JPS6370945A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPS6370945A JPS6370945A JP61215411A JP21541186A JPS6370945A JP S6370945 A JPS6370945 A JP S6370945A JP 61215411 A JP61215411 A JP 61215411A JP 21541186 A JP21541186 A JP 21541186A JP S6370945 A JPS6370945 A JP S6370945A
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- optical recording
- recording medium
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光記録媒体の構造に関する。
光学的に記録、再生あるいは消去可能な光記録媒体は、
従来より研究開発がさかんにおこなわれてきた。特に近
年磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体は、消去書き
換え可能な光記録媒体として実用化寸前の状態である。
従来より研究開発がさかんにおこなわれてきた。特に近
年磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体は、消去書き
換え可能な光記録媒体として実用化寸前の状態である。
ところが、光磁気記録媒体の記録膜は希土類遷移金属膜
であるため、耐候性に劣っていた。そこで本発明者らは
鋭意研究努力の結果、保護膜である誘電体膜の複合化（
特願昭６ｌ−７４７９４）、及び貼合せ構造（特願昭６
ｌ−１２２７６７）の開発を経て実用に十分耐えうる長
期信頼性のある光磁気記録媒体を提供できるようになっ
た。
であるため、耐候性に劣っていた。そこで本発明者らは
鋭意研究努力の結果、保護膜である誘電体膜の複合化（
特願昭６ｌ−７４７９４）、及び貼合せ構造（特願昭６
ｌ−１２２７６７）の開発を経て実用に十分耐えうる長
期信頼性のある光磁気記録媒体を提供できるようになっ
た。
しかし前述の従来技術では、長期信頼性のある媒体は提
供できる様になったが、基板に透光性樹脂基板（Ｐ Ｃ
＊ Ｐ ＭＭＡ ｔ エポキシ樹脂等）を用いているた
め、湿度膨張が大きく一度書き込んだ信号のズレ（ジッ
ター）が大きくなるという重大な欠点を有していた。そ
こで以前は、加速試験をおこなう場合、媒体を恒温湿槽
から取り出し１思夜常温常湿下に放置しておかなけｎば
ならなかった。
供できる様になったが、基板に透光性樹脂基板（Ｐ Ｃ
＊ Ｐ ＭＭＡ ｔ エポキシ樹脂等）を用いているた
め、湿度膨張が大きく一度書き込んだ信号のズレ（ジッ
ター）が大きくなるという重大な欠点を有していた。そ
こで以前は、加速試験をおこなう場合、媒体を恒温湿槽
から取り出し１思夜常温常湿下に放置しておかなけｎば
ならなかった。
さらに、基板表面は透光性樹脂が露出しているため耐擦
傷性が悪く、すぐ傷がついてしまうという欠点を有して
いた。
傷性が悪く、すぐ傷がついてしまうという欠点を有して
いた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、使用環境湿度の変化があっても
信号のジッター量の変化が無く、しかも傷つきにくい光
記録媒体を提供するところにある。
の目的とするところは、使用環境湿度の変化があっても
信号のジッター量の変化が無く、しかも傷つきにくい光
記録媒体を提供するところにある。
透光性樹脂基板上に形成した光記録層に、光を照射し記
録・再生あるいは消去を行う光記録媒体において、光記
録媒体の外界と接触する部位を、誘電体膜で被覆した後
にさらに紫外線硬化樹脂で被覆したことを特徴とする。
録・再生あるいは消去を行う光記録媒体において、光記
録媒体の外界と接触する部位を、誘電体膜で被覆した後
にさらに紫外線硬化樹脂で被覆したことを特徴とする。
以下本発明を実施例をもとに詳述する。
