KR100265567B1 - 액정표시소자및그의제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 개구율을 향상시킬 수 있는 액정 표시 소자 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 액정 표시 장치는 게이트 라인 및 데이터라인의 상단에, 층간절연막을 개재하고, 화소 전극을 형성하는 탑-ITO구조로 되어 있다. 화소 전극은 그의 둘레가 게이트 라인 및 데이터 라인과 오버랩되도록 연장되어 있다. 블랙매트릭스는 절연막을 사이에 두고 화소 전극과 오버랩되도록 형성되어 있다. 또한, 블랙매트릭스는 게이트 라인 및 데이터 라인의 상단 및 박막 트랜지스터 어레이 상단에 형성되어 있다. 화소 전극, 절연막 및 블랙매트릭스에 의해 스토리지 캐패시터가 형성된다.

Description

액정 표시 소자 및 그의 제조방법
본 발명은 액정 표시 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히, 개구울을 향상시킬 수 있는 액정 표시 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스 액정 표시 소자중의 하나인 박막 트랜지스터-LCD는 박형, 저중량 및 저소비 전력 등의 장점등으로 인하여, 노트 북 퍼스널 컴퓨터등 휴대용표시 소자에 널리 이용되고 있으며, 최근에는 차량 자동운전(car navigation) 등의 오디오 /비디오 시스템용으로 사용도가 확대되고 있을 뿐만 아니라 표시특성의 우수함으로 인해 EMS 모니터등 데스크-탑 모니터등에도 기존의 CRT의 대체품으로 그 활용이 증가되고 있다.
박막 트랜지스터-LCD가 표시특성을 우수하나, CRT 모니터에 비해서 휘도특성이 상대적으로 낮은 단점이 있다.
이러한 휴대용 박막 트랜지스터-LCD에서는 낮은 휘도를 나타내므로, 백라이트를 강화시켜야 한다. 만일 백라이트가 보강되지 않으면, 소비전력이 높아져서 축전지의 1회 사용 시간을 감소시키고, 데스크-탑 등에 이용되는 모니터용 박막 트랜지스터-LCD에서는 휘도저하에 따른 시인성 부족이 발생된다. 또한, 박막 트랜지스터-LCD가 저휘도를 갖는 이유는 판넬의 투과율이 작기 때문이며, 이러한 투과율은 편광판 등의 재료자체의 투과도 이외에도 화소부분의 개구율에 의해서 결정된다. 따라서, 개구율을 증가시키므로써, 휘도특성을 향상시킬 수 있다.
그러나, 종래기술에서는 박막 트랜지스터 화소의 설계가 개구 면적의 일정한 한계내에서 이루어지고 있다.
첫째 이유는 도1에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(1)과 화소 전극(2)사이 및 데이터 라인(3)과 화소 전극(2)사이의 전기적 커플링 효과(electrical coupling effect)를 방지하기 위하여 각각의 라인과 화소 전극사이에 3㎛이상의 간격을 유지하여야 하기 때문에, 3∼5%만큼의 개구율의 감소를 초래한다.
둘째 이유는, 이러한 간격에서 발생하는 액정 도메인(domain)에 의한 디스클리네이션(disclination)을 방지하기 위해서는 광을 블랙 매트릭스로 차단하여야 한다. 그러나, 일반적으로 칼러필터에 형성되는 블랙 매트릭스는 조립여유(assembly margin)가 고려되어야 하므로 실제로 블랙 매트릭스는 디스클리네이션(disclination)이 발생하는 면적보다 대략 5㎛이상 더 넓게 형성되어야 한다. 그러므로, LCD의 개구율이 약 6∼8% 감소하게 된다.
