JPWO2015107931A1 - 光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法 - Google Patents

光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法 Download PDF

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Abstract

光ファイバ母材の製造方法は、ターゲットロッドの外周にシリカ微粒子を堆積させて多孔質母材を形成する工程と、多孔質母材を少なくとも３回の熱処理工程により脱水および焼結するガラス化工程とを含み、３回の熱処理工程のうち最初の熱処理工程である第１の熱処理工程と２番目の熱処理工程である第２の熱処理工程では、ハロゲンガスまたはハロゲン系化合物ガスを含む雰囲気中で多孔質母材を脱水し、第２の熱処理工程における処理温度は、第１の熱処理工程における処理温度よりも高温であることを特徴とする。

Description

本発明は、光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法に関する。
近年、製造コストの削減のために、光ファイバ母材の大型化が進んでいる。光ファイバ母材を作製するための多孔質母材では、嵩密度（または、スート密度とも云う）が低いと、多孔質母材の外径が太くなり、これを加熱するための加熱炉を大型化する必要がある。このため、多孔質母材の嵩密度を高めることが必要とされている（例えば特許文献１参照）。
また、製造コストの削減の技術として、多孔質母材を減圧下にて独立気泡を含む半透明ガラス母材層になるまで焼結し、ヘリウムガス以外の不活性ガス雰囲気中で透明ガラス化する焼結方法を用いた光ファイバ母材の製造方法がある。この焼結方法によれば、大型の光ファイバ母材を高価なヘリウムガスを使用しないで短時間で熱処理することができるという特徴があり、製造コストの削減に寄与することになる（例えば特許文献１参照）。
特開２００７−１０６６１６号公報
しかしながら、多孔質母材の嵩密度を高めた場合、公知の脱水工程では、脱水が十分に行われない、あるいは塩素が均一にドープされない場合があるという問題がある。脱水工程が不十分、あるいは塩素のドープ量が不均一である場合、その光ファイバ母材を線引きして製造された光ファイバの素線において、特性のばらつきが生じてしまう。
特に、脱水工程が不十分である場合、製造された光ファイバにおける波長１３８５ｎｍでの損失に大きな影響を及ぼす。波長１３８５ｎｍでの損失は、ＩＴＵ−Ｔ（国際電信連合） Ｇ.６５２Ｄにおいて規定されている特性であるので、この損失を低く抑えることは国際標準を満たす上で非常に重要である。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、特性のばらつきが小さい光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、ターゲットロッドの外周にシリカ微粒子を堆積させて多孔質母材を形成する工程と、前記多孔質母材を少なくとも３回の熱処理工程により脱水および焼結するガラス化工程と、を含む光ファイバ母材の製造方法であって、前記３回の熱処理工程のうち最初の熱処理工程である第１の熱処理工程と２番目の熱処理工程である第２の熱処理工程では、ハロゲンガスまたはハロゲン系化合物ガスを含む雰囲気中で前記多孔質母材を脱水し、前記第２の熱処理工程における処理温度は、前記第１の熱処理工程における処理温度よりも高温であることを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、上記発明において、前記第１の熱処理工程における処理温度は、１２００℃以下であり、前記第２の熱処理工程における処理温度は、１２００℃より高いことを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、上記発明において、前記第１の熱処理工程における処理時間は、２時間以上４時間以下であり、前記第２の熱処理工程における処理時間は、１時間以上２時間以下とすることを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、上記発明において、前記雰囲気は、塩素と窒素との混合ガスであることを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、上記発明において、前記第１の熱処理工程および前記第２の熱処理工程は、常圧で行われることを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法は、上記発明において、前記３回の熱処理工程のうち３番目の熱処理工程である第３の熱処理工程では、減圧下で、１４００℃から１５５０℃の間の処理温度で前記多孔質母材を焼結することを特徴とする。
また、本発明に係る光ファイバの製造方法は、上記光ファイバ母材の製造方法にて製造された光ファイバ母材を線引きすることにより光ファイバを製造することを特徴とする。
本発明に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法は、嵩密度が高い多孔質母材を十分に脱水することができるという効果を奏する。
図１は、第１実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法の工程順序を示すフローチャートである。 図２は、多孔質母材形成工程における多孔質母材の状態を示す模式図である。 図３は、第１脱水工程、第２脱水工程、および焼結工程に用いるガラス化炉の例である均熱式のガラス化炉の概略構成を示す図である。 図４は、線引き工程に用いられる線引き装置の概略構成を示す図である。 図５は、第２実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法の工程順序を示すフローチャートである。
以下に、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施形態により本発明が限定されるものではない。また以下の説明において特に定義しない用語については、ＩＴＵ−Ｔ Ｇ．６５０．１における定義、測定方法に従うものとする。
