KR100318536B1 - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 - Google Patents
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Abstract
기판 위에는 가로 방향의 제1 및 제2 게이트선 및 제1 및 제2 게이트 전극이 형성되어 있으며, 이들과 평행한 제1 및 제2 공통 신호선 및 세로 방향의 공통 신호선 연결부가 제1 및 제2 공통 신호선과 연결되어 있다. 또한, 이들을 덮는 게이트 절연막 위에는 제1 및 제2 게이트선과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선이 형성되어 있으며, 제1 및 제2 소스 전극은 데이터선과 연결되어 있고 제1 및 제2 드레인 전극은 게이트 전극을 중심으로 제1 및 제2 소스 전극과 마주하고 있다. 각각의 드레인 전극은 각각의 공통 신호선 연결부와 중첩되어 유지 축전기를 이루는 제1 및 제2 화소 신호선과 연결되어 있으며, 데이터 배선과 제1 및 제2 화소 신호선 연결부는 보호막으로 덮여 있다. 제1 보호막 위에는 서로 평행하며, 제2 보호막의 접촉 구명을 제1 공통 신호선 연결부와 제1 화소 신호선 연결부와 각각 연결되어 있는 제1 공통 전극 및 제1 화소 전극이 형성되어 있으며, 이들을 덮는 제2 보호막 위에는 제2 보호막의 접촉 구멍을 통하여 제2 공통 신호선 연결부와 제2 화소 신호선 연결부와 각각 연결되어 있는 제2 공통 전극 및 제2 공통 전극이 형성되어 있다.
Description
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 액정 분자에 수평 전계를 인가하기 위해 동일한 기판에 형성된 전극 및 전계인가 수단인 박막 트랜지스터를 갖는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
수평 전계에 의한 액정 구동 방식으로서 종래 기술은 미국 특허 제5,598,285호에 나타나 있다.
그러나, 미국 특허 제5,598,285에서 제시된 액정 표시 장치는 화소 전극에전압을 인가하는 데이터선과 이에 인접한 공통 전극 사이에서 유발되는 전위차로 인하여 액정이 비정상적으로 구동되며, 이러한 왜곡된 구동으로 인하여 빛이 누설되어 측면 크로스 토크(cross talk)가 발생한다.
또한, 수평 전계 구동 방식의 액정 표시 장치에서는 액정 분자가 대부분 기판에 평행한 방향으로만 구동되어 구동되기 전의 원래 상태로 되돌아가는 탄성 복원력이 약하기 때문에 액정 분자의 응답 속도가 느린 단점을 가지고 있다.
본 발명의 과제는 수평 전계 구동 방식의 액정 표시 장치에서 액정 분자의 응답 속도를 향상시키는 데 있다.
본 발명의 다른 과제는 측면 크로스 토크를 최소화하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판의 구조를 개략적으로 나타낸 배치도이고,
도 2는 도 1에서 II - II' 선을 따라 도시한 단면도이고,
도 3a 내지 도 9b는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 과정을 나타내는 도면이다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 단위 화소에는 서로 다른 화상 신호가 교대로 전달되는 선형의 제1 및 제2 화소 전극과 제1 및 제2 화소 전극과 각각 일정한 간격으로 서로 마주하는 제1 및 제2 공통 전극이 형성되어 있다.
이때, 각각의 공통 전극은 서로 다른 공통 신호선과 연결되어 공통 신호가 전달되며, 각각의 화소 전극은 서로 다른 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되어 있다.
이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서 공통 신호선과 게이트 배선에는 공통 신호와 주사 신호가 교대로 인가되어 액정 분자를 구동하여 액정 분자를 빠르게 구동하게 된다.
구체적으로, 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에는, 서로 평행한 제1 및 제2 게이트선과 제1 및 제2 게이트선과 절연되어 교차하는 데이터선이 투명한 절연 기판 위에 형성되어 있다. 또한, 제1 및 제2 게이트선과 데이터선의 교차로 정의되는 단위 화소에는 데이터선으로부터 서로 다른 화상 신호가 교대로 전달되는 선형의 제1 및 제2 화소 전극과 제1 및 제2 화소 전극과 각각 일정한 간격을 두고 마주하는 선형의 제1 및 제2 화소 전극이 형성되어 있다.