第１図は、本発明の光磁気記録媒体の断面概略図である
。１は案内溝付きポリカーボネート（ＰＣ）基板であり
、この上に２として窒化アルミニウムと窒化シリコンの
複合誘電体膜１ｏｏｏｉをスパッタ法にて成膜しく以下
成膜は全てスパッタ法）、そして３のＮｄＤｙＦｅＣｏ
Ｔｉ光磁気記録膜４００＾を成膜し、さらに４の窒化ア
μミニウムと窒化シリコンの複合誘電体膜１ｏｏｏｆを
成膜した。次に５の溝無しＰＣ基板上に６の窒化アルミ
ニウムと窒化シリコンの複合誘電体膜５００大を成膜し
、これら成膜された案内溝付きＰＣ基板と溝無しＰｄ基
板を７の紫外線（Ｕ／Ｖ）硬化樹脂を用いて密着貼合せ
した。
。１は案内溝付きポリカーボネート（ＰＣ）基板であり
、この上に２として窒化アルミニウムと窒化シリコンの
複合誘電体膜１ｏｏｏｉをスパッタ法にて成膜しく以下
成膜は全てスパッタ法）、そして３のＮｄＤｙＦｅＣｏ
Ｔｉ光磁気記録膜４００＾を成膜し、さらに４の窒化ア
μミニウムと窒化シリコンの複合誘電体膜１ｏｏｏｆを
成膜した。次に５の溝無しＰＣ基板上に６の窒化アルミ
ニウムと窒化シリコンの複合誘電体膜５００大を成膜し
、これら成膜された案内溝付きＰＣ基板と溝無しＰｄ基
板を７の紫外線（Ｕ／Ｖ）硬化樹脂を用いて密着貼合せ
した。
次に、この貼合せ光磁気記録媒体の外界と接している部
位全面を蒸着法にて８として窒化アμミニ゛ウムと窒化
シリコンの複合誘電体膜５ｏｏＸを成膜した。ここで用
いた窒化アルミニウム（以後便宜上ＡＩＮと表す）と窒
化シリコン（以後便宜上ＳｉＮと表す）の複合誘電体膜
（以後便宜上Ａｌ５ｉＮと表わす）の膜組成は全て、Ａ
ＩＮｚｉＳｉＮＢｍｏ１％である。そして最後に９とし
て紫外線（Ｕ／Ｖ ’）硬化樹脂層を塗布した。塗布膜
厚は１０μｍである。
位全面を蒸着法にて８として窒化アμミニ゛ウムと窒化
シリコンの複合誘電体膜５ｏｏＸを成膜した。ここで用
いた窒化アルミニウム（以後便宜上ＡＩＮと表す）と窒
化シリコン（以後便宜上ＳｉＮと表す）の複合誘電体膜
（以後便宜上Ａｌ５ｉＮと表わす）の膜組成は全て、Ａ
ＩＮｚｉＳｉＮＢｍｏ１％である。そして最後に９とし
て紫外線（Ｕ／Ｖ ’）硬化樹脂層を塗布した。塗布膜
厚は１０μｍである。
この様にして作成した本発明媒体と、８のＡｌ５ｉＮ被
覆誘電体膜及び９の紫外線硬化樹脂層の無い従来の媒体
すなわち裸の媒体を用い、記録。
覆誘電体膜及び９の紫外線硬化樹脂層の無い従来の媒体
すなわち裸の媒体を用い、記録。
再生しその信号のジッター量を見た。記録時の温度は２
５℃湿度は５０％ＲＨである。本発明及び従来の裸の媒
体ｔ２５℃固定にし、湿度を変えてそのジッター量の変
化を見たのが第２図であり、ジッター量の湿度依存性図
である。２１が本発明によるＡｌ５ｉＮ及びＵ／Ｖ硬化
樹脂被覆有謀帆２２が従来の被覆無し媒体であり、この
図よシ明らかなように本発明媒体のジッターは湿度によ
らず３０ ｎ５ｅｃ と一定であるが、従来媒体は湿
度の変化とともにジッターは増加する。これは湿度膨張
（収縮）に併う信号のズレから生じたものである。ただ
し湿度５０％時のジッターは本発明媒体と同じ５０ ｎ
５ｅｃであるが、これは、記録時の湿度が５０％であっ
たためである。
５℃湿度は５０％ＲＨである。本発明及び従来の裸の媒
体ｔ２５℃固定にし、湿度を変えてそのジッター量の変
化を見たのが第２図であり、ジッター量の湿度依存性図
である。２１が本発明によるＡｌ５ｉＮ及びＵ／Ｖ硬化
樹脂被覆有謀帆２２が従来の被覆無し媒体であり、この
図よシ明らかなように本発明媒体のジッターは湿度によ
らず３０ ｎ５ｅｃ と一定であるが、従来媒体は湿
度の変化とともにジッターは増加する。これは湿度膨張
（収縮）に併う信号のズレから生じたものである。ただ
し湿度５０％時のジッターは本発明媒体と同じ５０ ｎ
５ｅｃであるが、これは、記録時の湿度が５０％であっ
たためである。
又、８のＡ Ｉ Ｓ ｓ Ｎ被覆誘電体膜の膜厚を変え
た本発明媒体を作製し信頼性試験をおこなった。
た本発明媒体を作製し信頼性試験をおこなった。
つまり、７０℃９０％ＲＨの恒温恒湿槽に入れ、５００
０ｈｒ後のピットエフ−レートを測定し九表１にその結
