KR100241175B1 - 돌출부가 형성된 컬-블록을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치 - Google Patents

돌출부가 형성된 컬-블록을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 트랜스퍼 몰딩(transfer molding) 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 몰딩 공정에 대한 신뢰성을 향상시키기 위하여 상부 금형과 하부 금형으로 분리되며 그 상부 금형과 하부 금형에 각각 형성된 캐버티와 그 캐버티에 연결되도록 형성된 런너와 그 런너와 대향하는 위치에 공기의 배출을 위하여 형성된 공기 배출홈 및 에폭시 성형 수지를 가압하여 런너로 공급하기 위하여 그 런너와 연결되도록 포트가 설치되어 있는 성형 금형과, 포트 내에서 에폭시 성형 수지를 밀어 올리기 위한 수직 운동을 하는 플런저, 및 성형 금형에 설치되며 포트와 대향하는 위치에 그 포트의 직경보다 큰 직경으로 요홈부를 갖고 있고 그 요홈부의 중앙부에 돌출되어 형성된 돌출부를 갖는 컬-블록을 갖는 것을 특징으로 하며, 불완전 성형이나 보이드의 발생을 방지할 뿐만 아니라 젤 형태의 에폭시 성형 수지의 유동성을 향상시켜 반도체 칩 패키지 조립 공정의 몰딩 공정에 대한 신뢰성을 향상시켜 보다 신뢰성 높은 제품을 얻을 수 있고 제품에 대한 수율을 향상시키킬 수 있다.

Description

돌출부가 형성된 컬-블록을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치(Transfer molding apparatus provided with a cull-block having projection part)
본 발명은 트랜스퍼 몰딩(transfer molding) 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공기로 인한 불완전 몰딩의 발생을 방지하도록 개량된 구조의 컬-블록을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치에 관한 것이다.
반도체 조립 공정 중 와이어 본딩(wire bonding) 공정을 거친 리드 프레임은 그 리드 프레임에 실장되어 있는 반도체 소자의 전기적 기능을 외부 환경으로부터 보호하기 위하여 수지 봉지된다. 이와 같은 공정을 몰딩(mloding) 공정이라한다. 반도체 소자 표면이 산화막 및 유기막으로 코팅되어 있으나 기계적으로나 화학적으로 약하기 때문에 이와 같은 몰딩 공정을 통하여 반도체 소자를 보호할 뿐만 아니라 리드 프레임과 반도체 칩의 전기적인 연결 상태를 유지하게 된다. 일반적으로 몰딩 공정은 다핀화와 패키지 외형의 정밀함 및 대량생산에 적합한 에폭시 성형 수지를 이용한 트랜스퍼 몰딩 장치가 주로 사용되고 있다. 이 트랜스퍼 몰딩 장치를 소개하면 다음과 같다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 의한 트랜스퍼 몰딩 장치에 의해 몰딩이 진행되는 상태도로서, 도 1a는 에폭시 성형 수지가 주입되기 전의 상태이고, 도 1b는 에폭시 성형 수지가 주입되는 상태이며, 도 1c는 에폭시 성형 수지가 주입된 상태를 나타내고 있다.
도 1a를 참조하면, 종래의 트랜스퍼 몰딩 장치(50)는 상부 금형(61)과 하부 금형(62)으로 이루어진 성형 금형(60)에 반도체 칩(41)이 실장되어 와이어 본딩이 완료된 상태의 리드 프레임(40)이 개재된 후 고체 상태의 에폭시 성형 수지(45)가 포트(55)에 공급되고, 도 1b에서와 같이 용융된 상태의 에폭시 성형 수지(46)를 플런저(57)에 의해 소정의 압력으로 성형 금형(60)의 런너(63)를 통하여 수지 성형 공간(67)에 주입하여 도 1c에서와 같은 상태가 되면 경화시킴으로써 반도체 칩(41)과 본딩 와이어(42) 및 리드 프레임(40)의 소정부분을 외부 환경으로부터 보호하게 된다.
이 트랜스퍼 몰딩 장치(50)는 포트(55)에 대향하는 위치의 성형 금형(21)에는 에폭시 성형 수지(46)의 유동성을 좋게 하기 위하여 컬-블록(70)을 갖고 있다.
