JPS609131A - 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置Info
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- JPS609131A JPS609131A JP11588383A JP11588383A JPS609131A JP S609131 A JPS609131 A JP S609131A JP 11588383 A JP11588383 A JP 11588383A JP 11588383 A JP11588383 A JP 11588383A JP S609131 A JPS609131 A JP S609131A
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- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の技術分野
本発明は半導体の製造方法及びその製造装置に関し、特
に、半導体チップとデンディングワイヤが組付けられた
リードフレームを、合せ金型を用いて樹脂封止を行う半
導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置に関するもの
である。
に、半導体チップとデンディングワイヤが組付けられた
リードフレームを、合せ金型を用いて樹脂封止を行う半
導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置に関するもの
である。
幹）技術の背景
一般に、半導体製造工程において、半導体チップ（ＩＣ
Ｃチックを封入するパッケージ（容器）としては、密閉
空間内に封入するもの（金ハパッケージ、セラミック・
母、ケージ等）と、半導体チツブを直接埋設して封入す
るもの（樹脂封止パッケージ等）がある。後者の直接埋
設方法としては１、金型を用い、この金型に樹脂を加圧
注入して封止樹脂を成形する方法と、液状の樹脂中にリ
ード付の半導体を直接浸漬して封止樹脂を形成する方法
がある。
Ｃチックを封入するパッケージ（容器）としては、密閉
空間内に封入するもの（金ハパッケージ、セラミック・
母、ケージ等）と、半導体チツブを直接埋設して封入す
るもの（樹脂封止パッケージ等）がある。後者の直接埋
設方法としては１、金型を用い、この金型に樹脂を加圧
注入して封止樹脂を成形する方法と、液状の樹脂中にリ
ード付の半導体を直接浸漬して封止樹脂を形成する方法
がある。
この金型を用いて半導体チップを直接埋設して封入する
樹脂封止パッケージは、通常、金属製のリードフレーム
上に半導体チ、ｆをダイボンドしてからワイヤボンディ
ンダを施した後、このリードフレームを所定の金型に収
容配置して、金型内に熱硬化性樹脂を加圧注入して成形
される。そして、この金型には、通常、前述の如きリー
ドフレームを収容配置するだめのキャビティと呼ばれる
空間部（成形物の形状をした空間）が複数個配列して形
成され、このキャビティに直接連通して注入口としての
役目を果すダートと呼ばれる細い通路が形成され、この
ダートに連通するランナーと呼ばれる通路が形成され、
さらにこのランナーに連通する穴部が形成されている場
合が多い。この穴部（以下、ポットと呼ぶ）に予備加熱
した封止用の樹脂材料（熱硬化性樹脂）を供給し、この
供給樹脂をプランジャーによりて前記ランナー及びダー
トを介してキャビティ内に加圧注入することによシ、封
止樹脂が成形される。しかし、この種の封止樹脂成形に
おいては、金型の各通路に残留した樹脂が無駄になシ、
またキャビティ内に流入した樹脂がリードフレームに組
付けられた細いボンディングワイヤに直接接触するので
、ワイヤを変形して悪影響を及ばず場合がある。従って
、このような封止樹脂の成形工程における半導体装置の
樹脂封止方法及びその装置としては、樹脂材料の歩留シ
が良好で、かつデンディングワイヤに対し悪影響を与え
ない方法及び装置が要望されている。
樹脂封止パッケージは、通常、金属製のリードフレーム
上に半導体チ、ｆをダイボンドしてからワイヤボンディ
ンダを施した後、このリードフレームを所定の金型に収
容配置して、金型内に熱硬化性樹脂を加圧注入して成形
される。そして、この金型には、通常、前述の如きリー
ドフレームを収容配置するだめのキャビティと呼ばれる
空間部（成形物の形状をした空間）が複数個配列して形
成され、このキャビティに直接連通して注入口としての
役目を果すダートと呼ばれる細い通路が形成され、この
ダートに連通するランナーと呼ばれる通路が形成され、
さらにこのランナーに連通する穴部が形成されている場
