JPWO2008133152A1 - 低損失フェライト及びこれを用いた電子部品 - Google Patents
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-
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Abstract
Description
(A) 組成
(1) 主成分
本発明の低損失フェライト(Ni-Cu-Zn系フェライト)は、主成分として46.5〜49.5 mol %のFe2O3、17〜26 mol %のZnO、4〜12 mol %のCuO、0.2 mol %以上1.2 mol %未満のCoO、及び残部NiOを含有する。
本発明の低損失フェライトは、主成分100質量%に対して、副成分としてSnO2換算で0.03〜1.4質量%のSnを含有する。低ロス化のために、他の副成分としてV2O換算で0.2質量%未満のV及び/又はMn3O4換算で1質量%以下を含有しても良い。
本発明の低損失フェライトは、更にCaをCaO換算で1.5質量%以下、及びSiをSiO2換算で1.5質量%以下含有しても良い。それぞれ結晶粒の成長を抑制し、透磁率の低下及び比抵抗の増大をもたらす。Sn添加による焼結性の低下を緩和するため少量のBiを含有しても良いが、Bi2O3換算で0.3質量%超のBiを含有すると平均結晶粒径が2.5μm超となり好ましくない。
本発明の低損失フェライトは0.7〜2.5μmの平均結晶粒径を有する。平均結晶粒径が2.5μm以下であると、渦電流損失が低減し、磁壁の減少から残留損失が低減し、5 MHz以上の高周波数でのコアロスが低下する。しかし、平均結晶粒径が0.7μm未満であると、粒界が磁壁のピンニング点として作用し、透磁率の低下及びコアロスの増加が生じ易くなる。平均結晶粒径が2.5μmを超えると、渦電流損失及び残留損失の影響が大きくなり、高周波数(10 MHz)での損失の増加が顕著となる。
μi∝Bs2/(aK1+bλsσ)
(ただしBsは飽和磁束密度であり、K1は磁気異方性定数であり、λsは磁歪定数であり、σは応力であり、a及びbは定数である。)
により定義される。通常Ni-Cu-Zn系フェライトは負の磁歪定数を有するため、初透磁率μiは圧縮応力に応じて増加し極大値を経て減少するが、本発明の低損失フェライトはCoを導入しているため、初透磁率μiは圧縮応力に応じて漸次減少する。この傾向はSnの添加によって改善される。
図1(a)〜1(d) は、本発明の低損失フェライトを用いた電子部品として、内部にコイルを備えた積層インダクタ10aを示す。低損失フェライトからドクターブレード法等によりグリーンシート21を形成し、これにAg又はその合金等の導体ペーストでコイル状導体パターン30を形成し、さらに必要に応じてフェライトペースト22及び/又は非磁性ペースト23を印刷した後積層し、一体的に焼結する。得られた積層体2内でコイル状導体パターン30は連結し、コイル3を形成する。コイル3の両端に接続されたリード線が露出した側面に外部端子40a,40bを形成することにより、積層インダクタ10aを作製することができる。非磁性ペースト23からなる層は少なくとも1つあれば良い。
Fe2O3、ZnO、CuO及びNiOの主成分、及びSnO2、V2O5、Mn3O4及びBi2O3の副成分を表1に示す割合で湿式混合した後、乾燥し、800℃で2時間仮焼した。得られた仮焼粉をイオン交換水とともにボールミルに投入し、BET比表面積が6.5 m2/gとなるまで約20時間粉砕した。仮焼粉にポリビニルアルコールを加えてスプレードライヤー法により顆粒化した後成形し、900℃の温度で2時間大気中焼結し、外径8 mm、内径4 mm及び厚さ2 mmのリング状サンプル、及び外寸8 mm×8 mm、内寸4 mm×4 mm及び厚さ2 mmの角型環状サンプルを作製した。
リング状サンプルの寸法及び重量から密度を算出した。
リング状サンプルの自由焼成面(表面)の電子顕微鏡写真(10,000倍)に任意の長さL1の直線を引き、この直線上に存在する粒子の数N1を計測し、長さL1を粒子数N1で除した値L1/N1を算出した。L1/N1を複数の直線について求めて平均し、平均結晶粒径とした。
リング状サンプルに7ターンの銅線を巻いてインダクタを作製し、LCRメーターを用いて1 MHzの周波数及び1 mAの電流でインダクタンスLを+20℃で測定し、下記式により初透磁率μiを算出した。
μi=(le×L)/(μ0×Ae×N2)
(ただしleは磁路長であり、Lはインダクタンスであり、μ0は真空の透磁率=4π×10-7(H/m)であり、Aeはサンプルの断面積であり、Nはコイルの巻数である。)
初透磁率μiの相対温度係数αμirは下記式により表される。
αμir=〔(μi2−μi1)/μi1 2〕/(T2−T1)
(ただし、T1及びT2は測定温度であり、μi1は温度T1における初透磁率であり、μi2は温度T2における初透磁率である。)
電子恒温槽で−40℃〜+80℃に調整した各サンプルに対して、初透磁率μiを測定した。−40℃〜+20℃の相対温度係数αμir1の場合、T1=+20℃であり、T2=−40℃であり、μi1は+20℃における初透磁率であり、μi2は−40℃における初透磁率である。また+20℃〜+80℃の相対温度係数αμir2の場合、T1=+20℃であり、T2=+80℃であり、μi1は+20℃における初透磁率であり、μi2は+80℃における初透磁率である。
B-Hアナライザにより、4000 A/mの磁場中で10 kHzの周波数で各リング状サンプルのヒステリシスのメジャーループを求めた。このヒステリシスループから飽和磁束密度Bsを−20℃及び+120℃で測定した。
上記ヒステリシスループから残留磁束密度Brを求めた。
上記ヒステリシスループから保磁力Hcを求めた。