몰딩 공정에서 사용되는 에폭시 성형 수지(45)는 몰딩 공정 전에 고체 상태인 타블렛(tablet)의 형태로 취급된다. 트랜스퍼 몰딩 장치(50)의 히터(59)에 의해 플레이트(52)가 가열되고, 이 열이 성형 금형(20)에 전달되어 포트(55) 내에서 소정의 온도 이상이 되면 고체 상태의 에폭시 성형 수지(45)는 용융되어 젤(gel) 상태(46)가 된다. 이러한 에폭시 성형 수지(45)의 상태 변화시에 타블렛 속에 내재되어 있던 공기와 고체 상태에서 젤 상태로 변화되는 과정에서 흡수된 공기가 젤 상태의 에폭시 성형 수지(46) 내에 존재하게 된다.
이 공기는 플런저(57)의 상승 운동에 의해 에폭시 성형 수지(46)가 런너(63)를 통하여 수지 성형 공간(67)으로 주입될 때 에폭시 성형 수지(46)와 함께 수지 성형 공간(67)으로 주입되고, 주입이 완료된 후 에폭시 성형 수지(46)가 경화되면, 도 1c에서 나타난 것과 같이 성형 금형(60)과 접하는 부분에 남아 있거나(48) 에폭시 성형 수지(46) 내부에 남아 보이드(void;49)로 남게 된다. 보통 에폭시 성형 수지(46)의 내부에 남아 있는 공기(47)가 런너(63)의 반대 방향에 위치한 공기 배출홈(air vent;68)을 통하여 배출되나, 미처 공기가 공기 배출홈(68)을 통하여 배출되지 못하기 때문이다.
이와 같이 배출되지 못한 공기중 성형 금형(60)에 접하는 것들은 불완전 성형을 유발하고, 에폭시 성형 수지(46)의 내부에 잔존하는 공기는 보이드로 남게 되어 열에 의한 응력의 발생시에 패키지 크랙(package crack)을 발생시키기 때문에 패키지 신뢰성은 크게 영향을 받는다.
특히, 종래 기술에 의한 트랜스퍼 몰딩 장치(50)는 컬-블록(70)과 포트(55)에 의해 만들어지는 공간(78)에 있는 공기는 상부 금형(61)과 하부 금형(62)이 정합되어 플런저(57)가 상승할 때, 공기 배출홈(68)을 통하여 완전히 배출되지 못한다. 고체 상태의 에폭시 성형 수지(45)가 젤 상태(46)로 변화되면서 부피가 증가하게 되고 플런저(57)가 상승될 때 컬-블록(70)과 포트(55)에 의해 만들어지는 공간(78)에 있는 공기가 완전히 배출되기 전에 도 1b에서와 같이 액상의 에폭시 성형 수지(46)가 런너(63)를 점유하게 된다. 이 상태에서 플런저(57)가 계속 동작을 하면 공기(47)가 뒤늦게 런너(63)를 통하여 흘러들어가고 공기 배출홈(68)을 통하여 배출되기 전에 에폭시 성형 수지(46)가 경화된다. 플런저(57)가 컬-블록(70)의 파여진 부분까지 완전히 밀착되기 전에는 이 공기는 완전한 배출이 이루어지지 않게 된다. 이러한 이유로 몰딩이 완료되면 불완전 성형이나 보이드의 발생이 많아지게 된다.
더욱이, 공기 배출홈(68)을 통하여 공기 배출이 늦어질 경우 공기 배출홈(68)에서 에폭시 성형 수지가 경화되어 막히는 필름 현상이 발생된다. 이로 인하여, 공기 배출에 지장을 초래하여 몰딩공정에서의 불량은 더욱 커진다.