合が多い。この穴部（以下、ポットと呼ぶ）に予備加熱
した封止用の樹脂材料（熱硬化性樹脂）を供給し、この
供給樹脂をプランジャーによりて前記ランナー及びダー
トを介してキャビティ内に加圧注入することによシ、封
止樹脂が成形される。しかし、この種の封止樹脂成形に
おいては、金型の各通路に残留した樹脂が無駄になシ、
またキャビティ内に流入した樹脂がリードフレームに組
付けられた細いボンディングワイヤに直接接触するので
、ワイヤを変形して悪影響を及ばず場合がある。従って
、このような封止樹脂の成形工程における半導体装置の
樹脂封止方法及びその装置としては、樹脂材料の歩留シ
が良好で、かつデンディングワイヤに対し悪影響を与え
ない方法及び装置が要望されている。
（ハ）従来技術と問題点
第１図から第４図は従来の半導体装置の樹脂封止方法及
び樹脂封止装置を説明するだめの図である。第１図は第
１の従来例における金型（下型）の部分平面図、第２図
は第１図のＡ−Ａ’線断面図（但し、上型を衝合配置し
た状態）、第３図は第２の従来例における金型（下型〕
の部分平面図、第４図は第３図のＢ −Ｂ’線断面図（
但し、上型を衝合配置した状態ンである・ 第１図と第２図において、符号１０は金型を示し、１１
は下型、１２は上型、１３は供給ポット（成形物のカル
部に相当）、１４はランナー、１５は注入ダート、１６
はキャビティ、１７はリードフレーム１．１７ａはリー
ドフレーム（１７）と一体状に形成されたダイスステー
ジ、１８は半導体チップ、１９はボンディングワイヤを
それぞれ示す。この従来例の場合は、第１図に示すよう
に、ポット１３に連通ずる複数本のランナー１４（この
場合は４本構成）が設けられ、これら各ランナー１４の
両側に複数個（この場合、１本のランナーに対して１０
個ンのキャビティ１６が配置形成され、かつランナー１
４とキャビティ１６は注入グー）１５を介して連通され
ている。尚、下型１１に設けられたポット１３に対応し
て上型」２にもポット（図示なし）が形成されている。
び樹脂封止装置を説明するだめの図である。第１図は第
１の従来例における金型（下型）の部分平面図、第２図
は第１図のＡ−Ａ’線断面図（但し、上型を衝合配置し
た状態）、第３図は第２の従来例における金型（下型〕
の部分平面図、第４図は第３図のＢ −Ｂ’線断面図（
但し、上型を衝合配置した状態ンである・ 第１図と第２図において、符号１０は金型を示し、１１
は下型、１２は上型、１３は供給ポット（成形物のカル
部に相当）、１４はランナー、１５は注入ダート、１６
はキャビティ、１７はリードフレーム１．１７ａはリー
ドフレーム（１７）と一体状に形成されたダイスステー
ジ、１８は半導体チップ、１９はボンディングワイヤを
それぞれ示す。この従来例の場合は、第１図に示すよう
に、ポット１３に連通ずる複数本のランナー１４（この
場合は４本構成）が設けられ、これら各ランナー１４の
両側に複数個（この場合、１本のランナーに対して１０
個ンのキャビティ１６が配置形成され、かつランナー１
４とキャビティ１６は注入グー）１５を介して連通され
ている。尚、下型１１に設けられたポット１３に対応し
て上型」２にもポット（図示なし）が形成されている。
キャビティ１６は下型１１と上ｆｆ１１２の型面にそれ
ぞれ凹所を設けることによシ形成されている。リードフ
レーム１７は、そのダイスステージ１ ’７ ａ上に半
導体チップ１８が予め組付けられかつワイヤ１９がボン
ディングされている。さて、この従来例における樹脂封
止手順としては、先づ金型ｌＯを型開きして、下型１１
の各キャビティ１６にそれぞれリードフレーム１６を収
容配置し、次いで下型１１上に上型１２を衝合配置する
。そして、その後、予備加熱した樹脂材料（熱硬化性樹
脂）を供給ポット１３内に供給し、プランジャー（図示
なし）によって前記樹脂材料を押圧してランナー１４及
びグー）１５を経由して各キャビティ１６内に加圧注入
する。このようにして、各キャビティ１６において半導
体チッｆｌＢ及びボンディングワイヤ１９を直接埋設し
た封止樹脂が成形される。しかしながらこの従来例には
次のような問題点がある。
ぞれ凹所を設けることによシ形成されている。リードフ
レーム１７は、そのダイスステージ１ ’７ ａ上に半
導体チップ１８が予め組付けられかつワイヤ１９がボン
ディングされている。さて、この従来例における樹脂封
止手順としては、先づ金型ｌＯを型開きして、下型１１
の各キャビティ１６にそれぞれリードフレーム１６を収
容配置し、次いで下型１１上に上型１２を衝合配置する
。そして、その後、予備加熱した樹脂材料（熱硬化性樹
脂）を供給ポット１３内に供給し、プランジャー（図示
