JPWO2017094672A1 - 光学フィルター、環境光センサーおよびセンサーモジュール - Google Patents

光学フィルター、環境光センサーおよびセンサーモジュール Download PDF

Info

Publication number
JPWO2017094672A1
JPWO2017094672A1 JP2017553846A JP2017553846A JPWO2017094672A1 JP WO2017094672 A1 JPWO2017094672 A1 JP WO2017094672A1 JP 2017553846 A JP2017553846 A JP 2017553846A JP 2017553846 A JP2017553846 A JP 2017553846A JP WO2017094672 A1 JPWO2017094672 A1 JP WO2017094672A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
resin
optical filter
layer
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017553846A
Other languages
English (en)
Inventor
勝也 長屋
勝也 長屋
大月　敏敬
敏敬 大月
大介 重岡
大介 重岡
坪内　孝史
孝史 坪内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Publication of JPWO2017094672A1 publication Critical patent/JPWO2017094672A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0488—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts with spectral filtering
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0204—Compact construction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4204—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors with determination of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06—Systems determining position data of a target
    • G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • G01S7/4816—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of receivers alone
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • G02B5/223—Absorbing filters containing organic substances, e.g. dyes, inks or pigments
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/26—Reflecting filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/28—Interference filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Blocking Light For Cameras (AREA)

Abstract

本発明の課題の一つは、入射角度が大きくなった場合でも優れた可視光透過率と近赤外線カット性能を両立可能な光学フィルターを提供することである。本発明の光学フィルターは、光吸収層を含む基材（ｉ）を有し、かつ、可視光を透過する光学フィルターであって、前記光吸収層が波長７５０〜１１５０ｎｍの領域に吸収極大を有し、波長８５０〜１０５０ｎｍにおいて、前記光学フィルターの垂直方向から測定した場合の平均ＯＤ値が２．０以上であり、かつ、前記光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合の平均ＯＤ値が２．０以上であることを特徴とする。