이러한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은 제1 및 제2 게이트선, 데이터선, 제1 및 제2 화소 전극에 제1 및 제2 게이트 전극, 제1 및 제2 소스 전극, 제1 및 제2 드레인 전극이 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 박막 트랜지스터를 더 포함한다.
또한, 데이터선과 평행하며, 제1 및 제2 공통 전극과 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 공통 신호선 연결부를 더 포함하고, 제1 및 제2 드레인 전극과 각각 연결되어 있으며, 데이터선과 평행한 제1 및 제2 화소 신호선 연결부를 더 포함한다.
또한, 제1 및 제2 게이트선과 평행하며, 제1 및 제2 공통 신호선 연결부와 연결되어 있는 제1 및 제2 공통 신호선을 더 포함한다.
이러한 제1 및 제2 공통 신호선은 데이터선과 평행하게 화소의 긴 방향으로 형성되어 있으며, 제1 및 제2 공통 전극 및 제1 및 제2 화소 전극은 화소의 짧은 방향으로 형성되어 있으며, 액정 분자의 배향 방향은 제1 및 제2 공통 신호선 및 데이터선과 수직하다.
여기서, 데이터선에 수직인 배향 방향은 제1 및 제2 게이트선과 평행일 수 있으며, 제1 및 제2 공통 전극과 제1 및 제2 화소 전극은 제1 및 제2 게이트선과 평행할 수도 있으며 그렇지 않을 수도 있다. 평행하기 않은 경우에 제1 및 제2 공통 전극과 제1 및 제2 화소 전극은 제1 및 제2 게이트선에 대하여 5~45° 기울어져 있는 것이 바람직하며, 제1 공통 전극 및 화소 전극과 제2 공통 전극 및 화소 전극은 평행할 수 있으며, 서로 교차하는 것이 바람직하다.
또한, 개구율을 향상시키기 위하여 투명한 도전 물질로 형성할 수 있으며, 데이터선과 나란히 중첩되어 있는 저저항의 용장 데이터선을 더 포함할 수 있다.
이제 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 단위 화소에는 서로 화상 신호가 교대로 전달되는 제1 및 제2 화소 전극과 제1 및 제2 화소 전극과 일정한 간격으로 각각 마주하는 제1 및 제2 공통 전극이 형성되어 있으며, 각 쌍의 공통 전극 및 화소 전극은 서로 다른 공통 신호선 및 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있다.
먼저, 이러한 구조를 가지는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 상세하게 설명기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 단위 화소의 구성을 간략히 나타낸 배치도이고, 도 2는 도 1에서 II - II' 선을 따라 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2에 나타난 바와 같이, 투명한 절연 기판(100) 위 화소의 상하에는 가로 방향으로 제1 및 제2 게이트선(20, 22)이 각각 형성되어 있다. 여기서, 각각의 게이트선(20, 22)의 일부는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(21, 23)이 된다. 또한, 화소의 상하에는 제1 및 제2 게이트선(20, 22)과 평행하게 제1 및 제2 공통 신호선(26,28)이 형성되어 있으며, 화소의 좌우 가장자리에는 각각의 공통 신호선(26, 28)의 분지로 뻗어 있는 제1 및 제2 공통 신호선 연결부(27, 29)가 화소의 긴 방향인 세로 방향으로 형성되어 있다.
게이트 배선(20, 21, 22, 23)과 공통 신호 배선(26, 27, 28, 29) 위를 질화 규소 등으로 이루어진 게이트 절연막(30)이 덮고 있다.
