JPWO2010055852A1 - レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたパターニング方法 - Google Patents
レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたパターニング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2010055852A1 JPWO2010055852A1 JP2010537786A JP2010537786A JPWO2010055852A1 JP WO2010055852 A1 JPWO2010055852 A1 JP WO2010055852A1 JP 2010537786 A JP2010537786 A JP 2010537786A JP 2010537786 A JP2010537786 A JP 2010537786A JP WO2010055852 A1 JPWO2010055852 A1 JP WO2010055852A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- underlayer film
- resist underlayer
- forming composition
- film forming
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
Description
前記R1を表す脂環式構造及び脂肪族構造が有してもよい置換基としては、例えば少なくとも1つのハロゲン原子、アセチルオキシ基(アセトキシ基)等があげられる。ハロゲン原子としては、臭素原子が好ましい。
前記炭化水素基が有する炭素原子数1乃至3のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びi−プロポキシ基が挙げられる。
ドライエッチング速度の大きな選択比を有することにより、レジスト下層膜のドライエッチング時にレジスト膜の膜厚の減少を抑制することが可能となる。ドライエッチング速度の選択比が小さい場合、レジスト下層膜のドライエッチング時にレジスト膜の膜厚が薄くなるという問題が生じ、微細なパターンを形成できなくなる。
所望の屈折率(n値)及び吸光係数(k値)を有することにより、露光時に基板からの反射光がレジスト膜に達するのをレジスト下層膜が抑制する。それらの所望の値は使用用途及びレジスト下層膜の膜厚によって異なる。屈折率(n値)及び吸光係数(k値)が所望の値にない場合、レジスト下層膜が露光時に基板からの反射光を抑制できず、微細なパターンを形成できなくなる。
GPCカラム:Shodex〔登録商標〕・Asahipak〔登録商標〕(昭和電工(株))
カラム温度:40℃
溶媒:N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)
流量:0.6ml/分
標準試料:ポリスチレン(東ソー(株))
トリス−(2,3−エポキシプロピル)−イソシアヌレート(日産化学工業(株)製、商品名:TEPIC〔登録商標〕)5.00g、コハク酸無水物(東京化成工業(株))5.01g、及び触媒として第4級ホスホニウム塩であるトリフェニルモノエチルホスホニウムブロミド0.47gをプロピレングリコールモノメチルエーテル24.45gに溶解させた後、120℃に加温し、窒素雰囲気下で4時間撹拌した。プロピレングリコールモノメチルエーテル17.46gにて希釈したワニス溶液のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は1266であった。この反応生成物は、下記式(5)で表される構造を有する。
トリス−(2,3−エポキシプロピル)−イソシアヌレート(日産化学工業(株)製、商品名:TEPIC〔登録商標〕)2.50g、テトラブロモフタル酸無水物(東京化成工業(株))11.62g、及び触媒として第4級ホスホニウム塩であるトリフェニルモノエチルホスホニウムブロミド0.23gをプロピレングリコールモノメチルエーテル33.48gに溶解させた後、120℃に加温し、窒素雰囲気下で4時間撹拌した。プロピレングリコールモノメチルエーテル23.91gにて希釈したワニス溶液のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は1491であった。この反応生成物は、下記式(6)で表される構造を有する。
トリス−(2,3−エポキシプロピル)−イソシアヌレート(日産化学工業(株)製、商品名:TEPIC〔登録商標〕)5.00g、無水マレイン酸(東京化成工業(株))4.91g、ラジカル重合禁止剤としてヒドロキノン(東京化成工業(株))0.07g、及び触媒として第4級ホスホニウム塩であるトリフェニルモノエチルホスホニウムブロミド0.47gをプロピレングリコールモノメチルエーテル24.38gに溶解させた後、120℃に加温し、窒素雰囲気下で4時間撹拌した。プロピレングリコールモノメチルエーテル27.18gにて希釈したワニス溶液のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は1224であった。この反応生成物は、下記式(7)で表される構造を有する。
トリス−(2,3−エポキシプロピル)−イソシアヌレート(日産化学工業(株)製、商品名:TEPIC〔登録商標〕)2.50g、テトラクロロフタル酸無水物(東京化成工業(株))7.16g、及び触媒として第4級ホスホニウム塩であるトリフェニルモノエチルホスホニウムブロミド0.23gをプロピレングリコールモノメチルエーテル23.09gに溶解させた後、120℃に加温し、窒素雰囲気下で4時間撹拌した。プロピレングリコールモノメチルエーテル16.49gにて希釈したワニス溶液のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は1415であった。この反応生成物は、下記式(8)で表される構造を有する。
トリス−(2,3−エポキシプロピル)−イソシアヌレート(日産化学工業(株)製、商品名:TEPIC〔登録商標〕)5.79g、及び(+)−ジアセチル−L−酒石酸無水物(東京化成工業(株))4.21gをプロピレングリコールモノメチルエーテル9.667gに溶解させた後、120℃に加温し、窒素雰囲気下で3時間撹拌した。本合成例では、反応性が高いため触媒を用いない。プロピレングリコールモノメチルエーテル30gにて希釈したワニス溶液のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は1197であった。この反応生成物は、下記式(9)で表される構造を有する。
