JPWO2003091175A1 - 光学部材用合成石英ガラス、投影露光装置および投影露光方法 - Google Patents
光学部材用合成石英ガラス、投影露光装置および投影露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2003091175A1 JPWO2003091175A1 JP2003587749A JP2003587749A JPWO2003091175A1 JP WO2003091175 A1 JPWO2003091175 A1 JP WO2003091175A1 JP 2003587749 A JP2003587749 A JP 2003587749A JP 2003587749 A JP2003587749 A JP 2003587749A JP WO2003091175 A1 JPWO2003091175 A1 JP WO2003091175A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light source
- wavelength
- quartz glass
- synthetic quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 49
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 73
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 2
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000004147 desorption mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005408 paramagnetism Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/20—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide
- C03C2201/21—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide containing molecular hydrogen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
Description
本発明は、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)等を光源とした光学装置の、レンズ、プリズム、エタロン、回折格子、フォトマスク、ペリクル(ペリクル材およびペリクルフレーム)、窓材などの光学部品材料として用いられる光学部材用合成石英ガラス等に関する。
背景技術
従来から光リソグラフィ技術において、ウエハ上に微細な回路パターンを転写して集積回路を製造するための露光装置が広く利用されている。集積回路の高集積化および高機能化に伴い、集積回路の微細化が進み、高解像度の回路パターンを深い焦点深度でウエハ面上に結像させることが露光装置に求められ、露光光源の短波長化が進められている。露光光源は、従来のg線(波長436nm)やi線(波長365nm)から進んで、KrFエキシマレーザ(波長248nm)やArFエキシマレーザ(波長193nm)が用いられている。
波長180〜400nmの光を光源とする露光装置の光学部材には、近赤外域から紫外域までの広範囲にわたって透過性に優れ、熱膨張係数が極めて小さく加工が比較的容易であるなどの理由から、合成石英ガラスが主に用いられてきた。従来用いられてきた合成石英ガラスは、例えば特開平3−88742号公報に開示されたものが知られている。すなわち合成石英ガラス中のOH基含有量が10ppm以上であり、かつ水素を5×1016分子/cm3以上含有することを特徴とするものである。
合成石英ガラスに紫外光を照射すると、三員環構造や四員環構造の歪んだ構造などの欠陥前駆体が開裂し、E’センター(≡Si・)やNBOHC(≡SiO・)などの常磁性欠陥が生じる。これら常磁性欠陥はそれぞれ波長220nmと波長260nmに光吸収帯を有するため、常磁性欠陥の生成は透過率低下の主因である。合成石英ガラス中の水素分子は、E’センターやNBOHCをそれぞれ波長190〜400nmに吸収帯を有しない≡SiHおよび≡SiOHに置換するはたらきを有すると考えられており、前記特開平3−88742号公報はこの水素分子の欠陥修復効果に着目した提案である。
しかしながら≡SiHおよび≡SiOHは紫外光照射により開裂して再びE’センターおよびNBOHCとなるため、紫外光照射中の欠陥生成プロセスは複雑であり、次の4つのプロセスが進行していると考えられる。
合成石英ガラスへの紫外光照射を中断すると、前記式(2)のプロセスのみ進行し、照射中に存在したE’センターやNBOHCは逐次SiHやSiOH構造に変換され、紫外光照射中の透過率低下状態から徐々に回復する。しかし、再度紫外光を照射すると、前記式(3)および(4)の2つのプロセスが直ちに進行し、照射を中断する直前のレベルにまで直ちに透過率が低下する。
ところで、半導体露光機用光学部材などの実際の応用においては、図2に示すように、アライメント、ウエハ交換やジョブチェンジなどのために、紫外光照射は通常断続的に実施される(この照射方法を「バーストモード」という)。
このような場合の透過率変動は、露光量の制御精度を低下させ、パターン寸法精度の悪化につながるため、断続的に紫外光を照射した場合の透過率変動は極力少ない方が好ましい。
特に半導体露光機の露光量は、投影レンズと光源の間に設置された照度計により通常制御される。投影レンズ自体の透過率変動は露光量の制御精度を著しく劣化させるため、透過率変動の少ない硝子材を用いることが特に望まれる。前記特開平3−88742号公報は、水素分子を単純にある一定濃度以上含有させることにより、紫外光を連続照射した場合の透過率低下を抑えることを意図した提案であり、実使用条件に近い照射条件、すなわちバーストモードにて照射した場合の透過率変動については考慮されておらず、同提案による合成石英ガラスは、バーストモードにて紫外光を照射した場合の透過率変動量に問題がある場合があった。
本発明は、紫外光照射による透過率低下が少なくかつ断続的に紫外光を照射した場合の透過率変動量が少ない合成石英ガラスの提供を目的とする。
発明の開示
本発明者らは、紫外光を断続的に照射した場合の合成石英ガラスの透過率変化を低減することを目的として、紫外光照射中の透過率低下挙動、紫外光照射後の透過率回復挙動、さらに紫外光を再照射した場合の透過率変化挙動についてそれぞれ詳細な検討を行った。その結果、紫外光を断続的に照射した場合の合成石英ガラスの透過率変動を抑えるためには、単純に合成石英ガラス中に水素分子を一定濃度以上含有させるだけでは不充分であり、適切な濃度範囲の水素分子を合成石英ガラス中に含有させる必要があるとの結論に至った。
すなわち、合成石英ガラスに紫外光を照射した場合、常磁性欠陥の生成により透過率は低下するが、照射により安定状態となった際の透過率低下量は、常磁性欠陥を修復する水素分子の濃度が高いほど小さくなる傾向にある。特にエネルギーの強い紫外光を照射した場合にはこの傾向は顕著になる。
しかしながら、実際の応用分野においては紫外光のエネルギーは比較的低く、たとえばArFエキシマレーザ用光学部材の場合はパルスエネルギー密度2mJ/cm2/pulse以下、KrFエキシマレーザ用光学部材の場合はパルスエネルギー密度30mJ/cm2/pulse以下である。
このような低いエネルギー密度の紫外光を照射した場合、紫外光照射により生成する常磁性欠陥の濃度が少ないため、1×1016分子/cm3以上の水素分子を含有すれば、生成した常磁性欠陥は式(2)の反応により修復され、安定状態における透過率低下は低いレベルに抑えることが可能であり、さらに同範囲では透過率低下量は水素分子濃度にさほど依存しないことを本発明者らは知見した。
一方、紫外光照射を中断した場合の透過率低下の回復速度は水素分子濃度に依存し、水素分子濃度が少ないほど回復速度は遅くなる。具体的には、合成石英ガラス中の水素分子濃度を5×1016分子/cm3未満、さらに好ましくは4.5×1016分子/cm3以下とすれば、紫外光照射後の透過率低下の回復速度を充分に遅くすることができる。紫外光照射を中断した後に再度照射を実施すると、透過率低下量は紫外光照射中断前のレベルにまで直ちに戻るが、その速度は紫外線のエネルギー密度のみに依存し、材料には依存しない。
従って紫外光を断続的に照射した場合の透過率変動量を少なくするためには、紫外光照射中の透過率低下量を少なく、かつ紫外光照射後の回復速度を遅くする必要がある。具体的には、合成石英ガラス中の水素分子濃度を1×1016〜5×1016分子/cm3未満とすれば、紫外光を断続的に照射した場合の透過率変動量が少ない光学部材を得ることができることを見出した。
すなわち本発明は、ArFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度2mJ/cm2/pulse以下にて使用されるか、あるいはKrFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度30mJ/cm2/pulse以下にて使用される光学部材用合成石英ガラスにおいて、水素分子濃度が1×1016分子/cm3以上5×1016分子/cm3未満の範囲内、好ましくは1×1016分子/cm3以上4.5×1016分子/cm3以下の範囲内にあることを特徴とする光学部材用合成石英ガラスを提供する。
また、ArFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度2mJ/cm2/pulse以下にて使用される光学部材用合成石英ガラスにおいて、水素分子濃度が1×1016分子/cm3以上〜5×1016分子/cm3未満の範囲内にあり、前記ArFエキシマレーザ光を照射して波長193nm内部透過率を安定状態にした場合の波長193nm内部透過率低下量をΔT193ST(%/cm)とし、その後前記ArFエキシマレーザ光の照射を50秒間停止して波長193nm内部透過率を回復した場合の波長193nm内部透過率低下量をΔT193RC(%/cm)としたとき、以下の関係を満足することを特徴とする光学部材用合成石英ガラスを提供する。
ΔT193ST<0.2
(ΔT193ST−ΔT193RC/ΔT193ST<0.1
さらに、KrFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度30mJ/cm2/pulse以下にて使用される光学部材用合成石英ガラスにおいて、水素分子濃度が1×1016分子/cm3以上5×1016分子/cm3未満の範囲内にあり、前記KrFエキシマレーザ光を照射して波長248nm内部透過率を安定状態にした場合の波長248nm内部透過率低下量をΔT248ST(%/cm)とし、その後前記KrFエキシマレーザ光の照射を50秒間停止して波長248nm内部透過率を回復した場合の波長248nm内部透過率低下量をΔT248RC(%/cm)としたとき、以下の関係を満足することを特徴とする光学部材用合成石英ガラスを提供する。
ΔT248ST<0.2
(ΔT248ST−ΔT248RC)/ΔT248ST<0.1
発明を実施するための態様
本発明の合成石英ガラスは、ArFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度2mJ/cm2/pulse以下にて使用されるか、KrFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度30mJ/cm2/pulse以下にて使用されることが好ましい。
また、水素分子濃度が1×1016分子/cm3以上5×1016分子/cm3未満の範囲内、好ましくは、1×1016分子/cm3以上4.5×1016分子/cm3以下の範囲内にある。これにより、紫外光照射による透過率低下を抑えることができると同時に紫外光を断続的に照射した場合の透過率変動量を抑えることができる。
特に、エネルギー密度2mJ/cm2/pulse以下のArFエキシマレーザ光を照射して波長193nm内部透過率を安定状態にした場合の波長193nm内部透過率低下量をΔT193ST(%/cm)とし、その後前記ArFエキシマレーザ光の照射を50秒間停止して波長193nm内部透過率を回復した場合の波長193nm内部透過率低下量をΔT193RC(%/cm)としたとき、以下の関係を満足する。
ΔT193ST<0.2
(ΔT193ST−ΔT193RC)/ΔT193ST<0.1
また、エネルギー密度30mJ/cm2/pulse以下のKrFエキシマレーザ光を照射して波長248nm内部透過率を安定状態にした場合の波長248nm内部透過率低下量をΔT248ST(%/cm)とし、その後前記KrFエキシマレーザ光の照射を50秒間停止して波長248nm内部透過率を回復した場合の波長248nm内部透過率低下量をΔT248RC(%/cm)としたとき、以下の関係を満足する。
ΔT248ST<0.2
(ΔT248ST−ΔT248RC)/ΔT248ST<0.1
以上の条件を満足することにより、安定した投影露光を行う投影露光装置に適した光学部材用の合成石英ガラスが得られる。
本発明において、合成石英ガラス中の酸素欠乏型欠陥(≡Si−Si≡、(≡はSi−O結合を示す。以下同様))、酸素過剰型欠陥(≡Si−O−O−Si≡)、≡SiH結合、溶存酸素分子などは光透過性および耐光性に悪影響を及ぼすため、実質的に含有しない方が好ましい。
本発明において、合成石英ガラス中のアルカリ金属(Na,K,Liなど)、アルカリ土類金属(Mg,Caなど)、遷移金属(Fe,Ni,Cr,Cu,Mo,W,Al,Ti,Ceなど)などの金属不純物は、紫外域から真空紫外域における初期光透過率を低下させるだけでなく、耐光性を悪化させる原因ともなるため、その含有量は極力少ない方が好ましい。具体的には金属不純物の合計含有量が100ppb以下、特に50ppb以下が好ましい。
本発明において、合成石英ガラス中のOH基は、紫外線照射時の赤色蛍光発光やNBOHC生成の原因となりうるため、その濃度は100ppm以下が好ましい。
本発明において、合成石英ガラス中の塩素は、真空紫外域における光透過性および耐光性を悪化させるため、その含有量が少ない方が好ましい。具体的には合成石英ガラス中の塩素含有量は100ppm以下、特には10ppm以下、さらには実質的に含有しないことが好ましい。
本発明において、合成石英ガラス中のひずんだ構造は、紫外光照射により生成するE’センターやNBOHCなどの欠陥前駆体であるため、その濃度は少ない方が好ましい。具体的には、レーザラマンスペクトルにおける440cm−1の散乱ピーク強度I440に対する495cm−1の散乱ピーク強度I495、および606cm−1の散乱ピーク強度I606の比I495/I440およびI606/I440がそれぞれ0.585以下、0.136以下であることが好ましい。
本発明において、合成石英ガラスを製造する方法としては、直接法、スート法(VAD法、OVD法等を含む)、プラズマ法などを挙げることができる。製造時の温度が低く、金属などの不純物の混入を避けることができる観点で、スート法が特に好ましい。
本発明の合成石英ガラスを光学部材として用いた投影露光装置は、安定した投影露光に非常に適したものであるが、レーザの非照射時間が非常に長くなると、非照射時間中に回復した透過率が、再び安定状態まで低下するのに時間がかかる場合がある。
そこで、本発明はまた、波長180〜400nmの光を光源とする投影光学系を用いてマスクのパターン像を基板上に投影露光する場合に、光源光の照射を30分以上中断した後に再度光源光を照射し、露光する場合において、露光前に30秒間以上光源光を連続でダミー照射する動作を実施することを特徴とする投影露光方法を提供する。このようにすると、ダミー照射時間に非照射時間中に回復した透過率が、再び安定状態まで低下するので、透過率変動の少ない投影露光ができる。この場合も、本発明の合成石英ガラスを投影露光装置の光学部品に使用することが非常に好ましい。
以下、本発明の実施例および比較例によって、本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
(例1〜7)
SiCl4を原料に用いたVAD法により合成石英ガラス(直径200mm×厚み30mm)を作製し、表1に示す条件にて水素ドープ処理を実施し、水素分子濃度の異なるサンプルを準備した。最後に直径200mmの面のほぼ中央より30mm角×厚み20mmを切り出し、30mm角の対向2面/試料、および30mm×20mmの対向2面/試料を鏡面研磨して、評価用試料を準備した。例4、5が実施例、その他は比較例である。
(水素濃度評価)
昇温脱離質量分析計(電子科学社製)を用いて、サイズ:10mm角×1mm厚の試料を室温から1500℃まで約60分間で昇温し、この際に試料から放出される水素ガスのイオン強度を測定し、試料中の水素分子濃度を評価した。同方法による検出限界は5×1015分子/cm3である。ここで同法では合成石英ガラス中の水素分子濃度を直接求めることができないため、あらかじめラマン分光測定を行い水素分子濃度が既知の試料について、昇温脱離質量分析を行い、ラマン分光測定による水素分子濃度と昇温脱離湿力分析によるガスイオン強度との相関関係をあらかじめ求め、同関係を使用した。
なおラマン分光測定における水素分子濃度の評価方法は以下の通りである。レーザラマンスペクトルの4135cm−1の散乱ピークにより検出した強度I4160と珪素と酸素との間の基本振動である800cm−1の散乱ピークの強度I800との強度比(=I4160/I800)より、水素分子含有量[分子/cm3]を求めた(V.S.Khotimchenko,et.al.,Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii,Vol.46,No.6,PP.987〜997,1986)。なお本法による検出限界は3×1016分子/cm3である。
(耐光性評価)
ArFエキシマレーザ光を試料の30mm角の面のほぼ中央部に、同面に対して垂直な方向に照射し、耐光性を評価した。エネルギー密度=1mJ/cm2/pulse、周波数2000Hzの照射条件にて5×109パルス連続で照射して内部透過率の低下が安定した状態とし、その後断続的に照射、すなわち「200秒間照射→50秒間照射中断→再度200秒間照射する」というサイクルを繰り返し行い、この間の透過率変動を評価した。照射部のサイズは3mm(水平)×10mm(垂直)である。
波長193nmにおける透過率変動量ΔT193(%/cm)の評価は、図3に示される装置により行い、カラーセンターの中心波長である波長220nm透過率を測定することにより実施した。
Δk220=1n(初期透過率/測定中の透過率)
ΔT193=(1−exp(−Δk220×0.6))×100
図3において、ArFエキシマレーザ装置1(ラムダフィジーク社製)から照射されたレーザ光はアパーチャー3を介してビームスプリッタ4で光線分割され、一方の光線は試料7に入射し、その透過光がパワーメータ5(コヒーレント社製)で強度測定される。ビームスプリッタ4で光線分割され他方の光線は直接パワーメータ2(コヒーレント社製)で強度測定され、上記2つのパワーメータでArFエキシマレーザ光の強度が制御される。一方、D2ランプ光源6からの光を試料7に入射し、試料7から出射した光を分光光度計8(大塚電子社製)で強度測定することにより、波長220nmの透過率を測定する。
ここで吸収スペクトルの解析によると、波長193nmにおける吸収係数の変化量は波長220nmにおける吸収係数の変化量の60%程度であるので、波長220nmにおける吸収係数の変化量に0.6を乗じることにより求められる。
評価結果を表2に示す。ここでΔT1は透過率低下量の最大値(照射中の最大透過率低下量)を、ΔT2は透過率低下量の最小値(照射中断中の最小透過率低下量)を示し、透過率低下量の変動量をΔT1−ΔT2とした。なお、図1は、例2と例4の透過率低下量の変動を示すグラフである。
産業上の利用可能性
表2から明らかなように、本発明の合成石英ガラスは、投影露光装置の光学部材、特に投影系の光学部材として、適しており、透過率変動の少ない安定した投影露光ができるものである。
【図面の簡単な説明】
図1:本発明と比較例との合成石英ガラスの透過率低下量の変動を示すグラフ。
図2:半導体露光機のレーザ照射の典型的パターンを示す概念図。
図3:透過率測定装置の概念図。
符号の説明
1:ArFエキシマレーザ装置 2:パワーメータ
3:アパーチャー 4:ビームスプリッタ
5:パワーメータ 6:D2ランプ光源
7:試料 8:分光光度計
Claims (7)
- ArFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度2mJ/cm2/pulse以下にて使用されるか、あるいはKrFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度30mJ/cm2/pulse以下にて使用される光学部材用合成石英ガラスにおいて、水素分子濃度が1×1016分子/cm3以上5×1016分子/cm3未満の範囲内にあることを特徴とする光学部材用合成石英ガラス。
- ArFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度2mJ/cm2/pulse以下にて使用されるか、あるいはKrFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度30mJ/cm2/pulse以下にて使用される光学部材用合成石英ガラスにおいて、水素分子濃度が1×1016分子/cm3以上4.5×1016分子/cm3以下の範囲内にあることを特徴とする光学部材用合成石英ガラス。
- ArFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度2mJ/cm2/pulse以下にて使用される光学部材用合成石英ガラスにおいて、水素分子濃度が1×1016分子/cm3以上5×1016分子/cm3未満の範囲内にあり、前記ArFエキシマレーザ光を照射して波長193nm内部透過率を安定状態にした場合の波長193nm内部透過率低下量をΔT193ST(%/cm)とし、その後前記ArFエキシマレーザ光の照射を50秒間停止して波長193nm内部透過率を回復した場合の波長193nm内部透過率低下量をΔT193RC(%/cm)としたとき、以下の関係を満足することを特徴とする光学部材用合成石英ガラス。
ΔT193ST<0.2
(ΔT193ST−ΔT193RC)/ΔT193ST<0.1 - KrFエキシマレーザ光を光源とする光学装置内でエネルギー密度30mJ/cm2/pulse以下にて使用される光学部材用合成石英ガラスにおいて、水素分子濃度が1×1016分子/cm3以上5×1016分子/cm3未満の範囲内にあり、前記KrFエキシマレーザ光を照射して波長248nm内部透過率を安定状態にした場合の波長248nm内部透過率低下量をΔT248ST(%/cm)とし、その後前記KrFエキシマレーザ光の照射を50秒間停止して波長248nm内部透過率を回復した場合の波長248nm内部透過率低下量をΔT248RC(%/cm)としたとき、以下の関係を満足することを特徴とする光学部材用合成石英ガラス。
ΔT248ST<0.2
(ΔT248ST−ΔT248RC)/ΔT248ST<0.1 - 波長180〜400nmの光を光源とする投影光学系を用いてマスクのパターン像を基板上に投影露光する装置であって、請求項1〜4のいずれかに記載の合成石英ガラスからなる光学部材を、前記マスクのパターン像を基板上に形成する投影光学系に使用したことを特徴とする投影露光装置。
- 波長180〜400nmの光を光源とする投影光学系を用いてマスクのパターン像を基板上に投影露光する方法であって、光源光の照射を30分以上中断した後に再度光源光を照射し、露光する場合において、露光前に30秒間以上光源光を連続でダミー照射する動作を実施することを特徴とする投影露光方法。
- 波長180〜400nmの光を光源とする投影光学系を用いてマスクのパターン像を基板上に投影露光する方法であって、請求項1〜4のいずれかに記載の合成石英ガラスからなる光学部材を、前記マスクのパターン像を基板上に形成する投影光学系に使用するとともに、光源光の照射を30分以上中断した後に再度光源光を照射し、露光する場合において、露光前に30秒間以上光源光を連続でダミー照射する動作を実施することを特徴とする投影露光方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002120805 | 2002-04-23 | ||
JP2002120805 | 2002-04-23 | ||
PCT/JP2003/005193 WO2003091175A1 (fr) | 2002-04-23 | 2003-04-23 | Verre de quartz synthetique pour element optique, dispositif de projection et procede de projection |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2003091175A1 true JPWO2003091175A1 (ja) | 2005-09-02 |
Family
ID=29267384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003587749A Pending JPWO2003091175A1 (ja) | 2002-04-23 | 2003-04-23 | 光学部材用合成石英ガラス、投影露光装置および投影露光方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7368403B2 (ja) |
EP (1) | EP1498394B1 (ja) |
JP (1) | JPWO2003091175A1 (ja) |
KR (1) | KR100952093B1 (ja) |
CN (1) | CN100389085C (ja) |
AT (1) | ATE445579T1 (ja) |
AU (1) | AU2003235105A1 (ja) |
DE (1) | DE60329671D1 (ja) |
WO (1) | WO2003091175A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2003235105A1 (en) | 2002-04-23 | 2003-11-10 | Asahi Glass Company, Limited | Synthetic quartz glass for optical member, projection exposure device, and projection exposure method |
JP4470479B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2010-06-02 | 旭硝子株式会社 | 光学部材用合成石英ガラスおよびその製造方法 |
US6992753B2 (en) * | 2003-12-24 | 2006-01-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection optical system |
WO2005105685A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Asahi Glass Company, Limited | Optical member made of synthetic quartz glass, and process for its production |
US20100149500A1 (en) * | 2005-06-21 | 2010-06-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection lens for microlithography and corresponding terminal element |
EP1979279A1 (en) * | 2006-01-30 | 2008-10-15 | Asahi Glass Co., Ltd. | Synthetic quartz glass with fast axes of birefringence distributed in concentric-circle tangent directions and process for producing the same |
JP4316589B2 (ja) | 2006-06-16 | 2009-08-19 | 東京電波株式会社 | 人工水晶部材およびその製造方法、ならびにそれを用いた光学素子 |
WO2012009108A2 (en) * | 2010-06-28 | 2012-01-19 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Controllable transmission and phase compensation of transparent material |
JP2012145869A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光方法及びその装置 |
JP6039207B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2016-12-07 | Hoya株式会社 | Euvリソグラフィー用多層反射膜付き基板の製造方法及びeuvリソグラフィー用反射型マスクブランクの製造方法、euvリソグラフィー用反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
KR101831383B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2018-02-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검사 방법 및 장치, 검사 방법 및 장치에서 사용되는 기판, 및 디바이스 제조 방법 |
JP7001066B2 (ja) * | 2017-01-16 | 2022-01-19 | Agc株式会社 | 石英ガラスおよびそれを用いた紫外線発光素子用部材 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06199539A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | エキシマレーザー用光学石英ガラス部材及びその製造方法 |
JPH0952723A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-02-25 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 光学用合成石英ガラス材及びその製造方法 |
JPH09235134A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-09-09 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 遠紫外線用高純度合成シリカガラス及びその製造方法 |
WO1998048452A1 (fr) * | 1997-04-18 | 1998-10-29 | Nikon Corporation | Procede et dispositif de commande de l'exposition, procede et dispositif d'exposition, et procede de fabrication dudit dispositif |
WO2002085808A1 (fr) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Nikon Corporation | Element en verre de silice et aligneur de projection |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3451604B2 (ja) * | 1994-06-17 | 2003-09-29 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
JP3716574B2 (ja) * | 1997-10-07 | 2005-11-16 | 株式会社ニコン | エキシマレーザ照射に対する光学部材の耐久性予測方法及び石英ガラス光学部材の選択方法 |
US6499317B1 (en) * | 1998-10-28 | 2002-12-31 | Asahi Glass Company, Limited | Synthetic quartz glass and method for production thereof |
JP3654500B2 (ja) * | 1998-12-26 | 2005-06-02 | 信越石英株式会社 | F2エキシマレーザー光学部材用石英ガラス材料及び光学部材 |
KR100667636B1 (ko) * | 1999-06-10 | 2007-01-12 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 합성석영유리와 그의 제조방법 |
JP2001110710A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP3069562B1 (ja) * | 1999-10-19 | 2000-07-24 | 信越石英株式会社 | エキシマレ―ザ及びエキシマランプ用のシリカガラス光学材料及びその製造方法 |
JP3228732B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2001-11-12 | 信越石英株式会社 | 真空紫外線リソグラフィーに用いられる投影レンズ用シリカガラス光学材料の製造方法 |
JP2001270731A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-02 | Nikon Corp | 合成石英ガラス部材及びこれを用いた光リソグラフィー装置 |
JP4763877B2 (ja) * | 2000-05-29 | 2011-08-31 | 信越石英株式会社 | F2エキシマレーザー用合成石英ガラス光学材料及び光学部材 |
JP2004519704A (ja) * | 2000-09-08 | 2004-07-02 | コーニング インコーポレイテッド | 真空紫外線を透過する直接堆積ガラス固化オキシフッ化珪素リソグラフィガラスフォトマスクブランク |
DE10159962A1 (de) * | 2001-12-06 | 2003-07-03 | Heraeus Quarzglas | Quarzglasrohling für ein optisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung und Verwendung desselben |
AU2003235105A1 (en) | 2002-04-23 | 2003-11-10 | Asahi Glass Company, Limited | Synthetic quartz glass for optical member, projection exposure device, and projection exposure method |
JP4470479B2 (ja) | 2003-12-17 | 2010-06-02 | 旭硝子株式会社 | 光学部材用合成石英ガラスおよびその製造方法 |
-
2003
- 2003-04-23 AU AU2003235105A patent/AU2003235105A1/en not_active Abandoned
- 2003-04-23 EP EP03719187A patent/EP1498394B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-23 AT AT03719187T patent/ATE445579T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-04-23 WO PCT/JP2003/005193 patent/WO2003091175A1/ja active Application Filing
- 2003-04-23 DE DE60329671T patent/DE60329671D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-23 JP JP2003587749A patent/JPWO2003091175A1/ja active Pending
- 2003-04-23 KR KR1020047015058A patent/KR100952093B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-04-23 CN CNB038087324A patent/CN100389085C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-10-22 US US10/969,954 patent/US7368403B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06199539A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | エキシマレーザー用光学石英ガラス部材及びその製造方法 |
JPH0952723A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-02-25 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 光学用合成石英ガラス材及びその製造方法 |
JPH09235134A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-09-09 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 遠紫外線用高純度合成シリカガラス及びその製造方法 |
WO1998048452A1 (fr) * | 1997-04-18 | 1998-10-29 | Nikon Corporation | Procede et dispositif de commande de l'exposition, procede et dispositif d'exposition, et procede de fabrication dudit dispositif |
WO2002085808A1 (fr) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Nikon Corporation | Element en verre de silice et aligneur de projection |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1498394B1 (en) | 2009-10-14 |
KR100952093B1 (ko) | 2010-04-13 |
CN1646440A (zh) | 2005-07-27 |
KR20040104541A (ko) | 2004-12-10 |
EP1498394A1 (en) | 2005-01-19 |
AU2003235105A1 (en) | 2003-11-10 |
US7368403B2 (en) | 2008-05-06 |
WO2003091175A1 (fr) | 2003-11-06 |
US20050068644A1 (en) | 2005-03-31 |
ATE445579T1 (de) | 2009-10-15 |
EP1498394A4 (en) | 2006-06-07 |
DE60329671D1 (de) | 2009-11-26 |
CN100389085C (zh) | 2008-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100298167B1 (ko) | 진공자외선파장대광선용실리카유리의제조방법,및그에의해제조된실리카유리및광학부재 | |
US7514382B2 (en) | Synthetic quartz glass for optical member and its production method | |
JP4529340B2 (ja) | 合成石英ガラスとその製造方法 | |
JP3893816B2 (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
KR20010039472A (ko) | 엑시머레이저 및 엑시머램프용의 실리카유리광학재료 및그 제조방법 | |
JPWO2003091175A1 (ja) | 光学部材用合成石英ガラス、投影露光装置および投影露光方法 | |
JP3125630B2 (ja) | 真空紫外用石英ガラスの製造方法および石英ガラス光学部材 | |
JP2005298330A (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
JP4946960B2 (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
JP3531870B2 (ja) | 合成石英ガラス | |
JP4051805B2 (ja) | 露光装置およびフォトマスク | |
JP4228493B2 (ja) | 合成石英ガラス | |
JP4085490B2 (ja) | 光学部材用合成石英ガラスとその製造方法 | |
JP4772172B2 (ja) | 合成石英ガラスの評価方法 | |
JP2566151B2 (ja) | レーザー光学系母材の製造方法 | |
JP2001302275A (ja) | 合成石英ガラス製光学部材 | |
JP4674972B2 (ja) | 合成石英ガラス及びその製造方法 | |
JP2003201126A (ja) | 光学部材用合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
JP2003201125A (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
JP4166456B2 (ja) | 真空紫外光用合成石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた真空紫外光用マスク基板 | |
JP4093393B2 (ja) | 真空紫外光用高均質合成石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた真空紫外光用マスク基板 | |
JPH0825773B2 (ja) | レーザー光学系の製造素体 | |
JP2652847B2 (ja) | レーザ光用光学系部材及びリソグラフィ装置用光学系部材 | |
JPH06234545A (ja) | 光透過用合成石英ガラス | |
JP2003321230A (ja) | 光学部材用合成石英ガラス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090406 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100317 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100720 |