제1 및 제2 게이트 전극(21, 23)의 게이트 절연막(30) 위에는 반도체인 비정질 규소로 이루어진 박막 트랜지스터의 제1 및 제2 반도체층(40, 42)이 형성되어 있고, 제1 비정질 규소층(40) 위에는 인(P) 등으로 고농도 도핑된 비정질 규소로 이루어진 저항 접촉층(51, 52)이 게이트 전극(21)을 중심으로 양쪽으로 형성되어 있다. 단면도로 나타나지 않았지만, 제2 비정질 규소층(42) 위에도 고농도로 도핑되어 있는 저항 접촉층이 형성되어 있다.
또한, 게이트 절연막(30) 위에는 게이트선(20, 22)과 교차하여 단위 화소를 정의하는 용장 데이터선(70)이 세로 방향으로 형성되어 있다.
저항 접촉층(51, 52) 위에는 각각 금속으로 이루어진 제1 소스 전극(61)과 제1 드레인 전극(62)이 형성되어 있는데, 제1 소스 전극(61)은 게이트 절연막(30) 위에 세로 방향으로 형성되어 용장 데이터선(70)을 덮고 있으며, 제1 및 제2 공통 신호선 연결부(27, 29)와 평행하게 형성되어 있는 데이터선(60)과 연결되어 있다.또한, 제2 반도체층(42)은 제1 소스 전극(61)으로부터 제2 반도체층(42)까지 연장된 제2 소스 전극(63)과 일부 중첩되어 있으며, 제2 게이트 전극(23)을 중심으로 제2 소스 전극(63)의 맞은편에는 제2 드레인 전극(64)이 형성되어 있다. 또한, 제1 및 제2 드레인 전극(62, 64)은 세로의 제1 및 제2 공통 신호선 연결부(27, 29)와 각각 중첩되어 유지 축전기를 이루는 제1 및 제2 화소 신호선 연결부(67, 69)와 연결되어 있다.
데이터 배선(60, 61, 62, 63, 64)과 화소 배선(67, 69) 및 이들에 의해 가려지지 않는 제1 및 제2 반도체층(40) 위에는 질화 규소 등의 절연 물질로 이루어진 제1 보호막(80)이 형성되어 있으며, 보호막(80)에는 제1 화소 신호선 연결부(67)와 게이트 절연막(30)과 함께 제1 공통 신호선 연결부(27)의 일부를 드러내는 접촉 구멍(81, 82)이 형성되어 있다.
제1 보호막(80) 위에는 접촉 구멍(81, 82)을 통하여 제1 화소 신호선 연결부(67) 및 제1 공통 신호선 연결부(27)와 각각 연결되어 있으며, 서로 평행하게 마주하는 선형의 제1 화소 전극(91) 및 제1 공통 전극(92)이 투명한 도전 물질인 ITO(indium tin oxide)로 형성되어 있다.
제1 보호막(80) 위에는 제1 화소 전극(91) 및 제1 공통 전극(92)을 덮는 제2 보호막(110)이 형성되어 있으며, 제2 보호막(110)에는 제1 보호막(80)과 함께 제2 화소 신호선 연결부(69)와 게이트 절연막(30) 및 제1 보호막(80)과 함께 제2 공통 신호선 연결부(29)의 일부를 드러내는 접촉 구멍(111, 112)이 형성되어 있다.
제2 보호막(110) 위에는 접촉 구멍(111, 112)을 통하여 제2 화소 신호선 연결부(69) 및 제2 공통 신호선 연결부(29)와 각각 연결되어 있으며, 서로 평행하게 마주하는 선형의 제2 화소 전극(121) 및 제2 공통 전극(122)이 ITO로 형성되어 있다.
여기서, 제1 및 제2 공통 전극(92, 122)과 제1 및 제2 화소 전극(91, 121)은 게이트선(20, 22)에 대하여 임의의 각으로 기울어져 있으며, 바람직하게는 5~45° 범위에서 기울어져 형성되어 있다.
