JP6016301B2 - 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート - Google Patents

単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート Download PDF

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Description

本発明は、単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートに関する。
半導体材料であるＳｉＣ（炭化珪素）は、現在広くデバイス用基板として使用されているＳｉ（珪素）に比べてバンドギャップが広いことから、単結晶ＳｉＣ基板を使用してパワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等を作製する研究が行われている。
上記単結晶ＳｉＣ基板は、例えば、昇華法で製造された単結晶ＳｉＣインゴットを切断し、その後、両面を鏡面加工することで形成される（例えば、特許文献１参照。）。
切断された基板にはそり、うねりや加工歪が存在し、例えばダイヤモンド砥粒での研削加工でこれらを軽減した上でＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリシング）で鏡面化することが行われているが、ＣＭＰの加工速度は小さいため、ＣＭＰ前の加工歪層深さをできるだけ小さくすることが切望されている（例えば、非特許文献１参照。）。
ＳｉＣ等の非酸化物セラミックスの鏡面加工にはメカノケミカルポリシング技術があり、例えば非特許文献２には、平均粒径０．５μｍ酸化クロム砥粒をアクリロニトリルやフェノールなどの樹脂で成形したポリシングディスク上で乾式研磨する手法と単結晶ＳｉＣの加工結果が開示されている。
特許第４４９９６９８号公報
貴堂高徳、堀田和利、河田研治、長屋正武、前田弘人、出口喜宏、松田祥伍、武田篤徳、高鍋隆一、中山智浩、加藤智久：ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会第21回講演予稿集、P72-73 須賀唯知：機械と工具、35, 92-96 (1991)
しかしながら、非特許文献２に開示された方法では、小さな単結晶試料に０．３４ＭＰａという量産工程では現実的でない加工荷重を必要としており、６インチ径をターゲットとした現在のＳｉＣパワー半導体の実用化に向けた取組みに適用できるものではなかった。さらに、ここで開示されるポリシングディスクはいわゆるレジンボンドの砥石であり、微小なキズの発生を回避できるものではなかった。
従って、非特許文献２に開示された方法に基づいて、現在、デバイスに使用可能な鏡面を有する単結晶ＳｉＣ基板の量産に用いることができる鏡面加工方法を開発するためには少なくとも、加工荷重の問題と微小なキズの発生の問題を解決する必要があった。
上記の問題を解決すべく、本発明者は、鋭意検討を重ね、少なくとも以下に示す複数のステップを経て、本発明に想到した。
非特許文献２では、加工のメカニズムとして酸化クロムを触媒として試料表面が酸化され、砥粒によって除去されることで加工が進行するというメカノケミカル作用が主たるメカニズムと予想されることが開示されている。本発明者はメカノケミカル作用の内容にさらに踏み込んだ考察を行った結果、バンドギャップをもつ材料で構成される砥粒が被加工物との機械的摺動によりエネルギーが与えられ、砥粒表面の電子が励起されて電子正孔対が生じ、光触媒材料で説明される内容と同様の機構で、スーパーオキシドアニオン、ヒドロキシルラジカル、あるいは原子状酸素といった非常に酸化力の強い活性種が生じて試料表面を酸化させるというメカニズムに到達した。被加工物が単結晶ＳｉＣの場合、酸化生成物はＳｉＯ２・ｎＨ２ＯとＣＯまたはＣＯ２であると想定され、ＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏが砥粒によって除去されることで単結晶ＳｉＣ基板の表面を鏡面に加工できるものと考えた。本明細書において、この作用をトライボ触媒作用と定義する。
本発明では、このトライボ触媒作用を有する砥粒を用いることによって、ダイヤモンド砥粒等を用いた機械的な除去作用に基づいて研削時に発生する単結晶ＳｉＣ基板表面のキズの低減を図ることとした。
トライボ触媒作用においては、機械的エネルギーを砥粒に効率的に与え、電子正孔対を大量に生ぜしめることが肝要である。電子正孔対の多くは、活性種生成に寄与することなく再結合して消滅してしまうので、活性種生成の確率を増大させることが必要になる。
本発明においては、大口径の単結晶ＳｉＣ基板の加工を容易に量産に適用するため、研削装置に装着して用いることができることが必要である。研削装置を使用して砥粒のトライボ触媒作用を利用した加工を行うことは、これまで全く行われてこなかったので、トライボ触媒作用が効果的に発現する研削条件を新たに探索した。その結果、砥粒の種類、粒径の選定、クーラントの種類、供給速度、研削プレート回転速度等において、適切な範囲があることを見出した。
また、従来、研削装置用の研削プレートとして一般的に使用されてきている、ボンド材で固めたいわゆる砥石を作製して使用した場合、微小なキズの発生は、トライボ触媒作用を利用した加工においても不可避であることがわかった。
そこで鋭意検討の結果、これまで研削装置には全く適用されることがなかったＣＭＰ用のパッドを研削プレートの基体として利用することに想到した。
また、トライボ触媒作用を有する材料は種々あり、例えばダイヤモンドやＳｉＣ等もバンドギャップをもつ材料であるためトライボ触媒作用を示すが、単結晶ＳｉＣよりも軟らかくないため、単結晶ＳｉＣ加工面にキズをつけてしまうので、不適である。
