JPWO2016047693A1 - シリコン単結晶の製造方法及び製造システム - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法及び製造システム Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016047693A1 JPWO2016047693A1 JP2015556325A JP2015556325A JPWO2016047693A1 JP WO2016047693 A1 JPWO2016047693 A1 JP WO2016047693A1 JP 2015556325 A JP2015556325 A JP 2015556325A JP 2015556325 A JP2015556325 A JP 2015556325A JP WO2016047693 A1 JPWO2016047693 A1 JP WO2016047693A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica glass
- glass crucible
- single crystal
- silicon
- silicon single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 279
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 279
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 278
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 218
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 56
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 245
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 129
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 75
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 13
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 18
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/007—Apparatus for preparing, pre-treating the source material to be used for crystal growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
x=D/2
z=(H−R+α1/2)t+R−α1/2
<シリカガラスルツボ湾曲部>
x=rcos{−(π/2−θ)t}+D/2−r
z=rsin{−(π/2−θ)t}+R−α1/2
<シリカガラスルツボ底部>
x=Rcos(θt−π/2)
z=Rsin(θt−π/2)+R
α=(R−2r+D/2)(R−D/2)
θ=arctan{(D/2−r)/α1/2}
t=0〜1
2 シリコン原料
3 シリコン融液
10 測定システム
11 回転台
12 アームロボット
12a アーム
13 測距装置
14 カメラ
15 コンピュータ
20 引き上げ炉
30 引き上げ炉制御部
40 シリコン原料測定部
100 測定システム部
101 測定部
102 解析・演算部
103 データベースエンジン
104 CAEシステム
105 CADシステム
106 画像処理部
301 速度制御部
302 ルツボ上下動速度設定部
303 加熱温度設定部
304 単結晶重量計算部
1000 シリコン単結晶製造システム
Claims (10)
- シリカガラスルツボ内に充填された原料を加熱してシリコン融液を生成し、前記シリコン融液に着液させた種結晶を引き上げてシリコン単結晶を成長させるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
シリカガラスルツボ内に原料を充填する前に前記シリカガラスルツボの内表面上の多数点の空間座標を測定し、各測定点を頂点座標とするポリゴンの組み合わせから前記シリカガラスルツボの内表面の3次元形状を特定し、
前記シリカガラスルツボ内のシリコン融液の初期液面レベルの予測値を予め設定し、
前記シリカガラスルツボの内表面の3次元形状に基づいて、前記初期液面レベルの予測値を満たす前記シリコン融液の体積を求め、
前記体積を有する前記シリコン融液の重量を求め、
前記重量を有する前記原料を前記シリカガラスルツボに充填し、
前記初期液面レベルの予測値に基づいて種結晶の着液制御を行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - アームロボットのアームの先端に設けられた測距装置がシリカガラスルツボの内表面を走査することにより前記シリカガラスルツボの内表面の3次元形状を測定する、請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記アームロボットを用いて前記3次元形状とは異なる測定項目を前記3次元形状と同時に測定する、請求項2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記アームロボットが、シリカガラスルツボの設計モデルの関数式を用いて求めたシリカガラスルツボの内表面上の任意の一点の空間座標(x,θ0,z)を用いて位置制御され、
Dをシリカガラスルツボ直径、Hをシリカガラスルツボ高さ、Rをシリカガラスルツボ底部の曲率半径、rをシリカガラスルツボ湾曲部の曲率半径とするとき、
シリカガラスルツボ側壁部の内表面上の任意の一点のx座標及びz座標を表す前記関数式は、
x=D/2
z=(H−R+α1/2)t+R−α1/2
であり、
シリカガラスルツボ湾曲部の内表面上の任意の一点のx座標及びz座標を表す前記関数式は、
x=rcos{−(π/2−θ)t}+D/2−r
z=rsin{−(π/2−θ)t}+R−α1/2
であり、
シリカガラスルツボ底部の内表面上の任意の一点のx座標及びz座標を表す前記関数式は、
x=Rcos(θt−π/2)
z=Rsin(θt−π/2)+R
であり、
前記関数式に含まれる媒介変数α、θおよびtは、
α=(R−2r+D/2)(R−D/2)
θ=arctan{(D/2−r)/α1/2}
t=0〜1
であり、