한편, 제1 게이트 전극(21), 게이트 절연막(30), 비정질 규소층(40), 저항 접촉층(51, 52), 소스 및 드레인 전극(61, 62)은 제1 박막 트랜지스터를 이루며, 데이터선(60, 70)을 통하여 제1 화소 전극(91)에 전달되는 영상 신호를 제어한다. 또한, 제2 게이트 전극(23), 게이트 절연막(30), 제2 비정질 규소층(42), 저항 접촉층, 소스 및 드레인 전극(63, 64)은 제2 박막 트랜지스터를 이루며, 데이터선(60, 70)을 통하여 제2 화소 전극(121)에 전달되는 영상 신호를 제어한다.
이러한 액정 표시 장치에서 제1 및 제2 박막 트랜지스터는 하나의 화면을 표시하는 프레임(frame) 단위로 교대로 온/오프되며, 한 프레임에서 제1 박막 트랜지스터가 온되면, 제1 화소 전극(91) 및 제1 공통 전극(92)이 한 쌍을 이루어 액정 분자를 구동하게 된다. 이어, 다음 프레임에서 제2 박막 트랜지스터가 온되면, 제2 화소 전극(121) 및 제2 공통 전극(122)이 한 쌍을 이루어 액정 분자를 구동하게 된다. 따라서, 액정 분자가 원래의 상태로 복원되는 시간을 최소가 되고 연속적으로 구동되므로 액정 분자의 응답 속도를 단축시킬 수 있다.
또한, 화소 전극(91, 121) 및 공통 전극(92, 122)이 투명한 도전 물질로 형성되어 빛의 투과량을 향상시킬 수 있다.
이러한 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 공통 신호선(26, 28)이 데이터선(60, 70)에 평행하게 화소의 긴 방향으로 형성되어 있고, 도 1에서 보는 바와 같이 가로의 화살표 방향(→)으로 게이트선(20, 22)에 평행하게 액정 분자가 초기 배향되도록 러빙되어 있으므로, 데이터선(60, 70)과 공통 신호선(26, 28) 사이에서 전압 차가 발생하여 액정 분자가 구동되더라도 초기 배향 방향과 동일한 방향으로 구동되어 어둡게 표시하게 되므로 크로스 토크가 발생하기 않는다. 따라서, 데이터선(60)에 인접한 공통 신호선 연결부(27, 29)을 최대한 좁은 폭으로 형성하여 화소의 개구율을 증가시킬 수 있다.
또한, 화소 신호선 연결부(67, 69)와 공통 신호선 연결부(27, 29)의 중첩으로 만들어지는 유지 축전기가 화소의 긴 방향으로 형성되므로, 이들의 폭을 좁게 형성하더라도 유지 용량을 충분히 확보할 수 있다. 화소 신호선 연결부(67, 69)와 공통 신호선 연결부(27, 29)의 폭을 좁게 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있다.
여기서, 도 1에서 보는 바와 같이, 공통 전극(92, 122) 및 화소 전극(91, 121)은 초기 배향 방향에 대하여 θ만큼 기울어져 형성되어 있다. 이는 공통 전극(92, 122)과 화소 전극(91. 121) 사이에서 발생하는 전압 차로 인하여 구동되는 액정 분자에 돌아가는 방향을 결정하기 위한 것이다.
이제, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법에 대해 설명한다.
도 3a 내지 도 9b는 도 1 및 도 2에 나타난 바와 같은 액정 표시 장치용 기판의 제조 과정을 나타내는 도면으로서, 도 3b, 도 4b, 도 5b, 도 6b, 도 7b, 도 8b 및 도 9b는 도 3a, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a, 도 8a 및 도 9a에서 IIIb-IIIb', IVb-IVb', Vb-Vb', VIb-VIb', VIIb-VIIb', VIIIb-VIIIb' 및 IXb-IXb' 선을 따라 절단한 단면도이다.
먼저, 도 3a 및 3b에 나타난 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연 기판(100)에 500Å 정도의 두께로 크롬(Cr)막과 2,500Å 정도의 두께로 알루미늄-네오비듐(Al-Nd) 합금막을 차례로 증착하고 마스크를 이용한 사진 공정으로 패터닝하여 제1 및 제2 게이트선(20, 22) 및 게이트 전극(21,23)으로 이루어진 게이트 배선과 가로 방향의 제1 및 제2 공통 신호선(26, 28) 및 세로 방향의 제1 및 제2 공통 신호선 연결부(27, 29)로 이루어진 공통 배선을 형성한다.
