KR0122108B1 - 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱회로 및 그 방법 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱회로 및 그 방법

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KR0122108B1
KR0122108B1 KR1019940013140A KR19940013140A KR0122108B1 KR 0122108 B1 KR0122108 B1 KR 0122108B1 KR 1019940013140 A KR1019940013140 A KR 1019940013140A KR 19940013140 A KR19940013140 A KR 19940013140A KR 0122108 B1 KR0122108 B1 KR 0122108B1
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Abstract

본 발명은 비트라인에 접속하는 엔모오스 센스앰프 및 피모오스 센스앰프를 가지는 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱 회로에 있어서, 입력되는 전원전압의 레벨을 감지하여 발생하는 전원전압 감지신호에 상응하여 상기 엔모오스 센스앰프 및 피모오스 센스앰프 사이의 동작 시점을 가변적으로 제어할 수 있는 가변 지연경로를 구비함을 특징으로 한다. 본 발명은 전원전압이 배터리의 방전에 따라 점점 감소하게 되는 배터리백업용 메모리 소자에서는 동작속도보다는 누설전류가 문제가 되는 고전원전압하에서 엔모오스 센스앰프와 피모오스 센스앰프가 동작하는 시점간에 시간 간격을 두어 누설전류를 억제하며, 누설전류보다는 동작속도가 문제가 되는 저전원전압하에서는 엔모오스 센스앰프와 피모오스 센스앰프가 동작하는 시점의 시간 간격, 즉 센싱 윈도우를 제거함으로써 동작속도를 개선한다.

Description

반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱회로 및 그 방법
제1도는 종래의 기술에 의한 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱회로를 보이는 도면.
제2도는 제2(A)도 및 제2(B)도로 구성되고, 제2(A)도는 전원 전압에 따른 누설 피크 전류의 파형을 보이는 도면이며, 제2(B)도는 전원 전압에 따른 센싱 지연의 파형을 보이는 파형도.
제3도는 본 발명에 의한 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱회로를 보이는 도면.
제4도는 제3도에 따른 지연회로의 상세회로를 보이는 도면.
제5도는 제5(A)도 및 제5(B)도로 구성되고, 제5(A)도는 전원 전압에 따른 누설 피크 전류의 파형을 보이는 도면이며, 제5(B)도는 전원 전압에 따른 센싱 지연의 파형을 보이는 파형도.
제6도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 비트라인 센싱회로를 보이는 도면.
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 다수의 센싱 윈도우를 가지는 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱 회로 및 그 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 메모리 셀가 고집적화 및 대용량화의 추세에 따라 그에 따른 칩의 고속 동작이 요구되어진다. 통상적으로 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(Dynamic Random Access Memory, DRAM)의 메모리 셀은 하나의 액세스 트랜지스터와 하나의 스토리지 캐패시터로 이루어지며, 이러한 스토리지 캐패시터내에 소정의 데이타가 저장된다. 스토리지 캐패시터에 저장된 데이타는 액세스 트랜지스터의 드레인-소오스 채널을 통하여 비트라인으로 전달되며, 이렇게 전달된 데이타는 비트라인상에 구비되는 센스앰프를 통하여 전압 증폭된후 외부로 출력된다.
연속적으로 데이타의 액세스가 가능한 반도체 메모리 장치에서는 데이타 액세스 동작후 다음의 액세스 동작의 개시 이전에 비트라인을 등화 및 프리차아지하는 동작을 가지고 있다. 즉, 메모리 셀로 또는 메모리 셀로부터 데이타 액세스 동작이 연속 수행됨에 따라 다음 액세스 동작을 위하여 비트라인쌍 BL,은 소정 레벨로 디벨로프(develope)되어 있어야 한다. 따라서 이를 위하여 비트라인쌍 BL,을 서로 등화시킨 후 소정 레벨로 프리차아지시켜야 함은 당해 분야에 잘 알려져 있다. 마찬가지로, 비트라인과 데이타 입출력선 사이에서 데이타의 감지증폭을 담당하는 피모오스형 및 엔모오스형 센스앰프 쌍도 같은 레벨로의 등화 및 프리차아지가 필요하다.
이때, 비트라인으로 전달된 데이타가 센스앰프를 통하여 전압 증폭될 때까지 소요되는 시간을 단축하는것은 반도체 메모리 장치의 고속 동작화에 매우 중요하다. 한편, 칩의 고집적화는 동작전원전압의 저전압화를 수반하게 되며 이는 반도체 메모리 장치 내에 구비되는 각 회로의 동작 속도를 지연시키게 되어, 비트라인 센싱 시간의 단축이 어렵게 된다.