Description

本発明は、光学フィルター、環境光センサーおよびセンサーモジュールに関する。詳しくは、特定の波長域に吸収を有する色素化合物を含む光学フィルター、該光学フィルターを用いた環境光センサー、および該光学フィルターを具備するセンサーモジュールに関する。
近年、スマートフォンやタブレット端末等の情報端末装置への用途として、環境光センサーの開発が進められている。情報端末装置における環境光センサーは、情報端末装置がおかれた環境の照度を感知してディスプレイの明るさを調光する照度センサーや、情報端末装置がおかれた環境の色調を感知してディスプレイの色調を調整するカラーセンサーなどとして用いられる。
人間の視感度と、ディスプレイの輝度や色調とを自然な形で合わせるためには、可視光線のみを環境光センサーに到達させることが重要である。例えば、環境光センサーは、近赤外線カットフィルターなどの光学フィルターを設置することで、分光感度特性を視感度に近づけることが可能となる。
一方、情報端末装置のデザイン性重視の要望から、環境光センサーに光を入射させる透過窓の透過率を下げる（黒っぽい外観とする）ことが求められており、赤外光に対する可視光の入射量が減少し、正確な照度や色調の検出が困難となり、誤作動が発生するとういう問題がある。また、情報端末装置の低背化が進み、光の入射窓から環境光センサーまでの距離が短くなる。そのため、例えば、入射角度６０°といった高入射角からの入射光の割合が増加することになり、高入射角の入射光に対しても環境光センサーに到達する光の分光特性（特に近赤外線の強度）が変化しないことが要求されている。
環境光センサーの分光特性を、人間の視感度と合わせるための手段として、ガラス板上に金属多層膜が形成された赤外線カットフィルターを設けた装置が開示されている（例えば特許文献１参照）。しかしながら、ガラス板上に金属多層薄膜を形成した近赤外線カットフィルターは、入射光の入射角度によって光学特性が大きく変化するため、環境光センサーの検出精度が低下するという問題がある。
一方、入射角度によらず広帯域の近赤外線をカットできる材料として、種々の近赤外線吸収粒子が知られている（例えば、特許文献２、特許文献３参照）。このような近赤外線吸収粒子を用いて、環境光センサーの用途として十分な近赤外線カット性能を達成するためには、近赤外線吸収粒子の添加量を多くする必要がある。しかし、近赤外線カットフィルターにおいて、近赤外線吸収粒子の添加量を多くすると、可視光透過率が低下するといった問題がある。
これに対し、ノルボルネン系樹脂製基板、特定波長に吸収極大を有する近赤外線吸収色素、および近赤外線反射膜を有する近赤外線カットフィルターは、光線が斜め方向から入射した際に可視域の透過率変化が少ないという特性を有する（特許文献４参照）。この近赤外線カットフィルターを環境光センサー用途として使用するには、入射角度６０°といった高入射角の赤外線カット性能をさらに向上させることが望ましいと考えられる。
特開２０１１−０６０７８８号公報 国際公開第２００５／０３７９３２号明細書 特開２０１１−１１８２５５号公報 特開２０１１−１０００８４号公報
本発明は、各種環境光センサーが設けられる機器の低背化に伴い、入射角度が大きくなった場合でも優れた可視光透過率と近赤外線カット性能を両立可能な光学フィルターを提供することを目的とする。
［１］光吸収層を有する基材（ｉ）を有し、かつ、可視光を透過する光学フィルターであって、前記光吸収層が波長７５０〜１１５０ｎｍの領域に吸収極大を有し、波長８５０〜１０５０ｎｍの領域において、前記光学フィルターの垂直方向から測定した場合の平均ＯＤ値が２．０以上であり、かつ、前記光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合の平均ＯＤ値が２．０以上であることを特徴とする光学フィルター。
［２］波長４３０〜５８０ｎｍの領域において、前記光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が３０％以上８０％以下であることを特徴とする項［１］に記載の光学フィルター。
［３］前記光吸収層が、波長７５０〜１１５０ｎｍの領域に吸収極大を有する化合物（Ｓ）を含むことを特徴とする項［１］または［２］に記載の光学フィルター。
［４］前記化合物（Ｓ）が、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クロコニウム系化合物、シアニン系化合物、ジイモニウム系化合物、金属ジチオラート系化合物、リン酸銅錯体系化合物およびピロロピロール系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であることを特徴とする項［３］に記載の光学フィルター。
［５］波長８５０〜１０５０ｎｍの領域において、前記基材（ｉ）の垂直方向から測定した場合の平均ＯＤ値が１．０以上であることを特徴とする項［１］〜［４］のいずれか１項に記載の光学フィルター。
［６］前記光吸収層が、波長６５０〜７５０ｎｍの領域に吸収極大を有する化合物（Ａ）をさらに含むことを特徴とする項［１］〜［５］のいずれか１項に記載の光学フィルター。
［７］前記化合物（Ａ）が、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クロコニウム系化合物およびシアニン系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であることを特徴とする項［６］に記載の光学フィルター。
［８］前記光吸収層が、環状ポリオレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フルオレンポリカーボネート系樹脂、フルオレンポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂およびゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むことを特徴とする項［１］〜［７］のいずれか１項に記載の光学フィルター。
［９］前記基材（ｉ）の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有することを特徴とする項［１］〜［８］のいずれか１項に記載の光学フィルター。
［１０］環境光センサー用であることを特徴とする項［１］〜［９］のいずれか１項に記載の光学フィルター。
［１１］項［１］〜［９］のいずれか１項に記載の光学フィルターを具備することを特徴とする環境光センサー。
［１２］受光面に入射する光により光電流を生成し照度や色温度を測定する光電変換素子と、前記光電変換素子の前記受光面側に配置された、項［１］〜［９］のいずれか１項に記載の光学フィルターとを有することを特徴とする環境光センサー。
［１３］受光面に入射する光により光電流を生成し照度や色温度を測定する光電変換素子と、前記光電変換素子の前記受光面側に配置された光学フィルターとを有し、前記光学フィルターは、近赤外線吸収層と、近赤外線反射層とを含むことを特徴とする環境光センサー。
［１４］前記近赤外線吸収層は、近赤外線吸収色素を含む樹脂層であることを特徴とする項［１３］に記載の環境光センサー。
［１５］前記樹脂層の樹脂が、環状ポリオレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フルオレンポリカーボネート系樹脂、フルオレンポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂およびゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂であることを特徴とする項［１４］に記載の環境光センサー。
［１６］前記近赤外線吸収層は、銅成分を含有するフッ素リン酸塩系ガラス層又はリン酸塩系ガラス層であることを特徴とする項［１３］に記載の環境光センサー。
［１７］前記光学フィルターはガラス基板を含み、前記近赤外線吸収層は前記ガラス基板の少なくとも一方の面に設けられていることを特徴とする項［１３］〜［１５］のいずれか１項に記載の環境光センサー。
［１８］前記光学フィルターは樹脂製基板を含み、前記近赤外線吸収層は前記樹脂基板の少なくとも一方の面に設けられていることを特徴とする項［１３］〜［１５］のいずれか１項に記載の環境光センサー。
［１９］前記近赤外線反射層が誘電体多層膜であることを特徴とする項［１３］〜［１８］のいずれか１項に記載の環境光センサー。
［２０］前記光学フィルターは、透過率が下記条件（Ａ）〜（Ｃ）を満たすことを特徴とする項［１３］〜［１９］のいずれか１項に記載の環境光センサー：
（Ａ）波長４３０〜５８０ｎｍの範囲において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が５０％以上である；
（Ｂ）波長８００〜１０００ｎｍの範囲において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が１５％以下である；
（Ｃ）波長５６０〜８００ｎｍの範囲において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が５０％となる波長の値（Ｘａ）と、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の透過率が５０％となる波長の値（Ｘｂ）の差の絶対値（｜Ｘａ−Ｘｂ｜）が２０ｎｍ未満である。
［２１］前記光学フィルターは、光入射面側から、前記近赤外線反射層および前記近赤外線吸収層がこの順に配置された構造を含むことを特徴とする項［１３］〜［２０］のいずれか１項に記載の環境光センサー。
［２２］前記近赤外線吸収層が波長７５０〜１１５０ｎｍの領域に吸収極大を有し、波長８５０〜１０５０ｎｍにおいて、前記光学フィルターの垂直方向から測定した場合の平均ＯＤ値が２．０以上であり、かつ、前記光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合の平均ＯＤ値が２．０以上であることを特徴とする項［１３］〜［２１］のいずれか１項に記載の環境光センサー。
［２３］近赤外光を出射する発光素子と、近赤外光を検知する第２光電変換素子とを有する近接センサーをさらに含むことを特徴とする項［１２］〜［２２］のいずれか１項に記載の環境光センサー。
［２４］さらに、光散乱フィルムを具備することを特徴とする項［１１］〜［２３］のいずれか１項に記載の環境光センサー。
［２５］項［１］〜［１０］のいずれか１項に記載の光学フィルターを具備することを特徴とするセンサーモジュール。
［２６］項［１１］〜［２４］のいずれか１項に記載の環境光センサーを含むことを特徴とする電子機器。
本発明によれば、垂直方向からの入射光および斜め方向からの入射光の双方に対して、高い可視光透過率と近赤外線カット性能を有し、環境光センサー用途として好適に使用できる光学フィルターを提供することができる。このような光学フィルターを用いた環境光センサーは、入射光の入射角依存性が小さく、照度や色温度を高精度に測定することができる。
本発明の一実施形態に係る環境光センサーの構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る光学フィルターの構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る光学フィルターの構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る環境光センサーの構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る環境光センサーの構成を示す図である。 本発明の一実施形態に係る環境光センサーを備えた電子機器の一例を示す図である。 透過スペクトルを垂直方向、斜め３０度の方向および斜め６０度の方向から測定する構成を示した図である。 実施例Ｂ１における透明樹脂製基板からなる基材の分光透過率を示すグラフである。 実施例Ｂ１で得られた光学フィルターの垂直方向および垂直方向から３０°の角度から測定した分光透過率を示すグラフである。 実施例Ｂ２における透明樹脂製基板からなる基材の分光透過率を示すグラフである。 実施例Ｂ２で得られた光学フィルターの垂直方向および垂直方向から３０°の角度から測定した分光透過率を示すグラフである。 実施例Ｂ３で得られた光学フィルターの垂直方向および垂直方向から３０°の角度から測定した分光透過率を示すグラフである。 比較例Ｂ１で得られた光学フィルターの垂直方向および垂直方向から３０°の角度から測定した分光透過率を示すグラフである。 比較例Ｂ３で得られた光学フィルターの垂直方向および垂直方向から３０°の角度から測定した分光透過率を示すグラフである。 照度センサーの分光感度特性の一例を示すグラフである。 人間の視感度特性を示すグラフである。 本発明の光センサーモジュールの態様例を説明するものである。 本発明の光センサーモジュールの態様例を説明するものである。
以下、本発明の実施の形態を、必要に応じて図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付し又は類似の符号（数字の後にＡ、Ｂなどを付しただけの符号）を付し、詳細な説明を適宜省略することがある。
本明細書中において「上」とは、支持基板の主面（センサーの受光面）を基準とした相対的な位置を指し、支持基板の主面から離れる方向が「上」である。本願図面では、紙面に向かって上方が「上」となっている。また、「上」には、物体の上に接する場合（つまり「ｏｎ」の場合）と、物体の上方に位置する場合（つまり「ｏｖｅｒ」の場合）とが含まれる。逆に、「下」とは、支持基板の主面を基準とした相対的な位置を指し、支持基板の主面に近づく方向が「下」である。本願図面では、紙面に向かって下方が「下」となっている。
本発明の光学フィルターは、後述する構成を有するものであり、その用途は特に限定されないが、環境光センサー用途として好適である。本発明の環境光センサーは、後述する光学フィルターを具備すれば特に限定されないが、具体的な構成としては、受光面に入射する光により光電流を生成し照度や色温度を測定する光電変換素子と、前記光電変換素子の前記受光面側に配置された光学フィルターとを有する構成が挙げられる。
以下、本発明の光学フィルターについて、第一の態様（以下「第一の光学フィルター」ともいう。）と第二の態様（以下「第二の光学フィルター」ともいう。）とに分けて説明するが、両者において共通する構成等については、本発明の効果を損なわないものである限り、一方の態様に関する説明は他方の態様にも適用可能である。なお、単に「本発明の光学フィルター」と記載した場合、原則として、第一の光学フィルターおよび第二の光学フィルターの両方を含むものとする。
［第一の光学フィルター］
本発明に係る第一の光学フィルターは、光吸収層を有する基材（ｉ）を有し、かつ、可視光を透過する光学フィルターであって、前記光吸収層が波長７５０〜１１５０ｎｍの領域に吸収極大を有し、波長８５０〜１０５０ｎｍにおいて、前記光学フィルターの垂直方向から測定した場合の平均ＯＤ値（以下「ＯＤA」ともいう。）が２．０以上であり、かつ、前記光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合の平均ＯＤ値（以下「ＯＤB」ともいう。）が２．０以上であることを特徴とする。
ＯＤ値は透過率の常用対数値であり、下記式（１）にて算出できる。指定の波長範囲の平均ＯＤ値が高いと、光学フィルターはその波長領域の光のカット特性が高いことを表す。
ある波長域における平均ＯＤ値＝−Ｌｏｇ10（ある波長域における平均透過率（％）／１００）・・・式（１）
前記ＯＤAは、好ましくは２．３以上１０以下、より好ましくは２．５以上９以下である。前記ＯＤBは、好ましくは２．３以上１０以下、より好ましくは２．５以上９以下である。
また、波長８５０〜１０５０ｎｍにおいて、前記光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の平均ＯＤ値（以下「ＯＤD」ともいう。）は、好ましくは２．０以上、より好ましくは２．３以上１０以下、さらに好ましくは２．５以上９以下である。
前記ＯＤA、ＯＤBおよびＯＤDが２．０以上であると、光学フィルターは、垂直方向で透過する近赤外線のみでなく、高入射角で透過する近赤外線も十分にカットすることができる。そのような光学フィルターを携帯電話やタブレットの光センサーに用いた場合、画面の輝度や色味補正機能の誤作動を防ぐことができる。特に、光センサーモジュールにおいて、本発明の光学フィルターの上部に光拡散フィルムを具備する場合でも好適に近赤外光をカットすることができる。
環境光センサーの誤作動防止の観点から、光学フィルターの垂直方向から入射した場合の可視光のＲＧＢバランス、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の方向から入射した場合の可視光のＲＧＢバランス、および光学フィルターの垂直方向に対して６０°の方向から入射した場合の可視光のＲＧＢバランスの変化が小さいことが望ましい。Ｒ（赤色）透過率を波長５８０〜６５０ｎｍにおける平均透過率、Ｇ（緑色）透過率を波長５００〜５８０ｎｍにおける平均透過率、Ｂ（青色）透過率を波長４２０〜５００ｎｍの平均透過率とした場合、Ｒ透過率の比、Ｇ透過率の比、およびＢ透過率の比は下記式（２）〜（４）から導くことができる。
（Ｒ透過率の比）＝（Ｒ透過率）×１００／（（Ｒ透過率）＋（Ｇ透過率）＋（Ｂ透過率））・・・式（２）
（Ｇ透過率の比）＝（Ｇ透過率）×１００／（（Ｒ透過率）＋（Ｇ透過率）＋（Ｂ透過率））・・・式（３）
（Ｂ透過率の比）＝（Ｂ透過率）×１００／（（Ｒ透過率）＋（Ｇ透過率）＋（Ｂ透過率））・・・式（４）
光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合のＲ透過率の比を、光学フィルターの垂直方向から測定した場合のＲ透過率の比で割った値（０°→３０°の場合のＲ透過率の比の変化率）は下記式（５）から導くことができる。
（０°→３０°の場合のＲ透過率の比の変化率）＝（光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から入射した場合のＲ透過率の比）／（光学フィルターの垂直方向から入射した場合のＲ透過率の比）・・・式（５）
０°→３０°の場合のＲ透過率の比の変化率は、好ましくは０．５以上２．０以下、より好ましくは０．６以上１．８以下、さらに好ましくは０．８以上１．４以下であり、該変化率が１．０に近いほど、ＲＧＢバランスの入射角依存変化が小さい。
また、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合のＧ透過率の比を、光学フィルターの垂直方向から測定した場合のＧ透過率の比で割った値（０°→３０°の場合のＧ透過率の比の変化率）は下記式（６）から導くことができる。
（０°→３０°の場合のＧ透過率の比の変化率）＝（光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から入射した場合のＧ透過率の比）／（光学フィルターの垂直方向から入射した場合のＧ透過率の比）・・・式（６）
０°→３０°の場合のＧ透過率の比の変化率は、好ましくは０．５以上２．０以下、より好ましくは０．６以上１．８以下、さらに好ましくは０．８以上１．４以下であり、該変化率が１．０に近いほど、ＲＧＢバランスの入射角依存変化が小さい。
さらに、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合のＢ透過率の比を、光学フィルターの垂直方向から測定した場合のＢ透過率の比で割った値（０°→３０°の場合のＢ透過率の比の変化率）は下記式（７）から導くことができる。
（０°→３０°の場合のＢ透過率の比の変化率）＝（光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から入射した場合のＢ透過率の比）／（光学フィルターの垂直方向から入射した場合のＢ透過率の比）・・・式（７）
０°→３０°の場合のＢ透過率の比の変化率は、好ましくは０．５以上２．０以下、より好ましくは０．６以上１．８以下、さらに好ましくは０．８以上１．４以下であり、該変化率が１．０に近いほど、ＲＧＢバランスの入射角依存変化が小さい。
同様に、光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合のＲ透過率の比を、光学フィルターの垂直方向から測定した場合のＲ透過率の比で割った値（０°→６０°の場合のＲ透過率の比の変化率）は下記式（８）から導くことができる。
（０°→６０°の場合のＲ透過率の比の変化率）＝（光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から入射した場合のＲ透過率の比）／（光学フィルターの垂直方向から入射した場合のＲ透過率の比）・・・式（８）
０°→６０°の場合のＲ透過率の比の変化率は、好ましくは０．４以上２．０以下、より好ましくは０．５以上１．８以下、さらに好ましくは０．６以上１．６以下であり、該変化率が１．０に近いほど、ＲＧＢバランスの入射角依存変化が小さい。
また、光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合のＧ透過率の比を、光学フィルターの垂直方向から測定した場合のＧ透過率の比で割った値（０°→６０°の場合のＧ透過率の比の変化率）は下記式（９）から導くことができる。
（０°→６０°の場合のＧ透過率の比の変化率）＝（光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から入射した場合のＧ透過率の比）／（光学フィルターの垂直方向から入射した場合のＧ透過率の比）・・・式（９）
０°→６０°の場合のＧ透過率の比の変化率は、好ましくは０．４以上２．０以下、より好ましくは０．５以上１．８以下、さらに好ましくは０．６以上１．６以下であり、該変化率が１．０に近いほど、ＲＧＢバランスの入射角依存変化が小さい。
さらに、光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合のＢ透過率の比を、光学フィルターの垂直方向から測定した場合のＢ透過率の比で割った値（０°→６０°の場合のＢ透過率の比の変化率）は下記式（９）から導くことができる。
（０°→６０°の場合のＢ透過率の比の変化率）＝（光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から入射した場合のＢ透過率の比）／（光学フィルターの垂直方向から入射した場合のＢ透過率の比）・・・式（９）
０°→６０°の場合のＢ透過率の比の変化率は、好ましくは０．４以上２．０以下、より好ましくは０．５以上１．８以下、さらに好ましくは０．６以上１．６以下であり、該変化率が１．０に近いほど、ＲＧＢバランスの入射角依存変化が小さい。
このような光学フィルターを携帯電話やタブレットの環境光センサーに用いると、画面の輝度や色味の補正がしやすくなるため、明るい環境においてディスプレイの輝度が不足して見えにくくなったり、画面上に特定の色を正常に表示できなくなったりするという不具合を解消することができる。
本発明の第一の光学フィルターは、波長４３０〜５８０ｎｍの領域において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値（以下「ＴA」ともいう。）が、好ましくは３０％以上８０％以下、より好ましくは３０％以上７５％以下、さらに好ましくは３３％以上７０％以下であることが望ましい。また、波長４３０〜５８０ｎｍの領域において、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の透過率の平均値（以下「ＴB」ともいう。）は、好ましくは３０％以上８０％以下、より好ましくは３０％以上７５％以下、さらに好ましくは３３％以上７０％以下であることが望ましい。さらに、波長４３０〜５８０ｎｍの領域において、光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合の透過率の平均値（以下「ＴC」ともいう。）は、好ましくは２０％以上７８％以下、より好ましくは２５％以上７５％以下、さらに好ましくは３０％以上７０％以下であることが望ましい。
波長４３０〜５８０ｎｍの領域において、透過率の平均値（ＴA）が高過ぎると、光センサーの受光部に入射する光の強度が過剰に強くなり、光センサーがサチレーションを起こすため正常に機能しなくなる場合がある。また、透過率の平均値（ＴA）が低すぎると、光センサーの受光部に入射する光の強度が弱くなり、フィルターを通過する光の強度が充分確保されず、上記用途に好適に用いることができない場合がある。
本発明の光学フィルターの厚みは、特に制限されないが、好ましくは４０〜１０００μｍ、より好ましくは５０〜８００μｍ、さらに好ましくは８０〜５００μｍ、特に好ましくは９０〜２５０μｍである。光学フィルターの厚みが上記範囲にあると、光学フィルターを、小型化および軽量化することができ、光センサー等の種々の用途に好適に用いることができる。特に光センサーの受光部上面に用いた場合には、光センサーモジュールの低背化を実現することができるため好ましい。
＜基材（ｉ）＞
前記基材（ｉ）は、単層であっても多層であってもよく、波長７５０〜１１５０ｎｍの領域に吸収極大を有する光吸収層を含有すればよい。また、前記光吸収層は、波長７５０〜１１５０ｎｍの領域に吸収極大を有する化合物（Ｓ）を含有することが好ましい。基材（ｉ）が単層の場合は、例えば、化合物（Ｓ）を含む透明樹脂製基板（ｉｉ）からなる基材、銅成分を含有する近赤外線吸収ガラス基板（ｉｉｉ）からなる基材を挙げることができ、この透明樹脂製基板（ｉｉ）、またはガラス基板（ｉｉｉ）が前記光吸収層となる。多層の場合は、例えば、ガラス支持体やベースとなる樹脂製支持体などの支持体上に化合物（Ｓ）を含有する硬化性樹脂等からなるオーバーコート層などの透明樹脂層が積層された基材、化合物（Ｓ）を含む透明樹脂製基板（ｉｉ）上に硬化性樹脂等からなるオーバーコート層などの樹脂層が積層された基材などを挙げることができる。製造コストや光学特性調整の容易性、さらに、樹脂製支持体や透明樹脂製基板（ｉｉ）の傷消し効果を達成できることや基材（ｉ）の耐傷つき性向上等の点から、化合物（Ｓ）を含有する透明樹脂製基板（ｉｉ）上に硬化性樹脂からなるオーバーコート層などの樹脂層が積層された基材が特に好ましい。
＜光吸収層＞
前記光吸収層は、波長７５０〜１１５０ｎｍの領域に吸収極大を有すれば特に限定されないが、波長８５０〜１０５０ｎｍの領域において、前記基材（i）の垂直方向から測定した場合の平均ＯＤ値（以下「ＯＤC」ともいう。）が、好ましくは１．０以上、より好ましくは１．１以上１０以下、さらに好ましくは１．３以上９以下であることが望ましい。
また、このような光吸収層を用いた光学フィルターを環境光センサーや照度センサーに用いた場合、光センサーモジュール内における多重反射光を吸収することができるため、環境光センサーや照度センサーの誤作動を抑制し、高機能な環境光センサーや照度センサーを得ることができる。
上記光吸収層の厚みは、特に制限されないが、好ましくは５０〜５００μｍ、より好ましくは５０〜３００μｍ、さらに好ましくは５０〜２００μｍである。光吸収層の厚みが前記範囲にあると、該光吸収層を用いた光学フィルターを、小型化および軽量化することができ、光センサー等の種々の用途に好適に用いることができる。特に光センサーの受光部上面に用いた場合、光センサーモジュールの低背化を実現することができるため好ましい。
＜化合物（Ｓ）＞
前記化合物（Ｓ）としては、近赤外線を吸収する色素として作用する金属錯体系化合物、染料または顔料を用いることができ、具体的には、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クロコニウム系化合物、シアニン系化合物、ジイモニウム系化合物、金属ジチオラート錯体系化合物、リン酸銅錯体系化合物およびピロロピロール系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を挙げることができる。特に下記式（ｓ１）で表されるジイモニウム系化合物および下記式（ｓ２）で表される金属ジチオラート錯体系化合物が好ましい。このような化合物（Ｓ）を用いることにより、幅広い近赤外波長領域における吸収特性と優れた可視光透過率を達成することができる。また、前記光吸収層に含まれる化合物（Ｓ）は、１種単独でもよく、２種以上でもよい。
Figure 2017094672
Figure 2017094672
 式（ｓ１）および式（ｓ２）中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、−ＮＲgＲh基、−ＳＲi基、−ＳＯ2Ｒi基、−ＯＳＯ2Ｒi基または下記Ｌa〜Ｌhのいずれかを表し、ＲgおよびＲhは、それぞれ独立に水素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa〜Ｌeのいずれかを表し、Ｒiは下記Ｌa〜Ｌeのいずれかを表し、
（Ｌa）炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）炭素数１〜１２のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）炭素数３〜１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）炭素数３〜１４の複素環基
（Ｌf）炭素数１〜１２のアルコキシ基
（Ｌg）置換基Ｌを有してもよい炭素数１〜１２のアシル基、
（Ｌh）置換基Ｌを有してもよい炭素数１〜１２のアルコキシカルボニル基
置換基Ｌは、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のハロゲン置換アルキル基、炭素数３〜１４の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基および炭素数３〜１４の複素環基からなる群より選ばれる少なくとも１種であり、隣り合うＲ3同士は置換基Ｌを有してもよい環を形成してもよい。ｎは０〜４の整数、Ｘは電荷を中和させるのに必要なアニオンを表す。Ｍは金属原子を表す。ＺはＤ（Ｒi）4を表し、Ｄは窒素原子、リン原子またはビスマス原子を表し、ｙは０もしくは１を表す。
上記式（ｓ１）で表されるジイモニウム系化合物における前記Ｒ1としては、好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基であり、より好ましくはイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ベンジル基である。
上記式（ｓ１）で表されるジイモニウム系化合物における前記Ｒ2としては、好ましくは塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、Ｎ−メチルアセチルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔ−ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニル基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基であり、より好ましくは塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、水酸基、ジメチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔ−ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基であり、特に好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基である。同じ芳香環に結合しているＲ2の数（ｎの値）は０〜４であれば特に制限されないが、０もしくは１であることが好ましい。
前記Ｘは電荷を中和するのに必要なアニオンであり、アニオンが２価である場合には１分子、アニオンが１価の場合には２分子が必要となる。後者の場合は２つのアニオンが同一であっても異なっていてもよいが、合成上の観点から同一である方が好ましい。Ｘはこのようなアニオンであれば特に制限されないが、一例として、下記の表１に記載のものを挙げることができる。
Figure 2017094672
 Ｘは、酸とした際の酸性度が高いものであればジイモニウム系化合物のアニオンとした際にジイモニウム系化合物の耐熱性を向上できる傾向にあり、上記表１中の（Ｘ−１０）、（Ｘ−１６）、（Ｘ−１７）、（Ｘ−２１）、（Ｘ−２２）、（Ｘ−２４）、（Ｘ−２８）が特に好ましい。
上記式（ｓ２）で表される金属ジチオラート錯体系化合物における前記Ｒ3としては、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、フェニル基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、フェニルチオ基、ベンジルチオ基であり、隣り合うＲ3同士が環を形成する場合は、環の中に少なくとも一つ以上の硫黄原子もしくは窒素原子が含まれる複素環で有ることが好ましい。
上記式（ｓ２）で表される金属ジチオラート錯体系化合物における前記Ｍとしては、好ましくは遷移金属であり、さらに好ましくはＮｉ，Ｐｄ，Ｐｔである。
上記式（ｓ２）で表される金属ジチオラート錯体系化合物における前記ＺはＤ（Ｒi）4を表し、Ｄは好ましくは窒素原子、リン原子であり、Ｒiは好ましくはエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、フェニル基である。
前記化合物（Ｓ）の吸収極大波長は７５０ｎｍ以上１１５０ｎｍ以下であり、好ましくは７６０ｎｍ以上１１４０ｎｍ以下、より好ましくは７７０ｎｍ以上１１３０ｎｍ以下、特に好ましくは７８０ｎｍ以上１１２０ｎｍ以下である。前記化合物（Ｓ）の吸収極大波長がこのような範囲にあると、不要な近赤外線を効率よくカットすることができるとともに、入射光の入射角依存性を低くすることができる。
前記化合物（Ｓ）は、一般的に知られている方法で合成すればよく、例えば、特許第４１６８０３１号公報、特許第４２５２９６１号公報、特表２０１０−５１６８２３号公報、特開昭６３−１６５３９２号公報等に記載されている方法などを参照して合成することができる。
前記化合物（Ｓ）の市販品としては、Ｓ２０５８（ＤＫＳＨ製）、ＣＩＲ−１０８ｘ、ＣＩＲ−９６ｘ、ＣＩＲ−ＲＬ、ＣＩＲ−１０８０（日本カーリット製）、Ｔ０９０８２１、Ｔ０９１０２１、Ｔ８９０２１，Ｔ０９０７２１、Ｔ０９０１２２、（トスコ製）、Ｂ４３６０、Ｄ４７７３、Ｄ５０１３、（東京化成工業製）、Ｓ４２５３、Ｓ１４２６、Ｓ１４４５（スペクトラムインフォ製）、Ｅｘｃｏｌｏｒ ＩＲ１、ＩＲ２ 、ＩＲ３ 、ＩＲ４（日本触媒製）などを挙げることができる。
前記化合物（Ｓ）の使用量は、所望の特性に応じて適宜選択されるが、本発明に用いる透明樹脂１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜２０．０重量部、より好ましくは０．０１〜１５．０重量部、さらに好ましくは０．０１〜１０．０重量部である。
前記化合物（Ｓ）の使用量が上記範囲より多いと、化合物（Ｓ）の特性がより強く表れる光学フィルターを得ることができる場合もあるが、４３０〜５８０ｎｍの範囲における透過率が光センサーとして好ましい値よりも低下する場合や、光吸収層や光学フィルターの強度が低下する場合があり、化合物（Ｓ）の使用量が上記範囲より少ないと、透過率が高すぎる光学フィルターが得られ、光センサーに入射する光量を制限することが困難になる場合がある。
＜化合物（Ａ）＞
前記光吸収層は、波長６５０〜７５０ｎｍの領域に吸収極大を有する化合物（Ａ）をさらに含むことができる。前記化合物（Ｓ）を含む光吸収層と、前記化合物（Ａ）を含む光吸収層は、同一の層であってもよく、異なる層であってもよい。また、前記光吸収層に含まれる化合物（Ａ）は、１種単独でもよく、２種以上でもよい。
前記化合物（Ａ）は、波長６５０〜７５０ｎｍの領域に吸収極大があれば特に限定されないが、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クロコニウム系化合物およびシアニン系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であることが好ましく、特にスクアリリウム系化合物およびフタロシアニン系化合物が好ましい。
≪スクアリリウム系化合物≫
前記スクアリリウム系化合物としては、特に限定されるものではないが、下記式（Ｉ）で表されるスクアリリウム系化合物および下記式（ＩＩ）で表されるスクアリリウム系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物が好ましい。以下、それぞれ「化合物（Ｉ）」および「化合物（ＩＩ）」ともいう。
Figure 2017094672
 式（Ｉ）中、Ｒa、ＲbおよびＹａは、下記条件（α）または（β）を満たす。
条件（α）：
複数あるＲaはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、−Ｌ1または−ＮＲeＲf基を表し；
複数あるＲbはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、−Ｌ1または−ＮＲgＲh基を表し；
複数あるＹａはそれぞれ独立に、−ＮＲjＲk基を表し；
Ｌ1は、Ｌa、Ｌb、Ｌc、Ｌd、Ｌe、Ｌf、ＬgまたはＬhを表し；
ＲeおよびＲfはそれぞれ独立に、水素原子、−Ｌa、−Ｌb、−Ｌc、−Ｌdまたは−Ｌeを表し；
ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、−Ｌa、−Ｌb、−Ｌc、−Ｌd、−Ｌeまたは−Ｃ（Ｏ）Ｒi基（Ｒiは、−Ｌa、−Ｌb、−Ｌc、−Ｌdまたは−Ｌeを表す。）を表し；
ＲjおよびＲkはそれぞれ独立に、水素原子、−Ｌa、−Ｌb、−Ｌc、−Ｌdまたは−Ｌeを表し；
Ｌaは、置換基Ｌを有してもよい炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基を表し；
Ｌbは、置換基Ｌを有してもよい炭素数１〜１２のハロゲン置換アルキル基を表し；
Ｌcは、置換基Ｌを有してもよい炭素数３〜１４の脂環式炭化水素基を表し；
Ｌdは、置換基Ｌを有してもよい炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基を表し；
Ｌeは、置換基Ｌを有してもよい炭素数３〜１４の複素環基を表し；
Ｌfは、置換基Ｌを有してもよい炭素数１〜９のアルコキシ基を表し；
Ｌgは、置換基Ｌを有してもよい炭素数１〜９のアシル基を表し；
Ｌhは、置換基Ｌを有してもよい炭素数１〜９のアルコキシカルボニル基を表し；