따라서 본 발명의 목적은 상기한 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 몰딩 공정에 대한 신뢰성을 향상시키기 위하여 몰딩 공정을 진행할 때 런너쪽으로 흘러들어가는 공기의 양을 최소화하고 에폭시 성형 수지의 유동성을 향상시키는 데 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 의한 트랜스퍼 몰딩 장치에 의해 몰딩이 진행되는 상태도,
도 2는 본 발명에 의한 트랜스퍼 몰딩 장치의 구성도,
도 3은 본 발명에 의한 트랜스퍼 몰딩 장치의 컬-블록 부분을 나타낸 사시도,
도 4는 본 발명에 의한 컬-블록의 평면도,
도 5는 컬-블록과 포트 부분의 단면도,
도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 의한 트랜스퍼 몰딩 장치로 몰딩이 진행되는 상태를 나타낸 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10,50 ; 트랜스퍼 몰딩 장치 12,52 ; 플레이트
13,53 ; 상부 플레이트 14,54 ; 하부 플레이트
15,55 ; 포트(pot) 17,57 : 플런저
19,59 ; 히터(heater) 20,60 ; 성형 금형
21,61 ; 상부 금형 22,62 ; 하부 금형
23,63 ; 런너(runner) 24,64 ; 게이트(gate)
25,65 : 상부 캐버티 26,66 ; 하부 캐버티
27,67 ; 수지 성형 공간 28,68 ; 공기 배출홈(air vent)
30,70 ; 컬-블록(cull-block) 34 ; 돌출부
36,37,76,77 ; 이젝트 핀(eject pin)
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 돌출부가 형성된 컬-블록을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치는 성형 금형과 플런저 및 돌출부가 형성된 컬-블록을 포함하고 있다.
성형 금형은 상부 금형과 하부 금형으로 분리되며 그 상부 금형과 하부 금형이 분리된 상태로 반도체 칩이 실장된 리드 프레임이 탑재되고 그 상부 금형과 하부 금형이 정합되어 그 리드 프레임을 고정시킨다.
이 성형 금형은 상부 금형과 하부 금형에 각각 캐버티가 형성되어 있으며, 그 캐버티에 연결되도록 형성된 런너와 상기 런너와 대향하는 위치에 형성되어 공기가 배출되는 공기 배출홈이 형성되어 있고, 에폭시 성형 수지를 가압하여 런너로 공급하기 위하여 그 런너와 연결되도록 포트가 설치되어 있다.
플런저는 포트 내에서 에폭시 성형 수지를 밀어 올리기 위한 수직 운동을 한다.
컬-블록은 성형 금형에 설치되며 포트와 대향하는 위치에 상기 포트의 직경보다 큰 직경으로 파여진 부분을 갖고 있고 그 파여진 부분의 중앙부에 돌출되어 형성된 돌출부를 갖는다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 돌출부가 형성된 컬-블록을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명에 의한 트랜스퍼 몰딩 장치의 구성도로서, 복수의 플런저를 갖는 멀티 플런저(multi plunger)형 트랜스퍼 몰딩 장치이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 트랜스퍼 몰딩 장치(10)는 상부 플레이트(13)와 하부 플레이트(14)로 이루어진 플레이트(12)와 상부 금형(21)과 하부 금형(22)으로 이루어진 성형 금형(20), 및 컬-블록(30)과 플런저(17)로 크게 구분될 수 있다.
상부 플레이트(13)와 하부 플레이트(14)는 제품에 따라 변화되는 상부 금형(21)과 하부 금형(22)을 고정하기 위한 것으로서, 성형 금형(20)을 예열하기 위한 가열 수단으로서 히터(heater;도시안됨)가 상부 플레이트(13)와 하부 플레이트(14)에 각각 설치되어 있다.
성형 금형(20)은 반도체 칩이 실장된 리드 프레임의 몰딩을 위하여 그 리드 프레임을 사이에 탑재하여 성형할 수 있도록 소정의 깊이와 형상으로 각각 캐버티(25,26)가 형성되어 있는 상부 금형(21)과 하부 금형(22)으로 이루어져 있다.