従って、本発明では、研削時に単結晶ＳｉＣ加工面につくキズを低減するために、砥粒としては単結晶ＳｉＣよりも軟らかいものを用いることとした。
本発明は、既存の研削装置を使用することで量産工程に適用可能であり、微小なキズの発生を抑制できる単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートを提供することを目的とする。
本発明は、以下の手段を提供する。
（１）平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行うことを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
（２）クーラントが純水であることを特徴とする（１）に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
（３）クーラントを用いないか、又は、クーラントとして用いる純水の供給速度が０ｍｌ／ｍｉｎ超〜１００ｍｌ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする（１）に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
（４）被加工物テーブルの回転方向が研削プレート回転方向と逆方向であり、硬質パッドはセグメント化されたものであり、被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍであることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
（５）平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う工程を有することを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の製造方法。
（６）平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定されていることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
（７）前記金属酸化物が酸化セリウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化錫から選ばれる少なくとも１種以上であることを特徴とする（６）に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
（８）前記金属酸化物が少なくとも酸化セリウムを含むことを特徴とする（７）に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
（９）前記砥粒の比表面積が０．１ｍ２／ｇ〜３００ｍ２／ｇであることを特徴とする（６）〜（８）のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
（１０）前記軟質パッドが、不織布系またはスエード系であることを特徴とする（６）〜９のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
（１１）前記硬質パッドが、発泡ポリウレタン系であることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
（１２）前記砥粒を結合剤及び／又は接着剤で固定されたものであることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
（１３）前記砥粒の固定は、固定砥粒フィルムを硬質パッドに貼付することによってなされていることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか一項の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
本明細書において、「単結晶ＳｉＣ基板」との語は表面研削前、表面研削中及び表面研削後のいずれのものに対しても共通に用いる。
本発明によれば、既存の研削装置を使用することで量産工程に適用可能であり、微小なキズの発生を抑制できると共に迅速に鏡面を得ることが可能な単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートを提供できる。
本発明の研削プレートの構造を示す模式図である。 本発明の研削プレートを使用する表面研削装置の一例の構造の一部を示す模式図である。 本発明の第１の実施例における加工前の単結晶ＳｉＣインゴット表面の光学顕微鏡写真である。 本発明の第１の実施例における加工後の単結晶ＳｉＣインゴット表面の光学顕微鏡写真である。
以下、本発明を適用した単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートについて、図面を用いてその構成を説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
（単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート）
図１は、本発明一実施形態に係る単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートの一例を示す模式図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
図１に示す研削プレート１０は、平坦面を有する台金１と、その上に軟質パッド２、硬質パッド３が順に貼付され、硬質パッド３の表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒（図示略）が固定されている。
この例では、軟質パッド２と硬質パッド３とは粘着シート４を介して貼付され、硬質パッド３は直角三角形状にセグメント化された８枚（３ａ）によって構成されており、台金１は、研削装置にネジで固定するためのネジ穴１ａを有する。この場合、純水等のクーラントを用いるときの軟質パッドの吸水防止と硬質パッド貼付の安定化のため、粘着シート４を使用しているが、使用せずに硬質パッド３を軟質パッド２に直接貼付してもよい。
また、この例に示すように、軟質パッド２と粘着シート４は、ネジ穴1aに切粉やクーラントの侵入を防ぐための蓋をする目的で、ネジ穴1aに相当する部分に穴をあけない形態で用いてもよい。
バンドギャップを有する砥粒は、単結晶ＳｉＣ基板の表面研削中に被加工物との機械的摺動によりエネルギーが与えられ、砥粒表面の電子が励起されて電子正孔対が生じ、スーパーオキシドアニオン、ヒドロキシルラジカル、あるいは原子状酸素といった非常に酸化力の強い活性種が生じて試料表面を酸化させ、生じたＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏが砥粒によって除去されることで単結晶ＳｉＣ基板の表面を加工できるというトライボ触媒作用を生じさせる。
トライボ触媒作用を生じさせるバンドギャップを有する材料として特に、金属酸化物は、いずれも単結晶ＳｉＣよりも軟らかい材料であり、ほとんどのものはバンドギャップを持つ材料であるため、砥粒や顔料、光触媒他の用途でトライボ触媒作用を持つ粉末が工業的に入手できるので好ましく、使用できる。
より好ましく使用できる金属酸化物粉末は、工業的入手のしやすさとバンドギャップを持つ材料であるためトライボ触媒作用を持つことを鑑み、酸化セリウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化錫から選ばれる少なくとも１種以上の金属酸化物粉末である。
最も好ましく使用できる金属酸化物粉末は、工業的入手のしやすさ、バンドギャップを持つ半導体材料であるためトライボ触媒作用を持つこと、発揮する性能を鑑み、酸化セリウムである。
砥粒はＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏを除去する能力を備えている必要があるため、ある程度の一次粒子径をもつことが必要である。しかし、一次粒子径が大きいものでは比表面積が小さくなり、光触媒作用と同様にトライボ触媒作用も効率よく発揮できなくなるため適正な範囲がある。すなわち、砥粒の機械的除去能力を考えたとき、粒径が大きい、すなわち比表面積が小さいほうが有利であるということがあるが、一方で、トライボ触媒作用は、一般の触媒作用と同様に表面が関与するので、比表面積が大きい方が効果が高い。したがって、両者のバランスが取れた領域が適正な範囲ということになる。
砥粒の比表面積は、０．１ｍ２／ｇ〜３００ｍ２／ｇであることが好ましい。０．１ｍ２／ｇより小さいとトライボ触媒作用が効率よく発揮できないおそれがあるためであり、３００ｍ２／ｇより大きいと、ＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏを効率よく除去できないおそれがあるためである。
砥粒の比表面積は、０．５ｍ２／ｇ〜２００ｍ２／ｇであることがより好ましい。０．５ｍ２／ｇ以上とすることにより、トライボ触媒作用がより効率よく発揮できるものとなり、２００ｍ２／ｇ以下とすることにより、ＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏをより効率よく除去できるためである。
砥粒の比表面積は、１ｍ２／ｇ〜１００ｍ２／ｇであることがより好ましい。１ｍ２／ｇ以上とすることにより、トライボ触媒作用がさらに効率よく発揮できるものとなり、１００ｍ２／ｇ以下とすることにより、ＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏをさらに効率よく除去できるためである。
この研削プレートは台金を備えているので、研削装置で使用するため研削装置に装着することが可能である。
台金としては公知のものを用いることができ、例えば、その材料がシルミン等のアルミニウム合金であるものを用いることができる。
この台金は被加工物と相対する向きに平坦面を有しており、研削プレートはこの平坦面の上に、軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された構造である。かかる構造を備えることにより、表面基準の加工が可能で、かつ被加工物である単結晶ＳｉＣ基板の表面に発生するキズを最小限に抑えることができる。
軟質パッドは、不織布系、またはスエード系のものとすることができる。
硬質パッドは発泡ポリウレタン系のものとすることができる。
研削プレートの加工に与る最表面には、硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定されている。この砥粒は、結合剤や接着剤を使用して硬質パッド表面に固定したものとすることができる。
また、砥粒の固定は、市販の固定砥粒フィルムを硬質パッドに貼付することによって行うことができる。
（単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法）
本発明の一実施形態に係る単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法は、平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行うものである。