이 때 게이트 배선용 및 공통 배선용 금속으로는 여러 가지 도전 물질이 이용될 수 있으며 크롬, 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴 등을 이용한 단일막이거나, 이들 금속을 조합한 이중막으로 게이트 배선을 형성할 수도 있다. 여기서, 게이트 배선(20, 21, 22, 23) 및 공통 배선(26, 27, 28, 29)은 크롬의 하부막과 알루미늄-네오비듐 합금의 상부막의 이중막으로 이루어진 경우이다.
도면으로 나타나지 않았지만, 제1 및 제2 게이트선(20, 22)의 끝에는 외부로부터 주사 신호를 전달받는 게이트 패드가 각각 연결되어 있다.
다음, 도 4a 내지 도 4b에 나타난 바와 같이, 기판의 전면에 질화 규소 또는 유기 절연막 등 절연성 게이트 절연막(30)을 3,000∼5,000Å의 두께로 형성하고, 약 500∼2,000Å 두께의 제1 비정질 규소층(40)과 약 500Å의 두께의 인등의 불순물로 고농도 제1 도핑된 비정질 규소층(50)을 차례로 증착한다. 마스크를 이용한 패터닝으로 제1 도핑된 비정질 규소층(50)과 제1 비정질 규소층(40)을 함께 패터닝하여 게이트 전극(21) 위에 섬 모양으로 형성한다. 이때, 제2 비정질 규소층(42)도 함께 형성하며, 단면도로 나타나지 않았지만 제2 비정질 규소층(42)의 상부에도 제2의 도핑된 비정질 규소층을 함께 형성한다.
다음, 도 5a 및 도 5b에 나타난 바와 같이, 기판(100)에 500Å 정도의 두께로 크롬(Cr)막과 2,500Å 정도의 두께로 알루미늄-네오비듐(Al-Nd) 합금막을 차례로 증착하고 마스크를 이용한 사진 공정으로 패터닝하여 제1 및 제2 게이트선(20, 22)과 교차하는 용장 데이터선(70)을 세로 방향으로 형성한다. 이때, 용장 데이터선(70)의 선폭은 6μm 정도로 좁게 형성한다.
다음, 도 6a 및 도 6b에 도시한 바와 같이, 기판(100)의 상부에 500Å 정도의 두께로 크롬을 적층하고 패터닝하여 제1 및 제2 게이트선(20, 22)과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선(60), 제1 및 제2 소스 및 드레인 전극(61, 63 : 62, 64)을 형성한다. 이때, 제1 및 제2 드레인 전극(62, 64)과 연결되어 있으며, 제1 및 제2 공통 신호선 연결부(27, 29)와 중첩되어 유지 축전기를 이루는 제1 및 제2 화소 신호선 연결부(67, 69)를 세로 방향으로 형성한다. 다음, 제1 소스 전극(61)과 제1 드레인 전극(62)으로 가리지 않는 제1 도핑된 비정질 규소층(50)을 식각하여 제1 도핑된 비정질 규소층(50)을 제1 게이트 전극(21) 양쪽으로 분리하여 제1 저항 접촉층(51, 52)을 완성하고, 제1 반도체층(40)을 드러낸다. 이때에도, 제2 소스 및 드레인 전극(63, 64)과 제2 반도체층(42) 사이에 제2 비정질 규소층을 분리하여제2 접촉층을 형성한다.
다음, 도 7a 내지 도 7b에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 전면에 질화 규소 또는 유기 절연막으로 1,500∼2,500Å 두께의 제1 보호막(80)을 형성하고, 마스크를 이용한 패터닝 공정으로 보호막(80)을 게이트 절연막(30)을 함께 식각하여 제1 공통 신호선 연결부(27) 및 제1 화소 신호선 연결부(67)를 드러내는 접촉 구멍(81, 82)을 형성한다. 이때, 게이트 패드 및 데이터 패드를 드러내는 접촉 구멍을 함께 형성하는 것이 바람직하다. 이어, 접촉 구멍(81, 82)을 통하여 알루미늄 계열의 금속이 드러나는 경우에는 이후에 형성되는 ITO(indium tin oxide)와의 접촉 특성이 좋지 않기 때문에 알루미늄 계열의 금속을 제거하는 것이 바람직하다.