하부 금형(22)에는 상하 운동하는 플런저(17)가 에폭시 성형 수지(45)를 가압할 수 있도록 포트(15)가 형성되어 있다. 그리고, 그 포트(15)를 중심으로 서로 대향하여 배치되도록 하여 캐버티(26)가 형성되어 있다. 이 캐버티(26)를 하부 캐버티라 하기로 한다. 이 하부 캐버티(26)는 런너(23)에 의해 포트(15)와 연결되어 있다. 여기에서는 포트(15) 하나에 하부 캐버티(26) 두 개가 런너(23)에 의해 연결되어 있으며, 이러한 형태의 포트(15)와 하부 캐버티(26)가 하부 금형(22)에 복수 개 형성되어 있다. 런너(23)의 반대쪽 부분에는 공기를 배출하기 위한 공기 배출홈(28)이 형성되어 있다. 하부 캐버티(26)의 하부에는 몰딩이 완료된 제품을 분리시키기 위하여 이젝트 핀(eject pin;36)이 설치되어 있다.
상부 금형(21)에는 하부 금형의 하부 캐버티(26)에 대응하는 위치에 캐버티(25)를 갖고 있다. 이 캐버티(25)를 상부 캐버티라 하기로 한다. 그리고, 포트(15)에 대응하는 위치에는 에폭시 성형 수지(45)를 유동적으로 공급하기 위해 반구 형상으로 움푹 파여지고 중앙부에 돌출되어 형성된 돌출부(34)를 갖고 있는 컬-블록(30)이 설치되어 있다. 이 컬-블록(30)을 좀 더 상세히 살펴보기로 하자.
도 3은 본 발명에 의한 트랜스퍼 몰딩 장치의 컬-블록이 설치된 상부 금형 부분을 나타낸 사시도이고, 도 4는 본 발명에 의한 컬-블록의 평면도이며, 도 5는 컬-블록과 포트 부분의 단면도이다.
도 3내지 도 5를 참조하면, 컬-블록(30)은 요홈부(32)를 가지고 있으며, 그 요홈부(32)의 중앙부에 돌출부(34)가 형성되어 있다. 이 돌출부(30)는 도 5에서 보여지는 것과 같이 포트((15)의 직경 c와 동일한 직경 a를 가지며, 돌출부(34)의 측면 G는 포트(15)의 내주면 E와 동일한 수직선상에 있도록 되어있다. 이것은 플런저(17)에 의해 소정의 압력으로 에폭시 성형 수지가 밀어올려질 때 에폭시 성형 수지를 런너(23)쪽으로 방향전환시키기에 적합하기 때문이다. 돌출된 정도 b는 컬-블록(30)의 상면 F와 동일 수평면상에 위치하도록 하는 만큼이다. 컬-블록(30)의 상면 F보다 아래쪽에 위치하도록 돌출될 수도 있다. 이 돌출부(34)는 포트(15)에 대향하는 면의 가장자리 안쪽이 가장자리 보다 낮은 위치가 되도록 움푹 파여져 있다. 이것은 플런저(17)와 접촉되는 면적을 줄여 마찰을 줄이기 위한 것으로서 플런저(17)나 컬-블록(30)의 수명을 연장시키는 데 효과적이다. 그리고, 돌출부(34)를 중심으로 외측에 홈(33)이 형성된 형태이다. 이 홈(33)은 요홈부(32)를 중심으로 대칭을 이루도록 형성되어 있으며, 그 수는 런너의 수와 동일한 수이다. 이 홈을 통하여 수직으로 밀어 올려지는 에폭시 성형 수지 흐름의 방향을 런너쪽으로 유연하게 흘러들어가도록 전환시켜주며 돌출부(34)를 중심으로 서로 대칭이어서 에폭시 성형 수지의 흐름은 균형적으로 배분될 수 있다.
이와 같은 컬-블록(30)은 상부 금형(21)들 사이에 위치하도록 설치되며, 그 설치와 분리가 가능하여 제품의 종류나 에폭시 성형 수지의 사양에 따라 교체하여 줄 수 있다.
이와 같은 구조의 트랜스퍼 몰딩 장치의 동작을 도 6a내지 도 6c를 참조하여 살펴보기로 한다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 의한 트랜스퍼 몰딩 장치로 몰딩이 진행되는 상태를 나타낸 단면도로서, 도 6a는 몰딩이 시작되기 전의 상태이고, 도 6b는 몰딩이 진행되고 있는 상태이며, 도 6c는 몰딩이 완료된 상태를 나타내고 있다.