テトラブロモフタル酸無水物(東京化成工業(株))6.20g、及び触媒として第4級アンモニウム塩であるベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.11gをイソプロパノール7.89gに溶解させた後、120℃に加温し、窒素雰囲気下で4時間撹拌した。この溶液をからエバポレーターにて残留するイソプロパノールを除去し、得られた物質及びトリス−(2,3−エポキシプロピル)−イソシアヌレート(日産化学工業(株)製、商品名:TEPIC〔登録商標〕)1.79gをプロピレングリコールモノメチルエーテル7.89gに溶解させた後、再び120℃に加温し、窒素雰囲気下で24時間撹拌した。プロピレングリコールモノメチルエーテル24.00gにて希釈したワニス溶液のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は920であった。この反応生成物は、下記式(10)で表される構造を有する。
テトラブロモフタル酸無水物(東京化成工業(株))6.20g、及び触媒として第4級アンモニウム塩であるベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.11gを1−ブタノール7.89gに溶解させた後、120℃に加温し、窒素雰囲気下で4時間撹拌した。この溶液からエバポレーターにて残留する1−ブタノールを除去し、得られた物質及びトリス−(2,3−エポキシプロピル)−イソシアヌレート(日産化学工業(株)製、商品名:TEPIC〔登録商標〕)1.79gをプロピレングリコールモノメチルエーテル7.89gに溶解させた後、再び120℃に加温し、窒素雰囲気下で24時間撹拌した。プロピレングリコールモノメチルエーテル24.00gにて希釈したワニス溶液のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は1223であった。この反応生成物は、下記式(11)で表される構造を有する。
テトラブロモフタル酸無水物(東京化成工業(株))6.20g、及び触媒としてベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.11gをエチレングリコールモノメチルエーテル7.89gに溶解させた後、120℃に加温し、窒素雰囲気下で4時間撹拌した。この溶液からエバポレーターにて残留するエチレングリコールモノメチルエーテルを除去し、得られた物質及びトリス−(2,3−エポキシプロピル)−イソシアヌレート(日産化学工業(株)製、商品名:TEPIC〔登録商標〕)1.79gをプロピレングリコールモノメチルエーテル7.89gに溶解させた後、再び120℃に加温し、窒素雰囲気下で24時間撹拌した。プロピレングリコールモノメチルエーテル24.00gにて希釈したワニス溶液のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は1449であった。この反応生成物は、下記式(12)で表される構造を有する。
フタル酸無水物(東京化成工業(株))7.42g、及び触媒として第4級ホスホニウム塩であるトリフェニルモノエチルホスホニウムブロミド0.47gをエタノール12.89gに溶解させた後、120℃に加温し、窒素雰囲気下で4時間撹拌した。この溶液からエバポレーターにて残留するエタノールを除去し、トリス−(2,3−エポキシプロピル)−イソシアヌレート(日産化学工業(株)製、商品名:TEPIC〔登録商標〕)5.00g、プロピレングリコールモノメチルエーテル12.89gに溶解させた後、再び120℃に加温し、窒素雰囲気下で24時間撹拌した。プロピレングリコールモノメチルエーテル38.66gにて希釈したワニス溶液のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は870であった。この反応生成物は、下記式(13)で表される構造を有する。本合成例で用いた酸無水物は、置換基を有さない。
トリス−(2,3−エポキシプロピル)−イソシアヌレート(日産化学工業(株)製、商品名:TEPIC〔登録商標〕)5.00g、フタル酸無水物(東京化成工業(株))7.42g、及び触媒として第4級ホスホニウム塩であるトリフェニルモノエチルホスホニウムブロミド0.47gをプロピレングリコールモノメチルエーテル12.89gに溶解させた後、120℃に加温し、窒素雰囲気下で24時間撹拌した。プロピレングリコールモノメチルエーテル38.66gにて希釈したワニス溶液のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は1260であった。この反応生成物は、下記式(14)で表される構造を有する。本合成例で用いた酸無水物は、合成例9と同じである。
トリス−(2,3−エポキシプロピル)−イソシアヌレート(日産化学工業(株)製、商品名:TEPIC〔登録商標〕)5.00g、安息香酸(東京化成工業(株))6.12g、及び触媒として第4級ホスホニウム塩であるトリフェニルモノエチルホスホニウムブロミド0.47gをプロピレングリコールモノメチルエーテル11.58gに溶解させた後、120℃に加温し、窒素雰囲気下で24時間撹拌した。プロピレングリコールモノメチルエーテル16.34gにて希釈したワニス溶液のGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は616であった。この反応生成物は、下記式(15)で表される構造を有する。
合成例1で得られた反応生成物0.927gを含む溶液4.2351gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル22.612g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.880g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.232g、p−フェノールスルホン酸(東京化成工業(株))0.023g、及び界面活性剤(DIC株式会社〔旧大日本インキ化学工業(株)〕、商品名:メガファックR−30)0.019gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。
合成例2で得られた反応生成物0.927gを含む溶液5.332gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル21.515g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.880g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.232g、p−フェノールスルホン酸(東京化成工業(株))0.023g、及び界面活性剤(DIC株式会社〔旧大日本インキ化学工業(株)〕、商品名:メガファックR−30)0.019gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。
合成例3で得られた反応生成物0.927gを含む溶液4.596gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル22.250g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.880g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.232g、p−フェノールスルホン酸(東京化成工業(株))0.023g、及び界面活性剤(DIC株式会社〔旧大日本インキ化学工業(株)〕、商品名:メガファックR−30)0.019gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。