リング状サンプルに一次側及び二次側とも5ターンの銅線を巻き、25℃、10 MHz及び20 mTの条件でPcvを測定した。
LR=(L1−L0)/L0×100(%)
L1:一軸方向に圧縮した時のインダクタンス。
L0:一軸に圧縮しない時のインダクタンス。
CR=(Pcv1−Pcv0)/Pcv0×100(%)
Pcv1:一軸方向に圧縮した時の10 MHz及び20 mTにおけるコアロス。
Pcv0:一軸に圧縮しない時の10 MHz及び20 mTにおけるコアロス。
図1(a)〜1(d) に示す積層インダクタ10aを下記手順により作製した。まずサンプル1,6の各フェライト粉末を、ポリビニルブチラールを主成分としたバインダー及びエタノールとともにボールミル粉砕し、得られたスラリーの粘度を調整した後、ポリエステルフィルム上にドクターブレード法で塗布し、乾燥厚さが30μmのグリーンシート21を作製した。5枚のグリーンシート21の各々にAgペーストで厚さ30μmの複数のほぼ1ターンのコイル状導体パターン30を形成し、第一のコイル状導体パターン付きシートを作製した。また1枚のグリーンシート21にAgペーストで厚さ30μmの複数のほぼ0.5ターンのコイル状導体パターン30を形成し、第二のコイル状導体パターン付きシートを作製した。
サンプル6のフェライト粉末を使用し、非磁性セラミックペーストにキュリー温度Tcが−60℃以下のZnフェライト(48.5 mol %のFe2O3、42.7 mol %のZnO、及び8.8 mol %のCuOからなる組成を有する)を用いた以外実施例2と同様にして、積層インダクタを作製した。積層インダクタを恒温槽に配置し、−40℃〜+140℃で1 MHzの周波数及び1 mAの電流におけるインダクタンスを連続的に測定し、下記式によりインダクタンスの変化率LRを算出した。
LR=(LTn−LT20)/LT20×100(%)
LTn:n℃の時のインダクタンス。
L T20:20℃の時のインダクタンス。
サンプル14及び25の各フェライト粉末を用いて、実施例2と同様にして積層インダクタ10aを作製した。各積層インダクタ10aを図16に示す降圧型DC/DCコンバータ(スイッチング周波数fs:8 MHz、入力電圧Vin:3.6 V、出力電圧Vout:1.8 V)に組み込み、DC/DC変換効率を測定した。結果を図17に示す。図17から明らかなように、本発明の範囲内のサンプル14は、本発明の範囲外のサンプル25より高いDC/DC変換効率を示した。これは、サンプル14が低損失であるためと考えられる。
Claims (11)
- 主成分として46.5〜49.5 mol %のFe2O3、17〜26 mol %のZnO、4〜12 mol %のCuO、0.2 mol %以上1.2 mol %未満のCoO、及び残部NiOを含有するとともに、前記主成分100質量%に対してSnO2換算で0.03〜1.4質量%のSnを含有し、平均結晶粒径が0.7〜2.5μmであることを特徴とする低損失フェライト。
- 請求項1に記載の低損失フェライトにおいて、さらに前記主成分100質量%に対してV2O5換算で0.2質量%以下のV及び/又はMn3O4換算で1質量%以下のMnを含有することを特徴とする低損失フェライト。
- 請求項2に記載の低損失フェライトにおいて、Vの含有量がV2O5換算で0.1質量%未満であることを特徴とする低損失フェライト。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の低損失フェライトにおいて、10 MHzの周波数及び20 mTの動作磁束密度Bmにおいて5000 kW/m3以下のコアロスを有することを特徴とする低損失フェライト。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の低損失フェライトにおいて、120℃及び4000 A/mの磁界で290 mT以上の飽和磁束密度を有することを特徴とする低損失フェライト。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の低損失フェライトにおいて、−40℃〜+20℃での初透磁率μi1の相対温度係数αμir1、及び+20℃〜+80℃での初透磁率μi2の相対温度係数αμir2がともに正の値であって、+35 ppm以下であることを特徴とする低損失フェライト。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の低損失フェライトからなる磁心と、前記磁心に巻いたコイルとを有することを特徴とする電子部品。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の低損失フェライトからなる複数の層の積層体と、前記積層体内に形成されたコイル状電極とを一体焼結してなることを特徴とする電子部品。
- 主成分としてFe2O3、ZnO、CuO、CoO及びNiOを含有するとともに、副成分としてSnOを含有し、−40℃〜+20℃での初透磁率μi1の相対温度係数αμir1、及び+20〜+80℃での初透磁率μi2の相対温度係数αμir2がともに+10 ppm〜+35 ppmである低損失フェライトからなる複数の層と、キュリー温度が−50℃以下のZnフェライトからなる少なくとも1つの非磁性層とからなる積層体と、前記積層体内に形成されたコイル状電極とを一体焼結してなり、前記非磁性層が磁気ギャップとして機能することを特徴とする電子部品。
- 請求項9に記載の電子部品において、前記低損失フェライトのコアロスが10 MHzの周波数及び20 mTの動作磁束密度Bmにおいて5000 kW/m3以下であることを特徴とする電子部品。
- 請求項8〜10のいずれかに記載の電子部品において、スイッチ素子を含む半導体素子が前記積層体の表面電極に実装されていることを特徴とする電子部品。
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