셋째 이유는, 종래기술에서는 디스플레이의 특성을 향상시키기 위하여, 각 화소영역에, 도2에 도시된 바와 같이, 화소 전극(2)과, 게이트 절연막(4)을 사이에 두고 배열된 스토리지 캐패시턴스형 캐패시터(Cst)의 불투명전극(5)이, 게이트 라인(1)과 분리되어, 화소 전극(2)의 내부, 즉 개구가 가능한 부분(개구 면적)에 형성되기 때문에, 스토리지 캐패시턴스형 캐패시터(Cst)가 차지하는 면적, 즉 화소 영역중 10%이상의 면적이 비개구부로 된다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 최근에 발표된 고 개구율의 설계 및 제조 기술에서는 도3 내지 도5에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터 화소에서 투명한 IT0의 화소 전극(6)을 게이트 라인(7)과 데이터 라인(8)위에 오버랩시켜서 액정의 동작면적을 확대시키는 기술이 개발되었다. 이러한 구조는 도3내지 도5에서 알 수 있는 바와 같이, 게이트 라인(7)과 화소 전극(6)사이 및 데이터 라인(8)과 화소 전극(6)사이에 저 유전율을 갖는 절연체, 예를들면 폴리이미드(polyimide)(9)로 절연시켜서, 각각의 라인과 화소 전극사이에 발생하는 전기적 커플링 효과를 방지하였으며, 또한 화소 전극의 에지부분에서 발생되는 도메인 현상을 없애기 위하여 층간절연막의 평탄화가 요구되기 때문에 폴리이미드(9)와 같은 액체상의 절연체를 스핀코팅하여 평탄화를 형성한 후, 열적 경화(thermal curing)을 진행하여 고체화시키는 기술이 적용되었다. 여기서, 도면부호(10)은 게이트 절연막, (11)은 소스 /드레인 전극, (12)는 에치 스톱퍼, 및 (13)은 보호막을 나타낸다.
그러나, 이러한 기술에서는 도3에 보여진 바와 같이, 화소의 보조용량의 역할을 하는 스토리지 캐패시터(Cst)의 불투명 전극(14)이 앞에서 설명한 개구가 가능한 부분에 위치하기 때문에, 개구율을 10%이상 감소시키는 문제점이 여전히 남아 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하기 위하여, 고개구율을 갖는 액정 표시 소자를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 고개구율을 갖는 액정 표시 소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
도1은 종래의 액정 표시 소자의 스토리지 온 코먼(storage on common) 방식의 화소구조를 보여주는 화소 레이아웃트도.
도2는 도1의 선Ⅱ-Ⅱ에 따라 취해진 단면도.
도3는 종래의 액정 표시 소자의 탑 인듐 틴 옥사이드(top-indium tin oxide)방식의 화소구조를 보여주는 화소 레이아웃트도.
도4는 도3의 선Ⅳ-Ⅳ에 따라 취해진 단면도.
도5은 도3의 선V-V에 따라 취해진 단면도.
도6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 소자의 화소구조를 보여주는 화소레이아웃트도.
도7은 도6의 선Ⅶ-Ⅶ에 따라 취해진 단면도.
