JP2022022185A - タングステンパターンウエハ研磨用cmpスラリー組成物およびそれを用いたタングステンパターンウエハの研磨方法 - Google Patents
タングステンパターンウエハ研磨用cmpスラリー組成物およびそれを用いたタングステンパターンウエハの研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022022185A JP2022022185A JP2021120730A JP2021120730A JP2022022185A JP 2022022185 A JP2022022185 A JP 2022022185A JP 2021120730 A JP2021120730 A JP 2021120730A JP 2021120730 A JP2021120730 A JP 2021120730A JP 2022022185 A JP2022022185 A JP 2022022185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon atoms
- substituted
- unsubstituted
- group
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 114
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 69
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 68
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 68
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 86
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 61
- 239000003139 biocide Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 21
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 126
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 60
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 28
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 26
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 24
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 21
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 20
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 17
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 16
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 14
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 14
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 11
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 5
- 125000005346 substituted cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 abstract description 14
- 244000005700 microbiome Species 0.000 abstract description 8
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 abstract 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- -1 alcohol amines Chemical class 0.000 description 20
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical group [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical class S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001963 growth medium Substances 0.000 description 2
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N (2e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N 0.000 description 1
- VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N (2s)-2-[2-[[(1s)-1,2-dicarboxyethyl]amino]ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)NCCN[C@H](C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-WDSKDSINSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 0 **N1C2OC2C*C*1 Chemical compound **N1C2OC2C*C*1 0.000 description 1
- UUIVKBHZENILKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-dibromo-2-cyanoacetamide Chemical compound NC(=O)C(Br)(Br)C#N UUIVKBHZENILKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKZRWSNIWNFCIQ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(1,2-dicarboxyethylamino)ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)NCCNC(C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGMNQPKGRCRYQP-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethylamino]ethyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCNCCN(CC(O)=O)CC(O)=O AGMNQPKGRCRYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C(C)CN(CC(O)=O)CC(O)=O XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCCN(CC(O)=O)CC(O)=O DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHVLDKHFGIVEIP-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-2-(bromomethyl)pentanedinitrile Chemical compound BrCC(Br)(C#N)CCC#N DHVLDKHFGIVEIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZWXWSVCNSPBLH-UHFFFAOYSA-N 3-(3-aminopropyl-methoxy-methylsilyl)oxypropan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(OC)OCCCN MZWXWSVCNSPBLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNKGZSOYWMQDTK-UHFFFAOYSA-N 3-iodoprop-1-ynyl N-butylcarbamate Chemical compound CCCCNC(=O)OC#CCI DNKGZSOYWMQDTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUGAOYSWHHGDJY-UHFFFAOYSA-K 5-hydroxy-2,8,9-trioxa-1-aluminabicyclo[3.3.2]decane-3,7,10-trione Chemical compound [Al+3].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O ZUGAOYSWHHGDJY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920001817 Agar Polymers 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- LVDKZNITIUWNER-UHFFFAOYSA-N Bronopol Chemical compound OCC(Br)(CO)[N+]([O-])=O LVDKZNITIUWNER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000222120 Candida <Saccharomycetales> Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- SXRSQZLOMIGNAQ-UHFFFAOYSA-N Glutaraldehyde Chemical compound O=CCCCC=O SXRSQZLOMIGNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002595 Solanum tuberosum Nutrition 0.000 description 1
