JPWO2008111259A1 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下に本発明を詳述する。
上記反射電極は、下部がアルミニウム又は銀を含んで構成され、上部がモリブデンを含んで構成されることが好ましい。本明細書で「上部」とは、液晶層側の部分を指し、「下部」とは、上部以外の部分を指す。反射電極の下部がアルミニウム又は銀を含んで構成されることにより、高反射率を有する反射領域を形成することができるとともに、上部がモリブデンを含んで構成されることにより、透過領域と反射領域とのフリッカ電圧差を低減することができる。また、モリブデン膜とアルミニウム膜又は銀膜とは、硝酸、酢酸及びリン酸が含有された水溶液(弱酸性エッチング液)等に対するエッチング速度が略同一であり、モリブデン膜とアルミニウム膜又は銀膜とを一括エッチングしたとしても、反射電極の上部が下部に対して庇形状に突き出て形成されてしまうことがないため、製造歩留りをより向上させることができる。
上記反射電極は、下部がアルミニウム又は銀を含んで構成され、上部が第六族元素を含んで構成されることが好ましい。
上記反射電極の上部は、厚さが60Å以下であることが好ましい。
上記背面側基板は、反射電極の下部の背面側に、第六族元素を含んで構成される保護導電層を有することが好ましい。
上記反射電極は、第六族元素を含んで構成される単層であることが好ましい。
上記透過電極は、液晶層側の表面が第六族元素を含んで構成されることが好ましい。
上記透過電極は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム錫又は酸化インジウム亜鉛からなる群より選択された少なくとも一種の材料を含んで構成されることが好ましい。
上記背面側基板は、透過電極及び反射電極上に配向膜を有し、上記配向膜を介して測定された透過電極と反射電極との仕事関数の差が0.1eV以下であることが好ましい。
これらによれば、本発明の第一液晶表示装置における好ましい形態と同様の作用効果を得ることができる。
図1は、実施例1に係るアクティブマトリクス駆動方式の半透過型液晶表示装置の構成を示す断面模式図である。
実施例1に係る半透過型液晶表示装置は、図1に示すように、背面側基板30と、それに対向するように設けられた観察面側基板40と、背面側基板30と観察面側基板40との間に狭持されるように設けられた液晶層9とを備えている。また、半透過型液晶表示装置100は、透過モードの表示を行う透過領域50と反射モードの表示を行う反射領域60とを有する複数の画素がマトリクス状に配置されたものである。なお、図1は、一画素当たりの構成を示している。
まず、絶縁基板上にゲート信号線、ソース信号線及びスイッチング素子等を形成し、その上に層間絶縁膜を形成することにより、アクティブマトリクス基板10を完成させる。続いて、アクティブマトリクス基板10上に、スパッタリング法を用いて酸化インジウム錫(ITO)膜を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、透過電極1を形成する。本実施例においては、反射領域60にも透過電極1を形成している。透過電極1は、反射電極3及びスイッチング素子と接合することが可能であって、透過領域50の全体に形成してあればよく、本実施例の限りではない。なお、本実施例においては、透過電極1の膜厚を略1400Åとしている。
実施例2〜5に係る半透過型液晶表示装置は、Mo層14の膜厚をそれぞれ10、20、40及び60Åとしたこと以外は、実施例1に係る構成と同様である。
(比較例1)
比較例1に係る半透過型液晶表示装置は、保護層14を設けなかったこと以外は、実施例1に係る構成と同様である。
実施例1〜5及び比較例1に係る半透過型液晶表示装置について、反射領域における反射率、透過領域と反射領域との仕事関数の差、及び、透過領域と反射領域とのフリッカ電圧差を測定した。反射率は、分光測色計(商品名:CM−2002、ミノルタ社製)を用いて測定した。また、透過領域と反射領域との仕事関数の差は、配向膜7を介して仕事関数測定器(商品名:FAC−2、理研計器社製)を用いたケルビン法により測定した。そして、フリッカ電圧差は、フリッカ測定器(商品名:マルチメディアディスプレイテスタ3298F、横河電機社製)にて測定した。結果を下記表1に示す。
図2に示すように、フリッカ電圧差の低減の効果と、反射率向上の効果とは、トレードオフの関係にある。実施例1〜5では、Mo層(保護層)14の膜厚が3〜60Åの範囲内にあるため、両方の効果をバランスよく得ることができた。
これらに対し、比較例1では、保護層14を設けていないため、実施例1〜5のように、フリッカ電圧差を低減することができなかった。
図3は、実施例6に係るアクティブマトリクス駆動方式の半透過型液晶表示表示装置の構成を示す断面模式図である。
実施例6に係る液晶表示装置100aは、液晶層9aが背面側基板30aと観察面側基板40とによって挟持されている。背面側基板30aは、アクティブマトリクス基板10aの最上部に位置する層間絶縁膜上に、凹凸形成用絶縁層2aが形成されており、凹凸形成用絶縁層2a上に透過電極1aが形成され、透過電極1a上の反射領域60aには、保護導電層4a及び反射電極3aが形成されている。凹凸形成用絶縁層2aにはコンタクトホール11aが設けられ、TFT素子のドレイン電極と透過電極1aとが接続されている。また、凹凸形成用絶縁層2aは透過領域50aにも設けられているが、バックライトからの光が散乱されることを防ぐために、透過領域50aでは凹凸を形成していない。なお、観察面側基板40の構成の説明は、実施例1と同様であるため省略する。
層間絶縁膜を形成したアクティブマトリクス基板10a上に、凹凸形成用絶縁層2aを形成する。このとき、透過領域50aを除く反射領域60aに位置する凹凸形成用絶縁層にのみ凹凸を形成する。また、凹凸を形成すると同時に、透過電極1aとTFT素子のドレイン電極とを接続するためのコンタクトホール11を反射領域60aに形成する。
2、2a:凹凸形成用絶縁層
3、3a:反射電極
4、4a:保護導電層
5:共通電極
6:カラーフィルタ層
7、7a、8:配向膜
9、9a:液晶層
10、10a:アクティブマトリクス基板
11:コンタクトホール
13、13a:反射電極の下部
14、14a:反射電極の上部(保護層)
20:絶縁基板
21:ガラス基板
22:Mo層
23:Al層
24:IZO層
30、30a:背面側基板
40:観察面側基板
50、50a:透過領域
60、60a:反射領域
100、100a:液晶表示装置
Claims (10)
- 互いに対向する背面側基板と観察面側基板との間に液晶層を備え、該背面側基板が透過電極と反射電極とを有する半透過型の液晶表示装置であって、
該反射電極は、液晶層側の表面がモリブデンを含んで構成される
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記反射電極は、下部がアルミニウム又は銀を含んで構成され、上部がモリブデンを含んで構成されることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記反射電極の上部は、厚さが60Å以下であることを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置。
- 前記背面側基板は、反射電極の下部の背面側に、モリブデンを含んで構成される保護導電層を有することを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置。
- 前記反射電極は、モリブデンを含んで構成される単層であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記透過電極は、液晶層側の表面がモリブデンを含んで構成されることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記透過電極は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム錫及び酸化インジウム亜鉛からなる群より選択された少なくとも一種の材料を含んで構成されることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記背面側基板は、透過電極及び反射電極上に配向膜を有し、該配向膜を介して測定された透過電極と反射電極との仕事関数の差が0.1eV以下であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 請求項1記載の液晶表示装置の製造方法であって、
該製造方法は、反射電極のパターニングを一括して行う工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 互いに対向する背面側基板と観察面側基板との間に液晶層を備え、該背面側基板が透過電極と反射電極とを有する半透過型の液晶表示装置であって、
該反射電極は、液晶層側の表面が第六族元素を含んで構成される
ことを特徴とする液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007067036 | 2007-03-15 | ||
JP2007067036 | 2007-03-15 | ||
PCT/JP2007/072186 WO2008111259A1 (ja) | 2007-03-15 | 2007-11-15 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008111259A1 true JPWO2008111259A1 (ja) | 2010-06-24 |
Family
ID=39759203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009503883A Pending JPWO2008111259A1 (ja) | 2007-03-15 | 2007-11-15 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100020278A1 (ja) |
EP (1) | EP2124096A4 (ja) |
JP (1) | JPWO2008111259A1 (ja) |
CN (1) | CN101563647B (ja) |
WO (1) | WO2008111259A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI706204B (zh) * | 2019-08-12 | 2020-10-01 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
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JP4063733B2 (ja) | 2002-07-10 | 2008-03-19 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2004109797A (ja) | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半透過型液晶表示装置 |
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JP4262582B2 (ja) | 2002-11-27 | 2009-05-13 | シャープ株式会社 | 導電素子の形成方法および液晶表示装置の反射電極部形成方法 |
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JP2007067036A (ja) | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
-
2007
- 2007-11-15 CN CN2007800466156A patent/CN101563647B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-15 WO PCT/JP2007/072186 patent/WO2008111259A1/ja active Application Filing
- 2007-11-15 JP JP2009503883A patent/JPWO2008111259A1/ja active Pending
- 2007-11-15 US US12/529,449 patent/US20100020278A1/en not_active Abandoned
- 2007-11-15 EP EP07831916A patent/EP2124096A4/en not_active Withdrawn
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008111259A1 (ja) | 2008-09-18 |
EP2124096A1 (en) | 2009-11-25 |
US20100020278A1 (en) | 2010-01-28 |
CN101563647B (zh) | 2012-04-11 |
CN101563647A (zh) | 2009-10-21 |
EP2124096A4 (en) | 2010-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120410 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120604 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120821 |