도8는 도6의 선Ⅷ-Ⅷ에 따라 취해진 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : 게이트 라인 22 : 데이터 라인
24 : 박막 트랜지스터 25 : 에치 스톱퍼(반도체층)
26 : 화소 전극 28 : 층간절연막
30 : 소스/드레인전극 32 : 콘택홀
34 : 블랙매트릭스 36 : 절연막
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투명한 기판; 상기 투명한 기판상에 배열된 복수의 게이트 라인; 상기 게이트 라인과 매트릭스 형태로 배열되고, 상기 게이트 라인과 화소 영역을 한정하는 복수의 데이터 라인; 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인이 교차하는 소정부분에 형성된 박막 트랜지스터; 평탄화를 위하여, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 및 상기 박막 트랜지스터가 형성된 구조체의 상면에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터의 소정부분을 노출시키기 위한 콘택홀을 구비한 층간 절연막; 상기 화소 영역에 형성되고, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 및 상기 트랜지스터중 적어도어느 하나의 부분과 오버랩되게 연장하여 상기 층간절연막상에 형성되며, 상기 콘택흘을 통하여 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극; 상기 화소 전극상에 형성되며, 상기 오버랩 영역을 포함하도록 형성된 절연막; 및 상기 절연막상에 형성되며, 상기 게이트 라인, 상기 테이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터 영역에 형성되는 스토리지 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 견지에 의하면, 투명기판을 제공하는 단계; 상기 투명기판상에 제1금속층을 증착하고 패터닝하여 일정한 간격으로 이격된 다수개의 게이트 라인을 형성하는 단계; 결과물의 표면상에 제1절연층과 반도체층을 연속하여 형성하는 단계; 상기 반도체층을 상기 게이트 라인의 일부에만 남도록 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계; 결과물 상부에 제2금속층을 증착하고 상기 제2금속층을 패터닝하여, 규칙적으로 배열되고 게이트 라인과 교차하는 다수개의 데이터 라인 및, 박막 트랜지스터들의 소스/드레인 전극들을 형성하는 단계; 결과물상에 콘택홀을 갖는 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막상에 투명 전도성층을 증착하고 패터닝하여, 게이트 라인 및 데이터 라인과 오버랩되도록, 화소 전극을 형성하는 단계; 결과물상에 제2절연충을 형성하는 단계; 및 상기 제2절연층상에 금속층을 형성하고, 상기 금속층을 게이트 라인, 데이터 라인의 상부 및 반도체층의 상부에 남도록 패터닝하여, 스토리지 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 화소영역의 비개구부분인 게이트 라인 및 데이터 라인의 상단 및 박막 트랜지스터의 상단에 스토리지 캐패시터가 형성됨으로써, 고개구율의 LCD를 얻을 수 있다.
[실시예 1]
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
우선, 도6은 액정셀에 평행하게 형성된 스토리지 캐패시턴스형 캐패시터(Cs)를 갖는 액정 표시 소자의의 단일 화소 영역 및 그를 둘러싸는 인접화소영역들의 일부를 보여주는 레이아웃트도이다. 도7은 도6의 Ⅶ-Ⅶ'선을 따라 취해진 단면도이며, 액정 표시 소자의 패널의 하부만을 보여준다. 도8은 도6의 Ⅷ-Ⅷ'선을 따라 취해진 단면도이며, 도8도 또한 액정 표시 소자의 패녈의 하부만을 보여준다.
완전한 액정 표시 소자에는, 하부기판상에 매트릭스 형태로 서로 교차되도록 다수의 게이트 라인들(20)과, 다수의 데이터 라인들(22)이 배열되어 있다. 화소영역은 이들 2 종류의 라인들에 의해 한정되는 각각의 영역에 형성된다. 각 화소 영역에는, 게이트 라인(20)과 데이터 라인(22) 상부에 형성된 스토리지 캐패시터(Cs), 스위칭 소자로서의 박막 트랜지스터(24), 광투과 부분(개구면적; aperture area), 투명 화소 전극(26), 및 컬러 필터(도시되지 않음)가 제공된다. 다수개의 박막 트랜지스터(24)는 다수개의 화소 영역들에 각각 대응하며, 이들 박막 트랜지스터(24) 각각은 화소 영역들내에 대응하는 데이터 라인(22)과 화소 전극(26)과 연결되어 있다. 아울러, 다수개의 화소 전극(26)은 다수개의 화소 영역에 각각 대응하여 배열되어 있다.
본 실시예에서는, 액정 표시 소자의 고개구율을 향상시키기 위하여, 투명 화소 전극(26)이 게이트 라인(20)과 데이터 라인(22)의 상부까지 연장되도록 배열되는 고개구율 구조인 탑-ITO구조(top-indium tin oxide structure)를 기본으로 하고 있다.