〔第１実施形態〕
ここで、図１から図４を参照しながら、第１実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法を説明する。図１は、第１実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法の工程順序を示すフローチャートである。図１に示されるように、第１実施形態の光ファイバ母材の製造方法は、多孔質母材形成工程（ステップＳ１１）と、第１脱水工程（ステップＳ１２）と、第２脱水工程（ステップＳ１３）と、焼結工程（ステップＳ１４）とを有する。また、第１実施形態の光ファイバの製造方法は、光ファイバ母材の製造方法の焼結工程（ステップＳ１４）の後に線引き工程（ステップＳ１５）をさらに有する。なお、上記工程の他にドープ工程等を含む場合であっても、本実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法を適切に実施することができる。
図２は、多孔質母材形成工程における多孔質母材の状態を示す模式図であり、図３は、第１脱水工程、第２脱水工程、および焼結工程に用いるガラス化炉の例である均熱式のガラス化炉の概略構成を示す図であり、図４は、線引き工程に用いられる線引き装置の概略構成を示す図である。なお、図２から図４は、後に説明する第２実施形態においても参照される。
本実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法では、まず、ステップＳ１１の多孔質母材形成工程にて、ターゲットロッドとして用いる石英系ガラスからなる円柱状のコアロッドＲｃの外周に石英系ガラス微粒子を堆積させて、多孔質母材Ｐａが形成される。
コアロッドＲｃは、たとえば、ＶＡＤ（Ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ Ａｘｉａｌ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で作製したコアスートを引き下げ方式のガラス化炉で脱水およびガラス化し、所定の径となるよう延伸したものが用いられる。多孔質母材Ｐａは、コアロッドＲｃの外周にＯＶＤ（Ｏｕｔｓｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により石英系ガラス微粒子を堆積して作製される。コアロッドＲｃは、光ファイバとなった際にコアとなる部分とその周囲に形成されたクラッドとなる部分で構成されている。なお、この場合、波長１３８５ｎｍでの損失を充分小さくするためには、コアロッドＲｃのコアとクラッドの外径比（クラッド径／コア径）を４倍以上とすることが好ましい。
図２に示されるように、コアロッドＲｃは、長手方向両端がダミーロッドＲｄに接続されている。ダミーロッドＲｄは、多孔質母材Ｐａを保持し、回転駆動または昇降駆動させるための把手として用いられる。
ＯＶＤ法による石英系ガラス微粒子の堆積では、気化させた四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、酸素（Ｏ２）および水素（Ｈ２）とで構成されるガス１２をバーナ１１にて送り込み、これらガス１２が点火燃焼される。火炎中で加水分解反応されたＳｉＣｌ４は、シリカ微粒子となり、コアロッドＲｃの周囲に堆積されていく。コアロッドＲｃを回転させながらバーナ１１またはコアロッドＲｃの長手方向の位置を繰り返し往復させ、多孔質層が充分な厚さになるまで堆積が繰り返される。当該多孔質層は、後に光ファイバとなった際に、コアロッドＲｃのクラッド部と一体化されたクラッド部になる。
多孔質母材Ｐａの平均嵩密度は、光ファイバ母材の大型化の観点から０．６ｇ／ｃｍ3以上とすることが好ましい。一方、脱水工程においては、平均嵩密度は低密度の方が、脱水が容易であり、高密度になるにつれて指数関数的に脱水が困難となるので、１．０ｇ／ｃｍ3以下とすることが好ましい。なお、多孔質母材Ｐａの平均嵩密度が低い場合は、脱水が容易であるが、平均嵩密度が０．６ｇ／ｃｍ3以上になると、脱水が困難となる。このような高密度の多孔質母材に対して、本発明は特に有効である。
次に、図３に例示されるガラス化炉１００を用いてステップＳ１２〜Ｓ１４の第１および第２脱水工程と焼結工程が行われる。よって、ここでガラス化炉１００の構成について説明を行う。
図３に示されるガラス化炉１００は、均熱式のガラス化炉である。図３に示されるように、ガラス化炉１００は、石英ガラス製の密閉可能な容器である石英炉心管１０１と、この石英炉心管１０１の周囲に複数設けられた発熱体である環状のヒータ１０２，１０３，１０４とを備える。石英炉心管１０１およびヒータ１０２，１０３，１０４は、炉体１０９により全体が覆われており、炉体１０９とヒータ１０２，１０３，１０４の間には断熱材１１０が充填されている。
図３に示されるように、石英炉心管１０１は、多孔質母材Ｐａを内部に収容することができる容積を有し、内部に収容した多孔質母材Ｐａを第１のヒータ１０２、第２のヒータ１０３、および第３のヒータ１０４により加熱する。第１のヒータ１０２、第２のヒータ１０３、および第３のヒータ１０４は、多孔質母材Ｐａを石英炉心管１０１の内部に収容した際に、多孔質母材Ｐａの長手方向に沿って配列されており、第１のヒータ１０２、第２のヒータ１０３、および第３のヒータ１０４は、それぞれ多孔質母材Ｐａの上段、中段、および下段を加熱するように配置されている。また、石英炉心管１０１の内部に収容された多孔質母材Ｐａは、支持棒１０８を介して回転駆動され、第１のヒータ１０２、第２のヒータ１０３、および第３のヒータ１０４からそれぞれ均質に加熱される。
さらに、石英炉心管１０１には、ガス導入口１０５およびガス排出口１０６が設けられ、石英炉心管１０１の内部に、例えば塩素（Ｃｌ２）および窒素（Ｎ２）を導入することができる。なお、ガス導入口１０５を介して石英炉心管１０１の内部へ導入するガスの種類はこれに限らず、多孔質母材Ｐａにフッ素をドープする際には、四フッ化珪素（ＳｉＦ４）を導入することにも用いられ、多孔質母材Ｐａを焼結する際には、ヘリウム（Ｈｅ）を導入することにも用いられ得る。さらに、石英炉心管１０１には、真空ポンプ１０７が接続され、石英炉心管１０１内を減圧にすることが可能である。