合成例4で得られた反応生成物0.927gを含む溶液5.004gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル21.843g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.880g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.232g、p−フェノールスルホン酸(東京化成工業(株))0.023g、及び界面活性剤(DIC株式会社〔旧大日本インキ化学工業(株)〕、商品名:メガファックR−30)0.019gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。
合成例5で得られた反応生成物0.938gを含む溶液5.3480gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル12.5095g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1.880g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.2344g、p−フェノールスルホン酸(東京化成工業(株))0.023g、及び界面活性剤(DIC株式会社〔旧大日本インキ化学工業(株)〕、商品名:メガファックR−30)0.019gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。
合成例6で得られた反応生成物0.927gを含む溶液5.4798gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル21.3668g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.880g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.2317g、p−フェノールスルホン酸(東京化成工業(株))0.023g、及び界面活性剤(DIC株式会社〔旧大日本インキ化学工業(株)〕、商品名:メガファックR−30)0.019gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。
合成例7で得られた反応生成物0.927gを含む溶液5.5355gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル21.3112g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.880g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.2317g、p−フェノールスルホン酸(東京化成工業(株))0.023g、及び界面活性剤(DIC株式会社〔旧大日本インキ化学工業(株)〕、商品名:メガファックR−30)0.019gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。
合成例8で得られた反応生成物0.927gを含む溶液5.1884gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル21.6583g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.880g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.2317g、p−フェノールスルホン酸(東京化成工業(株))0.023g、及び界面活性剤(DIC株式会社〔旧大日本インキ化学工業(株)〕、商品名:メガファックR−30)0.019gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。
合成例9で得られた反応生成物0.927gを含む溶液5.001gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル21.846g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.880g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.232g、p−フェノールスルホン酸(東京化成工業(株))0.023g、及び界面活性剤(DIC株式会社〔旧大日本インキ化学工業(株)〕、商品名:メガファックR−30)0.019gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。
合成例10で得られた反応生成物0.927gを含む溶液4.560gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル22.286g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.880g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.232g、p−フェノールスルホン酸(東京化成工業(株))0.023g、及び界面活性剤(DIC株式会社〔旧大日本インキ化学工業(株)〕、商品名:メガファックR−30)0.019gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。
合成例11で得られた反応生成物0.927gを含む溶液6.435gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル20.412g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.880g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.232g、p−フェノールスルホン酸(東京化成工業(株))0.023g、及び界面活性剤(DIC株式会社〔旧大日本インキ化学工業(株)〕、商品名:メガファックR−30)0.019gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。
本明細書に記載の実施例1乃至8、参考例1及び2、並びに比較例1で調製されたレジスト下層膜形成組成物を、それぞれスピナーによりシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上、205℃で1分間ベークし、レジスト下層膜(膜厚0.06μm)を形成した。そして、これらのレジスト下層膜を分光エリプソメーター(J.A.Woollam社製、VUV−VASE VU−302)を用い、波長193nmの光に対するn値(屈折率)及びk値(減衰係数又は吸光係数)を測定した。その結果を表1に示す。
本明細書に記載の実施例1乃至8、参考例1及び2、並びに比較例1で調製されたレジスト下層膜形成組成物を、それぞれスピナーによりシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上、205℃で1分間ベークし、レジスト下層膜を形成した。そして、日本サイエンティフィック(株)製RIEシステムES401を用い、ドライエッチングガスとしてCF4を使用する条件下でドライエッチング速度(単位時間当たりの膜厚の減少量)を測定した。
実施例2で調製されたレジスト下層膜形成組成物をスピナーにより、シリコンウエハー上にSiON膜(窒素含有酸化珪素膜)が0.05μmの厚さに蒸着された基板上に塗布した。それから、ホットプレート上で205℃1分間ベークし、膜厚20〜30nmのレジスト下層膜を形成した。このレジスト下層膜の上に、市販のフォトレジスト溶液(住友化学(株)製、商品名:PAR855)をスピナーにより塗布し、ホットプレート上で115℃にて60秒間ベークして、フォトレジスト膜(膜厚0.12μm)を形成した。
実施例2で調製されたレジスト下層膜形成組成物を、スピナーにより、段差基板上に回転数1500rpmの条件で塗布した。使用した段差基板は、(株)アドバンテックから入手したもので、段差の高さは80nm、L/S(ラインアンドスペース)は100nm/300nmであり、酸化珪素膜が形成された基板である。その後、205℃で60秒間ベークした試料の断面を、走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した。上記段差基板の断面のSEM像を図2(A)に、当該段差基板を被覆してレジスト下層膜が形成された試料の断面のSEM像を図2(B)に示す。図2(B)より、実施例2で調製されたレジスト下層膜形成組成物は、基板の段差の埋め込み性に優れ、かつ、比較的良好な平坦性を有していることが観察された。
Claims (12)
- 下記式(1):
- 下記式(2)で表される少なくとも1種の酸無水物及び下記式(3)で表される化合物:
を、下記式(4):
- 前記芳香族構造はベンゼン環を含む構造である、請求項1又は請求項2に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記脂肪族構造はその2つの炭素原子間に二重結合又は単結合を含む構造である、請求項1又は請求項2に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記脂環式構造及び前記脂肪族構造が有してもよい置換基は、少なくとも1種のハロゲン原子である請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記ハロゲン原子は臭素原子である請求項5に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記脂環式構造及び前記脂肪族構造が有してもよい置換基はアセチルオキシ基である請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記炭化水素基は炭素原子数1乃至4のアルキル基である請求項1又は請求項2に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記架橋剤はメチロール基又はアルコキシメチル基と結合する窒素原子を、1分子内に2乃至4個有する化合物である請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- スルホン酸化合物及び/又は界面活性剤をさらに含む請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 半導体基板上又はその上方に形成された第1のパターン上に、請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を塗布して被覆する工程、前記レジスト下層膜形成組成物をベークしてレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成し、次いで該レジスト膜に対し少なくとも露光及び現像をおこなうことにより第2のパターンを形成する工程、及び前記第2のパターンをマスクとして前記レジスト下層膜をエッチングすると共に前記第1のパターンを露呈させる工程を含むパターニング方法。
- 前記第2のパターンは前記第1のパターンと重ならないように形成される、請求項11に記載のパターニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010537786A JP5282917B2 (ja) | 2008-11-12 | 2009-11-11 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたパターニング方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008289665 | 2008-11-12 | ||
JP2008289665 | 2008-11-12 | ||
JP2010537786A JP5282917B2 (ja) | 2008-11-12 | 2009-11-11 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたパターニング方法 |
PCT/JP2009/069197 WO2010055852A1 (ja) | 2008-11-12 | 2009-11-11 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたパターニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010055852A1 true JPWO2010055852A1 (ja) | 2012-04-12 |
JP5282917B2 JP5282917B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=42169986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010537786A Active JP5282917B2 (ja) | 2008-11-12 | 2009-11-11 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたパターニング方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5282917B2 (ja) |
TW (1) | TWI467339B (ja) |
WO (1) | WO2010055852A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101711424B1 (ko) * | 2009-01-16 | 2017-03-02 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 반도체 기판 코팅을 위한 비중합체성 결합제 |
KR101432605B1 (ko) * | 2010-12-16 | 2014-08-21 | 제일모직주식회사 | 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 |
KR101747230B1 (ko) | 2013-02-21 | 2017-06-14 | 제일모직 주식회사 | 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 |
US10053539B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-08-21 | Jsr Corporation | Composition for film formation, film, production method of patterned substrate, and compound |
KR102456124B1 (ko) | 2015-12-08 | 2022-10-19 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 막 형성용 조성물, 막, 패턴이 형성된 기판의 제조 방법 및 화합물 |
WO2017187969A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成組成物 |
JP7004181B2 (ja) * | 2016-10-18 | 2022-01-21 | 日産化学株式会社 | プリント配線板形成用エポキシ樹脂組成物 |
US11650506B2 (en) | 2019-01-18 | 2023-05-16 | Applied Materials Inc. | Film structure for electric field guided photoresist patterning process |
KR20230069950A (ko) * | 2020-09-16 | 2023-05-19 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 단차기판 피복 조성물 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7323289B2 (en) * | 2002-10-08 | 2008-01-29 | Brewer Science Inc. | Bottom anti-reflective coatings derived from small core molecules with multiple epoxy moieties |
WO2005111724A1 (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ビニルエーテル化合物を含む反射防止膜形成組成物 |
JP5000250B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-08-15 | 東京応化工業株式会社 | パターン形成方法 |
-
2009
- 2009-11-11 JP JP2010537786A patent/JP5282917B2/ja active Active
- 2009-11-11 WO PCT/JP2009/069197 patent/WO2010055852A1/ja active Application Filing
- 2009-11-12 TW TW98138750A patent/TWI467339B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5282917B2 (ja) | 2013-09-04 |
WO2010055852A1 (ja) | 2010-05-20 |
TW201019049A (en) | 2010-05-16 |
TWI467339B (zh) | 2015-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5282917B2 (ja) | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたパターニング方法 | |
JP5382390B2 (ja) | 硫黄原子を含有するレジスト下層膜形成用組成物及びレジストパターンの形成方法 | |
JP5099381B2 (ja) | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びにレジスト下層膜形成組成物用添加剤 | |
JP4984098B2 (ja) | レジスト下層膜形成組成物及びレジストパターンの形成方法 | |
TWI435179B (zh) | 光阻底層膜形成組成物及使用其之光阻圖型的形成方法 | |
WO2006132088A1 (ja) | ナフタレン樹脂誘導体を含有するリソグラフィー用塗布型下層膜形成組成物 | |
KR20140012111A (ko) | 레지스트 하층막 형성 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법 | |
JP6669999B2 (ja) | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 | |
JP5333737B2 (ja) | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 | |
WO2016158509A1 (ja) | カチオン重合性レジスト下層膜形成組成物 | |
JP5522415B2 (ja) | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 | |
JP6699168B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びレジストパターンの形成方法 | |
WO2017187969A1 (ja) | レジスト下層膜形成組成物 | |
KR102643360B1 (ko) | 레지스트 하층막 형성 조성물 | |
JP7416062B2 (ja) | レジスト下層膜形成組成物 | |
JP2010078823A (ja) | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121022 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130501 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130514 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5282917 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |