JPWO2005038887A1 - 環境制御装置、デバイス製造装置、デバイス製造方法、露光装置 - Google Patents

Abstract

環境制御装置１００は、気体取込口５０ａを介して気体を取り込む取込機構５１と、気体から不純物を除去する第１の不純物除去機構５４とを備える。取込機構５１は、気体取込口５０ａと第１の不純物除去機構５４との間に設けられる。このような構成により、デバイス製造装置が配置されるチャンバ内への外気の侵入を防ぎ、高い精度でチャンバ内の環境を制御することが可能な環境制御装置を提供することができる。

Description

本発明は、デバイス製造装置の少なくとも一部を収納するチャンバを備える環境制御装置に関する。
また本発明は、マスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写する露光本体部と、露光本体部の少なくとも一部を収容するチャンバとを備える露光装置に関する。
本出願は、日本国特許出願２００３−３６０６８１号および２００４−３３６７７号を基礎としており、その内容を本明細書に組み込む。

従来より、半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスの製造工程では、マスク（又はレチクル）に形成された回路パターンをレジスト（感光材）が塗布された基板（ウエハやガラスプレートなど）上に転写する露光装置が用いられている。

近年、露光装置では、回路の微細化に伴い、露光用照明ビーム（露光光）が短波長化している。例えば、これまで主流だった水銀ランプに代わり、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）や、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）等の短波長の光源が用いられる傾向にある。短波長光を用いた露光装置では、露光装置の光路上の空間や露光装置が配置される空間に対する環境制御（不純物濃度の制御、温度や湿度制御など）が要求される。
なお、電子デバイスの製造工程において、こうした環境制御の必要性は、露光装置に限らず、レジストを塗布しかつ現像する塗布・現像装置など、他のデバイス製造装置においても同様である。

環境制御を行う技術としては、例えば、デバイス製造装置を収容したチャンバ内に、気体取込口から気体（外気）を取込むとともに、その気体に対して不純物除去や温度・湿度調整などを行った後、その気体をチャンバ内で循環させる技術がある（特開２００２−１５８１７０号公報参照）。この技術では、調整された気体をチャンバ内で循環させることにより、チャンバ内をその気体で満たすとともに、チャンバ内を外部環境に対して高い圧力に保ち、チャンバ内への外気の侵入を防止する。

ところで、近年の電子デバイスの製造工程では、基板の大サイズ化に伴ってデバイス製造装置が大型化し、デバイス製造装置が配置されるクリーンルームも大型化している。そして、管理コストの抑制などを目的として、クリーンルーム内を、清浄度を厳しく管理するエリア（オペレーションエリアなど）と、比較的管理が緩いエリア（メンテナンスエリアなど）とに区分けしている場合が多い。この場合、デバイス製造装置が収容されるチャンバは、一部分（例えば操作側）が管理の厳しいエリアに配され、残りの部分が比較的管理が緩いエリアに配される。

管理品質に応じてクリーンルーム内を複数エリアに区分けする場合、管理の厳しいエリアの空気の圧力が相対的に高くなり、区分けされたエリア間で差圧（例えば、１〜１０Ｐａ）が生じる。こうした差圧は、デバイス製造装置を収容したチャンバを介して圧力の高いエリアから低いエリアに気体が流れるなど、チャンバ内への外気の侵入を招く原因となりやすい。温度調整されていない気体や不純物を含む気体などの外気がチャンバ内に流入すると、チャンバ内の環境が悪化し、製造されるデバイス品質の低下を招く。

また、チャンバを用いた環境制御技術では、気体を循環使用するのが一般的である。すなわち、チャンバ内に取り込んだ気体を、不純物除去装置や温度・湿度調整装置などを介して循環させる。

気体を循環使用する場合、ファンを用いるが、このファンの前後で大きな差圧が生じやすい。すなわち、循環経路におけるファンの下流で気体の圧力が高まるのに対して、ファンの上流で気体の圧力が大きく低下する。ところが、循環経路での圧力低下が大きいと、チャンバの隙間など、チャンバの気体取込口以外の場所から循環経路内に外気が侵入し、この外気によってチャンバ内の環境が悪化するおそれがある。

また、気体を循環使用する場合、ファンによってチャンバ内の気体が吸引されることから、チャンバ内の気体の出口に近い領域において圧力が低下する。そのため、チャンバ内が部分的に外部環境に対して低圧となり、上記と同様に、チャンバ内へ外気が侵入するおそれがある。

また、チャンバ内に配置された露光本体部をメンテナンスする際には、チャンバに設けられた開口を介して作業を行うことから、その作業用の開口を介して、チャンバ内の空間に対してチャンバ外の外気が混入するおそれがある。温度調整されていない気体や不純物を含む気体がチャンバ内に流入すると、チャンバ内の環境が悪化し、特に、主要な処理空間に対して外気が混入すると、露光精度の低下を招いたり、混入した外気を排除するのに多大な時間を要することになる。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、チャンバ内への外気の侵入を防ぎ、高い精度でチャンバ内の環境を制御することが可能な環境制御装置を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、高品質のデバイスを製造することが可能なデバイス製造装置及びデバイス製造方法を提供することにある。

また本発明は、露光本体部を収容するチャンバ内への外気の混入を抑制し、安定的に露光処理が可能な露光装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明は、実施の形態を示す図１から図３に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の第１の環境制御装置（１００）は、気体取込口（５０ａ）を介して気体を取り込む取込機構（５１）と、前記気体から不純物を除去する第１の不純物除去機構（５４）とを備える環境制御装置であって、前記取込機構は、前記気体取込口と前記第１の不純物除去機構との間に設けられることを特徴としている。

この環境制御装置では、取込口を介して取込まれた気体が取込機構によって圧力が高められ、その後、第１の不純物除去機構を介してチャンバ内に送込まれる。取込機構の下流では気体の圧力が高められることにより、外気の侵入が防止される。また、外気の侵入が防止された取込機構の下流に、第１の不純物除去機構が配されることから、第１の不純物除去機構を通過することなくチャンバ内に気体が送込まれることが防止される。そのため、チャンバ内に送込まれる気体は、第１の不純物除去機構によって確実に不純物が除去される。その結果、この環境制御装置では、チャンバ内への外気の侵入が確実に防止される。

また、上記第１の環境制御装置において、前記取込機構（５１）と前記気体取込口（５０ａ）との間に、取込んだ前記気体の温度を調整する調整器（５２）を有することにより、温調された気体がチャンバ内に送込まれる。この構成では、調整器が取込機構の下流ではなく、取込機構の上流に配置されることから、調整器が気体の流れの抵抗となるのが回避される。そのため、取込機構の下流において、気体の圧力が確実に高められる。

また、上記第１の環境制御装置において、前記気体取込口（５０ａ）が形成され、前記取込機構（５１）と前記調整器（５２）とのうち、少なくとも１つを収容する空調ユニット（１０２）と、該空調ユニットとデバイス製造装置（１０）の少なくとも一部を収納するチャンバ（１０１）とを接続するダクト（１０３）とを有し、前記空調ユニットは、前記チャンバが配置される外部環境とは異なる環境に配置されてもよい。これにより、チャンバが配置される環境下での設置スペースの縮小化が図られ、設備コストの低減が可能となる。

この場合、前記チャンバ（１０１）は、前記ダクト（１０３）が接続される開口（８０ａ）と、該開口に設けられる第２の不純物除去機構（８１）とを有するとよい。これにより、ダクトを介して気体をチャンバ内に送込む場合にも、チャンバ内への外気の侵入が確実に防止される。

また、上記第１の環境制御装置において、前記取込機構（５１）は、気体から不純物を除去する不純物除去フィルタを介することなく、前記気体取込口（５０ａ）から前記気体を取込んでもよい。この場合、取込機構にかかる負荷が軽減される。

また、上記第１の環境制御装置において、前記チャンバ（１０１）は、前記第１の不純物除去機構（５４）及び前記第２の不純物除去機構（８１）を介して送込まれた前記気体を外部に排気する排気口（８０ｅ，８０ｆ）を備えてもよい。この場合、気体に含まれる不純物のうち、第１及び第２の不純物除去機構で除去されなかった不純物が排気口から排気される。

また、上記第１の環境制御装置において、前記チャンバ（１０１）は、前記デバイス製造装置の少なくとも一部のうち、所定箇所を含む局所的な空間に、前記第１の不純物除去機構（５４）及び前記第２の不純物除去機構（８１）を介して送込まれた前記気体を取込み、該取込まれた前記気体を循環させる局所循環系（８７）を有してもよい。この場合、局所循環系により、チャンバ内の局所的な空間の圧力を確実に高めることが可能となる。

本発明の第２の環境制御装置は、デバイス製造装置の少なくとも一部を収納するチャンバ（１０１）と、気体を取込み、該チャンバ内に前記取り込んだ気体を送る取込機構（５１）と、前記取込機構を介して送込まれた前記チャンバ内の前記気体を外部に排気する排気口（８０ｅ，８０ｆ）とを備える環境制御装置であって、前記外部に排気される前記チャンバ内の前記気体の量を調整する調整機構（８５）を備えることを特徴としている。

この環境制御装置では、取込機構によってチャンバ内に気体が送込まれ、その気体がそのまま排気口を介して外部に排気される。すなわち、取込機構によってチャンバ内の気体が吸引されるといったことが行われない。そのため、送込まれた気体により、チャンバ内の全域にわたって圧力が高められ、チャンバ内への外気の侵入が防止される。また、チャンバ内からの排気量が調整機構によって調整されることから、チャンバ内の圧力が確実に調整される。例えば、調整機構によって排気量を少なく調整することにより、チャンバ内の圧力を確実に高めることが可能となる。

上記第２の環境制御装置において、前記調整機構（８５）は、例えば、前記排気口（８０ｅ，８０ｆ）の開口の大きさを調整する構成からなる。この場合、排気口の開口の大きさに応じてチャンバからの排気量が調整される。

またこの場合、前記排気口（８０ｅ，８０ｆ）は、前記チャンバ（１０１）における前記気体の送風口（８０ｂ）に対して、前記デバイス製造装置（１０）の少なくとも一部を挟んだ対向位置に配置されるのが好ましい。これにより、そのデバイス製造装置の少なくとも一部が配置された領域の圧力を確実に高めることが可能となる。

また、上記第２の環境制御装置において、前記チャンバ（１０１）内における前記デバイス製造装置（１０）の少なくとも一部が配設される空間と、前記チャンバ内の他の空間とを仕切る仕切部材（８８）を有してもよい。この場合、仕切部材によって、チャンバ内の気体の流れを制御することが可能となり、デバイス製造装置の少なくとも一部が配設される空間の圧力を確実に高めることが可能となる。

また、上記第２の環境制御装置において、前記気体の温度を調整する調整器（５２）と、該調整器の下流側に配置され、前記気体に含まれる不純物を除去する不純物除去機構（５４）とを有し、前記取込機構（５１）は、前記調整器と前記不純物除去機構との間に配置されてもよい。この構成では、調整器が取込機構の下流ではなく、取込機構の上流に配置されることから、調整器が気体の流れの抵抗となるのが回避される。そのため、取込機構の下流において、気体の圧力が確実に高められる。

また、上記第２の環境制御装置において、前記調整器（５２）と前記取込機構（５１）とのうち、少なくとも１つを収容する空調ユニット（１０２）と、該空調ユニットと前記チャンバとを接続するダクト（１０３）とを有し、前記空調ユニットは、前記チャンバが配置される外部環境とは異なる環境に配置されてもよい。これにより、チャンバが配置される環境下での設置スペースの縮小化が図られ、設備コストの低減が可能となる。

また、上記第２の環境制御装置において、前記チャンバ（１０１）は、前記デバイス製造装置の少なくとも一部のうち、所定箇所を含む局所的な空間に、前記チャンバ内の前記気体を取込み、該取込まれた前記気体を循環させる局所循環系（８７）を有することにより、チャンバ内の局所的な空間の圧力を確実に高めることが可能となる。

この場合、前記局所循環系（８７）は、前記取込んだ前記気体の温度を調整する調整器（１２３）と、該調整器の下流側に配置され、前記チャンバ（１０１）内の前記気体を取込む取込機構（１２４）と、該取込機構の下流側に配置され、取込んだ前記気体に含まれる不純物を除去する不純物除去機構（１２５）とのうち、少なくとも１つを有するとよい。調整器を有することにより、チャンバ内の局所的な空間の温度を高精度に制御することが可能となる。また、取込機構を有することにより、上記局所的な空間の圧力をより確実に高めることが可能となる。また、不純物除去機構を有することにより、上記局所的な空間の清浄度を高めることが可能となる。

本発明の第３の環境制御装置は、デバイス製造装置（１０）の少なくとも一部を収納するチャンバ（１０１）と、気体を取込み、該チャンバ内に前記取込んだ気体を送る取込機構（５１）と、前記取込機構を介して送込まれた前記チャンバ内の前記気体を外部に排気する排気口（８０ｅ，８０ｆ）とを備える環境制御装置であって、前記デバイス製造装置の少なくとも一部のうち、所定箇所を含む局所的な空間に、前記チャンバ内の前記気体を取込み、該取込まれた前記気体を循環させる局所循環系（８７）を有することを特徴としている。

この環境制御装置では、取込機構によってチャンバ内に気体が送込まれ、その気体がそのまま排気口を介して外部に排気される。この場合、取込機構によるチャンバ内の気体の吸引が行われない。そのため、送込まれた気体により、チャンバ内の全域にわたって圧力が高められ、チャンバ内への外気の侵入が防止される。また、局所循環系を有することにより、チャンバ内の局所的な空間の圧力を確実に高めることが可能となる。局所的な空間の圧力を高めることにより、その局所空間への外気の侵入がより確実に防止される。

この場合、前記局所循環系（８７）は、前記取込んだ前記気体の温度を調整する調整器（１２３）と、該調整器の下流側に配置され、前記チャンバ（１０１）内の前記気体を取込む取込機構（１２４）と、該取込機構の下流側に配置され、取込んだ前記気体に含まれる不純物を除去する不純物除去機構（１２５）とのうち、少なくとも１つを有するとよい。調整器を有することにより、チャンバ内の局所的な空間の温度を高精度に制御することが可能となる。また、取込機構を有することにより、上記局所的な空間の圧力をより確実に高めることが可能となる。また、不純物除去機構を有することにより、上記局所的な空間の純度を高めることが可能となる。

また、上記第１、第２、及び第３の環境制御装置において、前記デバイス製造装置（１０）は、例えば、マスクに形成されたパターンを感光基板上に転写する露光装置である。
この場合、環境制御性能の向上によって露光精度の向上が図られる。
また、前記デバイス製造装置は、例えば、基板上にレジストを塗布し、かつ現像する塗布・現像装置である。この場合、環境制御性能の向上によって塗布及び現像に関わる処理性能の向上が図られる。

また、本発明のデバイス製造装置は、上記第１、第２、及び第３の環境制御装置のいずれかを有することを特徴としている。
また、本発明のデバイス製造方法は、上記第１、第２、及び第３の環境制御装置のいずれかを用いて、デバイスを製造することを特徴としている。
本発明の露光装置は、マスク（Ｒ）のパターンを投影光学系（ＰＬ）を介して基板（Ｗ）に転写する露光本体部（１０）と、前記露光本体部の少なくとも一部を収容するチャンバ（１０１）とを備える露光装置であって、前記チャンバは、前記露光本体部の少なくとも一部を構成する複数の構成要素のうち、第１の構成要素が配置される第１空間（１５０）と、前記複数の構成要素のうち、第２の構成要素が配置される第２空間（１５１，１５２)とを仕切る仕切部材（８８）を備え、前記仕切部材は、前記チャンバに設けられる開口（１６０ａ，１６１ａ)を介して、前記第２空間に配置される前記第２の構成要素をメンテナンスする際に、前記第１空間に対する前記チャンバ外の外気の混入を抑制することを特徴としている。
この露光装置では、チャンバ内の所定の構成要素に対するメンテナンスの際に、仕切部材によって、別の構成要素を含む空間（第１空間）に対する外気の混入が抑制される。すなわち、メンテナンス時における外気の混入が、チャンバ内の一部の空間（第２空間）に限定される。そのため、主要な処理空間に対する外気の混入を抑制したり、混入した外気を排除するのに要する時間を短縮したりすることが可能となり、露光処理の安定化が図られる。
上記の露光装置において、前記第１空間（１５０）に配置される前記第１の構成要素は、前記チャンバ（１０１）に設けられる前記開口（１６０ａ，１６１ａ)及び前記仕切部材（８８）を介してメンテナンスされてもよい。
この場合、第１の構成要素と第２の構成要素とがともに同じ開口を介してメンテナンスされることから、装置構成の簡素化が図られる。
また、上記の露光装置において、前記第２の構成要素は、前記第１の構成要素に対して、メンテナンス頻度が高いことにより、メンテナンス頻度が低い構成要素を含む空間に対する外気の混入が抑制される。
また、上記の露光装置において、前記第２の構成要素は、例えば、前記露光本体部を温調する温調制御部(１５ａ)、または前記露光本体部を電気的に制御する電気制御部（１５ｂ）の少なくとも一方を含む。これらの制御部は一般にメンテナンス頻度が高い。
また、上記の露光装置において、前記仕切部材（８８）は、前記チャンバ（１０１）内において、開閉自在に配置されることにより、第１空間をメンテナンスする際の作業性の向上が図られる。
また、上記の露光装置において、前記仕切部材（８８）は、例えば、ケミカルクリーン処理が施されたシート部材からなるとよい。
仕切部材がシート部材からなることにより、作業性の向上が図られる。また、仕切部材にケミカルクリーン処理が施されていることにより、仕切部材からの不純物の発生が防止される。
また、上記の露光装置において、前記第１の構成要素は、例えば、前記基板を搬送する搬送機構（ＷＳＴ）を含む。
この場合、高い清浄度が必要な、基板が配置される空間に対する外気の混入が抑制される。
また、上記の露光装置において、前記第１空間（１５０）の環境を制御する環境制御装置（１０２，８７)を備え、前記環境制御装置は、少なくとも前記第２の構成要素のメンテナンス時に、前記第１空間（１５０）内を前記第２空間（１５１，１５２)に対して陽圧に制御するのが好ましい。
これにより、第２の構成要素のメンテナンス時において、圧力の高い第１空間から第２空間へ気体が流れることにより、第１空間に対する外気の混入がより確実に抑制される。

本発明の露光装置によれば、仕切部材によって、メンテナンスの際のチャンバ内への外気の混入が抑制されることから、露光処理を安定的に行うことができる。
本発明の環境制御装置によれば、チャンバ内への外気の侵入が防止されることから、チャンバ内の環境を高い精度で制御することができる。
また、本発明のデバイス製造装置及びデバイス製造方法によれば、高精度に制御された環境下でデバイスが製造されることから、デバイス品質の向上を図ることができる。

図１は、本発明に係る環境制御装置（露光装置）の実施の形態の一例を模式的に示す図である。 図２は、露光装置の構成を模式的に示す図である。 図３は、本体チャンバにおける排気口の様子を示す図である。 図４は、デバイスの製造方法を示すフローチャート図である。 図５は、半導体素子の製造方法を示すフローチャート図である。 図６は、図１のＡ−Ａ矢視断面図である。 図７は、仕切部材の配置の様子を模式的に示す平面図である。