ステップＳ１２，Ｓ１３の第１および第２脱水工程では、上記に例示したガラス化炉１００を用いて、塩素と窒素との混合ガスの雰囲気中で多孔質母材Ｐａが脱水される。なお、第１および第２脱水工程に用いられる雰囲気ガスは、塩素および窒素の混合ガスに限定されず、減圧下、不活性ガスとハロゲンガスの雰囲気中、或いは不活性ガスとハロゲン系化合物ガスの雰囲気中の３つの環境（条件）のうち、いずれか１つの環境（条件）であればよい。例えば、ハロゲンとしては塩素の他にフッ素（Ｆ２）、ハロゲン系化合物としては塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）等を用いることができる。
ステップＳ１２，Ｓ１３の第１および第２脱水工程にて、塩素と窒素との混合ガスは、石英炉心管１０１に設けられたガス導入口１０５から導入され、その際の塩素の分圧は１５％以上７０％以下とすることが好ましく、２５％以上５０％以下とすることがさらに好ましい。また、第１脱水工程と第２脱水工程で塩素分圧を変更してもよい。石英炉心管１０１内の気圧は、常圧であることを基本とするが、必要に応じて真空ポンプ１０７により、石英炉心管１０１内を所定圧力に減圧することも可能である。
ステップＳ１２の第１脱水工程とステップＳ１３の第２脱水工程は、同じガラス化炉１００を用いて多孔質母材Ｐａを脱水する。すなわち、ステップＳ１２の第１脱水工程とステップＳ１３の第２脱水工程との間では、用いる装置自体は変更しない。
ステップＳ１２の第１脱水工程とステップＳ１３の第２脱水工程とでは、脱水の処理温度が異なる。したがって、第１脱水工程と第２脱水工程とでは、石英炉心管１０１の周囲に設けられた環状のヒータ１０２，１０３，１０４の出力が調整され、それぞれ適切な炉温に加熱される。
第１脱水工程は、一般的な脱水工程と同程度の温度で実施され、具体的な処理温度は、１０００℃以上１２００℃以下である。この温度は、スートの収縮がほとんど起こらないとされている温度である。第１脱水工程では、塩素が多孔質母材Ｐａの表面から内部へ取り込まれる必要があり、多孔質母材Ｐａが大きく収縮してしまうと、もともと高い嵩密度が塩素の取り込みをさらに阻害することになるからである。第１脱水工程における処理時間は、充分に脱水するためには、多孔質母材Ｐａが１０００℃以上１２００℃以下に加熱される時間を２時間以上とすることが好ましい。ただし、時間が長すぎると製造に時間がかかる上、使用するガス量が増えるなど製造コストが高くなるため、４時間以下とすることが好ましい。以下、処理時間とは所定の温度に多孔質母材Ｐａが加熱される時間を意味するものとし、後述するゾーンシフト方式で処理を行う場合は、それぞれの部位が所定の温度に加熱される時間を意味する。
一方、第２脱水工程は、収縮がある程度起きるとされる温度で実施され、具体的な処理温度は、１２００℃より高く１３００℃以下である。第２脱水工程は、第１脱水工程で多孔質母材Ｐａ内に取り込まれた塩素を内部まで拡散させることを目的としている。また、多孔質母材Ｐａの表層の密度を高めることで、次の焼結工程において塩素が離脱してしまうことを抑制する効果もある。本工程では多孔質母材Ｐａの収縮も進行するので、工程時間を長くしすぎてしまうと、多孔質母材Ｐａの表面が固まり、脱水反応で発生した塩化水素や酸素の脱ガスが進行しなくなる。よって工程時間には注意が必要である。第２脱水工程における処理時間は、１時間以上２時間以下とすることが好ましい。
続いて、ステップＳ１４の焼結工程では、同じくガラス化炉１００を用いて多孔質母材Ｐａを焼結する。すなわち、ステップＳ１３の第２脱水工程とステップＳ１４の焼結工程との間では、用いる装置自体は変更せず、ヒータ１０２，１０３，１０４の出力および石英炉心管１０１内の雰囲気ガスを変更する。
ステップＳ１４の焼結工程における焼結温度は、例えば１４００℃〜１６００℃であり、用いる多孔質母材Ｐａに応じて適切に調整される。また、焼結工程では、ヘリウムまたは窒素などの不活性ガスがガス導入口１０５から導入される。なお、ヘリウムではなく、窒素を用いたほうがコスト面で好ましい。また、必要に応じて真空ポンプ１０７により、石英炉心管１０１内を所定圧力に減圧してもよい。
なお、上記第１および第２脱水工程と焼結工程は、多孔質母材Ｐａの端部から順に所定の加熱領域を通過させるいわゆる引き下げ方式、あるいは、多段に設けられたヒータを多孔質母材Ｐａの端部から順に加熱するように温度調整するゾーンシフト方式のガラス化炉でも実施可能であるが、多孔質母材Ｐａの全長を同時に加熱する均熱式のガラス化炉にて実施することが好ましい。スート密度の高いスートを脱水するので、多孔質母材Ｐａを全体的に加熱する均熱式のガラス化炉の方が、熱処理時間を短縮することができるからである。
図１に示されるように、本実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法では、ステップＳ１４の焼結工程により多孔質母材Ｐａが光ファイバ母材に変成され、光ファイバ母材の製造工程を終了する。一方、本実施形態に係る光ファイバの製造方法では、ステップＳ１４の焼結工程の後に、光ファイバ母材から光ファイバを製造するステップＳ１５の線引き工程へ進む。
図４は、ステップＳ１５の線引き工程に用いる線引き装置の概略構成を示す模式図である。図４に示されるように、線引き装置２００は、主要構成として、線引き炉２０１と、樹脂被覆装置２０４と、ガイドローラ２０５と、巻き取り機２０６とを備える。
線引き炉２０１は、内部にヒータ２０２を備え、ステップＳ１５の線引き工程では、光ファイバ母材Ｐｂの先端を溶融して光ファイバＦが線引きされる。線引き炉２０１により線引きされた光ファイバＦは、線引き炉２０１の後段に設けられた外径測定器２０３によって、光ファイバＦの外径が測定される。
線引き炉２０１により線引きされた光ファイバＦは、その後、樹脂被覆装置２０４によって光ファイバＦの外周に樹脂被膜が形成される。樹脂被覆装置２０４の内部には、光ファイバＦの外周に樹脂を塗布するための樹脂塗布ダイと、塗布された樹脂を硬化するための紫外線照射装置とが設けられている。光ファイバＦは、樹脂塗布ダイの中を通過することで外周に樹脂が塗布され、紫外線照射装置により光ファイバＦの外周に塗布された樹脂が硬化される。
樹脂被覆装置２０４により樹脂被覆された光ファイバＦは、ガイドローラ２０５を介して、巻き取り機２０６に巻き取られる。