前記θは前記シリカガラスルツボ湾曲部と交わる前記シリカガラスルツボ底部の曲率半径Rの交点角度である、請求項2又は3に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 先行のシリコン単結晶の引き上げが終了した後、シリカガラスルツボ内に原料を追加して後続のシリコン単結晶の引き上げを行うマルチ引き上げ工程を含み、
先行して引き上げられたシリコン単結晶の重量から前記シリカガラスルツボ内に残留しているシリコン融液の残量を求め、
前記シリカガラスルツボの内表面の3次元形状及び前記シリコン融液の残量に基づいて、後続のシリコン単結晶の引き上げに用いるシリコン融液の初期液面レベルの予測値を満たす前記原料の追加充填量を求める、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 後続のシリコン単結晶の引き上げ時における初期液面レベルが先行のシリコン単結晶の引き上げ時における初期液面レベルよりも低くなるように前記原料の追加充填量を調整する、請求項5に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- シリカガラスルツボ内に充填された原料を加熱してシリコン融液を生成し、前記シリコン融液に着液させた種結晶を引き上げてシリコン単結晶を成長させるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
シリカガラスルツボ内に原料を充填する前に前記シリカガラスルツボの内表面上の多数点の空間座標を測定し、各測定点を頂点座標とするポリゴンの組み合わせから前記シリカガラスルツボの内表面の3次元形状を特定し、
前記シリカガラスルツボ内に充填する原料の重量を求め、
前記重量を有する前記原料を溶融して得られるシリコン融液の体積を求め、
前記シリカガラスルツボの内表面の3次元形状及び前記シリコン融液の体積に基づいて、前記原料を前記シリカガラスルツボ内で溶融して得られる前記シリコン融液の初期液面レベルの予測値を求め、
前記初期液面レベルの予測値に基づいて種結晶の着液制御を行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - アームロボットのアームの先端に設けられた測距装置がシリカガラスルツボの内表面を走査することにより前記シリカガラスルツボの内表面の3次元形状を測定する、請求項7に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記アームロボットを用いて前記3次元形状とは異なる測定項目を前記3次元形状と同時に測定する、請求項8に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- シリカガラスルツボ内に充填された原料を加熱してシリコン融液を生成し、前記シリコン融液に着液させた種結晶を引き上げてシリコン単結晶を成長させるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造システムであって、
シリカガラスルツボ内に原料を充填する前に前記シリカガラスルツボの内表面上の多数点の空間座標を測定し、各測定点を頂点座標とするポリゴンの組み合わせから前記シリカガラスルツボの内表面の3次元形状を特定する測定システムと、
前記シリカガラスルツボ内に充填する原料の重量を測定するシリコン原料測定部と、
シリコン単結晶引き上げ炉と、
前記シリコン単結晶引き上げ炉の引き上げ条件を制御する引き上げ炉制御部とを有し、
前記測定システムには、前記シリカガラスルツボ内のシリコン融液の初期液面レベルの予測値を予め設定し、前記シリカガラスルツボの内表面の3次元形状に基づいて、前記初期液面レベルの予測値を満たす前記シリコン融液の体積を求め、前記シリコン融液の体積に基づいて、前記シリカガラスルツボ内に充填する原料の重量を求める解析・演算部が設けられ、
引き上げ炉制御部は、前記初期液面レベルの予測値に基づいて種結晶の着液制御を行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014193252 | 2014-09-24 | ||
JP2014193252 | 2014-09-24 | ||
PCT/JP2015/076950 WO2016047693A1 (ja) | 2014-09-24 | 2015-09-24 | シリコン単結晶の製造方法及び製造システム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016246873A Division JP6373950B2 (ja) | 2014-09-24 | 2016-12-20 | シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いるシリカガラスルツボの検査方法及び検査システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6067146B2 JP6067146B2 (ja) | 2017-01-25 |
JPWO2016047693A1 true JPWO2016047693A1 (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=55581216
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015556325A Active JP6067146B2 (ja) | 2014-09-24 | 2015-09-24 | シリコン単結晶の製造方法及び製造システム |
JP2016246873A Active JP6373950B2 (ja) | 2014-09-24 | 2016-12-20 | シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いるシリカガラスルツボの検査方法及び検査システム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016246873A Active JP6373950B2 (ja) | 2014-09-24 | 2016-12-20 | シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いるシリカガラスルツボの検査方法及び検査システム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170292204A1 (ja) |
EP (1) | EP3199668B1 (ja) |
JP (2) | JP6067146B2 (ja) |
KR (1) | KR101911946B1 (ja) |
CN (1) | CN106687624B (ja) |
