JP5102535B2 - 表示装置と表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。この実施の形態は、本発明を、外部から入射する光を反射させて表示を行う半透過型の液晶表示装置に適用したものである。本実施の形態にかかる液晶表示装置は、TFTアレイ基板を有する。まず、図1を用いて本実施の形態にかかる表示装置のTFTアレイ基板の構成について説明する。図1は本実施の形態にかかる表示装置に用いられるTFTアレイ基板1の構成を示す平面模式図である。
次に実施の形態2にかかる表示装置について図6を参照して説明する。図6は、実施の形態2にかかる表示装置の製造工程断面図である。図6に示す実施の形態2にかかる表示装置において、図4に示す実施の形態1と同一構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
Claims (5)
- 基板上の画素部に形成された第1の補助容量電極及び第1のゲート電極配線、並びに端子部に形成された第2の補助容量電極及び第2のゲート電極配線と、
前記第1の補助容量電極、前記第2の補助容量電極、前記第1のゲート電極配線、及び前記第2のゲート電極配線上に形成される第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上であって、前記画素部の前記第1のゲート電極配線と対向する領域の一部に形成されるソース電極、前記第1のゲート電極配線と対向する領域の他の一部及び前記第1の補助容量電極と対向する領域に形成されるドレイン電極、並びに前記端子部の前記第2の補助容量電極と対向する領域を除く位置に形成されるソース配線と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上並びに前記ソース配線上に形成される第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成される有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上に形成され、コンタクトホールを介して前記ドレイン電極、前記第2の補助容量電極、及び前記ソース配線と接続される画素透過電極と、
前記画素透過電極及び前記有機樹脂膜上の一部又は全部に形成される画素反射電極を有し、
当該有機樹脂膜の下層に設けられる前記第2の補助容量電極、前記第2のゲート電極配線又は前記ソース配線の膜厚に応じた膜厚調整領域を形成することにより前記端子部の前記有機樹脂膜の膜厚が略一定になるように形成されることを特徴とする表示装置。 - 前記端子部の前記膜厚調整領域における前記有機樹脂膜は、前記画素部の前記有機樹脂膜の膜厚より薄い
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置。 - 前記画素部の前記有機樹脂膜上に複数の凹部を有する
ことを特徴とする請求項1又は2記載の表示装置。 - 基板上の画素部に第1の補助容量電極及び第1のゲート電極配線、並びに端子部に第2の補助容量電極及び第2のゲート電極配線を形成する工程と、
前記第1の補助容量電極、前記第2の補助容量電極、前記第1のゲート電極配線、及び前記第2のゲート電極配線上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上であって、前記画素部の前記第1のゲート電極配線と対向する領域の一部にソース電極を形成する工程、前記第1のゲート電極配線と対向する領域の他の一部及び前記第1の補助容量電極と対向する領域にドレイン電極を形成する工程、及び前記端子部の前記第2の補助容量電極と対向する領域を除く位置にソース配線を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極並びに前記ソース配線上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上に有機樹脂膜を形成する工程と、
前記有機樹脂膜上に形成され、コンタクトホールを介して前記ドレイン電極、前記第2の補助容量電極、又は前記ソース配線と接続される画素透過電極を形成する工程と、
前記画素透過電極上及び前記有機樹脂膜上の一部に画素反射電極を形成する工程を有し、
前記有機樹脂膜形成工程では、当該有機樹脂膜の下層に設けられる前記第2の補助容量電極、前記第2のゲート電極配線又は前記ソース配線の膜厚に応じた膜厚調整領域を形成することにより前記端子部の前記有機樹脂膜の膜厚が略一定になるように形成する表示装置の製造方法。 - 前記有機樹脂膜形成工程において、前記端子部の前記膜厚調整領域における前記有機樹脂膜を、前記画素部の前記有機樹脂膜の膜厚より薄くする
ことを特徴とする請求項4記載の表示装置の製造方法。
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