KR100322392B1 - 세정처리제 - Google Patents

세정처리제 Download PDF

Info

Publication number
KR100322392B1
KR100322392B1 KR1019970023398A KR19970023398A KR100322392B1 KR 100322392 B1 KR100322392 B1 KR 100322392B1 KR 1019970023398 A KR1019970023398 A KR 1019970023398A KR 19970023398 A KR19970023398 A KR 19970023398A KR 100322392 B1 KR100322392 B1 KR 100322392B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acid
cleaning agent
component
cleaning
group
Prior art date
Application number
KR1019970023398A
Other languages
English (en)
Other versions
KR980005773A (ko
Inventor
마사히꼬 가끼자와
오사무 이찌까와
이찌로 하야시다
Original Assignee
다나까 모또아끼
와꼬 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다나까 모또아끼, 와꼬 쥰야꾸 고교 가부시키가이샤 filed Critical 다나까 모또아끼
Publication of KR980005773A publication Critical patent/KR980005773A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100322392B1 publication Critical patent/KR100322392B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/264—Aldehydes; Ketones; Acetals or ketals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3245—Aminoacids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은 1 개 이상의 카르복실기를 갖는 유기산 및 킬레이트화 능력을 갖는 착화제로 구성된 세정처리제에 관한 것으로서, 본 발명의 세정처리제를 사용함으로써 금속화된 배선의 부식 및 반도체 기판 표면상의 평탄성에 역효과를 나타내지 않고 효과적으로 입자 및 금속성 오염물을 제거할 수 있다.

Description

세정처리제 {CLEANING AGENT}
본 발명은 반도체 및 LCDs (liquid crystal displays : 액정화면) 의 생산단계에서 사용되는 반도체 기판 표면용 세정처리제에 관한 것이며, 또한 상기 세정처리제를 사용하여 반도체 기판 표면을 세정처리하는 방법에 관한 것이다.
현재, LSI 의 고집적화에 대한 현 추세에 따라, 반도체 생산단계에 다양한 기술들이 도입되었다. 주로 LSIs 의 생산에 사용되는 반도체 장치를 생산하기 위해 사용되는 실리콘 웨이퍼는, 실리콘 주괴의 단일 결정으로부터 잘라내고, 래핑 (lapping) 및 연마시킴으로써 제조된다. 상기 이유들로 인하여, 상기 제조된 실리콘 웨이퍼의 표면은 다량의 금속성 불순물로 오염되어 있다. 또한, 상기 생산단계의 후속단계에서, 실리콘 웨이퍼가 이온 주입단계, 금속말단 형성단계 등과 같은 반도체 장치의 생산단계를 거치기 때문에, 실리콘 웨이퍼 표면은 금속성 오염의 많은 위험성을 가지고 있다.
최근 수년간에, 다층 금속화된 배선의 최근 경향에 기인하여 반도체 기판 표면의 평탄성의 필요성에 따라, 반도체 장치의 생산에 화학적 기계적 연마 (chemical mechanical polishing : CMP) 기술을 도입할 것이 제안되어 왔다.CMP 기술은 실리콘 웨이퍼의 표면을 실리카 또는 알루미늄의 슬러리를 사용하여 편평하게 만드는 방법이다. 연마 대상은 산화규소막, 배선 및 표면상의 플러그이다. 이 경우에, 실리콘 웨이퍼의 표면은 실리카 또는 알루미늄 슬러리, 슬러리 내에 함유되어 있는 금속성 불순물, 및 연마된 플러그 또는 배선용 금속에 의해 만들어진 금속성 불순물로 오염되어 있다. 상기 경우에, 다량의 금속성 오염물들이 실리콘 웨이퍼의 전체 표면상에 광범위하게 흩어져 있다.
반도체 기판 표면이 상기와 같은 금속성 불순물로 오염되어 있는 경우, 반도체 장비의 전기적 성질에 악영향을 주어, 그 결과로 반도체 장치의 신뢰도가 저하된다. 또한, 상기 반도체 장치들은 다량의 금속성 오염으로 인해 될 수 있는대로 파기하는 것이 좋다. 따라서, CMP 과정후에 세정처리단계를 도입하여 기판 표면으로부터 금속성 오염물을 제거하는 것이 필요하다.
요즈음, 세정처리단계는 화학적 세정처리방법, 물리적 세정처리방법 또는 이들의 조합에 의해 수행된다. 화학적 세정처리방법중, 1970년대에 개발된 RCA 세정처리방법이 당분야에서 널리 사용된다. RCA 세정처리액은 산-형 세정처리액 및 알칼리-형 세정처리액으로 구성되어 있다. 산-형 세정처리액, 예를 들어 HPM (염산-과산화수소 혼합 수용액) 및 DHF (플루오르화 수소산 희석액) 는 금속성 오염물을 제거하기 위해 사용된다. 한편, AMP (암모니아-과산화수소 혼합 수용액) 으로 대표되는 알칼리성 세정처리액은 입자 오염물을 제거하는 탁월한 능력을 갖고 있으나, 금속성 오염물을 제거하기에는 불충분하다.
상기의 상황에서, 금속성 오염물을 제거하기 위해, 필수적으로 HPM 및 DHF와 같은 산-형 세정처리액이 사용되는 것이 좋다.
그러나, 상기 산-형 세정처리액이 금속을 용해시키는 강력한 능력을 갖고 있기 때문에, 반도체 기판 표면상에 제공되는 금속화된 배선이 세정처리액으로 부식될 수 있다.
반도체 기판 표면상에 제공되는 금속화된 배선의 부식문제를 피하기 위하여, 물리적 (기계적) 세정처리방법이 사용될 수 있다. 물리적 세정처리방법에 대해서는, 고속 회전 브러쉬(들)를 이용하는 브러쉬-스크러빙 방법 ; 분출된 얼음 미립자를 이용하는 얼음-스크러빙 방법 ; 극-순수 물의 고압 제트류에 의한 세정처리방법 ; 초음파를 이용한 메가소닉 세정처리방법 등을 예로 들수 있다.
상기 물리적 세정처리방법의 각각은 반도체 기판 표면상에 제공된 금속화된 배선의 부식 문제를 피하기에 효과적이다. 그러나, 금속성 오염물을 제거하는 능력은 단지 상기의 물리적 세정처리방법들을 사용하는 것만으로는 기대될 수 없다. 상기의 이유로, 산-형 세정처리액을 사용하는 화학적 세정처리방법과 조합한 기계적 세정처리방법이 제안된다.
금속성 오염물을 제거하는 능력이 무기산을 이용하는 RCA 세정처리방법을 실햄함에 의해 기대될 수 있다 하더라도, 상기 방법은 표면상에 제공된 금속화된 배선을 손상시킬 수 있으며, 나아가 표면상에 제공된 산화규소의 절연필름이 무기산으로 시작될 수 있다는 몇몇 예시된 문제점들을 갖는다는 것을 주목해야 한다.
따라서, 무기산의 농도를 가능한 한 낮게 희석시키고, 세정처리시간은 가능한 한 짧게 줄일 필요가 있다.
그러나, 상기를 고려한 결과, 적절한 세정처리효과가 기대될 수 없다.
상기와 더불어, 계면활성제와 조합하여 모노카르복실산 수용액을 사용하는, 다른 반도체 기판 표면 세정처리방법을 이용할 수 있다. 그러나, 상기 방법은, 비록 상기 방법이 계면활성제를 사용함으로써 수용액 및 반도체 기판 표면 사이의 습윤성을 개선시키는 데 효과적이라 할지라도, 상기 방법이 금속성 오염물을 제거하기 위해 더 긴 시간을 요구하며, 나아가 적절한 세정처리효과가 기대될 수 없다고 알려져 있다.