ステップＳ１５の線引き工程では、線引き炉２０１の炉内温度は、２１５０℃以上２２００℃以下が好ましい。また、線引き速度（すなわち巻き取り機２０６が光ファイバＦを巻き取る速度）は、少なくとも毎分１０００ｍであり、例えば毎分２０００ｍである。
図１に示されるように、本発明に係る光ファイバの製造方法では、ステップＳ１５の線引き工程により光ファイバ母材Ｐｂから光ファイバが線引きされるので、製造工程を終了する。
以上のように、第１実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法は、ターゲットロッドとして用いるコアロッドＲｃの外周にシリカ微粒子を堆積させて多孔質母材Ｐａを形成する工程と、多孔質母材Ｐａを少なくとも第１脱水工程と第２脱水工程と焼結工程とを含む熱処理工程によりガラス化するガラス化工程とを含むものである。そして、第１脱水工程および第２脱水工程は、不活性ガスとしての窒素とハロゲンガス塩素との雰囲気中で、多孔質母材Ｐａを熱処理し、第２脱水工程の処理温度は、第１脱水工程の処理温度よりも高温である。これにより、第１実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法は、嵩密度が高い多孔質母材Ｐａを十分に脱水することができる。十分に脱水された多孔質母材Ｐａから製造された光ファイバは、波長１３８５ｎｍでの損失および他の特性のばらつきが小さく、ＩＴＵ−Ｔ Ｇ.６５２Ｄを満たす良質な製品となる。
〔第２実施形態〕
次に、図５を参照しながら、第２実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法を説明する。なお、第２実施形態における光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法では、第１実施形態と同様の装置構成が用いられる。したがって、第２実施形態の説明では、適宜図２〜図３に示された装置構成を参照することにより、装置構成の説明を省略するものとする。
図５は、第２実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法の工程順序を示すフローチャートである。図５に示されるように、第２実施形態の光ファイバ母材の製造方法は、多孔質母材形成工程（ステップＳ２１）と、第１脱水工程（ステップＳ２２）と、第２脱水工程（ステップＳ２３）と、半焼結工程（ステップＳ２４）とを有する。また、本実施形態の光ファイバの製造方法は、光ファイバ母材の製造方法の半焼結工程（ステップＳ２４）の後に線引き工程（ステップＳ２５）をさらに有する。すなわち、第１実施形態と第２実施形態とでは、焼結工程と半焼結工程とが異なる。
本実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法でも、まず、ステップＳ２１の多孔質母材形成工程にて、ターゲットロッドとして用いる石英系ガラスからなる円柱状のコアロッドＲｃの外周に石英系ガラス微粒子を堆積させて、多孔質母材Ｐａが形成される。
多孔質母材Ｐａの平均嵩密度は、光ファイバ母材の大型化の観点から０．６ｇ／ｃｍ3以上とすることが好ましい。一方、脱水工程においては、平均嵩密度は低密度の方が、脱水が容易であり、高密度になるにつれて指数関数的に脱水が困難となるので、１．０ｇ／ｃｍ3以下とすることが好ましい。なお、多孔質母材Ｐａの平均嵩密度が低い場合は、脱水が容易であるが、平均嵩密度が０．６ｇ／ｃｍ3以上になると、脱水が困難となる。このような高密度の多孔質母材に対して、本発明は特に有効である。
次に、図３に例示されるガラス化炉１００を用いてステップＳ２２〜Ｓ２４の第１および第２脱水工程と半焼結工程が行われる。
ステップＳ２２，Ｓ２３の第１および第２脱水工程では、上記に例示したガラス化炉１００を用いて、塩素と窒素との混合ガスの雰囲気中で多孔質母材Ｐａが脱水される。なお、塩素と窒素との混合ガスは、石英炉心管１０１に設けられたガス導入口１０５から導入され、その際の塩素の分圧は１５％以上７０％以下とすることが好ましく、２５％以上５０％以下とすることがさらに好ましい。また、第１脱水工程と第２脱水工程で塩素分圧を変更してもよい。石英炉心管１０１内の気圧は、常圧であることを基本とするが、必要に応じて真空ポンプ１０７により、石英炉心管１０１内を所定圧力に減圧することも可能である。
第１脱水工程は、一般的な脱水工程と同程度の温度で実施される、具体的な処理温度は、１０００℃以上１２００℃以下である。この温度は、スートの収縮がほとんど起こらないとされている温度である。脱水工程では、塩素が多孔質母材Ｐａの表面から内部へ取り込まれる必要があり、多孔質母材Ｐａが大きく収縮してしまうと、もともと高い嵩密度が塩素の取り込みをさらに阻害することになるからである。第１脱水工程における処理時間は、充分に脱水するためには２時間以上とすることが好ましい。ただし、時間が長すぎると製造に時間がかかる上、使用するガス量が増えるなど製造コストが高くなるため、４時間以下とすることが好ましい。
一方、第２脱水工程は、収縮がある程度起きるとされる温度で実施され、具体的な処理時間は、１２００℃より高く１３００℃以下である。第２脱水工程は、第１脱水工程で多孔質母材Ｐａ内に取り込まれた塩素を内部のコアロッドＲｃ近傍まで拡散させることを目的としている。また、多孔質母材Ｐａの表層の密度を高めることで、次の焼結工程において塩素が離脱してしまうことを抑制する効果もある。特に本実施形態のように次工程が減圧下で行われる場合は、塩素が離脱しやすいため、多孔質母材Ｐａの表層の密度を高めておくことが重要である。本工程では多孔質母材Ｐａの収縮も進行するので、工程時間を長くしすぎてしまうと、多孔質母材Ｐａの表面が固まり、脱水反応で発生した塩化水素や酸素の脱ガスが進行しなくなる。よって工程時間には注意が必要である。第２脱水工程における処理時間は、１時間以上２時間以下とすることが好ましい。
なお、上記第１および第２脱水工程の炉内温度、工程時間、スート密度、塩素ガス濃度等のパラメータは、実験により決定された最適なパラメータの組合せが用いられる。後に、これらのパラメータの組合せが実施例として提示される。
続いて、ステップＳ２４の半焼結工程では、同じくガラス化炉１００を用いて多孔質母材Ｐａが半焼結される。ここで「半焼結」とは、「透明ガラス状態」まで焼結させる通常の焼結ではなく、「半透明ガラス状態」まで焼結させることをいう。