도 6a를 참조하면, 상기 구조와 같은 트랜스퍼 몰딩 장치(10)에서 하부 금형(22)의 상부에 반도체 칩(41)이 실장된 리드 프레임(40)이 탑재되고, 상부 금형(21)이 하강되어 리드 프레임(40)이 클램핑된다. 이때, 반도체 칩(41)과 리드 프레임(40)은 와이어 본딩(wire bonding)에 의해 전기적 연결이 완료된 상태이고, 이 반도체 칩(41)과 그에 전기적으로 연결된 소정 부분의 리드 프레임(40)이 상부 캐버티(25)와 하부 캐버티(26)에 의해 형성되는 수지 성형 공간(27) 내에 위치하고 있는 상태이다.
하부 금형(22)의 포트(15) 내에 고체 형태의 에폭시 성형 수지 타블렛(epoxy molding compound tablet; 45)이 삽입된다. 상부 금형(21)과 하부 금형(22)은 상부 플레이트(12)와 하부 플레이트(13)에 설치되어 있는 히터(19)에 의해 고체 상태의 에폭시 성형 수지 타블렛(45)을 젤(gel) 상태로 변화시키기에 충분한 온도인 약 170~180℃ 정도로 예열되어 있는 상태이다. 고체 상태의 타블렛(45)은 이 온도 조건에 의해 고체 상태에서 젤 상태로 상태 변화를 일으킨다.
여기서, 컬-블록(30)은 돌출부(34)를 갖고 있기 때문에 포트(15)와 컬-블록(30)에 의해 형성되는 공간(78)은 종래에 비해 돌출부(34)만큼 줄어들어 배출될 공기양도 그만큼 줄어들게 된다.
도 6b를 참조하면, 포트(15) 내에 있는 에폭시 성형 수지(46)가 젤 상태로 변화되면 플런저(57)가 상승 운동되어 에폭시 성형 수지(46)를 밀어올리게 된다. 플런저(57)에 의해 압력을 받은 성형 수지(46)는 컬-블록(30)의 돌출부(34)에 부딪치면서 런너(23)쪽으로 흘러들어간다. 이때, 컬-블록(30)이 돌출부(34)를 갖고 있기 때문에 에폭시 성형 수지(46)가 공기가 어느 정도 배출되기 전까지는 런너(23)가 점유되지 않는다. 공기는 에폭시 성형 수지(46)가 공급되는 경로를 따라서 밀려나가고 최종적으로 공기 배출홈(28)으로 배출된다. 런너(23)가 점유될 때는 이미 공기가 어느 정도 배출된 상태이고 플런저(17)의 계속적인 상승 운동에 의해 잔류된 공기가 공기 배출홈(28)으로 배출된다.
도 6c를 참조하면, 에폭시 성형 수지(46)가 완전히 수지 성형 공간(도 6b의 27)에 주입되어 반도체 칩(41)과 리드 프레임(40)의 소정 부분이 봉지되고, 그 상태로 에폭시 성형 수지(46)가 경화된다. 성형 금형(20) 내부에 존재하는 공기가 공기 배출홈(28)을 통하여 모두 외부로 배출된 상태이므로 에폭시 성형 수지(46) 내부에 보이드가 형성되지 않고 우수한 몰딩 상태가 된다. 경화가 완료되면 상부 금형(21)과 상부 플레이트(13)의 결합체가 상승되거나 하부 금형(22)와 하부 플레이트(14)의 결합체가 하강하고 하부 금형(22)쪽에 설치되어 있는 이젝트 핀(36)이 상승운동하여 몰딩 완료된 리드 프레임(40)을 하부 금형(22)으로부터 쳐올려 분리시킨다.
이상과 같은 본 발명에 의한 트랜스퍼 몰딩 장치는 컬-블록의 돌출부로 인하여 에폭시 성형 수지가 주입되는 경로에 있는 공기의 양이 종래에 비해 크게 줄어든다. 따라서, 배출될 공기의 양이 줄어들어 에폭시 성형 수지가 수지 성형 공간에 채워질 때 에폭시 성형 수지에 내재되는 양이 크기 줄어들게 된다. 또한, 컬-블록의 돌출부로 인하여 컬-블록과 포트에 의해 형성되는 공간에 존재하고 있던 공기가 거의 대부분이 배출되기 전까지는 에폭시 성형 수지가 런너를 점유하지 않게 되어 공기의 배출이 더욱 원할하게 이루어질 수 있다.