なし）によって前記樹脂材料を押圧してランナー１４及
びグー）１５を経由して各キャビティ１６内に加圧注入
する。このようにして、各キャビティ１６において半導
体チッｆｌＢ及びボンディングワイヤ１９を直接埋設し
た封止樹脂が成形される。しかしながらこの従来例には
次のような問題点がある。
■ 供給ボッ）１３に近接して形成されたキャビティ１
６と末端部のキャビティ１６との間における樹脂材料の
充填時差が太きいため、充＊樹脂の粘反差が生じ、不完
全充填のキャビティが生ずる場合があシ、不良製品が発
生する場合が多い。
６と末端部のキャビティ１６との間における樹脂材料の
充填時差が太きいため、充＊樹脂の粘反差が生じ、不完
全充填のキャビティが生ずる場合があシ、不良製品が発
生する場合が多い。
■ 供給ボッ）１３（成形物のカルに相尚）及びランナ
ー１４に残留した樹脂が無駄になるので、樹脂材料（原
料ンの歩留シが非常に低い（悪い９゜■ キャビティ１
６内に流入する樹脂の流れが、第２図に示すように、ワ
イヤ１９の横方向（矢印Ｃ方向）からワイヤ１９に対し
て流入するため、ワイヤ１９が押し流されて、点線１９
′で示すように、変形され、この結果、ワイヤ１９同士
、又はワイヤ１９と半導体チップ１８が接触してショー
ト（短絡〕する場合がある（いわゆるワイヤンローと呼
はれる現象が発生する場合があるン。
ー１４に残留した樹脂が無駄になるので、樹脂材料（原
料ンの歩留シが非常に低い（悪い９゜■ キャビティ１
６内に流入する樹脂の流れが、第２図に示すように、ワ
イヤ１９の横方向（矢印Ｃ方向）からワイヤ１９に対し
て流入するため、ワイヤ１９が押し流されて、点線１９
′で示すように、変形され、この結果、ワイヤ１９同士
、又はワイヤ１９と半導体チップ１８が接触してショー
ト（短絡〕する場合がある（いわゆるワイヤンローと呼
はれる現象が発生する場合があるン。
次に、第３図と第４図に示す第２の従来例について説明
する。この従来例はマルチプランジャ一方式の樹脂封止
方法である。尚、これら両図において、前出の第１及び
第２図と同一部分には同一符号が付されている。従りて
、符号２ｏは金型を示し、２１は下型、２２は上型、２
３は供蛤ポ。
する。この従来例はマルチプランジャ一方式の樹脂封止
方法である。尚、これら両図において、前出の第１及び
第２図と同一部分には同一符号が付されている。従りて
、符号２ｏは金型を示し、２１は下型、２２は上型、２
３は供蛤ポ。
ト、２４はシランジャーをそれぞれ示し、他の符号は第
１図及び第２図と同一部分を示す。この従来例の場合は
、ポット２３を多数個設け、それぞれのポット２３に対
応してプランジャー２４が配設され、いわゆるマルチプ
シンジャ一方式に形成されている。そして、各供給ポッ
ト２３に対し注入グー）１５を介して両側に１個づつ計
２個のキャビティ１６が設けられている（尚、１個のポ
ット２３に対しキャビティ１６が４個数シの場合もある
）。従って、この従来例は前出の第１の従来例（第１図
、第２図）と比較して、ランナー１４が省略され、かつ
第１の従来例における一対の供給・Ｊ？ノット３とシラ
ンジャーの代シに多数対の供給プツト２３とプランジャ
ー２４が設けられている点が異なっている。尚、樹脂封
止手順としては、前出の従来例と略同様に行われる。し
かしながら、この従来例は、第１の従来例（第１図、第
２図ンの■及び０項の問題点を解消できるという利点を
有しているが、まだなお、■項の問題点を解消すること
ができないという欠点がある。
１図及び第２図と同一部分を示す。この従来例の場合は
、ポット２３を多数個設け、それぞれのポット２３に対
応してプランジャー２４が配設され、いわゆるマルチプ
シンジャ一方式に形成されている。そして、各供給ポッ
ト２３に対し注入グー）１５を介して両側に１個づつ計
２個のキャビティ１６が設けられている（尚、１個のポ
ット２３に対しキャビティ１６が４個数シの場合もある
）。従って、この従来例は前出の第１の従来例（第１図
、第２図）と比較して、ランナー１４が省略され、かつ
第１の従来例における一対の供給・Ｊ？ノット３とシラ
ンジャーの代シに多数対の供給プツト２３とプランジャ
ー２４が設けられている点が異なっている。尚、樹脂封
止手順としては、前出の従来例と略同様に行われる。し
かしながら、この従来例は、第１の従来例（第１図、第
２図ンの■及び０項の問題点を解消できるという利点を
有しているが、まだなお、■項の問題点を解消すること
ができないという欠点がある。
に）発明の目的
本発明の目的は、前記従来技術の問題点に鑑み、側止用
樹脂を各キャビティすべてに完全充填することができ、
樹脂材料の歩留シをきわめて向上することができ、かつ