Ｌは、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のハロゲン置換アルキル基、炭素数３〜１４の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基、炭素数３〜１４の複素環基、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基およびアミノ基からなる群より選ばれる少なくとも１種の置換基を表す。
条件（β）：
１つのベンゼン環上の２つのＲaのうちの少なくとも１つが、同じベンゼン環上のＹと相互に結合して、窒素原子を少なくとも１つ含む構成原子数５または６の複素環を形成する；
前記複素環は置換基を有していてもよく、Ｒbおよび前記複素環の形成に関与しないＲaは、それぞれ独立に前記条件（α）のＲbおよびＲaと同義である。
前記Ｌa〜Ｌhは、置換基を含めた炭素数の合計が、それぞれ５０以下であることが好ましく、炭素数４０以下であることがさらに好ましく、炭素数３０以下であることが特に好ましい。炭素数がこの範囲よりも多いと、化合物の合成が困難となる場合があるとともに、単位重量あたりの光の吸収強度が小さくなる傾向がある。
前記ＬaおよびＬにおける炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基（Ｍｅ）、エチル基（Ｅｔ）、ｎ−プロピル基（ｎ−Ｐｒ）、イソプロピル基（ｉ−Ｐｒ）、ｎ−ブチル基（ｎ−Ｂｕ）、ｓｅｃ−ブチル基（ｓ−Ｂｕ）、ｔｅｒｔ−ブチル基（ｔ−Ｂｕ）、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基およびドデシル基等のアルキル基；ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−ペンテニル基、ヘキセニル基およびオクテニル基等のアルケニル基；ならびに、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、２−メチル−１−プロピニル基、ヘキシニル基およびオクチニル基等のアルキニル基を挙げることができる。
前記ＬbおよびＬにおける炭素数１〜１２のハロゲン置換アルキル基としては、例えば、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１−ジクロロエチル基、ペンタクロロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタクロロプロピル基およびヘプタフルオロプロピル基を挙げることができる。
前記ＬcおよびＬにおける炭素数３〜１４の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基およびシクロオクチル基等のシクロアルキル基；ノルボルナン基およびアダマンタン基等の多環脂環式基を挙げることができる。
前記ＬdおよびＬにおける炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、アセナフチル基、フェナレニル基、テトラヒドロナフチル基、インダニル基およびビフェニリル基を挙げることができる。
前記ＬeおよびＬにおける炭素数３〜１４の複素環基としては、例えば、フラン、チオフェン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チアジアゾール、インドール、インドリン、インドレニン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、モルホリンおよびフェナジン等の複素環からなる基を挙げることができる。
前記Ｌfにおける炭素数１〜１２のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基を挙げることができる。
前記Ｌgにおける炭素数１〜９のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基およびベンゾイル基を挙げることができる。
前記Ｌhにおける炭素数１〜９のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基およびオクチルオキシカルボニル基を挙げることができる。
前記Ｌaとしては、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、４−フェニルブチル基、２−シクロヘキシルエチルであり、より好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
前記Ｌbとしては、好ましくはトリクロロメチル基、ペンタクロロエチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、５−シクロヘキシル−２，２，３，３−テトラフルオロペンチル基であり、より好ましくはトリクロロメチル基、ペンタクロロエチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基である。
前記Ｌcとしては、好ましくはシクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、シクロオクチル基、４−フェニルシクロヘプチル基であり、より好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基である。
前記Ｌdとしては、好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、２，３，６−トリフェニルフェニル基、２，３，４，５，６−ペンタフェニルフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、２，３，４，５，６−ペンタフェニルフェニル基である。
前記Ｌeとしては、好ましくはフラン、チオフェン、ピロール、インドール、インドリン、インドレニン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、モルホリンからなる基であり、より好ましくはフラン、チオフェン、ピロール、モルホリンからなる基である。
前記Ｌfとしては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、２−フェニルエトキシ基、３−シクロヘキシルプロポキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基であり、より好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基である。
前記Ｌgとしては、好ましくはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ベンゾイル基、４−プロピルベンゾイル基、トリフルオロメチルカルボニル基であり、より好ましくはアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基である。
前記Ｌhとしては、好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、２−トリフルオロメチルエトキシカルボニル基、２−フェニルエトキシカルボニル基であり、より好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基である。
前記Ｌa〜Ｌhは、さらに、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基およびアミノ基からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子または基を有していてもよい。このような例としては、４−スルホブチル基、４−シアノブチル基、５−カルボキシペンチル基、５−アミノペンチル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ホスホリルエチル基、６−アミノ−２，２−ジクロロヘキシル基、２−クロロ−４−ヒドロキシブチル基、２−シアノシクロブチル基、３−ヒドロキシシクロペンチル基、３−カルボキシシクロペンチル基、４−アミノシクロヘキシル基、４−ヒドロキシシクロヘキシル基、４−ヒドロキシフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、２−ヒドロキシナフチル基、４−アミノフェニル基、４−ニトロフェニル基、３−メチルピロールからなる基、２−ヒドロキシエトキシ基、３−シアノプロポキシ基、４−フルオロベンゾイル基、２−ヒドロキシエトキシカルボニル基、４−シアノブトキシカルボニル基を挙げることができる。
前記条件（α）におけるＲaとしては、好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、ニトロ基であり、より好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、水酸基である。
前記条件（α）におけるＲbとしては、好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、Ｎ−メチルアセチルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔ−ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基であり、より好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、水酸基、ジメチルアミノ基、ニトロ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔ−ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基である。
前記Ｙａとしては、好ましくはアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−メチルアミノ基であり、より好ましくはジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基である。
前記式（Ｉ）の条件（β）における、１つのベンゼン環上の２つのＲaのうちの少なくとも１つが、同じベンゼン環上のＹと相互に結合して形成される、窒素原子を少なくとも１つ含む構成原子数５または６の複素環としては、例えば、ピロリジン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピペリジン、ピリジン、ピペラジン、ピリダジン、ピリミジンおよびピラジン等を挙げることができる。これらの複素環のうち、当該複素環を構成し、かつ、前記ベンゼン環を構成する炭素原子の隣の１つの原子が窒素原子である複素環が好ましく、ピロリジンがさらに好ましい。
Figure 2017094672
 式（ＩＩ）中、Ｘは独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ−ＲcまたはＣ（ＲdＲd）を表し；複数あるＲcはそれぞれ独立に、水素原子、Ｌa、Ｌb、Ｌc、ＬdまたはＬeを表し；複数あるＲdはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、−Ｌ1または−ＮＲeＲf基を表し、隣り合うＲd同士は連結して置換基を有していてもよい環を形成してもよく；Ｌa〜Ｌe、Ｌ1、ＲeおよびＲfは、前記式（Ｉ）において定義したＬa〜Ｌe、Ｌ1、ＲeおよびＲfと同義である。
前記式（ＩＩ）中のＲcとしては、好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基、トルフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基である。
前記式（ＩＩ）中のＲdとしては、好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、４−アミノシクロヘキシル基であり、より好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基である。
前記Ｘとしては、好ましくはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｎ−Ｍｅ、Ｎ−Ｅｔ、ＣＨ2、Ｃ−Ｍｅ2、Ｃ−Ｅｔ2であり、より好ましくはＳ、Ｃ−Ｍｅ2、Ｃ−Ｅｔ2である。
前記式（ＩＩ）において、隣り合うＲd同士は連結して環を形成してもよい。このような環としては、例えば、ベンゾインドレニン環、α−ナフトイミダゾール環、β−ナフトイミダゾール環、α−ナフトオキサゾール環、β−ナフトオキサゾール環、α−ナフトチアゾール環、β−ナフトチアダゾール環、α−ナフトセレナゾール環、β−ナフトセレナゾール環を挙げることができる。
化合物（Ｉ）および化合物（ＩＩ）は、下記式（Ｉ−１）および下記式（ＩＩ−１）のような記載方法に加え、下記式（Ｉ−２）および下記式（ＩＩ−２）のように共鳴構造を取るような記載方法でも構造を表すことができる。つまり、下記式（Ｉ−１）と下記式（Ｉ−２）との違い、および下記式（ＩＩ−１）と下記式（ＩＩ−２）との違いは構造の記載方法のみであり、どちらも同一の化合物を表す。本発明中では特に断りのない限り、下記式（Ｉ−１）および下記式（ＩＩ−１）のような記載方法にてスクアリリウム系化合物の構造を表すものとする。
Figure 2017094672
 さらに、例えば、下記式（Ｉ−３）で表される化合物と下記式（Ｉ−４）で表される化合物は、同一の化合物であると見なすことができる。
Figure 2017094672
 前記化合物（Ｉ）および（ＩＩ）は、それぞれ前記式（Ｉ）および（ＩＩ）の要件を満たせば特に構造は限定されない。例えば前記式（Ｉ−１）および（ＩＩ−１）のように構造を表した場合、中央の四員環に結合している左右の置換基は同一であっても異なっていてもよいが、同一であった方が合成上容易であるため好ましい。
前記化合物（Ｉ）および（ＩＩ）の具体例としては、下記式（Ｉ−Ａ）〜（Ｉ−Ｈ）で表される基本骨格を有する、下記表２〜４に記載の化合物（ａ−１）〜（ａ−３６）を挙げることができる。
Figure 2017094672
Figure 2017094672
Figure 2017094672
Figure 2017094672
Figure 2017094672
 前記化合物（Ｉ）および（ＩＩ）は、一般的に知られている方法で合成すればよく、例えば、特開平１−２２８９６０号公報、特開２００１−４０２３４号公報、特許第３１９６３８３号公報等に記載されている方法などを参照して合成することができる。
≪フタロシアニン系化合物≫
前記フタロシアニン系化合物は、特に限定されるものではないが、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物（以下「化合物（ＩＩＩ）」ともいう。）であることが好ましい。
Figure 2017094672
 式（ＩＩＩ）中、Ｍは、２個の水素原子、２個の１価の金属原子、２価の金属原子、または３価もしくは４価の金属原子を含む置換金属原子を表し、複数あるＲa、Ｒb、ＲcおよびＲdはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、−Ｌ1、−Ｓ−Ｌ2、−ＳＳ−Ｌ2、−ＳＯ2−Ｌ3、−Ｎ＝Ｎ−Ｌ4、または、ＲaとＲb、ＲbとＲcおよびＲcとＲdのうち少なくとも１つの組み合わせが結合した、下記式（Ａ）〜（Ｈ）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を表す。但し、同じ芳香環に結合したＲa、Ｒb、ＲcおよびＲdのうち少なくとも１つが水素原子ではない。
前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記式（Ｉ）において定義した置換基Ｌを有してもよく、
Ｌ1は、前記式（Ｉ）において定義したＬ1と同義であり、
Ｌ2は、水素原子または前記式（Ｉ）において定義したＬa〜Ｌeのいずれかを表し、
Ｌ3は、水酸基または前記Ｌa〜Ｌeのいずれかを表し、
Ｌ4は、前記Ｌa〜Ｌeのいずれかを表す。
Figure 2017094672
 式（Ａ）〜（Ｈ）中、ＲxおよびＲyは炭素原子を表し、複数あるＲA〜ＲLはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、−Ｌ1、−Ｓ−Ｌ2、−ＳＳ−Ｌ2、−ＳＯ2−Ｌ3、−Ｎ＝Ｎ−Ｌ4を表し、前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記式（Ｉ）において定義した置換基Ｌを有してもよく、Ｌ1〜Ｌ4は前記式（ＩＩＩ）において定義したＬ1〜Ｌ4と同義である。
前記Ｒa〜ＲdおよびＲA〜ＲLにおいて、置換基Ｌを有してもよいアミノ基としては、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基などが挙げられる。
前記Ｒa〜ＲdおよびＲA〜ＲLにおいて、置換基Ｌを有してもよいアミド基としては、アミド基、メチルアミド基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプロピルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ジブチルアミド基、α−ラクタム基、β−ラクタム基、γ−ラクタム基、δ−ラクタム基などが挙げられる。
前記Ｒa〜ＲdおよびＲA〜ＲLにおいて、置換基Ｌを有してもよいイミド基としては、イミド基、メチルイミド基、エチルイミド基、ジエチルイミド基、ジプロピルイミド基、ジイソプロピルイミド基、ジブチルイミド基などが挙げられる。
前記Ｒa〜ＲdおよびＲA〜ＲLにおいて、置換基Ｌを有してもよいシリル基としては、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリエチルシリル基などが挙げられる。
前記Ｒa〜ＲdおよびＲA〜ＲLにおいて、−Ｓ−Ｌ2としては、チオール基、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、イソブチルスルフィド基、ｓｅｃ−ブチルスルフィド基、ｔｅｒｔ−ブチルスルフィド基、フェニルスルフィド基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルフィド基、２，６−ジフェニルフェニルスルフィド基、４−クミルフェニルスルフィド基などが挙げられる。
前記Ｒa〜ＲdおよびＲA〜ＲLにおいて、−ＳＳ−Ｌ2としては、ジスルフィド基、メチルジスルフィド基、エチルジスルフィド基、プロピルジスルフィド基、ブチルジスルフィド基、イソブチルジスルフィド基、ｓｅｃ−ブチルジスルフィド基、ｔｅｒｔ−ブチルジスルフィド基、フェニルジスルフィド基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジスルフィド基、２，６−ジフェニルフェニルジスルフィド基、４−クミルフェニルジスルフィド基などが挙げられる。
前記Ｒa〜ＲdおよびＲA〜ＲLにおいて、−ＳＯ2−Ｌ3としては、スルホ基、メシル基、エチルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基などが挙げられる。
前記Ｒa〜ＲdおよびＲA〜ＲLにおいて、−Ｎ＝Ｎ−Ｌ4としては、メチルアゾ基、フェニルアゾ基、ｐ−メチルフェニルアゾ基、ｐ−ジメチルアミノフェニルアゾ基などが挙げられる。
前記Ｍにおいて、１価の金属原子としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓなどが挙げられる。
前記Ｍにおいて、２価の金属原子としては、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂなどが挙げられる。
前記Ｍにおいて、３価の金属原子を含む置換金属原子としては、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇａ−Ｂｒ、Ｇａ−Ｉ、Ｉｎ−Ｆ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、Ｔｌ−Ｆ、Ｔｌ−Ｃｌ、Ｔｌ−Ｂｒ、Ｔｌ−Ｉ、Ｆｅ−Ｃｌ、Ｒｕ−Ｃｌ、Ｍｎ−ＯＨなどが挙げられる。
前記Ｍにおいて、４価の金属原子を含む置換金属原子としては、ＴｉＦ2、ＴｉＣｌ2、ＴｉＢｒ2、ＴｉＩ2、ＺｒＣｌ2、ＨｆＣｌ2、ＣｒＣｌ2、ＳｉＦ2、ＳｉＣｌ2、ＳｉＢｒ2、ＳｉＩ2、ＧｅＦ2、ＧｅＣｌ2、ＧｅＢｒ2、ＧｅＩ2、ＳｎＦ2、ＳｎＣｌ2、ＳｎＢｒ2、ＳｎＩ2、Ｚｒ（ＯＨ）2、Ｈｆ（ＯＨ）2、Ｍｎ（ＯＨ）2、Ｓｉ（ＯＨ）2、Ｇｅ（ＯＨ）2、Ｓｎ（ＯＨ）2、ＴｉＲ2、ＣｒＲ2、ＳｉＲ2、ＧｅＲ2、ＳｎＲ2、Ｔｉ（ＯＲ）2、Ｃｒ（ＯＲ）2、Ｓｉ（ＯＲ）2、Ｇｅ（ＯＲ）2、Ｓｎ（ＯＲ）2（Ｒは脂肪族基または芳香族基を表す。）、ＴｉＯ、ＶＯ、ＭｎＯなどが挙げられる。
前記Ｍとしては、周期表５族〜１１族、かつ、第４周期〜第５周期に属する、２価の遷移金属、３価もしくは４価の金属ハロゲン化物または４価の金属酸化物であることが好ましく、その中でも、高い可視光透過率や安定性を達成することができることから、Ｃｕ、Ｎｉ、ＣｏおよびＶＯが特に好ましい。
前記フタロシアニン系化合物は、下記式（Ｖ）のようなフタロニトリル誘導体の環化反応により合成する方法が一般的に知られているが、得られるフタロシアニン系化合物は下記式（ＶＩ−１）〜（ＶＩ−４）のような４種の異性体の混合物となっている。本発明では、特に断りのない限り、１種のフタロシアニン系化合物につき１種の異性体のみを例示しているが、他の３種の異性体についても同様に用いることができる。なお、これらの異性体は必要に応じて分離して用いることも可能であるが、本発明では異性体混合物を一括して取り扱っている。
Figure 2017094672
Figure 2017094672
 前記化合物（ＩＩＩ）の具体例としては、下記式（ＩＩＩ−Ａ）〜（ＩＩＩ−Ｊ）で表わされる基本骨格を有する、下記表５〜８に記載の（ｂ−１）〜（ｂ−６１）などを挙げることができる。
Figure 2017094672
Figure 2017094672
Figure 2017094672
Figure 2017094672
Figure 2017094672
 化合物（ＩＩＩ）は、一般的に知られている方法で合成すればよく、たとえば、特許第４０８１１４９号公報や「フタロシアニン −化学と機能―」（アイピーシー、１９９７年）に記載されている方法を参照して合成することができる。
≪シアニン系化合物≫
前記シアニン系化合物は、特に限定されるものではないが、下記式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）のいずれかで表される化合物（以下「化合物（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）」ともいう。）であることが好ましい。
Figure 2017094672
 式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）中、Ｘa -は１価の陰イオンを表し、複数あるＤは独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、複数あるＲa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、ＲhおよびＲiはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、−Ｌ1、−Ｓ−Ｌ2、−ＳＳ−Ｌ3、−ＳＯ2−Ｌ3、−Ｎ＝Ｎ−Ｌ4、または、ＲbとＲc、ＲdとＲe、ＲeとＲf、ＲfとＲg、ＲgとＲhおよびＲhとＲiのうち少なくとも１つの組み合わせが結合した、前記式（Ａ）〜（Ｈ）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を表し、前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記式（Ｉ）において定義した置換基Ｌを有してもよく、
Ｌ1は、前記式（Ｉ）において定義したＬ1と同義であり、
Ｌ2は、水素原子または前記式（Ｉ）において定義したＬa〜Ｌeのいずれかを表し、
Ｌ3は、水素原子または前記Ｌa〜Ｌeのいずれかを表し、
Ｌ4は、前記Ｌa〜Ｌeのいずれかを表し、
Ｚa〜ＺcおよびＹa〜Ｙdはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、−Ｌ1、−Ｓ−Ｌ2、−ＳＳ−Ｌ2、−ＳＯ2−Ｌ3、−Ｎ＝Ｎ−Ｌ4（Ｌ1〜Ｌ4は、前記Ｒa〜ＲiにおけるＬ1〜Ｌ4と同義である。）、または、これらのうち隣接した二つから選ばれるＺ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基；窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含んでもよい５乃至６員環の脂環式炭化水素基；もしくは、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含む、炭素数３〜１４の複素芳香族炭化水素基を表し、これらの芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素基および複素芳香族炭化水素基は、炭素数１〜９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよい。
前記Ｚa〜ＺcおよびＹa〜Ｙdにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基としては、例えば、前記置換基Ｌにおける芳香族炭化水素基で例示した化合物が挙げられる。
前記Ｚa〜ＺcおよびＹa〜Ｙdにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含んでもよい５乃至６員環の脂環式炭化水素基としては、例えば、前記置換基Ｌにおける脂環式炭化水素基および複素環で例示した化合物（複素芳香族炭化水素基を除く。）が挙げられる。
前記Ｚa〜ＺcおよびＹa〜Ｙdにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、炭素数３〜１４の複素芳香族炭化水素基としては、例えば、前記置換基Ｌにおける複素環基として例示した化合物（窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含む脂環式炭化水素基を除く。）が挙げられる。
前記式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）において、−Ｓ−Ｌ2、−ＳＳ−Ｌ2、−ＳＯ2−Ｌ3、−Ｎ＝Ｎ−Ｌ4、置換基Ｌを有してもよいアミノ基、アミド基、イミド基、シリル基としては、前記式（ＩＩＩ）で例示した基と同様の基などが挙げられる。
Ｘa -は１価の陰イオンであれば特に限定されないが、Ｉ-、Ｂｒ-、ＰＦ6 -、Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2 -、Ｂ（Ｃ6Ｆ5）4 -、ニッケルジチオラート系錯体、銅ジチオラート系錯体などが挙げられる。
前記化合物（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）の具体例としては、下記表９に記載の（ｃ−１）〜（ｃ−２４）などを挙げることができる。
Figure 2017094672
 前記化合物（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）は、一般的に知られている方法で合成すればよく、たとえば特開２００９−１０８２６７号公報に記載されている方法で合成することができる。
化合物（Ａ）の添加量は、所望の特性に応じて適宜選択されるものであるが、透明樹脂１００重量部に対して、通常０．０１〜２０．０重量部、好ましくは０．０３〜１０．０重量部であることが望ましい。
＜透明樹脂＞
前記光吸収層に用いる透明樹脂としては、本発明の効果を損なわないものである限り特に制限されないが、例えば、熱安定性およびフィルムへの成形性を確保し、かつ、１００℃以上の蒸着温度で行う高温蒸着により誘電体多層膜を形成しうるフィルムとするため、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、好ましくは１１０〜３８０℃、より好ましくは１１０〜３７０℃、さらに好ましくは１２０〜３６０℃である樹脂が挙げられる。また、前記樹脂のガラス転移温度が１４０℃以上であると、誘電体多層膜をより高温で蒸着形成しえるフィルムが得られるため、特に好ましい。
透明樹脂としては、当該樹脂からなる厚さ０．１ｍｍの樹脂板を形成した場合に、この樹脂板の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ７１０５）が、好ましくは７５〜９５％、さらに好ましくは７８〜９５％、特に好ましくは８０〜９５％となる樹脂を用いることができる。全光線透過率がこのような範囲となる樹脂を用いれば、得られる基板は光学フィルムとして良好な透明性を示す。
透明樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１５，０００〜３５０，０００、好ましくは３０，０００〜２５０，０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、通常１０，０００〜１５０，０００、好ましくは２０，０００〜１００，０００である。
透明樹脂としては、例えば、環状ポリオレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フルオレンポリカーボネート系樹脂、フルオレンポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド（アラミド）系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂およびゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂を挙げることができる。これらの内、環状ポリオレフィン樹脂、芳香族ポリエーテル樹脂、フルオレンポリカーボネート系樹脂、フルオレンポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアリレート系樹脂を用いることが、透明性（光学特性）、耐熱性等のバランスに優れた光学フィルターを得られる点で好ましい。
≪環状ポリオレフィン系樹脂≫
環状ポリオレフィン系樹脂としては、下記式（Ｘ0）で表される単量体および下記式（Ｙ0）で表される単量体からなる群より選ばれる少なくとも１種の単量体から得られる樹脂、および当該樹脂を水素添加することで得られる樹脂が好ましい。
Figure 2017094672
 式（Ｘ0）中、Ｒx1〜Ｒx4はそれぞれ独立に、下記（i'）〜（ix'）
より選ばれる原子または基を表し、ｋx、ｍxおよびｐxはそれぞれ独立に、０または正の整数を表す。
（i'）水素原子
（ii'）ハロゲン原子
（iii'）トリアルキルシリル基
（iv'）酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはケイ素原子を含む連結基を有する、置換または非置換の炭素数１〜３０の炭化水素基
（v'）置換または非置換の炭素数１〜３０の炭化水素基
（vi'）極性基（但し、（iv'）を除く。）
（vii'）Ｒx1とＲx2またはＲx3とＲx4とが、相互に結合して形成されたアルキリデン基（但し、前記結合に関与しないＲx1〜Ｒx4は、それぞれ独立に前記（ｉ'）〜（vi'）より選ばれる原子または基を表す。）
（viii'）Ｒx1とＲx2またはＲx3とＲx4とが、相互に結合して形成された単環もしくは多環の炭化水素環または複素環（但し、前記結合に関与しないＲx1〜Ｒx4は、それぞれ独立に前記（i'）〜（vi'）より選ばれる原子または基を表す。）
（ix'）Ｒx2とＲx3とが、相互に結合して形成された単環の炭化水素環または複素環（但し、前記結合に関与しないＲx1とＲx4は、それぞれ独立に前記（i'）〜（vi'）より選ばれる原子または基を表す。）
Figure 2017094672
 式（Ｙ0）中、Ｒy1およびＲy2はそれぞれ独立に、前記（i'）〜（vi'）より選ばれる原子または基を表すか、Ｒy1とＲy2とが、相互に結合して形成された単環もしくは多環の脂環式炭化水素、芳香族炭化水素または複素環を表し、ｋyおよびｐyはそれぞれ独立に、０または正の整数を表す。
≪芳香族ポリエーテル系樹脂≫
芳香族ポリエーテル系樹脂は、下記式（１）で表される構造単位および下記式（２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を有することが好ましい。
Figure 2017094672
 式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立に、炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、ａ〜ｄはそれぞれ独立に、０〜４の整数を示す。
Figure 2017094672
 式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄはそれぞれ独立に、前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは、単結合、−ＳＯ2−または＞Ｃ＝Ｏを示し、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈはそれぞれ独立に、０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。但し、ｍが０のとき、Ｒ7はシアノ基ではない。
また、前記芳香族ポリエーテル系樹脂は、さらに下記式（３）で表される構造単位および下記式（４）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を有することが好ましい。
Figure 2017094672
 式（３）中、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立に、炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、＞Ｃ＝Ｏ、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。
Figure 2017094672
 式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈはそれぞれ独立に、前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。
≪ポリイミド系樹脂≫
ポリイミド系樹脂としては、特に制限されず、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子化合物であればよく、例えば、特開２００６−１９９９４５号公報や特開２００８−１６３１０７号公報に記載されている方法で合成することができる。
≪フルオレンポリカーボネート系樹脂≫
フルオレンポリカーボネート系樹脂としては、特に制限されず、フルオレン部位を含むポリカーボネート樹脂であればよく、例えば、特開２００８−１６３１９４号公報に記載されている方法で合成することができる。
≪フルオレンポリエステル系樹脂≫
フルオレンポリエステル系樹脂としては、特に制限されず、フルオレン部位を含むポリエステル樹脂であればよく、例えば、特開２０１０−２８５５０５号公報や特開２０１１−１９７４５０号公報に記載されている方法で合成することができる。
≪フッ素化芳香族ポリマー系樹脂≫
フッ素化芳香族ポリマー系樹脂としては、特に制限されないが、フッ素原子を少なくとも１つ有する芳香族環と、エーテル結合、ケトン結合、スルホン結合、アミド結合、イミド結合およびエステル結合からなる群より選ばれる少なくとも１つの結合を含む繰り返し単位とを含有するポリマーであることが好ましく、例えば特開２００８−１８１１２１号公報に記載されている方法で合成することができる。
≪アクリル系紫外線硬化型樹脂≫
アクリル系紫外線硬化型樹脂としては、特に制限されないが、分子内に一つ以上のアクリル基もしくはメタクリル基を有する化合物と、紫外線によって分解して活性ラジカルを発生させる化合物を含有する樹脂組成物から合成されるものを挙げることができる。アクリル系紫外線硬化型樹脂は、前記基材（ｉ）として、ガラス支持体上やベースとなる樹脂製支持体上に化合物（Ｓ）および硬化性樹脂を含む透明樹脂層（光吸収層）が積層された基材や、化合物（Ｓ）を含有する透明樹脂製基板（ｉｉ）上に硬化性樹脂等からなるオーバーコート層などの樹脂層が積層された基材を用いる場合、該硬化性樹脂として特に好適に使用することができる。
≪ゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂≫
ゾルゲル法によるシリカを主成分とする樹脂としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメトキシジエトキシラン、メトキシトリエトキシシランなどのテトラアルコキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどのフェニルアルコキシシラン等から選ばれる１種以上のシラン類の加水分解によるゾルゲル反応により得られる化合物を樹脂として使用することができる。
≪市販品≫
透明樹脂の市販品としては、以下の市販品等を挙げることができる。環状ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、ＪＳＲ（株）製アートン、日本ゼオン（株）製ゼオノア、三井化学（株）製ＡＰＥＬ、ポリプラスチックス（株）製ＴＯＰＡＳなどを挙げることができる。ポリエーテルサルホン系樹脂の市販品としては、住友化学（株）製スミカエクセルＰＥＳなどを挙げることができる。ポリイミド系樹脂の市販品としては、三菱ガス化学（株）製ネオプリムＬなどを挙げることができる。ポリカーボネート系樹脂の市販品としては、帝人（株）製ピュアエースなどを挙げることができる。フルオレンポリカーボネート系樹脂の市販品としては、三菱ガス化学（株）製ユピゼータＥＰ−５０００などを挙げることができる。フルオレンポリエステル系樹脂の市販品としては、大阪ガスケミカル（株）製ＯＫＰ４ＨＴなどを挙げることができる。アクリル系樹脂の市販品としては、（株）日本触媒製アクリビュアなどを挙げることができる。シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂の市販品としては、新日鐵化学（株）製シルプラスなどを挙げることができる。
＜その他成分＞