TW (2) | TWI592524B (ja) |
WO (1) | WO2016047693A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018043904A (ja) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
DE102016225138A1 (de) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | Siltronic Ag | Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium |
JP7157932B2 (ja) * | 2019-01-11 | 2022-10-21 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボの製造装置および製造方法 |
CN111850681B (zh) * | 2019-04-29 | 2021-09-07 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种半导体晶体生长方法和装置 |
CN112095141B (zh) * | 2019-06-17 | 2022-05-03 | 宁夏隆基硅材料有限公司 | 一种拉晶方法、一种单晶炉、一种计算机可读存储介质 |
CN112197706B (zh) * | 2020-10-19 | 2022-01-11 | 湖北新金洋资源股份公司 | 一种铝熔体体积的测算方法和结构 |
CN112831830B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-05-10 | 徐州晶睿半导体装备科技有限公司 | 用于晶体生长设备的坩埚升降机构和晶体生长设备 |
CN116207078B (zh) * | 2023-04-28 | 2023-07-21 | 智科博芯(北京)科技有限公司 | 一种芯片结构及其制作与测试方法 |
CN118171066A (zh) * | 2024-05-13 | 2024-06-11 | 西安理工大学 | 基于自适应典型变量分析的硅单晶生长过程故障检测方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2816627B2 (ja) * | 1992-04-17 | 1998-10-27 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体単結晶製造装置の融液面位置測定・制御装置 |
JP4161547B2 (ja) | 2001-06-28 | 2008-10-08 | 株式会社Sumco | 単結晶引上装置および単結晶引上方法およびプログラムおよび記録媒体 |
JP3724571B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2005-12-07 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置 |
JP2005336026A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Dowa Mining Co Ltd | Lec法による化合物半導体単結晶の製造方法と製造装置 |
JP4661204B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2011-03-30 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法およびアニールウェーハの製造方法ならびにアニールウェーハ |
JP4961753B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2012-06-27 | 株式会社Sumco | 単結晶製造管理システム及び方法 |
JP4784401B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2011-10-05 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の育成プロセスにおける融液の液面位置監視装置 |
JP5047227B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2012-10-10 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶引き上げ装置 |
CN104145051B (zh) * | 2011-12-22 | 2018-08-10 | 株式会社Sumco | 氧化硅玻璃坩埚的评价方法、单晶硅的制造方法 |
EP2799598A4 (en) * | 2011-12-31 | 2016-01-27 | Sumco Corp | DEVICE FOR ASSISTING THE DETERMINATION OF THE CONDITIONS FOR THE MANUFACTURE OF A SILICA GLASS CUP, A DEVICE FOR ASSISTING THE DETERMINATION OF THE CONDITIONS FOR MANUFACTURING A MOLD FOR THE MANUFACTURE OF A SILICA GLASS CUP, DEVICE FOR CARRYING OUT ASSIST IN DETERMINING THE CONDITIONS FOR CARRYING SINGLE CRYSTALLINE SILICON USING A SILICA GLASS CUP |
JP5682553B2 (ja) * | 2011-12-31 | 2015-03-11 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボを用いたシリコン単結晶引上げの条件設定を支援する装置 |
WO2013171955A1 (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | 信越石英株式会社 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-09-22 TW TW104131328A patent/TWI592524B/zh active
- 2015-09-22 TW TW106117655A patent/TW201732095A/zh unknown
- 2015-09-24 US US15/512,537 patent/US20170292204A1/en not_active Abandoned
- 2015-09-24 CN CN201580049467.8A patent/CN106687624B/zh active Active
- 2015-09-24 WO PCT/JP2015/076950 patent/WO2016047693A1/ja active Application Filing
- 2015-09-24 JP JP2015556325A patent/JP6067146B2/ja active Active
- 2015-09-24 KR KR1020177010771A patent/KR101911946B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-24 EP EP15844603.9A patent/EP3199668B1/en active Active
-
2016
- 2016-12-20 JP JP2016246873A patent/JP6373950B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016047693A1 (ja) | 2016-03-31 |
EP3199668B1 (en) | 2019-07-17 |
JP6373950B2 (ja) | 2018-08-15 |
TWI592524B (zh) | 2017-07-21 |
EP3199668A1 (en) | 2017-08-02 |
EP3199668A4 (en) | 2018-05-23 |
TW201617487A (zh) | 2016-05-16 |
KR101911946B1 (ko) | 2018-10-25 |
TW201732095A (zh) | 2017-09-16 |
KR20170057413A (ko) | 2017-05-24 |
CN106687624B (zh) | 2019-05-28 |
JP2017052699A (ja) | 2017-03-16 |
US20170292204A1 (en) | 2017-10-12 |
CN106687624A (zh) | 2017-05-17 |
JP6067146B2 (ja) | 2017-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6373950B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いるシリカガラスルツボの検査方法及び検査システム | |
TWI588304B (zh) | Single crystal manufacturing method | |
JP4784401B2 (ja) | シリコン単結晶の育成プロセスにおける融液の液面位置監視装置 | |
CN107109687A (zh) | 能够控制锭界面形状的单晶生长***和方法 | |
WO2011158425A1 (ja) | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法及び制御方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 | |
CN108138353B (zh) | 单晶的制造方法 | |
JPWO2004018742A1 (ja) | シリコン単結晶を製造する方法 | |
JP6939714B2 (ja) | 融液面と種結晶の間隔測定方法、種結晶の予熱方法、及び単結晶の製造方法 | |
WO2005001169A1 (ja) | 単結晶の製造方法及び単結晶 | |
JP7221484B1 (ja) | 単結晶引き上げ方法および単結晶引き上げ装置 | |
JP4785762B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP2019119617A (ja) | ルツボ測定装置、シリカガラスルツボ、シリコン単結晶の引き上げ装置およびシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2019119621A (ja) | シリカガラスルツボの評価方法、シリカガラスルツボ、シリコン単結晶の引き上げ装置およびシリコン単結晶の製造方法 | |
KR101758983B1 (ko) | 잉곳 성장장치 및 그 성장방법 | |
JP2019156703A (ja) | アーク電極の位置調整方法及びこれを用いた石英ガラスルツボの製造方法及び製造装置 | |
CN114761626B (zh) | 单晶制造***及单晶制造方法 | |
JP2006248808A (ja) | 結晶製造装置 | |
JP2021130573A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP2019119618A (ja) | シリカガラスルツボの評価方法、シリカガラスルツボ、シリコン単結晶の引き上げ装置およびシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2019119620A (ja) | シリカガラスルツボ、シリコン単結晶の引き上げ装置およびシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2019119619A (ja) | シリカガラスルツボの評価方法、シリカガラスルツボ、シリコン単結晶の引き上げ装置およびシリコン単結晶の製造方法 | |
CN118127612A (zh) | 一种提拉法长晶装置和方法 | |
KR20140115181A (ko) | 사파이어 단결정 성장의 해석 방법 및 사파이어 단결정의 성장 방법 | |
JP2000026197A (ja) | シリコン単結晶の製造方法および装置 | |
CN110273178A (zh) | 单晶硅的提拉方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151117 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20151117 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20160106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161020 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6067146 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |