JPS6381434A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は正帯電能を有し、長期間に亘って安定した電子
写真特性を維持すると共に耐久性に優れた電子写真感光
体の製造方法に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、超高速複写機やレーザービームプリンタなどの開
発が活発に進められており、これに伴ってこの機器に搭
載される電子写真感光体ドラムに安定した動作特性及び
耐久性が要求されている。

この要求に対して水素化アモルファスシリコンが耐摩耗
性、耐熱性、無公害性並びに光感度特性等に優れている
という理由から注目されている。

かかるアモルファスシリコン（以下、ａ４１と略す）か
ら成る電子写真感光体には第３図に示す通りの積層型感
光体が提案されている。

即ち、第３図によれば、アルミニウムなどの導電性基板
（１）上にａ−５ｔキャリア注入阻止層（２）、ａ−５
ｉ光導電Ｎ（３）及び表面保護層（４）を順次積層して
おり、このキャリア注入阻止層（２）は基板（１）から
のキャリアの注入を層すると共に残留電位を低下させる
ために形成されており、そして、表面保護層（４）には
高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高めている。

ところが、このａ−５ｉ悪感光によれば、ａ−Ｓｉｙｔ
、ｉ電層（３）自体が有する暗抵抗率が１０１１Ω・ｃ
ｎ＋以下であり、これにより、この感光体の暗減衰率が
大きくなると共にその自体の帯電能を高めることが難し
くなり、その結果、この感光体を高速複写用に用いた場
合には光メモリ効果により先の画像が完全に除去されず
に残留し、次の画像形成に伴って先の画像が現れる（ゴ
ースト現象）という問題がある。

この問題を解決するために第１図に示すような機能分離
型感光体が提案されている。

即ち、第１図および第２図によれば、基本的構成として
は導電性基板（１）上にキャリア輸送層（５）およびキ
ャリア発生Ｊｉ（３ａ）を順次積層したもので、所望に
より導電性基板（１）とキャリア輸送層（５）との間に
キャリア注入阻止層（２ａ）を、あるいはキャリア発生
１（３ａ）上に表面保護層（４）を設けたものである。

キャリア輸送層（５）は暗抵抗及びキャリア移動度のそ
れぞれが大きい材料で形成し、これによって表面電位及
び光感度に優れ且つ残留電位が小さい高性能な感光体が
得られる。

このキャリア輸送層（５）については高抵抗且つ広いバ
ンドギャップ並びに半導体特性を具備した水素化アモル
ファスシリコンカーバイドを用いることが特開昭５ｓ−
ｘ９ｚｏ４６号公報などに提案されている。

一方、電子写真法において感光体を負極性に帯電して使
用する場合、コロナ放電により発生するオゾンによって
感光体表面が劣化し、電子写真特性が低下し、長期間に
亘り、安定した画像を供給することができない等の不都
合が生じることから感光体の帯電極性として、正極性に
帯電可能なものが望まれている。

そこで、前述した先行技術では正極性あるいは負極性の
帯電能については十分に研究されておらず、正帯電能で
の電子写真特性上はとんど実用化することはできないも
のであり、しかも成膜速度が遅く実用的でない。

〔発明の目的〕

従って、本発明の目的は優れた正帯電能と電子写真特性
、即ち、優れた暗減衰、光減衰特性を有し耐久性のある
電子写真感光体の製造方法を提供するにある。

本発明の他の目的は成膜速度を向上させることにより、
量産性に優れた安価な電子写真感光体の製造方法を提供
することにある。

本発明のさらに他の目的は近赤外領域の波長に対する分
光感度のあるレーザープリンタ用として適した電子写真
感光体の製造方法を提供するにある。

〔問題点を解決するための手段〕

即ち、本発明によれば、少なくともＣ，Ｈ２ガス、Ｓｉ
含有ガス及び１０−６乃至１モルχの周期律表第■ａ族
元素含有ガスを含む反応ガスをグロー放電分解して導電
性基板上に周期律表ｐ　ｍ　ａ族元素を含有するアモル
ファスシリコンカーバイドから成るキャリア輸送層を形
成した後、キャリア発生層を順次設けたことを特徴とす
る正極性に帯電可能な電子写真感光体の製造方法が提供
される。

さらに、本発明によれば、少なくともＣ，ＩＩ２ガス、
Ｓｉ含有ガス及び１０−ｂ乃至１モルχの周期律表第■
ａ族元素含有ガスを含む反応ガスをグロー放電分解して
導電性基板上に周期律表第１［Ｉａ族元素を含有するア
モルファスシリコンカーバイドから成るキャリ、７輸送
層を形成した後、さらに少なくともＣ！　＋１　、ガス
、Ｓｉ含有ガスから成る反応ガスをグロー放電分解して
、前記キャリア輸送層上にアモルファスシリコンカーバ
イドから成るキャリア発生層を順次設けたことを特徴と
する正極性に帯電可能な電子写真感光体の製造方法が提
供される。

さらに本発明によれば、少なくともＣ２Ｈ２ガス、Ｓｉ
含有ガス及び１０−’乃至１モルχの周期律表第■ａ族
元素含有ガスを含む反応ガスをグロー放電分解して導電
性基板上に周期律表第ＩＩＩａ族元素を含有するアモル
ファスシリコンカーバイドから成るキャリア輸送層を形
成した後、さらに少なくともＣ２Ｈ２ガス、Ｓｉ含有ガ
ス及び１モル％以下の周期律表第ＩＩＩａ族元素含をガ
スを含む反応ガスをグロー放電分解して前記キャリア輸
送層上に周期律表第■ａ族元素を含有するアモルファス
シリコンカーバイドから成るキャリア発生層を設けてな
り、前記キャリア発生層形成時のアモルファスシリコン
カーバイド生成用ガスにおける周期律表第■族元素含有
ガスの占める割合が前記キャリア輸送層形成時に比べて
少ないことを特徴とする正極性に帯電可能な電子写真感
光体の製造方法が提供される。

以下、本発明を詳述する。

本発明によって製造される電子写真感光体は第１図及び
第２図に示す構造を基本とする機能分離型積層感光体で
ある。

本発明によれば、上記構造のうち、キャリア輸送層をア
モルファスシリコンカーバイド（以下、ａ−ＳｉＣと略
す）を主要構成元素とし、ＳｉとＣのダングリングボン
ドを終端させるために、例えばｔ（やＦ、ＣＩ＋Ｂｒ、
Ｉ等のハロゲン元素をドーピングし、更に周期律表第■
ａ族元素を所定の範囲内で含有させることによって感光
体としての優れた正帯電能を付与することができる。即
ち、周期律表第■ａ族元素の添加によって、キャリア輸
送層はｐ型半導体となる。

これを第１図の構成の感光体を例にとってその電子写真
特性を第４図（ａ）および（ｂ）をもとに説明すると、
コロナ放電等の帯電手段により正帯電を施す（第４図（
ａ）参照）。次に露光を行うと、キャリア発生層（５）
に電子と正孔が発生し、電子は感光体表面の正電荷と中
和し、正孔は輸送層を移行して基板側に注入接地され、
露光部の全体としての電荷は零となる。（第４図（ｂ）
参照）。

本発明における電子写真感光体のキャリア輸送層は前述
した通り、基本的にａ−５ｉＣから成るものであるが、
具体的には下記式（１） ％式％（１） で表わされ、式中０．０１≦Ｘ≦０．９特に０．０５≦
Ｘ≦０．５に設定することによって暗抵抗１０１１ＣＩ
Ｉ＋以上とすることができる。

また、添加する周期律表第■ａ族元素としてはＢ、＾ｌ
、Ｇａ、Ｉｍが挙げられ特にホウ素が望ましい。これら
はキャリア輸送層中にｏ、ｉ乃至１０．０００ｐｐｍ、
特に０．５乃至１１０００ｐｐの量で含有させ、含有量
が０、ｌｐｐｍ未満では、周期律表第１１１１ａ族元素
添加効果がなく、感光体は負帯電型となる。

なお、キャリア輸送層のａ−５ｉＣのダングリングボン
ドを終端させるためのＩＩやハロゲン元素の含有量は全
組成中５乃至４０原子χ、好適にはｌＯ乃至３０原子χ
の範囲内が好ましい。

更にこのキャリア輸送層の厚みは１乃至１００　μｍ、
好適には５乃至５０μｍの範囲内に設定するのがよく、
１μ−未満であれば電荷保持能力に劣ってゴースト現象
が顕著になり、１００μ丘を越えると画像の分解能が劣
化すると共に残留電位が大きくなる傾向にある。

本発明における感光体のキャリア輸送層以外の層はそれ
自体周知の光導電性材料を用いることができ、キャリア
発生層としては、ポリビニルカルバソール系、フタロシ
アニン系、ペリレン系、アゾ系、多環キノン系等の有機
半導体やＳｅ＋　５ｅ−Ｔｅ＋　５ｅ−Ａｓ、ＣｄＳ、
ＺｎＳ、ａ−Ｓｉ：Ｈ，ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ，ａ−５ｉＣ
等の無機半導体を用いることができる。

また、キャリア注入阻止Ｊｉｆｆ（２ａ）はキャリア輸
送Ｎ（５）へのキャリア注入を阻止するために設けられ
ており、例えばポリイミド樹脂などの有機材料、５ｉＯ
１＋ＳｉＯ＋Ａ１□０＋＋ＳｉＣ＋ＳｉＪ＜＋非晶質カ
ーボンの他、ａ−５ｔまたはａ−５ｉＣに水素、フッ素
、酸素あるいは窒素等をドープして抵抗値を制御した無
機材を用いて形成される。Ｓｔ系又はＳｉＣ系を用いた
場合にはホウ素等の周期律表第■ａ族元素やＰ等の第■
′ａ族元素を５０乃至５０００ｐｐｍの範囲内で添加し
てキャリアの注入阻止を一段と高めることができる。

なお、本発明の電子写真感光体については前述した組成
のキャリア輸送層が十分に大きな暗抵抗を得ることがで
きるので、このキャリア注入阻止層を必ず形成しなくて
はならぬというものではなく、本発明者等が繰り返し行
った実験によれば、キャリア輸送層の暗抵抗率が１０′
３Ω・Ｃｌ１１以上であればキャリア注入阻止層を形成
しなくても電子写真感光体とじて−９分実用に供するこ
とができることを確認した。

また、表面保護層にはそれ自体高絶縁性、高耐食性及び
高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用いるこ
とができ、例えば前記のキャリア注入阻止層に用いたの
と同様な無機材料や有機材料を用いることができ、これ
により、感光体の耐久性及び耐環境性を高めることがで
きる。

なお、キャリア輸送層以外の各層の層厚はキャリア注入
阻止層が０．１乃至１０μｍ、キャリア発生層を０．１
乃至１０μｍ１表面絶縁層を０．１乃至１０μ鋼に設定
するのが望ましい。

上述した構成により本発明における機能分離型電子写真
感光体はその表面をコロナ放電によって有利に正極化す
ることができ、本発明者等の実験によれば、＋６００Ｖ
以上の帯電能が得られており、これによって実用上支障
のない感光体が提供できる。

次に、本発明者等は前述した組成のキャリア輸送層に対
して適合し得るキャリア発生層としてアモルファスシリ
コンカーバイドを選択することによって正帯電能をさら
に向上し得ることを知見した。

用いられるａ−ＳｔＣは下記式（２） ％式％（２） で表わされ、式中０．０１≦Ｙ≦０．９、特に０．０５
≦Ｙ≦０．５であることが望ましい。

このキャリア発生層を生成するに当たってもａ−ＳｉＣ
のダングリングボンドを終端させるのに前述したように
１１やハロゲン元素を用いる必要があり、これらの元素
の含有量は全組成中５乃至４０原子χ、好適には１０乃
至３０原子χの範囲内になるようにすればよい。

°以上、前述した本発明における感光体は光波長３００
乃至９００ｎｍの範囲に対して光感度を有するが、本発
明によれば、前述したａ−ＳｉＣから成るキャリア発生
層中に周期律表第ＩＩＩａ族元素を添加することによっ
て特に近赤外領域における光感度を高めることができ、
それによりレーザープリンタ用感光体としての応用が可
能となる。キャリア発生層中の周期律表第１１ｒａ族元
素の量は１０．　ＯＯＯｐｐｍ以下、特に１１０００ｐ
ｐ以下の範囲で配合し得るが、キャリア輸送層中の周期
律表第ｎ［ａ族元素添加量と比較して少ないことが重要
である。キャリア発生層中への添加量がキャリア輸送層
への添加量を上回ると、励起キャリアのキャリア発生層
からキャリア輸送層への注入が阻害され感度低下し、残
存電位が増大する。これはキャリア発生層とキャリア輸
送層のエネルギーバンドにおいて、キャリア発生層のエ
ネルギーレベルがキャリア輸送層よりも高エネルギー側
に移行するため、正孔のキャリア輸送層への注入に際し
、界面にエネルギー的障壁が形成されるためである。

用いられる周期律表第１Ｉ［ａ族元素としてはキャリア
輸送層の場合と同等、Ｂ、ＡＩ、Ｇａ、　Ｉｎ等が挙げ
られ、特にＢが好ましい。

本発明の感光体の製造方法によれば、無機質の感光体の
主成にはグロー放電分解法、イオンブレーティング法、
反応性スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＯ法等の薄
膜形成技術を用いることができる。

例えば本発明における感光体のうち前述したようなキャ
リア輸送層を形成する際は、グロー放電分解法が望まし
く、用いられる気体原料として５ｔＨ４＋５ｔｚＨｔｈ
＋Ｓｔｚ■口などのＳｔ系ガス、Ｃ１１４，ＣｚＩＩＩ
ａ、Ｃｚｌｂ。

ＣＪｂ、Ｃ＋ＩＩａなどのＣ系ガスを用いればよく、更
にＨｚ＋Ｈｅ＋Ｎｅ＋Ａｒなどをキャリアーガスとして
用いてもよい。周期律表第ＩＩＩａ族元素含存ガスとし
てはＢＪａ、　ＢＦｓ＋Ａｌ（ＣＨ３）：＋、Ｇａ（Ｃ
Ｈ３）１．Ｉｎ（ＣＨ３）５．Ｇａ（Ｃ１ｌｓ）：＋等
が挙げられる０本発明者等の実験によれば、前述したガ
スのうちＣ含有ガスとしてＣ２）１□を用いると極めて
大きな成膜速度（約５乃至２０μｖｓ　／ｈ）が得られ
ることを知見した。よってキャリア輸送層形成時の好ま
しい反応ガスとしては少なくともＣ２Ｈ２ガス、Ｓｉ含
有ガス及び１０〜６乃至１モルχの周期律表第ｒＩＩａ
族元素含有ガスを選択する。反応ガスの具体的組成は（
Ｃ，Ｈｌガス：Ｓｉ含有ガス）組成比が０．０５：１乃
至３：１であることが望ましい。

本発明によれば、さらに正帯電能を向上させることを目
的としてキャリア発生層としてａ−５ｉＣを用いるがこ
のキャリア発生層の形成にあっても、少なくともＣ，１
１□ガス、Ｓｉ含有ガスを持ち、これをキャリア輸送層
形成時と同様な組成比で用い、この反応ガスをグロー放
電分解してキャリア輸送層上に形成すれば良い。

さらに本発明によれば、近赤外光に対する分光感度を向
上させることを目的としてキャリア発生層として周期律
表第ｎｌａ族元素を含有するａ−ＳｉＣを用いるが、こ
のキャリア発生層の形成にあたっても、キャリア輸送層
の成形時と同様、Ｃ２Ｈｚガス、Ｓｉ含有ガス、周期律
表第ＩＩＩａ族元素含有ガスを用い、周期律表第ＩＩＩ
ａ族元素含有ガスは１モル％以下の割合で配合されるが
、前述した理由から、キャリア発生層形成時の反応ガス
中の周期律表第■ａ族元素含有ガスの占める割合がキャ
リア輸送層形成時に比べて少ないことが重要である。

本発明における感光体のうち第１図あるいは第２図に示
したようにキャリア注入阻止層や、表面保護層を設ける
場合、その材質としてＳｉＣ，ａ−Ｓｉ：Ｈ。

ａ−ＳｉＣ、非晶質カーボンあるいはこれらに不純物を
ドープしたものを用いる場合には同じ成膜装置を用いて
連続的に形成でき、且つその成膜時間を著しく小さくす
ることができる。

なお、本発明による感光体におけるＮ構成中、有機材料
を用いる場合はいずれも周知の手段によって形成するこ
とができ、具体的には、高分子材料あるいは有機顔料、
有機染料等を揮発性溶媒中に溶解又は分散した塗布液を
用いて、浸漬法、ドクターブレード法等によって設ける
ことができる。

次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第５図により説明する。

なお、周期律表第１ｆｆａ族元素含存ガスとして８□１
１、ガスを用いて例示する。

図中、第１．第２．第３．第４タンク（６）　（７）　
（８）　（９）にはそれぞれＳｉＨ４，Ｃ２Ｈ２、ＢＪ
ａ、（Ｉｌｚガス中にＢ、！１．が３８ｐｐｍ希釈され
ている）ＩＩ２ガスが密封されており、１１、はキャリ
アーガスとしても用いられる。これらのガスは対応する
第１．第２．第３．第４調整弁（１０）　（１１）　（
１２）　（１３）を開放することにより放出され、その
流量がマスフローコントローラ（１４）　（１５）　（
１６）　（１７）により制御されてメインパイプ（１日
）へ送られる。

尚、（１９）は止め弁である。

メインパイプ（１８）を通じて流れるガスは反応管（２
０）へと送り込まれるが、この反応管内部には容量結合
型放電用電極（２１）が設置されており、これに印加さ
れる電力は５０Ｗ乃至３ＫＷが、その周波数はＩ　Ｍ　
Ｈｚ乃至１０ＭＨｚが適当である。反応管（２０）の内
部には、アルミニウムから成る筒状の成膜用導電性基板
（２２）が試料保持台（２３）の上に載置されており、
この保持台（２３）はモーター（２４）により回転駆動
されるようになっており、そして、基板（２２）は適当
な加熱手段により約５０乃至４００℃好ましくは約１５
０乃至３００℃の温度に均一に加熱される。更に、反応
管（２０）の内部はａ−Ｓｉ膜又はａ−ＳｉＣ膜等の形
成時に高度の真空状Ｂ（放電圧０．１乃至２．０Ｔｏｒ
ｒ）を必要とすることにより回転ポンプ（２５）と拡散
ポンプ（２６）に連結される。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えばＢがドーピングされたａ−５ｉＣ膜を基板（２２
）上に形成するに当たって、第１．第２．第３゜第４　
ｔＪｉ整弁（１０）　（１１）　（１２）　（１３）を
開放して第工、第２゜第３．第４タンク（６）　（７）
　（８）　（９）よりそれぞれＳｉＨ４ガス、ＣｚＨｚ
ガス、ＢｚＨｈガス及びＨ２ガスを放出し、これらの放
出量はマスフローコントローラ（１０）　（１１）（１
２）　（１３）により規制されてメインパイプ（１８）
を介して反応管（２０）へと送り込まれ、そして、反応
管（２０）の内部が０．１乃至２．０Ｔｏｒｒの真空状
態、基板温度が５０乃至４００℃、容量型放電用電極（
２１）に周波数１乃至１０ＭＨｚの高周波電力が５０Ｗ
乃至３にＶ印加されるのに相俟ってグロー放電が起こり
、ガスが分解してホウ素含有のａ−５ｉＣ膜が基板上に
高速で形成される。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により説明する。

（例１） ダイヤモンドバイトを用いた超精密旋盤により鏡面に仕
上げた基板用アルミニウム製ドラムを有ｍ溶剤を用いた
超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って洗浄し、
第５図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反応管
（２０）内に設置した。

そして、第１タンク（６）よりＳ　ｉ　ＩＩ　ｓガスを
１００ｓｅｃ鵬、第２タンク（７）よりｃｚｏｚガスを
２０ｓｅｃｍ、第３タンク（８）よりＢ２Ｈ＆ガスを２
００ｓｅｃｍ、第４タンク（９）よりＵＺガスを３００
ｓｃｃｎ＋の流量で放出し、ガス圧を０．４Ｔｏｒｒ　
、高周波電力を２００−に基板温度３００℃に設定して
前述したグロー放電分解法に基づいてａ−５ｉＣ：Ｈ：
Ｂ：Ｎ：Ｏからなるキャリア注入阻止層を形成した。

さらに同一の装置を用いて第１表に示す条件により順次
約３０ｐｐｍの８がドープされたａ−ＳｉＣからなるキ
ャリア輸送！（５）　、ａ−５ｉからなるキャリア発生
１！（３ａ）及びＳｉＣからなる表面保護層（４）を形
成し、厚み３０．２μｍの感光体を得た。

かくして得られた電子写真感光体について表面電位、暗
減衰及び光減衰の特性を測定したところ、第６図に示す
通りの結果が得られた。これは暗中で＋５．６ＫＶのコ
ロナ放電で正帯電し、暗中での表面電位の経時変化と６
５０ｉｎ＋の単色光（露光量０．３μｍ’／ｃｍり照射
直後の表面電位の経時変化を追ったものである。尚、図
中、Ａは暗減衰曲線であり、Ｂは光減衰曲線である。

第６図から明らかな通り、２秒後の表面電位が約７５０
ｖと実用的なまでに高くなっており、光減衰の結果より
露光より瞬時にして表面電位が小さくなって残留電位も
著しく小さくなっている。

（例２） 本例においては、（例１）よりキャリア注入阻止層を除
いた三層よりなる積層体を成形し、正負両極による帯電
能を調べた。尚、成膜条件及び測定条件は（例１）と同
じにした。この結果は第７図及び第８図に示す通りであ
る。

即ち、第７図においては＋５．６ＫＶのコロナ放電で帯
電させた場合の暗減衰曲線、光減衰曲線であリ、これに
対して、第８図においては−５，６ＫＶのコロナ放電で
帯電させた場合である。この結果より明らかな通り、正
帯電によれば、＋　６５０Ｖまで表面電位が大きくなり
、十分に実用可能となるのに対して、負帯電によると約
−５５Ｖまでの表面電位しか得られなかった。

（例３） 次に、第１と同様にしてＳｉＨ４，ｆｈ＋ｃｚＨｚおよ
び８１Ｈｂの各々のガスを用いて、第２表に示す流量で
ａ−Ｓｉ：Ｂ二Ｎｅｏからなるキャリア注入阻止層、　
　ｐｐｒａのＢがドープされたａ−ＳｉＣからなるキャ
リア輸送層（５）　、ａ−ＳｉＣからなるキャリア発生
層（３ａ）及びＳｉＣからなる表面保護Ｎ（４）を形成
し、厚さ３０μ鵠の感光体を得た。

得られた感光体に対しく例１）と同様に＋５．６ＫＶの
コロナ放電で帯電され、暗減衰、光減衰の測定を行い、
第９図の結果を得た。

第９図から明らかなように優れた正帯電性を示した。

（例４） 例１と同様な方法で５ＩＨ４１Ｈｚ＋　Ｃ２Ｈｉおよび
ｔｈＨ＆のガスを用いて、第３表に示す流量でａ−５ｉ
：Ｂ：Ｎ：Ｏからなるキャリア注入阻止層、約３０ｐｐ
ｍのＢがドープされたａ−ＳｉＣからなるキャリア輸送
１１（５）、約１５　ｐｐｍ＋のＢがドープされたａ−
ＳｉＣからなるキャリア発生ＪＷ（３ａ）及びＳｉＣか
らなる表面保護Ｎ（４）を形成し、厚さ２９．９μ蹟の
感光体を得た。

得られた感光体に対しく例１）と同様に＋５．６ＫＶの
コロナ放電で帯電され、暗減衰、光減衰の測定を行い第
１０図の結果を得た。

なお、（例１）、（例３）、（例４）にて製造した感光
体に対して、７７０ｒ＋＋ａの波長の光で分光感度を求
めたところ、（例１）が０．１８ｃｍ”／ｅｒｇ（例３
）が０．１５ｃｍ”／ｅｒｇ　、（例４）が０．２６ｃ
ｍ”／ｅｒｇと（例４）の層構成において顕著な感度向
上が確認された。

〔発明の効果〕

以上、詳述した通り１本発明の電子写真感光体の製造方
法は、反応ガスとして少なくともＣｚＨｔガス、Ｓｉ含
有ガス及び周期律表第ＩＩＩａ族元素含有ガスを用いて
キャリア輸送層として周期律表第ＩＩＩａ族元素を含む
アモルファスシリコンカーバイドを、また、キャリア発
生層としてアモルファスシリコンカーバイドを、あるい
は特定量の周期律表第ＩＩＩａ族元素を含むアモルファ
スシリコンカーバイド層を順次形成することによって正
極性帯電能および電子写真特性に優れた電子写真感光体
を得ることができるとともに成膜速度を極めて向上させ
ることができることから量産性に優れている。しかもレ
ーザープリンタ用としての応力も拡充することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に用いられる感光体の層構成を
示す断面図、第２図は本発明の他の実施例に用いられる
感光体の層構成を示す断面図、第３図は感光体の一般的
な層構成を示す断面図、第４図（ａ）及び（ｂ）は本発
明の電子写真感光体の電子写真特性を説明するための図
、第５図は本発明の実施例に用いられる容量結合型グロ
ー放電分解装置の説明図、第６図乃至第１０図は暗減衰
曲線および光減衰曲線を示した図であって、第６図、第
７図、第９図、第１０図は本発明の感光体を示し、第８
図は比較例を示した図である。 １・・基板 ２．２ａ・・・キャリア注入阻止層 ３．３ａ・・・キャリア発生層 ４・・・表面保護層 ５・・・キャリア輸送層 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社同　　　河村孝
夫

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくともＣ＿２Ｈ＿２ガス、Ｓｉ含有ガス及び
   １０＾−＾６乃至１モル％の周期律表第IIIａ族元素含
   有ガスを含む反応ガスをグロー放電分解して導電性基板
   上に周期律表第IIIａ族元素を含有するアモルファスシ
   リコンカーバイドから成るキャリア輸送層を形成した後
   、キャリア発生層を順次設けたことを特徴とする正極性
   に帯電可能な電子写真感光体の製造方法。
2. （２）少なくともＣ＿２Ｈ＿２ガス、Ｓｉ含有ガス及び
   １０＾−＾６乃至１モル％の周期律表第IIIａ族元素含
   有ガスを含む反応ガスをグロー放電分解して導電性基板
   上に周期律表第IIIａ族元素を含有するアモルファスシ
   リコンカーバイドから成るキャリア輸送層を形成した後
   、さらに少なくともＣ＿２Ｈ＿２ガス、Ｓｉ含有ガスか
   ら成る反応ガスをグロー放電分解して、前記キャリア輸
   送層上にアモルファスシリコンカーバイドから成るキャ
   リア発生層を順次設けたことを特徴とする正極性に帯電
   可能な電子写真感光体の製造方法。
3. （３）少なくともＣ＿２Ｈ＿２ガス、Ｓｉ含有ガス及び
   １０＾−＾６乃至１モル％の周期律表第IIIａ族元素含
   有ガスを含む反応ガスをグロー放電分解して導電性基板
   上に周期律表第IIIａ族元素を含有するアモルファスシ
   リコンカーバイドから成るキャリア輸送層を形成した後
   、さらに少なくともＣ＿２Ｈ＿２ガス、Ｓｉ含有ガス及
   び１モル％以下の周期律表第IIIａ族元素含有ガスを含
   む反応ガスをグロー放電分解して前記キャリア輸送層上
   に周期律表第IIIａ族元素を含有するアモルファスシリ
   コンカーバイドから成るキャリア発生層を設けてなり、
   前記キャリア発生層形成時のアモルファスシリコンカー
   バイド生成用ガスにおける周期律表第III族元素含有ガ
   スの占める割合が前記キャリア輸送層形成時に比べて少
   ないことを特徴とする正極性に帯電可能な電子写真感光
   体の製造方法。