前記光吸収層は、本発明の効果を損なわない範囲において、さらに酸化防止剤、近紫外線吸収剤および蛍光消光剤等の添加剤を含有してもよい。これらその他成分は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記近紫外線吸収剤としては、例えばアゾメチン系化合物、インドール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、トリアジン系化合物などが挙げられる。
前記酸化防止剤としては、例えば２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２'−ジオキシ−３，３'−ジ−ｔ−ブチル−５，５'−ジメチルジフェニルメタン、テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、およびトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイトなどが挙げられる。
なお、これら添加剤は、前記透明樹脂を製造する際に、樹脂などとともに混合してもよいし、樹脂を合成する際に添加してもよい。また、添加量は、所望の特性に応じて適宜選択されるものであるが、前記透明樹脂１００重量部に対して、通常０．０１〜５．０重量部、好ましくは０．０５〜２．０重量部である。
＜支持体＞
≪樹脂製支持体≫
前記透明樹脂基板または樹脂製支持体に用いられる樹脂は、前記透明樹脂層と同様のものを用いることができる。
≪ガラス支持体≫
前記ガラス支持体としては、例えば、無色透明のガラス基板、銅成分を含有するガラス基板、またはフツリン酸塩ガラス基板を用いることができる。特に、吸収剤として銅成分を含むフツリン酸ガラスは近赤外線カット能を向上させられるため好ましい。
＜基材（ｉ）の製造方法＞
前記基材（ｉ）が、前記透明樹脂製基板（ｉｉ）を含む基材である場合、該透明樹脂製基板（ｉｉ）は、例えば、溶融成形またはキャスト成形により形成することができ、さらに、必要により、成形後に、反射防止剤、ハードコート剤および／または帯電防止剤等のコーティング剤をコーティングすることで、オーバーコート層が積層された基材を製造することができる。
前記基材（ｉ）が、ガラス支持体やベースとなる樹脂製支持体上に化合物（Ｓ）を含有する硬化性樹脂等からなるオーバーコート層などの透明樹脂層（光吸収層）が積層された基材である場合、例えば、ガラス支持体やベースとなる樹脂製支持体に化合物（Ｓ）を含む樹脂溶液を溶融成形またはキャスト成形することで、好ましくはスピンコート、スリットコート、インクジェットなどの方法にて塗工した後に溶媒を乾燥除去し、必要に応じてさらに光照射や加熱を行うことで、ガラス支持体やベースとなる樹脂製支持体上に透明樹脂層が形成された基材を製造することができる。
≪溶融成形≫
前記溶融成形としては、具体的には、樹脂と化合物（Ｓ）等とを溶融混練りして得られたペレットを溶融成形する方法；樹脂と化合物（Ｓ）とを含有する樹脂組成物を溶融成形する方法；または、化合物（Ｓ）、樹脂および溶剤を含む樹脂組成物から溶剤を除去して得られたペレットを溶融成形する方法などが挙げられる。溶融成形方法としては、射出成形、溶融押出成形またはブロー成形などを挙げることができる。
≪キャスト成形≫
前記キャスト成形としては、化合物（Ｓ）、樹脂および溶剤を含む樹脂組成物を適当な支持体の上にキャスティングして溶剤を除去する方法；または化合物（Ｓ）と、光硬化性樹脂および／または熱硬化性樹脂とを含む硬化性組成物を適当な支持体の上にキャスティングして溶媒を除去した後、紫外線照射や加熱などの適切な手法により硬化させる方法などにより製造することもできる。
前記基材（ｉ）が、化合物（Ｓ）を含有する透明樹脂製基板（ｉｉ）からなる基材である場合には、該基材（ｉ）は、キャスト成形後、支持体から塗膜を剥離することにより得ることができ、また、前記基材（ｉ）が、ガラス支持体やベースとなる樹脂製支持体等の支持体などの上に化合物（Ｓ）を含有する硬化性樹脂等からなるオーバーコート層などの透明樹脂層が積層された基材である場合には、該基材（ｉ）は、キャスト成形後、塗膜を剥離しないことで得ることができる。
前記支持体としては、例えば、ガラス板、スチールベルト、スチールドラムおよび透明樹脂（例えば、ポリエステルフィルム、環状オレフィン系樹脂フィルム）製支持体が挙げられる。
さらに、ガラス板、石英または透明プラスチック製等の光学部品に、前記樹脂組成物をコーティングして溶剤を乾燥させる方法、または、前記硬化性組成物をコーティングして硬化および乾燥させる方法などにより、光学部品上に透明樹脂層を形成することもできる。
前記方法で得られた透明樹脂層（透明樹脂製基板（ｉｉ））中の残留溶剤量は可能な限り少ない方がよい。具体的には、前記残留溶剤量は、透明樹脂層（透明樹脂製基板（ｉｉ））の重さに対して、好ましくは３重量％以下、より好ましくは１重量％以下、さらに好ましくは０．５重量％以下である。残留溶剤量が前記範囲にあると、変形や特性が変化しにくい、所望の機能を容易に発揮できる透明樹脂層（透明樹脂製基板（ｉｉ））が得られる。
＜誘電体多層膜＞
本発明に係る第一の光学フィルターは、前記基材（ｉ）の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有することが好ましい。本発明における誘電体多層膜とは、近赤外線を反射する能力を有する膜または可視域における反射防止効果を有する膜であり、誘電体多層膜を有することでより優れた可視光透過率と近赤外線カット特性を達成することができる。
本発明では、誘電体多層膜は前記基材の片面に設けてもよいし、両面に設けてもよい。片面に設ける場合、製造コストや製造容易性に優れ、両面に設ける場合、高い強度を有し、反りやねじれが生じにくい光学フィルターを得ることができる。光学フィルターを固体撮像素子用途に適用する場合、光学フィルターの反りやねじれが小さい方が好ましいことから、誘電体多層膜を樹脂製基板の両面に設けることが好ましい。
前記誘電体多層膜は、好ましくは波長７００〜１１００ｎｍ、より好ましくは波長７００〜１１５０ｎｍ、さらに好ましくは７００〜１２００ｎｍの範囲全体にわたって反射特性を有することが望ましい。
誘電体多層膜としては、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層したものが挙げられる。高屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．７以上の材料を用いることができ、屈折率が通常は１．７〜２．５の材料が選択される。このような材料としては、例えば、酸化チタン、酸化ジルコニウム、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛または酸化インジウム等を主成分とし、酸化チタン、酸化錫および／または酸化セリウム等を少量（例えば、主成分に対して０〜１０重量％）含有させたものが挙げられる。
低屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．６以下の材料を用いることができ、屈折率が通常は１．２〜１．６の材料が選択される。このような材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、フッ化ランタン、フッ化マグネシウムおよび六フッ化アルミニウムナトリウムが挙げられる。
高屈折率材料層と低屈折率材料層とを積層する方法については、これらの材料層を積層した誘電体多層膜が形成される限り特に制限はない。例えば、基材（ｉ）上に、直接、ＣＶＤ法、スパッタ法、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法またはイオンプレーティング法等により、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成することができる。
高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚さは、通常、遮断しようとする近赤外線波長をλ（ｎｍ）とすると、０．１λ〜０．５λの厚さが好ましい。λ（ｎｍ）の値としては、例えば７００〜１４００ｎｍ、好ましくは７５０〜１３００ｎｍである。厚さがこの範囲であると、屈折率（ｎ）と膜厚（ｄ）との積（ｎ×ｄ）がλ／４で算出される光学的膜厚と、高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚さとがほぼ同じ値となって、反射・屈折の光学的特性の関係から、特定波長の遮断・透過を容易にコントロールできる傾向にある。
誘電体多層膜における高屈折率材料層と低屈折率材料層との合計の積層数は、光学フィルター全体として１６〜７０層であることが好ましく、２０〜６０層であることがより好ましい。各層の厚み、光学フィルター全体としての誘電体多層膜の厚みや合計の積層数が前記範囲にあると、十分な製造マージンを確保できる上に、光学フィルターの反りや誘電体多層膜のクラックを低減することができる。
本発明では、化合物（Ｓ）や化合物（Ａ）の吸収特性に合わせて高屈折率材料層および低屈折率材料層を構成する材料種、高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚さ、積層の順番、積層数を適切に選択することで、可視域に十分な透過率を確保した上で近赤外波長域に十分な光線カット特性を有し、且つ、斜め方向から近赤外線が入射した際の反射率を低減することができる。
ここで、前記条件を最適化するには、例えば、光学薄膜設計ソフト（例えば、Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ Ｍａｃｌｅｏｄ、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｃｅｎｔｅｒ社製）を用い、可視域の反射防止効果と近赤外域の光線カット効果を両立できるようにパラメーターを設定すればよい。上記ソフトの場合、例えば第一光学層の設計にあたっては、波長４００〜７００ｎｍの目標透過率を１００％、Ｔａｒｇｅｔ Ｔｏｌｅｒａｎｃｅの値を１とした上で、波長７０５〜９５０ｎｍの目標透過率を０％、Ｔａｒｇｅｔ Ｔｏｌｅｒａｎｃｅの値を０．５にするなどのパラメーター設定方法が挙げられる。これらのパラメーターは基材（ｉ）の各種特性などに合わせて波長範囲をさらに細かく区切ってＴａｒｇｅｔ Ｔｏｌｅｒａｎｃｅの値を変えることもできる。
＜その他の機能膜＞
本発明の光学フィルターは、本発明の効果を損なわない範囲において、基材（ｉ）と誘電体多層膜との間、基材（ｉ）の誘電体多層膜が設けられた面と反対側の面、または誘電体多層膜の基材（ｉ）が設けられた面と反対側の面に、基材（ｉ）や誘電体多層膜の表面硬度の向上、耐薬品性の向上、帯電防止および傷消しなどの目的で、反射防止膜、ハードコート膜や帯電防止膜などの機能膜を適宜設けることができる。
本発明の光学フィルターは、前記機能膜からなる層を１層含んでもよく、２層以上含んでもよい。本発明の光学フィルターが前記機能膜からなる層を２層以上含む場合には、同様の層を２層以上含んでもよいし、異なる層を２層以上含んでもよい。
機能膜を積層する方法としては、特に制限されないが、反射防止剤、ハードコート剤および／または帯電防止剤等のコーティング剤などを基材（ｉ）または誘電体多層膜に、前記と同様に溶融成形またはキャスト成形する方法等を挙げることができる。
また、前記コーティング剤などを含む硬化性組成物をバーコーター等で基材（ｉ）または誘電体多層膜上に塗布した後、紫外線照射等により硬化することによっても製造することができる。
前記コーティング剤としては、紫外線（ＵＶ）／電子線（ＥＢ）硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などが挙げられ、具体的には、ビニル化合物類や、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系樹脂などが挙げられる。これらのコーティング剤を含む前記硬化性組成物としては、ビニル系、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系硬化性組成物などが挙げられる。
また、前記硬化性組成物は重合開始剤を含んでいてもよい。前記重合開始剤としては、公知の光重合開始剤または熱重合開始剤を用いることができ、光重合開始剤と熱重合開始剤を併用してもよい。重合開始剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記硬化性組成物中、重合開始剤の配合割合は、硬化性組成物の全量を１００重量％とした場合、好ましくは０．１〜１０重量％、より好ましくは０．５〜１０重量％、さらに好ましくは１〜５重量％である。重合開始剤の配合割合が前記範囲にあると、硬化性組成物の硬化特性および取り扱い性が優れ、所望の硬度を有する反射防止膜、ハードコート膜や帯電防止膜などの機能膜を得ることができる。
さらに、前記硬化性組成物には溶剤として有機溶剤を加えてもよく、有機溶剤としては、公知のものを使用することができる。有機溶剤の具体例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類を挙げることができる。
これら溶剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記機能膜の厚さは、好ましくは０．１〜３０μｍ、さらに好ましくは０．５〜２０μｍ、特に好ましくは０．７〜５μｍである。
また、基材（ｉ）と機能膜および／または誘電体多層膜との密着性や、機能膜と誘電体多層膜との密着性を上げる目的で、基材（ｉ）、機能膜または誘電体多層膜の表面にコロナ処理やプラズマ処理等の表面処理をしてもよい。
［第二の光学フィルター］
本発明に係る第二の光学フィルターは、近赤外線吸収層（光吸収層）と、近赤外線反射層とを含むことを特徴とする。
前記近赤外線吸収層としては、例えば、近赤外線吸収色素を含む樹脂層である態様や、銅成分を含有するフッ素リン酸塩系ガラス層又はリン酸塩系ガラス層である態様などが挙げられる。
本発明に係る第二の光学フィルターとしては、例えば、ガラス基板を含み、前記近赤外線吸収層が前記ガラス基板の少なくとも一方の面に設けられている態様や、樹脂製基板を含み、前記近赤外線吸収層が前記樹脂製基板の少なくとも一方の面に設けられている態様などが挙げられる。
本発明に係る第二の光学フィルターにおいて、前記近赤外線反射層は、誘電体多層膜であってもよい。
本発明に係る第二の光学フィルターは、その透過率が、下記条件（Ａ）〜（Ｃ）を満たすことが好ましい。
条件（Ａ）：波長４３０〜５８０ｎｍの範囲において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が５０％以上、好ましくは６０％以上、さらに好ましくは７０％以上である。
本発明では、厚さ０．１ｍｍでの全光線透過率が高い透明樹脂および当該波長領域に吸収を持たない吸収剤を用いることで、このような波長４３０〜５８０ｎｍにおいて、高い透過率を有する光学フィルターを得ることができる。上記条件（Ａ）を満たす光学フィルターを使用することにより、環境光センサーへの入射光の十分な強度が得られるため、暗い周辺の環境下であっても、また、暗い光学窓を使用した場合でも高い環境光センサーの感度を得ることができる。
条件（Ｂ）：波長８００〜１０００ｎｍの範囲において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が１５％以下、好ましくは１0％以下、より好ましくは５％以下、更に好ましくは１％以下である。
上記条件（Ｂ）を満たす光学フィルターを使用することにより、環境光センサーの誤作動の原因となる近赤外線がカットされるため、誤作動が少ない環境光センサーを得ることができる。一方、波長８００〜１０００ｎｍの範囲の透過率が高いと、光学フィルターは、近赤外線を充分カットすることができず、環境光センサーの誤作動を招くなど、環境光センサーの性能低下を招く。
条件（Ｃ）：波長５６０〜８００ｎｍ、好ましくは５８０〜８００ｎｍの範囲において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が５０％となる波長の値（Ｘａ）と、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の透過率が５０％となる波長の値（Ｘｂ）の差の絶対値（｜Ｘａ−Ｘｂ｜）が２０ｎｍ未満、好ましくは１５ｎｍ未満、さらに好ましくは１０ｎｍ未満である。
上記条件（Ｃ）を満たす光学フィルターを使用することにより、入射光の入射角による環境光センサーの分光感度特性変化が小さくなり、環境光センサーの感度低下、誤作動発生が抑制されるとともに、入射角度によらず人間の視感度特性に近い環境光センサー感度が達成可能となり、高いセンサー感度特性が得られる。
本実施形態において、光学フィルター１０４は、近赤外線を反射する層又は部材と、近赤外線を吸収する層又は部材とを含んでいる。図１は、光学フィルター１０４に、近赤外線反射層１１８と近赤外線吸収層１２０とが含まれる態様を示す。
近赤外線反射層１１８は、近赤外線波長帯域の光を反射する特性を有する。近赤外線反射層１１８は、誘電体多層膜によって形成される。誘電体多層膜は、相対的に屈折率の高い誘電体膜と、相対的に屈折率の低い誘電体膜とを交互に積層させた構造を有する。誘電体多層膜は、光の干渉効果により可視光線帯域の光を透過し、近赤外線波長帯域の光を反射する特性を有する。誘電体多層膜は、分光透過特性において急峻な立ち上がり（又は立ち下がり）を示す。一方、誘電体多層膜は垂直入射光と斜め方向からの入射光（斜方入射光）とで、分光透過スペクトルが異なるという特性を有する。すなわち、誘電体多層膜のみでは、垂直入射光のみでは設計値通りの分光透過スペクトルが得られるものの、斜め入射光に対しては光路長が変化し、分光透過スペクトルが設計値と異なってしまう。このため、誘電体多層膜のみによる光学フィルターでは、広角で外光が入射する場合、入射光の透過スペクトルの光電変換素子１０２の視感度特性からのずれが発生するため、誤作動が発生するという問題が生ずる。
これに対し、本実施形態に係る光学フィルター１０４は、近赤外線反射層１１８に加え、近赤外線吸収層１２０が設けられている。近赤外線吸収層１２０は、可視光線帯域の光を透過し、近赤外線波長帯域の光を吸収する特性を有する。近赤外線吸収層１２０は、近赤外線を吸収する化合物を含み、近赤外線波長帯域に少なくとも一つの吸収ピークを有する。近赤外線を吸収する化合物は、波長６００ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲内に極大吸収を有することが好ましく、波長６５０ｎｍ〜１２００ｎｍの範囲内に極大吸収を有することがより好ましく、波長６５０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内に極大吸収を有することがさらに好ましく、波長６５０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲内に極大吸収を有することが特に好ましい。この波長範囲に極大吸収を有する化合物を使用することにより、入射角によるセンサー感度の変化が小さい高精度の環境光センサーが得られる。例えば、近赤外線を吸収する化合物として、近赤外線吸収色素を用いることができる。
このような近赤外線吸収層１２０は、近赤外線を吸収する化合物と、バインダー樹脂及び重合性化合物から選ばれる少なくとも１種とを含む近赤外線吸収性組成物を用いて形成される。例えば、近赤外線吸収層１２０は、可視光に対して透光性を有する樹脂層に、近赤外線を吸収する化合物が内包されている。
光学フィルター１０４は、近赤外線反射層１１８の背面に近赤外線吸収層１２０が配置されている。近赤外線反射層１１８は近赤外線を反射するが、透過した光に近赤外線波長帯域の光が含まれている場合、近赤外線吸収層１２０で当該透過光に含まれる近赤外線波長帯域の光を吸収する。例えば、光学フィルター１０４の斜め方向から入射した光（斜め入射光）は、近赤外線反射層１１８が誘電体多層膜であることにより透過スペクトルが垂直入射の場合に比べて変化する。しかし、斜め入射光として近赤外線反射層１１８を透過する光に近赤外線波長帯域の光の成分が含まれていても、近赤外線吸収層１２０がその光成分を吸収することで、近赤外線波長帯域の光成分が残留することを防ぐことができる。光学フィルター１０４は、近赤外線反射層１１８と近赤外線吸収層１２０とを重畳して設けることにより、近赤外光を遮断する性能を向上させることが可能となる。それにより、環境光センサー１００ａが照度を計測するときに、斜め方向から光が入射する場合でも、正確に可視光帯域の光による照度を検知することが可能となる。
本実施形態において、近赤外線吸収層１２０の吸収ピーク波長の少なくとも一つは、近赤外線反射層１１８におけるカットオフ波長と重なるような特性を有していることが好ましい。近赤外線反射層１１８に斜め方向から入射した光により透過光スペクトルのカットオフ波長が変化した場合でも、近赤外線吸収層１２０により、カットオフ波長のずれの影響を低減することができる。
本実施形態に係る光学フィルター１０４は、垂直方向から測定したときの透過率が、波長４３０ｎｍ〜５８０ｎｍの範囲において５０％以上である。また、本実施形態に係る光学フィルター１０４の垂直方向から測定したときの透過率が、波長８００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲において１５％以下である。本実施形態に係る光学フィルター１０４は、波長５６０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲において垂直方向から測定したときの透過率が５０％となる波長（Ｘａ）と、光学フィルター１０４の垂直方向に対し３０°の角度から測定したときの透過率が５０％となる波長（Ｘｂ）の差の絶対値が２０ｎｍ未満である。本実施形態に係る光学フィルター１０４は、上記の条件を同時に満たしていることが望ましい。
光学フィルター１０４が、このような光学特性を有することにより、垂直方向から入射する光のみならず、斜め方向から入射する光に対しても、近赤外光を遮断し、入射角度によらず同じ光学特性の可視光線帯域の光を透過することができる。
＜光学フィルターの類型＞
本発明に係る第二の光学フィルターは、近赤外線反射層及び近赤外線吸収層を含むが、その形態として様々な変形が許容される。
≪光学フィルター１≫
図２（Ａ）は、光入射側から、第１近赤外線反射層１１８ａ、近赤外線吸収層１２０、第２近赤外線反射層１１８ｂが設けられた光学フィルター１０４ａを示す。第１近赤外線反射層１１８ａは屈折率の異なる誘電体膜が積層された構造を有する。第２近赤外線反射層１１８ｂは、第１近赤外線反射層１１８ａと同じ誘電体多層構造を有していてもよいし、異なる誘電体多層構造を有していてもよい。
近赤外線吸収層１２０は、透光性の樹脂層の中に近赤外線を吸収する化合物を含む。近赤外線を吸収する化合物としては、例えば、近赤外線吸収色素が挙げられる。近赤外線吸収層１２０は、透光性の樹脂層に近赤外線を吸収する化合物が含まれている。光学フィルター１０４ａは、この樹脂層が基材としての機能を兼ね備えていてもよい。近赤外線吸収層１２０それ自体を構造材として用いることで、光学フィルター１０４ａの薄型化を図ることができる。
図２（Ａ）で示す光学フィルター１０４ａは、第１近赤外線反射層１１８ａ及び第２近赤外線反射層１１８ｂとして、誘電体多層膜が形成された構造の中に近赤外線吸収層１２０を介在させることにより、光学フィルター１０４ａに斜め方向から入射する光に対しても透過光スペクトルの変動を抑制することができる。
図２（Ａ）は、近赤外線反射層が近赤外線吸収層の両面に設けられる態様を示すが、光学フィルター１０４ａはこの態様に限定されない。近赤外線反射層は、近赤外線吸収層の片面のみに設けられていてもよい。例えば、第１近赤外線反射層１１８ａと近赤外線吸収層１２０によって光学フィルター１０４ａが構成されていてもよい。このような構成によっても、上述の近赤外線反射層と近赤外線吸収層による相乗効果を発揮することができる。また、第１近赤外線反射層と第２近赤外線反射層のどちらかを反射防止層に代えた構成を用いることもできる。
≪光学フィルター２≫
図２（Ａ）で示す光学フィルター１０４ａにおいて、近赤外線吸収層１２０に近赤外線を吸収するガラスを用いてもよい。すなわち、近赤外線を吸収する化合物を含む樹脂層に代えて、近赤外線を吸収する物質を含むガラス基板を用いて光学フィルター１０４を構成してもよい。ガラス素材としては、銅成分を含有するフッ素リン酸塩系ガラス層又はリン酸塩系ガラス層であってもよい。ガラス層は樹脂層に比べて耐熱性が高く、硬質であるので、光学フィルター１０４の耐熱性や構造安定性を高めることができる。
≪光学フィルター３≫
図２（Ｂ）は、第１近赤外線反射層１１８ａと近赤外線吸収層１２０との間に第１樹脂層１２２ａが設けられ、第２近赤外線反射層１１８ｂと近赤外線吸収層１２０との間に第２樹脂層１２２ｂが設けられた光学フィルター１０４ｂを示す。近赤外線反射層と近赤外線吸収層との間に樹脂層を設けることで、光学フィルター１０４ｂの薄型化を図りつつ強度を高めることが可能となる。近赤外線吸収層１２０としては、上述の透光性の樹脂層の中に近赤外線を吸収する化合物を含む層、あるいは近赤外線を吸収する物質を含むガラス基板を用いることができる。なお、樹脂層１２２は、第１樹脂層１２２ａ及び第２樹脂層１２２ｂの一方のみが設けられていてもよい。また、図２（Ｂ）は、近赤外線反射層が近赤外線吸収層の両面に設けられる態様を示すが、光学フィルター１０４ｂはこの態様に限定されない。近赤外線反射層は、近赤外線吸収層の片面のみに設けられていてもよい。なお、樹脂層１２２aおよび１２２ｂには近赤外線吸収剤が含まれてもよいし、含まれていなくてもよい。また、第１近赤外線反射層と第２近赤外線反射層のどちらかを反射防止層に代えた構成を用いることもできる。
図２（Ｂ）に示す光学フィルター１０４ｂは、近赤外線反射層と近赤外線吸収層との組み合わせを有することにより、図２（Ａ）で示す光学フィルター１０４ａと同様の作用効果を奏する。
≪光学フィルター４≫
図３（Ａ）は、透明なガラス基板１２４を用いて構成される光学フィルター１０４ｃを示す。光学フィルター１０４ｃは、ガラス基板１２４の一方の面に近赤外線吸収層１２０を設け、その上面に第１近赤外線反射層１１８ａが設けられている。近赤外線吸収層１２０としては、透光性の樹脂層の中に近赤外線を吸収する化合物を含む層が用いられる。また、ガラス基板１２４の他方の面に第２近赤外線反射層１１８ｂが設けられている。透明なガラス基板１２４は、光学フィルター１０４の基材として用いることができる。ガラス基板１２４を基材として用いることで、光学フィルター１０４の剛性を高めることができる。なお、図３（Ａ）において示される第２近赤外線反射層１１８ｂを、ガラス基板１２４と近赤外線吸収層１２０との間に設けてもよい。
なお、図３（Ａ）に示す光学フィルター１０４ｃにおいて、近赤外線吸収層１２０をガラス基板１２４の両面に設けてもよい。また、第１近赤外線反射層１１８ａと近赤外線吸収層１２０の組を複数段に設けてもよい。さらに、透明なガラス基板１２４に代えて、近赤外線を吸収する物質を含むガラス基板を用いてもよい。さらに近赤外線反射層は、近赤外線吸収層の片面のみに設けられていてもよい。例えば、第１近赤外線反射層１１８ａ、近赤外線吸収層１２０及びガラス基板１２４によって光学フィルター１０４ｃが構成されていてもよい。また、第１近赤外線反射層と第２近赤外線反射層のどちらかを反射防止層に代えた構成を用いることもできる。
図３（Ａ）に示す光学フィルター１０４ｃは、近赤外線反射層と近赤外線吸収層との組み合わせを有することにより、図２（Ａ）で示す光学フィルター１０４ａと同様の作用効果を奏する。
≪光学フィルター５≫
図３（Ｂ）は、透明な樹脂基板１２５を用いて構成される光学フィルター１０４ｄを示す。光学フィルター１０４ｄは、樹脂基板１２５の一方の面に近赤外線吸収層１２０を設け、その上面に第１近赤外線反射層１１８ａが設けられている。また、樹脂基板１２５の他方の面に第２近赤外線反射層１１８ｂが設けられている。樹脂基板１２５は、光学フィルター１０４の基材として用いることができる。樹脂基板１２５を基材として用いることで、光学フィルター１０４の加工性、柔軟性を高めることができる。なお、図３（Ｂ）において示される第２近赤外線反射層１１８ｂを、樹脂基板１２４と近赤外線吸収層１２０との間に設けてもよい。近赤外線吸収層１２０としては、透光性の樹脂層の中に近赤外線を吸収する化合物を含む層が用いられる。
なお、図３（Ｂ）に示す光学フィルター１０４ｄにおいて、近赤外線吸収層１２０を樹脂基板１２５の両面に設けてもよい。また、第１近赤外線反射層１１８ａと近赤外線吸収層１２０の組を複数段に設けてもよい。さらに近赤外線反射層は、近赤外線吸収層の片面のみに設けられていてもよい。例えば、第１近赤外線反射層１１８ａ、近赤外線吸収層１２０及び樹脂基板１２５によって光学フィルター１０４ｄが構成されていてもよい。また、第１近赤外線反射層と第２近赤外線反射層のどちらかを反射防止層に代えた構成を用いることもできる。
図３（Ｂ）に示す光学フィルター１０４ｄは、近赤外線反射層と近赤外線吸収層との組み合わせを有することにより、図２（Ａ）で示す光学フィルター１０４ａと同様の作用効果を奏する。
＜近赤外線反射層＞
近赤外線反射層１１８は、少なくとも波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの帯域の可視光線を透過するとともに、少なくとも波長７５０ｎｍ以上の近赤外線を反射するように設計される。近赤外線反射層１１８は、可視領域の透過率が高く、少なくとも波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの波長帯域において９０％以上の平均分光透過率を有することが好ましい。また、近赤外線反射層１１８は、波長７５０ｎｍ以上の近赤外線波長帯域においては２％未満の分光透過率を有していることが好ましい。これは、光電変換素子１０２に近赤外線が入射されず、一方で可視光線帯域の光を高感度で検知するためである。
近赤外線反射層１１８は、分光透過特性において急峻な立ち上がり（又は立ち下がり）特性（カットオフ特性）を有していることが好ましい。近赤外線反射層１１８は、急峻なカットオフ特性を有していることにより、近赤外線吸収層１２０との組み合わせにおいて、光学設計上有利に作用するためである。すなわち、近赤外線反射層１１８への斜め入射光に対して、透過スペクトルが変化する場合でも、カットオフ特性が急峻であると、近赤外線吸収層１２０の吸収ピークにカットオフ波長を合わせることが容易となるためである。
近赤外線反射層１１８は誘電体多層膜で形成される。誘電体多層膜の詳細については、前記第一の光学フィルターにおいて説明した通りである。
高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の物理膜厚は、それぞれ層の屈折率にもよるが、通常、５〜５００ｎｍであることが好ましく、誘電体多層膜の物理膜厚の合計値は光学フィルター全体として１．０〜８．０μｍであることが好ましい。
本発明の光学フィルターを環境光センサーの用途に適用する場合、光学フィルターの反りが小さい方が好ましいことから、誘電体多層膜を基材の両面に設けることが好ましく、両面に設けた誘電体多層膜は分光特性が同じでも異なっていてもよい。両面に設けた誘電体多層膜の分光特性が同じ場合では近赤外波長域において光線阻止帯域ＺａおよびＺｃの透過率を効率よく低減することができ、両面に設けた誘電体多層膜の分光特性が異なる場合では光線阻止帯域Ｚｃをより長波長側まで広げることが容易になる傾向がある。
＜近赤外線吸収層および透明樹脂基板＞
近赤外線吸収層１２０を構成するための近赤外線吸収色素を含有させる樹脂および透明樹脂基板１２５に用いられる樹脂としては、透明樹脂を用いることができる。透明樹脂の詳細については、前記第一の光学フィルターにおいて説明した通りである。
近赤外線吸収色素を含有する樹脂層の厚みは、「光学フィルター１」および「光学フィルター３」のように、近赤外線吸収色素含有樹脂層を樹脂基板としての機能を兼ね備えさせる場合は、好ましくは１０〜３００μｍ、より好ましくは２０〜２００μｍ、さらに好ましくは２５〜１５０μｍ、特に好ましくは３０〜１２０μｍである。近赤外線吸収色素を含有する樹脂層の厚みが上記範囲にあると、光学フィルターを軽量化および小型化することができ、環境光センサーの低背化を達成することができる。樹脂層の厚みが上記範囲より厚い場合には、環境光センサーの低背化という本来の目的が達成できない。一方、樹脂層の厚みが上記範囲より薄い場合には、光学フィルターの反りが大きくなる問題がある。
また、「光学フィルター４」および「光学フィルター５」のように、近赤外線吸収色素含有樹脂層を、透明ガラス基板あるいは透明樹脂基板上に設ける場合、近赤外線吸収色素含有樹脂層の厚みは、好ましくは０．５〜１５０μｍ、より好ましくは０．７〜１００μｍ、さらに好ましくは１〜５０μｍ、特に好ましくは２〜３０μｍである。近赤外線吸収色素を含有する樹脂層の厚みが上記範囲にあると、光学フィルターを軽量化および小型化することができ、環境光センサーの低背化を達成することができる。樹脂層の厚みが上記範囲より厚い場合には、環境光センサーの低背化という本来の目的が達成できない。一方、樹脂層の厚みが上記範囲より薄い場合には、近赤外線吸収色素の樹脂層への溶解性に制限があるため、適用可能な近赤外線吸収色素の種類および含有量が制限され、十分な光学特性を得ることができない。
「光学フィルター２」の近赤外線吸収層に用いられる近赤外線を吸収するガラスの厚みは、好ましくは３０〜１０００μｍ、より好ましくは３５〜５００μｍ、さらに好ましくは４０〜３００μｍ、特に好ましくは４５〜２１０μｍである。近赤外線吸収ガラスは非常に脆く、ガラスの厚みが上記範囲より薄い場合には、使用時に割れる、欠ける、反りが大きくなる等の問題があり使用し難い。
「光学フィルター４」に用いられる透明ガラス基板の厚みは、好ましくは２０〜１０００μｍ、より好ましくは２５〜５００μｍ、さらに好ましくは３０〜３００μｍ、特に好ましくは３５〜２１０μｍである。透明ガラスの厚みが上記範囲にあると、光学フィルターを軽量化および小型化することができ、環境光センサーの低背化を達成することができる。透明ガラスの厚みが上記範囲より厚い場合には、環境光センサーの低背化という本来の目的が達成できない。一方、透明ガラスの厚みが上記範囲より薄い場合には、反りが大きくなる、ガラス層が脆いため割れる、欠ける等の問題があり使用し難い。
上記のように、ガラスは厚みが薄くなると脆くなる問題点があるため、環境光センサーの低背化と言う観点からは、「光学フィルター１、３、５」のように樹脂製基板を使用することが好ましい。
近赤外線吸収色素を含有する樹脂層は、樹脂層そのものをフィルム基板として使用することができ、他のフィルム基板上に本樹脂層をコーティングした形で使用することもでき、ガラス基板上に本樹脂層をコーティングした形で使用することもできる。樹脂層そのものをフィルム基板として使用する場合、前述した溶液キャスト法や押出成形法によりフィルム基板を作製することができる。
上記フィルム基板としては、上記透明樹脂からなる樹脂フィルムを使用することができる。
上記透明樹脂層は、本発明の効果を損なわない範囲において、近赤外線吸収色素の他に酸化防止剤、近紫外線吸収剤、蛍光消光剤および金属錯体系化合物等の添加剤を含有してもよい。また、前述したキャスト成形により基材を製造する場合には、レベリング剤や消泡剤を添加することで基材の製造を容易にすることができる。これら成分は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記基材は、単層であっても多層であってもよく、近赤外線吸収色素を含む層は、別々の近赤外吸収色素を含む透明樹脂層を多層化することもできるし、近赤外線吸収色素を含む層と近赤外線吸収色素を含有しない層を多層化することもできる。また、銅成分を含有する近赤外線吸収ガラス層に、近赤外線吸収色素を含有する樹脂層を積層することもできる。
また、上記基材上に、硬化性樹脂を含むオーバーコート層などの樹脂層を積層することもできる。この硬化性樹脂層に近赤外線吸収色素を含有させることもできる。
透明樹脂層を使用する場合には、製造コストや光学特性調整の容易性、さらに、樹透明樹脂製基板の耐傷つき性向上等の点から、近赤外線吸収色素を含有する透明樹脂製基板上に硬化性樹脂からなるオーバーコート層などの樹脂層が積層された基材を用いることが特に好ましい。
＜透明樹脂基材の製造方法＞
前記基材が近赤外線吸収色素を含有する透明樹脂製基板を含む場合、該透明樹脂製基板は、前記第一の光学フィルターで説明した方法で製造することができる。
＜ガラス＞
近赤外線吸収層として、銅成分を含む近赤外線吸収ガラス（以下「Ｃｕ含有ガラス」ともいう。）を用いることができる。Ｃｕ含有ガラスを用いることで、可視光に対する高透過性を有するとともに、近赤外線に対しても高い遮蔽性を有する。なお、リン酸塩ガラスには、ガラス骨格の一部がＳｉＯ2で構成されるケイリン酸塩ガラスも含むものとする。Ｃｕ含有ガラスとしては、例えば、以下の組成のものが挙げられる。
（ＧＬ１）Ｐ2Ｏ5 ４６〜７０％、ＡｌＦ3 ０．２〜２０％、ＬｉＦ＋ＮａＦ＋ＫＦ ０〜２５％、ＭｇＦ2＋ＣａＦ＋ＳｒＦ2＋ＢａＦ2＋ＰｂＦ2 １〜５０％、ただし、Ｆ ０．５〜３２％、Ｏ ２６〜５４％を含む基礎ガラス１００重量部に対し、外割でＣｕＯを０．５〜７重量部含むガラス。
（ＧＬ２）Ｐ2Ｏ5 ２５〜６０％、Ａｌ2ＯＦ3 １〜１３％、ＭｇＯ １〜１０％、ＣａＯ １〜１６％、ＢａＯ １〜２６％、ＳｒＯ ０〜１６％、ＺｎＯ ０〜１６％、Ｌｉ2Ｏ ０〜１３％、 Ｎａ2Ｏ ０〜１０％、Ｋ2Ｏ ０〜１１％、ＣｕＯ １〜７％、ΣＲＯ（Ｒ＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）１５〜４０％、ΣＲ‘2Ｏ（Ｒ’＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）３〜１８％（ただし、３９％モル量までのＯ2-イオンがＦ-イオンで置換されている）からなるガラス。
（ＧＬ３）Ｐ2Ｏ5 ５〜４５％、ＡｒＦ3 １〜３５％、ＲＦ（ＲはＬｉ，Ｎａ，Ｋ）０〜４０％、Ｒ‘Ｆ2（Ｒ’はＭｇ，Ｃａ， Ｓｒ， Ｂａ， Ｐｂ， Ｚｎ）１０〜７５％、Ｒ“Ｆm（Ｒ”はＬａ，Ｙ，Ｃｄ，Ｓｉ，Ｂ，Ｚｒ，Ｔａ，ｍはＲ“の原子価に相当する数）０〜１５％（ただしフッ化物総合計量の７０％までを酸化物に置換可能）、およびＣｕＯ ０．２〜１５％を含むガラス。
（ＧＬ４）カチオン％表示で、Ｐ5+ １１〜４３％、Ａｌ3+ １〜２９％、Ｒカチオン（Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｐｂ，Ｚｎイオンの含量）１４〜５０％、Ｒ‘カチオン（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋイオンの含量）０〜４３％、Ｒ“カチオン（Ｌａ，Ｙ，Ｃｄ，Ｓｉ，Ｂ，Ｚｒ，Ｔａイオンの含量）０〜８％、およびＣｕ2+ ０．５〜１３％を含み、さらにアニオン％でＦ- １７〜８０％を含有するガラス。