なお、「半透明ガラス状態」とは、全体的にほぼ均一に独立気泡を含んでいる状態で、外観上白濁しており不透明である状態をいう。これに対して、「透明ガラス状態」とは、一部の不良状態の部分に残る微少な独立気泡を除いて全体的にほぼ均一に独立気泡を含んでいない状態で、外観上透明である状態をいう。なお「独立気泡」は、半透明の光ファイバ母材の内部に形成され周囲雰囲気と物理的に隔離された気泡ないし空間であり、内部が実質的に真空となっている。
また、「半透明ガラス状態」の多孔質母材Ｐａの平均密度は、最終的に完全に透明なガラスとなった場合の密度（２．２ｇ／ｃｍ3）より低い。この「半透明ガラス状態」の平均密度は好ましくは１．８ｇ／ｃｍ3以上であり、より好ましくは２．０ｇ／ｃｍ3以上である。このような平均密度とすることで、後述する線引き工程Ｓ２５で、容易に「独立気泡」が消滅する。
ステップＳ２４の半焼結工程における焼結温度は、用いる多孔質母材Ｐａに応じて適切に調整されるが、１４００℃〜１５５０℃であることが好ましい。ステップＳ２４の半焼結工程の処理時間は、例えば３時間以上５時間以下とすることが好ましい。
また、ステップＳ２４の半焼結工程は、真空ポンプ１０７により、石英炉心管１０１内は所定圧力に減圧される必要がある。上記「独立気泡」の内部を実質的に真空とするためである。ステップＳ２４の半焼結工程では、少なくとも２０００Ｐａ以下に減圧される必要があり、好ましくは１００Ｐａ以下に減圧される。なお、半焼結工程における雰囲気ガスである不活性ガスとして、窒素を用いることがコスト面で好ましい。
図５に示されるように、本実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法では、ステップＳ２４の半焼結工程により多孔質母材Ｐａが光ファイバ母材に変成されるので、製造工程を終了する。一方、本実施形態に係る光ファイバの製造方法では、ステップＳ２４の半焼結工程の後に、光ファイバ母材から光ファイバを製造する線引き工程へ進む。
ステップＳ２５の線引き工程は、図４に示される線引き装置２００を用いて行われる。ステップＳ２５の線引き工程では、線引き炉２０１の炉内温度は、２１００℃から２１５０℃が好ましい。また、線引き速度（すなわち巻き取り機２０６が光ファイバＦを巻き取る速度）は、少なくとも毎分１０００ｍであり、例えば毎分２０００ｍである。
なお、ステップＳ２５の線引き工程では、光ファイバ母材Ｐｂ内の「独立気泡」が消滅し、「透明ガラス状態」の光ファイバＦが製造される。
図５に示されるように、本実施形態に係る光ファイバの製造方法では、ステップＳ２５の線引き工程により光ファイバ母材Ｐｂから光ファイバが線引きされるので、製造工程を終了する。
以上のように、第２実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法は、ターゲットロッドとして用いるコアロッドＲｃの外周にシリカ微粒子を堆積させて多孔質母材Ｐａを形成する工程と、多孔質母材Ｐａを少なくとも第１脱水工程と第２脱水工程と半焼結工程とを含む熱処理工程によりガラス化するガラス化工程とを含むものである。そして、第１脱水工程および第２脱水工程は、不活性ガスとしての窒素とハロゲンガス塩素との雰囲気中で、多孔質母材Ｐａを熱処理し、第２脱水工程の処理温度は、第１脱水工程の処理温度よりも高温である。これにより、第２実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法は、嵩密度が高い多孔質母材Ｐａを十分に脱水することができ、嵩密度が高い多孔質母材Ｐａは、「半焼結」による焼結方法への有用度が高い。「半焼結」による焼結方法は、大型の光ファイバ母材に高価なヘリウムガスを使用しないので、第２実施形態に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法は、さらに製造コストの削減に大きく寄与することになる。ヘリウムガスを使用しないということは、ヘリウムガス自体のコストを削減できるだけではなく、ヘリウムガスを光ファイバ母材から脱ガスする必要もなくなるので、工程も簡略化することが可能である。さらに、「半焼結」による焼結方法で製造された光ファイバ母材は、不透明部材であるので、線引き炉内で輻射エネルギーを効率よく吸収することができる。よって、第２実施形態に係る光ファイバの製造方法は、線引き炉の炉温を下げることができ、この点でもコストを削減できる。つまり、十分に脱水された多孔質母材Ｐａから製造された光ファイバは、波長１３８５ｎｍでの損失、および他の特性のばらつきが小さく、ＩＴＵ−Ｔ Ｇ.６５２Ｄを満たす良質な製品となるので、第２実施形態に係る光ファイバの製造方法は、良質な光ファイバを低コストで製造することが可能である。
以下、第１実施形態に係る光ファイバの製造方法により製造した光ファイバと、第２実施形態に係る光ファイバの製造方法により製造した光ファイバと、公知の光ファイバの製造方法により製造した光ファイバとの比較を行う。実施例１〜３では、第２実施形態に係る光ファイバの製造方法により製造した光ファイバの特性を提示し、実施例４は、第１実施形態に係る光ファイバの製造方法により製造した光ファイバの特性を提示し、比較例１〜３では、公知の光ファイバの製造方法により製造した光ファイバの特性を提示する。なお、実施例１〜４、比較例１、２のそれぞれにつき５本の光ファイバ母材を製造し、各光ファイバ母材から得られた光ファイバにつき、長さ方向に等間隔で２０点において光ファイバの特性を測定した。
〔実施例１〕
実施例１に係る多孔質母材形成工程では、ＶＡＤ法で作製したコアを通常に行われている引き下げ方式のガラス化炉で脱水およびガラス化し、所定の径となるよう延伸したものをコアロッドＲｃとして用いた。なお、コアロッドＲｃのクラッド径／コア径は４．２であり、当該コアロッドＲｃの周囲に、ＯＶＤ法により密度０．７ｇ／ｃｍ３の多孔質層を堆積させ、多孔質母材Ｐａを作製した。
第１脱水工程、第２脱水工程、および半焼結工程では、図３に示されたようなガラス化炉１００を用いて多孔質母材Ｐａを「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂへ半焼結させた。この時、第１脱水工程の処理温度および処理時間は１０００℃×３時間であり、第２脱水工程の処理温度および処理時間は１２００℃×２時間である。また、第１脱水工程および第２脱水工程における炉内雰囲気は、常圧の塩素および窒素の混合ガスであり、塩素分圧は３０％である。半焼結工程の処理温度および処理時間は１４５０℃×３時間であり、炉内雰囲気は、１００Ｐａ以下に減圧された窒素ガスを用いた。なお、ここで常圧は、特別に減圧も加圧もしないときの圧力という広い意味で用いている。
上記条件で製造された「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂは、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であり、表面は滑らかなガラス層であった。なお、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であることは、通常のガラスの平均密度２．２ｇ／ｃｍ３に対する約９５％に相当する。
線引き工程では、図４に示されたような線引き装置２００を用いて「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂから光ファイバＦを線引きした。この時の線引き炉２０１の炉温は２１００℃であった。
上記のように製造された光ファイバＦの素線を検査した結果、波長１３８５ｎｍでの損失は０．２７８〜０．２８４ｄＢ／ｋｍであり、かつ光ファイバＦの長手方向に関して安定した特性であった。なお、この測定結果は、ＩＴＵ−Ｔ Ｇ.６５２Ｄ規格を満足している。また、上記のように製造された光ファイバＦの素線は、カットオフ波長、ファイバ外径変動など、その他の特性においても何ら問題が発見されなかった。
〔実施例２〕
実施例２に係る多孔質母材形成工程では、実施例１と同様の方法で製造されたコアロッドＲｃを用い、当該コアロッドＲｃの周囲に、ＯＶＤ法により密度０．８ｇ／ｃｍ３の多孔質層を堆積させ、多孔質母材Ｐａを作製した。
第１脱水工程、第２脱水工程、および半焼結工程では、図３に示されたようなガラス化炉１００を用いて多孔質母材Ｐａを「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂへ半焼結させた。この時、第１脱水工程の処理温度および処理時間は１０００℃×３時間であり、第２脱水工程の処理温度および処理時間は１３００℃×１時間である。また、第１脱水工程および第２脱水工程における炉内雰囲気は、常圧の塩素および窒素の混合ガスであり、塩素分圧は実施例１と同様である。半焼結工程の処理温度および処理時間は１４５０℃×３時間であり、炉内雰囲気は、１００Ｐａ以下に減圧された窒素ガスである。
上記条件で製造された「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂは、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であり、表面は滑らかなガラス層であった。なお、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であることは、通常のガラスの平均密度２．２ｇ／ｃｍ３に対する約９５％に相当する。
線引き工程では、図４に示されたような線引き装置２００を用いて「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂから光ファイバＦを線引きした。この時の線引き炉２０１の炉温は２１００℃であった。
上記のように製造された光ファイバＦの素線を検査した結果、波長１３８５ｎｍでの損失は０．２８０〜０．２８６ｄＢ／ｋｍであり、かつ光ファイバＦの長手方向に関して安定した特性であった。なお、この測定結果は、ＩＴＵ−Ｔ Ｇ.６５２Ｄ規格を満足している。また、上記のように製造された光ファイバＦの素線は、カットオフ波長、ファイバ外径変動など、その他の特性においても何ら問題が発見されなかった。
〔実施例３〕
実施例３に係る多孔質母材形成工程では、実施例１と同様の方法で製造されたコアロッドＲｃを用い、当該コアロッドＲｃの周囲に、ＯＶＤ法により密度１．０ｇ／ｃｍ３の多孔質層を堆積させ、多孔質母材Ｐａを作製した。
第１脱水工程、第２脱水工程、および半焼結工程では、図３に示されたようなガラス化炉１００を用いて多孔質母材Ｐａを「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂへ半焼結させた。この時、第１脱水工程の処理温度および処理時間は１０００℃×３時間であり、第２脱水工程の処理温度および処理時間は１３００℃×２時間である。また、第１脱水工程および第２脱水工程における炉内雰囲気は、常圧の塩素および窒素の混合ガスであり、塩素分圧は実施例１と同様である。半焼結工程の処理温度および処理時間は１４５０℃×３時間であり、炉内雰囲気は、１００Ｐａ以下に減圧された窒素ガスである。
上記条件で製造された「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂは、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であり、表面は滑らかなガラス層であった。なお、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であることは、通常のガラスの平均密度２．２ｇ／ｃｍ３に対する約９５％に相当する。
線引き工程では、図４に示されたような線引き装置２００を用いて「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂから光ファイバＦを線引きした。この時の線引き炉２０１の炉温は２１００℃であった。
上記のように製造された光ファイバＦの素線を検査した結果、波長１３８５ｎｍでの損失は０．２８２〜０．２８９ｄＢ／ｋｍであり、かつ光ファイバＦの長手方向に関して安定した特性であった。なお、この測定結果は、ＩＴＵ−Ｔ Ｇ.６５２Ｄ規格を満足している。また、上記のように製造された光ファイバＦの素線は、カットオフ波長、ファイバ外径変動など、その他の特性においても何ら問題が発見されなかった。
〔実施例４〕
実施例４に係る多孔質母材形成工程では、実施例１と同様の方法で製造されたコアロッドＲｃを用い、当該コアロッドＲｃの周囲に、ＯＶＤ法により密度０．８ｇ／ｃｍ３の多孔質層を堆積させ、多孔質母材Ｐａを作製した。
第１脱水工程、第２脱水工程、および焼結工程では、図３に示されたようなガラス化炉１００を用いて多孔質母材Ｐａを「透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂへ焼結させた。この時、第１脱水工程の処理温度および処理時間は１０００℃×３時間であり、第２脱水工程の処理温度および処理時間は１３００℃×１時間である。また、第１脱水工程および第２脱水工程における炉内雰囲気は、常圧の塩素および窒素の混合ガスであり、塩素分圧は実施例１と同様である。焼結工程の処理温度および処理時間は１５００℃×３時間であり、炉内雰囲気は、１００Ｐａ以下に減圧された窒素ガスである。
線引き工程では、図４に示されたような線引き装置２００を用いて「透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂから光ファイバＦを線引きした。この時の線引き炉２０１の炉温は２１５０℃であった。
上記のように製造された光ファイバＦの素線を検査した結果、波長１３８５ｎｍでの損失は０．２７９〜０．２８８ｄＢ／ｋｍであり、かつ光ファイバＦの長手方向に関して安定した特性であった。なお、この測定結果は、ＩＴＵ−Ｔ Ｇ.６５２Ｄ規格を満足している。また、上記のように製造された光ファイバＦの素線は、カットオフ波長、ファイバ外径変動など、その他の特性においても何ら問題が発見されなかった。
〔比較例１〕
比較例１に係る多孔質母材形成工程では、実施例１〜３と同様の方法で製造されたコアロッドＲｃを用い、当該コアロッドＲｃの周囲に、ＯＶＤ法により密度０．８ｇ／ｃｍ３の多孔質層を堆積させ、多孔質母材Ｐａを作製した。
比較例１に係るガラス化工程は、脱水工程と半焼結工程とからなり、実施例１〜３とは異なり脱水工程が２段階に分離されてはいない。比較例１に係る脱水工程の処理温度および処理時間は１０００℃×５時間であり、炉内雰囲気は、常圧の塩素および窒素の混合ガスであり、塩素分圧は実施例１と同様である。
比較例１に係る半焼結工程は、実施例１〜３と同様の工程であり、処理温度および処理時間は１４５０℃×３時間であり、炉内雰囲気は、１００Ｐａ以下に減圧された窒素ガスである。
上記条件で製造された「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂは、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であり、表面は滑らかなガラス層であった。なお、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であることは、通常のガラスの平均密度２．２ｇ／ｃｍ３に対する約９５％に相当する。
線引き工程では、図４に示されたような線引き装置２００を用いて「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂから光ファイバＦを線引きした。この時の線引き炉２０１の炉温は２１５０℃であった。
上記のように製造された光ファイバＦの素線を検査した結果、波長１３８５ｎｍでの損失は０．２８５〜０．３３８ｄＢ／ｋｍであった。なお、この測定結果は、一部の光ファイバにおいてＩＴＵ−Ｔ Ｇ.６５２Ｄ規格を満足していない。また、上記のように製造された光ファイバＦの素線は、カットオフ波長のばらつきも大きく、規格外となるものがあった。この結果からは、比較例１における脱水工程では、脱水作用が不十分であり、また、塩素のドープ量が不均一であることが推測される。
〔比較例２〕
比較例２に係る多孔質母材形成工程では、実施例１〜３と同様の方法で製造されたコアロッドＲｃを用い、当該コアロッドＲｃの周囲に、ＯＶＤ法により密度０．８ｇ／ｃｍ３の多孔質層を堆積させ、多孔質母材Ｐａを作製した。
比較例２に係るガラス化工程は、脱水工程と半焼結工程とからなり、実施例１〜３とは異なり脱水工程が２段階に分離されてはいない。比較例２に係る脱水工程の処理温度および処理時間は１２００℃×５時間であり、炉内雰囲気は、常圧の塩素および窒素の混合ガスであり、塩素分圧は実施例１と同様である。
比較例２に係る半焼結工程は、実施例１〜３と同様の工程であり、処理温度および処理時間は１４５０℃×３時間であり、炉内雰囲気は、１００Ｐａ以下に減圧された窒素ガスである。
上記条件で製造された「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂは、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であり、表面は滑らかなガラス層であった。なお、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であることは、通常のガラスの平均密度２．２ｇ／ｃｍ３に対する約９５％に相当する。
線引き工程では、図４に示されたような線引き装置２００を用いて「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂから光ファイバＦを線引きした。この時の線引き炉２０１の炉温は２２００℃であり、炉温を高くしなければ線引きできなかった。この結果からは、比較例２における脱水工程では、塩素が十分にドープされなかったことが推測される。
上記のように製造された光ファイバＦの素線を検査した結果、波長１３８５ｎｍでの損失は０．２９３〜０．３９５ｄＢ／ｋｍであった。なお、この測定結果は、ＩＴＵ−Ｔ Ｇ.６５２Ｄ規格を満足していない。また、上記のように製造された光ファイバＦの素線は、カットオフ波長のばらつきも大きく、規格外となるものがあった。つまり、比較例２でも脱水作用が不十分であり、また、塩素のドープ量が不均一であることが推測される。
〔比較例３〕
比較例３に係る多孔質母材形成工程では、実施例１〜３と同様の方法で製造されたコアロッドＲｃを用い、当該コアロッドＲｃの周囲に、ＯＶＤ法により密度０．８ｇ／ｃｍ３の多孔質層を堆積させ、多孔質母材Ｐａを作製した。
比較例３に係るガラス化工程は、脱水工程と半焼結工程とからなり、実施例１〜３とは異なり脱水工程が２段階に分離されてはいない。比較例３に係る脱水工程の処理温度および処理時間は１３００℃×３時間であり、炉内雰囲気は、常圧の塩素および窒素の混合ガスであり、塩素分圧は実施例１と同様である。
比較例３に係る半焼結工程は、実施例１〜３と同様の工程であり、処理温度および処理時間は１４５０℃×３時間であり、炉内雰囲気は、１００Ｐａ以下に減圧された窒素ガスである。
上記条件で製造された「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂは、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であり、表面は滑らかなガラス層であった。なお、平均密度が２．１ｇ／ｃｍ３であることは、通常のガラスの平均密度２．２ｇ／ｃｍ３に対する約９５％に相当する。
線引き工程では、図４に示されたような線引き装置２００を用いて「半透明ガラス状態」の光ファイバ母材Ｐｂから光ファイバＦを線引きした。しかしながら、比較例３による光ファイバ母材Ｐｂは、光ファイバＦの外径変動が発生し、正常な線引きを行うことができなかった。
なお、線引き工程を中止した光ファイバ母材および光ファイバを確認すると、光ファイバ母材には先述の「独立気泡」以外の気泡が発生しており、光ファイバ内にも気泡が残存していることが認められた。これは、脱水の温度を高くし過ぎたため、脱水工程で焼結が大きく進んでしまったことによるものと推測される。
以上のように、実施例１〜３ではいずれも波長１３８５ｎｍでの損失がＩＴＵ−Ｔ Ｇ.６５２Ｄ規格である０．３１ｄＢ／ｋｍ以下となり、同一多孔質母材から製造される光ファイバにおける長手方向での変動も０．０１ｄＢ／ｋｍ以下であったが、比較例１、２では波長１３８５ｎｍでの損失が０．３１ｄＢ／ｋｍ以上となるものもあり、同一多孔質母材から製造される光ファイバにおける変動も０．０５ｄＢ／ｋｍ以上と大きくなっている。また、実施例１の波長１３８５ｎｍでの損失は平均値が０．２７９ｄＢ／ｋｍかつ標準偏差σが０．００１２ｄＢ／ｋｍであり、比較例１の波長１３８５ｎｍでの損失は平均値が０．２９４ｄＢ／ｋｍかつ標準偏差σが０．０１３１ｄＢ／ｋｍであった。さらに、実施例１のカットオフ波長は標準偏差σが１１．９ｎｍであり、比較例１のカットオフ波長は標準偏差σが３３．５ｎｍであった。
以上、本発明を実施形態に従い説明したが、本実施形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明が限定されることはない。すなわち、本実施形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれる。
たとえば、上記ではターゲットロッドがコアを含むコアロッドＲｃである例を示したが、ターゲットロッドは、コアを含まない石英系ガラスからなるガラスロッドや、マンドレルであってもよい。また、ステップＳ１１の多孔質母材形成工程の後に、ターゲットロッドを引き抜いて筒状の多孔質母材とし、これに対してステップＳ１２〜Ｓ１４の第１および第２脱水工程と焼結工程を行ってもよい。この場合は、ステップＳ１１の多孔質母材形成工程において、光ファイバとなった際にコアとなる部分とクラッドとなる部分を形成する方法や、ステップＳ１２〜Ｓ１４において中心部の空孔を維持し、空孔にコアロッドＲｃを挿入し両者を溶融一体化する方法により、光ファイバ母材が形成される。なお、溶融一体化は線引きと同時に行ってもよいし、別の工程を設けてもよい。
以上のように、本発明に係る光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法は、特性のばらつきの小さい光ファイバ母材および光ファイバを製造する用途に有用である。
１１ バーナ
１２ ガス
１００ ガラス化炉
１０１ 石英炉心管
１０２ ヒータ
１０３ ヒータ
１０４ ヒータ
１０５ ガス導入口
１０６ ガス排出口
１０７ 真空ポンプ
１０８ 支持棒
１０９ 炉体
１１０ 断熱材
２００ 線引き装置
２０１ 線引き炉
２０２ ヒータ
２０３ 外径測定器
２０４ 樹脂被覆装置
２０５ ガイドローラ
２０６ 巻き取り機

Claims (7)

  1. ターゲットロッドの外周にシリカ微粒子を堆積させて多孔質母材を形成する工程と、前記多孔質母材を少なくとも３回の熱処理工程により脱水および焼結するガラス化工程とを含み、
    前記３回の熱処理工程のうち最初の熱処理工程である第１の熱処理工程と２番目の熱処理工程である第２の熱処理工程では、ハロゲンガスまたはハロゲン系化合物ガスを含む雰囲気中で前記多孔質母材を脱水し、
    前記第２の熱処理工程における処理温度は、前記第１の熱処理工程における処理温度よりも高温である、
    ことを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
  2. 前記第１の熱処理工程における処理温度は、１２００℃以下であり、前記第２の熱処理工程における処理温度は、１２００℃より高いことを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ母材の製造方法。
  3. 前記第１の熱処理工程における処理時間は、２時間以上４時間以下であり、前記第２の熱処理工程における処理時間は、１時間以上２時間以下とすることを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ母材の製造方法。
  4. 前記雰囲気は、塩素と窒素との混合ガスであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の光ファイバ母材の製造方法。
  5. 前記第１の熱処理工程および前記第２の熱処理工程は、常圧で行われることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の光ファイバ母材の製造方法。
  6. 前記３回の熱処理工程のうち３番目の熱処理工程である第３の熱処理工程では、減圧下で、１４００℃から１５５０℃の間の処理温度で前記多孔質母材を焼結することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の光ファイバ母材の製造方法。
  7. 請求項１〜６の何れか１項に記載の光ファイバ母材の製造方法にて製造された光ファイバ母材を線引きすることにより光ファイバを製造することを特徴とする光ファイバの製造方法。
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