또한 브러쉬-스크러빙 세정처리방법과 조합하여 시트르산을 이용하는 방법과 같은 금속성 오염물을 제거하는 다른 방법이 보고되었다. 그러나, 시트르산을 이용하는 것만으로는 금속성 오염물의 제거효과가 불충분하며, 따라서 적절한 세정처리효과가 수득되지 않는다.
상기 설명된 바와 같이, 금속화된 배선을 부식시키지 않고, 또한 반도체 기판 표면상의 평탄성에 역효과를 주지 않고, 입자 및 금속성 오염물을 제거하는 효과적인 방법이 발견되지 않았다.
본 발명에 의해 해결될 문제
상기 사실들을 고려하여, 본 발명에 의해 해결될 문제는 금속화된 배선을 부식시키지 않고, 또한 반도체 기판 표면상의 마이크로-조도를 증가시키지 않는, 반도체 기판 표면용 세정처리제를 제공하고, 또한 상기 세정처리제를 사용하는 반도체 기판 표면용 세정처리방법을 제공하는 것이다.
문제 해결 방법
본 발명은 상기 문제들을 해결하기 위해 만들어졌으며, 또한 본 발명은 1 개 이상의 카르복실기를 갖는 유기산 및 킬레이트화 능력을 갖는 착화제로 구성된 반도체 기판 표면용 세정처리제에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 1 개 이상의 카르복실기를 갖는 유기산 및 킬레이트화 능력을 갖는 착화제로 구성된 세정처리제로 반도체 기판 표면을 처리하는 것으로 이루어진, 반도체 기판 표면용 세정처리방법에 관한 것이다.
본 발명자들은 상기 목표를 성취하기 위하여 집중적인 연구를 수행하였다.
그 결과, 본 발명자들은 반도체 기판 표면상에 흡착 및 접착되어 있는 금속성 오염물이, 반도체 기판 표면상에 제공된 금속화된 배선을 부식시키지 않고, 또한 강산 또는 강알칼리 용액을 사용할때 발생하는 그의 표면 평탄성의 저하없이, 1 개 이상의 카르복실기를 갖는 유기산 및 킬레이트화 능력을 갖는 착화제로 구성된 세정처리제를 사용함으로서 용이하게 제거될 수 있다는 것을 발견하였으며, 상기 발견을 기초로 하여 본 발명을 완성하였다.
상기 목표가 본 발명의 방법을 수행함으로써 성취될 수 있는 이유는 하기와 같이 생각된다. 즉, 유기산이 Fe 및 Al 과 같은 금속 산화물 및 금속 수화물을 용해시키면, 비록 그들이 매우 소량이라 할지라도, 상기 용해된 금속성 이온이 착화제와 함께 금속 착화물을 형성할 수 있다. 그 결과, 세정처리제내 반응계내 평형이 금속을 용해시키는 방향으로 전이될 수 있고, 이것이 유기산의 금속 용해능력을 중지시키고, 따라서 반도체 기판 표면상에 흡착 및 접착되어 있는 금속성 오염물의 제거를 성취할 수 있다.
본 발명에 사용되는 유기산은 1 개 이상의 카르복실기를 갖는 것, 바람직하게는 1 내지 3 개의 카르복실기를 갖는 것, 보다 바람직하게는 2 내지 3 개의 카르복실기를 갖는 것이며, 또한 상기 유기산은 1 내지 3 개의 히드록실기 및/또는 1 내지 3 개의 아미노기를 함유할 수도 있다.
본 발명의 상기 유기산의 예로는 포름산, 아세트산 및 프로피온산과 같은 모노카르복실산 ; 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 말레산, 푸마르산 및 프탈산과 같은 디카르복실산 ; 트리멜리트산 및 트리카르발릴릭산과 같은 트리카르복실산 ; 예를 들어 히드록시부티르산, 락트산 및 살리실산과 같은 옥시모노카르복실산, 말산 및 타르타르산과 같은 옥시디카르복실산, 및 시트르산과 같은 옥시트리카르복실산인 옥시카르복실산 ; 및, 아스파르트산 및 글루탐산과 같은 아미노카르복실산이 있다. 이들 중, 디카르복실산 및 옥시카르복실산이 바람직하다. 본 발명과 관련된 유기산은 단독으로 또는 그들중 2 개 이상을 적절하게 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 킬레이트화 능력을 갖는 착화제는 Fe 및 Al 과 같은 금속성 오염물과 착화합물을 형성할 수 있는 것들이 바람직하며, 예를 들어 에틸렌디아민테트라아세트산 (EDTA) 및 트랜스-1,2-디아미노시클로헥산 테트라아세트산 (CyDTA) 과 같은 아미노폴리카르복실산 ; 에틸렌디아민테트라 (메틸렌포스폰산) (EDTPO), 에틸렌디아민디(메틸렌포스폰산) (EDDPO), 니트릴로트리스(메틸렌포스폰산) (NTPO) 및1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산)(HEDPO) 와 같은 포스폰산 유도체 ; 트리폴리인산 및 헥사메타인산과 같은 응축 인산 ; 아세틸아세톤 및 헥사플루오로아세틸아세톤과 같은 디케톤 ; 에틸렌디아민 및 트리에탄올아민과 같은 아민 ; 및, 할라이드 이온 (예를 들어 F-, Cl-, Br-, I-), 시안화 이온, 티오시안산염 이온, 티오황산염 이온 및 암모늄 이온과 같은 무기이온이 있다. 이들 중, 포스폰산 유도체가 바람직하다.
본 발명과 관련된 착화제는 단독으로 또는 그들중 2 개 이상을 적절하게 조합하여 사용될 수 있다.