또한, 돌출부를 갖는 컬-블록으로 인하여 공기의 배출이 원할하게 이루어지면 에폭시 성형 수지 내부에 잔존하는 공기가 거의 없어지기 때문에 내부 압력을 유지할 수 있기 때문에 에폭시 성형 수지의 유동성을 향상시킬 수 있다. 유동성의 향상은 필름 현상의 발생을 방지하기도 한다.
상기 일 실시예로 설명한 멀티 플런저형 트랜스퍼 몰딩 장치는 성형 금형에 복수의 포트가 설치되어 있고, 하나의 포트에 두 개의 캐버티가 연결된 형태의 것으로서, 포트와 캐버티와의 거리가 짧기 때문에 돌출부를 갖는 컬-블록의 효과를 배가시킬 수 있으며, 몰딩에 대한 신뢰도를 상승시킨다.
따라서 본 발명에 의한 돌출부가 형성된 컬-블록을 갖는 트랜스퍼 몰딩 장치에 따르면 배출되는 공기의 양을 최소화하여 불완전 성형이나 보이드의 발생을 방지할 뿐만 아니라, 젤 형태의 에폭시 성형 수지의 유동성을 향상시키고 내압을 일정하게 유지할 수 있어 반도체 칩 패키지 조립 공정의 몰딩 공정에 대한 신뢰성을 향상시켜 보다 신뢰성 높은 제품을 얻을 수 있고 제품에 대한 수율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 더욱이, 에폭시 성형 수지의 사용량을 줄일 수 있어 원가 절감의 효과도 얻을 수 있다.

Claims (15)

  1. 상부 금형과 하부 금형으로 분리되며, 그 상부 금형과 하부 금형이 분리된 상태로 반도체 칩이 실장된 리드 프레임이 탑재되고 그 상부 금형과 하부 금형이 정합되어 그 리드 프레임을 고정시키며, 상기 상부 금형과 상기 하부 금형에 각각 캐버티가 형성되어 있으며, 상기 캐버티에 연결되도록 형성된 런너와 상기 런너와 대향하는 위치에 형성되어 공기가 배출되는 공기 배출홈이 형성되어 있고, 에폭시 성형 수지를 가압하여 상기 런너로 공급하기 위하여 그 런너와 연결되도록 포트가 설치된 성형 금형;
    상기 포트 내에서 에폭시 성형 수지를 밀어 올리기 위한 수직 운동을 하는 플런저; 및
    상기 성형 금형에 설치되며, 상기 포트와 대향하는 위치에 상기 포트의 직경보다 큰 직경으로 파여진 요홈부를 갖고 있고, 그 요홈부의 중앙부에 돌출되어 형성된 돌출부를 갖는 컬-블록;
    을 갖는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 돌출부는 포트에 대향하는 쪽의 면이 반구형상으로 파여져 있는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 성형 금형은 센터 게이트형인 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 돌출부는 직경이 상기 포트에 대향하는 포트의 직경과 동일한 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 트랜스퍼 몰딩 장치는 상기 포트와 상기 컬-블록이 복수개인 멀티 플런저형인 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 컬-블록은 상기 돌출부 외각에 형성되는 홈이 런너의 수와 동일한 수인 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 컬-블록은 상기 돌출부 외각에 형성되는 홈이 런너와 대응되는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 컬-블록은 상기 돌출부 외각에 형성된 홈이 상기 돌출부를 중심으로 서로 대칭이 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 하부 금형과 대향하는 상기 컬-블록의 면보다는 아래쪽에 위치하도록 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 트랜스퍼 몰딩 장치는 상기 포트가 하부 금형에 형성되고, 상기 컬-블록이 상부 다이에 설치되는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 하부 금형에 대향하는 상기 컬-블록의 면과 동일한 수평면상에 있도록 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  12. 제 1항에 있어서 상기 돌출부는 외주면과 상기 포트의 내주면이 동일 수직선상에 있도록 형성된 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 컬-블록은 복수의 홈이 독립적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 컬-블록은 상기 성형 금형에 결합과 분리가 가능한 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 포트가 형성되어 있는 금형과 대향하는 위치의 컬-블록 면과 동일 수평면상에 있거나 아래쪽에 있는 것을 특징으로 하는 트랜스퍼 몰딩 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103021902A (zh) * 2011-09-21 2013-04-03 国碁电子(中山)有限公司 半导体封装铸模装置及方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001179748A (ja) * 1999-12-28 2001-07-03 Teeantee:Kk 樹脂モールド用金型
IT1318257B1 (it) * 2000-07-27 2003-07-28 St Microelectronics Srl Lead-frame per dispositivi a semiconduttore.
KR100521977B1 (ko) * 2000-10-17 2005-10-17 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 몰드블럭
KR100715313B1 (ko) * 2001-05-15 2007-05-08 삼성전자주식회사 반도체용 성형금형
US6555400B2 (en) 2001-08-22 2003-04-29 Micron Technology, Inc. Method for substrate mapping
US6666997B2 (en) * 2001-10-02 2003-12-23 Micron Technology, Inc. Method for removing cleaning compound flash from mold vents
SG120053A1 (en) * 2001-10-05 2006-03-28 Advanced Systems Automation Apparatus for molding a semiconductor wafer and process therefor
US7264456B2 (en) * 2001-10-10 2007-09-04 Micron Technology, Inc. Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems
US6515312B1 (en) * 2001-12-03 2003-02-04 Windell Corporation Method for packaging organic electroluminescent device
JP2006093588A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Nec Electronics Corp 表面に突起部を有する半導体装置および半導体パッケージの識別方法。
KR100611438B1 (ko) * 2005-04-06 2006-08-09 에스티에스반도체통신 주식회사 반도체 패키지 몰딩시 금선의 오버랩 방지장치
JP5735109B2 (ja) 2010-08-13 2015-06-17 グリーン， ツイード オブ デラウェア， インコーポレイテッド 高体積繊維負荷を有する熱可塑性繊維複合材ならびにそれを作製するための方法および装置
JP5781962B2 (ja) * 2012-02-28 2015-09-24 アスモ株式会社 ウォッシャノズル
KR20130100526A (ko) * 2012-03-02 2013-09-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지 제조장치
US20140275915A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Medtronic, Inc. Implantable medical device including a molded planar transformer
TWI529059B (zh) * 2013-11-29 2016-04-11 Taiwan Green Point Entpr Co Injection molding machine and the use of the tablet press detection system and detection methods
US9484228B2 (en) 2014-10-01 2016-11-01 Apple Inc. Simultaneous independently controlled dual side PCB molding technique
US10099411B2 (en) 2015-05-22 2018-10-16 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for simultaneously encapsulating semiconductor dies with layered lead frame strips
US11621181B2 (en) * 2020-05-05 2023-04-04 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Dual-sided molding for encapsulating electronic devices

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59201429A (ja) * 1983-04-28 1984-11-15 Toshiba Corp 半導体樹脂封止装置
JPS61219613A (ja) * 1985-03-27 1986-09-30 Hitachi Hokkai Semiconductor Kk トランスフアモ−ルド装置
US4708613A (en) * 1985-03-27 1987-11-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Plunger for a multi-plunger type resin mold device
JPS6319218A (ja) * 1986-07-11 1988-01-27 Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd モ−ルド装置
US5123826A (en) * 1990-02-13 1992-06-23 Motorola, Inc. Molding pot having configured bottom
JPH04147814A (ja) * 1990-10-11 1992-05-21 Daiichi Seiko Kk 樹脂封入成形用金型
JPH0820046A (ja) * 1994-07-06 1996-01-23 Sony Corp 樹脂成形用金型

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103021902A (zh) * 2011-09-21 2013-04-03 国碁电子(中山)有限公司 半导体封装铸模装置及方法

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Publication number Publication date
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TW437022B (en) 2001-05-28

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