（ＧＬ５）カチオン％表示で。Ｐ5+ ２３〜４１％、Ａｌ3+ ４〜１６％、Ｌｉ+ １１〜４０％、Ｎａ+ ３〜１３％、Ｒ2+（Ｍｇ2+，Ｃａ2+，Ｓｒ2+, Ｂａ2+，Ｚｎ2+の含量）１２〜５３％、およびＣｕ2+ ２．６〜４．７％を含み、さらにアニオン％でＦ- ２５〜４８％およびＯ2- ５２〜７５％を含むガラス。
（ＧＬ６）質量％表示で、Ｐ2Ｏ5 ７０〜８５％、Ａｌ2Ｏ3 ８〜１７％、Ｂ2Ｏ3 １〜１０％、Ｌｉ2Ｏ ０〜３％、 Ｎａ2Ｏ ０〜５％、Ｋ2Ｏ ０〜５％、ただし、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０．１〜５％、ＳｉＯ2 ０〜３％からなる基礎ガラス１００重量部に対し、外割でＣｕＯを０．１〜５重量部含むガラス。
市販品では、例えば（ＧＬ１）としてＮＦ５０−Ｅ，ＮＦ５０−ＥＸ（旭硝子社製）、（ＧＬ２）としてＢＧ−６０，ＢＧ−６１（ＳＨＯＴＴ社製）、（ＧＬ３）としてＣＤ５０００（ＨＯＹＡ社製）等が挙げられる。
また、上記Ｃｕ含有ガラスは、金属酸化物をさらに含有してもよい。金属酸化物として、例えばＦｅ2Ｏ3，ＭｏＯ3，ＷＯ3，ＣｅＯ2，Ｓｂ2Ｏ3，Ｖ2Ｏ5等の１種または２種以上を含有すると、Ｃｕ含有ガラスは紫外線吸収特性を有する。該金属名酸化物の含有量は、上記Ｃｕ含有ガラス１００重量部に対して、Ｆｅ2Ｏ3，ＭｏＯ3，ＷＯ3およびＣｅＯ2からなる群から選択される少なくとも１種を、Ｆｅ2Ｏ3 ０．６〜５重量部、ＭｏＯ3 ０．５〜５重量部、ＷＯ3 １〜６重量部、ＣｅＯ2２．５〜６重量部、または、Ｆｅ2Ｏ3とＳｂ2Ｏ3の２種をＦｅ2Ｏ3 ０．６〜５重量部＋Ｓｂ2Ｏ3０．１〜５重量部、もしくは、Ｖ2Ｏ5とＣｅＯ2の２種をＶ2Ｏ5 ０．０１〜０．５重量部＋ＣｅＯ2１〜６重量部とすることが好ましい。
上記Ｃｕ含有ガラスの厚みとしては、０．０３〜５ｍｍの範囲であることが好ましく、強度および軽量化、低背化の観点から０．０５〜１ｍｍの範囲がより好ましい。
＜ガラス基板＞
吸収の無いガラス基板としては、主成分として、珪酸塩を含む基板であれば、特に限定されるものではなく、結晶構造を有する石英ガラス基板等が挙げられる。ほかに、ホウ珪酸ガラス基板、ソーダガラス基板および色ガラス基板等を用いることができるが、とりわけ、無アルカリガラス基板、低α線ガラス基板等のガラス基板は、センサー素子への影響が少ないため、好ましい。
＜樹脂層（密着層）＞
本発明において、近赤外線吸収層と近赤外線反射膜の間には樹脂層があってもよい。特に、前記基材としてガラス基材を使用し、ガラス基板上に近赤外線吸収層を積層する場合には、前記近赤外線吸収層とガラス基板は、互いに化学的な組成、および熱線膨張率が異なるため、近赤外線吸収層とガラス基板との間に密着層を設けて、それらの十分な密着性を確保することが好ましい。本発明に用いる密着層は近赤外線吸収層とガラス基板との間の密着性を確保できる材料からなれば、特に限定されないが、例えば、（ａ）（メタ）アクリロイル基含有化合物に由来する構造単位、（ｂ）カルボン酸基含有化合物に由来する構造単位、および（ｃ）エポキシ基含有化合物に由来する構造単位を有すると、近赤外線吸収層とガラス基板との密着性が高くなるため好ましい。
≪（ａ）（メタ）アクリロイル基含有化合物に由来する構造単位≫
構造単位（ａ）としては、（メタ）アクリロイル基含有化合物に由来する構造単位であれば特に限定されるものではない。（メタ）アクリロイル基含有化合物としては、例えば、単官能、２官能または３官能以上の（メタ）アクリル酸エステルが、重合性が良好である点から好ましい。本発明において、「（メタ）アクリル」は、「アクリル」または「メタクリル」を意味する。
上記単官能（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルメタクリレート、（２−アクリロイルオキシエチル）（２−ヒドロキシプロピル）フタレート、（２−メタクリロイルオキシエチル）（２−ヒドロキシプロピル）フタレートおよびω―カルボキシポリカプロラクトンモノアクリレートを挙げることができる。
これらの市販品としては、商品名で、例えば、アロニックスＭ−１０１、同Ｍ−１１１、同Ｍ−１１４、同Ｍ−５３００（以上、東亞合成（株）製）；ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＣ−１１０Ｓ、同 ＴＣ−１２０Ｓ（以上、日本化薬（株）製）；ビスコート１５８、同２３１１（以上、大阪有機化学工業（株）製）を挙げることができる。
上記２官能（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えばエチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、９，９−ビス[４−（２−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレートおよび１，９−ノナンジオールジメタクリレートを挙げることができる。
これらの市販品としては、商品名で、例えばアロニックスＭ−２１０、同Ｍ−２４０、同Ｍ−６２００（以上、東亞合成（株）製）；ＫＡＹＡＲＡＤ ＨＤＤＡ、同 ＨＸ−２２０、同 Ｒ−６０４（以上、日本化薬（株）製）；ビスコート２６０、同３１２、同３３５ＨＰ（以上、大阪有機化学工業（株）製）；ライトアクリレート１，９−ＮＤＡ（共栄社化学（株）製）；を挙げることができる。
上記３官能以上の（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとの混合物、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、エチレンオキサイド変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリ（２−アクリロイルオキシエチル）フォスフェート、トリ（２−メタクリロイルオキシエチル）フォスフェートのほか、直鎖アルキレン基および脂環式構造を有し且つ２個以上のイソシアネート基を有する化合物と、分子内に１個以上の水酸基を有し且つ３個、４個または５個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物とを反応させて得られる多官能ウレタンアクリレート系化合物を挙げることができる。
３官能以上の（メタ）アクリル酸エステルの市販品としては、商品名で、例えばアロニックスＭ−３０９、同Ｍ−３１５、同Ｍ−４００、同Ｍ−４０５、同Ｍ−４５０、同Ｍ−７１００、同Ｍ−８０３０、同Ｍ−８０６０、同ＴＯ−１４５０（以上、東亞合成（株）製）；ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、同 ＤＰＨＡ、同 ＤＰＣＡ−２０、同 ＤＰＣＡ−３０、同 ＤＰＣＡ−６０、同 ＤＰＣＡ−１２０、同 ＤＰＥＡ−１２（以上、日本化薬（株）製）；ビスコート２９５、同３００、同３６０、同ＧＰＴ、同３ＰＡ、同４００（以上、大阪有機化学工業（株）製）；や、多官能ウレタンアクリレート系化合物を含有する市販品として、ニューフロンティア Ｒ−１１５０（第一工業製薬（株）製）；ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ−４０Ｈ（日本化薬（株）製）を挙げることができる。
上記硬化層には、これらの（メタ）アクリロイル基含有化合物を１種単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
≪（ｂ）カルボン酸基含有化合物に由来する構造単位≫
構造単位（ｂ）としては、カルボン酸基を含有する化合物に由来する構造単位であれば特に限定されるものではない。カルボン酸基含有化合物としては、例えばモノカルボン酸、ジカルボン酸、ジカルボン酸の無水物およびカルボン酸基を有する重合体を挙げることができる。
モノカルボン酸としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、２−アクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸および２−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸を挙げることができる。
上記ジカルボン酸としては、例えばマレイン酸、フマル酸およびシトラコン酸を挙げることができる。
上記ジカルボン酸の無水物としては、上記ジカルボン酸の無水物等を挙げることができる。
また、カルボン酸基を有する重合体としては、カルボン酸基を含有する化合物である、例えばアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸および無水マレイン酸等から選ばれる１種以上の重合性を有する化合物からなる重合体、または、これらの化合物と前記（メタ）アクリロイル基含有化合物との共重合体を好適に用いることができる。
これらのうち、共重合反応性の点から、アクリル酸、メタクリル酸、２−アクリロイルオキシエチルコハク酸、２−メタクリロイルオキシエチルコハク酸または無水マレイン酸が好ましい。
≪（ｃ）エポキシ基含有化合物に由来する構造単位≫
構造単位（ｃ）としては、エポキシ基含有化合物に由来する構造単位であれば特に限定されるものではない。エポキシ基(オキシラニル基)含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸オキシラニル（シクロ）アルキルエステル、α−アルキルアクリル酸オキシラニル（シクロ）アルキルエステルおよび不飽和結合を有するグリシジルエーテル化合物等のオキシラニル基を有する不飽和化合物；オキセタニル基を有する（メタ）アクリル酸エステル等のオキセタニル基を有する不飽和化合物を挙げることができる。
（メタ）アクリル酸オキシラニル（シクロ）アルキルエステルとして、例えば（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸２−メチルグリシジル、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートグリシジルエーテル、（メタ）アクリル酸３，４−エポキシブチル、（メタ）アクリル酸６，７−エポキシヘプチル、（メタ）アクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシルおよび（メタ）アクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシルメチルを挙げることができ、α−アルキルアクリル酸オキシラニル（シクロ）アルキルエステルとして、例えばα−エチルアクリル酸グリシジル、α−ｎ−プロピルアクリル酸グリシジル、α−ｎ−ブチルアクリル酸グリシジル、α−エチルアクリル酸６，７−エポキシヘプチルおよびα−エチルアクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシルを挙げることができ、不飽和結合を有するグリシジルエーテル化合物として、例えばｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテルおよびｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテルを挙げることができ、オキセタニル基を有する（メタ）アクリル酸エステルとして、例えば３−（（メタ）アクリロイルオキシメチル）オキセタン、３−（（メタ）アクリロイルオキシメチル）−３−エチルオキセタン、３−（（メタ）アクリロイルオキシメチル）−２−メチルオキセタン、３−（（メタ）アクリロイルオキシエチル）−３−エチルオキセタン、２−エチル−３−（（メタ）アクリロイルオキシエチル）オキセタン、３−メチル−３−（メタ）アクリロイルオキシメチルオキセタンおよび３−エチル−３−（メタ）アクリロイルオキシメチルオキセタンを挙げることができる。
これらのうち特に、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−メチルグリシジル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシルメチル、３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン、３−メチル−３−メタクリロイルオキシメチルオキセタンまたは３−エチル−３−メチルオキセタンが、重合性の点から好ましい。
≪任意成分≫
前記密着層には、本発明の効果を損なわない範囲において、酸発生剤、密着助剤、界面活性剤、重合開始剤等の任意成分を添加することができる。これらの添加量は、所望の特性に応じて適宜選択されるが、前記（メタ）アクリロイル基含有化合物、前記カルボン酸基含有化合物および前記エポキシ基含有化合物の合計１００重量部に対して、それぞれ通常０．０１〜１５．０重量部、好ましくは０．０５〜１０．０重量部であることが望ましい。
≪重合開始剤≫
前記重合開始剤は、紫外線や電子線等の光線に感応してモノマー成分の重合を開始しうる活性種を生じる成分である。このような重合開始剤としては特に限定されるものではないが、Ｏ−アシルオキシム化合物、アセトフェノン化合物、ビイミダゾール化合物、アルキルフェノン化合物、ベンゾフェノン化合物などを挙げることができる。これらの具体例としては、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−〔９−エチル−６−ベンゾイル−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−オクタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセテート、１−〔９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−エタン−１−オンオキシム−Ｏ−ベンゾエート、１−〔９−ｎ−ブチル−６−（２−エチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−エタン−１−オンオキシム−Ｏ−ベンゾエート、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、１，２−オクタンジオン−１−[４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）]、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルベンジル）−１−（４−モルフォリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、１−フェニル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ｉ−プロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシルベンゾフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどを挙げることができる。これらの重合開始剤は単独で、または２種以上を混合して使用することができる。
密着層は、例えば、前記（メタ）アクリロイル基含有化合物、前記カルボン酸基含有化合物、前記エポキシ基含有化合物および必要により前記任意成分を含む組成物（Ｇ）を溶融混練りして得られたペレットを溶融成形する方法、該組成物（Ｇ）および溶剤を含む液状組成物から溶剤を除去して得られたペレットを溶融成形する方法、または、上述の液状組成物をキャスティング（キャスト成形）する方法により製造することができる。溶融成形する方法およびキャスト成形する方法としては、前記と同様の方法等が挙げられる。
前記（メタ）アクリロイル基含有化合物の配合量は、組成物（Ｇ）１００重量部あたり、好ましくは３０〜７０重量部、さらに好ましくは４０〜６０重量部であり、前記カルボン酸基含有化合物の配合量は、組成物（Ｇ）１００重量部あたり、好ましくは５〜３０重量部、さらに好ましくは１０〜２５重量部であり、前記エポキシ基含有化合物の配合量は、組成物（Ｇ）１００重量部あたり、好ましくは１５〜５０重量部、さらに好ましくは２０〜４０重量部である。
また、任意成分の配合量は、所望の特性に応じて適宜選択されるが、組成物（Ｇ）１００重量部あたり、好ましくは０．０１〜１５．０重量部、さらに好ましくは０．０５〜１０．０重量部である。
密着層の厚みは、本発明の効果を損なわない限り特に制限されないが、好ましくは０．１〜５．０μｍ、さらに好ましくは０．２〜３．０μｍである。
＜その他の機能膜＞
本発明に係る第二の光学フィルターは、本発明の効果を損なわない範囲において、前記第一の光学フィルターと同様に、基材や誘電体多層膜の表面硬度の向上、耐薬品性の向上、帯電防止および傷消しなどの目的で、反射防止膜、ハードコート膜や帯電防止膜などの機能膜を適宜設けることができる。
＜近赤外線吸収色素＞
近赤外線吸収色素としては、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クロコニウム系化合物、オクタフィリン系化合物、ヘキサフィリン系化合物、シアニン系化合物、ジイモニウム系化合物、アミニウム系化合物、イミニウム系化合物、アントラキノン系化合物等が挙げられる。これらの化合物から選ばれる１種以上の化合物を使用することができ、２種以上の化合物を混合して使用することもできる。これらの中では、透過率特性および熱安定性の観点から、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、またはシアニン系化合物が好適に使用される。また、前記近赤外線吸収色素は前記化合物（Ａ）であることが好ましい。
［光学フィルターの用途］
本発明の光学フィルターは、入射角度が大きい場合においても優れた可視透過率と近赤外線カット能を有する。したがって、照度センサーや色補正用センサーなどの各種環境光センサー用として有用である。特に、デジタルスチルカメラ、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話、ウェアラブルデバイス、自動車、テレビ、ゲーム機等に搭載される環境光センサー用として有用である。さらに、自動車や建物等の窓用ガラス板等に装着される熱線カットフィルターなどとしても有用である。
［環境光センサー］
上述した本発明の光学フィルターと、光電変換素子を組み合わせて環境光センサーとして用いることができる。ここで、環境光センサーとは、照度センサーや色補正用センサーなど周囲の明るさや色調（夕方の時間帯で赤色が強いなど）を感知可能なセンサーであり、例えば、環境光センサーで感知した情報により機器に搭載されているディスプレイの照度や色合いを制御することが可能である。
＜環境光センサー１＞
図１は、本発明の一実施形態に係る環境光センサー１００ａを示す。環境光センサー１００ａは、光学フィルター１０４及び光電変換素子１０２を備える。光電変換素子１０２は、受光部に光が入射すると光起電力効果により電流や電圧を発生する。図１は、一例として、第１電極１０６、光電変換層１０８、第２電極１１４を有する光電変換素子１０２を示す。光電変換層１０８は光電効果を発現する半導体で形成される。例えば、光電変換層１０８は、シリコン半導体を用いて形成される。光学フィルター１０４は光電変換素子１０２の受光面側に設けられている。光電変換素子１０２の受光面には光学フィルター１０４を通過した光が照射される。
光学フィルター１０４により、光電変換素子１０２の受光面に入射する光は可視光線帯域の光となり、近赤外線波長帯域（７００ｎｍ〜１２００ｎｍ）の光は遮断される。環境光センサー１００ａは可視光線帯域の光に感応し、視感度に対応した外光強度を検知する。
光学フィルター１０４は、近赤外線反射層１１８と近赤外線吸収層１２０とを含む。光学フィルター１０４に入射した光は、近赤外線反射層１１８及び近赤外線吸収層１２０の作用を受け、近赤外線帯域の光強度が十分に低減される。光学フィルター１０４において、近赤外線反射層１１８と近赤外線吸収層１２０とは、重ねて設けられる。別言すれば、近赤外線反射層１１８と近赤外線吸収層１２０とは入射光の光軸上に直列に配置される。このような配置により、光学フィルター１０４に対して垂直方向から入射する光はもとより、斜め方向から入射した光に対しても、近赤外線帯域の光を遮断することが可能となる。すなわち、光学フィルター１０４に斜め方向から光が入射する場合でも、透過光のスペクトル変化が抑制される。
環境光センサー１００ａは、光学フィルター１０４を備えることにより、広角で光を受光することができ、その場合でも視感度に合った外光強度を検知することが可能となる。
なお、環境光センサー１００ａにおいて光学フィルター１０４と光電変換素子１０２との間には他の透光性の層が介在していてもよい。例えば、光学フィルター１０４と光電変換素子１０２との間に、封止材として透光性を有する樹脂層が設けられていてもよい。
＜環境光センサー２＞
図４は、照度センサー受光素子１０２ａおよび光学フィルター１０４を備えた環境光センサー１００ａの断面構造の一例を示す。環境光センサー１００ａは、照度センサー受光素子１０２ａで外光の強度を検知し、照度センサーとして機能する。照度センサー受光素子１０２ａの上面には、光学フィルター１０４が設けられる。光学フィルター１０４により、照度センサー受光素子１０２ａの受光面に入射する光から、近赤外線波長領域の光が遮断され、照度センサー受光素子の視感度特性に対応した外光強度を検知することができる。近赤外線反射層１１８と近赤外線吸収層１２０からなる光学フィルター１０４を使用することにより、照度センサーの視感度特性に合わせた、入射角度による変化が小さい可視光線領域の光が照度センサー受光素子に入射するため、誤作動が少ない照度センサーを得ることができる。
＜環境光センサー３＞
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、照度センサー受光素子１０２ａ、近接センサー受光素子１０２ｂ、発光ダイオード１３０および光学フィルター１０４を備えた環境光センサー１００ｂの一例を示す。なお、図５（Ａ）は環境光センサー１００ｂ平面図を示し、図５（Ｂ）はＩ−Ｊ線に沿った断面構造を示す。
環境光センサー１００ｂは、照度センサー受光素子１０２ａで外光の強度を検知し、照度センサーとして機能する。発光ダイオード１３０は赤外光を出射し、その反射光を近接センサー受光素子１０２ｂが受光する。すなわち、発光ダイオード１３０と近接センサー受光素子１０２ｂは協働することにより近接センサーとして機能する。照度センサー受光素子１０２ａ及び近接センサー受光素子１０２ｂと、発光ダイオード１３０との間は、発光ダイオード１３０から出射される光が迷光として入射しないように遮光部材１３２で仕切られている。遮光部材１３２は、エポキシ系樹脂等の硬化性樹脂が用いられ、照度センサー受光素子１０２ａ、近接センサー受光素子１０２ｂ及び発光ダイオード１３０のそれぞれを囲むように成形され、上面部が光入射又は光出射可能なように開口している。
照度センサー受光素子１０２ａの上面には、光学フィルター１０４が設けられる。光学フィルター１０４により、照度センサー受光素子１０２ａの受光面に入射する光から、近赤外線波長領域の光が遮断され、照度センサー受光素子の視感度特性に対応した外光強度を検知することができる。近赤外線反射層１１８と近赤外線吸収層１２０からなる光学フィルター１０４を使用することにより、照度センサーの視感度特性に合わせた、入射角度による変化が小さい可視光線領域の光が照度センサー受光素子に入射するため、誤作動が少ない照度センサーを得ることができる。更に、照度センサー受光素子１０２ａに、発光ダイオード１３０から出射された光の反射光が戻ってきても、光学フィルター１０４により遮断され入射しないため、近接センサー用発光ダイオードからの反射光による照度センサーの誤作動を防止することができる。そのため、照度センサー受光素子１０２aは、外光のうち可視光線波長帯域の光に感応し、照度センサーとして機能する。
一方、近接センサー受光素子１０２ｂの受光面上には近赤外線パスフィルター１３４が設けられている。近赤外線パスフィルター１３４は、近赤外線波長領域の光を透過するパスフィルターである。近赤外線パスフィルター１３４は、バインダー樹脂や重合性化合物等に可視光線波長領域の波長に吸収を有する色素（顔料や染料）を加えて形成される。近赤外線パスフィルター１３４は、概略７００ｎｍ未満、好ましくは７５０ｎｍ未満、より好ましくは８００ｎｍ未満の光を吸収（カット）し、波長７００ｎｍ以上、好ましくは７５０ｎｍ以上、より好ましくは８００ｎｍ以上の光を透過する分光透過特性を有している。
近赤外線パスフィルター１３４は、上記したような所定波長未満（例えば、波長７５０ｎｍ未満）の光を遮断し、所定波長領域（例えば、７５０〜９５０ｎｍ）の近赤外線を透過することで、近接センサー受光素子１０２ｂに近赤外線が入射されるようにすることができる。これにより、近接センサー受光素子１０２ｂは、可視光に起因するノイズ等の影響を受けずに、精度良く近赤外線を検出することができる。近赤外線パスフィルター１３４は、例えば、特開２０１４−１３０３３２号公報に記載の感光性組成物を用いて形成することができる。
このような環境光センサー１００ｂは、電子機器に実装されて、照度センサーとしての機能により周囲光の明るさを検知し、近接センサーとしての機能により電子機器の本体に近接する物体を検知することが可能となる。環境光センサー１００ｂにおけるこれらの機能により、タッチパネル一体型表示画面を有する電子機器は、周囲環境の明るさに応じて画面の明るさを制御し、物体との距離に応じて表示画面の消灯及びタッチパネル機能の停止を行い、画面を消灯する動作を支援することが可能となる。
なお、図４に示す環境光センサー１００ａにおいて、照度センサー受光素子に替えて、フォトダイオード上にＲＧＢカラーフィルターを設置したカラーセンサー受光素子を設けてもよい。それにより、周囲光の分光強度比（ＲＧＢ比）を検出して、画面の明るさや画質をきめ細かく制御することができる。カラーセンサーとしての機能により周囲光を複数の波長帯域の光に分光して検知することが可能となる。環境光センサー１００ａにおけるこれらの機能により、例えば植物工場における野菜や果実の成熟度のモニタリングを支援することが可能となる。
図５に示す環境光センサー１００ｂにおいて、照度センサー受光素子１０２aの受光面上に設けられる光学フィルター１０４は、近赤外線反射層１１８と近赤外線吸収層１２０が組み合わされていることにより、斜め方向から入射する光に対しても有効に近赤外線を遮断することができる。それにより、入射角度によるセンサー感度の変化が少なく、誤作動が少ない近接センサー一体型照度センサーを実現することができる。
［センサーモジュール］
本発明の光学フィルター、他の光学フィルター、レンズ、および光電変換素子等を組み合わせてセンサーモジュールとすることができる。
図１７および１８は、光センサーモジュールの略図を示す。図１７では、本発明の光学フィルター２０３を、光センサー２０７と光拡散フィルム２０２の中間に用いている。図１８では、本発明の光学フィルター２０３に加えて近赤外線吸収特性を有するＩＲカットフィルム２０４を、光センサー２０７と光学フィルター２０３の間に用いている。
［電子機器］
本発明の電子機器は上述した本発明の環境光センサーを含む。以下、図面を参照しながら、本発明の電子機器について説明する。
図６（Ａ）〜（Ｃ）は電子機器１３６の一例を示す。なお、図６（Ａ）は電子機器１３６の正面図、図６（Ｂ）は平面図、図６（Ｃ）は、図６（Ｂ）において点線で囲む領域Ｄの詳細を示す断面図である。電子機器１３６は、筐体１３８、表示パネル１４０、マイクロホン部１４２、スピーカ部１４４を含み、さらに環境光センサー１００（「環境光センサー１」として説明される環境光センサー１００ａ又は「環境光センサー２」として説明される環境光センサー１００ｂ）を含む。環境光センサー１００は、光学フィルター１０４及び光電変換素子１０２を含んで構成される。表示パネル１４０はタッチパネルが採用され、表示機能に加え入力機能を兼ね備えている。
環境光センサー１００には、筐体１３８に設けられる光学窓１４５を通して光が入射する。環境光センサー１００は、電子機器１３６が置かれている周囲光の強度を検知する。また、環境光センサー１００が近接センサーの機能を有する場合は、周囲光の測光の他に電子機器１３６の表面パネルに近接する物体までの距離を測距する。電子機器１３６は環境光センサー１００により、表示パネル１４０の明るさを制御し、また、表示パネルのオンオフ、入力機能のオンオフを制御する。
電子機器１３６は、外観のデザイン性が重視され、環境光センサー１００に外光を入射させるために開孔を設けるのではなく、筐体１３８の光学窓１４５を透過させて、環境光センサー１００に光が当たる構造が採用されるようになっている。光学窓１４５は、例えば、電子機器１３６の表面パネルとして用いられる部材そのもの、またはその一部であり透光性を有している。しかし、表面パネルは電子機器１３６の外観を構成する部材であるので、色彩が施されているのが通常である。この場合、光学窓１４５は、可視光線の透過光量が低下し、近赤外線の情報に埋もれてしまうという問題が生じる。しかしながら、本実施形態によれば、環境光センサー１００に光学フィルター１０４が設けられていることにより、近赤外線のノイズを除外して、可視光線を検知することができる。そのため、カラーセンサーとしての機能を有する環境光センサー１００ｂを用いる場合でも、色調のずれを抑制し、正確に周囲光を検知することができる。
本実施形態によれば、環境光センサー１００において、光学フィルター１０４が光電変換素子１０２の受光面に近接して設けられていることにより、広角で入射する光に対しても正確に照度を測定することができる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、この実施例により何ら限定されるものではない。なお、「部」および「％ 」は、特に断りのない限り「重量部」および「重量％ 」を意味する。また、各物性値の測定方法および物性の評価方法は以下のとおりである。
＜分子量＞
樹脂の分子量は、各樹脂の溶剤への溶解性等を考慮し、下記の（ａ）、（ｂ）または（ｃ）の方法にて測定を行った。
（ａ）ウオターズ（ＷＡＴＥＲＳ）社製のゲルパーミエ−ションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）装置（１５０Ｃ型、カラム：東ソー社製Ｈタイプカラム、展開溶剤：ｏ−ジクロロベンゼン）を用い、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定した。
（ｂ）東ソー社製ＧＰＣ装置（ＨＬＣ−８２２０型、カラム：ＴＳＫｇｅｌα‐Ｍ、展開溶剤：ＴＨＦ）を用い、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定した。
（ｃ）ポリイミド樹脂溶液の一部を無水メタノールに投入してポリイミド樹脂を析出させ、ろ過して未反応単量体から分離した。８０℃で１２時間真空乾燥して得られたポリイミド０．１ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン２０ｍＬに溶解し、キャノン−フェンスケ粘度計を使用して３０℃における対数粘度（μ）を下記式により求めた。
μ＝｛ｌｎ（ｔｓ／ｔ０）｝／Ｃ
ｔ０：溶媒の流下時間
ｔｓ：希薄高分子溶液の流下時間
Ｃ：０．５ｇ／ｄＬ
＜ガラス転移温度（Ｔｇ）＞
エスアイアイ・ナノテクノロジーズ株式会社製の示差走査熱量計（ＤＳＣ６２００）を用いて、昇温速度：毎分２０℃、窒素気流下で測定した。
＜飽和吸水率＞
ＡＳＴＭ Ｄ５７０に準拠し、試験片を２３℃の水中に１週間浸漬させた後、試験片の重量変化より吸水率を測定した。
＜分光透過率＞
各種透過率および波長等は、日本分光株式会社製の分光光度計（Ｖ−７２００）を用いて測定した。
ここで、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率では、図７（Ａ）のように光学フィルター２に対して垂直に透過した光１を分光光度計３で測定し、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の透過率では、図７（Ｂ）のように光学フィルター２の垂直方向に対して３０°の角度で透過した光１’を分光光度計３で測定し、光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合の透過率では、図７（Ｃ）のように光学フィルター２の垂直方向に対して６０°の角度で透過した光１’’を分光光度計３で測定した。
なお、この透過率は、前記（ＴB）、（ＴC）、（ＯＤB）、（ＯＤD）および（Ｘｂ）を測定する場合を除き、光が基板およびフィルターに対して垂直に入射する条件で、該分光光度計を使用して測定したものである。前記（ＴC）および（ＯＤB）を測定する場合には、光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度で入射する条件で該分光光度計を使用して測定したものである。前記（ＴB）、（ＯＤD）および（Ｘｂ）を測定する場合には、光がフィルターの垂直方向に対して３０°の角度で入射する条件で該分光光度計を使用して測定したものである。
＜照度センサー感度特性＞
光学フィルターの光学特性（光学フィルターを透過する光の光学特性）と照度センサーおよび人間の視感度特性との比較を行い、図４と同様の構成の照度センサーを作成した場合の照度センサー感度特性の評価を行った。評価判断は下記の基準に基づいて行った。
○：入射角度によらず照度センサーへの入射光を人間の視感度特性に近い光とすることができ、高いセンサー感度特性が得られる。
×：入射角度により照度センサーへの入射光の光学特性が変化するため、人間の視感度特性と誤差を生じてしまい、センサー感度特性が低いものであった。
××：入射角度により照度センサーへの入射光の光学特性が変化するため、人間の視感度特性と誤差を生じてしまい、センサー感度特性が低く、更に、得られた光学フィルターは８００〜１０００ｎｍの透過率が高いため、光学フィルターによる近赤外線カットが不十分であり、入射光が人間の視感度特性と大幅にずれ、照度センサーの誤作動を招く。
［合成例］
下記実施例および比較例で用いた化合物（Ａ）は、一般的に知られている方法で合成した。一般的合成方法としては、例えば、特許第３３６６６９７号公報、特許第２８４６０９１号公報、特許第２８６４４７５号公報、特許第３７０３８６９号公報、特開昭６０−２２８４４８号公報、特開平１−１４６８４６号公報、特開平１−２２８９６０号公報、特許第４０８１１４９号公報、特開昭６３−１２４０５４号公報、「フタロシアニン −化学と機能―」（アイピーシー、１９９７年）、特開２００７−１６９３１５号公報、特開２００９−１０８２６７号公報、特開２０１０−２４１８７３号公報、特許第３６９９４６４号公報、特許第４７４０６３１号公報などに記載されている方法を挙げることができる。
＜樹脂合成例１＞
下記式（２）で表される８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ−３−エン（以下「ＤＮＭ」ともいう。）１００部と、１−ヘキセン（分子量調節剤）１８部と、トルエン（開環重合反応用溶媒）３００部とを、窒素置換した反応容器に仕込み、この溶液を８０℃に加熱した。次いで、反応容器内の溶液に、重合触媒として、トリエチルアルミニウムのトルエン溶液（０．６ｍｏｌ／リットル）０．２部と、メタノール変性の六塩化タングステンのトルエン溶液（濃度０．０２５ｍｏｌ／リットル）０．９部とを添加し、この溶液を８０℃で３時間加熱攪拌することにより開環重合反応させて開環重合体溶液を得た。この重合反応における重合転化率は９７％であった。
Figure 2017094672
 このようにして得られた開環重合体溶液１，０００部をオートクレーブに仕込み、この開環重合体溶液に、ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）［Ｐ（Ｃ6Ｈ5）3］3を０．１２部添加し、水素ガス圧１００ｋｇ／ｃｍ2、反応温度１６５℃の条件下で、３時間加熱撹拌して水素添加反応を行った。
得られた反応溶液（水素添加重合体溶液）を冷却した後、水素ガスを放圧した。この反応溶液を大量のメタノール中に注いで凝固物を分離回収し、これを乾燥して、水素添加重合体（以下「樹脂Ａ」ともいう。）を得た。樹脂Ａの分子量は数平均分子量（Ｍｎ）が３２，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）が１３７，０００であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１６５℃であった。
＜樹脂合成例２＞
十分に乾燥し、窒素置換した１リットルのステンレス製オートクレーブに水分６ppmの脱水されたシクロヘキサン；４２０．４ｇ、ｐ−キシレン；１８０．２ｇ、５−トリメトキシシリル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン；４８．７５ミリモル（１０．４３ｇ）、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン；１，４２５ミリモル（１３４．１ｇ）を仕込み、ガス状のエチレンをオートクレーブ内圧が０．１ＭＰａになるように仕込んだ。
オートクレーブを７５℃に加温して、触媒成分である２−エチルヘキサン酸パラジウム（Pd原子として）；０．００３ミリグラム原子とトリシクロヘキシルホスフィン；０．００１５ミリモルとをトルエン；１０ｍｌ中２５℃で１時間反応させた溶液全量、トリフェニルカルベニウムペンタフルオロフェニルボレート；０．００３１５ミリモル、の順に添加して重合を開始した。
重合開始９０分後に５−トリメトキシトキシシリル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン；１１．２５ミリモル（２．４１ｇ）、その後３０分毎に７．５ミリモル（１．６１ｇ）、３．７５ミリモル（０．８０ｇ）、３．７５ミリモルと計４回添加した。
重合反応を７５℃で４時間行った後、トリブチルアミン；１ｍｌを添加して重合を停止し、固形分１９．９重量％の付加重合体Ｂの溶液を得た。付加重合体Ｂの溶液の一部をイソプロパノールに入れ、凝固し、さらに乾燥することにより、付加重合体Ｂ（以下「樹脂Ｂ」ともいう。）を得た。
この重合体Ｂの２７０ＭＨｚ−核磁気共鳴分析（1Ｈ−ＮＭＲ分析）の結果、重合体Ｂ中の５−トリメトキシシリル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン由来の構造単位の割合は４．８モル％で、分子量は数平均分子量（Ｍｎ）が７４，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）が１８５，０００であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）は３６０℃、飽和吸水率は０．３５％であった。
＜樹脂合成例３＞
