JPWO2012115020A1 - 研磨用組成物 - Google Patents
研磨用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2012115020A1 JPWO2012115020A1 JP2013501013A JP2013501013A JPWO2012115020A1 JP WO2012115020 A1 JPWO2012115020 A1 JP WO2012115020A1 JP 2013501013 A JP2013501013 A JP 2013501013A JP 2013501013 A JP2013501013 A JP 2013501013A JP WO2012115020 A1 JPWO2012115020 A1 JP WO2012115020A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing composition
- aluminum oxide
- abrasive grains
- oxide abrasive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 47
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 11
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 229940121375 antifungal agent Drugs 0.000 description 1
- 239000003429 antifungal agent Substances 0.000 description 1
- 239000013556 antirust agent Substances 0.000 description 1
- 229910001570 bauxite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
少なくとも酸化アルミニウム砥粒及び水を含有し、８．５以上のｐＨを有する研磨用組成物が提供される。酸化アルミニウム砥粒は２０ｍ２／ｇ以下の比表面積を有する。酸化アルミニウム砥粒は０．１μｍ以上２０μｍ以下の平均二次粒子径を有することが好ましい。研磨用組成物は、ビッカース硬度が１，５００Ｈｖ以上の硬脆材料、例えばサファイア、炭化ケイ素又は窒化ガリウムを研磨する用途で使用される。
Description
本発明は、ビッカース硬度が１，５００Ｈｖ以上の硬脆材料からなる研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物に関する。本発明はまた、硬脆材料の研磨方法、及び硬脆材料基板の製造方法にも関する。
硬脆材料とは、脆性材料の中でも硬度の高いものをいい、一般的にはガラス、セラミックス、石材、及び半導体結晶材料等が含まれる。中でも特にビッカース硬度が１，５００Ｈｖ以上である材料、例えばダイヤモンド、酸化アルミニウム（サファイア）、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化ジルコニウム、炭化タングステン、窒化ケイ素、窒化チタン、窒化ガリウムは、一般に化学的に非常に安定であり反応性が低く、硬度も非常に高いために研磨による加工が容易ではない。そのため、通常これらの材料は、ダイヤモンドを用いたラッピングを施した後、ラッピングで生じた傷を、コロイダルシリカを用いた研磨によって除去することにより仕上げられる。しかしながらこの場合、高平滑な表面を得るまでには長時間の研磨が必要である。
また、比較的高濃度のコロイダルシリカを含んだ研磨用組成物を用いてサファイア基板を研磨すること（例えば特許文献１参照）や、コロイダルシリカを含んだ特定のｐＨを有する研磨用組成物を用いて炭化ケイ素基板を研磨すること（例えば特許文献２参照）も知られている。しかしながらこの場合も、十分な研磨速度（除去速度）が得られないという問題がある。
そこで本発明の目的は、ビッカース硬度が１，５００Ｈｖ以上の硬脆材料からなる研磨対象物を高い研磨速度で研磨することができる研磨用組成物を提供することにある。また、本発明の別の目的は、その研磨用組成物を用いた硬脆材料の研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法を提供することにある。
本発明者らは鋭意検討の結果、特定の比表面積を有する酸化アルミニウム砥粒を含有した特定のｐＨを有する研磨用組成物を用いることにより、上記の目的が達成されることを見出した。上記の目的を達成するべく数ある砥粒の種類の中から酸化アルミニウム砥粒を選定すると同時に酸化アルミニウム砥粒の比表面積及び研磨用組成物のｐＨをそれぞれ所定の範囲内に設定することは、当業者といえども容易に着想しえるものではない。
本発明の一態様では、ビッカース硬度が１，５００Ｈｖ以上の硬脆材料からなる研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、少なくとも酸化アルミニウム砥粒及び水を含有し、８．５以上のｐＨを有する研磨用組成物を提供する。酸化アルミニウム砥粒の比表面積は２０ｍ２／ｇ以下である。
酸化アルミニウム砥粒の平均二次粒子径は０．１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム又は炭化ケイ素からなる基板又は膜であることが好ましい。研磨対象物となる基板の例としては、各種の半導体デバイス、磁気記録デバイス、光学デバイス、パワーデバイスなどの製造に用いられる単結晶基板又は多結晶基板が挙げられる。研磨対象物となる膜は、エピタキシャル成長などの公知の成膜方法により基板上に設けられたものでもよい。
本発明の別の態様では、上記研磨用組成物を用いて硬脆材料を研磨する研磨方法と、その研磨方法を用いて基板を研磨する工程を含む硬脆材料の製造方法とが提供される。
本発明によれば、ビッカース硬度が１，５００Ｈｖ以上の硬脆材料からなる研磨対象物を高い研磨速度で研磨することができる研磨用組成物が提供される。また、その研磨用組成物を用いた硬脆材料の研磨方法及び硬脆材料基板の製造方法も提供される。
