JPWO2011013548A1 - 固体撮像装置 - Google Patents

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Abstract

固体撮像装置1は、受光部10,第1行選択部20,第2行選択部30,第1読出部40,第2読出部50および制御部60を備える。第1行選択部20により選択された受光部10の行の画素部のデータが第1読出部40により出力されて撮像データが得られ、また、第2行選択部30により選択された受光部10の行の画素部のデータが第2読出部50により出力されて通信データが得られる。

Description

本発明は、固体撮像装置に関するものである。
固体撮像装置は、フォトダイオードおよび電荷蓄積部を各々有するM×N個の画素部P1,1〜PM,NがM行N列に2次元配列された受光部と、受光部の各画素部Pm,nに対して或る期間にフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させるとともに行毎に各画素部Pm,nの当該蓄積電荷量に応じたデータを出力させる行選択部と、受光部の各画素部Pm,nから出力されたデータを入力して各画素部Pm,nのフォトダイオードにおける発生電荷量に応じたデータを出力する読出部とを備え、また、この読出部から出力されたデータをAD変換してデジタル値を出力するAD変換部を更に備える場合がある。
このような固体撮像装置は、受光部の各画素部Pm,nに到達した光の強度を検出して撮像することができる。また、近年では、このような固体撮像装置を用いて撮像だけでなく光通信を行うことが試みられている。例えば、特許文献1に開示された発明の固体撮像装置は、各画素部からデータを読み出す複数の手段を有していて、そのうちの第1読出し手段により画素部毎にデータを読み出すことで撮像をすることができ、また、第2読出し手段により特定の1または2以上の画素部のフォトダイオードから生じた電流信号を加算して出力することで光信号を受信することができる。
特許第3995959号公報
特許文献1に開示された発明の固体撮像装置は、何れの読出し手段によりデータを読み出すかを記憶する記憶部や、その記憶内容に従って特定の読出し手段によりデータを読み出すために出力経路を切り替える多数のスイッチを、画素部毎に備える必要がある。したがって、特許文献1に開示された発明の固体撮像装置は、従来の固体撮像装置と比べて、1画素部当りの領域の面積が大きく、また、受光部の領域の面積に対する全フォトダイオードの領域の面積の比である開口率が小さい。
また、特許文献1に開示された発明の固体撮像装置は、受光部において複数個の光信号受信領域が存在することが想定される場合に、その想定される光信号受信領域の個数と同じ数の第2信号読出し手段を備えることが必要である。したがって、このことによっても、特許文献1に開示された発明の固体撮像装置は、従来の固体撮像装置と比べて、1画素部当りの領域の面積が大きく、また、開口率が小さい。
さらに、特許文献1に開示された発明の固体撮像装置は、K個の第2信号読出し手段を備える場合に、K個より多い個数の光信号受信領域が受光部において存在すると、何れかの光信号受信領域に到達する光信号を受信することができない。
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、1画素部当りの領域の面積の増大および開口率の低減を抑制することができ、受光部における光信号受信領域の個数の変動に対して柔軟に対応することができる光通信用の固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明に係る固体撮像装置は、(1) 入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷を蓄積する電荷蓄積部と、電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力するための第1スイッチと、電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力するための第2スイッチと、を各々有するM×N個の画素部P1,1〜PM,Nが、M行N列に2次元配列された受光部と、(2) 受光部における何れかの第m1行を選択し、その行の各画素部Pm1,nに対して、フォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させ、第1スイッチを閉じることで電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線L1へ出力させる第1行選択部と、(3) 受光部における何れかの第m2行を選択し、その行の各画素部Pm2,nに対して、フォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させ、第2スイッチを閉じることで電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線L2へ出力させる第2行選択部と、(4) N本の読出信号線L1〜L1と接続され、第1行選択部により選択された受光部における第m1行の各画素部Pm1,nから読出信号線L1へ出力されたデータを入力して、第m1行の各画素部Pm1,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータを出力する第1読出部と、(5) N本の読出信号線L2〜L2と接続され、第2行選択部により選択された受光部における第m2行の各画素部Pm2,nから読出信号線L2へ出力されたデータを入力して、第m2行の各画素部Pm2,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータを出力する第2読出部と、を備えることを特徴とする。さらに、本発明に係る固体撮像装置は、第1行選択部と第2行選択部とが受光部において互いに異なる行を選択し、第1行選択部および第1読出部と第2行選択部および第2読出部とが互いに並列的に動作をすることを特徴とする。ただし、M,Nは2以上の整数であり、m,m1,m2は1以上M以下の整数であり、nは1以上N以下の整数である。
本発明に係る固体撮像装置では、第1行選択部により、受光部における何れかの第m1行が選択され、その行の各画素部Pm1,nにおいて、フォトダイオードで発生した電荷が電荷蓄積部に蓄積され、第1スイッチが閉じることで電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータが読出信号線L1へ出力される。各読出信号線L1と接続された第1読出部では、第1行選択部により選択された受光部における第m1行の各画素部Pm1,nから読出信号線L1へ出力されたデータが入力されて、第m1行の各画素部Pm1,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータが出力される。
一方、第2行選択部により、受光部における何れかの第m2行が選択され、その行の各画素部Pm2,nにおいて、フォトダイオードで発生した電荷が電荷蓄積部に蓄積され、第2スイッチが閉じることで電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータが読出信号線L2へ出力される。各読出信号線L2と接続された第2読出部では、第2行選択部により選択された受光部における第m2行の各画素部Pm2,nから読出信号線L2へ出力されたデータが入力されて、第m2行の各画素部Pm2,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータが出力される。
第1行選択部と第2行選択部とにより、受光部において互いに異なる行が選択される。そして、第1行選択部および第1読出部と、第2行選択部および第2読出部とは、互いに並列的に動作をする。これにより、例えば、第1行選択部および第1読出部により画像データが得られ、第2行選択部および第2読出部により通信データが得られる。
本発明に係る固体撮像装置は、(a1) 受光部において、各画素部Pm,nのフォトダイオードの接合容量部および電荷蓄積部それぞれの放電ならびに電荷蓄積部による電荷蓄積を指示する制御信号を各画素部Pm,nへ与えるための制御信号線が行毎に設けられ、各制御信号線の両端にスイッチまたはトライステートバッファが設けられ、(b1) 第1行選択部が、第m1行の制御信号線の第1端に設けられたスイッチまたはトライステートバッファを介して該制御信号線へ制御信号を出力し、(c1) 第2行選択部が、第m2行の制御信号線の第2端に設けられたスイッチまたはトライステートバッファを介して該制御信号線へ制御信号を出力するのが好適である。
この場合、(b2) 第1行選択部が、M個のラッチ回路を含み、そのうちの第m1のラッチ回路に保持したデータが有意値であるときに第m1行の制御信号線の第1端に設けられたスイッチまたはトライステートバッファを介して該制御信号線へ制御信号を出力し、(c2) 第2行選択部が、M個のラッチ回路を含み、そのうちの第m2のラッチ回路に保持したデータが有意値であるときに第m2行の制御信号線の第2端に設けられたスイッチまたはトライステートバッファを介して該制御信号線へ制御信号を出力するのが好適である。
或いは、本発明に係る固体撮像装置は、(a3) 受光部において、各画素部Pm,nのフォトダイオードの接合容量部および電荷蓄積部それぞれの放電ならびに電荷蓄積部による電荷蓄積を指示する制御信号を各画素部Pm,nへ与えるための制御信号線が行毎に設けられ、各制御信号線の一端に論理和回路が設けられ、(b3) 第1行選択部が、第m1行の制御信号線の一端に設けられた論理和回路を介して該制御信号線へ制御信号を出力し、(c3) 第2行選択部が、第m2行の制御信号線の一端に設けられた論理和回路を介して該制御信号線へ制御信号を出力するのが好適である。
この場合、(b4) 第1行選択部が、M個のラッチ回路を含み、そのうちの第m1のラッチ回路に保持したデータが有意値であるときに第m1行の制御信号線の一端に設けられた論理和回路を介して該制御信号線へ制御信号を出力し、(c4) 第2行選択部が、M個のラッチ回路を含み、そのうちの第m2のラッチ回路に保持したデータが有意値であるときに第m2行の制御信号線の一端に設けられた論理和回路を介して該制御信号線へ制御信号を出力するのが好適である。
本発明に係る固体撮像装置は、第1行選択部および第2行選択部それぞれのM個のラッチ回路が行順に縦続接続されてシフトレジスタを構成しており、そのシフトレジスタにおける初段のラッチ回路にMビットのデータをシリアル入力することで各ラッチ回路がデータを保持するのが好適である。
本発明に係る固体撮像装置は、第1行選択部が、これに含まれるM個のラッチ回路のうち保持データが有意値であるラッチ回路に対応する複数の行に対して一定時間間隔で順次に制御信号を出力し、第2行選択部が、これに含まれるM個のラッチ回路のうち保持データが有意値であるラッチ回路に対応する複数の行に対して一定時間間隔で順次に制御信号を出力するのが好適である。
本発明に係る固体撮像装置は、1画素部当りの領域の面積の増大および開口率の低減を抑制することができ、受光部における光信号受信領域の個数の変動に対して柔軟に対応することができる。
図1は第1実施形態に係る固体撮像装置1の概略構成を示す図である。 図2は第1実施形態に係る固体撮像装置1の第1読出部40および第2読出部50の構成を示す図である。 図3は第1実施形態に係る固体撮像装置1の画素部Pm,nおよび保持部41の回路構成を示す図である。 図4は第1実施形態に係る固体撮像装置1の差演算部43の回路構成を示す図である。 図5は第1実施形態に係る固体撮像装置1の第1行選択部20の構成を示す図である。 図6は第1実施形態に係る固体撮像装置1の第1行選択部20の制御信号生成回路21の構成を示す図である。 図7は第1実施形態に係る固体撮像装置1の動作の一例を示すタイミングチャートである。 図8は第1実施形態に係る固体撮像装置1の動作の他の一例を示すタイミングチャートである。 図9は第1実施形態に係る固体撮像装置1の動作の更に他の一例を示すタイミングチャートである。 図10は第2実施形態に係る固体撮像装置2の概略構成を示す図である。 図11は第2実施形態に係る固体撮像装置2の第1行選択部20および第2行選択部30の構成を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置1の概略構成を示す図である。この図に示される固体撮像装置1は、受光部10,第1行選択部20,第2行選択部30,第1読出部40,第2読出部50および制御部60を備える。
受光部10はM×N個の画素部P1,1〜PM,Nを含む。M×N個の画素部P1,1〜PM,Nは、共通の構成を有していて、M行N列に2次元配列されている。各画素部Pm,nは第m行第n列に位置している。ここで、M,Nは2以上の整数であり、mは1以上M以下の各整数であり、nは1以上N以下の各整数である。
各画素部Pm,nは、入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷を蓄積する電荷蓄積部とを有する。各画素部Pm,nは、第1行選択部20または第2行選択部30から制御信号線を介して受け取った各種の制御信号に基づいて、フォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積し、その電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線L1または読出信号線L2へ出力する。
第1行選択部20は、受光部10における何れかの第m1行を選択し、その行の各画素部Pm1,nに対して、フォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させ、その電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線L1へ出力させる。
第2行選択部30は、受光部10における何れかの第m2行を選択し、その行の各画素部Pm2,nに対して、フォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させ、その電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線L2へ出力させる。
ここで、m1,m2は1以上M以下の整数である。第1行選択部20および第2行選択部30それぞれが選択する行の数は任意であるが、データの出力は各行ごとに順次行われる。ただし、第1行選択部20と第2行選択部30とは、受光部10において互いに異なる行を選択する。
第1読出部40は、N本の読出信号線L1〜L1と接続され、第1行選択部20により選択された受光部10における第m1行の各画素部Pm1,nから読出信号線L1へ出力されたデータを入力して、第m1行の各画素部Pm1,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータを出力する。
第2読出部50は、N本の読出信号線L2〜L2と接続され、第2行選択部30により選択された受光部10における第m2行の各画素部Pm2,nから読出信号線L2へ出力されたデータを入力して、第m2行の各画素部Pm2,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータを出力する。
制御部60は、第1行選択部20,第2行選択部30,第1読出部40および第2読出部50それぞれの動作を制御することで、固体撮像装置1全体の動作を制御する。制御部60により制御されて、第1行選択部20および第1読出部40と、第2行選択部30および第2読出部50とは、互いに並列的に動作をすることができる。
図2は、第1実施形態に係る固体撮像装置1の第1読出部40および第2読出部50の構成を示す図である。この図では、受光部10においてはM×N個の画素部P1,1〜PM,Nのうち第m行第n列の画素部Pm,nが代表して示され、また、第1読出部40および第2読出部50それぞれにおいては該画素部Pm,nに関連する構成要素が示されている。
第1読出部40は、N個の保持部41〜41,第1列選択部42および差演算部43を含む。N個の保持部41〜41は共通の構成を有している。各保持部41は、受光部10における第n列のM個の画素部P1,n〜PM,nと読出信号線L1を介して接続されていて、第1行選択部20により選択された第m1行の画素部Pm1,nから読出信号線L1へ出力されたデータを入力して、そのデータを保持し、その保持したデータを出力することができる。各保持部41は、ノイズ成分が重畳された信号成分のデータを入力して保持するとともに、ノイズ成分のみのデータを入力して保持するのが好適である。
N個の保持部41〜41は、第1列選択部42から受け取った各種の制御信号に基づいて、同一タイミングでデータをサンプリングして保持し、その保持したデータを順次に出力することができる。差演算部43は、N個の保持部41〜41それぞれから順次に出力されたデータを入力し、ノイズ成分が重畳された信号成分のデータからノイズ成分のみのデータを差し引いて、信号成分に応じたデータを出力する。差演算部43は、信号成分に応じたデータをアナログデータとして出力してもよいし、AD変換機能を有していてデジタルデータを出力してもよい、このようにして、第1読出部40は、第m1行の各画素部Pm1,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータを出力することができる。
第2読出部50は、N個の保持部51〜51,第2列選択部52および差演算部53を含む。N個の保持部51〜51は共通の構成を有している。各保持部51は、受光部10における第n列のM個の画素部P1,n〜PM,nと読出信号線L2を介して接続されていて、第2行選択部20により選択された第m2行の画素部Pm2,nから読出信号線L2へ出力されたデータを入力して、そのデータを保持し、その保持したデータを出力することができる。各保持部51は、ノイズ成分が重畳された信号成分のデータを入力して保持するとともに、ノイズ成分のみのデータを入力して保持するのが好適である。
N個の保持部51〜51は、第2列選択部52から受け取った各種の制御信号に基づいて、同一タイミングでデータをサンプリングして保持し、その保持したデータを順次に出力することができる。差演算部53は、N個の保持部51〜51それぞれから順次に出力されたデータを入力し、ノイズ成分が重畳された信号成分のデータからノイズ成分のみのデータを差し引いて、信号成分に応じたデータを出力する。差演算部53は、信号成分に応じたデータをアナログデータとして出力してもよいし、AD変換機能を有していてデジタルデータを出力してもよい、このようにして、第2読出部50は、第m2行の各画素部Pm2,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータを出力することができる。
図3は、第1実施形態に係る固体撮像装置1の画素部Pm,nおよび保持部41の回路構成を示す図である。この図でも、受光部10においてはM×N個の画素部P1,1〜PM,Nのうち第m行第n列の画素部Pm,nが代表して示され、また、第1読出部40においては該画素部Pm,nに関連する保持部41が示されている。なお、保持部51の構成は保持部41の構成と同様である。
各画素部Pm,nは、APS(Active Pixel Sensor)方式のものであって、フォトダイオードPDおよび6個のMOSトランジスタT1,T2,T3,T4,T4,T5を含む。この図に示されるように、トランジスタT1,トランジスタT2およびフォトダイオードPDは順に直列的に接続されていて、トランジスタT1のドレイン端子に基準電圧が入力され、フォトダイオードPDのアノ−ド端子が接地されている。トランジスタT1とトランジスタT2との接続点は、トランジスタT5を介してトランジスタT3のゲート端子に接続されている。
トランジスタT3のドレイン端子に基準電圧が入力される。トランジスタT3のソース端子は、トランジスタT4,T4それぞれのドレイン端子と接続されている。各画素部Pm,nのトランジスタT4のソース端子は、読出信号線L1に接続されている。各画素部Pm,nのトランジスタT4のソース端子は、読出信号線L2に接続されている。読出信号線L1および読出信号線L2それぞれには定電流源が接続されている。
各画素部Pm,nの転送用のトランジスタT2のゲート端子は、制御信号線LTと接続され、第1行選択部20から出力されるTrans1(m)信号または第2行選択部30から出力されるTrans2(m)信号が制御信号線LT上のTrans(m)信号として入力される。各画素部Pm,nのリセット用のトランジスタT1のゲート端子は、制御信号線LRと接続され、第1行選択部20から出力されるReset1(m)信号または第2行選択部30から出力されるReset2(m)信号が制御信号線上のReset(m)信号として入力される。各画素部Pm,nのホールド用のトランジスタT5のゲート端子は、制御信号線LHと接続され、第1行選択部20から出力されるHold1(m)信号または第2行選択部30から出力されるHold2(m)信号が制御信号線上のHold(m)信号として入力される。
各画素部Pm,nの出力選択用のトランジスタT4のゲート端子は、制御信号線LA1と接続され、第1行選択部20から出力されるAddress1(m)信号が入力される。各画素部Pm,nの出力選択用のトランジスタT4のゲート端子は、制御信号線LA2と接続され、第2行選択部30から出力されるAddress2(m)信号が入力される。これらの制御信号(Reset(m)信号,Trans(m)信号,Hold(m)信号,Address1(m)信号,Address2(m)信号)は、第m行のN個の画素部Pm,1〜Pm,Nに対して共通に入力される。
制御信号線LT,制御信号線LRおよび制御信号線LHは、行毎に設けられていて、第m行の各画素部Pm,nにおけるフォトダイオードPDの接合容量部および電荷蓄積部それぞれの放電ならびに電荷蓄積部による電荷蓄積を指示する制御信号(Reset(m)信号,Trans(m)信号,Hold(m)信号)を送る。これら制御信号線の第1端はスイッチを介して第1行選択部20に接続され、また、これら制御信号線の第2端はスイッチを介して第2行選択部30に接続されている。これら制御信号線それぞれの両端に設けられた2つのスイッチは、同時に閉じることはなく、常に少なくとも一方が開いている。なお、これらのスイッチに替えてトライステートバッファが用いられてもよく、この場合、これら制御信号線それぞれの両端に設けられた2つのトライステートバッファは、同時に導通状態になることはなく、常に少なくとも一方がハイインピーダンス状態にある。
制御信号線LA1および制御信号線LA2は、行毎に設けられていて、第m行の各画素部Pm,nにおける読出信号線L1または読出信号線L2へのデータ出力を指示する制御信号(Address1(m)信号,Address2(m)信号)を送る。各制御信号線LA1は第1行選択部20に接続されている。各制御信号線LA2は第2行選択部30に接続されている。Address1(m)信号とAddress2(m)信号とは同時にハイレベルとなることはなく、トランジスタT4とトランジスタT4とは同時にオン状態となることはない。
Reset(m)信号,Trans(m)信号およびHold(m)信号がハイレベルであるとき、フォトダイオードPDの接合容量部が放電され、また、トランジスタT3のゲート端子に接続される拡散領域(電荷蓄積部)が放電される。Trans(m)信号がローレベルであるとき、フォトダイオードPDで発生した電荷は接合容量部に蓄積されていく。Reset(m)信号がローレベルであって、Trans(m)信号およびHold(m)信号がハイレベルであると、フォトダイオードPDの接合容量部に蓄積されていた電荷は、トランジスタT3のゲート端子に接続される拡散領域(電荷蓄積部)に転送され蓄積される。
Address1(m)信号がハイレベルであるとき、トランジスタT3のゲート端子に接続される拡散領域(電荷蓄積部)に蓄積されている電荷量に応じたデータ(ノイズ成分が重畳された信号成分のデータ)が、トランジスタT4を経て読出信号線L1へ出力され、第1読出部40の保持部41へ入力される。すなわち、トランジスタT4は、電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線L1へ出力するための第1スイッチとして作用する。なお、電荷蓄積部が放電状態にあるときには、ノイズ成分のみのデータがトランジスタT4を経て読出信号線L1へ出力される。
Address2(m)信号がハイレベルであるとき、トランジスタT3のゲート端子に接続される拡散領域(電荷蓄積部)に蓄積されている電荷量に応じたデータ(ノイズ成分が重畳された信号成分のデータ)が、トランジスタT4を経て読出信号線L2へ出力され、第2読出部50の保持部51へ入力される。すなわち、トランジスタT4は、電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線L2へ出力するための第2スイッチとして作用する。なお、電荷蓄積部が放電状態にあるときには、ノイズ成分のみのデータがトランジスタT4を経て読出信号線L2へ出力される。
各保持部41は、2つの容量素子C,C、および、4つのスイッチSW11,SW12,SW21,SW22を含む。この保持部41では、スイッチSW11およびスイッチSW12は、直列的に接続されて読出信号線L1と配線Hline_s1との間に設けられ、容量素子Cの一端は、スイッチSW11とスイッチSW12との間の接続点に接続され、容量素子Cの他端は接地されている。また、スイッチSW21およびスイッチSW22は、直列的に接続されて読出信号線L1と配線Hline_n1との間に設けられ、容量素子Cの一端は、スイッチSW21とスイッチSW22との間の接続点に接続され、容量素子Cの他端は接地されている。
この保持部41では、スイッチSW11は、第1列選択部42から供給されるset_s1信号のレベルに応じて開閉する。スイッチSW21は、第1列選択部42から供給されるset_n1信号のレベルに応じて開閉する。set_s1信号およびset_n1信号は、N個の保持部41〜41に対して共通に入力される。スイッチSW12,SW22は、第1列選択部42から供給されるhshift1(n)信号のレベルに応じて開閉する。
この保持部41では、set_n1信号がハイレベルからローレベルに転じてスイッチSW21が開くときに画素部Pm,nから読出信号線L1へ出力されていたノイズ成分が、それ以降、容量素子Cにより電圧値out_n1(n)として保持される。set_s1信号がハイレベルからローレベルに転じてスイッチSW11が開くときに画素部Pm,nから読出信号線L1へ出力されていたノイズ成分が重畳された信号成分が、それ以降、容量素子Cにより電圧値out_s1(n)として保持される。そして、hshift1(n)信号がハイレベルになると、スイッチSW12が閉じて、容量素子Cにより保持されていた電圧値out_s1(n)が配線Hline_s1へ出力され、また、スイッチSW22が閉じて、容量素子Cにより保持されていた電圧値out_n1(n)が配線Hline_n1へ出力される。これら電圧値out_s1(n)と電圧値out_n1(n)との差が、画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を表す。
図4は、第1実施形態に係る固体撮像装置1の差演算部43の回路構成を示す図である。なお、差演算部53の構成は差演算部43の構成と同様である。この図に示されるように、差演算部43は、アンプA〜A、スイッチSW,SW、および、抵抗器R〜Rを含む。アンプAの反転入力端子は、抵抗器Rを介してバッファアンプAの出力端子と接続され、抵抗器Rを介して自己の出力端子と接続されている。アンプAの非反転入力端子は、抵抗器Rを介してバッファアンプAの出力端子と接続され、抵抗器Rを介して接地電位と接続されている。バッファアンプAの入力端子は、配線Hline_s1を介してN個の保持部41〜41と接続され、スイッチSWを介して接地電位と接続されている。バッファアンプAの入力端子は、配線Hline_n1を介してN個の保持部41〜41と接続され、スイッチSWを介して接地電位と接続されている。
差演算部43のスイッチSW,SWは、第1列選択部42から供給されるhreset1信号により制御されて開閉動作する。スイッチSWが閉じることで、バッファアンプAの入力端子に入力される電圧値がリセットされる。スイッチSWが閉じることで、バッファアンプAの入力端子に入力される電圧値がリセットされる。スイッチSW,SWが開いているときに、N個の保持部41〜41のうちの何れかの保持部41から配線Hline_s1,Hline_n1へ出力された電圧値out_s1(n),out_n1(n)が、バッファアンプA,Aの入力端子に入力される。バッファアンプA,Aそれぞれの増幅率を1とし、4個の抵抗器R〜Rそれぞれの抵抗値が互いに等しいとすると、差演算部43の出力端子から出力される電圧値は、配線Hline_s1および配線Hline_n1それぞれを経て入力される電圧値の差を表し、ノイズ成分が除去されたものとなる。
図5は、第1実施形態に係る固体撮像装置1の第1行選択部20の構成を示す図である。この図に示されるように、第1行選択部20は、第1のシフトレジスタを構成するM個の制御信号生成回路21〜21,および,第2のシフトレジスタを構成するM個のラッチ回路22〜22を含む。
M個の制御信号生成回路21〜21それぞれは、共通の構成を有して順に縦続接続されている。すなわち、各制御信号生成回路21の入力端子Iは前段の制御信号生成回路21m−1の出力端子Oに接続されている(ここでは、mは2以上M以下の各整数)。初段の制御信号生成回路21の入力端子Iは、クロックVCLK1が指示する或るタイミングでハイレベルであって以降はローレベルであるvshift1(0)信号を入力する。
各制御信号生成回路21は、クロックVCLK1に同期して動作し、基本制御信号1を入力して、対応するラッチ回路22により保持されるデータrow_sel1_data[m]がハイレベルであるときに、Reset1(m)信号,Trans1(m)信号,Hold1(m)信号およびAddress1(m)信号を出力する。各制御信号生成回路21は、対応するラッチ回路22により保持されるデータrow_sel1_data[m]がローレベルであるときには、Reset1(m)信号,Trans1(m)信号,Hold1(m)信号およびAddress1(m)信号を出力しない。
M個のラッチ回路22〜22それぞれは、Dフリップフロップであって順に縦続接続されている。すなわち、各ラッチ回路22の入力端子Dは前段のラッチ回路22m−1の出力端子Qに接続されている(ここでは、mは2以上M以下の各整数)。初段のラッチ回路22の入力端子Dは、Mビットのデータrow_sel1_data[M:1]をシリアルに入力する。各ラッチ回路22は、クロックrow_sel1_clkに同期して動作することで、データrow_sel1_data[m]を保持することができる。
各ラッチ回路22は、保持しているデータrow_sel1_data[m]を、対応する制御信号生成回路21へ与える。また、各ラッチ回路22は、保持しているデータrow_sel1_data[m]を、制御信号線LT,制御信号線LRおよび制御信号線LHそれぞれの第1端に設けられているスイッチに与えて、これらスイッチの開閉動作を制御する。データrow_sel1_data[m]がハイレベルであるときに、これらのスイッチは閉じる。
第1行選択部20は、vshift1(0)信号,クロックVCLK1,基本制御信号1,Mビットのデータrow_sel1_data[M:1]およびクロックrow_sel1_clkを制御部60から与えられる。
なお、第2行選択部30は、第1行選択部20と同様の構成を有し、第1のシフトレジスタを構成するM個の制御信号生成回路31〜31,および,第2のシフトレジスタを構成するM個のラッチ回路32〜32を含んでいて、これらが第1行選択部20と同様に構成されている。
図6は、第1実施形態に係る固体撮像装置1の第1行選択部20の制御信号生成回路21の構成を示す図である。各制御信号生成回路21は、Dフリップフロップ210、論理反転回路211、論理積回路212〜217,220および論理和回路218,219を含む。各制御信号生成回路21は、図5で説明した基本制御信号1として、All_reset1信号,Reset1信号,Trans1信号,Hold1信号およびAddress1信号を入力する。
各制御信号生成回路21のDフリップフロップ210は、前段の制御信号生成回路21m−1から出力されるvshift1(m-1)信号を入力して、クロックVCLK1が指示するタイミングで当該データを保持し、その保持したデータを出力する。
各制御信号生成回路21の論理積回路212は、対応するラッチ回路22から出力されるデータrow_sel1_data[m]を入力するとともに、Dフリップフロップ210から出力されるデータをも入力して、これらの論理積のデータを出力する。
各制御信号生成回路21の論理積回路213は、対応するラッチ回路22から出力されるデータrow_sel1_data[m]が論理反転回路211により論理反転されたデータを入力するとともに、前段の制御信号生成回路21m−1から出力されるvshift1(m-1)信号のデータをも入力して、これらの論理積のデータを出力する。
各制御信号生成回路21の論理和回路218は、論理積回路212および論理積回路213それぞれのデータを入力して、これらの論理和のデータをvshift1(m)信号として出力する。
各制御信号生成回路21の論理積回路214は、対応するラッチ回路22から出力されるデータrow_sel1_data[m]を入力するとともに、Reset1信号のデータを入力して、これらの論理積のデータをReset1(m)信号として出力する。
各制御信号生成回路21の論理積回路215は、対応するラッチ回路22から出力されるデータrow_sel1_data[m]を入力するとともに、Trans1信号のデータを入力して、これらの論理積のデータをTrans1(m)信号として出力する。
各制御信号生成回路21の論理積回路216は、対応するラッチ回路22から出力されるデータrow_sel1_data[m]とAll_reset1信号のデータの論理積のデータ(論理積回路220の出力データ)と論理積回路212の出力データとの論理和のデータ(論理和回路219の出力データ)を入力するとともに、Hold1信号のデータを入力して、これらの論理積のデータをHold1(m)信号として出力する。
各制御信号生成回路21の論理積回路217は、Address1信号のデータを入力するとともに、論理積回路212の出力データをも入力して、これらの論理積のデータをAddress1(m)信号として出力する。
このような構成を有する第1行選択部20では、M個のラッチ回路22〜22のうちの第m1のラッチ回路22m1に保持したデータがハイレベルである場合にのみ、これに対応する制御信号生成回路21m1は、第m1行の制御信号線の第1端に設けられたスイッチまたはトライステートバッファを介して該制御信号線へ制御信号(Reset(m)信号,Trans(m)信号,Hold(m)信号)を出力することができ、また、Address1(m)信号をも出力することができる。各制御信号生成回路21から出力される制御信号はReset1(m)信号,Trans1(m)信号, Hold1(m)信号であるが、これらの信号が、第m行の制御信号線、例えば、LRm、LTm、LHm, の第1端に設けられたスイッチまたはトライステートバッファを介して該制御信号線へ出力されると、それぞれ、Reset(m), Trans(m), Hold(m)として扱われる。
また、このような構成を有する第1行選択部20では、M個のラッチ回路22〜22のうち保持データがローレベルであるラッチ回路に対応する制御信号生成回路は、制御信号を出力することなく、前段から到達したvshift1信号を直ちに後段へ出力することができる。すなわち、M個のラッチ回路22〜22のうち保持データがハイレベルであるラッチ回路のみが実質的なシフトレジスタを構成している。したがって、第1行選択部20は、M個のラッチ回路22〜22のうち保持データがハイレベルであるラッチ回路に対応する行に対して一定時間間隔(クロックVCLK1の周期)で順次に制御信号を出力することができる。
既に説明したとおり、第1行選択部20と第2行選択部30とは、受光部10において互いに異なる行を選択する。また、第1行選択部20および第1読出部40と、第2行選択部30および第2読出部50とは、互いに並列的に動作をすることができる。以下では、受光部10におけるM×N個の画素部P1,1〜PM,Nのうち第x1行第y1列の画素部Px1,y1および第x2行第y2列の画素部Px2,y2それぞれに光信号が到達するとした場合を想定する。
この場合、第1行選択部20は、受光部10における第x1行および第x2行を除く(M−2)行を順次に選択して、各行の各画素部に対して、フォトダイオードPDで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させ、その電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータをトランジスタT4から読出信号線L1へ出力させる。第1読出部40は、第1行選択部20により選択された受光部10における各行(第x1行および第x2行を除く。)の各画素部から読出信号線L1へ出力されたデータを入力して、各画素部のフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じたデータを出力する。これらのデータを得ることにより撮像をすることができる。ただし、第x1行および第x2行については、画像データが得られないが、両隣の行の画像データから補間すればよい。
また、第2行選択部30は、受光部10における第x1行および第x2行を順次に選択して、各行の各画素部に対して、フォトダイオードPDで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させ、その電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータをトランジスタT4から読出信号線L2へ出力させる。第2読出部50は、第2行選択部30により選択された受光部10における第x1行および第x2行の各画素部から読出信号線L2へ出力されたデータを入力して、各画素部のフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じたデータを出力する。なお、第2読出部50は、第x1行については第y1列の画素部Px1,y1のデータのみを出力し、第x2行については第y2列の画素部Px2,y2のデータのみを出力してもよい。これらのデータを得ることで光通信データを取得することができる。
図7は、第1実施形態に係る固体撮像装置1の動作の一例を示すタイミングチャートである。ここでは、簡略化のためにM=N=4 とし、第2行第2列の画素部P2,2および第2行第3列の画素部P2,3それぞれに光信号が到達するとし、また、第2読出部50が2個の画素部P2,2および画素部P2,3それぞれのデータのみを出力することとする。この場合、第1行選択部20において、ラッチ回路22,22および22それぞれにはハイレベル値が保持され、ラッチ回路22にはローレベル値が保持される。また、第2行選択部30において、ラッチ回路32,32および32それぞれにはローレベル値が保持され、ラッチ回路32にはハイレベル値が保持される。これらの設定は読み出し前に行われることを想定している。同じ領域を続けて読み出すときには、再設定は不要である。読み出す領域を変えるときは、フレームとフレームとの間の時間に再設定を行う。
同図には、上から順に、第1行の4個の画素部P1,1〜P1,4に与えられる制御信号(Trans(1),Reset(1)信号,Hold(1)信号,Address1(1)信号,Address2(1)信号)、第2行の4個の画素部P2,1〜P2,4に与えられる制御信号(Trans(2),Reset(2)信号,Hold(2)信号,Address1(2)信号,Address2(2)信号)、第3行の4個の画素部P3,1〜P3,4に与えられる制御信号(Trans(3),Reset(3)信号,Hold(3)信号,Address1(3)信号,Address2(3)信号)、第4行の4個の画素部P4,1〜P4,4に与えられる制御信号(Trans(4),Reset(4)信号,Hold(4)信号,Address1(4)信号,Address2(4)信号)、第1読出部40から出力されるデータの内容(フレーム,行,列)、および、第2読出部50から出力されるデータの内容(フレーム,行,列)、が示されている。
この図に示されるように、第1行選択部20により選択される第1行,第3行および第4行の各画素部は、同一タイミングでフォトダイオードにおいて発生した電荷が電荷蓄積部に転送され蓄積される。そして、第1行選択部20により第1行,第3行および第4行が順次に選択されて、第1読出部40からは、第1行の各画素部P1,1〜P1,4それぞれのデータが順に出力され、次に第3行の各画素部P3,1〜P3,4それぞれのデータが順に出力され、更に次に第4行の各画素部P4,1〜P4,4それぞれのデータが順に出力されて、1フレームの画像データが得られる。各フレームにおいて各行のデータは一定時間間隔で出力される。一方、第2行選択部30により第3行の各画素部が選択され、第2読出部50から第2行の2個の画素部P2,2および画素部P2,3それぞれのデータが順に出力されて、通信データが得られる。
より具体的な例で説明すると以下のとおりである。ここでは、M=480、N=640とした固体撮像装置を備えたカメラを自動車に搭載し、このカメラにより車前方の風景を撮像することを想定する。受光部10における或る行の或る画素部に、前車ブレーキランプLEDから発生する点滅信号(前車のアクセル・ブレーキの踏み具合や左折・右折との距離などの情報を想定)が到達するとする。また、受光部10における他の或る行の或る画素部に、信号機LEDから発生する点滅信号(赤信号・青信号の種類や待機時間・渋滞情報などを想定)が到達することとする。つまり、受光部10の480行のうち、2行に到達した光信号を受信し、他の478行で撮像をすることとする。また、転送時間を40画素読出し期間とし、ピクセルレートを10MHzとする。
第1行選択部20により選択される478行の各画素部のデータが第1読出部40から出力される際のフレームレートは、以下の計算式(1)で得られる。一方、第2行選択部30により選択される2行の各画素部のデータが第2読出部50から出力される際のフレームレートは、以下の計算式(2)で得られる。
10MHz/478×(640+40) = 31.7fps …(1)
10MHz/2×(640+40) = 7.35kfps …(2)
このように、第1行選択部20および第1読出部40により、通常の30fpsでの撮像が可能である。このとき、2行欠陥ラインができるが、隣接行から補間すればよい。また、第2行選択部30および第2読出部50により、2行のみの高速読み出しのデータ受信レートレートは7kfps以上になるので、3.5kfps程度までの光信号であれば、データ受信することができる。なお、第2読出部50により、光信号を受信する2行のうちの特定の画素部のデータのみを出力するようにすれば、更なる高速化が可能である。