또한, 화소 전극(26)은 그의 둘레가 게이트 라인(20)과 데이터 라인(22)과 중첩되도록 연장되어 있다.
이러한 오버랩에 따른 게이트 라인(20)과 화소 전극(26) 및 데이터 라인(22)과 화소 전극(26)사이의 전기적 커플링 효과(electrical coupling effect)를 방지하기 의하여, 그들 사이에는 유전율이 낮은 층간 절연막(28)이 형성되어 있다. 여기서, 층간절연막(18)의 두께는 3㎛이상이다. 또한, 이 층간절연막(28)은 토폴로지에 의한 배향막의 도메인의 발생을 방지하기 위하여, 예를 들면, 액체성 폴리이미드용액을 LCD의 박막 트랜지스터 및 데이터 라인이 형성된 상부에 스핀 코팅하여, 평탄화시킨 후, 경화시켜서 고체화함으로써 형성된다. 층간절연막(28)에는 도7 및 도8에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(24)의 소스 전극(30a)과 연결시키기 위하여 콘택홀(32)이 형성되어 있다.
또한, 본 실시예에서는 개구율을 보다 더 향상시키기 위하여 스토리지 캐패시터(Cs)를, 종래의 각 화소 내부(화소의 개구부분)에 형성되는 화소구조와 달리, 도6에 도시된 바와 같이, 개구면적이 아닌 화소의 비개구 부분, 즉 게이트 라인과 데이터 라인(20 및 22)의 상단 및 박막 트랜지스터의 소스/드레인(32)의 상단에 형성한다.
보다 구체적으로 살펴보면, 도7 및 도8에 도시된 바와 같이, 화소 전극(26)이 게이트 라인(20)과 데이터 라인(22)에 각각 오버랩되도록 연장, 형성되어 있으며, 스토리지 전극의 역할을 하는 블랙 매트릭스(34)는 보호막의 구실을 하는 절연막(36)을 사이에 두고 화소 전극(26)과 오버랩되도록 형성되어 있다. 여기서, 절연막(26)은 게이트 라인 및 데이터 라인(20 및 22)의 상단 및 박막 트랜지스터(24)의 어레이 상단에만 배열되어 있으며, 블랙 매트릭스(34)도 절연막(36)과 동일하게 화소영역의 비개구 부분인 게이트 라인 및 데이터 라인(20 및 22)의 상부 및 박막 트랜지스터(24)의 어레이 상단에 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(34)는 크롬 금속층으로 형성됨이 바람직하다. 또한, 절연막(36)은 약 2000Å의 두께를 갖는 질화실리콘층이 바람직하다.
여기서, 블랙 매트릭스(34)는 상술한 바와 같이, 스트리지 캐패시터를 형성하는 화소 전극(26)의 대향전극 즉, 플레이트 전극으로서의 역할을 한다. 따라서, 블랙매트릭스(34)와 화소 전극(26)의 오버랩부분에는 그것들 사이에 절연막(36)이 개재되어, 스토리지 캐패시터(Cst)가 형성되게 된다.
그리고, 이 블랙 매트릭스(34)는 게이트 패드 및 데이터 패드부분의 공통전극과 연결되어 있다. 따라서, 이 블랙매트릭스(34)에는 스토리지 캐패시터의 공통전압이 인가되게 된다.
또한, 스토리지 전극의 역할을 하는 블랙 매트릭스(34)는 종래의 상부 기판에 형성된 컬러 필터의 블랙 매트릭스의 역할을 대신하게 됨으로써, 상부 기판에 별도의 블랙 매트릭스를 형성할 필요가 없다. 따라서, 컬러 필터의 화소영역을 더 넓게 할 수 있으며, 결과적으로 박막 트랜지스터와 칼러필터의 셀조립시에 유발되는 오정렬(misalignment)에 의한 개구율의 감소도 상당히 개선할 수 있다.
[실시예 2]
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 소자의 제조공정을 나타낸다.