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態の研磨用組成物は、少なくとも酸化アルミニウム砥粒及び水を含有する。この研磨用組成物は、ビッカース硬度が１，５００Ｈｖ以上の硬脆材料からなる研磨対象物を研磨する用途、より具体的には、サファイア、炭化ケイ素又は窒化ガリウムからなる研磨対象物を研磨する用途で使用される。なお、ビッカース硬度は、国際標準化機構が定めるISO 14705に対応する日本工業規格JIS R1610に規定の方法で測定することが可能であり、ビッカース圧子を用いて試験面にくぼみをつけたときの試験力と、くぼみの対角線長さから求めたくぼみの表面積とから算出される。
研磨用組成物中に含まれる酸化アルミニウム砥粒は、例えば、α−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、又はκ−アルミナからなるものであってもよいが、それに限定はされない。ただし、硬脆材料をより高速度で研磨するためには、酸化アルミニウム砥粒はα−アルミナを主成分とすることが好ましい。具体的には、酸化アルミニウム砥粒中のアルミナのα化率は２０％以上であることが好ましく、より好ましくは４０％以上である。酸化アルミニウム砥粒中のアルミナのα化率は、Ｘ線回折測定による（１１３）面回折線の積分強度比から求められる。
酸化アルミニウム砥粒は、ケイ素、チタン、鉄、銅、クロム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム等の不純物元素を含んでいても良い。ただし、酸化アルミニウム砥粒の純度はできるだけ高いことが好ましく、具体的には、好ましくは９９質量％以上、より好ましくは９９．５質量％以上、更に好ましくは９９．８質量％以上である。酸化アルミニウム砥粒の純度が９９質量％以上の範囲で高くなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨後の研磨対象物表面の不純物汚染が少なくなる。この点、酸化アルミニウム砥粒の純度が９９質量％以上、さらに言えば９９．５質量％以上、もっと言えば９９．８質量％以上であれば、研磨用組成物による研磨対象物表面の不純物汚染を実用上特に好適なレベルにまで低減させることが容易となる。なお、酸化アルミニウム砥粒中の不純物元素の含有量は、例えば株式会社島津製作所製のＩＣＰＥ−９０００等のＩＣＰ発光分光分析装置による測定値より算出が可能である。
酸化アルミニウム砥粒の平均二次粒子径は０．１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．３μｍ以上である。砥粒の平均二次粒子径が大きくなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度が向上する。
酸化アルミニウム砥粒の平均二次粒子径は、２０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５μｍ以下である。砥粒の平均二次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いた研磨によって低欠陥で粗度の小さい表面を得ることが容易である。なお、酸化アルミニウム砥粒の平均二次粒子径は、例えば、株式会社堀場製作所製のＬＡ−９５０などのレーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置を用いて測定される体積平均粒子径に等しい。
酸化アルミニウム砥粒の比表面積は、２０ｍ２／ｇ以下である必要がある。比表面積が２０ｍ２／ｇを超える酸化アルミニウム砥粒を使用した場合には、十分に高い研磨速度で研磨対象物を研磨することができる研磨用組成物が得られない。
酸化アルミニウム砥粒の比表面積は、５ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。砥粒の比表面積が大きくなるにつれて、研磨用組成物を用いた研磨によって低欠陥で粗度の小さい表面を得ることが容易である。なお、酸化アルミニウム砥粒の比表面積は、例えば、マイクロメリテックス社製のFlow SorbII 2300を用いて、窒素吸着法（ＢＥＴ法）により求めることが可能である。
研磨用組成物中の酸化アルミニウム砥粒の含有量は、０．０１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．１質量％以上である。砥粒の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度が向上する。
研磨用組成物中の酸化アルミニウム砥粒の含有量はまた、５０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以下である。砥粒の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の製造コストが低減するのに加えて、研磨用組成物を用いた研磨によりスクラッチの少ない表面を得ることが容易である。
酸化アルミニウム砥粒の製造方法は特に限定されない。酸化アルミニウム砥粒は、バイヤー法によりボーキサイトから精製したアルミナであってもよいし、そのアルミナを溶融粉砕したものであってもよい。あるいは、アルミニウム化合物を原料として水熱合成された水酸化アルミニウムを熱処理して得られる酸化アルミニウムや、気相法によりアルミニウム化合物から合成された酸化アルミニウムであってもよい。アルミニウム化合物から合成された酸化アルミニウムは、通常の酸化アルミニウムよりも高純度であることが特徴である。
研磨用組成物のｐＨは８．５以上である必要があり、好ましくは９．５以上である。研磨用組成物のｐＨが８．５を下回る場合には、研磨用組成物を用いて十分に高い研磨速度で研磨対象物を研磨することができない。
研磨組成物のｐＨの上限は特に限定されないが、１２以下であることが好ましい。ｐＨが１２以下の研磨用組成物は安全性が高く、使用時の作業性が向上する。
研磨用組成物のｐＨは種々の酸、塩基、又はそれらの塩を用いて調整が可能である。具体的には、カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン酸などの有機酸や、燐酸、亜燐酸、硫酸、硝酸、塩酸、ホウ酸、炭酸などの無機酸、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、トリメタノールアミン、モノエタノールアミンなどの有機塩基、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニアなどの無機塩基、又はそれらの塩が好ましく用いられる。
半導体基板や光学デバイス用基板、パワーデバイス用基板などの特に高い面精度が要求される基板の場合には、研磨用組成物を用いて研磨した後に、精研磨を行うことが好ましい。
本実施形態によれば以下の利点が得られる。
本実施形態の研磨用組成物は少なくとも酸化アルミニウム砥粒及び水を含有し、８．５以上のｐＨを有する。酸化アルミニウム砥粒の比表面積は、２０ｍ２／ｇ以下である。この研磨用組成物によれば、ビッカース硬度が１，５００Ｈｖ以上の硬脆材料からなる研磨対象物を高い研磨速度で研磨することができる。
前記実施形態は次のように変更されてもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、酸化アルミニウム砥粒以外の砥粒、例えば、二酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化チタニウム、炭化ケイ素、水酸化アルミニウムからなる砥粒をさらに含有してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、酸化剤や錯化剤、エッチング剤等の研磨速度を高める作用を有する添加剤を必要に応じてさらに含有してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、防腐剤、防黴剤、防錆剤のような公知の添加剤を必要に応じてさらに含有してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、砥粒の分散性を向上させる分散剤や砥粒の凝集体の再分散を容易にする分散助剤のような添加剤を必要に応じてさらに含有してもよい。
・ 硬脆材料からなる研磨対象物の研磨に使用した研磨用組成物は、回収して再利用（循環使用）してもよい。より具体的には、研磨装置から排出される使用済みの研磨用組成物をタンク内にいったん回収し、タンク内から再び研磨装置内へと供給するようにしてもよい。この場合、使用済みの研磨用組成物を廃液として処理する必要が減るため、環境負荷の低減及びコストの低減が可能である。
研磨用組成物を循環使用するときには、研磨に使用されることにより消費されたり損失したりした研磨用組成物中の酸化アルミニウム砥粒などの成分のうち少なくともいずれかの減少分の補充を行うようにしてもよい。補充する成分は個別に使用済みの研磨用組成物に添加してもよいし、あるいは、二以上の成分を任意の濃度で含んだ混合物のかたちで使用済みの研磨用組成物に添加してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水で希釈することにより調製されてもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は一剤型であってもよいし、使用時に混合される複数の剤からなる二剤型を始めとする多剤型であってもよい。二剤型の研磨用組成物の場合、第１剤と第２剤をそれぞれ別の経路から研磨装置に供給し、研磨装置上で両者が混合するようにしてもよい。
次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
（実施例１〜５及び比較例１〜５）
酸化アルミニウムゾル、酸化ケイ素ゾル、又は酸化ジルコニウムゾルを水で希釈し、さらに必要に応じてｐＨ調整剤を加えることにより、実施例１〜５及び比較例１〜５の研磨用組成物を調製した。実施例１〜５及び比較例１〜５の研磨用組成物中の砥粒の含有量はいずれも２０質量％である。ｐＨ調整剤としては塩酸及び水酸化カリウムを適宜に使用した。そして、各例の研磨用組成物を用いて表１に示す条件でサファイア基板の表面（Ｃ面（＜０００１＞）を研磨した。使用したサファイア基板はいずれも、直径５２ｍｍ（約２インチ）の同種のものである。
酸化アルミニウムゾル、酸化ケイ素ゾル、又は酸化ジルコニウムゾルを水で希釈し、さらに必要に応じてｐＨ調整剤を加えることにより、実施例１〜５及び比較例１〜５の研磨用組成物を調製した。実施例１〜５及び比較例１〜５の研磨用組成物中の砥粒の含有量はいずれも２０質量％である。ｐＨ調整剤としては塩酸及び水酸化カリウムを適宜に使用した。そして、各例の研磨用組成物を用いて表１に示す条件でサファイア基板の表面（Ｃ面（＜０００１＞）を研磨した。使用したサファイア基板はいずれも、直径５２ｍｍ（約２インチ）の同種のものである。
各研磨用組成物中の砥粒の詳細及び各研磨用組成物のｐＨは表２に示すとおりである。また、各研磨用組成物を用いた研磨の前後にサファイア基板の重量を測定し、研磨前後の重量の差から計算して求めた研磨速度を表２の“研磨速度”欄に示す。
表２に示すように、実施例１〜５の研磨用組成物を用いてサファイア基板を研磨した場合、比較例１〜５の研磨用組成物の場合に比べて高い研磨速度が得られた。
（実施例６〜８及び比較例６）
酸化アルミニウムゾルを水で希釈し、さらに必要に応じてｐＨ調整剤を加えることにより、実施例６〜８及び比較例６の研磨用組成物を調製した。実施例６〜８及び比較例６の研磨用組成物中の砥粒の含有量はいずれも２０質量％である。ｐＨ調整剤としては塩酸及び水酸化カリウムを適宜に使用した。そして、各例の研磨用組成物を用いて表３に示す条件で窒化ガリウム基板の表面（Ｇａ面）を研磨した。使用した窒化ガリウム基板はいずれも、１０ｍｍ四方の同種のものである。
酸化アルミニウムゾルを水で希釈し、さらに必要に応じてｐＨ調整剤を加えることにより、実施例６〜８及び比較例６の研磨用組成物を調製した。実施例６〜８及び比較例６の研磨用組成物中の砥粒の含有量はいずれも２０質量％である。ｐＨ調整剤としては塩酸及び水酸化カリウムを適宜に使用した。そして、各例の研磨用組成物を用いて表３に示す条件で窒化ガリウム基板の表面（Ｇａ面）を研磨した。使用した窒化ガリウム基板はいずれも、１０ｍｍ四方の同種のものである。
各研磨用組成物中の砥粒の詳細及び各研磨用組成物のｐＨは表４に示すとおりである。また、各研磨用組成物を用いた研磨の前後に窒化ガリウム基板の重量を測定し、研磨前後の重量の差から計算して求めた研磨速度を表４の“研磨速度”欄に示す。
表４に示すように、実施例６〜８の研磨用組成物を用いて窒化ガリウム基板を研磨した場合には、比較例６の研磨用組成物の場合に比べて高い研磨速度が得られた。
本発明によれば、サファイア、窒化ケイ素、炭化ケイ素等の硬脆材料を研磨するに際し、表面欠陥が少なく、優れた表面精度を有する基板や膜などを高効率で得ることが出来る。
Claims (5)
- ビッカース硬度が１，５００Ｈｖ以上の硬脆材料を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、研磨用組成物は、少なくとも酸化アルミニウム砥粒及び水を含有し、かつ、８．５以上のｐＨを有し、前記酸化アルミニウム砥粒が２０ｍ２／ｇ以下の比表面積を有することを特徴とする研磨用組成物。
- 前記酸化アルミニウム砥粒が０．１μｍ以上２０μｍ以下の平均二次粒子径を有する請求項１に記載の研磨用組成物。
- 前記硬脆材料がサファイア、炭化ケイ素又は窒化ガリウムである請求項１又は２に記載の研磨用組成物。
- 請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて硬脆材料を研磨する研磨方法。
- 請求項４に記載の研磨方法を用いて基板を研磨する工程を含むことを特徴とする硬脆材料基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011034801 | 2011-02-21 | ||
| JP2011034801 | 2011-02-21 | ||
| PCT/JP2012/053920 WO2012115020A1 (ja) | 2011-02-21 | 2012-02-20 | 研磨用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2012115020A1 true JPWO2012115020A1 (ja) | 2014-07-07 |
| JP5972860B2 JP5972860B2 (ja) | 2016-08-17 |
Family
ID=46720798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013501013A Active JP5972860B2 (ja) | 2011-02-21 | 2012-02-20 | 研磨用組成物 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9662763B2 (ja) |
| EP (1) | EP2679342B1 (ja) |
| JP (1) | JP5972860B2 (ja) |
| KR (1) | KR101868191B1 (ja) |
| CN (2) | CN107052988A (ja) |
| RU (1) | RU2591152C2 (ja) |
| TW (1) | TWI605112B (ja) |
| WO (1) | WO2012115020A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI566884B (zh) * | 2012-03-05 | 2017-01-21 | 福吉米股份有限公司 | 硏磨用組成物、及使用該硏磨用組成物之化合物半導體基板之製造方法 |
| US9259818B2 (en) * | 2012-11-06 | 2016-02-16 | Sinmat, Inc. | Smooth diamond surfaces and CMP method for forming |
| KR20150105995A (ko) | 2013-01-18 | 2015-09-18 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 금속 산화물 함유막이 부착된 물품 |
| JP6016301B2 (ja) | 2013-02-13 | 2016-10-26 | 昭和電工株式会社 | 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート |
| JP6411759B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-10-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、その使用方法、及び基板の製造方法 |
| JP6734018B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2020-08-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨材、研磨用組成物、及び研磨方法 |
| CN104835731A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-08-12 | 山东天岳晶体材料有限公司 | 一种大尺寸4H、6H-SiC单晶片的快速抛光方法 |
| TW201711798A (zh) * | 2015-06-18 | 2017-04-01 | Sumitomo Chemical Co | 研磨磨粒、研磨漿料及硬脆材之研磨方法與硬脆材之製造方法 |
| JP6622991B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2019-12-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US10544332B2 (en) * | 2015-08-19 | 2020-01-28 | Ferro Corporation | Slurry composition and method of use |
| CN105273638B (zh) * | 2015-10-14 | 2017-08-29 | 盐城工学院 | 氧化镓晶片抗解理悬浮研磨液及其制备方法 |
| US9944829B2 (en) * | 2015-12-03 | 2018-04-17 | Treliant Fang | Halite salts as silicon carbide etchants for enhancing CMP material removal rate for SiC wafer |
| JP6788988B2 (ja) | 2016-03-31 | 2020-11-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| CN106010297B (zh) * | 2016-06-20 | 2018-07-31 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种氧化铝抛光液的制备方法 |
| CN108239484B (zh) * | 2016-12-23 | 2020-09-25 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种蓝宝石抛光用氧化铝抛光液及其制备方法 |
| JP2017101248A (ja) * | 2017-01-13 | 2017-06-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法 |
| JP7084176B2 (ja) | 2018-03-28 | 2022-06-14 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| CN109233644B (zh) * | 2018-09-19 | 2021-03-12 | 广州亦盛环保科技有限公司 | 一种精抛光液及其制备方法 |
| US20200181454A1 (en) * | 2018-12-10 | 2020-06-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Oxidizer free slurry for ruthenium cmp |
| CN110003797B (zh) * | 2019-04-21 | 2020-11-10 | 昆明软讯科技有限公司 | 一种蓝宝石粗抛光液及其制备方法 |
| CN109913134B (zh) * | 2019-04-21 | 2021-01-12 | 东莞市硕丰研磨科技有限公司 | 一种清香型蓝宝石粗抛光液及其制备方法 |
| CN110922896A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-03-27 | 宁波日晟新材料有限公司 | 一种高效环保碳化硅抛光液及其制备方法和应用 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH051279A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-08 | Nippon Shirika Kogyo Kk | 硬脆材料用の表面精密研磨剤 |
| JP2000239652A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-05 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 硬脆材料用精密研磨組成物及びそれを用いた硬脆材料の精密研磨方法 |
| JP2002506915A (ja) * | 1998-03-18 | 2002-03-05 | キャボット コーポレイション | 銅基材に有益な化学機械的研磨スラリー |
| JP2006203188A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-08-03 | Showa Denko Kk | 研磨組成物及び研磨方法 |
| JP2010284784A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-12-24 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 研磨剤組成物 |
| WO2011136387A1 (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 株式会社バイコウスキージャパン | サファイア研磨用スラリー、及びサファイアの研磨方法 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5228886A (en) | 1990-10-09 | 1993-07-20 | Buehler, Ltd. | Mechanochemical polishing abrasive |
| CA2039998A1 (en) | 1990-10-09 | 1992-04-10 | Donald C. Zipperian | Mechanochemical polishing abrasive |
| KR19980019046A (ko) * | 1996-08-29 | 1998-06-05 | 고사이 아키오 | 연마용 조성물 및 이의 용도(Abrasive composition and use of the same) |
| US5989301A (en) * | 1998-02-18 | 1999-11-23 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Optical polishing formulation |
| US6595834B2 (en) * | 1999-06-25 | 2003-07-22 | Corning Incorporated | Method of making <200nm light transmitting optical fluoride crystals for transmitting less than 200nm light |
| WO2001057919A1 (fr) | 2000-02-04 | 2001-08-09 | Showa Denko K. K. | Composite de polissage destine a etre utilise dans la fabrication des circuits lsi, et procede de fabrication de circuits lsi |
| TWI268286B (en) | 2000-04-28 | 2006-12-11 | Kao Corp | Roll-off reducing agent |