温度計、撹拌器、窒素導入管、側管付き滴下ロート、ディーンスターク、冷却管を備えた５００ｍＬの５つ口フラスコに、窒素気流下、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル １０．０重量部（０．０５モル）と、溶剤としてＮ−メチル−２−ピロリドン ８５重量部を仕込んで溶解させた後、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物 １１．２重量部（０．０５モル）を室温にて固体のまま１時間かけて分割投入し、室温下２時間撹拌した。
次に、共沸脱水溶剤としてキシレン ３０．０重量部を添加して１８０℃に昇温して３時間反応を行い、ディーンスタークでキシレンを還流させて、共沸してくる生成水を分離した。３時間後、水の留出が終わったことを確認し、１時間かけて１９０℃に昇温しながらキシレンを留去し２９．０重量部を回収した後、内温が６０℃になるまで空冷してポリイミドのＮ−メチル−２−ピロリドン溶液（以下、ポリイミド溶液Ｃという）１０５．４重量部を得た。
＜樹脂合成例４＞
３Ｌの４つ口フラスコに２，６−ジフルオロベンゾニトリル３５．１２ｇ（０．２５３ｍｏｌ）、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン８７．６０ｇ（０．２５０ｍｏｌ）、炭酸カリウム４１．４６ｇ（０．３００ｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（以下「ＤＭＡｃ」ともいう。）４４３ｇおよびトルエン１１１ｇを添加した。続いて、４つ口フラスコに温度計、撹拌機、窒素導入管付き三方コック、ディーンスターク管および冷却管を取り付けた。次いで、フラスコ内を窒素置換した後、得られた溶液を１４０℃で３時間反応させ、生成する水をディーンスターク管から随時取り除いた。水の生成が認められなくなったところで、徐々に温度を１６０℃まで上昇させ、そのままの温度で６時間反応させた。室温（２５℃）まで冷却後、生成した塩をろ紙で除去し、ろ液をメタノールに投じて再沈殿させ、ろ別によりろ物（残渣）を単離した。得られたろ物を６０℃で一晩真空乾燥し、白色粉末（以下「樹脂Ｄ」ともいう。）を得た（収率９５％）。得られた樹脂Ｄは、数平均分子量（Ｍｎ）が７５，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）が１８８，０００であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２８５℃であった。
＜樹脂合成例５＞
温度計、撹拌器、窒素導入管、側管付き滴下ロート、ディーンスターク管および冷却管を備えた５００ｍＬの５つ口フラスコに、窒素気流下、１，４−ビス（４−アミノ−α,α−ジメチルベンジル）ベンゼン２７．６６ｇ（０．０８モル）および４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル７．３８ｇ（０．０２モル）を入れて、γ―ブチロラクトン６８．６５ｇ及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１７．１６ｇに溶解させた。得られた溶液を、氷水バスを用いて５℃に冷却し、同温に保ちながら１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物２２．６２ｇ（０．１モル）およびイミド化触媒としてトリエチルアミン０．５０ｇ（０．００５モル）を一括添加した。添加終了後、１８０℃に昇温し、随時留出液を留去させながら、６時間還流させた。反応終了後、内温が１００℃になるまで空冷した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１４３．６ｇを加えて希釈し、攪拌しながら冷却し、固形分濃度２０重量％のポリイミド樹脂溶液２６４．１６ｇを得た。このポリイミド樹脂溶液の一部を１Ｌのメタノール中に注ぎいれてポリイミドを沈殿させた。濾別したポリイミドをメタノールで洗浄した後、１００℃の真空乾燥機中で２４時間乾燥させて白色粉末（以下「樹脂Ｅ」ともいう。）を得た。得られた樹脂ＥのＩＲスペクトルを測定したところ、イミド基に特有の１７０４ｃｍ-1、１７７０ｃｍ-1の吸収が見られた。樹脂Ｅはガラス転移温度（Ｔｇ）が３１０℃であり、対数粘度を測定したところ、０．８７であった。
［実施例Ａ１］
樹脂合成例１で得た樹脂Ａを１００重量部に、下記構造の化合物（ｘ）（吸収極大波長；７０４ｎｍ）を０．０５０重量部、下記構造の化合物（ｙ）（吸収極大波長；７３７ｎｍ）を０．０５６重量部、日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」（吸収極大波長；１０９５ｎｍ）を０．６重量部加え、さらにトルエンを加えて溶解し、固形分が３０％の溶液を得た。次いで、係る溶液を平滑なガラス板上にキャストし、６０℃で８時間、１００℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した樹脂をさらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。
Figure 2017094672
Figure 2017094672
 得られた基材の８５０〜１０５０ｎｍにおける平均ＯＤ値（ＯＤC）は２．１であった。この結果を表１１に示す。
続いて、得られた基材の片面に誘電体多層膜（ＩＩＩ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に誘電体多層膜（ＩＶ）を形成し、厚さ約０．１０４ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜（ＩＩＩ）は、蒸着温度１００℃でシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる（合計層数２６層）。誘電体多層膜（ＩＶ）は、蒸着温度１００℃でシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる（合計層数２０層）。誘電体多層膜（ＩＩＩ）および（ＩＶ）のいずれにおいても、シリカ層およびチタニア層は、基材側からチタニア層、シリカ層、チタニア層、・・・シリカ層、チタニア層、シリカ層の順で交互に積層されており、光学フィルターの最外層をシリカ層とした。
誘電体多層膜（ＩＩＩ）および（ＩＶ）の設計は、以下のようにして行った。
各層の厚さと層数については、可視域の反射防止効果と近赤外域の選択的な透過・反射性能を達成できるよう基材屈折率の波長依存特性や、適用した化合物（Ｓ）等の吸収特性に合わせて光学薄膜設計ソフト（Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ Ｍａｃｌｅｏｄ、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｃｅｎｔｅｒ社製）を用いて最適化を行った。最適化を行う際、本実施例においてはソフトへの入力パラメータ（Ｔａｒｇｅｔ値）を下記表１０の通りとした。
Figure 2017094672
 得られた光学フィルターの波長４３０〜５８０ｎｍにおける透過率の平均値（ＴA）は６７％ 、８５０〜１０５０ｎｍにおける平均ＯＤ値（ＯＤA）は４．７であった。また、波長４３０〜５８０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の平均透過率（ＴB）は６６％、光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合の平均透過率（ＴC）は５１％であり、波長８５０〜１０５０ｎｍにおいて、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の平均ＯＤ値（ＯＤD）は４．９、光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合の平均ＯＤ値（ＯＤB）は３．９であった。さらに、０°→３０°の場合のＲ透過率の比の変化率は１．０、０°→３０°の場合のＧ透過率の比の変化率は１．０、０°→３０°の場合のＢ透過率の比の変化率は１．０であり、０°→６０°の場合のＲ透過率の比の変化率は０．６、０°→６０°の場合のＧ透過率の比の変化率は１．３、０°→６０°の場合のＢ透過率の比の変化率は１．０であった。これらの結果を表１１に示す。
［実施例Ａ２］
光吸収剤として、日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を０．６重量部、ＤＫＳＨ社製色素「Ｓ２０５８」（吸収極大波長；９８０ｎｍ）を０．３重量部に変更したこと以外は実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ３］
樹脂Ａの代わりに樹脂合成例２で得た樹脂Ｂを用い、トルエンの代わりにシクロヘキサンを用いたこと以外は実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ４］
ＪＳＲ株式会社製のノルボルネン系樹脂「アートンＧ」を１００重量部に、前記化合物（ｘ）を０．０５０重量部、前記化合物（ｙ）を０．０５６重量部、日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を０．６重量部加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が２０％の溶液を得た。次いで、係る溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した樹脂をさらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ５］
日本ゼオン株式会社製のノルボルネン系樹脂「ゼオノア１４００Ｒ」を１００重量部に、前記化合物（ｘ）を０．０５０重量部、前記化合物（ｙ）を０．０５６重量部、日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を０．６重量部加え、さらにシクロヘキサンとキシレンの７：３混合溶液を加えて溶解し、固形分が２０％の溶液を得た。次いで、係る溶液を平滑なガラス板上にキャストし、６０℃で８時間、８０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した樹脂をさらに減圧下１００℃で２４時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ６］
三井化学株式会社製のノルボルネン系樹脂「ＡＰＥＬ＃６０１５」を１００重量部に、前記化合物（ｘ）を０．０５０重量部、前記化合物（ｙ）を０．０５６重量部、日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を０．６重量部加え、さらにシクロヘキサンと塩化メチレンの９９：１混合溶液を加えて溶解し、固形分が２０％の溶液を得た。次いで、係る溶液を平滑なガラス板上にキャストし、４０℃で４時間、６０℃で４時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した樹脂をさらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ７］
帝人株式会社製のポリカーボネート樹脂「ピュアエース」を１００重量部に、前記化合物（ｘ）を０．０５０重量部、前記化合物（ｙ）を０．０５６重量部、日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を０．６重量部加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が２０％ 溶液を得た。次いで、係る溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した樹脂をさらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ８］
住友ベークライト株式会社製のポリエーテルサルホン「ＦＳ−１３００」を１００重量部に、前記化合物（ｘ）を０．０５０重量部、前記化合物（ｙ）を０．０５６重量部、日本カーリット社製の吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を０．６重量部加え、さらにＮ-メチル−２−ピロリドンを加えて溶解し、固形分が２０％の溶液を得た。次いで、係る溶液を平滑なガラス板上にキャストし、６０℃で４時間、８０℃で４時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した樹脂をさらに減圧下１２０℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ９］
樹脂合成例３で得たポリイミド溶液Ｃを１００重量部に、前記化合物（ｘ）を０．０５０重量部、前記化合物（ｙ）を０．０５６重量部、日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を０．６重量部加え、固形分が２０％の溶液を得た。次いで、係る溶液を平滑なガラス板上にキャストし、６０℃で４時間、８０℃で４時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した樹脂をさらに減圧下１２０℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ１０］
ＪＳＲ株式会社製のノルボルネン系樹脂「アートンＧ」１００重量部に、前記化合物（ｘ）を０．０５０重量部、前記化合物（ｙ）を０．０５６重量部、日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を０．９重量部加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が２０％ 溶液を得た。次いで、係る溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した樹脂をさらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ１１］
ＪＳＲ株式会社製のノルボルネン系樹脂「アートンＧ」１００重量部に、前記化合物（ｘ）を０．０５０重量部、前記化合物（ｙ）を０．０５６重量部、ＤＫＳＨ社製色素「Ｓ２０５８」を０．３重量部、セシウム酸化タングステン（Ｃｓ0.33ＷＯ3）３．２重量部加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が２０％ 溶液を得た。次いで、係る溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した樹脂をさらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ１２］
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａを１００部および塩化メチレンを加えて樹脂濃度が２０重量％の溶液を調製した。得られた溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した塗膜をさらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、縦６０ｍｍ、横６０ｍｍの透明樹脂製支持体を得た。
得られた透明樹脂製支持体の片面に、下記組成の樹脂組成物（１）をバーコーターで塗布し、オーブン中７０℃で２分間加熱し、溶剤を揮発除去した。この際、乾燥後の厚みが２μｍとなるように、バーコーターの塗布条件を調整した。次に、コンベア式露光機を用いて露光（露光量５００ｍＪ／ｃｍ2，２００ｍＷ）を行い、樹脂組成物（１）を硬化させ、透明樹脂製支持体上に樹脂層を形成した。同様に、透明樹脂製支持体のもう一方の面にも樹脂組成物（１）からなる樹脂層を形成し、透明樹脂製支持体の両面に樹脂層を有する基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０７ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
樹脂組成物（１）：トリシクロデカンジメタノールアクリレートを６０重量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートを４０重量部、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを５重量部、前記化合物（ｘ）を２．５重量部、前記化合物（ｙ）を２．８重量部、日本カーリット社製の吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を３０重量部、メチルエチルケトン（溶剤、固形分濃度（ＴＳＣ）：３０％）。
［実施例Ａ１３］
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａを１００部、前記化合物（ｘ）を２．５重量部、前記化合物（ｙ）を２．８重量部、日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を３０重量部加え、および塩化メチレンを加えて樹脂濃度が２０重量％の溶液を調製した。得られた溶液を、縦６０ｍｍ、横６０ｍｍの大きさにカットした日本電気硝子（株）製透明ガラス基板「ＯＡ−１０Ｇ」（厚み２００ｕｍ）上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、さらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．２０２ｍｍ、縦６０ｍｍ、横６０ｍｍの透明樹脂製層とガラス支持体を有する基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．２０７ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ１４］
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａを１００部、ＤＫＳＨ社製色素「Ｓ２０５８」を６．５重量部、および塩化メチレンを加えて樹脂濃度が２０重量％の溶液を調製した。得られた溶液を、縦６０ｍｍ、横６０ｍｍの大きさにカットした、松浪硝子工業（株）製青板ガラス基板「ＢＳ−６」（厚み２１０μｍ）上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、さらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．２１６ｍｍ、縦６０ｍｍ、横６０ｍｍの透明樹脂製層とガラス支持体を有する基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．２２０ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ１５］
ＪＳＲ株式会社製のノルボルネン系樹脂「アートンＧ」を１００重量部に、前記化合物（ｘ）を０．０７５重量部、前記化合物（ｙ）を０．０８５重量部、日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を０．９重量部、下記構造の化合物（ｚ）を０．１０重量部加え、さらに塩化メチレンを加えて溶解し、固形分が２０％の溶液を得た。
Figure 2017094672
 次いで、係る溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した樹脂をさらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの透明樹脂製基板を得た。得られた透明樹脂製基板の分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［実施例Ａ１６］
基材として、松浪硝子工業（株）製青板ガラス基板「ＢＳ−６」（厚み２１０μｍ）を用いたこと以外は、実施例Ａ１と同様にして厚さ０．２１４ｍｍの光学フィルターを得た。基材および得られた光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［比較例Ａ１］
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａを１００部および塩化メチレンを加えて樹脂濃度が２０重量％の溶液を調製した。得られた溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した塗膜をさらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、縦６０ｍｍ、横６０ｍｍの基材を得た。得られた基材の分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
続いて、前記基材の一方の面に、蒸着温度１５０℃で近赤外線を反射する多層蒸着膜〔シリカ（ＳｉＯ2：膜厚１２０〜１９０ｎｍ）層とチタニア（ＴｉＯ2：膜厚７０〜１２０ｎｍ）層とが交互に積層されてなるもの，積層数５２〕を形成し、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［比較例Ａ２］
日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を０．６重量部から０．０５重量部に変更したこと以外は実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０５ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
［比較例Ａ３］
日本カーリット社製の光吸収剤「ＣＩＲ−ＲＬ」を用いなかったこと以外は実施例Ａ１と同様にして、厚さ０．１ｍｍ、一辺が６０ｍｍの基材を得た。さらに、得られた基材を用いて、比較例Ａ１と同様にして、厚さ０．１０６ｍｍの光学フィルターを得た。得られた基材および光学フィルターの分光透過率を実施例Ａ１と同様に測定し、光学特性を評価した。結果を表１１に示す。
Figure 2017094672
 ［実施例Ｂ１］
実施例Ｂ１では、透明樹脂製基板からなる基材を有する光学フィルターを以下の手順および条件で作成した。
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａを１００部、化合物（Ａ）として下記式（ａ−１）で表わされる化合物（ａ−１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長６９８ｎｍ）０．０３部および下記式（ａ−２）で表わされる化合物（ａ−２）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７３３ｎｍ）０．０３部、および塩化メチレンを加えて樹脂濃度が２０重量％の溶液を調製した。得られた溶液を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した塗膜をさらに減圧下１００℃で８時間乾燥して、厚さ０．１ｍｍ、縦６０ｍｍ、横６０ｍｍの透明樹脂製基板からなる基材を得た。この基材の分光透過率を測定し、波長６００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の領域において、光学フィルターの垂直方向から測定した最も低い透過率（Ｔａ）および波長６００ｎｍ以上の領域における基材の垂直方向から測定した透過率が５０％超から５０％以下となる最も短い波長（Ｘｃ）を求めた。結果を図８および表１３に示す。
Figure 2017094672
Figure 2017094672
 続いて、得られた基材の片面に誘電体多層膜（Ｉ）を形成し、さらに基材のもう一方の面に誘電体多層膜（ＩＩ）を形成し、厚さ約０．１０４ｍｍの光学フィルターを得た。
誘電体多層膜（Ｉ）は、蒸着温度１００℃でシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる（合計層数２６層）。誘電体多層膜（ＩＩ）は、蒸着温度１００℃でシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる（合計層数２０層）。誘電体多層膜（Ｉ）および（ＩＩ）のいずれにおいても、シリカ層およびチタニア層は、基材側からチタニア層、シリカ層、チタニア層、・・・シリカ層、チタニア層、シリカ層の順で交互に積層されており、光学フィルターの最外層をシリカ層とした。誘電体多層膜（Ｉ）および（ＩＩ）の設計は、以下のようにして行った。
各層の厚さと層数については、可視域の反射防止効果と近赤外域の選択的な透過・反射性能を達成できるよう基材屈折率の波長依存特性や、適用した化合物（Ａ）の吸収特性に合わせて光学薄膜設計ソフト（Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ Ｍａｃｌｅｏｄ、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｃｅｎｔｅｒ社製）を用いて最適化を行った。最適化を行う際、本実施例においてはソフトへの入力パラメータ（Ｔａｒｇｅｔ値）を下記表１２の通りとした。
Figure 2017094672
 得られた光学フィルターの垂直方向および垂直方向から３０°の角度から測定した分光透過率を測定し、各波長領域における光学特性を評価した。結果を図９および表１３に示す。波長４３０〜５８０ｎｍにおける透過率の平均値は９０％、波長８００〜１０００ｎｍにおける透過率の平均値は１％以下、絶対値｜Ｘａ−Ｘｂ｜は３ｎｍであった。また、一般的な照度センサーの分光感度特性を図１５に、人間の視感度特性を図１６に示す。図９および表１３からわかるように、得られた光学フィルターは、入射角度による光学特性の変化が小さく、かつ、７００ｎｍ以上の近赤外光をカットすることができるため、本光学フィルターを照度センサーの上部（入光側）に設置することにより、入射角度によらず照度センサーへの入射光を人間の視感度特性に近い光とすることができ、高いセンサー感度特性が得られる。
［実施例Ｂ２］
実施例Ｂ２では、両面に樹脂層を有する透明樹脂製基板からなる基材を有する光学フィルターを以下の手順および条件で作成した。
実施例Ｂ１において、化合物（Ａ）として、下記式（ａ−３）で表わされる化合物（ａ−３）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７０３ｎｍ）０．０３部および下記式（ａ−４）で表わされる化合物（ａ−４）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７３６ｎｍ）０．０７部を用いたこと以外は、実施例Ｂ１と同様の手順および条件で化合物（Ａ）を含む透明樹脂製基板からなる基材を得た。
Figure 2017094672
Figure 2017094672
 得られた透明樹脂製基板の片面に、下記組成の樹脂組成物（Ｇ−１）をバーコーターで塗布し、オーブン中７０℃で２分間加熱し、溶剤を揮発除去した。この際、乾燥後の厚みが２μｍとなるように、バーコーターの塗布条件を調整した。次に、コンベア式露光機を用いて露光（露光量５００ｍＪ／ｃｍ2，２００ｍＷ）を行い、樹脂組成物（Ｇ−１）を硬化させ、透明樹脂製基板上に樹脂層を形成した。同様に、透明樹脂製基板のもう一方の面にも樹脂組成物（Ｇ−１）からなる樹脂層を形成し、化合物（Ａ）を含む透明樹脂製基板の両面に樹脂層を有する基材を得た。この基材の分光透過率を測定し、（Ｔａ）および（Ｘｃ）を求めた。結果を図１０および表１３に示す。
樹脂組成物（Ｇ−１）：トリシクロデカンジメタノールアクリレート ６０重量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート ４０重量部、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ５重量部、メチルエチルケトン（溶剤、固形分濃度（ＴＳＣ）：３０％）。
続いて、実施例Ｂ１と同様に、得られた基材の片面にシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる誘電体多層膜（合計層数２６）を形成し、さらに基材のもう一方の面にシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる誘電体多層膜（合計層数２０）を形成し、厚さ約０．１０４ｍｍの光学フィルターを得た。誘電体多層膜の設計は、基材屈折率の波長依存性を考慮した上で、実施例Ｂ１と同じ設計パラメーターを用いて行った。得られた光学フィルターの分光透過率を測定し、各波長領域における光学特性を評価した。結果を図１１および表１３に示す。
図１１および表１３からわかるように、得られた光学フィルターは、入射角度による光学特性の変化が小さく、かつ、７００ｎｍ以上の近赤外光をカットすることができるため、本光学フィルターを照度センサーの上部（入光側）に設置することにより、入射角度によらず照度センサーへの入射光を人間の視感度特性に近い光とすることができ、高いセンサー感度特性が得られる。
［実施例Ｂ３］
実施例Ｂ３では、近赤外線吸収ガラス基板からなる基材を有する光学フィルターを以下の手順および条件で作成した。
基材として松浪硝子工業（株）製近赤外線吸収ガラス基板「ＢＳ−６」（厚み２１０μｍ）を用いたこと以外は、実施例Ｂ１と同様にして、基材の片面にシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる誘電体多層膜（合計層数２６）を形成し、さらに基材のもう一方の面にシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる誘電体多層膜（合計層数２０）を形成し、厚さ約０．２１６ｍｍの光学フィルターを得た。誘電体多層膜の設計は、基材屈折率の波長依存性を考慮した上で、実施例Ｂ１と同じ設計パラメーターを用いて行った。この光学フィルターの分光透過率を測定し、各波長領域における光学特性を評価した。結果を図１２および表１３に示す。
図１２および表１３からわかるように、得られた光学フィルターは、実施例Ｂ１および実施例Ｂ２の光学フィルターに比べて６５０〜７００ｎｍ領域の入射角依存性が劣るものの、入射角度による光学特性の変化が小さく、かつ、７００ｎｍ以上の近赤外光をカットすることができるため、本光学フィルターを照度センサーの上部（入光側）に設置することにより、入射角度によらず照度センサーへの入射光を人間の視感度特性に近い光とすることができ、高いセンサー感度特性が得られる。
［実施例Ｂ４］
実施例Ｂ４では、片面に化合物（Ａ）を含む透明樹脂層を有する透明ガラス基板からなる基材を有する光学フィルターを以下の手順および条件で作成した。
縦６０ｍｍ、横６０ｍｍの大きさにカットした、日本電気硝子（株）製透明ガラス基板「ＯＡ−１０Ｇ」（厚み２００μｍ）上に下記組成の樹脂組成物（Ｇ−２）をスピンコーターで塗布し、ホットプレート上８０℃で２分間加熱して溶剤を揮発除去した。この際、乾燥後の厚みが２μｍとなるように、スピンコーターの塗布条件を調整した。次に、コンベア式露光機を用いて露光（露光量５００ｍＪ／ｃｍ2，２００ｍＷ）を行い、樹脂組成物（Ｇ−２）を硬化させ、化合物（Ａ）を含む透明樹脂層を有する透明ガラス基板からなる基材を得た。この基材の分光透過率を測定し、（Ｔａ）および（Ｘｃ）を求めた。結果を表１３に示す。
樹脂組成物（Ｇ−２）：トリシクロデカンジメタノールアクリレート ２０重量部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート ８０重量部、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン ４重量部、化合物（ａ−１）１．５重量部、化合物（ａ−２）１．５重量部、メチルエチルケトン（溶剤、ＴＳＣ：３５％）
続いて、実施例Ｂ１と同様に、得られた基材の片面にシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる誘電体多層膜（合計層数２６）を形成し、さらに基材のもう一方の面にシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる誘電体多層膜（合計層数２０）を形成し、厚さ約０．１０８ｍｍの光学フィルターを得た。誘電体多層膜の設計は、実施例Ｂ１と同様に基材屈折率の波長依存性等を考慮した上で、実施例Ｂ１と同じ設計パラメーターを用いて行った。この光学フィルターの分光透過率を測定し、各波長領域における光学特性を評価した。結果を表１３に示す。
表１３からわかるように、得られた光学フィルターは、入射角度による光学特性の変化が小さく、かつ、７００ｎｍ以上の近赤外光をカットすることができるため、本光学フィルターを照度センサーの上部（入光側）に設置することにより、入射角度によらず照度センサーへの入射光を人間の視感度特性に近い光とすることができ、高いセンサー感度特性が得られる。
［実施例Ｂ５〜Ｂ７］
透明樹脂種、および化合物（Ａ）を表１３に示すように変更したこと以外は、実施例Ｂ２と同様にして、基材および光学フィルターを作成した。得られた基材および光学フィルターの光学特性を表１３に示す。
表１３からわかるように、実施例Ｂ５〜Ｂ７で得られた光学フィルターは、入射角度による光学特性の変化が小さく、かつ、７００ｎｍ以上の近赤外光をカットすることができるため、本光学フィルターを照度センサーの上部（入光側）に設置することにより、入射角度によらず照度センサーへの入射光を人間の視感度特性に近い光とすることができ、高いセンサー感度特性が得られる。
［比較例Ｂ１］
実施例Ｂ１において、化合物（Ａ）を用いなかったこと以外は実施例Ｂ１と同様にして基材および光学フィルターを作成した。得られた光学フィルターの光学特性を図１３および表１３に示す。
図１３および表１３からわかるように、得られた光学フィルターは、入射角度による光学特性の変化が大きく、本光学フィルターを照度センサーの上部（入光側）に設置した場合、入射角度により照度センサーへの入射光の光学特性が変化するため、人間の視感度特性と誤差を生じてしまい、センサー感度特性が低いものであった。
［比較例Ｂ２］
透明樹脂基材に替えて日本電気硝子（株）製透明ガラス基板「ＯＡ−１０Ｇ」（厚み２００μｍ）を用いたこと以外は、実施例Ｂ１と同様に光学フィルターを作成した。得られた光学フィルターの光学特性を表１３に示す。
得られた光学フィルターは、入射角度による光学特性の変化が大きく、本光学フィルターを照度センサーの上部（入光側）に設置した場合、入射角度により照度センサーへの入射光の光学特性が変化するため、人間の視感度特性と誤差を生じてしまい、センサー感度特性が低いものであった。
［比較例Ｂ３］
実施例Ｂ１において、化合物（Ａ）を用いなかったことと、誘電体多層膜（Ｉ）の代わりに、蒸着温度１００℃でシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる誘電体多層膜（合計層数６）、誘電体多層膜（ＩＩ）の代わりに、蒸着温度１００℃でシリカ（ＳｉＯ2）層とチタニア（ＴｉＯ2）層とが交互に積層されてなる誘電体多層膜（合計層数６）を用いたこと以外は、実施例Ｂ１と同様にして基材および光学フィルターを作成した。得られた光学フィルターの光学特性を図１４および表１３に示す。
図１４および表１３からわかるように、得られた光学フィルターは、入射角度による光学特性の変化が大きく、本光学フィルターを照度センサーの上部（入光側）に設置した場合、入射角度により照度センサーへの入射光の光学特性が変化するため、人間の視感度特性と誤差を生じてしまい、センサー感度特性が低い。また、得られた光学フィルターは８００〜１０００ｎｍの透過率が高いため、光学フィルターによる近赤外線カットが不十分であり、本光学フィルターを照度センサーの上部に設置した場合、入射光が人間の視感度特性と大幅にずれるため、照度センサーの誤作動を招く。
実施例および比較例で適用した基材の構成、各種化合物などは下記の通りである。
＜基材の形態＞
形態（１）：化合物（Ａ）を含む透明樹脂製基板
形態（２）：化合物（Ａ）を含む透明樹脂製基板の両面に樹脂層を有する
形態（３）：近赤外線吸収ガラス基板
形態（４）：ガラス基板の片方の面に化合物（Ａ）を含む透明樹脂層を有する
形態（５）：化合物（Ａ）を含まない透明樹脂製基板（比較例）
形態（６）：ガラス基板（比較例）
＜透明樹脂＞
樹脂Ａ：環状オレフィン系樹脂（樹脂合成例１）
樹脂Ｄ：芳香族ポリエーテル系樹脂（樹脂合成例４）
樹脂Ｅ：ポリイミド系樹脂（樹脂合成例５）
樹脂Ｆ：環状オレフィン系樹脂「ゼオノア １４２０Ｒ」（日本ゼオン（株）製）
＜ガラス基板＞
ガラス基板（１）： 縦６０ｍｍ、横６０ｍｍの大きさにカットした、松浪硝子工業（株）製近赤外線吸収ガラス基板「ＢＳ−６」（厚み２１０μｍ）
ガラス基板（２）： 縦６０ｍｍ、横６０ｍｍの大きさにカットした、日本電気硝子（株）製透明ガラス基板「ＯＡ−１０Ｇ」（厚み２００μｍ）
＜近赤外線吸収色素＞
≪化合物（Ａ）≫
化合物（ａ−１）：上記化合物（ａ−１）（ジクロロメタン中での吸収極大波長６９８ｎｍ）
化合物（ａ−２）：上記化合物（ａ−２）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７３３ｎｍ）
化合物（ａ−３）：上記化合物（ａ−３）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７０３ｎｍ）
化合物（ａ−４）：上記化合物（ａ−４）（ジクロロメタン中での吸収極大波長７３６ｎｍ）
＜溶媒＞
溶媒（１）：塩化メチレン
溶媒（２）：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
溶媒（３）：シクロヘキサン／キシレン（重量比：７／３）
表１３における、実施例および比較例の（透明）樹脂製基板乾燥条件は以下の通りである。なお、減圧乾燥前に、塗膜をガラス板から剥離した。
＜フィルム乾燥条件＞
条件（１）：２０℃／８ｈｒ→減圧下 １００℃／８ｈｒ
条件（２）：６０℃／８ｈｒ→８０℃／８ｈｒ→減圧下 １４０℃／８ｈｒ
条件（３）：６０℃／８ｈｒ→８０℃／８ｈｒ→減圧下 １００℃／２４ｈｒ
Figure 2017094672
１：光
２：光学フィルター
３：分光光度計
１００：環境光センサー
１０２：光電変換素子
１０４：光学フィルター
１０６：第１電極
１０８：光電変換層
１１０：ｐ型半導体領域
１１２：ｎ型半導体領域
１１４：第２電極
１１６：絶縁層
１１８：近赤外線反射層
１２０：近赤外線吸収層
１２２：樹脂層
１２４：ガラス基板
１２６：カラーフィルター
１２８：素子分離絶縁層
１３０：発光ダイオード
１３２：遮光部材
１３４：近赤外線パスフィルター
１３６：電子機器
１３８：筐体
１４０：表示パネル
１４２：マイクロホン部
１４４：スピーカ部
１４５：光学窓
２０１：センサーモジュール
２０２：光拡散フィルム
２０３：光学フィルター
２０４：ＩＲカットフィルム
２０５：遮光板
２０６：遮光スペーサー
２０７：光センサー

Claims (26)

  1. 光吸収層を含む基材（ｉ）を有し、かつ、可視光を透過する光学フィルターであって、
    前記光吸収層が波長７５０〜１１５０ｎｍの領域に吸収極大を有し、
    波長８５０〜１０５０ｎｍの領域において、前記光学フィルターの垂直方向から測定した場合の平均ＯＤ値が２．０以上であり、かつ、前記光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合の平均ＯＤ値が２．０以上であることを特徴とする光学フィルター。
  2. 波長４３０〜５８０ｎｍの領域において、前記光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が３０％以上８０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の光学フィルター。
  3. 前記光吸収層が、波長７５０〜１１５０ｎｍの領域に吸収極大を有する化合物（Ｓ）を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の光学フィルター。
  4. 前記化合物（Ｓ）が、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クロコニウム系化合物、シアニン系化合物、ジイモニウム系化合物、金属ジチオラート系化合物、 リン酸銅錯体系化合物およびピロロピロール系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項３に記載の光学フィルター。
  5. 波長８５０〜１０５０ｎｍの領域において、前記基材（ｉ）の垂直方向から測定した場合の平均ＯＤ値が１．０以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学フィルター。
  6. 前記光吸収層が、波長６５０〜７５０ｎｍの領域に吸収極大を有する化合物（Ａ）をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学フィルター。
  7. 前記化合物（Ａ）が、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、クロコニウム系化合物およびシアニン系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項６に記載の光学フィルター。
  8. 前記光吸収層が、環状ポリオレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フルオレンポリカーボネート系樹脂、フルオレンポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂およびゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光学フィルター。
  9. 前記基材（ｉ）の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の光学フィルター。
  10. 環境光センサー用であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の光学フィルター。
  11. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の光学フィルターを具備することを特徴とする環境光センサー。
  12. 受光面に入射する光により光電流を生成し照度や色温度を測定する光電変換素子と、前記光電変換素子の前記受光面側に配置された、請求項１〜９のいずれか１項に記載の光学フィルターとを有することを特徴とする環境光センサー。
  13. 受光面に入射する光により光電流を生成し照度や色温度を測定する光電変換素子と、前記光電変換素子の前記受光面側に配置された光学フィルターとを有し、
    前記光学フィルターは、近赤外線吸収層と、近赤外線反射層とを含むことを特徴とする環境光センサー。
  14. 前記近赤外線吸収層は、近赤外線吸収色素を含む樹脂層であることを特徴とする請求項１３に記載の環境光センサー。
  15. 前記樹脂層の樹脂が、環状ポリオレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フルオレンポリカーボネート系樹脂、フルオレンポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂およびゾルゲル法により形成されたシリカを主成分とする樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂であることを特徴とする請求項１４に記載の環境光センサー。
  16. 前記近赤外線吸収層は、銅成分を含有するフッ素リン酸塩系ガラス層又はリン酸塩系ガラス層であることを特徴とする請求項１３に記載の環境光センサー。
  17. 前記光学フィルターはガラス基板を含み、前記近赤外線吸収層は前記ガラス基板の少なくとも一方の面に設けられていることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の環境光センサー。
  18. 前記光学フィルターは樹脂製基板を含み、前記近赤外線吸収層は前記樹脂基板の少なくとも一方の面に設けられていることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の環境光センサー。
  19. 前記近赤外線反射層が誘電体多層膜であることを特徴とする請求項１３〜１８のいずれか１項に記載の環境光センサー。
  20. 前記光学フィルターは、透過率が下記条件（Ａ）〜（Ｃ）を満たすことを特徴とする請求項１３〜１９のいずれか１項に記載の環境光センサー：
    （Ａ）波長４３０〜５８０ｎｍの範囲において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が５０％以上である；
    （Ｂ）波長８００〜１０００ｎｍの範囲において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が１５％以下である；
    （Ｃ）波長５６０〜８００ｎｍの範囲において、光学フィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が５０％となる波長の値（Ｘａ）と、光学フィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の透過率が５０％となる波長の値（Ｘｂ）の差の絶対値（｜Ｘａ−Ｘｂ｜）が２０ｎｍ未満である。
  21. 前記光学フィルターは、光入射面側から、前記近赤外線反射層および前記近赤外線吸収層がこの順に配置された構造を含むことを特徴とする請求項１３〜２０のいずれか１項に記載の環境光センサー。
  22. 前記近赤外線吸収層が波長７５０〜１１５０ｎｍの領域に吸収極大を有し、
    波長８５０〜１０５０ｎｍの領域において、前記光学フィルターの垂直方向から測定した場合の平均ＯＤ値が２．０以上であり、かつ、前記光学フィルターの垂直方向に対して６０°の角度から測定した場合の平均ＯＤ値が２．０以上であることを特徴とする請求項１３〜２１のいずれか１項に記載の環境光センサー。
  23. 近赤外光を出射する発光素子と、近赤外光を検知する第２光電変換素子とを有する近接センサーをさらに含むことを特徴とする請求項１２〜２２のいずれか１項に記載の環境光センサー。
  24. さらに、光散乱フィルムを具備することを特徴とする請求項１１〜２３のいずれか１項に記載の環境光センサー。
  25. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光学フィルターを具備することを特徴とするセンサーモジュール。
  26. 請求項１１〜２４のいずれか１項に記載の環境光センサーを含むことを特徴とする電子機器。
JP2017553846A 2015-11-30 2016-11-28 光学フィルター、環境光センサーおよびセンサーモジュール Pending JPWO2017094672A1 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015233852 2015-11-30
JP2015233852 2015-11-30
JP2016165192 2016-08-25
JP2016165192 2016-08-25
PCT/JP2016/085210 WO2017094672A1 (ja) 2015-11-30 2016-11-28 光学フィルター、環境光センサーおよびセンサーモジュール

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020184060A Division JP2021015298A (ja) 2015-11-30 2020-11-04 光学フィルター、環境光センサーおよびセンサーモジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2017094672A1 true JPWO2017094672A1 (ja) 2018-09-13

Family

ID=58796772

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017553846A Pending JPWO2017094672A1 (ja) 2015-11-30 2016-11-28 光学フィルター、環境光センサーおよびセンサーモジュール
JP2020184060A Pending JP2021015298A (ja) 2015-11-30 2020-11-04 光学フィルター、環境光センサーおよびセンサーモジュール

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020184060A Pending JP2021015298A (ja) 2015-11-30 2020-11-04 光学フィルター、環境光センサーおよびセンサーモジュール

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10996105B2 (ja)
JP (2) JPWO2017094672A1 (ja)
KR (1) KR20180087265A (ja)
CN (1) CN108449956A (ja)
TW (1) TWI720073B (ja)
WO (1) WO2017094672A1 (ja)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6202230B1 (ja) * 2015-12-01 2017-09-27 旭硝子株式会社 光学フィルタおよび撮像装置
US11288979B1 (en) * 2016-01-11 2022-03-29 John J. Blackburn Stethoscope training devices and methods
US10838126B2 (en) 2016-09-19 2020-11-17 Apple Inc. Electronic devices with infrared blocking filters
JP6844275B2 (ja) * 2017-01-25 2021-03-17 Jsr株式会社 光学フィルターおよびその用途
JP6848477B2 (ja) * 2017-01-25 2021-03-24 Jsr株式会社 光学フィルターおよびその用途
KR102575309B1 (ko) * 2017-05-29 2023-09-06 제이에스알 가부시끼가이샤 환경 광 센서용 광학 필터
JP2019012121A (ja) * 2017-06-29 2019-01-24 Ａｇｃ株式会社 光学フィルタおよび撮像装置
US10247865B2 (en) 2017-07-24 2019-04-02 Viavi Solutions Inc. Optical filter
JP6939224B2 (ja) * 2017-08-04 2021-09-22 Jsr株式会社 光学フィルターおよびその用途
US10553179B2 (en) * 2017-09-08 2020-02-04 Apple Inc. Electronic devices with ambient light sensors
US20190094069A1 (en) * 2017-09-27 2019-03-28 Apple Inc. Electronic Devices Having Infrared Blocking Light Guides
WO2019065475A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 富士フイルム株式会社 組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子および赤外線センサ
TWI637502B (zh) * 2017-12-05 2018-10-01 義明科技股份有限公司 光學感測裝置以及光學感測模組
CN109946778A (zh) * 2017-12-21 2019-06-28 张家港康得新光电材料有限公司 光学膜片及具有其的环境光传感器
CN109946779A (zh) * 2017-12-21 2019-06-28 张家港康得新光电材料有限公司 光学膜片及具有其的环境光传感器
KR20200125604A (ko) * 2018-02-27 2020-11-04 제이에스알 가부시끼가이샤 광학 필터 및 광학 필터를 사용한 장치
US10948640B2 (en) 2018-03-13 2021-03-16 Viavi Solutions Inc. Sensor window with a set of layers configured to a particular color and associated with a threshold opacity in a visible spectral range wherein the color is a color-matched to a surface adjacent to the sensor window
US11009636B2 (en) 2018-03-13 2021-05-18 Viavi Solutions Inc. Sensor window to provide different opacity and transmissivity at different spectral ranges
KR102131995B1 (ko) * 2018-06-29 2020-07-08 주식회사 엘지화학 자외선 차단 필름
TWI799634B (zh) * 2018-08-21 2023-04-21 日商Ｊｓｒ股份有限公司 光學濾波器及環境光感測器
CN112543881B (zh) * 2018-09-03 2022-12-27 Jsr株式会社 光学滤波器
KR20210055704A (ko) * 2018-09-12 2021-05-17 제이에스알 가부시끼가이샤 광학 필터 및 그 용도
JP7155855B2 (ja) * 2018-10-18 2022-10-19 Jsr株式会社 光学フィルターおよびその用途
EP3870995B1 (de) * 2018-10-23 2022-11-02 Covestro Intellectual Property GmbH & Co. KG Ir-transparentes sensor- und kamerasystem für kraftfahrzeuge
KR102175422B1 (ko) * 2018-11-29 2020-11-06 주식회사 포스코 필터링패널 및 이를 포함하는 태양광 발전모듈
CN111399100A (zh) * 2019-01-03 2020-07-10 株式会社Lms 近红外线吸收基板和光学滤波器及它们的制造方法
US10804318B2 (en) * 2019-01-07 2020-10-13 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Double-sided micro light-emitting diode display
JP2022523718A (ja) * 2019-01-29 2022-04-26 トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光検出器
CN113439099B (zh) * 2019-02-08 2022-12-09 三菱瓦斯化学株式会社 聚碳酸酯树脂组合物及使用其的光学透镜
US10777716B1 (en) * 2019-03-20 2020-09-15 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Pixel encapsulating structure
JP7494520B2 (ja) 2019-04-02 2024-06-04 東レ株式会社 赤外線検知システム用多層積層フィルムおよびそれを用いた赤外線検知システム
KR20200134161A (ko) * 2019-05-21 2020-12-01 제이에스알 가부시끼가이샤 광학 필터 및 그의 용도
US10694607B1 (en) 2019-06-24 2020-06-23 Apple Inc. Electronic devices with light sensor waveguides
WO2020262296A1 (ja) * 2019-06-27 2020-12-30 Ａｇｃ株式会社 近赤外線カットフィルタガラスおよび光学フィルタ
JP7251423B2 (ja) * 2019-09-19 2023-04-04 Jsr株式会社 光学部材及びカメラモジュール
EP4100705A1 (en) * 2020-02-06 2022-12-14 ams-OSRAM International GmbH Ambient light sensor
EP3885801A1 (en) * 2020-03-25 2021-09-29 Ams Ag An interference filter, optical device and method of manufacturing an interference filter
CN113776663B (zh) * 2021-09-03 2024-03-08 大连大学 利用一维光子晶体传感器快速检测紫外线强度的方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002324910A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Toshiba Corp 光半導体装置
JP2006313974A (ja) * 2005-05-06 2006-11-16 Toppan Printing Co Ltd 受光素子
JP2010122414A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Panasonic Corp 携帯端末装置
JP2011100084A (ja) * 2008-11-28 2011-05-19 Jsr Corp 近赤外線カットフィルターおよび近赤外線カットフィルターを用いた装置
JP2012520559A (ja) * 2009-03-12 2012-09-06 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 半導体受光素子及びオプトエレクトロニクス装置
JP2013156460A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Konica Minolta Inc 携帯情報端末用カバー部材
JP2014517391A (ja) * 2011-05-27 2014-07-17 アップル インコーポレイテッド プライベートアプリケーション及びパブリックアプリケーション
WO2014168189A1 (ja) * 2013-04-10 2014-10-16 旭硝子株式会社 赤外線遮蔽フィルタ

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BRPI0407265B1 (pt) 2003-10-20 2018-01-09 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Dispersão de partículas finas de material de proteção contra infravermelho
US20060051586A1 (en) * 2004-08-28 2006-03-09 Park Sang H Film for PDP filter, PDP filter comprising the same and plasma display panel produced by using the PDP filter
JP4926074B2 (ja) * 2005-05-10 2012-05-09 株式会社日本触媒 近赤外吸収剤を含有する粘着剤組成物
JP5198394B2 (ja) 2009-09-04 2013-05-15 シャープ株式会社 近接照度センサおよびその製造方法
WO2011071052A1 (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 旭硝子株式会社 光学部材、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、撮像装置用レンズ、およびそれらを用いた撮像・表示装置
JP5454111B2 (ja) 2009-12-07 2014-03-26 旭硝子株式会社 近赤外線カットフィルタおよび撮像装置・表示装置
US20120099188A1 (en) * 2010-10-20 2012-04-26 AEgis Technologies Group, Inc. Laser Protection Structures and Methods of Fabrication
US9891098B2 (en) * 2010-12-30 2018-02-13 Apple Inc. Diffuser and filter structures for light sensors
CN103608705B (zh) * 2011-06-06 2016-10-12 旭硝子株式会社 滤光片、固体摄像元件、摄像装置用透镜和摄像装置
KR101969612B1 (ko) * 2011-10-14 2019-04-16 제이에스알 가부시끼가이샤 광학 필터 및 이 광학 필터를 이용한 고체 촬상 장치 및 카메라 모듈
WO2013161492A1 (ja) 2012-04-25 2013-10-31 株式会社Adeka 波長カットフィルタ
JP6256335B2 (ja) * 2012-06-25 2018-01-10 Jsr株式会社 固体撮像素子用光学フィルターおよびその用途
JP2014006759A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Sony Corp 情報処理装置および方法、並びに、光電変換装置
KR102056613B1 (ko) * 2012-08-23 2019-12-17 에이지씨 가부시키가이샤 근적외선 커트 필터 및 고체 촬상 장치
JP6317875B2 (ja) 2012-09-06 2018-04-25 日本板硝子株式会社 赤外線カットフィルタ、撮像装置および赤外線カットフィルタの製造方法
FR3002329A1 (fr) * 2013-02-20 2014-08-22 St Microelectronics Grenoble 2 Capteur de proximite
KR101527821B1 (ko) * 2013-04-04 2015-06-16 주식회사 엘엠에스 근적외선 커트 필터 및 이를 포함하는 고체 촬상 장치
JP6269657B2 (ja) * 2013-04-10 2018-01-31 旭硝子株式会社 赤外線遮蔽フィルタ、固体撮像素子、および撮像・表示装置
TWI709767B (zh) 2015-07-28 2020-11-11 日商Ｊｓｒ股份有限公司 光學濾波器、環境光感測器及電子設備

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002324910A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Toshiba Corp 光半導体装置
JP2006313974A (ja) * 2005-05-06 2006-11-16 Toppan Printing Co Ltd 受光素子
JP2010122414A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Panasonic Corp 携帯端末装置
JP2011100084A (ja) * 2008-11-28 2011-05-19 Jsr Corp 近赤外線カットフィルターおよび近赤外線カットフィルターを用いた装置
JP2012520559A (ja) * 2009-03-12 2012-09-06 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 半導体受光素子及びオプトエレクトロニクス装置
JP2014517391A (ja) * 2011-05-27 2014-07-17 アップル インコーポレイテッド プライベートアプリケーション及びパブリックアプリケーション
JP2013156460A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Konica Minolta Inc 携帯情報端末用カバー部材
WO2014168189A1 (ja) * 2013-04-10 2014-10-16 旭硝子株式会社 赤外線遮蔽フィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180087265A (ko) 2018-08-01
TWI720073B (zh) 2021-03-01
US20200278243A1 (en) 2020-09-03
TW201721188A (zh) 2017-06-16
WO2017094672A1 (ja) 2017-06-08
US20180364095A1 (en) 2018-12-20
CN108449956A (zh) 2018-08-24
US10996105B2 (en) 2021-05-04
JP2021015298A (ja) 2021-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017094672A1 (ja) 光学フィルター、環境光センサーおよびセンサーモジュール
KR101661088B1 (ko) 광학 필터, 고체 촬상 장치 및 카메라 모듈
JP6508247B2 (ja) 光学フィルターならびに該光学フィルターを用いた固体撮像装置およびカメラモジュール
JP7405228B2 (ja) 光学フィルター用樹脂組成物、光学フィルター、カメラモジュールおよび電子機器
JP6791251B2 (ja) 光学フィルターおよび光学フィルターを用いた装置
JP6627864B2 (ja) 光学フィルターおよび光学フィルターを用いた装置
WO2014002864A1 (ja) 固体撮像素子用光学フィルターおよびその用途
JP2021039369A (ja) 光学フィルターおよび光学フィルターを用いた装置
JPWO2017104735A1 (ja) 近赤外線吸収組成物、近赤外線カットフィルタ、近赤外線カットフィルタの製造方法、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置
KR102619325B1 (ko) 환경 광 센서용 광학 필터
JP2021009271A (ja) カメラモジュールおよび電子機器
JP6844275B2 (ja) 光学フィルターおよびその用途
JP7143881B2 (ja) 光学フィルターおよびその用途
TW202248203A (zh) 組成物、光學構件及包括光學構件的裝置
JP7505259B2 (ja) 光学フィルターおよびその用途
JP2020173294A (ja) 光学フィルターおよびその用途
WO2020050177A1 (ja) 光学フィルター
JP2021070782A (ja) 樹脂組成物、樹脂層および光学フィルター
JP7155855B2 (ja) 光学フィルターおよびその用途

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190805

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200526

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200908

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210330