본 발명의 킬레이트화제는 일반적으로 용액상태, 바람직하게는 수용액 상태로 사용된다. 상기 유기산 및 거기에 함유된 착화제는 물에 용해되어 유기산 및 착화제를 함유하는 수용액을 생성한다.
상기 수용액내 유기산 및 착화제의 농도가 너무 낮을 경우, 적절한 세정처리효과가 수득될 수 없으며 또한, 반도체 기판 표면이 예상외로 심하게 오염된 경우, 세정처리효과가 감소할 수 있다. 한편, 수용액내 유기산의 농도가 너무 높을 경우, 적절한 세정처리효과를 수득할 수 있으나, 가격-운용 관점에서 바람직하지 않다.
한편, 착화제가 높은 온도로 사용될 경우, 적절한 세정처리효과를 수득할 수 있다. 그러나, 다량의 착화제 사용은 반도체 기판 표면상에 유기 불순물로 해로운 오염을 야기할 수 있으며, 결과적으로 반도체 전기적 성질에 특정 문제를 야기한다. 경제적인 관점에서, 착화제를 다량으로 사용하지 않는 것이 바람직하다.
일반적으로, 용액내 유기산의 농도는 0.05 내지 50 중량, 바람직하게는 1 내지 30 중량 % 의 범위에서 선택되어진다.
일반적으로 착화제는 용액내에 0.01 내지 10 중량 %, 바람직하게는 0.1 내지 1.0 중량 % 의 양으로 사용된다.
반도체 기판 표면을 세정처리하기 위하여, 표면을 상기 본 발명의 세정 처리제로 처리한다. 이를 위하여, 일반적으로 실리콘 우에이퍼를 세정처리제내에 담근다. 또한, 상기 목적은 반도체 기판 표면상에 세정처리제를 스프레이 또는 코팅을 실시하는 방법, 또는 반도체 기판 표면이 완전히 세정처리제와 접촉할 수 있는 모든 다른 방법에 의해서도 성취될 수 있다.
상기 처리는 브러쉬-스크러빙 방법 및 메가소닉방법과 같은 모든 통상적인 물리적 세정처리방법과 조합될 수 있다.
본 발명에서, 반도체 기판 표면용 세정처리제는 일반적으로 온도에서 세정효과를 나타내며, 미세 마이크로 입자의 오염물을 제거하는 효과가 온도가 높을수록 증가하기 때문에, 상기 세정처리제는 가열에 의해 높은 온도에서 사용된다.
상기 구성상의 성분과 더불어, 계면활성제, 완충액 및 유기용매와 같은 다양한 보조 성분들이, 본 발명에 따른 세정처리효과를 저해하지 않는 범위내에서, 본 발명의 세정처리제내에 함유될 수 있다.
본 발명은 하기 실시예 및 비교예를 참고로 하여 보다 자세히 설명되나, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다.
본 발명에서, 실리콘 웨이퍼 표면상의 금속성 불순물의 양은 "희석 플루오르화수소산/흑연 노(爐) 원자 흡수 분광법" 에 의해 측정되었다.
제제를 제조하고 분석작용을 실시할 경우, 극-순수 물이 사용되었고, 또한 극-순수 제제급의 플루오르화수소산이 분석용으로 사용되었다.
실시예 1
직경 6 인치의 P-형 (100) 실리콘 웨이퍼를 Fe, Al 및 Cu 를 각각 100 ppb 첨가함으로써 제조된 수용액 (각각 질산액) 내에 담근 후, 상기 금속성 이온들로 오염된 실리콘 웨이퍼를 스핀-드라이어를 사용하여 건조시켰다.
실리콘 웨이퍼 표면상에 Fe 5 ×1013원자/cm2, Al 8 ×1013원자/cm2및 Cu 2 ×1013원자/cm2가 흡착 또는 접착되었다.
상기 실리콘 웨이퍼 각각을 표 1 에 나타낸 조성을 갖는, 번호 1 에서 10 까지 명명된 본 발명의 세정처리제 각각에 담그었다. 그후, 상기 수득된 실리콘 웨이퍼 각각을 극-순수 물로 세척하고 스핀-드라이어를 사용하여 건조시켰다. 표면상의 상기 금속성 이온들의 양을 상기 방법에 의하여 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
참조예 1
실시예 1 에서 준비된 Fe, Al 및 Cu 로 오염된 실리콘 웨이퍼를 표 1 에 나타낸 조성을 갖는, 번호 11 및 12 로 명명된 각각의 용액 및 극-순수 물에 담근 후, 상기 실리콘 웨이퍼를 실시예 1 과 동일하게 처리하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
표 1 에 나타낸 데이터에서 볼수 있듯이, 본 발명의 세정처리제로 처리함으로써, 실리콘 웨이퍼 표면상의 금속성 이온의 양을 현저하게 감소시킬 수 있다.
세정처리제의 조성 웨이퍼 표면상의 금속이온의 양(원자/cm2)
No. 유기산 농도(W/W%) 착화제 농도(W/W%) Fe Al Cu
1 시트르산 5 EDTPO 0.1 1×1010 6×1011 8×1010
2 옥살산 5 헥사메타인산 0.1 3×1010 6×1012 7×1011
3 말론산 5 아세틸아세톤 0.05 8×1012 1×1012 4×1012
4 타르타르산 5 CyDTA 0.1 8×1011 6×1010 5×1010
5 시트르산 5 EDTA·2NH4 1 6×1010 8×1011 8×1010
6 시트르산 0.5 불소화암모늄 1 4×1011 1×1010 3×1011
7 시트르산 10 불소화암모늄 0.1 6×1012 3×1010 5×1012
8 시트르산 50 불소화암모늄 0.1 2×1012 2×1010 1×1012
9 옥살산 5 HEDPO 0.1 1×1010 4×1011 1×1011