符号の説明

Ｒ…レチクル（マスク）
Ｗ…ウエハ
ＲＳＴ…レチクルステージ
ＰＬ…投影光学系
ＷＳＴ…ウエハステージ
１０…露光装置（デバイス製造装置）
５０ａ…取込口（気体取込口）
５１…ファン（取込機構）
５２…温度調整器（調整器）
５４…第１の不純物除去機構
８０ａ…開口
８０ｂ，８０ｃ，８０ｄ…送風口
８０ｅ〜８０ｈ…排気口
８１…ケミカルフィルタ（第２の不純物除去機構）
８７…局所循環系
８５…調整機構
８８…仕切部材
１００…環境制御装置
１０１…本体チャンバ
１０２…空調ユニット
１０３…ダクト
１１０…露光室
１１１…レチクルローダ室
１１２…ウエハローダ室
１２３…クーラ（調整器）
１２４…ファン（取込機構）
１２５…不純物除去機構

次に、本発明の実施の形態例について図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る環境制御装置の実施の形態の一例を示している。この環境制御装置１００は、外部環境としてのクリーンルーム内に配置される露光装置１０に対して適用されるものであり、露光装置１０を収容する本体チャンバ１０１と、温度や湿度等を制御した空気を本体チャンバ１０１内に供給する空調ユニット１０２とを主体に構成されている。

また図２は、露光装置１０の構成を模式的に示している。本例の露光装置１０は、マスク（投影原版）としてのレチクルＲ上の所定形状の照明領域に対して相対的にレチクルＲ及びウエハＷを同期して走査することにより、ウエハＷ上の１つのショット領域に、レチクルＲのパターン像を逐次的に転写するステップ・アンド・スキャン方式を採用している。

まず、図２を参照して露光装置１０の構成について説明する。
露光装置１０は、露光光源１１としてＡｒＦエキシマレーザ光（λ＝１９３ｎｍ）を出射するレーザ光源を使用しており、露光光ＥＬの光路内に配置されたレチクルＲを照明するための照明系２１、レチクルＲが搭載されるレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲから射出される露光光ＥＬをウエハＷ上に投射する投影光学系ＰＬ、ウエハＷが搭載されるウエハステージＷＳＴ、及び装置全体を統括的に制御する制御装置１５（図１参照）等を備えて構成されている。

露光光源１１からの露光光ＥＬは、ビーム・マッチング・ユニット（以下、「ＢＭＵ」という。）１２を介して照明系２１に導入される。ＢＭＵ１２は複数の光学素子で構成され、露光光源１１と照明系２１とを光学的に接続する。なお、露光光源１１は、クリーンルームの床下あるいはクリーンルームに隣接して配設されるユーティリティルーム等に配置される。

照明系２１は、オプティカルインテグレータをなすフライアイレンズ（ロッドインテグレータでもよい）２６、ミラー２７、コンデンサーレンズ２８等の光学素子を含んで構成されている。不図示の露光光源からの露光光ＥＬは、ＢＭＵ１２を介して照明系２１に導入される。前記フライアイレンズ２６は、露光光源からの露光光ＥＬの入射により、その後方面に前記レチクルＲを均一な照度分布で照明する多数の二次光源を形成する。フライアイレンズ２６の後方には、前記露光光ＥＬの形状を整形するためのレチクルブラインド２９が配置されている。

照明系２１における露光光ＥＬの入口部と出口部には、板状の平行平板ガラス（図示略）が配置されている。この平行平板ガラスは、露光光ＥＬを透過する物質（合成石英、蛍石など）により形成されている。

投影光学系ＰＬは、露光光ＥＬの入口部と出口部に設けられる一対のカバーガラス（図示略）と、この一対のカバーガラスの間に設けられる複数（図２では２つのみ図示）のレンズエレメント３１とを含んで構成されている。また、投影光学系ＰＬは、レチクルＲ上の回路パターンを例えば１／５あるいは１／４に縮小した投影像を、表面に前記露光光ＥＬに対して感光性を有するフォトレジストが塗布されたウエハＷ上に形成する。

レチクルステージＲＳＴは、所定のパターンが形成されたレチクルＲを、露光光ＥＬの光軸と直交する面内で移動可能に保持している。レチクルステージＲＳＴの端部には、レチクル側干渉計３３からのレーザビームを反射する移動鏡（図示略）が固定されている。
そして、レチクルステージＲＳＴは、このレチクル側干渉計３３によって走査方向の位置が常時検出され、露光装置１０の全体の動作を制御する制御装置１５（図１参照）の制御のもとで、所定の走査方向に駆動されるようになっている。

ウエハステージＷＳＴは、露光光ＥＬに対して感光性を有するフォトレジストが塗布されたウエハＷを、露光光ＥＬの光軸と直交する面内において移動可能、かつその光軸に沿って微動可能に保持する。

また、ウエハステージＷＳＴの端部には、ウエハ側干渉計３４からのレーザビームを反射する移動鏡（図示略）が固定されており、ウエハステージＷＳＴが可動する平面内での位置は、ウエハ側干渉計３４によって常時検出される。そして、ウエハステージＷＳＴは、前記制御装置１５（図１参照）の制御のもとで、前記走査方向の移動のみならず、走査方向に垂直な方向にも移動可能に構成されている。これにより、ウエハＷ上の各ショット領域ごとに走査露光を繰り返すステップ・アンド・スキャン動作が可能になっている。

ここで、ウエハステージＷＳＴは、支持体としての本体コラム３６の内部に配置される。本体コラム３６の内部には、上記ウエハステージＷＳＴの他に、ウエハＷの表面のＺ方向の位置（フォーカス位置）や傾斜角を検出するための斜入射形式のオートフォーカスセンサ２４や、オフ・アクシス方式のアライメントセンサ２５等が収納されている。なお、本体コラム３６は、ベースプレート３７上に複数の防振台３８を介して支持され、露光装置１０の構成要素であるレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、ウエハステージＷＳＴ等をそれぞれ保持している。

上記構成の露光装置１０では、ステップ・アンド・スキャン方式により、レチクルＲ上に回路パターンをウエハＷ上のショット領域に走査露光する場合、レチクルＲ上の照明領域が、前記レチクルブラインド２９で長方形（スリット）状に整形される。この照明領域は、レチクルＲ側の走査方向に対して直交する方向に長手方向を有するものとなっている。そして、レチクルＲを露光時に所定の速度Ｖｒで走査することにより、前記レチクルＲ上の回路パターンを前記スリット状の照明領域で一端側から他端側に向かって順次照明する。これにより、前記照明領域内におけるレチクルＲ上の回路パターンが、前記投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上に投影され、投影領域が形成される。

このとき、ウエハＷは、レチクルＲとは倒立結像関係にあるため、レチクルＲの走査方向とは反対方向に、レチクルＲの走査に同期して所定の速度Ｖｗで走査される。これにより、ウエハＷのショット領域の全面が露光可能となる。走査速度の比Ｖｗ／Ｖｒは、前記投影光学系の縮小倍率に応じたものになっており、レチクルＲ上の回路パターンがウエハＷ上の各ショット領域上に正確に縮小転写される。

ここで、露光装置１０で使用するＡｒＦレーザ光は、空気中に含まれる酸素分子・二酸化炭素分子などの物質によってエネルギーが吸収されやすい。そのため、露光装置１０では、照明光路（露光光源１１〜レチクルＲへ至る光路）及び投影光路（レチクルＲ〜ウエハＷへ至る光路）を外部雰囲気から遮断し、それらの光路をＡｒＦレーザ光に対して吸収の少ない特性を有するガスで満たしている。

具体的には、ＢＭＵ１２、照明系２１、及び投影光学系ＰＬにおける各光路がケーシング４１，４２，４３によって外部環境から遮断されている。各ケーシング４１，４２，４３には、供給管４５と排出管４６とが接続されており、光学的に不活性なパージガスである不活性ガスが、マイクロデバイス工場のユーティリティプラント内のタンク４７から供給されるようになっている。また、各ケーシング４１，４２，４３の内部のガスは、排出管４６を介して工場の外部に排出されるようになっている。

不活性ガスとは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等の中から選択された単体のガス、あるいはその混合ガスであり、化学的に精製されている。パージガスの供給は、各ケーシング４１，４２，４３の内部において、各種光学素子を汚染する酸素や有機化合物等の不純物の濃度を低減するために行われる。なお、有機化合物は、露光光ＥＬの照射下で各種光学素子の表面上に堆積して曇り現象を生じせしめる物質であり、酸素は、ＡｒＦレーザ光を吸収する吸光物質である。また、有機化合物としては、例えば有機ケイ素化合物、アンモニウム塩、硫酸塩、ウエハＷ上のレジストからの揮散物、各種駆動部を有する構成部品に使用される摺動性改善剤からの揮散物、電気部品に給電あるいは信号供給するための配線の被覆層からの揮散物等がある。

なお、パージガス中にも有機化合物、あるいは酸素が不純物として含まれることがある。このため、供給管４５の途中には、パージガス中の不純物を除去するためのパージガスフィルタ４８や、パージガスを所定の温度に調整するとともにパージガス中の水分を除去する温調乾燥器４９が設けられている。

図１に戻り、次に、環境制御装置１００を構成する本体チャンバ１０１及び空調ユニット１０２について説明する。
本例では、本体チャンバ１０１はクリーンルーム内の床面上に設置され、空調ユニット１０２は本体チャンバ１０１が配置されるクリーンルームとは異なる環境であるクリーンルームの床下あるいはクリーンルームに隣接して配設されるユーティリティルームに配置されている。本体チャンバ１０１と空調ユニット１０２とは、ダクト１０３を介して接続されている。

ここで、クリーンルームは室内環境（温度や不純物質濃度など）が高精度に管理されているのに対し、ユーティリティルームはクリーンルームほどの厳格な環境管理を必要としない。本例では、空調ユニット１０２をユーティリティルームに配置することにより、クリーンルームにおける露光処理に関わるスペースの縮小化、並びに管理コストの低減化が図られている。なお、ダクト１０３は、例えばアルミ、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、あるいはフッ素樹脂など、各種光学素子の表面に付着してそれら光学素子の光学性能の低下を引き起こす汚染物質の発生が少ない材料を用いて形成される。本例では、ダクト１０３として、アルミ材質の二重管からなり、内管と外管との間に断熱剤（例えば、発泡剤等）を配した断熱性に優れたものを用いている。