研削プレートを装着する研削装置としては公知の研削装置を用いることができる。
図２は、本発明の研削プレートを装着する研削装置の一例の単結晶基板を研削する部分の構造を示す模式図である。図１に示した研削プレート１０は 駆動部１１に装着され、駆動部はモータベルトによって回転する。単結晶ＳｉＣ基板１２は、真空チャック装置（不図示）によって真空吸着により被加工物テーブル１３に固定される。基板保持部１４が被加工物テーブル１３と共に回転しながら、研削プレート方向に送られることで基板の研削が行われる。
研削条件を適切に選定することで、単結晶ＳｉＣに対する前記研削プレートのトライボ触媒作用を顕現せしめ、酸化生成物を生ぜしめることができる。
研削プレートの回転速度は３００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍが好ましい。３００ｒｐｍより小さいと砥粒に与えられる機械的エネルギーが小さすぎてトライボ触媒作用が現れないおそれがあるためであり、３０００ｒｐｍより大きいと発熱や装置振動等の問題が無視できなくなるおそれがあるためである。研削装置にトライボ触媒作用をもつ研削プレートを適用した例はこれまで無かったため、既存の研削装置の仕様内でトライボ触媒作用が発現するかどうかは明らかでなかったが、鋭意検討の結果、一般的な研削プレート回転速度が適用できることが判明した。
研削プレートの回転速度は５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍがより好ましい。５００ｒｐｍ以上とすることにより、トライボ触媒作用をより十分な機械的エネルギーを生じさせることが可能となり、２０００ｒｐｍ以下とすることにより、発熱や装置振動等の問題をより確実に回避することが可能となるからである。
被加工物テーブルの回転方向は研削プレート回転方向と順方向とすることができる。この場合、被加工物テーブルの回転速度は研削プレート回転速度の８０％〜１２０％であることが好ましい。８０％未満又は１２０％超とすると、加工面の除去量が不均一になるおそれがあるためである。
被加工物テーブルの回転方向は、研削プレート回転方向と逆方向とすることができる。この場合、加工面の除去量を均一にするため、硬質パッドを適切な形状にセグメント化した上で、被加工物テーブルの回転速度は３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍであることが好ましい。
硬質パッドをセグメント化すなわち、適当なサイズに分離して貼付することにより、被加工物テーブルと逆方向に回転する研削プレート上の砥粒と被加工物加工面内の接触頻度を制御することができ、例えば被加工物中央部だけが多く削れてしまうといった不均一な加工を防ぐことができる。通常の研削装置では被加工物テーブルの回転中心は研削プレートの外周部に当たるように配置され、被加工物テーブルの回転方向は研削プレート回転方向と逆方向であるため、研削プレート全面に砥粒があると、被加工物中央部への砥粒の接触頻度が高くなり、中央部だけが削れてしまうので、これを防ぐための適切なセグメント化は有効である。
また、３０ｒｐｍ未満又は３００ｒｐｍ超とすると、通常の研削装置の仕様外の運転となり、加工面の除去量が不均一になるおそれがあるためである。
クーラントを用いる場合には純水を用いることが好ましい。不純物成分があるとトライボ触媒作用が現れなくなるおそれがあるためである。トライボ触媒作用は機械的エネルギーを効率的に電子正孔対の生成に寄与させることが重要であるが、不純物の介在そのものがこれを阻害するおそれがあり、また、水の潤滑作用を高めて摩擦抵抗を減らしてしまう結果、砥粒に与える機械的エネルギーを減らしてしまうおそれがある。また、不純物の介在は、酸化生成物を砥粒が効率的に除去するプロセスを阻害するおそれもある。
クーラントを用いなくてもよく、クーラントとして純水を用いるときは純水の供給速度は１００ｍｌ／ｍｉｎ以下であることが好ましい。１００ｍｌ／ｍｉｎを越えると、機械的摺動によって砥粒に与えられるエネルギーが小さくなりすぎてトライボ触媒作用が十分現れなくなるおそれがあるためである。また、純水の供給速度が大きすぎると、潤滑剤としての作用が大きくなり、摩擦抵抗を減らしてしまう結果、砥粒に与えるエネルギーが小さくなり、電子正孔対の発生も充分でなくなるおそれもあるためである。
（単結晶ＳｉＣ基板の製造方法）
本発明の一実施形態に係る単結晶ＳｉＣ基板の製造方法は、平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う工程を有するものである。本願の方法は、ＳｉＣ表面での酸化を利用するのでその酸化障壁の高さに関係し、ＳｉＣ基板の（０００１）面のＣ面において、好ましく適用できる。
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（第１の実施例）
秀和工業株式会社製研削装置ＭＨＧ−２０００に装着できるように準備されたＭ１２のネジ穴をもつ外径１５０ｍｍのアルミニウム合金製の台金の被加工物と相対する面を平坦に加工し、ニッタ・ハース株式会社製ＣＭＰ用パッドＳＵＢＡ６００（軟質パッド）を貼付し、そのＳＵＢＡ６００の上に、アズワン株式会社製ＦＥＰ粘着シートフィルムを介して３０×４０×５０ｍｍの直角三角形状にセグメント化したニッタ・ハース株式会製ＣＭＰ用パッドＩＣ１０００（硬質パッド）を８枚貼付して研削プレート基体を作製した。この研削プレート基体を旭ダイヤモンド工業製コンディショナーＣＭＰ−Ｍ１００Ａを使用してツルーイングを行った。ツルーイングされたＩＣ１０００セグメント表面に、やはり３０×４０×５０ｍｍの直角三角形状にセグメント化した住友スリーエム株式会社製トライザクトフィルム酸化セリウムを貼付してトライボ触媒作用をもつ単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートを作製した。
次に、作製した研削プレートを研削装置ＭＨＧ−２０００に装着し、予め旭ダイヤモンド工業製ビトリファイドボンドダイヤモンドホイール（４０００番）で平坦に研削加工されたタンケブルー製３インチ径のｎ型（０００−１）４Ｈ−ＳｉＣ（４°オフ）単結晶インゴット（Ｃ面）（単結晶ＳｉＣ基板）を、真空チャックを用いて被加工物テーブルに固定し、表面加工を行った。
被加工物テーブルの回転方向は研削プレート回転方向と逆方向とし、被加工物テーブルの回転速度とし、純水の供給速度は０ｍｌ／ｍｉｎ、すなわち乾式で加工を行った。被加工物テーブルは手動でじわじわ送ることで行い、砥石回転用モーター電流の値が２．４〜２．８Ａの範囲内になるようにした。加工時間は３分間であった。
単結晶インゴットの除去量は、加工前後のインゴット高さについてミツトヨ製ハイトメータを使用して面内９点の測定を行い、算出した結果、平均値で３．８μｍであった。加工速度は１．３μｍ／ｍｉｎと高い値であった。加工後のインゴット高さの最大値と最小値の差は１．４μｍであり、均一に加工されていた。
図３に加工前のインゴット表面、図４に加工後のインゴット表面について、オリンパス製光学顕微鏡を使用し、暗視野観察を行った結果を示す。
加工前のインゴットで無数に観察された４０００番ダイヤモンド砥粒による研削条痕は完全に消失しており、結晶欠陥や微小異物に起因する輝点のみが観察され、加工歪の無い鏡面が達成できていた。
（第２の実施例）
第１の実施例で作製した単結晶ＳｉＣ鏡面加工用研削プレートを使用して、純水供給量を１０ｍｌ／ｍｉｎ、５０ｍｌ／ｍｉｎ、１００ｍｌ／ｍｉｎとした以外は第１の実施例と同一の研削条件で加工を行った。
加工速度はそれぞれ１．０μｍ／ｍｉｎ、０．６μｍ／ｍｉｎ、０．２μｍ／ｍｉｎであり、第１の実施例の場合と同様に、光学顕微鏡暗視野観察で研削条痕が完全に消失していることが確認された。
（比較例１）
第１の実施例で作製した単結晶ＳｉＣ鏡面加工用研削プレートを使用して、純水供給量を１５０ｍｌ／ｍｉｎとした以外は第１の実施例と同一の研削条件で加工を行ったところ、加工速度はほぼゼロであり、光学顕微鏡暗視野観察で研削条痕がほとんど消えていないことが確認された。純水供給量が１５０ｍｌ／ｍｉｎでは、機械的摺動によって砥粒に与えられるエネルギーが小さくなりすぎてトライボ触媒作用が現れなくなったと考えられる。
（比較例２）
日本金剛砥石製レジンボンド酸化セリウム砥石を研削プレートとして使用し、第１の実施例と同様の加工を行ったところ、平均値としての加工速度は０．７μｍ／ｍｉｎであったが、インゴット中央部が多く削れるという不均一な削れ方であり、光学顕微鏡暗視野観察では、微小なキズが観察された。本発明と異なり、軟質パッドと硬質パッドの組合せの構成を持たないため、表面基準の加工ができず、さらに微小なキズの発生を抑えることができなかったためと考えられる。
本発明の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレートは、単結晶ＳｉＣ基板の作製に使用することができ、また、デバイスを形成した後の基板の裏面を加工して基板を薄くする工程に使用することができる。
１ 台金
２ 軟質パッド
３ 硬質パッド
１０ 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート

Claims (13)

  1. 平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行うことを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
  2. クーラントが純水であることを特徴とする請求項１に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
  3. クーラントを用いないか、又は、クーラントとして用いる純水の供給速度が０ｍｌ／ｍｉｎ超〜１００ｍｌ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする請求項１に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
  4. 被加工物テーブルの回転方向が研削プレート回転方向と逆方向であり、硬質パッドはセグメント化されたものであり、被加工物テーブルの回転速度が３０ｒｐｍ〜３００ｒｐｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法。
  5. 平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定された研削プレートを研削装置に装着し、前記研削プレートによって酸化生成物を生ぜしめ、その酸化生成物を除去しながら表面の研削を行う工程を有することを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の製造方法。
  6. 平坦面を有する台金上に軟質パッド、硬質パッドが順に貼付された研削プレートであって、前記硬質パッドの表面に単結晶ＳｉＣよりも軟らかくかつバンドギャップを有する少なくとも１種以上の金属酸化物からなる砥粒が固定されていることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
  7. 前記金属酸化物が酸化セリウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化錫から選ばれる少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項６に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
  8. 前記金属酸化物が少なくとも酸化セリウムを含むことを特徴とする請求項７に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
  9. 前記砥粒の比表面積が０．１ｍ２／ｇ〜３００ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
  10. 前記軟質パッドが、不織布系またはスエード系であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
  11. 前記硬質パッドが、発泡ポリウレタン系であることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
  12. 前記砥粒を結合剤及び／又は接着剤で固定されたものであることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
  13. 前記砥粒の固定は、固定砥粒フィルムを硬質パッドに貼付することによってなされていることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか一項の単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート。
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KR1020157024095A KR101775258B1 (ko) 2013-02-13 2014-02-13 단결정 SiC 기판의 표면 가공 방법, 그 제조 방법 및 단결정 SiC 기판의 표면 가공용 연삭 플레이트
TW103104771A TWI515784B (zh) 2013-02-13 2014-02-13 單晶ＳｉＣ基板之表面加工方法、其製造方法及單晶ＳｉＣ基板之表面加工用研磨板
US14/765,875 US9620374B2 (en) 2013-02-13 2014-02-13 Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate
CN201480008414.7A CN104981324B (zh) 2013-02-13 2014-02-13 单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板
PCT/JP2014/053379 WO2014126174A1 (ja) 2013-02-13 2014-02-13 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート
US15/448,462 US9960048B2 (en) 2013-02-13 2017-03-02 Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate
US15/935,320 US10453693B2 (en) 2013-02-13 2018-03-26 Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6016301B2 (ja) * 2013-02-13 2016-10-26 昭和電工株式会社 単結晶ＳｉＣ基板の表面加工方法、その製造方法及び単結晶ＳｉＣ基板の表面加工用研削プレート
JP6475518B2 (ja) * 2015-03-03 2019-02-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6948798B2 (ja) * 2017-02-14 2021-10-13 株式会社ディスコ 研削ホイール
JP6912284B2 (ja) * 2017-06-23 2021-08-04 株式会社ディスコ 研削装置
JP6974979B2 (ja) * 2017-08-22 2021-12-01 株式会社ディスコ 研削装置

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3504457A (en) 1966-07-05 1970-04-07 Geoscience Instr Corp Polishing apparatus
JPS60242975A (ja) * 1984-05-14 1985-12-02 Kanebo Ltd 平面研磨装置
US4944836A (en) 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
JPH0475A (ja) 1989-05-31 1992-01-06 Nippon Seiko Kk 磁性流体シール装置とその製造方法
JPH0359156U (ja) * 1989-10-12 1991-06-11
US5257478A (en) 1990-03-22 1993-11-02 Rodel, Inc. Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material
EP0465868B1 (en) 1990-06-29 1996-10-02 National Semiconductor Corporation Controlled compliance polishing pad