10 푸마르산 1 시안화나트륨 0.1 4×1011 7×1012 1×1012
11 - - EDTA 0.1 3×1013 5×1013 2×1013
12 말산 10 - - 9×1012 1×1013 8×1012
13 - - - - 5×1013 8×1013 2×1013
실시예 2
실시예 1 에서 사용된 것들과 유사한 방법에 의해 Fe, Al 및 Cu 로 오염된 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 브러쉬-스크러빙 방법을 수행하는 경우, 각각의 실리콘 웨이퍼를 폴리비닐 알코올로 만들어진 회전 브러쉬를 사용하여, 표 2 에서 나타낸 조성을 갖는, 번호 14 에서 23 까지 명명된 본 발명의 세정처리제를 처리하였다. 각각의 실리콘 웨이퍼를 25 ℃ 에서 1 분간 처리하였다. 처리후, 상기 실리콘 웨이퍼를 극-순수 물로 세척하고, 스핀-드라이어를 사용하여 건조시켰다. 웨이퍼 표면상의 금속성 이온의 양을 실시예 1 에서 사용된 것들과 유사한 방법에의해 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
참조예 2
실시예 1 에서 사용된 Fe, Al 및 Cu 로 오염된 실리콘 웨이퍼를 세정처리하는 경우에, 폴리비닐 알코올로 만들어진 회전형 브러쉬를 사용하여, 표 2 에 나타낸 조성을 갖는, 번호 24 및 25 로 명명된 각가의 세정처리제 및 극-순수 물 (번호 26) 을 사용하였다. 상기 실리콘 웨이퍼를 실시예 2 와 유사하게 처리하고, 실리콘 웨이퍼 표면상에 잔류한 상기 금속성 이온들의 양을 측정하였다. 또한 결과를 표 2 에 나타낸다.
표 2 에서 볼수 있듯이, 기계적 세정처리를 본 발명의 세정처리제를 사용하는 것과 조합하여 수행하는 경우, 실리콘 웨이퍼 표면상에 잔류한 금속성 오염물의 양이 현저하게 감소하였음을 알수 있다. 또한, 번호 14 에서 18 까지 명명된 본 발명의 세정처리제에 의해 수행된 결과에서 볼수 있듯이, 옥살산, 시트르산, 말론산 및 숙신산과 같은 2 개 이상의 카르복실기를 갖는 유기산이 단지 1 개의 카르복실기를 갖는 유기산인 아세트산에 의해 나타난 것보다 높은 세정처리 효과를 나타낸다.
세정처리제의 조성 웨이퍼 표면상의 금속이온의 양(원자/cm2)
No. 유기산 농도(W/W%) 착화제 농도(W/W%) Fe Al Cu
14 옥살산 5 NTPO 0.5 2×1011 1×1010 2×1011
15 시트르산 5 NTPO 0.5 1×1011 2×1010 4×1011
16 말론산 5 NTPO 0.5 4×1011 4×1011 7×1011
17 숙신산 5 NTPO 0.5 5×1011 5×1011 7×1011
18 아세트산 5 NTPO 0.5 6×1011 9×1011 1×1012
19 글루타르산 1 티오시안화칼륨 5 2×1011 5×1011 4×1010
20 시트르산 20 EDDPO 1 4×1010 2×1011 1×1012
21 아디프산 1 불소화암모늄 10 8×1011 3×1010 2×1011
22 시트르산옥살산 101 EDTA 0.1 2×1011 5×1011 2×1011
23 옥살산 1 불소화암모늄헥사메타인산 0.10.1 8×1010 4×1010 8×1010
24 숙신산 1 - - 6×1012 7×1012 5×1012
25 - 1 에틸렌디아민 1 1×1012 5×1012 7×1012
26 - - - - 6×1012 6×1012 9×1012
실시예 3
그의 기판 표면상에 Al 및 Cu 의 배선이 제공된 각각이 실리콘 웨이퍼를 상기 언급된 바와 같이 실시예 1 과 유사하게 70 ℃ 에서 1 시간동안, 표 1 에서 나타낸 바와 같이 각각 번호 1 및 2 의 조성을 갖는 본 발명의 세정처리제내에 담그었다. 그 후, 상기 수득된 각각의 실리콘 웨이퍼를 극-순수 물로 세척하고, 스핀-드라이어를 사용하여 건조시켰다. 기판 표면상의 금속화된 배선을 현미경 관찰로 확인하였으며, 또한 단선이 존재하는지를 회로 시험기로 확인하였다. 그 결과, 본 발명의 세정처리제내에 담그었던 실리콘 웨이퍼 표면상에서, 금속화된 배선의, 부식 또는 단선이 관찰되지 않음을 확인하였다.
참조예 3
실시예 3 에서 사용된 것과 유사한 방법에 의해, 각각의 실리콘 웨이퍼를 HPM (HCl:H2O2:H2O = 1:1:5) 및 DHF (1% 플루오르화수소산)을 사용하여 처리하였으며, 실리콘 웨이퍼 표면상의 부식 및 단선이 있는지를 확인하였다. 그 결과, Al 및 Cu 배선이 부식되었음을 확인하였으며, 몇몇의 단선이 관찰되었다.
명세서내의 기재에서 명확히 알수 있듯이, 본 발명의 반도체 기판 표면용 세정처리제 및 상기 세정처리제를 사용하는 세정처리방법을 사용함으로써, 금속화된 배선의 부식없이 또한 당 분야에서 사용되는 강산-형 용액 또는 강알칼리-형 용액을 사용하는 경우에서처럼 표면 평탄성에 역효과를 주지않고 반도체 기판 표면상에 흡착 및 접착된 금속성 오염물을 효과적으로 제거할 수 있다.
따라서, 본 발명은 당 분야에 크게 기여할 수 있다.

Claims (22)

  1. 금속배선이 설치된 반도체 기판 표면용 세정처리제로서, (a) 모노카르복실산, 디카르복실산, 트리카르복실산, 옥시카르복실산 (단, 옥시모노카르복실산인 경우에는 갈산 제외), 및 아스파라긴산 및 글루타민산에서 선택된 아미노카르복실산으로 구성된 군으로부터 선택되는 유기산 ; 및 (b) 에틸렌디아민테트라아세트산 및 트랜스-1,2-디아미노시클로헥산테트라아세트산에서 선택된 아미노폴리카르복실산, 포스폰산 유도체, 응축 인산, 디케톤류, 아민류, 및 할로겐화물이온, 시안화물이온, 티오시안산이온, 티오황산이온 및 암모늄이온에서 선택된 무기이온으로 구성된 군으로부터 선택되는 착화제를 함유하여 이루어지는 세정처리제.
  2. 금속배선이 설치된 반도체 기판 표면용 세정처리제로서, (a) 모노카르복실산, 디카르복실산, 트리카르복실산, 옥시카르복실산 (단, 옥시모노카르복실산인 경우에는 갈산 제외) 으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 유기산 ; 및 (b) 에틸렌디아민테트라아세트산 및 트랜스-1,2-디아민시클로헥산테트라아세트산에서 선택된 아미노폴리카르복실산, 포스폰산 유도체, 응축 인산, 디케톤류, 아민류, 및 할로겐화물이온, 시안화물이온, 티오시안산이온, 티오황산이온 및 암모늄이온에서 선택된 무기이온으로 구성된 군으로부터 선택되는 착화제를 함유하여 이루어지는 세정처리제.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분 (a) 의 모노카르복실산이 포름산, 아세트산 및 프로피온산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 세정처리제.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분 (a) 의 디카르복실산이 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 말레산, 푸마르산 및 프탈산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 세정처리제.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분 (a) 의 트리카르복실산이 트리멜리트산 및 트리카르발릴릭산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 세정처리제.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분 (a) 의 옥시카르복실산이 히드록시기를 1 ∼ 2 개 갖는 것인 세정처리제.
  7. 제 6 항에 있어서, 성분 (a) 의 옥시카르복실산이 옥시모노카르복실산, 옥시디카르복실산 또는 옥시트리카르복실산인 세정처리제.
  8. 제 6 항에 있어서, 성분 (a) 의 옥시카르복실산이 히드록시부티르산, 락트산, 살리실산, 말산, 타르타르산 및 시트르산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 세정처리제.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분 (b) 의 포스폰산이 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민디(메틸렌포스폰산), 니트릴로트리스(메틸렌포스폰산) 및 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 세정처리제.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분 (b) 의 응축 인산은 트리폴리인산 및 헥사메타인산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 세정처리제.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분 (b) 의 디케톤류는 아세틸아세톤 및 헥사플루오로아세틸아세톤으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 세정처리제.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분 (b) 의 아민류는 에틸렌디아민 및 트리에탄올아민으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 세정처리제.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분 (a) 가 시트르산, 옥살산, 말론산, 타르타르산, 숙신산, 아세트산, 글루타르산, 아디프산으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 세정처리제.
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분 (b) 가 에틸렌디아민테트라 (메틸렌포스폰산), 헥사메타인산, 아세틸아세톤, 트랜스-1,2-디아미노시클로헥산테트라아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 암모늄이온, 플루오르이온, 1-히드록시에틸리덴-1,1'-디포스폰산, 니트릴로트리스(메틸렌포스폰산) 및 티오시안산이온으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 세정처리제.
  15. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 추가로 계면활성제, 완충제 및 유기용매에서 선택되는 1 종 이상을 함유하여 이루어지는 세정처리제.
  16. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 추가로 계면활성제를 함유하는 세정처리제.
  17. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 수용액인 세정처리제.
  18. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분(a)과 성분(b)를 물에 용해시켜 얻어지는 수용액으로 이루어지는 세정처리제.
  19. 제 1 항 또는 제 2 항 기재의 세정처리제를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속배선이 설치된 반도체 기판 표면의 세정처리 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 세정처리제에 금속배선이 설치된 반도체 기판을 침지하거나, 금속배선이 설치된 반도체 기판 표면에 해당 세정처리제를 분무하는 것인 세정처리 방법.
  21. 제 19 항에 있어서, 추가로 물리적 세정을 병용하는 세정처리 방법.
  22. 제 19 항에 있어서, 금속배선이 설치된 반도체 기판은 화학적 물리적 연마공정 후의 기판인 세정처리 방법.
KR1019970023398A 1996-06-05 1997-06-05 세정처리제 KR100322392B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16535396 1996-06-05
JP96-165353 1996-06-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980005773A KR980005773A (ko) 1998-03-30
KR100322392B1 true KR100322392B1 (ko) 2002-03-08

Family

ID=15810758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970023398A KR100322392B1 (ko) 1996-06-05 1997-06-05 세정처리제

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6143705A (ko)
EP (1) EP0812011B1 (ko)
KR (1) KR100322392B1 (ko)
DE (1) DE69733102T2 (ko)
TW (1) TW416987B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100532380B1 (ko) * 1998-05-12 2006-01-27 삼성전자주식회사 반도체장치의 세정방법
KR100606187B1 (ko) * 2004-07-14 2006-08-01 테크노세미켐 주식회사 반도체 기판 세정용 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법
US9845444B2 (en) 2014-11-18 2017-12-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Cleaning composition after chemical mechanical polishing of organic film and cleaning method using the same