- 244000061456 Solanum tuberosum Species 0.000 description 1
- 241000191967 Staphylococcus aureus Species 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 1
- JGDFPHKQQFLDRY-UHFFFAOYSA-N [NH4+].[NH4+].CC(O)=O.CC(O)=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.NCCN Chemical compound [NH4+].[NH4+].CC(O)=O.CC(O)=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O.NCCN JGDFPHKQQFLDRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000008272 agar Substances 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009697 arginine Nutrition 0.000 description 1
- 239000003124 biologic agent Substances 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N bromic acid Chemical compound OBr(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N chloric acid Chemical compound OCl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005991 chloric acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229940006199 ferric cation Drugs 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004554 glutamine Nutrition 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000262 haloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000232 haloalkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000014304 histidine Nutrition 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- NEOOEFDJRSCWOU-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate;hydrate Chemical compound O.[Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O NEOOEFDJRSCWOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPFOYSMITVOQOS-UHFFFAOYSA-K iron(III) citrate Chemical compound [Fe+3].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NPFOYSMITVOQOS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 235000018977 lysine Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N n'-(3-triethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCN INJVFBCDVXYHGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIAYYZGZMJDALI-UHFFFAOYSA-N n'-(triethoxysilylmethyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CNCCN CIAYYZGZMJDALI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHBRUUFBSBSTHM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-(3-trimethoxysilylpropylamino)ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCNCCN NHBRUUFBSBSTHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLBPOJLDZXHVRR-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCNCCN YLBPOJLDZXHVRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJIIFHZKHAFVIF-UHFFFAOYSA-N n'-[[diethoxy(methyl)silyl]methyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CNCCN PJIIFHZKHAFVIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPMIIZHYYWMHDT-UHFFFAOYSA-N octhilinone Chemical compound CCCCCCCCN1SC=CC1=O JPMIIZHYYWMHDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010292 orthophenyl phenol Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002081 peroxide group Chemical group 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 235000013930 proline Nutrition 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 235000004400 serine Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002374 tyrosine Nutrition 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014393 valine Nutrition 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01N—PRESERVATION OF BODIES OF HUMANS OR ANIMALS OR PLANTS OR PARTS THEREOF; BIOCIDES, e.g. AS DISINFECTANTS, AS PESTICIDES OR AS HERBICIDES; PEST REPELLANTS OR ATTRACTANTS; PLANT GROWTH REGULATORS
- A01N25/00—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators, characterised by their forms, or by their non-active ingredients or by their methods of application, e.g. seed treatment or sequential application; Substances for reducing the noxious effect of the active ingredients to organisms other than pests
- A01N25/02—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators, characterised by their forms, or by their non-active ingredients or by their methods of application, e.g. seed treatment or sequential application; Substances for reducing the noxious effect of the active ingredients to organisms other than pests containing liquids as carriers, diluents or solvents
- A01N25/04—Dispersions, emulsions, suspoemulsions, suspension concentrates or gels
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01N—PRESERVATION OF BODIES OF HUMANS OR ANIMALS OR PLANTS OR PARTS THEREOF; BIOCIDES, e.g. AS DISINFECTANTS, AS PESTICIDES OR AS HERBICIDES; PEST REPELLANTS OR ATTRACTANTS; PLANT GROWTH REGULATORS
- A01N33/00—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing organic nitrogen compounds
- A01N33/16—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing organic nitrogen compounds containing nitrogen-to-oxygen bonds
- A01N33/18—Nitro compounds
- A01N33/20—Nitro compounds containing oxygen or sulfur attached to the carbon skeleton containing the nitro group
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01N—PRESERVATION OF BODIES OF HUMANS OR ANIMALS OR PLANTS OR PARTS THEREOF; BIOCIDES, e.g. AS DISINFECTANTS, AS PESTICIDES OR AS HERBICIDES; PEST REPELLANTS OR ATTRACTANTS; PLANT GROWTH REGULATORS
- A01N37/00—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing organic compounds containing a carbon atom having three bonds to hetero atoms with at the most two bonds to halogen, e.g. carboxylic acids
- A01N37/34—Nitriles
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01P—BIOCIDAL, PEST REPELLANT, PEST ATTRACTANT OR PLANT GROWTH REGULATORY ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR PREPARATIONS
- A01P1/00—Disinfectants; Antimicrobial compounds or mixtures thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Zoology (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Environmental Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Pest Control & Pesticides (AREA)
- Plant Pathology (AREA)
- Dentistry (AREA)
- Agronomy & Crop Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
【課題】本発明の目的は、カビ及び/又は細菌等を含む微生物に対する組成物の安定性が改善されたタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を提供することである。【解決手段】極性溶媒および非極性溶媒から選択される1種以上の溶媒;研磨剤;ならびに殺生物剤を含み、前記研磨剤は、窒素個数が2個のシランおよび窒素個数が3個のシランから選択される1種以上で改質されたシリカを含み、前記殺生物剤は化学式3の化合物を含むものである、タングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物およびそれを用いたタングステンパターンウエハの研磨方法を提供する。【選択図】なし
Description
本発明は、タングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物およびそれを用いたタングステンパターンウエハの研磨方法に関する。より詳しくは、本発明は、カビ及び/又は細菌等を含む微生物に対する組成物の安定性を改善し、タングステンパターンウエハの研磨速度および平坦性を改善したタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物およびそれを用いたタングステンパターンウエハの研磨方法に関するものである。
基板の表面を研磨(又は平坦化)するための化学的且つ機械的研磨(CMP)スラリー組成物および方法は、関連技術分野において公知となっている。半導体基板上の金属層(例えば、タングステン)を研磨するための研磨組成物は、水溶液中に懸濁した研磨剤粒子と、化学的促進剤、例えば、酸化剤、触媒等とを含むことができる。
CMPスラリー組成物で金属層を研磨する工程は、初期金属層だけを研磨する段階、金属層とバリア層を研磨する段階、金属、バリア層、酸化膜を研磨する段階で行われる。このうち、金属層、バリア層、酸化膜を研磨する段階でタングステンパターンウエハ研磨組成物が使用されるが、金属層と酸化膜が適切な研磨速度で研磨されなければ、優れた研磨平坦化を達成することができない。
一方、CMPスラリー組成物は、製造直後、すぐに使用することもできるが、大部分のものは、製造、移送等のため、製造直後にすぐに使用することができない。このとき、貯蔵期間中にCMPスラリー組成物中で微生物が繁殖すると、CMPスラリー組成物のろ過時にフィルターの詰まりが起こり、半導体製造設備自体が汚染されて工程性が落ちる場合がある。
本発明の目的は、カビ及び/又は細菌等を含む微生物に対する組成物の安定性が改善されたタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を提供することである。
本発明の他の目的は、タングステンパターンウエハ研磨時の研磨速度および平坦性を改善したタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を提供することである。
本発明のタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物は、極性溶媒および非極性溶媒から選択される1種以上の溶媒;研磨剤;ならびに殺生物剤(biocide)を含み、前記研磨剤は、窒素個数が2個のシランおよび窒素個数が3個のシランから選択される1種以上で改質されたシリカを含み、前記殺生物剤は下記化学式3の化合物を含む:
Rは、炭素(C)又は2価~4価の有機基であり、
X4は、ハロゲン又はハロゲン含有1価の有機基であり、
X5は、シアノ基(-C≡N)、ニトロ基(-NO2)、シアノ基含有1価の有機基、またはニトロ基含有1価の有機基であり、
Y6、Y7は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換または非置換の炭素数6~20のアリール基、置換または非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素数7~20のアリールアルキル基、置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素数6~20のアリールオキシ基、或いは-C(=O)-NZ1Z2(ここで、Z1、Z2は、それぞれ独立して、水素、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、或いは置換または非置換の炭素数6~20のアリール基)である]。
本発明のタングステンパターンウエハの研磨方法は、本発明のタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を用いてタングステンパターンウエハを研磨する段階を含む。
本発明は、カビ及び/又は細菌等を含む微生物に対する組成物の安定性が改善されたタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を提供することができる。
本発明は、タングステンパターンウエハ研磨時の研磨速度と平坦性を改善したタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を提供することができる。
本明細書において、「置換または非置換の」の「置換」は、該当官能基の1個以上の水素原子が、水酸基、ハロゲン、炭素数1~10のアルキル基またはハロアルキル基、炭素数2~10のアルケニル基またはハロアルケニル基、炭素数2~10のアルキニル基またはハロアルキニル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、炭素数3~10のシクロアルケニル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアリールアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数6~30のアリールオキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基またはチオール基のいずれかで置換されたことを意味する。
本明細書において、「1価の有機基」は、1価の脂肪族炭化水素基、1価の脂環族炭化水素基または1価の芳香族炭化水素基を意味し得る。
本明細書において、「1価の脂肪族炭化水素基」は、置換または非置換の炭素数1~20の直鎖状または分枝状のアルキル基、好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~5のアルキル基であり得る。
本明細書において、「1価の脂環族炭化水素基」は、置換または非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、好ましくは炭素数3~10、より好ましくは炭素数3~5のシクロアルキル基であり得る。
本明細書において、「1価の芳香族炭化水素基」は、置換または非置換の炭素数6~30のアリール基、或いは置換または非置換の炭素数7~30のアリールアルキル基、好ましくは炭素数6~10のアリール基、炭素数7~10のアリールアルキル基であり得る。
本明細書において、「2価の有機基」は、2価の脂肪族炭化水素基、2価の脂環族炭化水素基または2価の芳香族炭化水素基を意味し得る。
本明細書において、「2価の脂肪族炭化水素基」、「2価の脂環族炭化水素基」又は「2価の芳香族炭化水素基」は、前述の「1価の脂肪族炭化水素基」、「1価の脂環族炭化水素基」、「1価の芳香族炭化水素基」がそれぞれ2価となった基を意味する。