다음, 도 8a 및 도 8b에 나타난 바와 같이, 기판(100)의 상부에 투명 도전막인 ITO(indium tin oxide)를 적층하고 사진 공정을 이용한 패터닝을 실시하여 접촉 구멍(81, 82)을 통하여 제1 화소 신호선 연결부(67) 및 제1 공통 신호선 연결부(27)와 연결되는 제1 화소 전극(91) 및 제1 공통 전극(92)을 형성한다. 이때, 제1 화소 전극(91) 및 제1 공통 전극(92)은 제1 및 제2 게이트선(20, 22)에 대하여 5~45° 정도 기울어지도록 형성하고, 접촉 구멍을 통하여 게이트 패드 및 데이터 패드와 연결되는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성하는 것이 바람직하다.
다음, 도 9a 내지 도 9b에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 전면에 질화 규소 또는 유기 절연막으로 1,500∼2,500Å 두께의 제2 보호막(110)을 형성하고, 마스크를 이용한 패터닝 공정으로 제2 보호막(110)을 제1 보호막(80)과 게이트절연막(30)을 함께 식각하여 제2 공통 신호선 연결부(29) 및 제2 화소 신호선 연결부(69)를 드러내는 접촉 구멍(111, 112)을 형성한다. 이때에도, 게이트 패드 및 데이터 패드를 드러내는 접촉 구멍을 함께 형성할 수 있다. 또한, 이후에도 접촉 구멍(111, 112)을 통하여 알루미늄 계열의 금속이 드러나는 경우에는 이후에 형성되는 ITO(indium tin oxide)와의 접촉 특성이 좋지 않기 때문에 알루미늄 계열의 금속을 제거하는 것이 바람직하다.
다음, 도 1 및 도 2에 나타난 바와 같이, 기판(100)의 상부에 투명 도전막인 ITO를 적층하고 사진 공정을 이용한 패터닝을 실시하여 접촉 구멍(111, 112)을 통하여 제2 화소 신호선 연결부(69) 및 제2 공통 신호선 연결부(29)와 연결되는 제2 화소 전극(121) 및 제2 공통 전극(122)을 형성한다. 이때, 제2 화소 전극(121) 및 제2 공통 전극(122)은 제1 및 제2 게이트선(20, 22)에 대하여 5~45° 정도 기울어지도록 형성하고, 이때에도 접촉 구멍을 통하여 게이트 패드 및 데이터 패드와 연결되는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성할 수 있다. 이때, 제1 화소 전극(91) 및 공통 전극(92)과 제2 화소 전극(121) 및 공통 전극(122)은 교차하도록 형성할 수 있으며, 평행하게 형성할 수도 있다.
이후, 기판의 표면에 배향막을 형성하고 액정 물질의 방향성을 주기 위한 러빙 등의 공정을 거치게 되는데, 배향 방향은 데이터선(60, 70) 및 제1 및 제2 공통 신호선(27, 29)에 수직하게 배향하는 것이 좋다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에서, 제1 및 제2 화소 전극(91, 121)과 제1 및 제2 공통 전극(92,122)을 가장 상부에 형성하여 액정 분자를 구동하기 위한 구동 전압을 낮출 수 있으며, 구동 전압을 낮추는 경우에는 공통 전극 및 화소 전극의 간격을 넓게 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있다.
