JPWO2017183484A1 - 光変調器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光変調器100は、第1及び第2の光導波路10a,10bを含むマッハツェンダー光導波路10と、第1及び第2の光導波路10a,10bを覆うバッファ層4と、第1及び第2の接地電極8,9と、平面視で第1及び第2の接地電極8,9間に位置する信号電極7とを含む電極層6とを備える、信号電極7は、バッファ層4を介して第1の光導波路10aを覆う第1の下面S11を有し、第1の接地電極8は、バッファ層4を介して第2の光導波路10bを覆う第1の下面S21と、第1の下面S21よりも上方に位置する第2の下面S22とを有し、信号電極7と第2の接地電極9の間隔G3は、信号電極7と第1の接地電極8の間隔G2より広い。
【選択図】図2
Description
2 導波層
2r リッジ部
3 保護層
4 バッファ層
5 絶縁層
6 電極層
6i 電極分離領域
7 信号電極
7a 信号電極の上層部
7b 信号電極の下層部
7e 信号電極の一端
7g 信号電極の他端
8 第1の接地電極
8a 第1の接地電極の上層部
8b 第1の接地電極の下層部
9 第2の接地電極
10 マッハツェンダー光導波路
10a 第1の光導波路
10b 第2の光導波路
10c 分波部
10d 合波部
10e1 マッハツェンダー光導波路の第1の直線部
10e2マッハツェンダー光導波路の第2の直線部
10e3 マッハツェンダー光導波路の第3の直線部
10f1 マッハツェンダー光導波路の第1の曲線部
10f2マッハツェンダー光導波路の第2の曲線部
10i 入力光導波路
10o 出力光導波路
12 終端抵抗
21 サファイア基板
22a 第1の光導波路
22b 第2の光導波路
23 バッファ層
24a,24a1,24a2 信号電極
24b,24c,24d 接地電極
100,200,300,400,500,600,700,800 光変調器
G2 信号電極と第1の接地電極の間隔
G3 信号電極と第2の接地電極の間隔
S11 信号電極の第1の下面(下層部7bの下面)
S12 信号電極の第2の下面(上層部7aの下面)
S21 第1の接地電極の下面(下層部8bの下面)
S22 第2の接地電極の下面(上層部8aの下面)
Si 入力光
So 変調光(出力光)
W0 第1及び第2の光導波路の幅(リッジ幅)
W10 信号電極の全幅
W11 信号電極の第1の下面の幅
W12 信号電極の第2の下面の幅
W20 第1の接地電極の全幅
W21 第1の接地電極の第1の下面の幅
W22 第1の接地電極の第2の下面の幅
W30 第2の接地電極の全幅
Claims (8)
- 第1及び第2の光導波路を含むマッハツェンダー光導波路と、
前記第1及び第2の光導波路を覆うバッファ層と、
第1及び第2の接地電極と、平面視で前記第1及び第2の接地電極間に位置する信号電極とを含む電極層とを備え、
前記信号電極は、前記バッファ層を介して前記第1の光導波路を覆う第1の下面を有し、
前記第1の接地電極は、前記バッファ層を介して前記第2の光導波路を覆う第1の下面と、前記第1の下面よりも上方に位置する第2の下面とを有し、
前記信号電極と前記第2の接地電極の間隔は、前記信号電極と前記第1の接地電極の間隔より広いことを特徴とする光変調器。 - 前記信号電極の前記第1の下面の幅は、前記第1の接地電極の前記第1の下面の幅よりも広い、請求項1に記載の光変調器。
- 前記信号電極は、前記第1の下面よりも上方に位置する第2の下面をさらに有する、請求項1又は2に記載の光変調器。
- 前記信号電極の前記第1の下面の幅及び前記第1の接地電極の前記第1の下面の幅は、前記第1及び第2の光導波路の幅よりも広い、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光変調器。
- 前記バッファ層と前記電極層との間に設けられた絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は、前記第1及び第2の光導波路の上方にそれぞれ位置する第1及び第2の開口を有し、
前記信号電極は、前記電極層に形成された上層部と、前記第1の開口内に埋め込まれた下層部を含み、
前記第1の接地電極は、前記電極層に形成された上層部と、前記第2の開口内に埋め込まれた下層部を含み、
前記第1の接地電極の上層部の幅は、前記第1の接地電極の下層部の幅よりも広い、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器。 - 前記信号電極の下層部と前記第1の接地電極の下層部との間の電極分離領域の下方に存在する前記絶縁層の少なくとも一部が除去されている、請求項5に記載の光変調器。
- 前記マッハツェンダー光導波路は、少なくとも一つの直線部と少なくとも一つの湾曲部とを有し、
前記信号電極の前記第1の下面は、前記バッファ層を介して前記直線部における前記第1の光導波路を覆っており、
前記第1の接地電極の前記第1の下面は、前記バッファ層を介して前記直線部における前記第2の光導波路を覆っている、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光変調器。 - 前記マッハツェンダー光導波路は、
基板上に形成されたニオブ酸リチウム膜により形成され、
前記ニオブ酸リチウム膜のc軸は前記基板の主面に対して垂直方向に配向している、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光変調器。
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