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6896826B2 (en) 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
JP2001508239A (ja) * 1997-01-09 2001-06-19 アドバンスド ケミカル システムズ インターナショナル，インコーポレイテッド 水性フッ化アンモニウムおよびアミンを用いた、半導体ウエハ洗浄組成物および方法
US6755989B2 (en) 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
TW387936B (en) * 1997-08-12 2000-04-21 Kanto Kagaku Washing solution
US5977041A (en) * 1997-09-23 1999-11-02 Olin Microelectronic Chemicals Aqueous rinsing composition
US6479443B1 (en) 1997-10-21 2002-11-12 Lam Research Corporation Cleaning solution and method for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film
US6303551B1 (en) 1997-10-21 2001-10-16 Lam Research Corporation Cleaning solution and method for cleaning semiconductor substrates after polishing of cooper film
US6593282B1 (en) 1997-10-21 2003-07-15 Lam Research Corporation Cleaning solutions for semiconductor substrates after polishing of copper film
US6165956A (en) * 1997-10-21 2000-12-26 Lam Research Corporation Methods and apparatus for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film
JP3039493B2 (ja) * 1997-11-28 2000-05-08 日本電気株式会社 基板の洗浄方法及び洗浄溶液
DE19758533B4 (de) * 1997-12-04 2005-09-29 Micronas Gmbh Verfahren zum Strukturieren einer Oberflächenschicht
US6231677B1 (en) * 1998-02-27 2001-05-15 Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha Photoresist stripping liquid composition
JP3003684B1 (ja) * 1998-09-07 2000-01-31 日本電気株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄液
JP3279532B2 (ja) * 1998-11-06 2002-04-30 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
EP1150801B1 (en) * 1998-12-04 2005-09-07 The Farrow System Limited Method for removing surface coatings
JP4224652B2 (ja) * 1999-03-08 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
US6358847B1 (en) 1999-03-31 2002-03-19 Lam Research Corporation Method for enabling conventional wire bonding to copper-based bond pad features
JP4516176B2 (ja) * 1999-04-20 2010-08-04 関東化学株式会社 電子材料用基板洗浄液
US6562726B1 (en) 1999-06-29 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
US6395693B1 (en) * 1999-09-27 2002-05-28 Cabot Microelectronics Corporation Cleaning solution for semiconductor surfaces following chemical-mechanical polishing
US6537381B1 (en) * 1999-09-29 2003-03-25 Lam Research Corporation Method for cleaning and treating a semiconductor wafer after chemical mechanical polishing
US6194366B1 (en) * 1999-11-16 2001-02-27 Esc, Inc. Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
US6592433B2 (en) * 1999-12-31 2003-07-15 Intel Corporation Method for defect reduction
JP3645144B2 (ja) * 2000-02-24 2005-05-11 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4821082B2 (ja) * 2000-03-21 2011-11-24 和光純薬工業株式会社 半導体基板洗浄剤及び洗浄方法
US6486108B1 (en) * 2000-05-31 2002-11-26 Micron Technology, Inc. Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication
EP1310989B1 (en) 2000-06-16 2005-12-14 Kao Corporation Detergent composition
WO2001099168A1 (fr) * 2000-06-23 2001-12-27 Fujitsu Limited Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication associe
US6762132B1 (en) * 2000-08-31 2004-07-13 Micron Technology, Inc. Compositions for dissolution of low-K dielectric films, and methods of use
JP4661005B2 (ja) * 2000-09-05 2011-03-30 和光純薬工業株式会社 Ｔｉ系膜用エッチング剤及びエッチング方法
JP2002113431A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法
JP2002114993A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄剤及び洗浄方法
US6627550B2 (en) 2001-03-27 2003-09-30 Micron Technology, Inc. Post-planarization clean-up
US6627546B2 (en) 2001-06-29 2003-09-30 Ashland Inc. Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor
US6705926B2 (en) * 2001-10-24 2004-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Boron-containing polishing system and method
EP1335016A1 (en) * 2002-02-06 2003-08-13 Shipley Company LLC Cleaning composition
TWI339680B (en) * 2002-02-19 2011-04-01 Kanto Kagaku Washing liquid composition for semiconductor substrate
TWI297725B (en) * 2002-04-25 2008-06-11 Arch Spec Chem Inc Non-corrosive cleaning compositions for pemoving etch residues
JP4221191B2 (ja) * 2002-05-16 2009-02-12 関東化学株式会社 Ｃｍｐ後洗浄液組成物
WO2004016827A1 (fr) * 2002-08-19 2004-02-26 Merk-Kanto Advanced Chemical Ltd. Solution decapante
KR20050084939A (ko) * 2002-11-05 2005-08-29 메르크 파텐트 게엠베하 반도체 표면 처리 방법 및 이에 사용되는 혼합물
AU2003277597A1 (en) * 2002-11-08 2004-06-07 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Cleaning composition and method of cleaning therewith
JP4355785B2 (ja) * 2002-11-26 2009-11-04 光 小林 半導体装置製造用基板の製造方法および半導体装置の製造方法
JP4375991B2 (ja) * 2003-04-09 2009-12-02 関東化学株式会社 半導体基板洗浄液組成物
US7188630B2 (en) * 2003-05-07 2007-03-13 Freescale Semiconductor, Inc. Method to passivate conductive surfaces during semiconductor processing
US7799141B2 (en) * 2003-06-27 2010-09-21 Lam Research Corporation Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
US7648584B2 (en) * 2003-06-27 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contamination from substrate
US8316866B2 (en) * 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US8522801B2 (en) * 2003-06-27 2013-09-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7737097B2 (en) 2003-06-27 2010-06-15 Lam Research Corporation Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
US20040261823A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases
US7913703B1 (en) 2003-06-27 2011-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate
TWI362415B (en) 2003-10-27 2012-04-21 Wako Pure Chem Ind Ltd Novel detergent and method for cleaning
CN1875325B (zh) * 2003-10-29 2011-01-26 马林克罗特贝克公司 含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻/灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物
US7416370B2 (en) * 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US8323420B2 (en) 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US8522799B2 (en) * 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
US7862662B2 (en) * 2005-12-30 2011-01-04 Lam Research Corporation Method and material for cleaning a substrate
US8043441B2 (en) 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
EP1717344A4 (en) * 2004-01-23 2008-08-20 Ebara Corp PROCESS FOR PROCESSING A SUBSTRATE, CATALYST PROCESS LIQUID, AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
EP1715510B2 (en) * 2004-02-09 2016-02-24 Mitsubishi Chemical Corporation Substrate cleaning liquid for semiconductor device and cleaning method
WO2006081406A1 (en) * 2005-01-27 2006-08-03 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
US7923423B2 (en) * 2005-01-27 2011-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
EP1883863B1 (en) * 2005-05-06 2014-01-22 Avantor Performance Materials, Inc. Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist
WO2006125462A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Freescale Semiconductor, Inc Cleaning solution for a semiconductor wafer
EP2428557A1 (en) * 2005-12-30 2012-03-14 LAM Research Corporation Cleaning solution
TW200734448A (en) * 2006-02-03 2007-09-16 Advanced Tech Materials Low pH post-CMP residue removal composition and method of use
US20100273330A1 (en) * 2006-08-23 2010-10-28 Citibank N.A. As Collateral Agent Rinse formulation for use in the manufacture of an integrated circuit
US8685909B2 (en) * 2006-09-21 2014-04-01 Advanced Technology Materials, Inc. Antioxidants for post-CMP cleaning formulations
US20080076688A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Barnes Jeffrey A Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use
US20100056410A1 (en) * 2006-09-25 2010-03-04 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for the removal of photoresist for a wafer rework application
US20080148595A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas
US7897213B2 (en) * 2007-02-08 2011-03-01 Lam Research Corporation Methods for contained chemical surface treatment
TW200916571A (en) * 2007-08-02 2009-04-16 Advanced Tech Materials Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device
DE102007058829A1 (de) * 2007-12-06 2009-06-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Textur- und Reinigungsmedium zur Oberflächenbehandlung von Wafern und dessen Verwendung
US8084406B2 (en) 2007-12-14 2011-12-27 Lam Research Corporation Apparatus for particle removal by single-phase and two-phase media
US8404626B2 (en) * 2007-12-21 2013-03-26 Lam Research Corporation Post-deposition cleaning methods and formulations for substrates with cap layers
US9048088B2 (en) * 2008-03-28 2015-06-02 Lam Research Corporation Processes and solutions for substrate cleaning and electroless deposition
KR101752684B1 (ko) 2008-10-21 2017-07-04 엔테그리스, 아이엔씨. 구리 세척 및 보호 조성물
US8431516B2 (en) 2009-10-24 2013-04-30 Wai Mun Lee Composition and method for cleaning semiconductor substrates comprising an alkyl diphosphonic acid
US7947130B2 (en) 2009-10-24 2011-05-24 Wai Mun Lee Troika acid semiconductor cleaning compositions and methods of use
US8148310B2 (en) * 2009-10-24 2012-04-03 Wai Mun Lee Composition and method for cleaning semiconductor substrates comprising an alkyl diphosphonic acid
US8148311B2 (en) 2009-10-24 2012-04-03 Wai Mun Lee Composition and method for cleaning semiconductor substrates comprising an alkyl diphosphonic acid
JP6066552B2 (ja) 2011-12-06 2017-01-25 関東化學株式会社 電子デバイス用洗浄液組成物
JP6123334B2 (ja) 2012-02-17 2017-05-10 三菱化学株式会社 半導体デバイス用洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法
SG10201608964TA (en) 2012-04-27 2016-12-29 Wako Pure Chem Ind Ltd Cleaning agent for semiconductor substrates and method for processing semiconductor substrate surface
FR3046062B1 (fr) * 2015-12-23 2018-02-16 L'oreal Procede d'extraction d'ions metalliques des fibres keratiniques par application repetee d'une composition acide