우선, 투명 기판(21)상에 제1금속층을 형성하고, 제1금속층을 패터닝하여 일정한 간격으로 이격된 다수개의 게이트 라인(20)을 형성한다. 이어서, 결과물의 표면상에 절연층(23)과 비정질 실리콘층을 연속하여 형성한다. 이 비정질 실리콘층을 게이트 라인(20)의 일부에만 남도록 패터닝하여 반도체층(25)을 형성한다. 이 결과물 상부에 제2금속층을 형성하고, 이어서 제2금속층을 패터닝하여, 규칙적으로 배열되고 게이트 라인(20)과 교차하는 다수개의 데이터 라인(22) 및, 박막 트랜지스터(24)들의 소스/드레인 전극들(30a 및 30b)을 형성한다. 여기서, 상기 드레인 전극(30b)은 데이터 라인(22)으로부터 연장되어 있다.
그 후, 위의 결과물 전면에 폴리이미드용액을 5㎛가량 스핀코팅하여서, 평탄화한다. 이어서, 평탄화된 폴리이미드용액을 경화(curing)를 진행하여서 고체화된 폴리이미드층의 층간절연막(28)을 형성한다.
층간 절연막(28)에, 박막 투랜지스터의 소스전극(30a)과 후공정에서 형성되는 투명한 전도성의 화소 전극을 전기적으로 연결시키기 위한 콘택홀(32)을 형성한다.
그 후, 결과물의 표면 및 콘택홀의 내부에 투명한 전도성층을 증착한다. 그리고, 이 투명한 전도성층을 패터닝하여, 각 학소영역마다 그 해당하는 게이트 라인(20) 및 데이터 라인(22)과 오버랩되도록 화소 전극(26)을 형성한다. 그 결과물상에 스토리지 캐패시터를 형성하기 위하여, 질화 실리콘층을 약 2000Å두께로 증착한다. 보호층의 질화 실리콘층을 증착한 후, 투과율의 감소를 방지하게 위하여, 도7 및 도8에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(20) 및 데이터 라인(22)의 상단 부분과, 박막 트랜지스터(24)의 상단부분에 질화 실리콘층을 남도록 패터닝하여, 절연막(36)을 형성한다.
보호층의 역할을 하는 절연막(36)상에 크롬 금속층을 형성한다. 그리고나서, 개구율의 개선시키기 위하여, 크롬 금속층을, 화소의 비개구영역인 게이트 라인 및 데이터 라인의 상부 및 박막 트랜지스터가 형성되는 채널의 상부에 형성되도록, 패터닝하여 광차단층의 블랙 매트릭스(34)를 형성한다. 이때, 질화실리콘층을 식각하지 않은 상태에, 크롬 금속충을 형성하고, 크롬 금속층을 패터닝한 후, 패터닝되고 남은 크롬 금속층을 마스크로 하여 질화 실리콘층을 식각하므로써, 절연막(36)을 형성할 수도 있다. 여기서 패턴화된 크롬 금속층의 블랙 매트릭스(34)는 스토리지 캐패시터의 전극의 역할을 하며, 그에 따라, 이 블랙 매트릭스(34)는 게이트 또는 및 데이터 패드의 공통 전극 블록(38)에 연결된다. 따라서, 블랙 매트릭스(34)에는 종래의 상부패널의 대향전극과 동일한 신호가 인가되게 된다.