또한, 공통 신호선 연결부(27, 29)를 데이터선(60, 70)과 평행하게 화소의 긴 방향으로 형성하고, 이에 수직하며 게이트선(20, 22)에 평행하게 액정 분자를 초기 배향하여 데이터선에 인접한 부분에서 발생하는 측면 크로스 토크를 제거할 수 있다. 이와 같이, 데이터선(60, 70)과 이에 인접한 제1 공통 신호선 연결부(27)를 서로 중첩시키지 않으면서 크로스 토크를 제거할 수 있어 이들 사이에서 발생하는 기생 용량을 최소화할 수 있다. 따라서, 데이터선(60, 70)을 통하여 전달되는 신호에 대한 지연을 줄일 수 있어 대화면의 액정 표시 장치에 적용할 수 있다. 또한, 공통 신호선(27)을 통하여 전달되는 공통 신호도 왜곡되지 않게 되고, 이에 따라 잔상 또는 플릭커(flicker) 현상도 줄일 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법에서 용장 데이터선(70)을 형성하는 공정을 생략할 수 있다.
본 발명의 실시예에서와 같이, 각각의 화소에 공통 전극 및 화소 전극을 쌍으로 형성하고 액정 분자를 교대로 구동하여 액정 분자의 응답 속도를 빠르게 할 수 있다. 또한, 유지 축전기 및 공통 신호선을 데이터선과 평행하게 화소의 긴 방향으로 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있으며, 빛샘 현상을 줄일 수 있는 동시에 신호에 대한 지연 또는 왜곡을 줄일 수 있다. 또한, 공통 전극 및 화소 전극을 투명한 도전물질로 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있다.
Claims (13)
- (정정) 투명 기판 위에서로 평행하게 형성되어 있는제1 및 제2 게이트선,상기 기판위에상기 제1 및 제2 게이트선과 절연되게 교차하는 데이터선,상기 제1 및 제2 게이트선과 상기 데이터선의교차에 의하여 정의되고, 상기 제1 게이트선과 상기 데이터선의 교차부에 제1 박막 트랜지스터가 형성되고, 상기 제2 게이트선과 상기 데이트선의 교차부에 제2 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 데이터선으로부터 서로 다른 화상 신호가 제1 및 제2 박막 트랜지스터를 통하여 교대로 전달되도록 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되는제1 및 제2 화소 전극과 상기 제1 및 제2 화소 전극과 각각 일정한 간격을 두고 마주하는 선형의 제1 및 제2 공통 전극이 형성되어 있는 화소를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- (정정) 제1항에서,상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터는 상기 제1 및 제2 게이트선의 일부로서의 제1 및 제2 게이트 전극, 상기 데이터선에서 돌출되는 제1 및 제2 소스 전극 및 상기 제1 및 제2 소스 전극에 대응되는 제1 및 제2 드레인 전극을 포함하는액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 데이터선과 평행하며, 상기 제1 및 제2 공통 전극과 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 공통 신호선 연결부를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 제1 및 제2 드레인 전극과 각각 연결되어 있으며, 상기 데이터선과 평행한 제1 및 제2 화소 신호선 연결부를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 제1 및 제2 게이트선과 평행하며, 상기 제1 및 제2 공통 신호선 연결부와 연결되어 있는 제1 및 제2 공통 신호선을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제5항에서,상기 제1 및 제2 공통 신호선은 상기 데이터선과 평행하게 상기 화소의 긴 방향으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제6항에서,상기 제1 및 제2 공통 전극 및 제1 및 제2 화소 전극은 상기 화소의 짧은 방향으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제7항에서,상기 제1 및 제2 공통 신호선 및 데이터선은 액정 분자의 배향 방향과 수직한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제8항에서,상기 배향 방향은 상기 제1 및 제2 게이트선과 평행한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 제1 및 제2 공통 전극과 제1 및 제2 화소 전극은 상기 제1 및 제2 게이트선에 대하여 5~45° 기울어져 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,제1 공통 전극 및 화소 전극과 상기 제2 공통 전극 및 화소 전극은 서로 교차하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,제1 공통 전극 및 화소 전극과 상기 제2 공통 전극 및 화소 전극은 투명한 도전 물질로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.
- 제1항에서,상기 데이터선과 나란하게 중첩되어 형성된 용장 데이터선을 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판.
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