空調ユニット１０２は、外部の空気を取り込んで、所定の温度となるように調整するとともに、その空気中の不純物を除去して、本体チャンバ１０１に供給するものであり、筐体５０、及び筐体５０内に配設される取込機構としてのファン５１等を備えて構成されている。

空調ユニット１０２の筐体５０には、外部の空気を取り込むための取込口５０ａと、その取り込んだ空気を排出するための排出口５０ｂとが設けられており、このうち排出口５０ｂは上記ダクト１０３に接続されている。また、取込口５０ａとファン５１との間には、温度調整器５２及び湿度調整器５３が配設され、ファン５１と排出口５０ｂとの間には、第１の不純物除去機構５４が配設されている。

温度調整器５２は、取込口５０ａを介して筐体５０内に取り込んだ空気を、所定の温度に調整するものであり、上流側に冷却用のクーラ６０、下流側に加熱用のヒータ６１を配した構成となっている。また、温度調整器５２は、空気の温度を検出する不図示の温度センサを備えており、その温度センサの検出結果に基づいて、制御装置１５により、クーラ６０及びヒータ６１が制御される。より具体的には、制御装置１５は、温度センサの検出結果に基づいて、本体チャンバ１０１に供給される空気の温度が例えば、２０〜３０℃の範囲内で一定温度（例えば２３℃）となるように、クーラ６０及びヒータ６１を制御する。

湿度調整器５３は、温度調整器５２で温調された空気の湿度を調節するためのものであり、加湿器６５並びに不図示の湿度センサ等を備えて構成されている。本例では、湿度センサとして、空気の相対湿度を検出するタイプが用いられ、具体的には、インピーダンス・容量変化型、電磁波吸収型、熱伝導応用型、水晶振動型などが用いられる。また、加湿器６５は、空気の湿度を検出する不図示の湿度センサの検出結果に基づいて、制御装置１５により制御される。より具体的には、制御装置１５は、湿度センサの検出結果に基づいて、第１の不純物除去機構５４を通過する前の空気の相対湿度が例えば２０〜９５％、好ましくは４０〜６０％、より好ましくは４５〜５５％の範囲内で一定湿度（例えば５０％）となるように、加湿器６５を制御する。

第１の不純物除去機構５４は、取込口５０ａを介して筐体５０内に取り込んだ空気中の不純物を除去するためのものである。本例では、第１の不純物除去機構５４は、空気中の酸素や有機化合物など、各種光学素子に付着してそれら光学素子の光学性能の低下を引き起こすガス状の汚染物質を除去するケミカルフィルタ６６と、空気中の微粒子（パーティクル）を除去するＵＬＰＡフィルタ６７（Ultra Low Penetration Air-filter）とを備えて構成されている。なお、各フィルタは単数に限らず、必要に応じて複数枚が重ねて用いられる。また、ＵＬＰＡフィルタの代わりに、ＨＥＰＡフィルタ（High Efficiently Particulate Air-filte）を用いてもよい。

ここで、ケミカルフィルタ６６としては、例えば、ガス状アルカリ物質除去用、ガス状酸性物質除去用、及びガス状有機物質除去用などが用いられる。具体的には、例えば、活性炭型（ガス状有機物質除去用）、添着剤活性炭型（ガス状アルカリ性物質除去用、ガス状酸性物質除去用）、イオン交換繊維型（ガス状アルカリ性物質除去用、ガス状酸性物質除去用）、イオン交換樹脂型（ガス状アルカリ性物質除去用、ガス状酸性物質除去用）、セラミックス型（ガス状有機物質除去用）、添着剤セラミックス型（ガス状アルカリ性物質除去用、ガス状酸性物質除去用）などがある。これらは、単独で使用してもよく、任意のいずれかを複数組み合わせて使用してもよい。組み合わせの例としては、例えば、活性炭型と添着剤活性炭型とイオン交換樹脂型との組み合わせ、あるいは、活性炭型とイオン交換繊維型（ガス状酸性物質除去用）とイオン交換繊維型（ガス状アルカリ性物質除去用）との組み合わせなどが挙げられる。こうした組み合わせは、空調ユニット１０２が配置される環境の空気をガス分析するなどして、空調ユニット１０２内に取り込まれる空気中の不純物に応じて任意に選択される。なお、本例では、第１の不純物除去機構５４の構成として、ケミカルフィルタ６６を上流に、ＵＬＰＡフィルタ６７を下流に配置しているが、これに限らず他の構成としてもよく、例えば、ＵＬＰＡフィルタ６７を上流に、ケミカルフィルタ６６を下流に配置してもよい。

続いて、本体チャンバ１０１について説明する。
本体チャンバ１０１の内部には、上記露光装置１０が収容される露光室１１０と、複数のレチクルＲが収容される空間としてのレチクルローダ室１１１と、複数のウエハＷが収容される空間としてのウエハローダ室１１２とが区画形成されている。

ここで、レチクルローダ室１１１の内部には、複数のレチクルＲを保管するレチクルライブラリ７１と、このレチクルライブラリ７１よりも露光室１１０側に配置されるとともに、水平多関節型ロボットからなるレチクルローダ７２とが収容されている。このレチクルローダ７２は、レチクルライブラリ７１に保管されている複数のレチクルＲのうちの任意の１枚のレチクルＲを前記レチクルステージＲＳＴ上に搬入したり、レチクルステージＲＳＴ上のレチクルＲをレチクルライブラリ７１内に搬出したりする。

なお、レチクルライブラリ７１の代わりに、例えば複数のレチクルＲを収容可能なボトムオープンタイプの密閉式カセット（コンテナ）を用いてもよい。また、レチクルローダ７２として、例えば搬送アームをスライドさせる機構を有するものを用いてもよい。また、レチクルライブラリ７１を、レチクルローダ室１１１とは異なる区画室内に設ける構成としてもよい。また、この場合には、前述の密閉式カセットをレチクルローダ室１１１の上部に載置して、気密性を維持した状態でボトムオープンにてレチクルＲをレチクルローダ室１１１内に搬入するようにしてもよい。

ウエハローダ室１１２の内部には、複数のウエハＷを保管するウエハキャリア７６と、このウエハキャリア７６に対してウエハＷを出し入れする水平多関節型ロボット７７と、この水平多関節型ロボット７７とウエハステージＷＳＴとの間でウエハＷを搬送するウエハ搬送装置７８とが収容されている。

なお、ウエハ搬送装置７８を省略し、ウエハＷを、水平多関節型ロボット７７によりウエハキャリア７６とウエハステージＷＳＴとの間で搬送する構成としてもよい。また、ウエハキャリア７６を、ウエハローダ室１１２とは異なる区画室内に設ける構成としてもよい。

さて、本体チャンバ１０１の内部には、空調ユニット１０２からダクト１０３を介して導入される気体を露光室１１０、レチクルローダ室１１１、及びウエハローダ室１１２の各内部へ導く案内通路８０が設けられている。上述した空調ユニット１０２で調整された空気は、上記案内通路８０を介して露光室１１０、レチクルローダ室１１１、及びウエハローダ室１１２のそれぞれに送られる。

案内通路８０の上流端には、上記ダクト１０３に接続される開口８０ａが設けられており、この開口８０ａには、第２の不純物除去機構としてのケミカルフィルタ８１が配設されている。ケミカルフィルタ８１としては、上述したものと同様に、ガス状アルカリ物質除去用、ガス状酸性物質除去用、及びガス状有機物質除去用のいずれも使用可能である。
具体的には、例えば、活性炭型（ガス状有機物質除去用）、添着剤活性炭型（ガス状アルカリ性物質除去用、ガス状酸性物質除去用）、イオン交換繊維型（ガス状アルカリ性物質除去用、ガス状酸性物質除去用）、イオン交換樹脂型（ガス状アルカリ性物質除去用、ガス状酸性物質除去用）、セラミックス型（ガス状有機物質除去用）、添着剤セラミックス型（ガス状アルカリ性物質除去用、ガス状酸性物質除去用）などがある。これらは、単独で使用してもよく、任意のいずれかを複数組み合わせて使用してもよい。

また、案内通路８０において、露光室１１０、レチクルローダ室１１１、及びウエハローダ室１１２の各室との接続部には、空気中の微粒子（パーティクル）を除去するためのフィルタボックス８２，８３，８４が配設されている。すなわち、露光室１１０、レチクルローダ室１１１、及びウエハローダ室１１２には、上記空調ユニット１０２からの空気を内部に導入するための送風口８０ｂ，８０ｃ，８０ｄが設けられており、この送風口８０ｂ，８０ｃ，８０ｄに上記フィルタボックス８２，８３，８４が配設されている。このフィルタボックス８２，８３，８４は、ＵＬＰＡフィルタ（Ultra Low Penetration Air-filter）とフィルタプレナムとから構成されている。

また、本体チャンバ１０１には、内部の空気を外部に排気するための排気口８０ｅ、８０ｆ，８０ｇ，８０ｈが設けられている。具体的には、露光室１１０において、露光装置１０を挟んで送風口８０ｂと対向位置に排気口８０ｅ，８０ｆが配設され、レチクルローダ室１１１において、レチクルライブラリ７１及びレチクルローダ７２を挟んで送風口８０ｃと対向位置に排気口８０ｇが配設され、ウエハローダ室１１２において、ウエハキャリア７６、水平多関節型ロボット７７、及びウエハ搬送装置７８を挟んで送風口８０ｄと対向位置に排気口８０ｈが配設されている。