블랙 매트릭스(34)를 공통전극에 연결하는 방법으로는 블랙 매트릭스의 단자끝을 액티브 이외의 영역으로 확장시켜서 컬러 필터와의 합착시 트랜스퍼의 형성에 의해 칼러필터의 ITO전극과 연결할 수 있는 방법도 있다. 이 경우 공통패드와 트랜스퍼 도팅(transfer dotting)에 의해 컬러 필터의 ITO전극에 연결된 공통 전압은 다시 트랜스퍼를 통해 블랙 매트릭스에 인가된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 화소영역의 비개구부분인 게이트 라인 및 데이터 라인의 상단 및 박막 트랜지스터의 상단에 스트리지 캐패시터가 형성됨으로써, 고개구율의 액정 표시 소자를 얻을 수 있으며, 또한 탑-ITO구조를 사용하여 게이트 라인과 화소 전극사이 및 데이터 라인과 화소 전극사이에 저 유전율을 갖는 절연층이 개재됨으로써, 각각 라인과 화소 전극사이에 발생하는 전기적 커플링 현상을 방지할 수 있다.

Claims (14)

  1. (정정) 투명한 기판; 상기 투명한 기판상에 배열된 복수의 게이트 라인; 상기 게이트 라인과 매트릭스 형태로 배열되고, 상기 게이트 라인과 화소 영역을 한정하는 복수의 데이터 라인; 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인이 교차하는 소정부분에 형성된 박막트랜지스터; 평탄화를 위하어, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 및 상기 박막 트랜지스터가 형성된 구조체의 상면에 형성되며, 상기 박막 트랜지스터의 소정부분을 노출시키기 위한 콘택홀을 구비한 층간 절연막; 상기 화소 영역에 형성되고, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 및 상기 트랜지스터중 적어도 어느 하나의 부분과 오버랩되게 연장하여 상기 층간절연막상에 형성되며, 상기 콘택홀을 통하여 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극; 상기 화소 전극상에 형성되며, 상기 오버랩 영역을 포함하도록 형성된 절연막; 및 상기 절연막상에 형성되며, 상기 게이트 라인, 상기 테이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터 영역에 형성되는 스토리지 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스토리지 전극은 상기 게이트 라인측 공통 전극 패드 또는 상기 데이터 라인측 공통 전극 패드와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  3. (정정) 제1항에 있어서, 상기 절연막은 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터 영역에 각각 대응되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스토리지 전극은 불투명 금속이고, 블랙 매트릭스 역할을 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 불투명 전극은 크롬 금속층인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 액정 표시 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 질화 실리콘층인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 층간 절연막은 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 폴리이미드는 2㎛이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  9. 투명기판을 제공하는 단계; 상기 투명기판상에 제1금속층을 증착하고 패터닝하여 일정한 간격으로 이격된 다수개의 게이트 라인을 형성하는 단계; 결과물의 표면상에 제1절연층과 반도체층을 연속하여 형성하는 단계; 상기 반도체층을 상기 게이트 라인의 일부에만 남도록 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계; 결과물 상부에 제2금속층을 증착하고 상기 제2금속층을 패터닝하여, 규칙적으로 배열되고 게이트 라인과 교차하는 다수개의 데이터 라인 및, 박막 트랜지스터들의 소스/드레인 전극들을 형성하는 단계; 결과물상에 콘택홀을 갖는 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막상에 투명 전도성층을 증착하고 패터닝하여, 게이트 라인 및 데이터 라인과 오버랩되도록, 화소 전극을 형성하는 단계; 결과물상에 제2절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제2절연층상에 금속층을 형성하고, 상기 금속층을 게이트 라인, 데이터 라인의 상부 및 반도체층의 상부에 남도록 패터닝하여, 스토리지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  10. (정정) 제9항에 있어서, 상기 제2절연층을 형성하는 단계와, 상기 금속층을 형성하는 단계 사이에 상기 제2절연층을 게이트 라인, 데이터 라인의 상부 및 반도체층의 상부에 남도록 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 액정 표시 소자의 제조방법.
  11. (정정) 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 제2절연층은 질화실리콘층인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2절연층은 약 2000Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 제2절연층상의 금속층은 크롬인 것을 특징으로 액정 표시 소자의 제조방법.
  14. (정정) 제9항에 있어서, 상기 금속층을 패터닝하여 스토리지 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 스토리지 전극을 마스크로 하여, 노출된 제2절연층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
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