제1도는 종래의 기술에 의한 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱회로를 보이는 도면이다. 제1도에 도시된 바와 같이, 비트라인 BL,사이에는 피모오스 센스앰프 40 및 엔모오스 센스앰프 35가 접속되어 있다. 피모오스 센스앰프 40은, 소오스 단자가 감지 노드 LA에 접속되며 드레인 단자가 비트라인 BL에 접속되고 게이트 단자가 비트라인에 접속되는 피모오스 트랜지스터 T3과, 드레인 단자가 비트라인에 접속되고 게이트 단자가 비트라인 BL에 접속되는 피모오스 트랜지스터 T4로 구성된다. 엔모오스 센스앰프 35는, 드레인 단자가 감지 노드에 접속되며 소오스 단자가 비트라인 BL에 접속되고 게이트 단자가 비트라인에 접속되는 엔모오스 트랜지스터 T1과, 드레인 단자가 상기 감지노드에 접속되며 소오스 단자가 비트라인에 접속되고 게이트 단자가 비트라인 BL에 접속하는 엔모오스 트랜지스터 T2로 구성된다.
감지 노드 LA에는 전원전압 VCC를 공급하기 위한 피모오스 트랜지스터 25가 접속되어 있고, 감지 노드에는 접지전압 VSS를 공급하기 위한 엔모오스 트랜지스터 30이 접속되어 있다.
피모오스 트랜지스터 25 및 엔모오스 트랜지스터 30의 각각의 게이트 단자에는 제어 신호 LAPG 및 LANG가 인가되며, 피모오스 트랜지스터 25 및 엔모오스 트랜지스터 30의 턴온동작에 따라, 감지 노드 LA에는 전원전압 VCC를 그리고 감지 노드에는 접지전압 VSS를 공급되게 함으로써, 상기 피모오스 센스앰프 40 및 엔모오스 센스앰프 35가 각각 동작하게 된다.
제2A도는 센싱 윈도우(sensing window : 엔모오스 센스앰프 35가 센싱 개시된 후 피모오스 센스앰프가 센싱 개시되는 사이의 구간)가 3ns(nanosecond)인 경우와 0ns인 경우에 있어서의 전원 전압과 누설 전류Iss의 피크값간의 관계를 보이는 도면이며, 제2B도는 센싱 윈도우가 3ns인 경우와 0ns인 경우에 있어서의 전원 전압과 센싱 지연 시간에 따른 변화를 보이는 도면이다.
후술될 본 발명의 철저한 이해를 위하여, 제1도, 제2(A)도 및 제2(B)도는 참조하여 종래의 기술에 따른 반도체 메모리 장치의 센싱 동작을 설명한다.
제1도에 도시된 비트라인 센싱 회로는 엔모오스 센스앰프 35와 피모오스 센스앰프 40을 포함하고 있으며, 메모리 셀의 데이타가 비트라인 BL,에 실린 후 엔모오스 센스앰프 35가 동작하여 센싱을 수행하고, 피모오스 센스앰프 40이 동작하여 리스토어(restore) 동작을 수행한다. 그러나, 비트라인 BL,가 중간 전원전압 레벨, 즉VCC로 프리차아지되어 있는 경우, 엔모오스 센스앰프 35를 구성하고 있는 두 트랜지스터 T1 및 T2의 게이트-소오스 전압 Vgs의 차이는 전하 공유 전압(charge sharing voltage) ΔV에 불과하므로 센싱이 시작되는 순간 두 트랜지스터 모두에 전류가 흐르게 된다. 한편, 피모오스 센스앰프 40의 피모오스 트랜지스터 T3 및 T4 사이의 게이트-소오스 전압 Vgs의 차이 또한 ΔV이므로 두 트랜지스터 T3 및 T4 모두에 전류가 흐른다.
이와 같이, 제l도에서 제어신호(LAPG,LANG) 발생회로 10,20의 부가없이는 엔모오스 센스앰프 35 및 피모오스 센스앰프 40이 동시에 동작하게 되는 경우, 비트라인 센싱에 도움을 줌이 없이 엔모오스 센스앰프 35 및 피모오스 센스앰프 40에는 모두 전류 통로가 형성되고, 이로 인하여 누설전류 Iss가 증가된다. 이러한 동작은 모든 비트라인에서 거의 동시에 수행되므로 누설전류 Iss의 피크값이 매우 커지게 되며, 결국 접지전압 잡음을 유발하며, 동작 소모 전류도 증가하게 된다.