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2970044A (en) * 1957-12-30 1961-01-31 Ibm Solution and process for etching indium dots
US3290174A (en) * 1961-10-09 1966-12-06 Rohr Corp Two-stage process for derusting and protecting the surfaces of ferrous materials
NL149551B (nl) * 1964-08-04 1976-05-17 Dow Chemical Co Werkwijze voor het reinigen en passiveren van ijzerhoudende metaaloppervlakken, waarop metallisch koper is afgezet.
FR1603558A (en) * 1968-12-18 1971-05-03 Cleaning heating surfaces with complexing agent soln
GB1571438A (en) * 1977-03-15 1980-07-16 Colgate Palmolive Co Cleaning compositions
US4215005A (en) * 1978-01-30 1980-07-29 Allied Chemical Corporation Organic stripping compositions and method for using same
US4217234A (en) * 1978-02-16 1980-08-12 Werner Krisp Denture cleansing tablet and method of manufacturing the same
US4209418A (en) * 1978-07-18 1980-06-24 Union Carbide Corporation Gelatin benzimidazole blends as inhibitors for carboxylic acids
US4264418A (en) * 1978-09-19 1981-04-28 Kilene Corp. Method for detersifying and oxide coating removal
US4164477A (en) * 1978-10-02 1979-08-14 Chem-X3, Inc. Fungicidal detergent composition
US4239567A (en) * 1978-10-16 1980-12-16 Western Electric Company, Inc. Removably holding planar articles for polishing operations
SU1070210A1 (ru) * 1981-09-17 1984-01-30 Предприятие П/Я А-3562 Раствор дл размерного травлени железа
US4395304A (en) * 1982-05-11 1983-07-26 Rca Corporation Selective etching of phosphosilicate glass
US4610728A (en) * 1982-10-19 1986-09-09 Ram Natesh Method and composition for dissolving deposits of magnetite
SU1153226A1 (ru) * 1982-12-23 1985-04-30 Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Энергетический Институт Композици дл отмывки отложений с поверхностей нагрева котлов и парогенераторов
US4452643A (en) * 1983-01-12 1984-06-05 Halliburton Company Method of removing copper and copper oxide from a ferrous metal surface
US4587043A (en) * 1983-06-07 1986-05-06 Westinghouse Electric Corp. Decontamination of metal surfaces in nuclear power reactors
US4529450A (en) * 1983-10-18 1985-07-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Metal oxide remover and method of using
US4626324A (en) * 1984-04-30 1986-12-02 Allied Corporation Baths for the electrolytic deposition of nickel-indium alloys on printed circuit boards
US5318717A (en) * 1984-12-28 1994-06-07 Alcon Laboratories, Inc. Use of nonionic surfactant to enhance the cleaning effect of pancreatin on contact lenses
US4623399A (en) * 1985-02-04 1986-11-18 Dowell Schlumberger Incorporated Solvent for removing iron oxide deposits
JPS61231188A (ja) * 1985-04-04 1986-10-15 Nippon Paint Co Ltd アルミニウム表面洗浄剤の管理方法
JP2504978B2 (ja) 1987-01-27 1996-06-05 株式会社リコー トナ−担持体
US4802990A (en) * 1987-07-30 1989-02-07 Inskeep Jr Eugene L Solution and method for dissolving minerals
JPS6448302A (en) * 1987-08-18 1989-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Floating type illumination device
US4845125A (en) * 1987-11-10 1989-07-04 Indianapolis Center For Advanced Research, Inc. Chemolytic EDTA-citric acid composition for dissolution of calculi
US5039441A (en) * 1988-02-10 1991-08-13 Colgate-Palmolive Company Safe acidic hard surface cleaner
US4992212A (en) * 1988-10-18 1991-02-12 Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. Alkaline light duty liquid detergents that are non-staining to aluminum
JPH03161585A (ja) * 1989-08-30 1991-07-11 Hakutou Kagaku Kk 古紙脱墨工程におけるシリカ系スケール防止剤及び防止方法
JP2940058B2 (ja) * 1990-03-05 1999-08-25 栗田工業株式会社 抄紙機の脱水部用デポジット防止方法
EP0496605B1 (en) * 1991-01-24 2001-08-01 Wako Pure Chemical Industries Ltd Surface treating solutions for semiconductors
TW263531B (ko) * 1992-03-11 1995-11-21 Mitsubishi Gas Chemical Co
NZ248582A (en) * 1992-09-24 1995-02-24 Colgate Palmolive Co Acidic, thickened cleaner containing dicarboxylic acids and aminoalkylene phosphonic acid for cleaning lime scale from acid-resistant or zirconium white enamel hard surfaces
US5389194A (en) * 1993-02-05 1995-02-14 Lsi Logic Corporation Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing
US5288332A (en) * 1993-02-05 1994-02-22 Honeywell Inc. A process for removing corrosive by-products from a circuit assembly
US5635104A (en) * 1993-06-24 1997-06-03 The Procter & Gamble Company Bleaching solutions and method utilizing selected bleach activators effective at low perhydroxyl concentrations
JPH07286172A (ja) * 1994-04-20 1995-10-31 Asahi Glass Co Ltd エッチング液およびエッチング方法
US5466389A (en) * 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5637151A (en) * 1994-06-27 1997-06-10 Siemens Components, Inc. Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing
DE19525521B4 (de) * 1994-07-15 2007-04-26 Lam Research Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Fremont Verfahren zum Reinigen von Substraten
US5460802A (en) * 1994-07-18 1995-10-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Oral disinfectant for companion animals
US5635167A (en) * 1994-12-28 1997-06-03 L'avante Garde, Inc. Removal of minerals from human hair and animal keratin fibers
US5662769A (en) * 1995-02-21 1997-09-02 Advanced Micro Devices, Inc. Chemical solutions for removing metal-compound contaminants from wafers after CMP and the method of wafer cleaning
WO1997005228A1 (fr) * 1995-07-27 1997-02-13 Mitsubishi Chemical Corporation Procede de traitement de la surface d'un substrat et composition de traitement de surface prevue a cet effet
EP0784336A3 (en) * 1995-12-15 1998-05-13 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to the fabrication and processing of semiconductor devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100532380B1 (ko) * 1998-05-12 2006-01-27 삼성전자주식회사 반도체장치의 세정방법
KR100606187B1 (ko) * 2004-07-14 2006-08-01 테크노세미켐 주식회사 반도체 기판 세정용 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법
US9845444B2 (en) 2014-11-18 2017-12-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Cleaning composition after chemical mechanical polishing of organic film and cleaning method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0812011B1 (en) 2005-04-27
KR980005773A (ko) 1998-03-30
US6514921B1 (en) 2003-02-04
EP0812011A3 (en) 1998-05-13
EP0812011A2 (en) 1997-12-10
DE69733102D1 (de) 2005-06-02
DE69733102T2 (de) 2006-03-02
US6143705A (en) 2000-11-07
TW416987B (en) 2001-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100322392B1 (ko) 세정처리제
US6410494B2 (en) Cleaning agent
JP3219020B2 (ja) 洗浄処理剤
KR100748410B1 (ko) 기판표면 세정액 및 세정방법
KR101166002B1 (ko) 반도체 디바이스용 기판 세정액 및 세정방법
US7396806B2 (en) Semiconductor cleaner comprising a reducing agent, dispersant, and phosphonic acid-based chelant
KR100813753B1 (ko) 세정방법
US6194366B1 (en) Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition
KR100913557B1 (ko) 반도체 디바이스용 기판의 세정액 및 세정방법
KR101680759B1 (ko) 기판처리용 알칼리성 수용액 조성물
KR100533194B1 (ko) 세정액
JP4736445B2 (ja) 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法
KR100995316B1 (ko) Ｃｍｐ후 세정액 조성물
US20060035797A1 (en) Semiconductor substrate cleaning liquid and semiconductor substrate cleaning process
JP2002069495A (ja) 洗浄剤組成物
JP2001007071A (ja) 電子材料用基板洗浄液
JP2010109384A (ja) スクラバ中の金属を除去する方法
KR20100100841A (ko) 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법 및 세정액
JP4498726B2 (ja) 洗浄剤
JP2007214412A (ja) 半導体基板洗浄方法
KR20000029749A (ko) 반도체기판용세정수용액
JP3198878B2 (ja) 表面処理組成物及びそれを用いた基体の表面処理方法
JP2001217215A (ja) 半導体基板の表面処理用組成物および表面処理方法
WO2020171003A1 (ja) セリウム化合物除去用洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法
KR20010063320A (ko) 반도체기판 세정방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121227

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131107

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141124

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151217

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161219

Year of fee payment: 16

EXPY Expiration of term