果を示す。
０ｈｒ後のピットエフ−レートを測定し九表１にその結
果を示す。
表 １
この表より明らかな様に、被覆誘電体膜厚がｓｏＸ以上
の媒体は５０００ｈｒ後もピットエラーレートに変化が
ない。しかし５０Ｘより少ない媒体についてはピットエ
フ−レートの劣化がみられる。このことより被覆誘電体
膜厚は５０Ｘ以上必要であることがわかる。
の媒体は５０００ｈｒ後もピットエラーレートに変化が
ない。しかし５０Ｘより少ない媒体についてはピットエ
フ−レートの劣化がみられる。このことより被覆誘電体
膜厚は５０Ｘ以上必要であることがわかる。
そして、従来の媒体は表面硬度が鉛筆硬さでＢ〜ＨＢで
あったものが、本発明媒体では２Ｈとなシ十分な硬度が
確保された。
あったものが、本発明媒体では２Ｈとなシ十分な硬度が
確保された。
尚、本実施例に用いた記録媒体の構造゛は密着貼合せ構
造であるが、エアーサンドイタチ構造及び単板でも本発
明は有効であり、又光磁気記録層体でなく、追記型光記
録媒体にも本発明は有効である。
造であるが、エアーサンドイタチ構造及び単板でも本発
明は有効であり、又光磁気記録層体でなく、追記型光記
録媒体にも本発明は有効である。
さらに、本実施例の記録層側の構造は、光磁気記録層を
誘電体膜でサンドイッチする３層構造であるが、これ以
外の反射膜をさらにつけた４層構造おるいは、３層目の
誘電体膜を反射膜にかえた３層構造のものでも有効であ
る。そして、本実施例では被覆誘電体膜は蒸着法を用い
て成膜したが、スパッタ法、イオンブレーティング法、
ゾ〃ゲ〃法等を用いても何ら支障ない。
誘電体膜でサンドイッチする３層構造であるが、これ以
外の反射膜をさらにつけた４層構造おるいは、３層目の
誘電体膜を反射膜にかえた３層構造のものでも有効であ
る。そして、本実施例では被覆誘電体膜は蒸着法を用い
て成膜したが、スパッタ法、イオンブレーティング法、
ゾ〃ゲ〃法等を用いても何ら支障ない。
さらに、被覆誘電体膜の組成も、Ａｌ５ＩＮに限定され
るものでなく、Ｓ １０１ ＊ Ｓ Ｉ Ｏｓ Ａ Ｉ
Ｎ ）Ｓ Ｉ Ｎ ＋ Ｚ ｎ Ｓ ＋ Ｍ ｇ
Ｆ ＋ Ａ ｌ ｚ Ｏｓ ＋ Ｓ Ｉ ＣｒＣｄ
Ｓ ｅｔｃ全ての誘電体膜について有効である。
るものでなく、Ｓ １０１ ＊ Ｓ Ｉ Ｏｓ Ａ Ｉ
Ｎ ）Ｓ Ｉ Ｎ ＋ Ｚ ｎ Ｓ ＋ Ｍ ｇ
Ｆ ＋ Ａ ｌ ｚ Ｏｓ ＋ Ｓ Ｉ ＣｒＣｄ
Ｓ ｅｔｃ全ての誘電体膜について有効である。
以上述べたように本発明によれば、光記録媒体の外界と
接触する部位を、誘電体膜で被覆した後にさらに紫外線
硬化樹脂で被覆することにより、外部環境の湿度変化に
対し信号のジッター量を少なくでき、ひいてはビットエ
ラーレートの変化も少なくできる。又、基板表面が硬度
が増すことよシ、耐擦傷性も改善できる。
接触する部位を、誘電体膜で被覆した後にさらに紫外線
硬化樹脂で被覆することにより、外部環境の湿度変化に
対し信号のジッター量を少なくでき、ひいてはビットエ
ラーレートの変化も少なくできる。又、基板表面が硬度
が増すことよシ、耐擦傷性も改善できる。
第１図は、本発明の光磁気記録線体の断面概略図０
第２図は、ジッター量の湿度依存性図。
１・・・−・案内溝付きポリカーボネート（ｐｃ）基板
２・・・−・窒化アルミニウムと窒化シリコンの複合誘
電体膜１０００Ｘ厚 Ｓ −−−−Ｎ ｄ Ｄ ｙ Ｆ ｅ Ｃｏ Ｔ ｉ光
磁気配１ｉ４００久厚 ４・・・−・窒化アルミニウムと窒化シリコンの複合誘
電体膜１０００又厚 ５・・・−・溝無しＰＣ基板 ６−・−・窒化アルミニウムと窒化シリコンの複合誘電
体膜５００久厚 ７−・−・紫外線（Ｕ／Ｖ）硬化樹脂層８−・−・窒化
アルミニウムと窒化シリコンの複合誘電体膜５００Ａ厚 ９−−−−・紫外線（Ｕ／Ｖ ）硬化樹脂層２１−−−
・−・本発明によるＡｌ５ｉＮ及びＵ／ｖ硬化硬化樹
脂被覆体 媒体・・・・・・従来の被覆無し媒体 以上 第 １ 図
電体膜１０００Ｘ厚 Ｓ −−−−Ｎ ｄ Ｄ ｙ Ｆ ｅ Ｃｏ Ｔ ｉ光
磁気配１ｉ４００久厚 ４・・・−・窒化アルミニウムと窒化シリコンの複合誘
電体膜１０００又厚 ５・・・−・溝無しＰＣ基板 ６−・−・窒化アルミニウムと窒化シリコンの複合誘電
体膜５００久厚 ７−・−・紫外線（Ｕ／Ｖ）硬化樹脂層８−・−・窒化
アルミニウムと窒化シリコンの複合誘電体膜５００Ａ厚 ９−−−−・紫外線（Ｕ／Ｖ ）硬化樹脂層２１−−−
・−・本発明によるＡｌ５ｉＮ及びＵ／ｖ硬化硬化樹
脂被覆体 媒体・・・・・・従来の被覆無し媒体 以上 第 １ 図
Claims (2)
- （１）透光性樹脂基板上に形成した光記録層に、光を照
射し記録・再生あるいは消去を行う光記録媒体において
、前記光記録媒体の外界と接触する部位を、誘電体膜で
被覆した後にさらに紫外線硬化樹脂で被覆したことを特
徴とする光記録媒体。 - （２）前記誘電体膜の膜厚が５０Å以上であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215411A JPS6370945A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215411A JPS6370945A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370945A true JPS6370945A (ja) | 1988-03-31 |
Family
ID=16671880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215411A Pending JPS6370945A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6370945A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0261835A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-03-01 | Daicel Chem Ind Ltd | 光情報記録媒体 |
| US5293373A (en) * | 1990-08-29 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical disk and method of manufacturing the same |
| US5450380A (en) * | 1990-05-15 | 1995-09-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical disk having an SiO2 coating |
| US5490131A (en) * | 1990-07-20 | 1996-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP61215411A patent/JPS6370945A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0261835A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-03-01 | Daicel Chem Ind Ltd | 光情報記録媒体 |
| US5450380A (en) * | 1990-05-15 | 1995-09-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical disk having an SiO2 coating |
| US5490131A (en) * | 1990-07-20 | 1996-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk |
| US5293373A (en) * | 1990-08-29 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical disk and method of manufacturing the same |
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