例えば、「2価の脂肪族炭化水素基」は、置換または非置換の炭素数1~20の直鎖状または分枝状のアルキレン基、好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~5のアルキレン基;「2価の脂環族炭化水素基」は、置換または非置換の炭素数3~20のシクロアルキレン基、好ましくは炭素数3~10、より好ましくは炭素数3~5のシクロアルキレン基;「2価の芳香族炭化水素基」は、置換または非置換の炭素数6~30のアリーレン基、或いは置換または非置換の炭素数7~30のアリールアルキレン基、好ましくは炭素数6~10のアリーレン基、炭素数7~10のアリールアルキレン基であり得る。
本明細書において、数値範囲の記載時の「X~Y」は、X以上Y以下を意味する。
本発明者は、タングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物に、窒素個数が2個のシランおよび窒素個数が3個のシランから選択される1種以上で改質されたシリカを研磨剤として含ませてタングステンパターンウエハに対する研磨速度と平坦性を改善した。また、本発明者は前記組成物に下記の化学式3の化合物を殺生物剤(biocide)としてさらに含ませて殺生物効果を得、前記研磨剤による研磨速度および平坦性の改善効果が低下しないようにした。
本発明のタングステンパターンウエハの研磨用CMPスラリー組成物(以下「CMPスラリー組成物」とする)は、極性溶媒および非極性溶媒から選択される1種以上の溶媒;研磨剤;ならびに殺生物剤を含み、前記研磨剤は、窒素個数が2個のシランおよび窒素個数が3個のシランから選択される1種以上で改質されたシリカを含み、前記殺生物剤は下記化学式3の化合物を含む。
以下、本発明にかかるCMPスラリー組成物中の構成成分について詳しく説明する。
極性溶媒および非極性溶媒から選択される1種以上の溶媒は、タングステンパターンウエハを研磨剤で研磨する際に摩擦を減らすことができる。極性溶媒および非極性溶媒から選択される1種以上は、水(例えば、超純水または脱イオン水)、有機アミン、有機アルコール、有機アルコールアミン、有機エーテル、有機ケトン等であり得る。好ましくは、超純水または脱イオン水を使用することができる。極性溶媒および非極性溶媒から選択される1種以上の溶媒は、CMPスラリー組成物中に残量として含まれ得る。
研磨剤
研磨剤は、絶縁層膜(例:シリコン酸化膜)およびタングステンパターンウエハを速い研磨速度で研磨することができる。
研磨剤は、窒素個数が2個のシランおよび窒素個数が3個のシランから選択される1種以上で改質されたシリカを含む。前記の改質されたシリカは、球形または非球形の粒子であり、1次粒子の平均粒径(D50)が10nm~200nm、具体的には20nm~180nm、より具体的には30nm~150nmであり得る。前記範囲で、本発明の研磨対象の絶縁層膜及びタングステンパターンウエハに対する研磨速度を速めることができ、研磨後の表面欠陥(スクラッチ等)が発生しなくなる。
前記「平均粒径(D50)」は、当業者に知られている通常の粒径を意味し、研磨剤を重量基準で最小から最大の順に分布させたとき、50重量%に該当する粒子の粒径を意味する。
研磨剤の例を挙げると、窒素個数が2個のシランおよび窒素個数が3個のシランから選択される1種以上で改質されたシリカは、CMPスラリー組成物中、0.001重量%~20重量%、好ましくは0.01重量%~10重量%、より好ましくは0.05重量%~5重量%、最も好ましくは0.1重量%~3重量%で含まれることができる。前記範囲で絶縁層膜およびタングステンパターンウエハを十分な研磨速度で研磨することができ、スクラッチが発生しなくなり得、且つシリカの分散安定性が良くなり得る。例えば前記研磨剤、例えば窒素個数が2個のシランおよび窒素個数が3個のシランから選択される1種以上で改質されたシリカは、CMPスラリー組成物中、0.001、0.002、0.003、0.004、0.005、0.006、0.007、0.008、0.009、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19又は20重量%含まれることができる。
研磨剤は、窒素個数が2個のシランおよび窒素個数が3個のシランから選択される1種以上で改質されたシリカを含む。前記の改質されたシリカは、改質されていないシリカ又は窒素個数が1個のアミノシランで改質されたシリカに比べて、研磨速度および平坦性を著しく改善することができ、スクラッチも減らすことができる。また、前記の改質されたシリカは、従来の強酸性に比べてpHが高い弱酸性のpH範囲でも高いタングステンパターンウエハの研磨速度を具現できる。
前記の改質されたシリカは、表面に陽電荷を備え、10mV~60mVの表面電位を有することができる。前記範囲で、平坦性の改善効果および研磨後の欠陥の改善効果を得ることができる。
一具体例において、シリカは下記で詳しく述べる窒素個数が2個のアミノシランおよび窒素個数が3個のアミノシランから選択される1種以上で改質できる。
窒素個数が2個のシランおよび窒素個数が3個のシランから選択される1種以上で改質されたシリカは、改質されていないシリカに改質しようとする化合物、その陽イオン又はその塩を添加した後、所定時間反応させることにより行うことができる。改質されていないシリカには、コロイダルシリカおよびヒュームドシリカから選択される1種以上が含まれ得、好ましくはコロイダルシリカが含まれ得る。
窒素個数が2個のシラン
窒素個数が2個のシランは、下記化学式1の化合物、下記化学式1の化合物から誘導される陽イオン又は下記化学式1の化合物の塩を含む:
X1、X2、X3は、それぞれ独立して、水素、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換または非置換の炭素数6~20のアリール基、置換または非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素数7~20のアリールアルキル基、置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基、或いは置換または非置換の炭素数6~20のアリールオキシ基であり、
X1、X2、X3の少なくとも一つは、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基、或いは置換または非置換の炭素数6~20のアリールオキシ基であり、
Y1、Y2は、それぞれ独立して、2価の脂肪族炭化水素基、2価の脂環族炭化水素基または2価の芳香族炭化水素基であり、
R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20の1価の脂肪族炭化水素基、置換または非置換の炭素数3~20の1価の脂環族炭化水素基、或いは置換または非置換の炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である)。
一具体例において、研磨剤は前記化学式1の化合物で改質されたシリカを含む。
好ましくは、前記化学式1で、X1、X2、X3は、それぞれ独立して、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基であり、X1、X2、X3の少なくとも一つは、水酸基、或いは置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基である。より好ましくは、前記化学式1で、X1、X2、X3は水酸基あるいは置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基である。これらの構造により、シリカに化学式1の化合物がより安定に結合されることにより、研磨剤の寿命が延長され得る。
好ましくは、前記化学式1で、X1、X2、X3は、それぞれ独立して、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、又は置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基であり、X1、X2、X3の少なくとも一つは、水酸基、或いは置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基である。より好ましくは、前記化学式1で、X1、X2、X3は水酸基あるいは置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基である。これらの構造により、シリカに化学式1の化合物がより安定に結合されることにより、研磨剤の寿命が延長され得る。
好ましくは、Y1、Y2は、それぞれ独立して、2価の脂肪族炭化水素基、より好ましくは、炭素数1~5のアルキレン基であり得る。
好ましくは、前記化学式1で、R1、R2、R3は、それぞれ独立して水素であり、前記化学式1はアミノ基(-NH2)含有シランであり得る。
例えば、前記化学式1の化合物は、アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、アミノエチルアミノプロピルトリエトキシシラン、アミノエチルアミノプロピルメチルジメトキシシラン、アミノエチルアミノプロピルメチルジエトキシシラン、アミノエチルアミノメチルトリエトキシシラン、およびアミノエチルアミノメチルメチルジエトキシシランから選択される1種以上を含むことができる。
別の具体例において、研磨剤は、前記化学式1の化合物から誘導される陽イオンで改質されたシリカを含む。
前記化学式1の化合物から誘導される陽イオンは、前記化学式1で2個の窒素のうち一つ以上に水素または置換基がさらに結合されることによって形成される陽イオンを意味する。前記陽イオンは、1価の陽イオン~2価の陽イオンになり得る。例えば、前記陽イオンは、下記化学式1-1~下記化学式1-3のいずれかで表すことができる:
R4、R5は、それぞれ独立して、水素、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20の1価の脂肪族炭化水素基、置換または非置換の炭素数3~20の1価の脂環族炭化水素基、或いは置換または非置換の炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である)。
また別の具体例において、研磨剤は、前記化学式1の化合物の塩で改質されたシリカを含む。前記化学式1の化合物の塩は、上述の化学式1の化合物から誘導される陽イオンと陰イオンとの中性の塩を意味する。
前記陽イオンは、上述の化学式1-1~化学式1-3のいずれかで表すことができる。前記陰イオンとしては、ハロゲン陰イオン(例:F-,Cl-,Br-,I-);炭酸陰イオン(例:CO3
2-、HCO3
-)、酢酸陰イオン(CH3COO-)、クエン酸陰イオン(HOC(COO-)(CH2COO-)2)等の有機酸陰イオン;窒素含有陰イオン(例:NO3
-,NO2
-);リン含有陰イオン(例:PO4
3-,HPO4
2-,H2PO4
-);硫黄含有陰イオン(例:SO4
2-,HSO4
-);シアニド陰イオン(CN-)等を挙げることができる。
窒素個数が3個のシラン
窒素個数が3個のシランは、下記化学式2の化合物、下記化学式2の化合物から由来する陽イオン、又は下記化学式2の化合物の塩を含む:
X1、X2、X3は、前記化学式1の定義と同一であり、
Y3、Y4、Y5は、それぞれ独立して、単一結合、2価の脂肪族炭化水素基、2価の脂環族炭化水素基、又は2価の芳香族炭化水素基であり、
R6、R7、R8、R9は、それぞれ独立して、水素、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20の1価の脂肪族炭化水素基、置換または非置換の炭素数3~20の1価の脂環族炭化水素基、或いは置換または非置換の炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である)。
一具体例において、研磨剤は前記化学式2の化合物で改質されたシリカを含む。
好ましくは、前記化学式2で、X1、X2、X3は、それぞれ独立して、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、或いは置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基であり、X1、X2、X3の少なくとも一つは、水酸基、或いは置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基である。より好ましくは、前記化学式2で、X1、X2、X3は、水酸基、或いは置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基である。これらの構造により、シリカに化学式2の化合物がより安定に結合されることにより、研磨剤の寿命が延長され得る。
好ましくは、前記化学式2で、Y3、Y4、Y5は、それぞれ独立して、2価の脂肪族炭化水素基、より好ましくは炭素数1~5のアルキレン基であり得る。
好ましくは、前記化学式2で、R6、R7、R8、R9は、それぞれ独立して水素になって、前記化学式2はアミノ基(-NH2)含有シランであり得る。
例えば、前記化学式2の化合物は、ジエチレントリアミノプロピルトリメトキシシラン、ジエチレントリアミノプロピルトリエトキシシラン、ジエチレントリアミノプロピルメチルジメトキシシラン、ジエチレントリアミノプロピルメチルジエトキシシラン、およびジエチレントリアミノメチルメチルジエトキシシランから選択される1種以上を含むことができる。
別の具体例において、研磨剤は、前記化学式2の化合物から誘導される陽イオンで改質されたシリカを含む。これを通じて改質されたシリカは、表面に陽電荷を備えるようになることにより、タングステンパターンウエハの研磨速度が改善されると共に、平坦性およびスクラッチも改善され得る。
前記化学式2の化合物から誘導される陽イオンは、前記化学式2で窒素に水素または置換基が結合することによって形成される陽イオンを意味する。前記陽イオンは、1価~3価の陽イオンであり得る。例えば、前記陽イオンは下記化学式2-1~下記化学式2-7のいずれかで表すことができる:
R10、R11、R12は、それぞれ独立して、水素、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20の1価の脂肪族炭化水素基、置換または非置換の炭素数3~20の1価の脂環族炭化水素基、或いは置換または非置換の炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である)。
また別の具体例において、研磨剤は、前記化学式2の化合物の塩で改質されたシリカを含む。前記化学式2の化合物の塩は、前述の化学式2の化合物から誘導される陽イオンと陰イオンとの中性塩を意味する。
前記陽イオンは、前述の化学式2-1~化学式2-7のいずれかで表され得る。前記陰イオンには、前記化学式1の塩部分で前述したものと同じ又は異なる陰イオンが含まれ得る。
殺生物剤
CMPスラリー組成物は、前述の改質されたシリカを研磨剤として含むことにより、タングステンパターンウエハの研磨速度を高め、タングステンパターンウエハの研磨面の平坦性を改善することができる。ところが、前述の改質されたシリカによってCMPスラリー組成物は、pHが強酸性から弱酸性に高くなることにより、前記組成物はカビ及び/又は細菌等を含む微生物の増殖によって安定性が損なわれるという問題点があった。このような問題点は、半導体製造工程で前記組成物のろ過時にフィルターの詰まりを起こす場合があり、半導体製造設備を汚染させることがある。
本発明者は、下記化学式3の化合物を殺生物剤として含ませることによって、カビ及び/又は細菌等を含む微生物の増殖を抑制すると同時に、改質されたシリカによるタングステンパターンウエハの研磨速度および平坦性の改善効果を低下させず、殺生物剤を添加しない場合に比べて実質的に同じレベルに研磨性能を維持することができることを確認した。
X4は、ハロゲン又はハロゲン含有1価の有機基であり、
X5は、シアノ基(-C≡N)、ニトロ基(-NO2)、シアノ基含有1価の有機基またはニトロ基含有1価の有機基であり、
Y6、Y7は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換または非置換の炭素数6~20のアリール基、置換または非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素数7~20のアリールアルキル基、置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素数6~20のアリールオキシ基、或いは-C(=O)-NZ1Z2(ここで、Z1、Z2は、それぞれ独立して、水素、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、或いは置換または非置換の炭素数6~20のアリール基)である]。
一具体例において、前記化学式3で、ハロゲンは、F、Cl、Br又はIであり、好ましくはBrであり得る。
一具体例において、前記化学式3のRで、2価の有機基は炭素数2~10の直鎖状または分枝状のアルキレン基、或いは炭素数6~10のアリーレン基になり得る。
一具体例において、前記化学式3で、1価の有機基は、炭素数1~20のアルキル基または炭素数6~20のアリール基であり得る。
好ましくは、殺生物剤は下記化学式4の化合物を含み得る:
X4、X5は、それぞれ前記化学式3の定義と同一であり、
Y8、Y9は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、或いは-C(=O)-NZ1Z2(ここで、Z1、Z2は、それぞれ独立して、水素、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、或いは置換または非置換の炭素数6~20のアリール基)である]。
一具体例において、前記化学式4で、Y8、Y9は、それぞれ独立して、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基置換された炭素数1~20のアルキル基、ニトロ基置換された炭素数1~20のアルキル基、ハロゲン置換された炭素数1~20のアルキル基、水酸基置換された炭素数1~20のアルキル基、又は-C(=O)-NZ1Z2(ここで、Z1、Z2は、それぞれ独立して、水素、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、或いは置換または非置換の炭素数6~20のアリール基である)であり得る。
化学式3のX4、X5、Y6、およびY7、ならびに化学式4のX4、X5、Y6、およびY7は、それぞれ本発明の効果が具現されるように調節することができる。
化学式3の化合物は、下記化学式7~下記化学式9から選択される1種以上であり得る:
化学式3又は化学式4の化合物は、当業者に知られている通常の方法で製造することができ、商業的に市販される製品として使用することもできる。
殺生物剤は、CMPスラリー組成物中、0.001重量%~1重量%、好ましくは0.001重量%~0.5重量%、より好ましくは0.001重量%~0.1重量%、最も好ましくは0.01重量%~0.1重量%で含まれ得る。前記範囲で、CMP組成物の研磨速度および平坦性を改善し、カビ及び/又は細菌等の微生物の増殖を遮断することができる。
例えば、前記殺生物剤は、CMPスラリー組成物中、0.001、0.002、0.003、0.004、0.005、0.006、0.007、0.008、0.009、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9又は1重量%含まれ得る。
CMPスラリー組成物は、酸化剤、触媒、および有機酸から選択される1種以上をさらに含むことができる。
酸化剤は、タングステンパターンウエハを酸化させてタングステンパターンウエハの研磨を容易にさせることができる。
酸化剤には、無機の過化合物、有機の過化合物、臭素酸またはその塩、硝酸またはその塩、塩素酸またはその塩、クロム酸またはその塩、ヨウ素酸またはその塩、鉄またはその塩、銅またはその塩、希土類金属酸化物、遷移金属酸化物、および重クロム酸カリウムから選択される一つ以上が含まれ得る。前記「過化合物」は、一つ以上の過酸化基(-O-O-)を含むか、最高酸化状態の元素を含む化合物である。好ましくは、酸化剤として過化合物を使用することができる。例えば、過化合物は過酸化水素、過ヨウ素酸カリウム、過硫酸カルシウム、およびフェリシアンカリウムから選択される一つ以上、好ましくは過酸化水素である。好ましくは、酸化剤は研磨直前にCMPスラリー組成物に含ませることができる。
酸化剤は、CMPスラリー組成物中、0.01重量%~20重量%、好ましくは0.05重量%~10重量%、より好ましくは0.1重量%~5重量%で含まれ得る。前記範囲で、タングステンパターンウエハの研磨速度を向上させることができる。例えば、前記酸化剤は、CMPスラリー組成物中、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19又は20重量%で含まれ得る。
触媒には、鉄イオン化合物、鉄イオン錯化合物、およびその水和物から選択される1種以上が含まれ得る。
鉄イオン化合物、鉄イオン錯化合物、およびその水和物から選択される1種以上は、タングステンパターンウエハの研磨速度を向上させることができる。
鉄イオン化合物には、鉄3価陽イオン含有化合物が含まれ得る。鉄3価陽イオン含有化合物は、鉄3価陽イオンが水溶液状態で遊離の陽イオンとして存在する化合物であれば、特に制限されない。例えば、鉄3価陽イオン含有化合物は、塩化鉄(FeCl3)、硝酸鉄(Fe(NO3)3)、および硫酸鉄(Fe2(SO4)3)から選択される1種以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。
鉄イオン錯化合物には、鉄3価陽イオン含有錯化合物が含まれ得る。鉄3価陽イオン含有錯化合物には、鉄3価陽イオンが水溶液状態でカルボキシル酸類、リン酸類、硫酸類、アミノ酸類、およびアミン類から選択される1種以上の官能基を有する有機化合物、或いは無機化合物と反応して形成された化合物またはその塩が含まれ得る。前記有機化合物または無機化合物は、シトレート、アンモニウムシトレート、パラトルエンスルホン酸(pTSA)、PDTA(1,3-プロピレンジアミン四酢酸)、EDTA(エチレンジアミン四酢酸)、DTPA(ジエチレントリアミン五酢酸)、NTA(ニトリロ三酢酸)、EDDS(エチレンジアミン-N,N’-ジコハク酸)等であり得るが、これに制限されるものではない。鉄3価陽イオン含有錯化合物の具体的な例としては、クエン酸鉄(ferric citrate)、クエン酸鉄のアンモニウム塩(ferric ammonium citrate)、Fe(III)-pTSA、Fe(III)-PDTA、Fe(III)-EDTA等であり得るが、これに制限されるものではない。
触媒、例えば、鉄イオン化合物、鉄イオンの錯化合物、およびその水和物から選択される1種以上は、CMPスラリー組成物中、0.001重量%~10重量%、好ましくは0.001重量%~5重量%、より好ましくは0.001重量%~1重量%、最も好ましくは0.001重量%~0.5重量%で含むことができる。前記範囲で、タングステン膜の研磨速度を速めることができる。
例えば前記触媒、例えば、鉄イオン化合物、鉄イオンの錯化合物、およびその水和物から選択される1種以上は、CMPスラリー組成物中、0.001、0.002、0.003、0.004、0.005、0.006、0.007、0.008、0.009、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、2、3、4、5、6、7、8、9又は10重量%含むことができる。
有機酸は、マロン酸、マレイン酸、リンゴ酸等のカルボキシ酸やグリシン、イソロイシン、ロイシン、フェニルアラニン、メチオニン、トレオニン、トリプトファン、バリン、アラニン、アルギニン、システイン、グルタミン、ヒスチジン、プロリン、セリン、チロシン、リジン等のアミノ酸になり得る。
有機酸は、CMPスラリー組成物中、0.001重量%~20重量%、好ましくは0.01重量%~10重量%、より好ましくは0.01重量%~5重量%、最も好ましく0.01重量%~1重量%で含むことができる。前記範囲で、タングステンパターンウエハの研磨時に浸食と突出を同時に改善することができる。例えば、前記有機酸は、CMPスラリー組成物中、0.001、0.002、0.003、0.004、0.005、0.006、0.007、0.008、0.009、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19又は20重量%含むことができる。
CMPスラリー組成物は、pHが3~6、好ましくは4~6、より好ましくは5~6になり得る。本発明は、前述の改質されたシリカを研磨剤として使用することにより、従来の強酸性に比べて弱酸性のpHでも高いタングステンパターンウエハの研磨速度を具現することができる。例えば、前記CMPスラリー組成物は、pHが3、3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6、3.7、3.8、3.9、4、4.1、4.2、4.3、4.4、4.5、4.6、4.7、4.8、4.9、5、5.1、5.2、5.3、5.4、5.5、5.6、5.7、5.8、5.9又は6になり得る。
CMPスラリー組成物は、前記pHを合わせるために、pH調節剤をさらに含んでもよい。
pH調節剤には、無機酸、例えば硝酸、リン酸、塩酸、および硫酸から選択される一つ以上が含まれ得、有機酸、例えばpKa値が6以下の有機酸、例えば酢酸およびフタル酸から選択される1種以上が含まれ得る。pH調節剤には、塩基、例えば、アンモニア水、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、炭酸ナトリウム、および炭酸カリウムから選択される1種以上が含まれ得る。
CMPスラリー組成物は、界面活性剤、分散剤、改質剤、表面活性剤等の通常の添加剤をさらに含むことができる。添加剤は、前記組成物中、0.001重量%~5重量%、好ましくは0.001重量%~1重量%、より好ましくは0.001重量%~0.5重量%で含まれ得る。前記範囲で、研磨速度に影響を与えないと共に、添加剤の効果を具現することができる。例えば、前記添加剤は、前記CMPスラリー組成物中、0.001、0.002、0.003、0.004、0.005、0.006、0.007、0.008、0.009、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1、2、3、4又は5重量%で含まれ得る。
本発明のタングステンパターンウエハの研磨方法は、本発明のタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を用いてタングステンパターンウエハを研磨する段階を含む。
以下、本発明の好ましい実施例を通じて本発明の構成および作用をより詳しく説明する。但し、これは本発明の好ましい例示として提示するものであり、如何なる意味でもこれによって本発明が制限されると解釈してはならない。
下記実施例および比較例で使用した成分の具体的な仕様は次の通りである。
(1)改質前の研磨剤:平均粒径(D50)が120nmのコロイダルシリカ(Fuso,PL-7)
(2)pH調節剤:硝酸またはアンモニア水
(2)pH調節剤:硝酸またはアンモニア水
実施例1
前記の改質前の研磨剤の固形分含量当り0.04mmolに該当する下記化学式5の化合物と、前記の改質前の研磨剤とを混合し、pH2.5及び25℃で72時間反応させて、下記化学式5の化合物で改質されたシリカを製造した。
CMPスラリー組成物の総重量に対して、研磨剤として前記の改質されたシリカ1.5重量%、有機酸としてマロン酸0.03重量%、グリシン0.15重量%、鉄イオン含有化合物として硝酸鉄九水和物0.001重量%、エチレンジアミン四酢酸ジアンモニウム塩0.001重量%、殺生物剤として下記化学式7の化合物0.01重量%を含有し、残りは脱イオン水を含む、タングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を製造した。pH調節剤を使用してこのCMPスラリー組成物のpHを5.5に調節した。酸化剤としての過酸化水素が全体CMPスラリー組成物に対して0.3重量%になるように研磨直前に混合した。
実施例2
前記の改質前の研磨剤の固形分含量当り0.04mmolに該当する下記化学式6の化合物と、前記の改質前の研磨剤とを混合し、pH2.5および25℃で72時間反応させて、下記化学式6の化合物で改質されたシリカを製造した。
前記の改質されたシリカを使用して実施例1と同じ方法を実施してCMPスラリー組成物を製造した。
実施例3~実施例5
実施例1で殺生物剤の種類及び/又は含量を下記表1のように変更したことを除いては、実施例1と同じ方法を実施してタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を製造した。
比較例1
実施例1で殺生物剤としての化学式7の化合物を含まなかったことを除いては、実施例1と同じ方法を実施してタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を製造した。
比較例2~比較例6
実施例1で殺生物剤の種類および含量を下記表1のように変更したことを除いては、実施例1と同じ方法を実施してタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を製造した。
実施例1で殺生物剤の種類および含量を下記表1のように変更したことを除いては、実施例1と同じ方法を実施してタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を製造した。
実施例、比較例で使用した殺生物剤を下記に示した。
(1)実施例、比較例で製造されたタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物に対して、細菌およびカビの抑制力を評価し、その結果を下記表1に示した。
カビの汚染面積と細菌の汚染面積(単位:%) 実施例および比較例で製造したCMPスラリー組成物1,000gを2Lのフラスコで2,000rpmで2時間撹拌した混合物を高圧分散方法を用いて分散した。得られたスラリーを目が0.2μmのフィルターを用いてろ過した。
得られたサンプルにカビ(黒カビ)を汚染させた後、サンプル0.5mlを培養地Potato Dextrose Agar Medium(PDA培地,3M社)を使用して10日間40℃で培養した。培養地全体面積に対して、生成した培養菌の総面積の割合(%)をカビ汚染面積として計算した。
また、前記で得られたサンプルに細菌(黄色ブドウ球菌、カンジダ菌)を汚染させた後、サンプル0.5mlを培養地Plate Count Agar Medium(PCA培地,3M社)で10日間40℃で培養させて培養地全体面積に対して、生成された培養菌の総面積の割合(%)を細菌汚染面積として計算した。
(2)実施例で製造したタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物について、下記の研磨評価条件で研磨評価を行った。その結果を下記表1に示した。
[研磨評価条件]
1.研磨機:Reflexion LK 300mm(AMAT社)
1.研磨機:Reflexion LK 300mm(AMAT社)
2.研磨条件
-研磨パッド:VP3100/Rohm and Haas社
-Head速度:35rpm
-Platen速度:33rpm
-研磨圧力:1.5psi
-Retainer Ring Pressure:8psi
-スラリー流量:250ml/分
-研磨時間:60秒
-研磨パッド:VP3100/Rohm and Haas社
-Head速度:35rpm
-Platen速度:33rpm
-研磨圧力:1.5psi
-Retainer Ring Pressure:8psi
-スラリー流量:250ml/分
-研磨時間:60秒
3.研磨対象
-商業的に入手可能なタングステンパターンウエハ(MIT 854,300mm)を使用
-タングステン研磨用CMPスラリーSTARPLANAR7000(サムスンSDI社)と脱イオン水とを1:2の重量比で混合した後、作られた混合液に対して前記混合液の重量の2%に該当する過酸化水素を追加して混合液を得た。この混合物を使用し、前記タングステンパターンウエハを、Reflexion LK300mm研磨機で、IC1010/SubaIV Stacked(Rodel社)研磨パッドを用いて、Head速度101rpm、Platen速度33rpm、研磨圧力2psi、Retainer Ring Pressure 8psi、および混合液流量250ml/分の条件で60秒間1次研磨した。これにより、タングステン金属膜層を除去してオキシド/金属パターンが表に現れるようにした。
-商業的に入手可能なタングステンパターンウエハ(MIT 854,300mm)を使用
-タングステン研磨用CMPスラリーSTARPLANAR7000(サムスンSDI社)と脱イオン水とを1:2の重量比で混合した後、作られた混合液に対して前記混合液の重量の2%に該当する過酸化水素を追加して混合液を得た。この混合物を使用し、前記タングステンパターンウエハを、Reflexion LK300mm研磨機で、IC1010/SubaIV Stacked(Rodel社)研磨パッドを用いて、Head速度101rpm、Platen速度33rpm、研磨圧力2psi、Retainer Ring Pressure 8psi、および混合液流量250ml/分の条件で60秒間1次研磨した。これにより、タングステン金属膜層を除去してオキシド/金属パターンが表に現れるようにした。
4.分析方法
相対Oxide研磨速度(単位:%):前記研磨条件下で光干渉厚さ測定機(Reflectometer)を用いて測定した研磨前後の膜厚の差に基づいて、Oxide研磨速度(単位:Å/分)を求めた
相対Oxide研磨速度(単位:%):前記研磨条件下で光干渉厚さ測定機(Reflectometer)を用いて測定した研磨前後の膜厚の差に基づいて、Oxide研磨速度(単位:Å/分)を求めた
比較例1の組成物は、Oxide研磨速度が120Å/分であった。
相対Oxide研磨速度は、式:(実施例、比較例の組成物適用時のOxide研磨速度)/(比較例1の組成物適用時のOxide研磨速度)×100によって計算した。
相対平坦性(単位:%):前記研磨条件を用いて、実施例、比較例で製造したCMPスラリー組成物を使用して研磨した後、パターンのプロファイルをInSight CAP Compact Atomic Profiler(bruker社)で測定した。浸食(単位:Å)は、研磨したウエハの0.18/0.18μmパターン領域でのperi oxideとcell oxideとの高さの差に基づいて計算した。スキャン速度は、100μm/秒、スキャン長さは2mmに設定した。
比較例1の組成物は、浸食が50Åであった。
相対平坦性は、式:(実施例、比較例の組成物適用時の浸食)/(比較例1の組成物適用時の浸食)×100によって計算した。
前記表1のように、本発明のCMPスラリー組成物は、カビ及び細菌の増殖を抑制してカビ及び細菌に対する組成物の安定性を改善した。また、本発明のCMPスラリー組成物は、殺生物剤を含まない場合に比べて、タングステンパターンウエハの研磨速度および平坦性の改善効果の減少が全くないか或いは非常に低かった。
一方、殺生物剤を含有しない比較例1は、カビ及び細菌の増殖が著しくCMP組成物として使用することができなかった。また、化学式3の殺生物剤の代わりに別の種類の殺生物剤を含有する比較例2~比較例6は、殺生物効果が少ないか或いは殺生物剤を含まない場合に比べて、タングステンパターンウエハの研磨速度および平坦性の改善効果が著しく低かった。
本発明の単純な変形あるいは変更は、本分野の通常の知識を有する者によって容易に実施することができ、このような変形や変更は全て本発明の範囲に含まれると見なすことができる。
Claims (10)
- 極性溶媒および非極性溶媒から選択される1種以上の溶媒;
研磨剤;ならびに
殺生物剤(biocide)
を含み、
前記研磨剤は、窒素個数が2個のシランおよび窒素個数が3個のシランから選択される1種以上で改質されたシリカを含み、
前記殺生物剤は、下記化学式3の化合物を含む、タングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物:
Rは、炭素(C)又は2価~4価の有機基であり、
X4は、ハロゲン又はハロゲン含有1価の有機基であり、
X5は、シアノ基(-C≡N)、ニトロ基(-NO2)、シアノ基含有1価の有機基またはニトロ基含有1価の有機基であり、
Y6、Y7は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換または非置換の炭素数6~20のアリール基、置換または非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素数7~20のアリールアルキル基、置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基、置換または非置換の炭素数6~20のアリールオキシ基、或いは-C(=O)-NZ1Z2(ここで、Z1、Z2は、それぞれ独立して、水素、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、或いは置換または非置換の炭素数6~20のアリール基)である]。 - 前記殺生物剤は、前記組成物中、0.001重量%~1重量%の量で含まれる、請求項1~3のいずれか一項に記載のタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物。
- pHが3~6である、請求項1~4のいずれか一項に記載のタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物。
- 前記窒素個数が2個のシランは、下記化学式1の化合物、下記化学式1の化合物から誘導される陽イオン又は下記化学式1の化合物の塩である、請求項1~5のいずれか一項に記載のタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物:
X1、X2、X3は、それぞれ独立して、水素、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換または非置換の炭素数6~20のアリール基、置換または非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素数7~20のアリールアルキル基、置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基、或いは置換または非置換の炭素数6~20のアリールオキシ基であり、
X1、X2、X3の少なくとも一つは、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基、或いは置換または非置換の炭素数6~20のアリールオキシ基であり、
Y1、Y2は、それぞれ独立して、2価の脂肪族炭化水素基、2価の脂環族炭化水素基または2価の芳香族炭化水素基であり、
R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20の1価の脂肪族炭化水素基、置換または非置換の炭素数3~20の1価の脂環族炭化水素基、或いは置換または非置換の炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である)。 - 前記窒素個数が3個のシランは、下記化学式2の化合物、下記化学式2の化合物から誘導される陽イオン、又は下記化学式2の化合物の塩である、請求項1~6のいずれか一項に記載のタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物:
X1、X2、X3は、それぞれ独立して、水素、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルキル基、置換または非置換の炭素数6~20のアリール基、置換または非置換の炭素数3~20のシクロアルキル基、置換または非置換の炭素数7~20のアリールアルキル基、置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基、或いは置換または非置換の炭素数6~20のアリールオキシ基であり、
X1、X2、X3の少なくとも一つは、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20のアルコキシ基、或いは置換または非置換の炭素数6~20のアリールオキシ基であり、
Y3、Y4、Y5は、それぞれ独立して、単結合、2価の脂肪族炭化水素基、2価の脂環族炭化水素基、又は2価の芳香族炭化水素基であり、
R6、R7、R8、R9は、それぞれ独立して、水素、水酸基、置換または非置換の炭素数1~20の1価の脂肪族炭化水素基、置換または非置換の炭素数3~20の1価の脂環族炭化水素基、或いは置換または非置換の炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である)。 - 酸化剤、触媒、および有機酸から選択される1種以上をさらに含む、請求項1~7のいずれか一項に記載のタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物。
- 前記組成物は、前記研磨剤0.001重量%~20重量%、前記殺生物剤0.001重量%~1重量%、前記酸化剤0.01重量%~20重量%、前記触媒0.001重量%~10重量%、前記有機酸0.001重量%~20重量%、及び残量の前記溶媒を含む、請求項8に記載のタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物。
- 請求項1から9のいずれか1項のタングステンパターンウエハ研磨用CMPスラリー組成物を用いてタングステンパターンウエハを研磨する段階を含む、タングステンパターンウエハの研磨方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200091278A KR102623640B1 (ko) | 2020-07-22 | 2020-07-22 | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 |
KR10-2020-0091278 | 2020-07-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022022185A true JP2022022185A (ja) | 2022-02-03 |
Family