이러한 누설전류의 문제를 해결하기 위하여 제1도에서는 피모오스 센스앰프 인에이블 신호 PSE와 엔모오스 센스앰프 인에이블 신호 NSE를 각각 피모오스 센스앰프용 제1지연회로 5 및 엔모오스 센스앰프용 제2지연회로 50으로 입력하여 지연한 후 지연신호 PISD 및 PSD를 발생한다. 그 다음, 지연신호 PISD 및 PSD를 각각 LAPG 발생회로 및 LANG 발생회로에 입력하여 엔모오스 센스앰프를 제어하기 위한 제어신호 LANG와 LPAG를 발생하는 것이다. 제1도의 비트라인 센싱회로는 신호 LANG를 먼저 발생하고 일정시간 경과후 신호 LAPG를 발생하는 것이 통상적이다.
즉, 제1도의 비트라인 센싱 회로는 피모오스 센스앰프 40을 피모오스 트랜지스터 25를 통해 동작시키는 신호 LAPG와 엔모오스 센스앰프 35를 엔모오스 트랜지스터 30을 통해 동작시키는 신호 LANG를 각각 발생하는 LAPG 발생회로 10 및 LANG 발생회로 20의 입력신호인 PISD 및 PSD를 각각 일정한 지연경로를 통하여 발생시킨다. 따라서, 지연 시간의 차이를 두고서 제어하면 엔모오스 센스앰프 35 및 피모오스 센스앰프 40의 동작을 적절히 제어할 수 있게 된다.
제2A도 및 제2B도에는 센싱 윈도우가 3ns인 경우와 0ns인 경우, 즉 제1도의 엔모오스 센스앰프 35의 동작 시점이 피모오스 센스앰프 40의 동작 시점보다 3ns 빠른 경우 및 동일한 경우에 각기 누설전류 피크치와 센싱 지연 시간이 나타나 있다. 이는 전원전압 VCC가 1.6V에서 3.3V까지인 경우에 나타나는 예이다. 이러한 결과는 셀 캐패시턴스(cell capacitance)가 30ff, 비트라인 BL,의 캐패시턴스를 240ff로 하는 256K블럭 모델(block model)에서 수행한 값이다. 또한 센싱 지연시간은 엔모오스 센스앰프 35가 동작하는 시점으로부터 비트라인 BL,의 전압차가 VCC X 0.3이 되는 시간까지 정의하였으며, 이때 누설전류 피크치는 최대 누설전류를 측정한 값이다. 도시된 바와 같이 전원전압이 감소할수륵 센싱 지연시간은 증가하며 누설전류의 피크치는 감소한다. 또한, 동일한 전원전압에서 센싱 윈도우가 0ns인 경우가 센상 원도우가 3ns인 경우에 비하여 누설전류의 피크치는 크지만 센싱 지연시간은 작다.
즉, 이러한 과정을 통하여 엔모오스 센스앰프가 동작하는 시점과 피모오스 센스앰프가 발생하는 시점과의 시간 간격 즉, 센싱 윈도우를 두어 비트라인 센싱과 관계없이 발생하는 센싱 전류를 차단하게 된다. 그러나, 이러한 경우 제1도의 회로는 이러한 센싱 윈도우 구간만큼 피모오스 센스앰프가 동작하는 시점이 지연되므로 전체적인 센싱 동작 소요 시간이 증가하게 되는 문제점이 있다.
한편, 배터리 백업(battery back-up)용 반도체 장치에 사용되는 메모리 소자의 경우, 배터리의 방전에 따라 전원전압이 낮아지게 되므로 동작 속도가 급격하게 저하되며, 이러한 경우에는 누설전류 Iss 또한 급격하게 감소한다. 따라서, 이 경우, 저전원전압에서 크게 문제가 되지 않는 누설전류 Iss를 다소간 증가시키더라도 문제가 되는 동작 속도의 저하를 완화시켜 방안을 고려할 필요가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 고전원전압에서 엔모오스 센스앰프 및 피모오스 센스앰프 사이의 센싱 윈도우를 두고 저전원전압하에서는 이러한 센싱 윈도우를 제거할 수 있는 비트라인 센싱회로 및 그 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 고전원전압에서 누설전류 및 동작전류를 감소시킬 수 있으며 저전원전압하에서는 고속 동작을 실현할 수 있는 비트라인 센싱회로 및 그 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 전원전압의 전압 레벨에 대응하여 설정되는 다수의 센싱 윈도우를 가질 수 있는 비트라인 센싱회로 및 그 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 엔모오스 센스앰프 및 피모오스 센스앰프의 동작 시간 간격을 전원전압 레벨에 대응하어 가변적으로 제어할 수 있는 비트라인 센싱회로 및 그 방법을 제공함에 있다.