| DE10022649B4 (de) * | 2000-04-28 | 2008-06-19 | Qimonda Ag | Polierflüssigkeit und Verfahren zur Strukturierung von Metalloxiden |
| JP3594184B2 (ja) | 2000-04-28 | 2004-11-24 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| DE10149130A1 (de) * | 2001-10-05 | 2003-04-10 | Degussa | Flammenhydrolytisch hergestelltes, mit zweiwertigen Metalloxiden dotiertes Aluminiumoxid und wässerige Dispersion hiervon |
| KR100952870B1 (ko) | 2001-10-26 | 2010-04-13 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 연마제, 그 제조방법 및 연마방법 |
| KR20030070823A (ko) * | 2002-02-26 | 2003-09-02 | 도레이 가부시끼가이샤 | 자기기록매체용 폴리에스테르 필름, 자기기록테이프 및디지탈 기록장치 |
| US6586605B1 (en) * | 2003-01-08 | 2003-07-01 | Arco Chemical Technology, L.P. | Purification of alkylene carbonate |
| DE10317066A1 (de) | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von Metalloxid- und Metalloidoxid-Dispersionen |
| DE10320854A1 (de) | 2003-05-09 | 2004-12-09 | Degussa Ag | Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren |
| JP2007531631A (ja) * | 2003-07-11 | 2007-11-08 | ダブリュー・アール・グレイス・アンド・カンパニー−コネチカット | 化学機械的研磨用研磨剤粒子 |
| JP2005117027A (ja) | 2003-09-16 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ＳｉＣ基板の製造方法 |
| JP4792802B2 (ja) | 2005-04-26 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物結晶の表面処理方法 |
| KR20070012209A (ko) | 2005-07-21 | 2007-01-25 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 및 연마 방법 |
| TWI506621B (zh) * | 2005-12-22 | 2015-11-01 | Kao Corp | 硬碟基板用研磨液組合物 |
| US20080283502A1 (en) | 2006-05-26 | 2008-11-20 | Kevin Moeggenborg | Compositions, methods and systems for polishing aluminum oxide and aluminum oxynitride substrates |
| JP2008044078A (ja) | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア基板の研磨方法 |
| JP4523935B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2010-08-11 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。 |
| RU2426635C2 (ru) * | 2007-01-23 | 2011-08-20 | Сэнт-Гобэн Эбрейзивс, Инк. | Гибкий абразивный инструмент и способ формирования абразивного порошкового материала |
| JP5156238B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2013-03-06 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
| WO2009046311A2 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Composite slurries of nano silicon carbide and alumina |
-
2012
- 2012-02-17 TW TW101105223A patent/TWI605112B/zh active
- 2012-02-20 KR KR1020137024298A patent/KR101868191B1/ko active IP Right Grant
- 2012-02-20 US US14/000,319 patent/US9662763B2/en active Active
- 2012-02-20 EP EP12749056.3A patent/EP2679342B1/en active Active
- 2012-02-20 RU RU2013142630/05A patent/RU2591152C2/ru active
- 2012-02-20 WO PCT/JP2012/053920 patent/WO2012115020A1/ja active Application Filing
- 2012-02-20 CN CN201710177901.1A patent/CN107052988A/zh active Pending
- 2012-02-20 CN CN2012800096342A patent/CN103415372A/zh active Pending
- 2012-02-20 JP JP2013501013A patent/JP5972860B2/ja active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH051279A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-08 | Nippon Shirika Kogyo Kk | 硬脆材料用の表面精密研磨剤 |
| JP2002506915A (ja) * | 1998-03-18 | 2002-03-05 | キャボット コーポレイション | 銅基材に有益な化学機械的研磨スラリー |
| JP2000239652A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-05 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 硬脆材料用精密研磨組成物及びそれを用いた硬脆材料の精密研磨方法 |
| JP2006203188A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-08-03 | Showa Denko Kk | 研磨組成物及び研磨方法 |
| JP2010284784A (ja) * | 2009-05-15 | 2010-12-24 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 研磨剤組成物 |
| WO2011136387A1 (ja) * | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 株式会社バイコウスキージャパン | サファイア研磨用スラリー、及びサファイアの研磨方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012115020A1 (ja) | 2012-08-30 |
| CN107052988A (zh) | 2017-08-18 |
| US20130324015A1 (en) | 2013-12-05 |
| CN103415372A (zh) | 2013-11-27 |
| US9662763B2 (en) | 2017-05-30 |
| RU2013142630A (ru) | 2015-04-10 |
| KR101868191B1 (ko) | 2018-06-15 |
| RU2591152C2 (ru) | 2016-07-10 |
| JP5972860B2 (ja) | 2016-08-17 |
| EP2679342B1 (en) | 2020-08-05 |
| EP2679342A1 (en) | 2014-01-01 |
| TWI605112B (zh) | 2017-11-11 |
| TW201237155A (en) | 2012-09-16 |
| EP2679342A4 (en) | 2017-05-03 |
| KR20140015366A (ko) | 2014-02-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5972860B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| KR102525356B1 (ko) | 코발트 파임 제어제 | |
| JP6375623B2 (ja) | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 | |
| TWI619805B (zh) | 用於硬脆材料之研磨用組成物、硬脆材料基板之研磨方法及製造方法 | |
| US20150028254A1 (en) | Composition and method for polishing bulk silicon | |
| JP7424967B2 (ja) | ガリウム化合物系半導体基板研磨用組成物 | |
| KR20090051263A (ko) | 수용성 산화제를 이용한 탄화규소 연마 방법 | |
| EP2665792A2 (en) | Silicon polishing compositions with improved psd performance | |
| KR20170085034A (ko) | 연마용 조성물 및 그것을 사용한 기판의 제조 방법 | |
| US8815110B2 (en) | Composition and method for polishing bulk silicon | |
| KR20120073327A (ko) | Ｃｍｐ 연마액, 및 이것을 이용한 연마 방법 및 반도체 기판의 제조 방법 | |
| US20140001153A1 (en) | Polishing slurry and polishing method thereof | |
| TW201920587A (zh) | 研磨用組成物 | |
| KR20220071187A (ko) | 연마용 조성물 | |
| WO2016033417A1 (en) | Composition and method for polishing a sapphire surface | |
| CN114450376B (zh) | 研磨用组合物 | |
| KR20240067240A (ko) | 연마용 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160118 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160614 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160713 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5972860 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |