JPWO2014084091A1 - 研磨組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、シリコンあるいはその他の化合物半導体の単結晶インゴットをスライスし、ラッピングし、エッチングして得られた薄い円板状のシリコン等を被研磨物として研磨(以下ポリッシングと記載することもある)を行なうことでウェーハを作製する。
さらに、前記ウェーハの表面に微細な電気回路を形成する際にも、回路が形成されたウェーハ表面を研磨することが行なわれている。かかる各研磨工程では、通常、砥粒を含む研磨組成物を用いて研磨することが行われている。
かかる研磨後の汚染の一因となるウェーハ表面に残留する砥粒や研磨カス等の異物を除去しやすくするために、ウェーハ表面に対して親水性を有する親水性水溶性高分子を研磨組成物に配合することが行なわれている。
例えば、特許文献1には、前記親水性水溶性高分子として、ヒドロキシエチルセルロースを使用した研磨組成物が記載されている。
例えば、特許文献2および3には、シラン等で表面処理することで、研磨組成物中での砥粒の分散性を高めることが記載されている。
特許文献4には、アルミン酸イオン、ホウ酸などで表面処理を行なったコロイダルシリカ、または、表面電位を制御したコロイダルシリカが記載されている。
しかし、かかる表面処理を施した砥粒であっても、ヒドロキシエチルセルロースと共に研磨組成物中に存在させた場合には凝集を抑制することは困難である。
下記一般式(1)で表される単量体とビニルエステル系単量体との共重合体であって、側鎖に1,2−ジオール構造を有するポリビニルアルコール系樹脂と、
有機酸と、
pH2.0以上の溶液中で表面のゼータ電位がマイナスであり且つ等電点を持たないように表面が化学修飾された砥粒とを含む。
(但し、式中、R1〜R6はそれぞれ独立して水素原子または有機基を示し、Xは単結合または連結基を示し、R7及びR8は、それぞれ独立して水素原子またはR9−CO−(式中、R9はアルキル基を示す。)を示す。)
本実施形態の研磨組成物は、以下のA〜C成分を含むものである。
A:下記一般式(1)で表される単量体とビニルエステル系単量体との共重合体であって、側鎖に1,2−ジオール構造を有するポリビニルアルコール系樹脂
B:有機酸
C:pH2.0以上の溶液中で表面のゼータ電位がマイナスであり且つ等電点を持たないように表面が化学修飾された砥粒
(但し、式中、R1〜R6はそれぞれ独立して水素原子または有機基を示し、Xは単結合または連結基を示し、R7及びR8は、それぞれ独立して水素原子またはR9−CO−(式中、R9はアルキル基を示す。)を示す。)
本実施形態の研磨組成物は、前記一般式(1)で表される単量体とビニルエステル系単量体との共重合体であって、側鎖に1,2−ジオール構造を有するポリビニルアルコール系樹脂を含む。
前記側鎖に1,2−ジオール構造を有するポリビニルアルコール系樹脂は、被研磨物に対する親水性を有するため、被研磨物表面に残留砥粒や研磨カス等が付着しにくくなる。同時に、前記C成分の砥粒と併存している場合にも、砥粒が凝集することを抑制する。
中でも、酢酸ビニルが、安価で入手しやすいため好ましい。
R1〜R6は、すべて水素原子であることが好ましい。
R1〜R6が有機基である場合には、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基などが挙げられる。また、前記有機基は、ハロゲン基、水酸基、エステル基、カルボン酸基、スルホン酸基等の置換基を有していてもよい。
前記Xが連結基である場合には、アルキレン、アルケニレン、アルキニレン、フェニレン、ナフチレン等の炭化水素(これらの炭化水素はフッ素、塩素、臭素等のハロゲン等で置換されていても良い)、−O−、−(CH2O)m−、−(OCH2)m−、−(CH2O)mCH2−、−CO−、−COCO−、−CO(CH2)mCO−、−CO(C6H4)CO−、−S−、−CS−、−SO−、−SO2−、−NR−、−CONR−、−NRCO−、−CSNR−、−NRCS−、−NRNR−、−HPO4−、−Si(OR)2−、−OSi(OR)2−、−OSi(OR)2O−、−Ti(OR)2−、−OTi(OR)2−、−OTi(OR)2O−、−Al(OR)−、−OAl(OR)−、−OAl(OR)O−(Rは各々独立して任意の置換基であり、水素原子、アルキル基が好ましく、またmは自然数である)等が挙げられる。
中でも、前記Xは、製造時あるいは使用時の安定性の点で炭素数6以下のアルキレン基であることが好ましく、特に、メチレン基であることが好ましい。
これらの他の単量体としては、例えば、エチレンやプロピレン等のαーオレフィン;3−ブテン−1−オール、4−ペンテン−1−オール等のヒドロキシ基含有α−オレフィン類およびそのアシル化物などの誘導体;イタコン酸、マレイン酸、アクリル酸等の不飽和酸類あるいはその塩あるいはモノ又はジアルキルエステル;アクリロニトリル、メタアクリロニトリル等のニトリル類;アクリルアミド、メタクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド等のアミド類;エチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、メタアリルスルホン酸等のオレフィンスルホン酸あるいはその塩などの化合物;アルキルビニルエーテル類、ジメチルアリルビニルケトン、N−ビニルピロリドン、塩化ビニル、ビニルエチレンカーボネート、2,2−ジアルキル−4−ビニル−1,3−ジオキソラン、グリセリンモノアリルエーテル、3,4−ジアセトキシ−1−ブテン等のビニル化合物;酢酸イソプロペニル、1−メトキシビニルアセテート等の置換酢酸ビニル類;塩化ビニリデン;1,4−ジアセトキシ−2−ブテン;ビニレンカーボネート等が挙げられる。
重合には重合触媒を用いてもよく、前記重合触媒としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、過酸化アセチル、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウリル等の公知のラジカル重合触媒やアゾビスジメチルバレロニトリル、アゾビスメトキシジメチルバレロニトリル等の低温活性ラジカル重合触媒等が挙げられる。
共重合反応の反応温度は、使用する溶媒や圧力により異なるが、例えば、30℃〜沸点程度で行われ、より具体的には、35〜150℃、好ましくは40〜75℃の範囲で行われる。
前記ケン化は、例えば、前記共重合体をアルコール等の溶媒に溶解し、アルカリ触媒又は酸触媒を用いて行うことができる。
前記溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、tert−ブタノール等が挙げられる。
また、ケン化に使用される触媒としてはアルカリ触媒、酸触媒が挙げられ、アルカリ触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチラート、カリウムメチラート、リチウムメチラート等のアルカリ金属の水酸化物やアルコラート等が挙げられる。また、酸触媒としては、硫酸、塩酸、硝酸、メタスルフォン酸、ゼオライト、カチオン交換樹脂等が挙げられる。
ケン化反応の反応温度は特に限定されないが、10〜60℃が好ましく、より好ましくは20〜50℃である。
前記ポリビニルアルコール系樹脂としては、市販品として入手できるもの、例えば、商品名:Gポリマー(日本合成化学工業社製)等を用いてもよい。
本実施形態の研磨組成物は、有機酸を含む。
前記有機酸は、研磨速度の調整剤及びキレート剤として主に機能する。
研磨組成物を使用してウェーハ等の被研磨物を研磨する場合に、研磨組成物材料や被研磨物由来の金属不純物が研磨組成物に混入する場合がある。かかる金属不純物がウェーハ等に付着した場合には、ウェーハ表面に生じる微細な孔(ピット:pit)等の原因となる。
本実施形態の研磨組成物は、前記有機酸を含むことで、金属不純物が混入した場合にも、該金属不純物由来の金属イオンと有機酸とがキレート錯体を形成して、被研磨物に付着することを抑制できる。
中でも、前記有機酸がアミノカルボン酸系キレート剤およびホスホン酸系キレート剤からなる群から選択される1種以上のキレート剤であることが好ましい。
前記アミノカルボン酸系キレート剤としては、例えば、ニトリロ三酢酸(NTA)、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、トリエチレンテトラミン六酢酸(TTHA)、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(HEDTA Hydroxyethyl Ethylene Diamine Triacetic Acid)、1,3−プロパンジアミン四酢酸(PDTA 1,3-Propanediamine Tetraacetic Acid)、1,3−ジアミノ−2−ヒドロキシプロパン四酢酸(DPTA−OH 1,3-Diamino-2-hydroxypropane Tetraacetic Acid)、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸(HIDA Hydroxyethyl Imino Diacetic Acid)、ジヒドロキシエチルグリシン(DHEG Dihydroxyethyl Glycine)、グリコールエーテルジアミン−N,N,N’,N’−四酢酸(GEDTA Glycol Ether Diamine Tetraacetic Acid)、ジカルボキシメチルグルタミン酸(CMGA Dicarboxymethyl Glutamic Acid)、エチレンジアミンコハク酸三ナトリウム(EDDS (S,S)‐Ethylene Diamine Disuccinic Acid)、およびこれらのアミン塩等が挙げられる。
前記ホスホン酸系キレート剤としては、ヒドロキシエチリデン二リン酸(HEDP)、ニトリロトリス(メチレンリン酸)(NTMP)、フォスフォノブタントリカルボン酸(PBTC)、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸(EDTMP Ethylene Diamine Tetra(Methylene Phosphonic Acid)等が挙げられる。
前記有機酸の含有量が前記範囲であれば、研磨後の被研磨物上に金属が残留することを抑制できる。
すなわち、表面に化学修飾がされていないコロイダルシリカ等の砥粒や、ヒドロキシエチルセルロースを含む研磨組成物中に有機酸を配合した場合には、有機酸がキレート剤として機能できずに、金属の付着を十分に抑制することができない場合がある。これは、おそらく、コロイダルシリカ表面の何らかの官能基と有機酸とが反応を生じる、あるいは、HECと反応することで、キレート剤として機能できる有機酸の割合が減少するためと考えられる。
例えば、通常コロイダルシリカ表面には、Si−O-等が存在しており、この中のSi−O-と有機酸から生じたH+とが反応することでシラノール基が生じ、有機酸中のカルボキシル基およびホスホノ基が前記シラノール基と配位結合を生じることで、研磨組成物中でキレート剤として機能しうる有機酸が減少する
本実施形態の研磨組成物は、前記有機酸を前記ポリビニルアルコール系樹脂及び前記砥粒と併存させることで、前記砥粒の表面における有機酸の反応を抑制し、キレート剤として機能しうる有機酸を多く研磨組成物中に存在させておくことができる。
本実施形態の研磨組成物は、pH2.0以上の溶液中で表面のゼータ電位がマイナスであり且つ等電点を持たないように表面が化学修飾された砥粒を含む。
前記砥粒は、例えば、二酸化ケイ素、アルミナ、セリア、ジルコニアなどの公知の砥粒粒子が挙げられる。
中でも、二酸化ケイ素からなる砥粒が好ましく、特には、コロイダルシリカ、フュームドシリカ等が好ましい。
前記砥粒は、例えば、表面に、カチオン性またはアニオン性の官能基を付与することで、特定のpHの溶液中で、ゼータ電位の絶対値を大きくすることにより、溶液中の分散性を高めることができる。
本実施形態の研磨組成物は、有機酸を含むため、酸性溶液中でマイナスのゼータ電位を有するアニオン性の官能基による化学修飾をされている砥粒が好ましい。
かかる、酸性溶液中でアニオン性を有する官能基としては、例えば、スルホン酸基等が挙げられる。
また、本実施形態の砥粒は、前記ゼータ電位が0となる点、すなわち、等電点を持たないに持つような砥粒であることが好ましい。
さらに、pH2.0以上11以下の酸性溶液中においてゼータ電位が−15mV以下、好ましくは−70mV〜−20mVであることが好ましい。
本実施形態の砥粒としては、いずれのpH溶液中でもゼータ電位が0となる点がなく、且つpHによるゼータ電位の変動が小さく、pH2.0以上11以下の酸性溶液中において常に前記マイナスのゼータ電位であるような砥粒であることが特に好ましい。
尚、本実施形態における砥粒のゼータ電位および等電点とは、例えば、装置ELS−Z2を用いて電気泳動法によって測定されるゼータ電位によって決定される値をいう。
尚、前記一次粒子径はBET法、二次粒子径は動的光散乱法によって測定した粒子径をいい、前記会合度は二次粒子径を一次粒子径で割った数値である。
前記砥粒の含有量が前記範囲であれば、研磨速度を維持しつつ、過剰な量の砥粒による凝集を抑制できる。
尚、本実施形態の研磨組成物に前記他の成分が含まれている場合には、例えば、1質量%以下、好ましくは0.0001質量%〜0.5質量%である。
前記範囲である場合には、本実施形態の研磨組成物の効果を損なうことなく、且つ、例えば、有機酸の溶解性を高めるなどの他の成分の効果を効果的に発揮させうる。
前記液体としては水が好ましい。水は、前記成分A〜Cの各種作用を阻害することを抑制するために、蒸留水、脱イオン水などのできるだけ不純物の少ないものを用いることが好ましい。
あるいは、使用時の濃度よりも各成分が高濃度になるように水に混合しておき、使用する際に、所定の濃度に希釈する濃縮液としておいてもよい。研磨組成物を濃縮液とする場合には、例えば、100倍程度までの範囲で目的に応じて希釈して使用するように調整することが好ましい。
尚、前記各成分の含有量の範囲は研磨組成物として使用時の含有量範囲を示しており、濃縮液とする場合には、希釈後の各成分の含有量が前記各範囲になるように調整することが好ましい。
すなわち、ウェーハに対する濡れ性が良好であるため、研磨後の洗浄が容易であり、砥粒残りや研磨クズを効率よく除去することができる。
また、砥粒が凝集しにくいため、フィルタリング時に目詰まりしにくく、研磨時に凝集砥粒によるウェーハへのダメージや汚染を抑制できる。
さらに、研磨組成物あるいはウェーハ等由来の金属が研磨組成物中に存在している場合でも、金属がウェーハ表面に付着することを抑制する。
従って、被研磨物への砥粒の凝集及び金属不純物によるダメージや汚染を低減することができる。
本実施例の研磨組成物の材料として以下のものを準備した。
《水溶性高分子》
HEC:ヒドロキシセルロース
ポリビニルアルコール系樹脂:前記式(1)の単量体(但し、R1乃至R8がすべて水素原子であって、Xは単結合)と、ビニルアルコールとの共重合体(平均重合度2000、重量平均分子量約80000)
《酸/アルカリ成分》
有機酸:DTPA
塩酸
アンモニア
《砥粒》
砥粒1:コロイダルシリカ (商品名 PL−3、扶桑化学工業社製)
砥粒2:表面修飾コロイダルシリカ(商品名 PL−3D、扶桑化学工業社製)
《水》
脱イオン水
以下の表1に記載の配合の研磨組成物(濃縮タイプの原液)を作製した。尚、表中の数値は重量%、塩酸、アンモニア、DTPAについてはそれぞれ100%塩酸、アンモニア及びDTPAを用いた場合の換算値である。HEC、ポリビニルアルコール系樹脂については、固形成分換算値である。
前記研磨組成物(濃縮タイプの原液)を脱イオン水で30倍に希釈した研磨組成物を各評価に用いた。
前記実施例1、比較例1乃至3を用いて以下の条件で、ウェーハの研磨を行い、研磨後のウェーハの金属濃度及びLPD(Light Point Defect)を以下の方法で測定した結果を表2に示した。
また、各研磨組成物の研磨前のpHを、pHメーター(堀場製作所社製)を用いて測定した結果も表2に示した。
尚、金属濃度およびLPDは3枚のウェーハを用いた
研磨装置:20inch single side polisher(Strasbaugh社製)
研磨パッド:Supreme RN−H(ニッタ・ハース社製)
定盤速度:100/115 rpm
研磨荷重面圧:100gf/cm2
研磨組成物の流量:300ml/min
被研磨物:シリコンウェーハ(直径200mm)
研磨時間:300s
金属濃度は、前記研磨条件で研磨した後のウェーハを75℃のアンモニア過水水溶液で5分間SC−1洗浄した後に、ウェーハをHF蒸気に暴露させ、NAS技研製SC3000を用いてウェーハ表面のエッチング液の回収を行った。回収液はAgilent製7500CSを用いてICP−MS分析を行い、シリコンウェーハに対する金属汚染濃度の算出を行った。
LPDは、前記研磨条件で研磨した後のウェーハを75℃のアンモニア過水水溶液で5分間SC−1洗浄した後に、日立エンジニアリング社製LS6600を用いて60nm以上のディフェクト測定を行った。
比較例1は、擬似汚染源を添加しなかった研磨組成物であるが、実施例1は、この比較例1で研磨した後のウェーハと同等以上に金属汚染濃度が低かった。
一方、DTPAに代えてアンモニアを配合した比較例2では、ある程度は金属汚染およびLPDは抑制できたものの、ニッケルおよび銅については、実施例1ほど汚染を低減できなかった。
DTPAに代えて塩酸を配合した比較例3については、LPDの値が測定不能な程度まで高く、特に、銅については極めて高い汚染濃度であった。
尚、LPDの値が測定不能とは、LPDカウント数が≧30000個以上になり、装置が測定を停止することをいう。
表3に示す配合研磨組成物(濃縮タイプの原液)を作製後、23℃で12時間以上静置した後に、脱イオン水で30倍に希釈した研磨組成物について、以下の分析を行なった。
尚、No.13の組成物は実施例2である。
また、各組成物をNMR式湿式比表面積測定装置(acorn area、Xigo社製)を用いて粒子径及び比表面積を測定した。
さらに、各組成物中における砥粒のゼータ電位は、ゼータ電子測定装置(装置名ELS−Z2、大塚電子社製)で測定した。結果を表4に示す。
No.5は表面の修飾がない一般的なコロイダルシリカ(砥粒1)の水分散液であり、No.6は表面修飾コロイダルシリカ(砥粒2)の水分散液である。両者を比較すると、表面修飾コロイダルシリカは、一般的なコロイダルシリカに比べてゼータ電位の絶対値が大きい。
No.7とNo.8とは、ポリビニルアルコール系樹脂を、それぞれ砥粒1と、砥粒2とに組みあわせた組成物であるが、砥粒1と組み合わせた組成物中の粒子は砥粒2と組み合わせた組成物中の粒子にくらべて比表面積が小さい、すなわち、水分散性が悪いことがわかる。従って、より凝集が生じやすい。
HECを配合したNo.9とNo.10は、いずれも、粒子径が大きい、すなわち、砥粒の凝集が生じていることがわかる。
一方、有機酸としてのDTPAを配合して、pHを3.7にした組成物No.11は、ゼータ電位が0.3と0に近く、すなわち、砥粒1はこのpH域においてゼータ電位が0に近い(等電点を持っている)ことが明らかである。一方、pH3.5のNo.12では、ゼータ電位は−33と低いため、砥粒2の等電点はpH3.5付近ではないことがこの結果からも明らかである。
すなわち、No.11では、作製後時間があまり経過していない測定時においては、凝集はさほどみられないが、長時間経過した場合には凝集が進むものと推定される。
No.8と、No.13(実施例2)とを比較すると、有機酸としてのDTPAの有無によって、粒子径、ゼータ電位は大きく相違していない。すなわち、砥粒やポリビニルアルコール系樹脂と、DTPAは反応していないと考えられる。
一方、No.5と、No.11とを比較すると、DTPAの有無で、ゼータ電位が大きく変わっている。すなわち、DTPAが砥粒と反応を起している(吸着されている)ものと考えられる。
また、一般的なコロイダルシリカ(砥粒1)とHECと組み合わせたNo.9と、これにDTPAを加えたNo.14を比較すると、DTPAが配合されたNo.14では砥粒の粒子径がかなり大きくなっており、すなわち凝集が進んでいることがわかる。一方、No.14の砥粒を表面修飾された砥粒2に変えた場合(No.15)においてもDTPAが配合されることで、DTPAの入っていないNo.10と比較すると凝集は進んでいる。つまり、HECを配合した系において有機酸が併存している場合には砥粒の凝集が進むことがわかる。
前記砥粒1および砥粒2を、pHの変化によるゼータ電位の変化を測定した。
各砥粒は、pH=7の20重量%シリカ水溶液にHCl水溶液及びNaOH水溶液を添加してpH調整を行った後に、図1に示す各pHにおける前記ゼータ電子測定装置(装置名ELS−Z2、大塚電子社製)で測定した。
図1に示すように、砥粒2は、pHの変動によるゼータ電位の変動は極めて少なく、且つ、pH2.0から11の領域でマイナスのゼータ電位を示した。また、等電点はこの範囲において認められなかった。一方、砥粒1は、pHの変動によるゼータ電位の変動も大きかった。また、pH4.0付近に等電点を有していた。
Claims (2)
- 前記有機酸が、アミノカルボン酸系キレート剤およびホスホン酸系キレート剤からなる群から選択される1種以上のキレート剤である請求項1に記載の研磨組成物。
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