이러한 본 발명의 목적은 비트라인에 접속하는 엔모오스 센스앰프 및 피모오스 센스앰프를 가지는 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱 회로에 있어서, 입력되는 전원전압의 레벨을 감지하여 발생하는 전원전압 감지신호에 상응하여 상기 엔모오스 센스앰프 및 피모오스 센스앰프 사이의 동작 시점을 가변적으로 제어할수 있는 가변 지연경로를 구비함을 특징으로 하는 비트라인 센싱 회로를 제공함으로써 달성된다.
이하 본 발명의 일실시예를 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
제3도는 본 발명의 실시예에 의한 비트라인 센싱회로를 보이는 도면이다. 제3도에 도시된 비트라인 센싱회로는 제1도와 같은 피모오스 센스앰프 40 및 엔모오스 센스앰프 35와, 제어 신호 LAPG 및 LANG를 발생하는 LAPG 발생회로 10 및 LANG 발생회로 20를 기본적으로 가진다. 그러나, 제3도에 도시된 비트라인 센싱회로는 피모오스 센스앰프 인에이블 신호 PSE를 입력하여 지연하기 위한 피모오스 센스앰프용 제1지연회로 5…제n지연회로 45를 구비한 것이 특징임을 알 수 있다. 즉, 상기 제1 내지 제n지연회로 5,45는 각기 다른 다수의 지연신호 PISD를 발생한다. 한편, 엔모오스 센스앰프 인에이블 신호 NSE를 입력하여 지연하기 위한 엔모오스 센스앰프용 제1지연회로 15는 지연신호 PSD를 발생한다. 제3도에서, 상기 엔모오스 센스앰프용 제1지연회로 15는 제1도의 지연회로 15와 동일한 구성을 가진다.
종래의 기술에 의한 비트라인 센싱회로에서는 제어신호 LPAG와 LANG를 각기 발생시키는 지연신호 PISD 및 PSD를 고정된 지연타임을 가지는 지연회로 5,15에 의해 각기 발생하였으나, 제3도에서는 지연신호 PISD를 발생시키는 지연경로를 각각 달리하여 피모오스 센스앰프 40의 동작 시점을 가변적으로 제어할수 있다.
제4도는 제3도의 지연회로 5,45의 상세 회로를 보이는 도면이다. 여기서, 제4도는 제3도의 지연회로 5,45가 2개인 경우를 예로써 나타낸 것이며, 이 경우 제 1지연경로는 제 3도의 제 1지연회로 5에 대응된다. 제4도의 지연회로는, 전원전압 감지회로로부터 발생되는 전원전압 감지신호 ØDET를 입력하여 반전 출력하는 인버터 55와, 인버터 55의 출력 신호와 피모오스 센스앰프 인에이블 신호 PSE를 입력하여 게이팅 결과 신호를 출력하는 NAND 게이트 60과, NAND 게이트 60의 게이팅 결과 신호를 반전하며 전원전압 VCC와의 사이에 저항 R1이 형성된 인버터 70과, 전원전압 VCC와 인버터 70의 출력 신호 사이에 병렬 접속되는 캐패시터 80과, 인버터 70의 출력을 입력하며 접지전압 VSS와의 사이에 저항 R2가 형성된 인버터 85와, 인버터 85의 출력 신호와 접지전압 VSS 사이에 병렬 연결된 캐패시터 90으로 구성된 제1지연경로 5와; 상기 전원전압 감지신호 ØDET와 피모오스 센스앰프 인에이블 신호 PSE를 입력하여 게이팅 출력신호를 출력하는 NAND 게이트 65와, NAND 케이트 65의 출력신호를 반전하는 인버터 75와, 인버터 75의 출력 신호를 반전하는 인버터 95로 구성된 제2지연경로 45를 구비한다. 이러한 제1지연경로 또는 제2지연경로로부터 출력된 신호는 NAND 게이트 100 및 인버터 105를 거쳐 지연 신호 PISD로서 발생된다. 이러한 지연경로들의 선택은 상기 감지신호 ØDET의 레벨에 의해 결정된다. 따라서, 제3도에서 보여지는 인에이블 신호PSE의 스위칭 선택은 상기 제4도의 내부에서 이루어진다. 또한, 전원전압 감지신호 ØDET를 발생하는 전원전압 감지회로는 도면에는 도시되지 아니하였으나 당해 분야에 통상적으로 사용되는 전원전압 감지회로에 의하여 용이하게 구성될 수 있다.