US5152917B1 (en) * 1991-02-06 1998-01-13 Minnesota Mining & Mfg Structured abrasive article
DE69306049T2 (de) 1992-06-19 1997-03-13 Rikagaku Kenkyusho Vorrichtung zum Schleifen von Spiegeloberfläche
JP3128164B2 (ja) * 1992-06-19 2001-01-29 理化学研究所 メカノケミカル作用を生じる電解ドレッシング用砥石
US6069080A (en) * 1992-08-19 2000-05-30 Rodel Holdings, Inc. Fixed abrasive polishing system for the manufacture of semiconductor devices, memory disks and the like
JP2716653B2 (ja) 1993-11-01 1998-02-18 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置および研磨方法
US5958794A (en) 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
JP3853437B2 (ja) * 1996-08-08 2006-12-06 大日本印刷株式会社 研磨シート
JPH10156724A (ja) 1996-11-28 1998-06-16 Sony Corp 研磨布、該研磨布を用いた平坦化研磨方法、及び半導体装置の製造方法
JPH10321572A (ja) 1997-05-15 1998-12-04 Toshiba Corp 半導体ウェーハの両面洗浄装置及び半導体ウェーハのポリッシング方法
US5931724A (en) * 1997-07-11 1999-08-03 Applied Materials, Inc. Mechanical fastener to hold a polishing pad on a platen in a chemical mechanical polishing system
US6033293A (en) * 1997-10-08 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Apparatus for performing chemical-mechanical polishing
JPH11170167A (ja) 1997-12-15 1999-06-29 Nikon Corp 光学素子の研磨方法及び研磨装置
JPH11198045A (ja) 1998-01-19 1999-07-27 Tosoh Corp 研磨用成形体、それを用いた研磨用定盤及び研磨方法
JPH11235659A (ja) 1998-02-18 1999-08-31 Ricoh Co Ltd 摩擦によって誘起される化学的除去加工方法およびその加工装置
JP2000190235A (ja) 1998-12-24 2000-07-11 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨体の製造方法
JP4644323B2 (ja) 1999-04-28 2011-03-02 Ａｇｃセイミケミカル株式会社 有機アルカリを含有する半導体用研磨剤
JP2000354950A (ja) 1999-06-15 2000-12-26 Sumitomo Metal Ind Ltd 研磨パッド、研磨装置及び平坦な表面を有する被研磨体を製造する方法
JP4028163B2 (ja) * 1999-11-16 2007-12-26 株式会社デンソー メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置
WO2001045899A1 (fr) * 1999-12-22 2001-06-28 Toray Industries, Inc. Tampon a polir, procede et appareil de polissage
TW586157B (en) 2000-04-13 2004-05-01 Showa Denko Kk Slurry composition for polishing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device using the same
US6602117B1 (en) 2000-08-30 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Slurry for use with fixed-abrasive polishing pads in polishing semiconductor device conductive structures that include copper and tungsten and polishing methods
CN100496896C (zh) 2000-12-01 2009-06-10 东洋橡膠工业株式会社 研磨垫
JP2003048164A (ja) 2001-08-07 2003-02-18 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨ホイール
KR100877383B1 (ko) * 2001-11-13 2009-01-07 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
