것으로 기대되는 물질이다.Carbon nanotubes are extremely small cylindrical materials whose diameters are very small, usually about several nm, and have an aspect ratio of about 10 to 1000. In carbon nanotubes, one carbon atom is bonded to three other carbon atoms and forms a hexagonal honeycomb pattern. Carbon nanotubes are materials that can exhibit metallic conductivity or semiconductor conductivity according to their structure, and are expected to be widely applied to various technical fields.
근래, 탄소나노튜브를 대량 합성하기 위한 여러가지 방법들이 제안되었다. 그러나, 지금까지 개발된 탄소나노튜브의 합성 방법들에서는 탄소나노튜브의 성장과 함께 다른 탄소질 재료들이 부산물로서 항상 생성된다. 또한, 탄소나노튜브의 합성시 사용되는 촉매, 사용되는 막질 등과 같은 다양한 처리 조건에 따라서 탄소나노튜브의 조생성물(粗生成物)에는 전이 금속 입자, 전이 금속 유도체, 비정질 탄소, 플러렌(fullerenes), 탄소 나노입자(nanoparticles), 흑연 등과 같은 다양한 종류의 불순물들이 다량 함유되어 있다.Recently, several methods for mass synthesis of carbon nanotubes have been proposed. However, in the carbon nanotube synthesis methods developed so far, with the growth of carbon nanotubes, other carbonaceous materials are always produced as by-products. In addition, according to various processing conditions such as the catalyst used in synthesizing the carbon nanotubes, the film quality, etc., the crude product of the carbon nanotubes includes transition metal particles, transition metal derivatives, amorphous carbon, fullerenes, It contains a large amount of various kinds of impurities such as carbon nanoparticles and graphite.
특히, 다중벽 탄소나노튜브(multi-shelled carbon nanotube)를 합성하기 위한 전기 방전법의 경우에는 탄소 나노입자가 부산물의 주를 이루어 다량 함유되어 있다. 또한, 플라즈마 화학기상증착법 또는 열 화학기상증착법을 이용하여 탄소나노튜브를 합성하는 경우는 전기 방전법에 비하여 탄소 나노입자의 생성량은 적지만 이 경우에도 여전히 탄소나노튜브의 표면 또는 측면에 탄소 나노입자, 비정질 탄소 등과 같은 부산물이 많이 생성되며, 탄소나노튜브의 팁(tip) 부분에는 전이 금속입자가 존재하는 경우가 많다.In particular, in the electric discharge method for synthesizing multi-shelled carbon nanotubes, carbon nanoparticles mainly contain by-products. In addition, when carbon nanotubes are synthesized using plasma chemical vapor deposition or thermal chemical vapor deposition, the amount of carbon nanoparticles produced is smaller than that of the electric discharge method. By-products such as amorphous carbon are produced a lot, and transition metal particles are often present in the tip portion of carbon nanotubes.
따라서, 탄소나노튜브를 FED (Field Emission Displays), VFD (Vacuum Fluorescent Displays) 또는 백색 광원과 같은 소자에 적용하기 위하여는 반드시 정제 과정을 거쳐 상기의 원하지 않는 물질들을 제거해야 한다.Therefore, in order to apply carbon nanotubes to devices such as FED (Field Emission Displays), VFD (Vacuum Fluorescent Displays) or white light sources, it is necessary to purify the unwanted substances.
종래에는 탄소나노튜브의 조생성물로부터 이러한 불순물들을 제거하기 위하여, 필터링, 크로마토그래피, 초음파 세척법, 원심 분리 등과 같은 다양한 정제 기술이 사용되었다. 그러나, 이들 방법은 공정이 복잡하여 시간이 많이 소요될 뿐 만 아니라, 탄소나노튜브로부터 비교적 큰 덩어리는 어느 정도 제거되지만 탄소나노튜브의 표면 및 측면에 붙어 있는 미세한 탄소 나노입자와 전이 금속 입자는 효과적으로 분리시키지 못하며, 정제 수율이 매우 낮다.Conventionally, various purification techniques such as filtering, chromatography, ultrasonic cleaning, centrifugation, etc. have been used to remove these impurities from the crude product of carbon nanotubes. However, these methods are not only time-consuming and complicated, but also remove some of the relatively large agglomerates from carbon nanotubes, but effectively separate fine carbon nanoparticles and transition metal particles from the surface and sides of the carbon nanotubes. It does not, and the purification yield is very low.
다른 종래 기술로서, 일본국 특원평5-133048호에서는 산소, 수증기 등과 같은 산화성 가스 분위기하에서의 산화 반응에 의하여 탄소나노튜브의 정제를 행하였다. 이 방법은 탄소나노튜브의 외벽을 구성하는 그래파이트(graphite)에 포함되어 있는 5 탄소환(pentagons)과 6 탄소환(hexagons)의 분자 레벨에서의 화학 반응성의 차이를 이용하는 것이다. 이 정제 방법은 최적의 반응 시간 및 온도의 제어가 매우 어렵고, 시간이 지남에 따라 탄소나노튜브도 함께 산화되어 수율이 매우 낮아지는 문제가 있다.As another conventional technique, Japanese Patent Application No. Hei 5-133048 has purged carbon nanotubes by an oxidation reaction in an oxidizing gas atmosphere such as oxygen and water vapor. This method takes advantage of the difference in chemical reactivity at the molecular level of the 5 pentagons and the 6 hexagons contained in the graphite constituting the outer wall of the carbon nanotubes. This purification method is very difficult to control the optimum reaction time and temperature, and as time passes, carbon nanotubes are also oxidized with a problem that the yield is very low.
또 다른 종래 기술로서, 일본국 특개평8-12310호에서는 액상중에서 산화제, 니트로화제, 술폰화제로부터 선택되는 반응 시약과, 탄소 불순물을 함유하는 미정제 탄소나노튜브를 혼합하고, 액상중에서 화학 반응시키는 탄소나노튜브의 정제 방법이 개시되어 있다. 이 방법은 저온 처리가 가능하나, 액상에서의 화학 반응에 필요한 시간이 2 ∼ 6 시간으로 매우 긴 처리 시간을 요하며, 액상에서의 화학 반응 후에 필터링, 세정 단계, 건조 단계를 거쳐야 하고, 경우에 따라 염기성 용액을 이용한 중화 단계 및 세정 단계를 더 거쳐야 하므로 처리 과정이 복잡하고, 정제 시간이 많이 소요되는 문제가 있다.As another conventional technique, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-12310 discloses a reaction reagent selected from an oxidizing agent, a nitrating agent, and a sulfonating agent in a liquid phase, and a crude carbon nanotube containing carbon impurities, and reacting the chemical in a liquid phase. A method for purifying carbon nanotubes is disclosed. This method can be processed at low temperature, but the time required for chemical reaction in the liquid phase is very long, which requires a very long treatment time, and after the chemical reaction in the liquid phase, it has to go through filtering, washing step and drying step. Therefore, since the neutralization step and the washing step using the basic solution are further required, there is a problem that the treatment process is complicated and the purification time is long.
본 발명의 목적은 단순한 공정에 의하여 탄소나노튜브의 조생성물로부터 다양한 종류의 불순물을 간단하고 신속한 방법으로 분리시킬 수 있는 탄소나노튜브의 정제 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a method for purifying carbon nanotubes which can separate various kinds of impurities from a crude product of carbon nanotubes in a simple and rapid manner by a simple process.
도 1은 본 발명에 따라 탄소나노튜브를 정제하는 데 사용될 수 있는 확산로의 구성을 개략적으로 나타낸 측단면도이다.Figure 1 is a side cross-sectional view schematically showing the configuration of a diffusion furnace that can be used to purify carbon nanotubes in accordance with the present invention.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브의 정제 방법에 적용되는 온도 조절 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.2 is a timing chart illustrating a temperature control method applied to a method for purifying carbon nanotubes according to a preferred embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브의 정제 방법에 적용되는 가스 펄싱 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.3 is a timing chart for explaining a gas pulsing method applied to the carbon nanotube purification method according to a preferred embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
4: 석영 보트, 10: 석영 튜브, 12: 가스 입구, 14: 배기구, 24: 저항 발열체, 30: 탄소나노튜브.4: quartz boat, 10: quartz tube, 12: gas inlet, 14: exhaust port, 24: resistance heating element, 30: carbon nanotube.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 정제 방법에서는 열처리용 튜브를 구비한 확산로 내에서 열분해된 산성 가스(acid gas)를 이용하여 탄소나노튜브를 정제한다.In order to achieve the above object, in the purification method of carbon nanotubes according to the present invention, carbon nanotubes are purified using an acid gas pyrolyzed in a diffusion furnace having a heat treatment tube.
상기 산성 가스로서 염산 가스 또는 질산 가스를 사용한다.Hydrochloric acid gas or nitric acid gas is used as the acidic gas.
상기 정제 단계는 10 ∼ 30 분 동안 행하는 것으로도 충분한 정제 효과를 얻을 수 있다.The purification step can be obtained for 10 to 30 minutes to obtain a sufficient purification effect.
상기 정제 단계에서 상기 산성 가스는 희석 가스와 함께 상기 튜브 내로 공급될 수 있다. 상기 희석 가스로서 수소 가스를 사용하는 것이 바람직하다.In the purification step, the acidic gas may be supplied into the tube together with the diluent gas. It is preferable to use hydrogen gas as said diluent gas.
상기 정제 단계의 전후에는 각각 상기 튜브 내에 불활성 가스를 공급하면서 상기 튜브 내의 온도를 승온 및 하강시키는 램프-업(ramp-up) 단계 및램프-다운(ramp-down) 단계를 거친다. 이 때, 상기 불활성 가스로서 아르곤 가스를 사용할 수 있다.Before and after the purification step, respectively, a ramp-up step and a ramp-down step are performed to raise and lower the temperature in the tube while supplying an inert gas into the tube. At this time, argon gas can be used as the inert gas.
본 발명에 따른 탄소나노튜브의 정제 방법은 정제 과정이 간단하며, 짧은 정제 시간에도 불구하고 다양한 종류의 불순물을 효과적으로 제거하여 우수한 정제 효과를 나타낼 뿐 만 아니라 높은 수율을 얻을 수 있다.Purification method of carbon nanotubes according to the present invention is a simple purification process, despite the short purification time can effectively remove various kinds of impurities, not only shows an excellent purification effect can be obtained high yield.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.Next, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention illustrated below may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.
도 1은 본 발명에 따라 탄소나노튜브를 정제하는 데 사용될 수 있는 확산로의 구성을 개략적으로 나타낸 측단면도이다.Figure 1 is a side cross-sectional view schematically showing the configuration of a diffusion furnace that can be used to purify carbon nanotubes in accordance with the present invention.
도 1에 도시한 확산로에서, 탄소나노튜브의 열처리 공정은 석영 튜브(10) 내에서 이루어진다. 상기 석영 튜브(10)에는 탄소나노튜브의 정제 처리에 필요한 가스들을 공급하기 위한 가스 입구(12)와 사용된 가스들을 배기시키기 위한 배기구(14)가 형성되어 있다. 상기 석영 튜브(10)의 외주에 설치된 저항 발열체(24), 예를 들면 저항 코일에 의하여 상기 석영 튜브(10) 내에서의 열처리 온도를 원하는 대로 조절할 수 있다. 정제될 탄소나노튜브(30)는 석영 보트(4) 위에 올려진 상태로 상기 석영 튜브(10) 내에 놓여진다.In the diffusion furnace shown in FIG. 1, the heat treatment process of the carbon nanotubes is performed in the quartz tube 10. The quartz tube 10 is provided with a gas inlet 12 for supplying gases necessary for the purification process of carbon nanotubes and an exhaust port 14 for exhausting the used gases. The heat treatment temperature in the quartz tube 10 may be adjusted as desired by the resistance heating element 24, for example, a resistance coil installed on the outer circumference of the quartz tube 10. The carbon nanotubes 30 to be purified are placed in the quartz tube 10 while being mounted on the quartz boat 4.
도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브의 정제 방법에 적용되는 온도 조절 방법 및 가스 펄싱 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.2 and 3 are timing charts for explaining the temperature control method and the gas pulsing method applied to the carbon nanotube purification method according to a preferred embodiment of the present invention, respectively.
도 2 및 도 3을 참조하면, 우선 도 1에 도시한 바와 같은 확산로에서 상기 석영 튜브(10) 내의 온도를 원하는 열처리 온도(T)까지 상승시키는 램프-업(ramp-up) 단계를 거친다. 탄소나노튜브는 상기 석영 튜브(10)의 내부 온도가 400 ℃ 이하일 때 상기 확산로의 석영 튜브(10) 내로 넣어진다. 탄소나노튜브를 상기 석영 튜브(10) 내로 넣은 후에는 램프-업 단계 동안 상기 석영 튜브(10) 내에 불활성 가스, 예를 들면 아르곤 가스를 약 200 ∼ 500 sccm의 유량으로 흘려준다.Referring to FIGS. 2 and 3, first, a ramp-up step of raising the temperature in the quartz tube 10 to a desired heat treatment temperature T in the diffusion furnace as shown in FIG. 1 is performed. Carbon nanotubes are introduced into the quartz tube 10 of the diffusion furnace when the internal temperature of the quartz tube 10 is 400 ° C. or less. After injecting carbon nanotubes into the quartz tube 10, an inert gas, such as argon gas, is flowed into the quartz tube 10 at a flow rate of about 200 to 500 sccm during the ramp-up step.
상기 석영 튜브(10) 내의 온도가 상기 원하는 열처리 온도(T)에 도달하게 되면, 상기 불활성 가스의 공급을 중단하고, 상기 석영 튜브(10) 내에 산성 가스와 희석 가스 공급하면서 약 10 ∼ 30 분 동안 열처리 단계를 거침으로써 탄소나노튜브를 정제한다.When the temperature in the quartz tube 10 reaches the desired heat treatment temperature T, the supply of the inert gas is stopped and the acid tube and diluent gas are supplied into the quartz tube 10 for about 10 to 30 minutes. The carbon nanotubes are purified by undergoing a heat treatment step.
바람직하게는, 상기 산성 가스로서 염산(HCl) 가스 또는 질산(HNO3) 가스를 사용한다. 상기 산성 가스로서 염산 가스를 사용하는 경우에는 HCl이 분해되면서 H+는 탄소 입자 또는 탄소 파티클을 제거하고, Cl-는 전이 금속을 식각하는 역할을 한다. 상기 산성 가스로서 질산 가스를 사용하는 경우에는 HNO3가 분해되면서 H+는 탄소 입자 또는 탄소 파티클을 제거하고, NO3 -는 전이 금속을 식각하는 역할을 한다.Preferably, hydrochloric acid (HCl) gas or nitric acid (HNO 3 ) gas is used as the acid gas. When hydrochloric acid gas is used as the acid gas, H + decomposes, H + removes carbon particles or carbon particles, and Cl − serves to etch the transition metal. When using a nitric acid gas is used as the acid gas, while the HNO 3 + H degradation will remove the carbon particles or carbon particles and, NO 3 - and serves to etch is a transition metal.
상기 산성 가스는 약 30 ∼ 200 sccm의 유량으로 공급한다.The acidic gas is supplied at a flow rate of about 30 to 200 sccm.
또한, 상기 희석 가스로서 수소 가스를 사용하는 것이 바람직하며, 이 때 상기 수소 가스를 약 60 ∼ 400 sccm의 유량으로 공급한다.It is also preferable to use hydrogen gas as the diluent gas, at which time the hydrogen gas is supplied at a flow rate of about 60 to 400 sccm.
상기 열처리 단계에서는 상기 석영 튜브(10) 내의 온도가 약 500 ∼ 1000 ℃의 범위 내로 되도록 조절한다.In the heat treatment step, the temperature in the quartz tube 10 is adjusted to be in the range of about 500 ~ 1000 ℃.
탄소나노튜브의 열처리 단계 동안 상기 석영 튜브(10) 내로 희석 가스와 함께 공급되는 산성 가스가 열분해되어 탄소나노튜브의 표면과, 팁 부분 및 원통형의 그래파이트 부분의 측면에 붙어 있는 탄소 덩어리, 탄소 나노입자, 전이 금속 입자 등 다양한 종류의 불순물들이 동시에 제거된다.During the heat treatment step of the carbon nanotubes, the acid gas supplied with the diluent gas into the quartz tube 10 is thermally decomposed so that the carbon agglomerates and carbon nanoparticles adhered to the surface of the carbon nanotubes and the sides of the tip portion and the cylindrical graphite portion. And various kinds of impurities such as transition metal particles are removed at the same time.
상기 열처리 단계가 끝나면, 상기 산성 가스 및 희석 가스의 공급을 중단하고, 상기 석영 튜브(10) 내로 다시 아르곤 가스와 같은 불활성 가스를 약 200 ∼ 500 sccm의 유량으로 공급하면서 상기 석영 튜브(10) 내의 온도를 내리는 램프-다운(ramp-down) 단계를 거친다. 상기 석영 튜브(10) 내의 온도가 400 ℃ 이하로 되었을 때 정제된 탄소나노튜브를 확산로에서 꺼낸다.When the heat treatment step is completed, the supply of the acidic gas and dilution gas is stopped, and the inert gas such as argon gas is supplied back into the quartz tube 10 at a flow rate of about 200 to 500 sccm in the quartz tube 10. It goes through a ramp-down step of decreasing the temperature. The purified carbon nanotubes are removed from the diffusion furnace when the temperature in the quartz tube 10 becomes 400 ° C or lower.
본 명세서 및 첨부 도면에는 최적의 실시예들을 개시하였다. 여기에는 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것으로, 의미를 한정하거나 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용되는 것은 아니다.The present specification and the annexed drawings disclose optimal embodiments. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not used to limit the meaning or the scope of the invention.
본 발명에 따른 탄소나노튜브의 정제 방법에서는 확산로 내에서의 열처리 방법에 의하여 산성 가스를 열분해시키고 열분해된 산성 가스를 이용하여 탄소나노튜브를 정제한다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 정제 방법은 종래 기술에 따른 방법에 비하여 정제 과정이 간단하며, 짧은 정제 시간에도 불구하고 다양한 종류의 불순물을 효과적으로 제거하여 우수한 정제 효과를 나타낼 뿐 만 아니라 높은 수율을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명은 대규모의 탄소나노튜브 정제 방법에 적용하기 적합하다.In the carbon nanotube purification method according to the present invention, the acid gas is pyrolyzed by a heat treatment method in a diffusion furnace, and the carbon nanotubes are purified using the pyrolyzed acid gas. Purification method of carbon nanotubes according to the present invention is simpler than the process according to the prior art, and despite the short purification time effectively removes various kinds of impurities, not only shows excellent purification effect but also high yield Can be. Therefore, the present invention is suitable for application to a large-scale carbon nanotube purification method.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.The present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. Do.
Claims (16)
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00304964A EP1061042A1 (en) | 1999-06-15 | 2000-06-13 | Method for gas phase purification of carbon nanotubes by thermal treatment in diffusion furnace |
| CN00109212A CN1277148A (en) | 1999-06-15 | 2000-06-14 | Method for heat treating gas phase purifying carbon nanometre tube in diffusion furnace |
| JP2000180076A JP2001031410A (en) | 1999-06-15 | 2000-06-15 | Method for purifying carbon nanotube by thermal treatment in diffusion oven |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990022416 | 1999-06-15 | ||
| KR19990022416 | 1999-06-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010049298A KR20010049298A (en) | 2001-06-15 |
| KR100372331B1 true KR100372331B1 (en) | 2003-02-17 |
Family
ID=19592624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0022526A KR100372331B1 (en) | 1999-06-15 | 2000-04-27 | Method for gas phase purification of carbon nanotubes by thermal treatment in diffusion furnace |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100372331B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101147259B1 (en) | 2008-09-30 | 2012-05-21 | 한화케미칼 주식회사 | Continuous method and apparatus of purifying Carbon Nanotube |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0748110A (en) * | 1993-06-03 | 1995-02-21 | Nec Corp | Purification of carbon-nanotube |
| JPH0748111A (en) * | 1993-08-04 | 1995-02-21 | Agency Of Ind Science & Technol | Method for separating and purifying carbon nanotube |
| JPH08198611A (en) * | 1995-01-18 | 1996-08-06 | Nec Corp | Purifying method of carbon nano-tube |
| JPH10120409A (en) * | 1996-10-17 | 1998-05-12 | Toyo Tanso Kk | Separation and purification of monolayered nanotube and separation ad purification of metal-including nanocapsule |
-
2000
- 2000-04-27 KR KR10-2000-0022526A patent/KR100372331B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0748110A (en) * | 1993-06-03 | 1995-02-21 | Nec Corp | Purification of carbon-nanotube |
| JPH0748111A (en) * | 1993-08-04 | 1995-02-21 | Agency Of Ind Science & Technol | Method for separating and purifying carbon nanotube |
| JPH08198611A (en) * | 1995-01-18 | 1996-08-06 | Nec Corp | Purifying method of carbon nano-tube |
| JPH10120409A (en) * | 1996-10-17 | 1998-05-12 | Toyo Tanso Kk | Separation and purification of monolayered nanotube and separation ad purification of metal-including nanocapsule |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010049298A (en) | 2001-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100364095B1 (en) | Massive purification method of carbon nanotubes | |
| EP1061042A1 (en) | Method for gas phase purification of carbon nanotubes by thermal treatment in diffusion furnace | |
| KR20050085074A (en) | Method for forming carbon nanotubes | |
| CN109650379B (en) | Single-walled carbon nanotube gradient oxidation purification method | |
| JP4797122B2 (en) | Method for purifying carbon nanotubes made on refractory oxide supports | |
| US9951418B2 (en) | Method for preparing structured graphene on SiC substrate based on Cl2 reaction | |
| KR102406714B1 (en) | Systems and Methods for Synthesis of Graphene Quantum Dots | |
| KR100372331B1 (en) | Method for gas phase purification of carbon nanotubes by thermal treatment in diffusion furnace | |
| CN1277146A (en) | Method for purifying carbon nanometre tube in large scale | |
| WO2004048258A8 (en) | Method for forming carbon nanotubes | |
| KR100372334B1 (en) | Method of synthesizing carbon nanotubes using plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| KR100372333B1 (en) | Method of synthesizing carbon nanotubes using low pressure chemical vapor deposition | |
| JP2005306681A (en) | Method for removing catalyst metal | |
| JPS62245626A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| KR20030046858A (en) | High yield purification of single-walled carbon nanotubes using a combined lquid- and gas-phase purification method | |
| JPH10158006A (en) | Production of granular polysilicon | |
| KR100385867B1 (en) | Method of synthesizing highly purified carbon nanotubes | |
| JP4426244B2 (en) | Carbon nanotube production method and purification method | |
| US20230212015A1 (en) | System and method for synthesis of graphene quantum dots | |
| JPS6359533B2 (en) | ||
| JP2006185636A (en) | Manufacturing method of electron emission source used for display device | |
| KR0146173B1 (en) | Method for manufacturing oxide film of semiconductor device | |
| JP2005060170A (en) | Process for purifying crude carbon nanotube | |
| JP2003183076A (en) | Method for manufacturing pyrolytic carbon or graphite- coated carbon material | |
| JP2006182572A (en) | Method for purifying nanocarbon |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130204 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131213 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150204 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160125 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170103 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180129 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190102 Year of fee payment: 17 |