제3도 내지 제5도를 참조하여 전체적인 동작을 더욱 상세하게 설명한다. 제3도의 비트라인 센싱회로는 제4도에서 보여지는 바와 같이 전원전압 레벨에 대응하여 발생되는 전원전압 감지신호 ØDET를 이용하여, 전원전압 레벨에 따라 지연경로를 결정하는 구성임을 알 수 있다. 이로 인하여 전원전압의 전압 레벨이 낮은 경우 센싱 윈도우를 작게 하거나 또는 없게 할 수 있으며, 전원전압의 전압 레벨이 높은 경우 센싱 윈도우를 많이 가지게 함으로써 저전원전압의 동작 특성이 향상되는 것이다.
즉, 전원전압 감지회로를 이용하여 2.3V 이하의 전원전압이 입력되는 경우, 전원전압 감지신호 ØDET는 논리 하이 상태를 유지하게 되어, 지연 시간이 거의 발생 하지 않는 제4도의 제2지연경로 45를 통하여 논리 로우 상태의 지연신호 PISD를 출력하게 된다. 이로 인하여 엔모오스 센스앰프 35의 인에이블 시점과의 시간 지연 차이를 없애거나 좁힐 수 있다. 한편, 2.3V 이상의 전원전압이 입력되는 경우, 전원전압 감지신호 ØDET는 논리 로우 상태를 유지하게 되어, 자연 시간이 3ns 정도로 설정되는 제1지연경로 5를 통하여 논리 로우 상태의 지연신호 PISD를 출력하게 되어 엔모오스 센스앰프 35와의 사이에 센싱 윈도우를 존재시킬 수 있게 된다.
필요한 경우, 제4도에 도시된 제1지연경로 5의 지연시간은 저항 R1 및 R2의 저항값과 캐패시터 80, 90의 캐패서턴스의 값을 조절함으로써 지연시간을 용이하게 조절할 수 있다.
제5A도 및 제5B도는 전원전압 감지회로를 이용하여 2.3V 이하의 전원전압이 입력되는 경우 센싱 원도우를 0ns으로 설정하고, 2.3V 이상의 전원전압이 인가되는 경우에는 센싱 윈도우를 3ns으로 설정함으로써 저전원전압 동작 특성을 개선시킨 결과가 나타나 있다. 2.3V를 기준으로 하여 누설전류의 피크치는 70㎂ 가량 증가하지만 1.5ns 정도의 센싱 지연 시간이 감소하여 동작 속도의 개선이 이루어진다.
제3도의 회로의 구성은 피모오스 센스앰프 40을 구동하기 위하여 각각의 지연 경로를 가지는 제1지연회로 5 및 제n지연회로 45를 제4도에 도시된 바와 같이 구성하였으나, 이와 달리 엔모오스 센스앰프 35를 구동하고자 지연신호 PSD를 발생하는 회 15에 제4도와 같은 가변 지연경로를 구성하여 동일한 효과를 얻을 수 있다. 이렇게 함으로써 2.3V 이상의 전원전압이 입력되는 경우에는 센싱 윈도우가 0ns가 되게 하며, 2.3V 이하의 전원전압이 입력되는 경우에는 센싱 윈도우를 3ns가 되게 할 수도 있다.
제6도는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 비트라인 센싱회로의 구성을 보이는 도면이다. 제6도의 비트라인 센싱회로의 구성에 있어서는 제3도의 회로의 구성과 다르게 지연신호 PSD를 발생하는 회로 또한 가변 지연경로를 가지게 하였다. 피모오스 센스앰프용 제1지연회로 5…제n지연회로 45의 구성 및 엔모오스 센스앰프용 제1지연회로 15 및 제i지연회로 50은 각각의 지연경로를 가진다. 이러한 지연경로의 구성은 제4도에 도시된 바와 같은 회로로서 구성될 수 있으나, 이때, 피모오스 센스앰프용 제1지연경로의 지연시간을 엔모오스 센스앰프용 제1지연경로의 지연시간보다 더 느리게 설정하기 위하여 저항 R1, R2의 저항값 및 캐패시터 80, 90의 캐패시턴스를 조절하여 약 3ns 정도 느리게 설정한다.