以上のように、本実施形態に係る固体撮像装置1は、通常の固体撮像装置と比較して、各画素部Pm,nにおいて1個の出力選択用のトランジスタが追加されただけであり、受光部10において各行に1本の制御信号線が追加されるとともに各列に1本の読出信号線が追加されただけである。したがって、本実施形態に係る固体撮像装置1は、受光部10において1画素部当りの領域の面積の増大および開口率の低減を抑制することができる。
また、本実施形態に係る固体撮像装置1は、第1行選択部20により選択された受光部10の行の画素部のデータが第1読出部40により出力されて撮像データが得られ、また、第2行選択部30により選択された受光部10の行の画素部のデータが第2読出部50により出力されて通信データが得られる。したがって、本実施形態に係る固体撮像装置1は、受光部10における光信号受信領域の個数が変動したとしても、第1行選択部20および第2行選択部30それぞれにより行を自由に選択することができるので、光信号受信領域の個数の変動に対して柔軟に対応することができる。
なお、本実施形態に係る固体撮像装置1は、これまでに説明したように、第1行選択部20および第1読出部40により撮像データを得るとともに、第2行選択部30および第2読出部50により通信データを得ることができるが、その他の使用形態も可能である。例えば、本実施形態に係る固体撮像装置1は、第1行選択部20により受光部10の全ての行を選択し、第1読出部40により全ての画素部のデータを出力するようにしてもよく、この場合には、通常の固体撮像装置と同様の撮像をすることができる。
また、例えば、本実施形態に係る固体撮像装置1は、図8にタイミングチャートが示されるように、第1行選択部20および第1読出部40ならびに第2行選択部30および第2読出部50の双方とも通信データを得ることとしてもよい。この図に示される例では、固体撮像装置1は、第1行選択部20および第1読出部40により第2行の2個の画素部P2,2および画素部P2,3それぞれの通信データを得るとともに、第2行選択部30および第2読出部50により第4行の2個の画素部P4,3および画素部P4,4それぞれの通信データを得る。この場合、第1行選択部20および第1読出部40によるデータ受信レートと、第2行選択部30および第2読出部50によるデータ受信レートとを、互いに異ならせることも可能である。
また、例えば、本実施形態に係る固体撮像装置1は、図9にタイミングチャートが示されるように、第1行選択部20および第1読出部40ならびに第2行選択部30および第2読出部50の双方とも画像データを得ることとしてもよい。この図に示される例では、固体撮像装置1は、第1行選択部20および第1読出部40により第1行および第3行の各画素部の画像データを得るとともに、第2行選択部30および第2読出部50により第2行および第4行の各画素部の画像データを得る。この場合、第1行選択部20および第1読出部40によるフレームレートと、第2行選択部30および第2読出部50によるフレームレートとを、互いに異ならせることも可能である。
(第2実施形態)
図10は、第2実施形態に係る固体撮像装置2の概略構成を示す図である。この図に示される固体撮像装置2は、受光部10,第1行選択部20,第2行選択部30,第1読出部40,第2読出部50および制御部60を備える。これらの各構成要素は、第1実施形態に係る固体撮像装置1の構成要素と同様の構成を有する。
第1実施形態では第1行選択部20と第2行選択部30とは受光部10を挟んで配置されたが、第2実施形態では、第1行選択部20および第2行選択部30は受光部10の一方側に配置される。また、第2実施形態では、第1行選択部20および第2行選択部30それぞれから出力される制御信号が論理和回路を経て制御信号線へ出力される。
図11は、第2実施形態に係る固体撮像装置2の第1行選択部20および第2行選択部30の構成を示す図である。第2実施形態における第1行選択部20は、図5および図6を用いて説明した第1実施形態におけるものと同様の構成を有していて、第1のシフトレジスタを構成するM個の制御信号生成回路21〜21,および,第2のシフトレジスタを構成するM個のラッチ回路22〜22を含む。第2行選択部30は、第1行選択部20と同様の構成を有し、第1のシフトレジスタを構成するM個の制御信号生成回路31〜31,および,第2のシフトレジスタを構成するM個のラッチ回路32〜32を含んでいて、これらが第1行選択部20と同様に構成されている。
第1行選択部20は、vshift1(0)信号,クロックVCLK1,基本制御信号1,Mビットのデータrow_sel1_data[M:1]およびクロックrow_sel1_clkを制御部60から与えられる。第2行選択部30は、vshift2(0)信号,クロックVCLK2,基本制御信号2,Mビットのデータrow_sel2_data[M:1]およびクロックrow_sel2_clkを制御部60から与えられて、第1行選択部20と同様に動作する。
各ビットのデータrow_sel1_data[m]およびデータrow_sel2_data[m]は、同時にハイレベルであることはなく、少なくとも一方がローレベルである。各ビットのデータrow_sel1_data[m]およびデータrow_sel2_data[m]は、互いに論理反転関係にあってもよい。この場合には、論理反転回路を設けて、第1行選択部20のラッチ回路22に保持させるデータrow_sel1_data[m]と、第2行選択部30のラッチ回路32に保持させるデータrow_sel2_data[m]とを、互いに論理が反転したものとしてラッチ回路22,32に保持させるようにするのが好適である。
第1行選択部20の各制御信号生成回路21は、対応するラッチ回路22により保持されるデータrow_sel1_data[m]がハイレベルであるときに、制御信号線LRの一端に設けられた論理和回路を介してReset1(m)信号を制御信号線LRへReset(m)信号として出力し、制御信号線LTの一端に設けられた論理和回路を介してTrans1(m)信号を制御信号線LTへTrans(m)信号として出力し、制御信号線LHの一端に設けられた論理和回路を介してHold1(m)信号を制御信号線LHへHold(m)信号として出力し、また、Address1(m)信号を制御信号線LA1へ出力する。
第2行選択部30の各制御信号生成回路31は、対応するラッチ回路32により保持されるデータrow_sel2_data[m]がハイレベルであるときに、制御信号線LRの一端に設けられた論理和回路を介してReset2(m)信号を制御信号線LRへReset(m)信号として出力し、制御信号線LTの一端に設けられた論理和回路を介してTrans2(m)信号を制御信号線LTへTrans(m)信号として出力し、制御信号線LHの一端に設けられた論理和回路を介してHold2(m)信号を制御信号線LHへHold(m)信号として出力し、また、Address2(m)信号を制御信号線LA2へ出力する。
第2実施形態に係る固体撮像装置2も、第1実施形態に係る固体撮像装置1と同様に動作して、同様の効果を奏することができる。
また、本発明は、第1および第2の各実施形態に限られるわけではない。例えば、上記実施形態では電荷蓄積部としてトランジスタT3のゲート端子に接続される拡散領域があげられているが、フォトダイオードが電荷蓄積部をかねてもよい。
光通信用の固体撮像装置において1画素部当りの領域の面積の増大および開口率の低減を抑制することができ、受光部における光信号受信領域の個数の変動に対して柔軟に対応する用途に適用することができる。
1,2 固体撮像装置
10 受光部
20 第1行選択部
21〜21 制御信号生成回路
22〜22 ラッチ回路
30 第2行選択部
31〜31 制御信号生成回路
32〜32 ラッチ回路
40 第1読出部
41〜41 保持部
42 第1列選択部
43 差演算部
50 第2読出部
51〜51 保持部
52 第1列選択部
53 差演算部
60 制御部
1,1〜PM,N 画素部
L1〜L1,L2〜L2 読出信号線
LT〜LT,LR〜LR,LH〜LH,LA1〜LA1,LA2〜LA2 制御信号線

Claims (7)

  1. 入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷を蓄積する電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力するための第1スイッチと、前記電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力するための第2スイッチと、を各々有するM×N個の画素部P1,1〜PM,Nが、M行N列に2次元配列された受光部と、
    前記受光部における何れかの第m1行を選択し、その行の各画素部Pm1,nに対して、前記フォトダイオードで発生した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積させ、前記第1スイッチを閉じることで前記電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線L1へ出力させる第1行選択部と、
    前記受光部における何れかの第m2行を選択し、その行の各画素部Pm2,nに対して、前記フォトダイオードで発生した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積させ、前記第2スイッチを閉じることで前記電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線L2へ出力させる第2行選択部と、
    N本の読出信号線L1〜L1と接続され、前記第1行選択部により選択された前記受光部における第m1行の各画素部Pm1,nから読出信号線L1へ出力されたデータを入力して、第m1行の各画素部Pm1,nの前記フォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータを出力する第1読出部と、
    N本の読出信号線L2〜L2と接続され、前記第2行選択部により選択された前記受光部における第m2行の各画素部Pm2,nから読出信号線L2へ出力されたデータを入力して、第m2行の各画素部Pm2,nの前記フォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータを出力する第2読出部と、
    を備え、
    前記第1行選択部と前記第2行選択部とが前記受光部において互いに異なる行を選択し、
    前記第1行選択部および前記第1読出部と前記第2行選択部および前記第2読出部とが互いに並列的に動作をする、
    ことを特徴とする固体撮像装置(ただし、M,Nは2以上の整数、m,m1,m2は1以上M以下の整数、nは1以上N以下の整数)。
  2. 前記受光部において、各画素部Pm,nの前記フォトダイオードの接合容量部および前記電荷蓄積部それぞれの放電ならびに前記電荷蓄積部による電荷蓄積を指示する制御信号を各画素部Pm,nへ与えるための制御信号線が行毎に設けられ、各制御信号線の両端にスイッチまたはトライステートバッファが設けられ、
    前記第1行選択部が、第m1行の前記制御信号線の第1端に設けられた前記スイッチまたは前記トライステートバッファを介して該制御信号線へ前記制御信号を出力し、
    前記第2行選択部が、第m2行の前記制御信号線の第2端に設けられた前記スイッチまたは前記トライステートバッファを介して該制御信号線へ前記制御信号を出力する、
    ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記第1行選択部が、M個のラッチ回路を含み、そのうちの第m1のラッチ回路に保持したデータが有意値であるときに第m1行の前記制御信号線の第1端に設けられた前記スイッチまたは前記トライステートバッファを介して該制御信号線へ前記制御信号を出力し、
    前記第2行選択部が、M個のラッチ回路を含み、そのうちの第m2のラッチ回路に保持したデータが有意値であるときに第m2行の前記制御信号線の第2端に設けられた前記スイッチまたは前記トライステートバッファを介して該制御信号線へ前記制御信号を出力する、
    ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記受光部において、各画素部Pm,nの前記フォトダイオードの接合容量部および前記電荷蓄積部それぞれの放電ならびに前記電荷蓄積部による電荷蓄積を指示する制御信号を各画素部Pm,nへ与えるための制御信号線が行毎に設けられ、各制御信号線の一端に論理和回路が設けられ、
    前記第1行選択部が、第m1行の前記制御信号線の一端に設けられた前記論理和回路を介して該制御信号線へ前記制御信号を出力し、
    前記第2行選択部が、第m2行の前記制御信号線の一端に設けられた前記論理和回路を介して該制御信号線へ前記制御信号を出力する、
    ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  5. 前記第1行選択部が、M個のラッチ回路を含み、そのうちの第m1のラッチ回路に保持したデータが有意値であるときに第m1行の前記制御信号線の一端に設けられた前記論理和回路を介して該制御信号線へ前記制御信号を出力し、
    前記第2行選択部が、M個のラッチ回路を含み、そのうちの第m2のラッチ回路に保持したデータが有意値であるときに第m2行の前記制御信号線の一端に設けられた前記論理和回路を介して該制御信号線へ前記制御信号を出力する、
    ことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
  6. 前記第1行選択部および前記第2行選択部それぞれのM個のラッチ回路が行順に縦続接続されてシフトレジスタを構成しており、そのシフトレジスタにおける初段のラッチ回路にMビットのデータをシリアル入力することで各ラッチ回路がデータを保持する、
    ことを特徴とする請求項3または5に記載の固体撮像装置。
  7. 前記第1行選択部が、これに含まれるM個のラッチ回路のうち保持データが有意値であるラッチ回路に対応する複数の行に対して一定時間間隔で順次に前記制御信号を出力し、
    前記第2行選択部が、これに含まれるM個のラッチ回路のうち保持データが有意値であるラッチ回路に対応する複数の行に対して一定時間間隔で順次に前記制御信号を出力する、
    ことを特徴とする請求項3または5に記載の固体撮像装置。
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