ボンｒインダワイヤ同士、又はポンディングワイヤと半
導体チップが互に接触させられて短絡することを防止で
き、さらにはキャビティの取シ数をよシ増大化できる半
導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提供するこ
とにある。
樹脂を各キャビティすべてに完全充填することができ、
樹脂材料の歩留シをきわめて向上することができ、かつ
ボンｒインダワイヤ同士、又はポンディングワイヤと半
導体チップが互に接触させられて短絡することを防止で
き、さらにはキャビティの取シ数をよシ増大化できる半
導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提供するこ
とにある。
（ホ）発りｊの構成
そして、この目的を達成するために、本発明に依れば、
半導体チップが取付けられ、ワイヤボンディングが成さ
れたリードフレームを樹脂封止するに際し、前記リード
フレームを収容するための複数個のキャビディが配列形
成されると共にこれら各キャビティそれぞれに注入ダー
トを介して連通する供給ポットが個別に形成された合せ
金型を準備し、前記各キャビティ内にリードフレームを
収容配置し、次いで前記各供給ポット内に封止用樹脂を
供給し、その後、該封止用樹脂を該キャビティ内に加圧
注入して樹脂封止するようにしたことを特徴とする半導
体装置の樹脂封止方法が提供される。
半導体チップが取付けられ、ワイヤボンディングが成さ
れたリードフレームを樹脂封止するに際し、前記リード
フレームを収容するための複数個のキャビディが配列形
成されると共にこれら各キャビティそれぞれに注入ダー
トを介して連通する供給ポットが個別に形成された合せ
金型を準備し、前記各キャビティ内にリードフレームを
収容配置し、次いで前記各供給ポット内に封止用樹脂を
供給し、その後、該封止用樹脂を該キャビティ内に加圧
注入して樹脂封止するようにしたことを特徴とする半導
体装置の樹脂封止方法が提供される。
また、本発明に依れば、上下に衝合配置した金型に多数
個のキャビティが配設形成され、該各キャビティ内に、
半導体チップが取付けられ、ワイヤボンディングが成さ
れたリードフレームを収容し、前記キャビティに連通ず
るポット内に供給した封止用樹脂をプランジャーによシ
キャビティ内に加圧注入して半導体装置の樹脂封止工程
を行うように構成された半導体装置の樹脂封止装置にお
いて、前記各キャビティそれぞれに注入ダートを設ける
と共に該注入ダートに直接連通する供給ポットを個々に
配設形成し、該各ポットに対応させてそれぞれプランジ
ャーを配設したことを特徴とする半導体装置の樹脂封止
装置が提供される。
個のキャビティが配設形成され、該各キャビティ内に、
半導体チップが取付けられ、ワイヤボンディングが成さ
れたリードフレームを収容し、前記キャビティに連通ず
るポット内に供給した封止用樹脂をプランジャーによシ
キャビティ内に加圧注入して半導体装置の樹脂封止工程
を行うように構成された半導体装置の樹脂封止装置にお
いて、前記各キャビティそれぞれに注入ダートを設ける
と共に該注入ダートに直接連通する供給ポットを個々に
配設形成し、該各ポットに対応させてそれぞれプランジ
ャーを配設したことを特徴とする半導体装置の樹脂封止
装置が提供される。
（へ）発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第５図から第７図は本発明の詳細な説明するための図で
ある。第５図は本発明による半導体装置の樹脂封止装置
における金型（下型ンの概ｉ的平面図、第６図は第５図
のＤ −Ｄ’線断面図（但し上型を近接配置した状態）
、第７図は第６図の部分拡大詳細図（但し、上型を一合
配置した状態）である。尚、これらの図において、前出
の第２図、第４図（共に従来例）と同一部分には同一符
号が付されている。従って、符号１７はリードフレーム
、１７ａはダイスステーソ、１８は半導体チップ、１９
は？ンｒイングワイヤ、そして符号３０は本発明の樹脂
封止装置における金型、３１は下型、３２は上型、３３
は供給ポット（成形品のカルに相当する部分）、３４は
プランジャー、３５は注入ダート、３６はキャビティ、
３７はベント（空気抜き用隙間）をそれぞれ示す。尚、
リードフレーム１７は、この場合、第５図におけるキャ
ビティ３６の左半分１０個分と、右半分１０個分（一点
鎖線部分）とをそれぞれ１枚で同時に含むように形成さ
れておシ、合計２枚構成になっている。本実施例は、図
示のように、下型３１の型面にキャビティ３６の下側部
が複数個（この場合、合計２０ ｍ ）配列形成され、
このキャビティ３６の水平方向と直交する方向に注入ゲ
ート３５がキャビティ３６と連通して形成され、さらに
この注入ダート３６に連通ずると共に同軸状に供給ポッ
ト３３が形成されている。すなわち、各キャビティ３６
にそれぞれ対応して個々に供給ポット３３が形成され、
かつこれら各供給ポット３３それぞれに対応して個々に
プランジャー３４（代表として第６図には１個のみ図示
）が配設されている。
ある。第５図は本発明による半導体装置の樹脂封止装置
における金型（下型ンの概ｉ的平面図、第６図は第５図
のＤ −Ｄ’線断面図（但し上型を近接配置した状態）
、第７図は第６図の部分拡大詳細図（但し、上型を一合
配置した状態）である。尚、これらの図において、前出
の第２図、第４図（共に従来例）と同一部分には同一符
号が付されている。従って、符号１７はリードフレーム
、１７ａはダイスステーソ、１８は半導体チップ、１９
は？ンｒイングワイヤ、そして符号３０は本発明の樹脂
封止装置における金型、３１は下型、３２は上型、３３
は供給ポット（成形品のカルに相当する部分）、３４は
プランジャー、３５は注入ダート、３６はキャビティ、
３７はベント（空気抜き用隙間）をそれぞれ示す。尚、
リードフレーム１７は、この場合、第５図におけるキャ
ビティ３６の左半分１０個分と、右半分１０個分（一点
鎖線部分）とをそれぞれ１枚で同時に含むように形成さ
れておシ、合計２枚構成になっている。本実施例は、図
示のように、下型３１の型面にキャビティ３６の下側部
が複数個（この場合、合計２０ ｍ ）配列形成され、
このキャビティ３６の水平方向と直交する方向に注入ゲ
ート３５がキャビティ３６と連通して形成され、さらに
この注入ダート３６に連通ずると共に同軸状に供給ポッ
ト３３が形成されている。すなわち、各キャビティ３６
にそれぞれ対応して個々に供給ポット３３が形成され、
かつこれら各供給ポット３３それぞれに対応して個々に
プランジャー３４（代表として第６図には１個のみ図示
）が配設されている。
このように、キャビティ３６に対し、実質的に直接連通
する供給ポット３３を配設することにょシ、同一面積に
おける金型に対してキャビティ３６の取多数を増大化す
ることができる。尚、キャビティ３６は下型３１と上型
３２の型面それぞれに凹所を設けて形成されている。ま
た、プランジャー３４の先端部（抑圧面）は、第７図に
明示するように、供給ポット３３の底面形状に合致する
ように形成されている。このためポット３３内に供給さ
れた樹脂材料は略１００％ノランジャー３４によりて押
し出される。また、注入ゲート３５は、同じく第７図に
明示するように、通路長さが非常に短く形成されている
。これは、このダート３５部に残留する樹脂材がきわめ
て少量になるように考慮されているものである。さて、
本実施例における樹脂封止工程の手順は、前出の第３図
に示す第２の従来例の場合と略同様にして行われる。す
なわち、金ｍ３０の下型３１と上型３２を型開きして、
リードフレーム１７を第７図に示すように、ワイヤ１９
がゲート３５の反対側に位置するように、下型３１に収
容配置し、次いで下型３１と上型を衝合配置する。その
後、各供給ポット３３それぞれに予備加熱した所定量の
樹脂材料を供給しくこの時プランジャー３４はポット３
３から抜出され退避されている）、その後プランジャー
３４によりて供給された樹脂材料がキャビティ３６に加
圧注入され、封止樹脂が成形される。このように本実施
例は、キャビティ３６内に注入するｒ−ト３５を、第７
図に示すように、リードフレーム１７の下側、すなわち
、デンディングワイヤ１９組付側の反対側に設け、ワイ
ヤ１９の下側から樹脂材料を加圧注入するように構成し
たものである。
する供給ポット３３を配設することにょシ、同一面積に
おける金型に対してキャビティ３６の取多数を増大化す
ることができる。尚、キャビティ３６は下型３１と上型
３２の型面それぞれに凹所を設けて形成されている。ま
た、プランジャー３４の先端部（抑圧面）は、第７図に
明示するように、供給ポット３３の底面形状に合致する
ように形成されている。このためポット３３内に供給さ
れた樹脂材料は略１００％ノランジャー３４によりて押
し出される。また、注入ゲート３５は、同じく第７図に
明示するように、通路長さが非常に短く形成されている
。これは、このダート３５部に残留する樹脂材がきわめ
て少量になるように考慮されているものである。さて、
本実施例における樹脂封止工程の手順は、前出の第３図
に示す第２の従来例の場合と略同様にして行われる。す
なわち、金ｍ３０の下型３１と上型３２を型開きして、
リードフレーム１７を第７図に示すように、ワイヤ１９
がゲート３５の反対側に位置するように、下型３１に収
容配置し、次いで下型３１と上型を衝合配置する。その
後、各供給ポット３３それぞれに予備加熱した所定量の
樹脂材料を供給しくこの時プランジャー３４はポット３
３から抜出され退避されている）、その後プランジャー
３４によりて供給された樹脂材料がキャビティ３６に加
圧注入され、封止樹脂が成形される。このように本実施
例は、キャビティ３６内に注入するｒ−ト３５を、第７
図に示すように、リードフレーム１７の下側、すなわち
、デンディングワイヤ１９組付側の反対側に設け、ワイ
ヤ１９の下側から樹脂材料を加圧注入するように構成し
たものである。
従って、注入された樹脂材料がワイヤ１９を緊張させる
方向（矢印Ｅ方向）に流れるので、ワイヤ１９が変形さ
れてワイヤ１９同士又はワイヤ１９と半導体チップが接
触して短絡（ジョートノする危険性が完全に防止される
。また、前述したように、個々のキャビティ３６に対応
させて供給ポット３３とプランジャー３４を個別に配設
し、かつプランジャー３４の先端部とポット３３の底面
部との形状が完全に合致するように考慮されているので
、本実施例は、樹脂材料のポット３３内における残留量
を最少限にすることが可能であシ、また各キャビティ３
６に対する樹脂材料の充填時差を完全に除去することが
できる。尚、本発明は、上記実施例に限定されるもので
はなく、例えば、供給ポット３３とグランジャー３４の
配置を上記実施例と逆に上型３２に配設することも容易
に可能であシ、また、発明の主旨を逸脱しない範囲内で
、さらに別の髪形例にも適用することができる。
方向（矢印Ｅ方向）に流れるので、ワイヤ１９が変形さ
れてワイヤ１９同士又はワイヤ１９と半導体チップが接
触して短絡（ジョートノする危険性が完全に防止される
。また、前述したように、個々のキャビティ３６に対応
させて供給ポット３３とプランジャー３４を個別に配設
し、かつプランジャー３４の先端部とポット３３の底面
部との形状が完全に合致するように考慮されているので
、本実施例は、樹脂材料のポット３３内における残留量
を最少限にすることが可能であシ、また各キャビティ３
６に対する樹脂材料の充填時差を完全に除去することが
できる。尚、本発明は、上記実施例に限定されるもので
はなく、例えば、供給ポット３３とグランジャー３４の
配置を上記実施例と逆に上型３２に配設することも容易
に可能であシ、また、発明の主旨を逸脱しない範囲内で
、さらに別の髪形例にも適用することができる。
（ト）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明に依る半導体装置
の樹脂封止方法及び樹脂止装置は、個々のキャビティに
対応する供給ポットとプランジャーを個々に配設し、か
つキャビティ内に収容配置された、半導体チップとポン
ディングワイヤが組付けられたリードフレームに対して
、デンディングワイヤ組付側の反対側方向から樹脂材料
を流入させるように注入ダートを配置形成することによ
シ、樹脂材料を各キャビティすべてに均一に完全充填す
ることができ、樹脂材料の歩留シをきわめて向上させる
ことができ、樹脂材料充填時におけるボンディングワイ
ヤの変形（ワイヤフロー）を完全に防止することができ
、かつ同一面積における金型に対しキャビティの取シ数
を増大化させることができるといつた効果大なるものが
あり、さらには、製品の歩留シと信頼性の向上をもたら
し得るものである。
の樹脂封止方法及び樹脂止装置は、個々のキャビティに
対応する供給ポットとプランジャーを個々に配設し、か
つキャビティ内に収容配置された、半導体チップとポン
ディングワイヤが組付けられたリードフレームに対して
、デンディングワイヤ組付側の反対側方向から樹脂材料
を流入させるように注入ダートを配置形成することによ
シ、樹脂材料を各キャビティすべてに均一に完全充填す
ることができ、樹脂材料の歩留シをきわめて向上させる
ことができ、樹脂材料充填時におけるボンディングワイ
ヤの変形（ワイヤフロー）を完全に防止することができ
、かつ同一面積における金型に対しキャビティの取シ数
を増大化させることができるといつた効果大なるものが
あり、さらには、製品の歩留シと信頼性の向上をもたら
し得るものである。
第１図は第１の従来例を説明するための金型（下型）の
部分平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線断面図（但し
、上型を衝合配置した状態）、第３図は第２の従来例を
説明するための金型（下型）の部分平面図、第４図は第
３図のＢ−Ｂ’線断面図（但し、上型を衝合配置した状
態へ第５図は本発明による半導体装置の樹脂封止装置に
おける金型（下型）の概略的平面図、舘６図は第５図の
Ｄ−Ｄ’線断面図（但し、上型を近接配置した状態）、
第７図は第６囚の部分拡大詳細図（但し、上型を衝合配
置した状態〕である。 １７・・・リードフレーム、１７ａ・・・リードフレー
ム（１７）と一体状に形成されたダイスステージ、１８
・・・半導体チップ、１９・・・ポンディングワイヤ、
３０・・・金型、−３１・・・下型、３２・・・上型、
３３・・・樹脂材料の供給ポット、３４・・・グランジ
ャー、３５・・・注入ダート、３６・・・キャビティ、
３７・・・ベント（空気抜き用隙間）。
部分平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線断面図（但し
、上型を衝合配置した状態）、第３図は第２の従来例を
説明するための金型（下型）の部分平面図、第４図は第
３図のＢ−Ｂ’線断面図（但し、上型を衝合配置した状
態へ第５図は本発明による半導体装置の樹脂封止装置に
おける金型（下型）の概略的平面図、舘６図は第５図の
Ｄ−Ｄ’線断面図（但し、上型を近接配置した状態）、
第７図は第６囚の部分拡大詳細図（但し、上型を衝合配
置した状態〕である。 １７・・・リードフレーム、１７ａ・・・リードフレー
ム（１７）と一体状に形成されたダイスステージ、１８
・・・半導体チップ、１９・・・ポンディングワイヤ、
３０・・・金型、−３１・・・下型、３２・・・上型、
３３・・・樹脂材料の供給ポット、３４・・・グランジ
ャー、３５・・・注入ダート、３６・・・キャビティ、
３７・・・ベント（空気抜き用隙間）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップが取付けられ、ワイヤデンディングが
成されたリードフレームを樹脂封止するに際し、前記リ
ードフレームを収容するための複数個のキャビティが配
列形成されると共にこれら各キャビティそれぞれに注入
ダートを介して連通する供給ポットが個別に形成された
合せ金型を準備し、前記各キャビティ内にリードフレー
ムを収容配置し、次いで前記各供給ポット内に封止用樹
脂を供給し、その後、該封止用樹脂を該キャビティ内に
加圧注入して樹脂封止するようにしたことを特徴とする
半導体装置の樹脂封止方法。 ２、上下に衝合配置した金型に多数個のキャビティが配
設形成され、該各キャビティ内に、半導体チップが取付
けられ、ワイヤポンディングが成されたリードフレーム
を収容し、前記キャビティに連通ずるポット内に供給し
た封止用樹脂をプランジャーによシキャはイ内に加圧注
入して半導体装置の樹脂封止工程を行うように構成され
た半導体装置の樹脂封止装置において、前記各キャビテ
ィそれぞれに注入ダートを設けると共に該注入ダートに
直接連通する供給ポットを個々に配設形成し、該各ポ、
トに対応させてそれぞれプランジャーを配設したことを
％徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11588383A JPS609131A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11588383A JPS609131A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609131A true JPS609131A (ja) | 1985-01-18 |
| JPH0342495B2 JPH0342495B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=14673536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11588383A Granted JPS609131A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609131A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6298733A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Rhythm Watch Co Ltd | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
| US5018003A (en) * | 1988-10-20 | 1991-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame and semiconductor device |
| US5064706A (en) * | 1987-12-11 | 1991-11-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Carrier tape including molten resin flow path element for resin packaged semiconductor devices |
| US5200366A (en) * | 1990-04-27 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, its fabrication method and molding apparatus used therefor |
| KR100423140B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2004-03-18 | (주)에이치디세미테크 | 반도체패키지의 몰딩성형장치 |
| JP2007307769A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Kitagawa Ind Co Ltd | 合成樹脂成形品のパッケージ製造方法及び合成樹脂成形品のパッケージ |
| JP2013120914A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-17 | Semiconductor Components Industries Llc | 回路装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11588383A patent/JPS609131A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6298733A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Rhythm Watch Co Ltd | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
| US5064706A (en) * | 1987-12-11 | 1991-11-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Carrier tape including molten resin flow path element for resin packaged semiconductor devices |
| US5018003A (en) * | 1988-10-20 | 1991-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame and semiconductor device |
| US5096853A (en) * | 1988-10-20 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a resin encapsulated semiconductor device |
| US5200366A (en) * | 1990-04-27 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, its fabrication method and molding apparatus used therefor |
| KR100423140B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2004-03-18 | (주)에이치디세미테크 | 반도체패키지의 몰딩성형장치 |
| JP2007307769A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Kitagawa Ind Co Ltd | 合成樹脂成形品のパッケージ製造方法及び合成樹脂成形品のパッケージ |
| JP2013120914A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-17 | Semiconductor Components Industries Llc | 回路装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0342495B2 (ja) | 1991-06-27 |
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