이러한 구성으로 인하여 2.3V 이상의 전원전압이 입력되는 경우에는 피모오스 센스앰프용 제n지연경로 및 엔모오스 센스앰프용 제i지연경로가 선택되어 센싱 윈도우가 0ns가 되게 하며, 2.3V 이하의 전원전압이 입력되는 경우에는 피모오스 센스앰프용 지1지연경로 및 엔모오스 센스앰프용 제1지연경로가 선택되어 센싱 원드우를 3ns가 되게 할 수 있다.
본 발명은 전원전압이 배터리의 방전에 따라 점점 감소하게 되는 배터리 백업용 메모리 소자에서는 동작속도보다는 누설전류가 문제가 되는 고전원전압하에서 엔모오스 센스앰프와 피모오스 센스앰프가 동작하는 시점간에 시간 간격을 두어 누설전류를 억제하며, 누설전류보다는 동작속도가 문제가 되는 저전원전압하에서는 엔모오스 센스앰프와 피모오스 센스앰프가 동작하는 시점의 기간 간격, 즉 센싱 윈도우를 제거함으로써 동작속도를 개선하는 효과를 가진다.

Claims (8)

  1. 한쌍의 비트라인에 접속되는 엔모오스 센스앰프 및 피모오스 센스앰프를 가지는 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱 회로에 있어서, 공급되는 전원전압의 레벨에 따라 생성된 전원전압 감지신호 및 센스앰프 인에이블 신호들에 응답하여 상기 엔모오스 센스앰프 및 피모오스 센스앰프 각각의 구동 시점을 가변적으로 제어하기 위한 가변 지연경로를 상기 센스앰프 인에이블 신호들이 인가되는 입력단에 구비함을 특징으로 하는 비트라인 센싱회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 피모오스 센스앰프에 상응하는 상기 가변 지연경로를 구비하여 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이상인 경우 상기 피모오스 센스앰프 및 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점을 동일하게 하며, 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이하인 경우 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점보다 상기 피모오스 센스앰프의 동작 시점을 더 느리게 함을 특징으로 하는 비트라인 센싱회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 엔모오스 센스앰프에 상응하는 상기 가변 지연경로를 구비하여 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이상인 경우 상기 피모오스 센스앰프 및 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점을 동일하게 하며, 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이하인 경우 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점 보다 상기 피모오스 센스앰프의 동작 시점을 더 느리게 함을 특징으로 하는 비트라인 센싱회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 피모오스 센스앰프 및 상기 엔모오스 센스앰프에 각각 상응하는 상기 가변 지연경로를 구비하여 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이상인 경우 상기 피모오스 센스앰프 및 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점을 동일하게 하며, 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이하인 경우 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점 보다 상기 피모오스 센스앰프의 동작 시점을 더 느리게 함을 특징으로 하는 비트라인 센싱회로.
  5. 비트라인에 접속하는 엔모오스 센스앰프 및 피모오스 센스앰프를 가지는 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱 방법에 있어서, 입력되는 전원전압의 레벨을 감지하여 발생하는 전원전압 감지신호에 상응하여 상기 엔모오스 센스앰프 및 피모오스 센스앰프 사이의 동작 시점을 가변적으로 제어하는 비트라인 센싱방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 피모오스 센스앰프에 상응하는 상기 가변 지연경로를 형성하여 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이상인 경우 상기 피모오스 센스앰프 및 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점을 동일하게 하며, 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이하인 경우 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점 보다 상기 피모오스 센스앰프의 동작 시점을 더 느리게 함을 특징으로 하는 비트라인 센싱방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 엔모오스 센스앰프에 상응하는 상기 가변 지연경로를 형성하여 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이상인 경우 상기 피모오스 센스앰프 및 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점을 동일하게 하며, 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이하인 경우 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점 보다 상기 피모오스 센스앰프의 동작 시점을 더 느리게 함을 특징으로 하는 비트라인 센싱방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 피모오스 센스앰프 및 상기 엔모오스 센스앰프에 각각 상응하는 상기 가변 지연경로를 형성하여 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이상인 경우 상기 피모오스 센스앰프 및 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점을 동일하게 하며, 상기 전원전압의 레벨이 일정 레벨 이하인 경우 상기 엔모오스 센스앰프의 동작 시점 보다 상기 피모오스 센스앰프의 동작 시점을 더 느리게 함을 특징으로 하는 비트라인 센싱방법.
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