TWI222390B (en) 2001-11-13 2004-10-21 Toyo Boseki Polishing pad and its production method
JP2004193377A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2004255467A (ja) 2003-02-24 2004-09-16 Central Glass Co Ltd ガラス基板の連続片面研磨装置
JP2005142441A (ja) 2003-11-07 2005-06-02 Sony Corp ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法
JP2005277130A (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2005288552A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Noritake Co Ltd 研磨工具およびそれを用いた研磨方法
JP2006055964A (ja) 2004-08-23 2006-03-02 Olympus Corp スムージング工具
JP4818613B2 (ja) * 2005-01-19 2011-11-16 アイオン株式会社 両面平面研磨装置
US7169031B1 (en) 2005-07-28 2007-01-30 3M Innovative Properties Company Self-contained conditioning abrasive article
US7594845B2 (en) 2005-10-20 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Abrasive article and method of modifying the surface of a workpiece
JP2007190643A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Nihon Micro Coating Co Ltd クリーニングシート及び方法
JP4873694B2 (ja) * 2006-04-12 2012-02-08 国立大学法人 熊本大学 触媒支援型化学加工方法
JP2008006559A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Hitachi Maxell Ltd 鏡面加工方法、および鏡面加工用の加工体
EP1894900A3 (en) 2006-08-28 2010-02-24 Osaka University Catalyst-aided chemical processing method and apparatus
JP2008081389A (ja) * 2006-08-28 2008-04-10 Osaka Univ 触媒支援型化学加工方法及び装置
JP4499698B2 (ja) 2006-10-04 2010-07-07 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法
CN100443260C (zh) * 2006-11-08 2008-12-17 大连理工大学 一种硬脆晶体基片的无损伤磨削方法
JP5343250B2 (ja) * 2009-02-19 2013-11-13 国立大学法人 熊本大学 触媒支援型化学加工方法及びそれを用いた加工装置
DE102009030297B3 (de) 2009-06-24 2011-01-20 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102009048436B4 (de) * 2009-10-07 2012-12-20 Siltronic Ag Verfahren zum Schleifen einer Halbleiterscheibe
CN102107391B (zh) 2009-12-24 2014-01-15 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种SiC单晶晶片的加工方法
CN101966689B (zh) * 2010-09-27 2013-04-10 山东大学 一种大直径4H-SiC晶片碳面的表面抛光方法
JP6017315B2 (ja) 2011-01-27 2016-10-26 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨材及び研磨用組成物
JP2012160683A (ja) 2011-02-03 2012-08-23 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
TWI605112B (zh) 2011-02-21 2017-11-11 Fujimi Inc 研磨用組成物
JPWO2012141111A1 (ja) 2011-04-11 2014-07-28 旭硝子株式会社 研磨剤および研磨方法
JP5913839B2 (ja) 2011-06-06 2016-04-27 株式会社ディスコ 研磨方法
US9153451B2 (en) * 2012-12-12 2015-10-06 Micron Technology, Inc. Method of forming a planar surface for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure
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