KR0185234B1

KR0185234B1 - 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법

Info

Publication number: KR0185234B1
Application number: KR1019920021023A
Authority: KR
Inventors: 카쯔오 혼다; 요시오 카모시타; 신지 사바오카; 카쯔히로 타꼬
Original assignee: 가부시키 가이샤 토쿄 세이미쯔
Priority date: 1991-11-28
Filing date: 1992-11-10
Publication date: 1999-04-15
Also published as: KR930011127A; EP0544256B1; US5295331A; DE69208050T2; DE69208050D1; EP0544256A1

Abstract

본 발명에서는 반도체 웨이퍼(20)의 회전축 P-P에 대하여, 숫돌(22)의 회전축 O-O는 반도체 웨이퍼(20)의 접선방향에 θ만큼 경사져 있다.

따라서, 숫돌(22)의 숫돌립자 운동방향은 연삭방향분력 A1과 직각방향분력 A2에 나누어지고, 이들의 분력이 작용숫돌립자수를 증대시켜 모떼기 형상의 정밀도 및 면정밀도 향상이 도모된다.

본 발명에서는 회전하는 숫돌(22)을 경사시켜 연삭면(24)에 따라 왕복이동시키면서 회전하는 반도체 웨이퍼의 주연을 모떼기 가공하므로, 숫돌의 작용 숫돌립자수를 증대시켜 모떼기 형상의 정밀도 및 면거칠기 향상이 도모된다.

Description

반도체 웨이퍼의 모떼기 방법

제1도는 본 발명에 관한 모떼기 가공방법을 표시한 정면도,

제2도는 제1도의 2-2선의 화살표 방향으로 본 도면,

제3도는 본 발명에 따른 숫돌립자의 운동방향을 표시한 설명도,

제4도는 본 발명에 관한 웨이퍼 모떼기 가공방법을 행하는 모떼기 장치를 표시한 블럭도,

제5도는 본 발명에 관한 웨이퍼 모떼기 방법을 표시한 설명도,

제6도는 본 발명에 관한 웨이퍼 모떼기 방법의 숫돌립자 운동방향을 표시한 설명도,

제7도는 본 발명에 관한 웨이퍼 모떼기 방법의 숫돌립자 운동을 표시한 설명도,

제8도는 종래의 반도체 웨이퍼의 모떼기 가공방법을 표시한 설명도,

제9도는 종래의 반도체 웨이퍼의 모떼기 가공방법의 숫돌립자 운동방향을 표시한 설명도,

제10도는 종래의 반도체 웨이퍼의 모떼기 가공방법의 숫돌립자 운동방향을 표시한 설명도.

＊도면의 주요부분에 대한 부호설명＊

20 : 반도체 웨이퍼 20A : 반도체 웨이퍼 끝단부

22, 24 : 숫돌 25 : 숫돌의 경사면

본 발명의 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법에 관한 것으로, 특히 회전하는 반도체 웨이퍼의 주면에 회전하는 숫돌을 당접하여 반도체 웨이퍼의 주연을 연마하는 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법에 관한 것이다.

슬라이싱에 의하여 절단된 반도체 웨이퍼는 그 표면을 랩가공됨과 함께, 반도체 웨이퍼의 주연도 균열 방지와 먼지의 부착 및 발생을 방지하기 위하여 모떼기 가공이 이루어 진다.

즉, 제9도에 표시한 바와 같이 회전하고 있는 반도체 웨이퍼(10)에 회전하는 홈을 갖는 숫돌(12)의 경사면(14)을 압착하고, 반도체 웨이퍼(10)의 주연(16) 및 (17)을 모떼기 가공한다.

그러나, 종래의 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법은 제10도에 표시한 바와 같이 숫돌립자(15)의 운동방향 A가 웨이퍼의 주연방향 끝에 있기 때문에 숫돌립자(부분적 절단날)(砥粒)에 의해 모떼기 면에 줄무늬 A'가 형성되고 모떼기 면의 거칠기 정밀도가 충분하지 않다. 이와 같은 모떼기 면의 거칠기 정밀도가 불충분하면 웨이퍼의 주연 표면의 부분적인 균열에 의한 칩이 발생하는 주연 표면에 먼지가 부착된다.

또, 균열간에 미세한 가루가 섞여들어가는 등의 먼지 발생 요인이 있기 때문에 웨이퍼의 처리공정에 악영향을 미치게 되는 것이다. 이와 같은 결점을 해소하기 위하여 숫돌의 번수(番手)를 높이거나, 절단 양을 적게 하거나, 드레싱 횟수를 높이거나, 숫돌을 수개교체(2단, 3단 등)하여 연마면의 면 정밀도를 높이도록 하고 있지만, 이와 같은 대책은 연삭 효율이 저하하는 결점이 있다.

본 발명은 이와 같은 사정을 감안한 것으로, 모떼기 면의 면 정밀도를 개선함과 함께 연삭 효율을 저하시키지 않고 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법을 제안한 것을 목적으로 한다.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 회전하는 반도체 웨이퍼의 주연에 회전하는 숫돌을 당접하여 반도체 웨이퍼의 주연을 연마하는 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법에 있어서, 상기 숫돌의 회전축을 반도체 웨이퍼의 접선 방향에 경사지게 하여 반도체 웨이퍼의 주연을 연마하는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 반도체 웨이퍼의 회전축에 대하여 숫돌의 회전축을 반도체 웨이퍼의 접선 방향에 경사지게 반도체 웨이퍼의 주연을 연마함으로, 경사면에 있어서는 웨이퍼의 반경방향에도 숫돌의 움직임이 증가하며, 동시에 외주면에 있어서는 웨이퍼 회전축 방향에도 숫돌의 움직임이 증가하며, 반도체 웨이퍼 주연의 연마면은 미끄러운 면이 되고, 또한 숫돌자체도 연마면의 형이 무지러짐이 적게되어 숫돌의 수명이 연장된다.

또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 회전하는 반도체 웨이퍼 주연에 회전하는 숫돌을 당접하여 반도체 웨이퍼의 주연을 연마하는 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 회전축과 숫돌의 회전축을 평행으로 유지한 상태에서 상기 숫돌의 경사진 숫돌면에 따라 왕복이동 시키면서 반도체 웨이퍼의 주연 끝단부를 연마하는 것을 특징으로 한다.

다시, 상기 숫돌을 웨이퍼 회전축 방향에 따라 왕복이동 시키면서 회전축과 평행한 숫돌 주면에서 반도체 웨이퍼의 외주면을 연마하는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 숫돌의 경사진 숫돌면에 따라 왕복이동 시키면서 반도체 웨이퍼의 주연을 연마함으로, 숫돌립자 운동방향은 웨이퍼 주연 방향에 대하여 경사져 있기 때문에, 그리고 웨이퍼 회전축 방향에 따라 숫돌을 왕복이동 시키면서 연마함으로, 반도체 웨이퍼 주연의 연마면은 미끄러운 면이 되고, 또한 숫돌자체도 연마면의 형이 무지러짐이 적게되어 숫돌의 수명이 연장된다.

[실시예]

이하, 첨부도면에 따라 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법의 바람직한 실시예를 상술한다.

제1도에 표시한 웨이퍼(20)는 도시하지 않은 공지의 협지기구 또는 흡착기구에 의해 유지되고, 축 P-P를 중심으로 예컨대 1∼2r.p.m으로 회전된다.

제2도에 표시한 바와 같이 숫돌(22)의 회전축 O-O는 웨이퍼(20)의 회전축 P-P에 대하여 θ만큽 경사져 있다. 즉 숫돌(22)은 웨이퍼(20)의 접선 방향에 θ만큼 경사지게 되고 이 상태에서 웨이퍼(20)의 주연 끝단부(20A)를 모떼기 가공한다.

이와 같은 상태에서 모떼기 가공하면 숫돌(22)의 숫돌립자(23A) 운동방향 A는 제3도에 표시한 바와 같이 숫돌(22)의 회전축 O-O에 대하여 직각 방향으로 되고, 웨이퍼(20)의 모떼기면(20A)에 대해서는 경사져 있다. 따라서 숫돌립자(23A)의 운동방향 A는 연삭방향분력 A1과 직각방향분력 A2로 나누어지며, 이들이 반도체 웨이퍼의 모떼기면(20A)의 연마로 작용한다. 본 발명에서는 반도체 웨이퍼의 모떼기라고 하는 특수작업에 있어서 숫돌의 경사각도 θ 및 숫돌각도 α를 결정하고, 정하여진 각도의 모떼기를 행하고 있다. 즉 웨이퍼의 모떼기 가공에 대하여 숫돌을 경사지도록 하여 일반의 경사연삭법과 같은 형태의 움직임을 제공할 수 있다. 이와 같은 상태에서 연마하면 작용 숫돌립자(砥粒)의 수가 증대하고 작용 숫돌립자(砥粒)의 평균화 효과에 의해 연마면의 면정밀도가 향상한다. 상기 실시예에서는 숫돌측을 경사지게 하거나 웨이퍼의 축을 경사지게 하여도 좋다.

또한, 웨이퍼(20)의 외주면(20B)은 θ 경사진 숫돌(22)의 홈저면(22B)에 의해 연마되고 이 경우에도 작용 숫돌립자 수가 증가하여 양호한 연마면이 얻어진다. 이상 설명한 바와 같이 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법에 의하면, 반도체 웨이퍼의 회전축에 대하여 숫돌축을 경사시켜 연마함에 의하여 정밀도가 양호한 연마면이 얻어지고, 또한 숫돌의 수명도 연장된다.

도시된 제4도에 표시한 바와 같이 웨이퍼(20)는 공지의 협지기구(21) 또는 흡착기구에 의해 유지되고, 예컨대 1∼2r.p.m으로 회전되고 있다. 한편 숫돌(24)은 홈을 갖는 숫돌로써 형성되고 숫돌(24)의 홈 측부를 형성하는 경사면(25)은 연마면으로서 구성된다. 이 숫돌(24)은 모터(26)에 의해 웨이퍼(20)와 같은 방향 또는 역방향에, 예컨대 2500r.p.m으로 회전된다.

다시, 숫돌(24)은 경사면(25)에 따라 제5도의 화살표로 표시한 바와 같이 왕복이동시키다.

이와 같은 경사방향의 왕복이동은 공지의 상하이동기구와 수평방향 이동기구를 조합시킴으로써 달성될 수 있다. 즉 숫돌(24)은 지지판(28)에 지지되고 이 지지판(28)은 그 너트부(30)가 나사축(32)과 나합하고 있다. 따라서 모터(34)의 구동에 의해 나사축(32)이 회전하면, 지지판(28)이 상하이동하고, 숫돌(24)도 상하테이블(36)은 그 너트부(38)가 나사축(40)과 나합하고 있다.

따라서 모터(42)의 구동에 의해 나사축(40)이 회전하면 테이블(36)이 수평방향으로 이동하고, 숫돌(24)도 수평방향으로 이동한다.

44는 메인 콘트롤러, 46은 경사이동 제어부이다. 메인콘트롤러(44)는 모터(26)의 구동을 콘트롤함과 함께 경사이동제어장치(46)의 작동을 제어한다. 모터(34), (42)는 경사 이동제어부(46)에 의하여 제어되고, 숫돌(24)을 경사 왕복이동시킨다. 숫돌(22)을 경사면(25)에 따라 오왕복이동시킨 상태에서 연마하면, 숫돌(24)이 경사 상방에 이동하는 경우에 숫돌립자 운동방향이 제7도에서와 같이되고, 숫돌(24)이 경사 하방에 이동하는 경우에는 숫돌립자 운동방향이 제8도에서와 같이된다. 이것에 의하면 숫돌립자 운동방향이 웨이퍼의 주연방향에 대하여 경사지고, 숫돌의 작용숫돌립자가 증대하며, 작용숫돌립자의 평균화 효과에 의해 연마면의 면정밀도가 향상한다.

또한, 숫돌(24)은 제6도에 표시한 바와 같이 웨이퍼 외주와 접하는 면(웨이퍼 회전축과 평행한 숫돌 주연면)25a에 따라서 도시된 제6도의 화살표로 표시한 바와 같이 왕복이동시킨다. 이 왕복 이동의 실시예는 상기의 기구예로써 실시할 수 있다. 상기 실시예에서는 숫돌을 왕복이동시켰지만, 웨이퍼를 왕복이동시켜도 좋다.

이상 설명한 바와 같은 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법에 의하면, 숫돌의 경사진 숫돌면에 따라 왕복이동시켜 연마토록함으로써 정밀도가 양호한 연마면을 얻게되고, 또한 숫돌의 수명도 연장된다.

Claims

회전하는 반도체 웨이퍼의 주연에 회전하는 숫돌을 당접하여 반도체 웨이퍼의 주연을 연마하는 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법에 있어서, 상기 숫돌의 회전축을 반도체 웨이퍼 외주의 접선 방향에 경사시켜 반도체 웨이퍼의 주연을 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법.
제1항에 있어서 상기 숫돌은 홈을 가진 숫돌로써 형성되고, 숫돌의 연마면은 홈을 가진 숫돌의 홈 측부를 형성한 경사면과 축홈의 저면을 형성한 외주면으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법.
회전하는 반도체 웨이퍼의 주연에 회전하는 숫돌을 당접하여 반도체 웨이퍼의 주연을 연마하는 반도체 웨이퍼 외주의 모떼기 방법에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 회전축과 숫돌의 회전축을 평행으로 유지한 상태에서, 상기 숫돌의 경사진 숫돌면에 따라 왕복이동시키면서 반도체 웨이퍼의 주연 끝단부를 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법.
제3항에 있어서 상기 숫돌을 축방향에 따라 왕복이동시키면서 회전축과 평행한 숫돌의 주면에서 반도체 웨이퍼의 주연 외주면을 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법