ここで、図３は、本体チャンバ１０１における排気口８０ｅの様子を示す図である。
図３に示すように、本体チャンバ１０１には、排気口８０ｅを介して排気される空気の量（排気量）を調整するための調整機構８５が設けられている。調整機構８５は、複数のスリット状開口８６ａ，８７ａが形成された２つの板状部材８６，８７を含み、このうち板状部材８６が可動自在に配設されている。そして、板状部材８６の配設状態が変化することにより、排気口８０ｅの開口の大きさ（開口面積）が変化するように構成されている。すなわち、板状部材８６の開口８６ａと板状部材８７の開口８７ａとが重なった部分が排気口８０ｅの開口となり、他の部分は遮られる。板状部材８６の配設状態の調整は、本例ではオペレータが直接行うが、駆動装置を介して行うように構成してもよい。本体チャンバ１０１には、他の排気口８０ｆ〜８０ｈ（図１参照）についても、上記排気口８０ｅと同様に、排気量を調整するための調整機構が配設されている。排気口８０ｅ，８０ｆの開口の大きさが調整されることにより露光室１１０の排気量が調整され、排気口８０ｇの開口の大きさが調整されることによりレチクルローダ室１１１の排気量が調整され、排気口８０ｈの開口の大きさが調整されることによりウエハローダ室１１２の排気量が調整されるようになっている。

なお、図１に示すように、制御装置１５の各種制御機器がボックス１６内に収容されている。このボックス１６は本体チャンバ１０１の内部と隔離されており、小型ファン１７によって内部の空気が排出口１６ａを介して外部に排出されるように構成されている。また、本体チャンバ１０１には、図１に示すように、局所循環系８７、並びに仕切部材８８が配設されているが、これらについては後述する。

次に、上記構成の環境制御装置１００による本体チャンバ１０１に対する空調動作について説明する。
まず、空調ユニット１０２のファン５１が作動すると、そのファン５１の吸引力により、取込口５０ａを介して空調ユニット１０２（筐体５０）内に空気が取り込まれる。このとき、ファン５１の上流側では空気が圧縮されて圧力が上昇し、下流側では圧力が低下する。なお、空調ユニット１０２では、不純物除去フィルタを介することなく取込口５０ａから空気を取り込むことから、ファン５１にかかる負荷は比較的少ない。

このとき、空調ユニット１０２では、取込口５０ａから取り込んだ空気を、温度調整器５２によって目標とする温度に調整するとともに、湿度調整器５３によって目標とする湿度に調整する。温度及び湿度が調整された空気は、第１の不純物除去機構５４におけるケミカルフィルタ６６を通過することにより、各種光学素子を汚染する汚染物質（ガス状アルカリ性物質、ガス状酸性物質、ガス状有機物質）がほぼ完全に吸着除去される。さらに、ＵＬＰＡフィルタ６７を通過することにより、空気中の微粒子（パーティクル）がほぼ完全に除去される。

こうして不純物除去や温度調整などの所定の調整がなされた空気は、ダクト１０３を介して本体チャンバ１０１に送られる。具体的には、空調ユニット１０２で調整された空気は、ダクト１０３を通過した後、本体チャンバ１０１内の案内通路８０に流入し、露光室１１０、レチクルローダ室１１１、及びウエハローダ室１１２の各室に送られる。

本体チャンバ１０１への空気の入口である案内通路８０の開口８０ａにはケミカルフィルタ８１が配設され、露光室１１０、レチクルローダ室１１１、及びウエハローダ室１１２の各室の入口である送風口８０ｂ，８０ｃ，８０ｄにはフィルタボックス（ＵＬＰＡフィルタ）８２，８３，８４が配設されていることから、これらフィルタ８１〜８４によって空気中に含まれる不純物（微粒子など）がさらに除去される。つまり、各室１１０，１１１，１１２への不純物の侵入がより確実に防止される。

そして、各室１１０，１１１，１１２に送られた空気が各室内に充填されることにより、各室内の環境（清浄度、温度、湿度など）が目標とする状態に制御される。このとき、空気の一部は、排気口８０ｅ、８０ｆ，８０ｇ，８０ｈから本体チャンバ１０１の外部に排気される。すなわち、空調ユニット１０２内に取り込まれた空気は、本体チャンバ１０１内を介して外部に排出される。

このように、本例の環境制御装置１００では、全体として、空調ユニット１０２から本体チャンバ１０１に向けて空気を一方向に流して空調を行う（ワンパス式）。そのため、ファン５１から本体チャンバ１０１内の排気口８０ｅ，８０ｇ，８０ｈの間の空気供給通路は、本体チャンバ１０１内の外気圧力に対して高い圧力に維持することができる。そして、ファン５１から上記排気口８０ｅ，８０ｇ，８０ｈの間の空気供給通路には、外気圧力に対して負圧の領域を発生することがないので、本体チャンバ１０１内への空気（外気）の侵入が防止され、それに伴う不純物の侵入や空気温度の乱れが防止される。

また、本例の環境制御装置１００では、空気を一方向に流して空調を行うことから、本体チャンバ１０１内で発生した不純物、例えば、ウエハ上のレジストからの揮散物や、各種駆動部を有する構成部品に使用される摺動性改善剤からの揮散物、電気部品に給電あるいは信号供給するための配線の被覆層からの揮散物等が、本体チャンバ１０１内から外部に排気される。なお、本体チャンバ１０１内で空気を循環使用する場合にはそうした物質が循環空気中に蓄積され、また、循環経路中に配置されるフィルタを劣化させるおそれがあるが、本例ではそれがない。

また、本例の環境制御装置１００では、空調に際して、調整機構８５を介して排気口８０ｅ（８０ｆ，８０ｇ，８０ｈ）の開口の大きさ（開口面積）が調整され、これにより、本体チャンバ１０１内の圧力が調整される。例えば、露光室１１０における排気口８０ｅ，８０ｆの開口面積を小さくして排気量を少なく調整することにより、露光室１１０内の圧力を高めることができる。これは他の排気口８０ｇ，８０ｈについても同様である。

また、本例の環境制御装置１００では、露光室１１０、レチクルローダ室１１１、ウエハローダ室１１２の各室において、送風口８０ｂ，８０ｃ，８０ｄに対して、各装置を挟んで対向位置に排気口８０ｅ、８０ｆ，８０ｇ，８０ｈが配置されており、これは各室１１０，１１１，１１２の圧力を高める上で有利である。つまり、各室１１０，１１１，１１２において、取り込まれた空気の入口と出口との間に各装置（露光装置１０、レチクルローダ７２、ウエハ搬送装置７８など）が配置されていることから、各室内における空気の流れの中に装置が配置され、特にその装置が配置された領域について圧力を確実に高めることが可能となる。

また、排気口８０ｅ，８０ｆ，８０ｇ，８０ｈの開口率をそれぞれ独立に調整すれば、各室１１０，１１１，１１２間の差圧を制御でき、例えば、清浄度に応じた各室の優先順位に対応した圧力に調整することが可能である。

このように、本例の環境制御装置１００では、本体チャンバ１０１内の圧力を確実に高めることが可能である。したがって、例えば、クリーンルーム内が管理品質の異なる複数のエリアに区分けされ、その境界に本体チャンバ１０１が配置され、その複数のエリア間で大きな差圧が生じる場合にも、本体チャンバ１０１内の圧力を十分高く設定することにより、外部環境に対して本体チャンバ１０１内を陽圧に保つことができる。そのため、本体チャンバ１０１内への外気の侵入を確実に防止することができる。

ここで、本例の環境制御装置１００では、ファン５１と取込口５０ａとの間、すなわちファン５１の上流に、温度調整器５２（クーラ６０、ヒータ６１）及び湿度調整器５３（加湿器６５）が配置されていることから、それらがファン５１によって加圧された空気の流れの抵抗となるのが回避される。そのため、ファン５１の下流において、空気の圧力が確実に高められる。

また、本例の環境制御装置１００では、前述したように、空調ユニット１０２において、ファン５１が空気の取込口５０ａと第１の不純物除去機構５４との間に設けられている。ファン５１と取込口５０ａとの間、すなわち、ファン５１の上流側は空気の圧力が低下するものの、ファン５１の下流では空気の圧力が高められる。
そして、ファン５１の下流、すなわち、空気の圧力が高い箇所に第１の不純物除去機構５４（ケミカルフィルタ６６、ＵＬＰＡフィルタ６７）が配されることにより、第１の不純物除去機構５４を通過することなく、本体チャンバ１０１内に外気が送られることが防止される。つまり、ファン５１と第１の不純物除去機構５４との間、並びに第１の不純物除去機構５４と本体チャンバ１０１との間では、いずれも外部環境に対して陽圧となっており、その流路内への外気の侵入が防止される。

そして、本体チャンバ１０１に送られるすべての空気が第１の不純物除去機構５４を確実に通過し、その空気に含まれる汚染物質が第１の不純物除去機構５４によって除去されることにより、本体チャンバ１０１内の各室１１０，１１１，１１２における不純物質濃度は、第１の不純物除去機構５４のフィルタ性能が正確に反映されたものとなる。例えば、空調ユニット１０２に取り込む空気中の総有機物濃度が１００μｇ／ｍ^３であり、第１の不純物除去機構５４（ケミカルフィルタ６６）の除去性能が９０％であるとき、空調ユニット１０２通過後の空気中の有機物濃度は１０μｇ／ｍ^３以下となる。さらに、ケミカルフィルタ８１（第２の不純物除去機構）の除去性能が８０％であるとき、本体チャンバ１０１の各室１１０，１１１，１１２に導入される空気中の有機物濃度は、２μｇ／ｍ^３以下となる。

ここで、空調ユニット１０２は、ファン５１などの駆動部品を備え、露光装置１０は、レチクルブラインド２９やレチクルステージＲＳＴ、ウエハステージＷＳＴなどの駆動部品を備えている。そして、これら駆動部品の摺動部には、摺動性改善剤が使用されている。本実施形態では、この摺動性改善剤として、揮散物（炭化物などの有機物質）の発生が抑制された物質、例えばフッ素系グリース等を用いてる。このフッ素系グリースとしては、窒素雰囲気中で、約１０ｍｇのグリースを６０℃で１０分間加熱したときに発生する揮散物の量が、トルエン換算値で１５０μｇ／ｍ^３以下である。特に、このフッ素系グリースとしては、同加熱条件で発生する揮散物の量が、トルエン換算値で１００μｇ／ｍ^３以下であることが望ましく、４０μｇ／ｍ^３以下であることがさらに望ましい。このようなグリースとしては、例えばダイキン社製のデムナム（商品名）が知られている。

空調ユニット１０２や露光装置１０に設けられる各種駆動部品の摺動部に、前記フッ素系グリースを使用することにより、そのグリースからの揮散物の発生を抑制することができる。このため、空調ユニット１０２内のケミカルフィルタ６６や本体チャンバ１０１内のケミカルフィルタ８１などを長期間にわたって使用することができる。

次に、本体チャンバ１０１に配設される局所循環系８７、並びに仕切部材８８について説明する。

図１及び図２に示すように、局所循環系８７は、露光室１１０に導入された空気を取り込んで、その空気を露光室１１０内で局所的に循環させるものであり、空気の温度や湿度等を調整する空調部１２０と、空気を循環させる流路を形成する循環通路１２１とを含んで構成されている。本例では、局所循環系８７は、露光室１１０の内部空間のうち、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴを含む局所的な空間で上記空気を循環させる。

空調部１２０は、本体チャンバ１０１の外で、かつ隣接して配設された筐体１２２内に、温度調整用のクーラ１２３、取込機構としてのファン１２４、及び不純物除去機構１２５を流れ方向に順次配設した構成からなる。クーラ１２３は、前述したクーラ６０と同様に、筐体１２２内に取り込んだ空気を所定の温度に調整するためのものであり、不図示の温度センサの検出結果に基づいて制御される。また、ファン１２４としては、前述した空調ユニット１０２用のファン５１（図１参照）に比べて送風能力の小さいものが用いられる。また、不純物除去機構１２５は、前述した第１の不純物除去機構５４（図１参照）と同様に、空気中の酸素や有機化合物など、各種光学素子に付着してそれら光学素子の光学性能の低下を引き起こすガス状の汚染物質を除去するケミカルフィルタ１２６（上流側）と、空気中の微粒子（パーティクル）を除去するＵＬＰＡフィルタ１２７（下流側）とを備えて構成されている。なお、上記各フィルタは単数に限らず、必要に応じて複数枚が重ねて用いられる。また、ケミカルフィルタ１２６としては、ガス状アルカリ物質除去用、ガス状酸性物質除去用、及びガス状有機物質除去用のいずれも使用可能である。

循環通路１２１には、露光室１１０内の空気を取り込むための第１取込口１３０、本体コラム３６内の空気を取り込むための第２取込口１３１、レチクルステージＲＳＴ用の干渉計３３の光路に向けて配設される第１送風口１３２、ウエハステージＷＳＴ用の干渉計３４の光路に向けて配設される第２送風口１３３、ウエハステージＷＳＴ用のオートフォーカスセンサ２４の光路に向けて配設される第３送風口１３４、及びウエハ室４０の側壁に配設される第４送風口１３５が設けられている。循環通路１２１は、上記送風口１３２〜１３５に応じた分岐構造となっており、取込口１３０，１３１を介して取り込んだ空気を空調部１２０に案内するとともに、空調部１２０から送られる空気を上記送風口１３２〜１３５のそれぞれに分岐して案内する。

また、循環通路１２１には、空調部１２０から送られる空気に含まれる微粒子（パーティクル）をさらに除去するための不純物除去手段としてのＵＬＰＡフィルタ１４０が配設されている。このＵＬＰＡフィルタ１４０は、空調部１２０からの空気を上記各送風口１３２〜１３５に向けて分岐する分岐位置の上流に配設されている。

さらに、循環通路１２１には、空調部１２０から送られる空気の温度ムラを緩和するための温度安定化装置１４１，１４２が配設されている。温度安定化装置１４１は、レチクルステージＲＳＴに空気を供給する通路に配設され、温度安定化装置１４２は、ウエハステージＷＳＴに空気を供給する通路に配設されている。温度安定化装置１４１，１４２は、循環通路１２１を流れる空気と接するように配設される配管１４１ａ，１４２ａを含み、この配管１４１ａ，１４２ａには温度制御された液媒が流れる。循環通路１２１を流れる空気は、この配管１４１ａ，１４２ａと接することにより、温度が均質化される。

上記構成の局所循環系８７では、空調部１２０のファン１２４の作動により、循環通路１２１を介して空気が循環される。具体的には、取込口１３０，１３１を介して取り込まれた空気がクーラ１２３によって温調され、さらに、その空気に含まれる汚染物質あるいは微粒子が不純物除去機構１２５（ケミカルフィルタ１２６、ＵＬＰＡフィルタ１２７）によって除去される。空調部１２０を通過した空気は循環通路１２１を流れ、ＵＬＰＡフィルタ１４０によってさらに微粒子が除去されるとともに、温度安定化装置１４１，１４２によって温度ムラが緩和される。そして、温度及び清浄度が調整された空気が、送風口１３２を介してレチクルステージＲＳＴの配置空間に送られ、送風口１３３〜１３５を介してウエハステージＷＳＴの配置空間（本体コラム３６内）に送られる。その結果、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴの各配置空間が空調部１２０で調整された空気で満たされる。

続いて、仕切部材８８について説明する。
図１に示すように、仕切部材８８は、露光室１１０内における露光装置１０が配設される空間と他の空間とを仕切るものである。本例では、仕切部材８８は、シート状の部材からなり、露光室１１０の送風口８０ｂ（フィルタボックス８２）、並びに露光装置１０の一部（照明系２１、レチクルステージＲＳＴ（図２参照）など）を囲うように配設されている。仕切部材８８としては、光学素子の光学性能の低下を引き起こす汚染物質の発生が少ない材料が用いられ、必要に応じてケミカルクリーン処理が施されたものが用いられる。
ここで、シート部材の具体例としては、エチレン−ビニルアルコール共重合樹脂（例えば、エバール：登録商標）、ポリイミドフィルム（例えば、カプトン：登録商標）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（例えば、マイラー：登録商標）などが挙げられる。この他に、例えば、四フッ化エチレン（いわゆるテフロン：登録商標）、テトラフルオロエチレン−テルフルオロ（アルキルビニールエーテル）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロペン共重合体等の各種フッ素ポリマー、あるいはナイロン（ＯＮＹ重合）−片面シリカコートペット樹脂（ＰＥＴ１２）−ポリエチレン（ＰＥＦ６０）からなる三層構造のいわゆるハイバリアシート、等の材料を用いることができる。

図６は、図１のＡ−Ａ矢視断面図を示し、図６において、露光室１１０内は、露光本体部１０の主要部が配設される空間（第１空間１５０）と、後述する制御装置１５（温度制御部１５ａ及び電気制御部１５ｂ）が配設される他の空間（第２空間１５１）と、後述する制御装置１５（ガス圧制御部１５ｃ）が配設される空間（第２空間１５２）とを有する。

また図７は仕切部材８８の配置の様子を模式的に示す平面図である。
図７に示すように、本体チャンバ１０１は、４つの側壁１６０，１６１，１６２，１６３を有して形成されており、そのうちのレチクルローダ室１１１（及びウエハローダ室１１２）側の側壁１６２は、ウエハ上にレジストを塗布し、かつ現像する塗布・現像装置（コータ・デベロッパ：Ｃ／Ｄ）を収容するチャンバ１７０に面して配されている。この側壁１６２に対して垂直に配されかつ互いに対向する２つの側壁１６０，１６１には、メンテナンス用の開口１６０ａ，１６１ａが設けられ、この開口１６０ａ，１６１ａには、開閉自在な扉１６５，１６６が配設されている。そして、露光室１１０とレチクルローダ室１１１（及びウエハローダ室１１２）とを仕切る壁１６４と側壁１６３との間にわたって仕切部材８８が配設されている。本例では、仕切部材８８は、本体チャンバ１０１の露光室１１０において、露光本体部１０の主要部（投影光学系ＰＬなど）を挟んだ両側の２ケ所に、開閉自在に配設されており、露光処理時において閉状態に配される。

ここで、前述したように、本体チャンバ１０１内（露光室１１０）において、仕切部材８８及び側壁１６３，１６４によって囲われた空間（第１空間１５０）には、第１の構成要素としての露光本体部１０の主要部（照明系２１、レチクルステージＲＳＴ、ウエハステージＷＳＴ（図３参照）など）が配されている。また、その外側の空間（第２空間１５１，１５２）、すなわち、仕切部材８８と側面１６０との間の空間１５２、及び仕切部材８８と側面１６１との間の空間１５１には、第２の構成要素としての制御装置１５が配されている。制御装置１５は、例えば、露光本体部１０を温調する温調制御部１５ａ、露光本体部１０を電気的に制御する電気制御部１５ｂ、露光本体部１０で使用されるガスの圧力を制御するガス圧制御部１５ｃ等を含み、これらは一般にメンテナンス頻度が高い。

図１及び図６に戻り、上記構成の本体チャンバ１０１においては、上記局所循環系８７及び仕切部材８８が配設されていることにより、レチクルステージＲＳＴの配置空間及びウエハステージＷＳＴの配置空間を含む第１空間１５０が、本体チャンバ１０１内の他の空間（第２空間１５１，１５２）よりも圧力が高まって陽圧状態となり、第１空間１５０への外気の流入が防止される。局所循環系８７で循環される空気は、本体チャンバ１０１に供給された空気をさらに調整（温調及び不純物除去）したものであることから、清浄度が高くまた温度も安定している。そのため、例えば、上記第１空間１５０が循環空気で満たされることで、第１空間１５０におけるいわゆる空気ゆらぎ（温度揺らぎ）の発生が防止され、各ステージＲＳＴ、ＷＳＴの位置制御に使用される干渉計３３，３４（図２参照）などの検出計による位置検出が正確に行われる。その結果、露光本体部１０において、各ステージＲＳＴ、ＷＳＴが正確に位置決めされ、精度よく露光処理が行われる。

また、図６に示すように、本体チャンバ１０１の露光室１１０内では、仕切部材８８によって送風口８０ｂから導入される空気の流れが制御される。すなわち、送風口８０ｂの周囲が仕切部材８８、及び側壁１６３，１６４（図７参照）によって囲われていることから、送風口８０ｂから露光室１１０内に導入された空気は、仕切部材８８に沿って露光本体部１０に向かって流れ、他の方向への流れが抑制される。仕切部材８８によって空気の流れの方向が制御されることにより、第１空間１５０の圧力が高まって、局所循環系８７への外気の侵入がより確実に防止される。また、本例の環境制御装置１００では、露光室１１０内における露光本体部１０の主要部が配置される空間への外気の侵入が防止され、該空間内の温度や清浄度などの環境制御の精度の向上が図られる。その結果、本体チャンバ１０１内において、露光装置１０によって精度良く露光処理が行なわれる。

ここで、図７に示すように、制御装置１５（温調制御部１５ａ、電気制御部１５ｂ、ガス圧制御部１５ｃ）に対するメンテナンスは、本体チャンバ１０１に設けられた開口１６０ａ，１６１ａを介して行われる。すなわち、オペレータは、本体チャンバ１０１の扉１６６（あるいは扉１６５）を開き、本体チャンバ１０１内の制御装置１５に対するメンテナンスを行う。このとき、仕切部材８８は露光処理時と同様に閉状態であり、この仕切部材８８が壁となって、制御装置１５が配される第２空間１５１，１５２から第１空間１５０への気体の流れが抑制される。すなわち、仕切部材８８によって、第１空間１５０に対する本体チャンバ１０１外の外気の混入が抑制される。

さらに、上記制御装置１５のメンテナンス時においては、露光処理時と同様に、空調ユニット１０２による送風口８０ｂから露光室１１０内への送風動作、並びに局所循環系８７による空気の循環動作を実行させ、第２空間１５１，１５２に対して第１空間１５０を陽圧に制御する。この陽圧制御により、上記制御装置１５のメンテナンス時において、第１空間１５０から第２空間１５１，１５２に気体が流れることはあっても、第２空間１５１，１５２から第１空間１５０に気体が流れるのが抑制され、第１空間１５０に対する外気の混入がより確実に抑制される。

一方、露光本体部１０のうち、第１空間１５０に配置される構成要素に対するメンテナンスは、本体チャンバ１０１に設けられた開口１６０ａ，１６１ａ及び仕切部材８８を介して行われる。すなわち、オペレータは、本体チャンバ１０１の扉１６５（あるいは扉１６６）を開くとともに、仕切部材８８を開状態にして、露光本体部１０の主要部に対するメンテナンスを行う。メンテナンスが終了すると、オペレータは、仕切部材８８を閉状態にし、空調ユニット１０２による送風口８０ｂから露光室１１０内への送風動作、並びに局所循環系８７による空気の循環動作を実行させて、第１空間１５０の環境を所望の状態に制御する。なお、この第１空間１５０内の構成要素に対するメンテナンス中にも、空調ユニット１０２による送風口８０ｂから露光室１１０内への送風動作、及び局所循環系８７による空気の循環動作を実行させておいてもよい。この空調動作により、第２空間１５１，１５２に対して第１空間１５０を可能な限り陽圧に維持し、第１空間１５０への外気の混入を抑制することが可能である。

以上説明したように、本例の露光装置１００では、露光処理時に加え、メンテナンス時においても、露光本体部１０の主要部が配置される第１空間１５０に対する外気の混入が抑制される。その結果、第１空間１５０の温度や清浄度などの環境が高い精度で制御されるとともに、第１空間１５０に外気が混入してもそれを排除するのに要する時間が短縮される。

特に、本例では、頻度が高い制御装置１５（温調制御部１５ａ、電気制御部１５ｂ、ガス圧制御部１５ｃ）のメンテナンス時において、空調ユニット１０７によって、第１空間１５０内が第２空間１５１，１５２に対して陽圧に制御するので、第１空間１５０に対する外気の混入が確実に抑制される。これにより、この露光装置１００では、露光処理部の環境の乱れが抑制され、処理の安定化が図られる。

なお、上記実施形態例では、仕切部材８８として、シート状の部材を用いているが、本発明はこれに限定されない。例えば、仕切部材８８は、板状の部材であってもよい。シート状の部材は、限られたスペース内において開閉自在に配置しやすいという利点がある。

また、上記実施形態では、露光本体部１０を収容する本体チャンバ１０１内に仕切部材８８を配置する構成について説明したが、塗布・現像装置（Ｃ／Ｄ）を収容するチャンバ１７０についても同様に、仕切部材を配置して主要部に対する外気の混入を抑制する構成としてもよい。

なお、上記実施形態例では、露光装置１００の本体チャンバ１０１と塗布・現像装置（Ｃ／Ｄ）のチャンバ１７０とがほぼ同じ幅で直線状に並べて配置されており、設置スペースの効率的な利用が図られている。

また、露光装置１００の本体チャンバ１０１においては、塗布・現像装置（Ｃ／Ｄ）と向き合う方向に配される側面１６２，１６３に比べて、メンテナンス用の開口１６０ａ，１６１ａが設けられた側面１６０，１６１のほうが広く形成されている。これは、通常のメンテナンス作業の能率の向上に加え、例えば、開口１６０ａ，１６１ａを介してウエハステージＷＳＴの取り出しを行うなどの、大規模なメンテナンスを行いやすいという利点がある。

なお、上述した空調ユニット１０２は、ファン５１などの駆動部品を備え、露光装置１０は、レチクルブラインド２９やレチクルステージＲＳＴ、ウエハステージＷＳＴなどの駆動部品を備えている。そして、これら駆動部品の摺動部には、摺動性改善剤が使用されている。本実施形態では、この摺動性改善剤として、揮散物（炭化物などの有機物質）の発生が抑制された物質、例えばフッ素系グリース等を用いてる。このフッ素系グリースとしては、窒素雰囲気中で、約１０ｍｇのグリースを６０℃で１０分間加熱したときに発生する揮散物の量が、トルエン換算値で１５０μｇ／ｍ^３以下である。特に、このフッ素系グリースとしては、同加熱条件で発生する揮散物の量が、トルエン換算値で１００μｇ／ｍ^３以下であることが望ましく、４０μｇ／ｍ^３以下であることがさらに望ましい。このようなグリースとしては、例えばダイキン社製のデムナム（商品名）が知られている。

また、空調ユニット１０２や露光装置１０に設けられる各種駆動部品の摺動部に、前記フッ素系グリースを使用することにより、そのグリースからの揮散物の発生を抑制することができる。このため、空調ユニット１０２内のケミカルフィルタ６６や本体チャンバ１０１内のケミカルフィルタ８１などを長期間にわたって使用することができる。

なお、本実施形態では、空調ユニット１０２は、その筐体５０内に、ファン５１、温度調整器５２、湿度調整器５３、第１の不純物除去機構５４を備える構成について説明したが、空調ユニット１０２の構成はこれに限定されるものではない。
例えば、空調ユニット１０２の第１の不純物除去機構５４を省略してもよい。また、空調ユニット１０２にファン５１のみを備え、温度調整器５２及び湿度調整器５３、第１の不純物除去機構５４をダクト１０３内に配置してもよい。

また、本体チャンバ１０１内の空気の供給通路には、ケミカルフィルタ８１（第２の不純物除去機構）のほかに、複数の不純物除去機構を配置してもよい。

さらに、局所循環系８７を、本体チャンバ１０１と同じようにワンパス方式にしてもよい。これにより、より精度の高い環境制御を行うことができる。

また、本実施形態では、外気を取込む空調ユニット１０２内のフィルタが、本体チャンバ内のフィルタよりも劣化しやすいため、空調ユニット１０２には、フィルタの交換機構を備えておくことが望ましい。

また、本発明において、デバイス製造装置は露光装置に限らず、基板上にレジストを塗布し、かつ現像する塗布・現像装置など、他の装置にも適用可能である。

また、上記実施形態では、露光装置１０は、本体チャンバ１０１内に本体コラム３６を有しているが、本発明はこれに限定されない。露光装置は、例えば、レチクル室とウエハ室とが相違なるチャンバ内に形成され、それらチャンバ間に投影光学系が配置される構成であってもよい。

また、投影光学系としては、屈折タイプに限らず、反射屈折タイプ、反射タイプであってもよい。また、露光装置として、投影光学系を用いることなく、マスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光するコンタクト露光装置や、マスクと基板とを近接させてマスクのパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも本発明を同様に適用することができる。

また、露光装置として、縮小露光型に限定されるものではなく、例えば等倍露光型や、拡大露光型であってもよい。
また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために使用されるレチクルまたはマスクを製造するためにマザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ光（深紫外光）やＶＵＶ光（真空紫外光）などを用いる露光装置では一般に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては、石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、または水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置などでは、透過型マスク（ステンシルマスク、メンバレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。

また、半導体素子の製造に用いられる露光装置だけでなく、例えば以下のような露光装置にも同様に適用することができる。例えば、本発明は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置にも適用することができる。また、本発明は、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置にも適用することができる。また、本発明は、ＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置にも適用することができる。

また、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板に転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の一括露光型の露光装置にも適用することができる。

また、露光装置の光源としては、例えばｇ線（λ＝４３６ｎｍ）、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（λ＝１５７ｎｍ）、Ｋｒ_２レーザ（λ＝１４６ｎｍ）、Ａｒ_２レーザ（λ＝１２６ｎｍ）等を用いてもよい。また、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外線、または可視域の単一波長レーザを、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いてもよい。

なお、上述した露光装置１０は、例えば、次のように製造される。
まず、投影光学系ＰＬを構成する複数のレンズエレメント３１及びカバーガラス等を投影光学系ＰＬの鏡筒（ケーシング４３）に収容する。また、ミラー２７、各レンズ２６，２８等の光学部材からなる照明系２１をケーシング４２内に収容する。そして、これらの照明系２１及び投影光学系ＰＬを本体チャンバ１０１に組み込み、光学調整を行う。次いで、多数の機械部品からなるウエハステージＷＳＴ（スキャンタイプの露光装置の場合は、レチクルステージＲＳＴも含む）を本体チャンバ１０１に取り付けて配線を接続する。
そして、ＢＭＵ１２のケーシング４１と照明系２１のケーシング４２と投影光学系ＰＬのケーシング４３とに供給管４５と排出管４６とを接続するとともに、空調ユニット１０２を、ダクト１０３を介して本体チャンバ１０１に接続した上で、さらに総合調整（電気調整、動作確認など）を行う。

また、前記各ケーシング４１，４２，４３を構成する各部品は、超音波洗浄などにより、加工油や、金属物質などの不純物を落とした上で、組み上げられる。なお、露光装置１０の製造は、温度、湿度や気圧が制御され、かつクリーン度が調整されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。

次に、上述した露光装置１０をリソグラフィ工程で使用したデバイス製造方法の実施形態について説明する。
図４は、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。

図４に示すように、まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、デバイス（マイクロデバイス）の機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲ等）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラスプレート等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる）を製造する。

次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３で用意したマスクと基板とを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入等）等の工程が必要に応じて含まれる。

最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。

図５は、半導体デバイスの場合における、図４のステップＳ１０４の詳細なフローの一例を示す図である。図５において、ステップＳ１１１（酸化ステップ）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）では、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）では、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜Ｓ１１４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。

ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、先に説明したリソグラフィシステム（露光装置）によってマスク（レチクル）の回路パターンをウエハ上に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）では露光されたウエハを現像し、ステップ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。

これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重の回路パターンが形成される。
以上説明した本実施形態のデバイス製造装置を用いれば、露光工程（ステップＳ１１６）において、露光光により解像力の向上が可能となり、露光量制御を高精度に行うことができる。従って、露光精度を向上することができ、例えば最小線幅０．１μｍ程度の高集積度のデバイスを歩留まり良く製造することができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明の環境制御装置によれば、チャンバ内への外気の侵入が防止されることから、チャンバ内の環境を高い精度で制御することができる。
また、本発明のデバイス製造装置及びデバイス製造方法によれば、高精度に制御された環境下でデバイスが製造されることから、デバイス品質の向上を図ることができる。

本発明の露光装置によれば、仕切部材によって、メンテナンスの際のチャンバ内への外気の混入が抑制されることから、露光処理を安定的に行うことができる。

Claims (33)

1. 気体取込口を介して気体を取り込む取込機構と、前記気体から不純物を除去する第１の不純物除去機構とを備える環境制御装置であって、
   前記取込機構は、前記気体取込口と前記第１の不純物除去機構との間に設けられることを特徴とする環境制御装置。
2. 前記取込機構と前記気体取込口との間に、取込んだ前記気体の温度を調整する調整器を有することを特徴とする請求項１に記載の環境制御装置。
3. 前記気体取込口が形成され、前記取込機構と前記調整器とのうち、少なくとも１つを収容する空調ユニットと、該空調ユニットとデバイス製造装置の少なくとも一部を収納するチャンバとを接続するダクトとを有し、
   前記空調ユニットは、前記チャンバが配置される外部環境とは異なる環境に配置されることを特徴とする請求項１に記載の環境制御装置。
4. 前記取込機構は、気体から不純物を除去する不純物除去フィルタを介することなく、前記気体取込口から前記気体を取込むことを特徴とする請求項１に記載の環境制御装置。
5. 前記チャンバは、前記ダクトが接続される開口と、該開口に設けられる第２の不純物除去機構とを有することを特徴とする請求項３に記載の環境制御装置。
6. 前記チャンバは、前記第１の不純物除去機構及び前記第２の不純物除去機構を介して送り込まれた前記気体を外部に排気する排気口を備えることを特徴とする請求項５に記載の環境制御装置。
7. 前記チャンバは、前記デバイス製造装置の少なくとも一部のうち、所定箇所を含む局所的な空間に、前記第１の不純物除去機構及び前記第２の不純物除去機構を介して送り込まれた前記気体を取込み、該取込まれた前記気体を循環させる局所循環系を有することを特徴とする請求項５または６に記載の環境制御装置。
8. デバイス製造装置の少なくとも一部を収納するチャンバと、気体を取込み、該チャンバ内に前記取り込んだ気体を送る取込機構と、前記取込機構を介して送り込まれた前記チャンバ内の前記気体を外部に排気する排気口とを備える環境制御装置であって、
   前記外部に排気される前記チャンバ内の前記気体の量を調整する調整機構を備えることを特徴とする環境制御装置。
9. 前記調整機構は、前記排気口の開口の大きさを調整することを特徴とする請求項８に記載の環境制御装置。
10. 前記排気口は、前記チャンバにおける前記気体の送風口に対して、前記デバイス製造装置の少なくとも一部を挟んだ対向位置に配置されることを特徴とする請求項９に記載の環境制御装置。
11. 前記チャンバ内における前記デバイス製造装置の少なくとも一部が配設される空間と、前記チャンバ内の他の空間とを仕切る仕切部材を有することを特徴とする請求項８に記載の環境制御装置。
12. 前記気体の温度を調整する調整器と、該調整器の下流側に配置され、前記気体に含まれる不純物を除去する不純物除去機構とを有し、
    前記取込機構は、前記調整器と前記不純物除去機構の間に配置されることを特徴とする請求項８に記載の環境制御装置。
13. 前記調整器と前記取込機構とのうち、少なくとも１つを収容する空調ユニットと、該空調ユニットと前記チャンバとを接続するダクトとを有し、
    前記空調ユニットは、前記チャンバが配置される外部環境とは異なる環境に配置されることを特徴とする請求項１２に記載の環境制御装置。
14. 前記チャンバは、前記デバイス製造装置の少なくとも一部のうち、所定箇所を含む局所的な空間に、前記チャンバ内の前記気体を取込み、該取込まれた前記気体を循環させる局所循環系を有することを特徴とする請求項８〜１３のいずれか一項に記載の環境制御装置。
15. 前記局所循環系は、前記取込んだ前記気体の温度を調整する調整器と、該調整器の下流側に配置され、前記チャンバ内の前記気体を取込む取込機構と、該取込機構の下流側に配置され、取込んだ前記気体に含まれる不純物を除去する不純物除去機構とのうち、少なくとも１つを有することを特徴とする請求項１４に記載の環境制御装置。
16. デバイス製造装置の少なくとも一部を収納するチャンバと、気体を取込み、該チャンバ内に前記取込んだ気体を送る取込機構と、前記取込機構を介して送り込まれた前記チャンバ内の前記気体を外部に排気する排気口とを備える環境制御装置であって、
    前記デバイス製造装置の少なくとも一部のうち、所定箇所を含む局所的な空間に、前記チャンバ内の前記気体を取込み、該取込まれた前記気体を循環させる局所循環系を有することを特徴とする環境制御装置。
17. 前記局所循環系は、前記取込んだ前記気体の温度を調整する調整器と、該調整器の下流側に配置され、前記チャンバ内の前記気体を取込む取込機構と、該取込機構の下流側に配置され、取込んだ前記気体に含まれる不純物を除去する不純物除去機構とのうち、少なくとも１つを有することを特徴とする請求項１６に記載の環境制御装置。
18. 前記デバイス製造装置は、マスクに形成されたパターンを感光基板上に転写する露光装置であることを特徴とする請求項３に記載の環境制御装置。
19. 前記デバイス製造装置は、マスクに形成されたパターンを感光基板上に転写する露光装置であることを特徴とする請求項８に記載の環境制御装置。
20. 前記デバイス製造装置は、マスクに形成されたパターンを感光基板上に転写する露光装置であることを特徴とする請求項１６に記載の環境制御装置。
21. 前記デバイス製造装置は、基板上にレジストを塗布し、かつ現像する塗布・現像装置であることを特徴とする請求項３に記載の環境制御装置。
22. 前記デバイス製造装置は、基板上にレジストを塗布し、かつ現像する塗布・現像装置であることを特徴とする請求項８に記載の環境制御装置。
23. 前記デバイス製造装置は、基板上にレジストを塗布し、かつ現像する塗布・現像装置であることを特徴とする請求項１６に記載の環境制御装置。
24. 請求項１〜２３のいずれか一項に記載の環境制御装置を有することを特徴とするデバイス製造装置。
25. 請求項２４記載のデバイス製造装置を用いて、デバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
26. マスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写する露光本体部と、前記露光本体部の少なくとも一部を収容するチャンバとを備える露光装置であって、
    前記チャンバは、前記露光本体部の少なくとも一部を構成する複数の構成要素のうち、第１の構成要素が配置される第１空間と、前記複数の構成要素のうち、第２の構成要素が配置される第２空間とを仕切る仕切部材を備え、
    前記仕切部材は、前記チャンバに設けられる開口を介して、前記第２空間に配置される前記第２の構成要素をメンテナンスする際に、前記第１空間に対する前記チャンバ外の外気の混入を抑制することを特徴とする露光装置。
27. 前記第１空間に配置される前記第１の構成要素は、前記チャンバに設けられる前記開口及び前記仕切部材を介してメンテナンスされることを特徴とする請求項２６に記載の露光装置。
28. 前記第２の構成要素は、前記第１の構成要素に対して、メンテナンス頻度が高いことを特徴とする請求項２６に記載の露光装置。
29. 前記第２の構成要素は、前記露光本体部を温調する温調制御部、または前記露光本体部を電気的に制御する電気制御部の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項２６に記載の露光装置。
30. 前記仕切部材は、前記チャンバ内において、開閉自在に配置されることを特徴とする請求項２６に記載の露光装置。
31. 前記仕切部材は、ケミカルクリーン処理が施されたシート部材からなることを特徴とする請求項２６に記載の露光装置。
32. 前記第１の構成要素は、前記基板を搬送する搬送機構を含むことを特徴とする請求項２６に記載の露光装置。
33. 前記第１空間の環境を制御する環境制御装置を備え、
    前記環境制御装置は、少なくとも前記第２の構成要素のメンテナンス時に、前記第１空間内を前記第２空間に対して陽圧に制御することを特徴とする請求項２６から請求項３２のいずれか一項に記載の露光装置。