ID=79586326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021120730A Pending JP2022022185A (ja) | 2020-07-22 | 2021-07-21 | タングステンパターンウエハ研磨用cmpスラリー組成物およびそれを用いたタングステンパターンウエハの研磨方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220025214A1 (ja) |
JP (1) | JP2022022185A (ja) |
KR (1) | KR102623640B1 (ja) |
CN (1) | CN113969106B (ja) |
TW (1) | TWI818288B (ja) |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6083419A (en) * | 1997-07-28 | 2000-07-04 | Cabot Corporation | Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching |
JP4637464B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2011-02-23 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体 |
US7153335B2 (en) * | 2003-10-10 | 2006-12-26 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Tunable composition and method for chemical-mechanical planarization with aspartic acid/tolyltriazole |
US20050076579A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-14 | Siddiqui Junaid Ahmed | Bicine/tricine containing composition and method for chemical-mechanical planarization |
TW200916564A (en) * | 2007-01-31 | 2009-04-16 | Advanced Tech Materials | Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications |
US8506831B2 (en) * | 2008-12-23 | 2013-08-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Combination, method, and composition for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate |
US8414789B2 (en) * | 2008-12-30 | 2013-04-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and composition for chemical mechanical planarization of a metal |
US8222145B2 (en) * | 2009-09-24 | 2012-07-17 | Dupont Air Products Nanomaterials, Llc | Method and composition for chemical mechanical planarization of a metal-containing substrate |
CN107083233A (zh) * | 2010-02-24 | 2017-08-22 | 巴斯夫欧洲公司 | 研磨制品,其制备方法及其应用方法 |
US8778212B2 (en) * | 2012-05-22 | 2014-07-15 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition containing zirconia particles and method of use |
US9982166B2 (en) * | 2013-12-20 | 2018-05-29 | Cabot Corporation | Metal oxide-polymer composite particles for chemical mechanical planarization |
US9127187B1 (en) * | 2014-03-24 | 2015-09-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive tungsten CMP composition |
US9909219B2 (en) * | 2014-04-14 | 2018-03-06 | Ecolab Usa Inc. | Slurry biocide |
WO2015200679A1 (en) * | 2014-06-25 | 2015-12-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Tungsten chemical-mechanical polishing composition |
US10160884B2 (en) * | 2015-03-23 | 2018-12-25 | Versum Materials Us, Llc | Metal compound chemically anchored colloidal particles and methods of production and use thereof |
US10478939B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-11-19 | Fujimi Incorporated | Polishing method |
US10988718B2 (en) * | 2016-03-09 | 2021-04-27 | Entegris, Inc. | Tungsten post-CMP cleaning composition |
-
2020
- 2020-07-22 KR KR1020200091278A patent/KR102623640B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-07-19 US US17/379,133 patent/US20220025214A1/en active Pending
- 2021-07-21 TW TW110126799A patent/TWI818288B/zh active
- 2021-07-21 JP JP2021120730A patent/JP2022022185A/ja active Pending
- 2021-07-22 CN CN202110829759.0A patent/CN113969106B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113969106A (zh) | 2022-01-25 |
US20220025214A1 (en) | 2022-01-27 |
TW202204545A (zh) | 2022-02-01 |
CN113969106B (zh) | 2023-04-07 |
TWI818288B (zh) | 2023-10-11 |
KR20220012132A (ko) | 2022-02-03 |
KR102623640B1 (ko) | 2024-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5732601B2 (ja) | 研磨組成物 | |
JP2021068898A (ja) | 銅膜研磨用cmpスラリー組成物およびそれを用いた銅膜研磨方法 | |
JP5220428B2 (ja) | 研磨用組成物を用いた研磨方法 | |
JP2022022185A (ja) | タングステンパターンウエハ研磨用cmpスラリー組成物およびそれを用いたタングステンパターンウエハの研磨方法 | |
CN114302930B (zh) | 研磨钨图案晶圆的化学机械研磨浆料组成物以及使用其研磨钨图案晶圆的方法 | |
KR102619857B1 (ko) | 텅스텐 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 연마 방법 | |
JP2021118362A (ja) | タングステンパターンウェハー研磨用cmpスラリー組成物及びこれを用いたタングステンパターンウェハーの研磨方法 | |
KR102678848B1 (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 | |
KR20230106938A (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 | |
CN114350263B (zh) | 化学机械抛光浆料组合物及使用其抛光钨图案晶片的方法 | |
KR102637819B1 (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 | |
JP2024068133A (ja) | タングステン研磨用cmpスラリー組成物及びこれを用いたタングステン研磨方法 | |
CN115305010B (zh) | 化学机械抛光浆料组合物及抛光钨图案晶片的方法 | |
KR20220163207A (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 | |
KR20220115316A (ko) | 텅스텐 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 연마 방법 | |
JP2022145631A (ja) | タングステンパターンウェハー研磨用cmpスラリー組成物及びこれを用いたタングステンパターンウェハーの研磨方法 | |
KR20210085574A (ko) | 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법 | |
WO2019181269A1 (ja) | ゲルマニウム溶解抑制剤 | |
CN115232563A (zh) | 化学机械抛光组合物和方法 |