JPH0766567B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH0766567B2 JPH0766567B2 JP61083010A JP8301086A JPH0766567B2 JP H0766567 B2 JPH0766567 B2 JP H0766567B2 JP 61083010 A JP61083010 A JP 61083010A JP 8301086 A JP8301086 A JP 8301086A JP H0766567 B2 JPH0766567 B2 JP H0766567B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical recording
- recording medium
- light
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録媒体の構造に関する。
光学的に記録、再生あるいは消去可能な光記録媒体は、
従来より研究開発が盛んにおこなわれてきた。特に近年
磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体は、消去書き換
え可能な光記録媒体として実用化寸前の状態である。と
ころが、光磁気記録媒体の記録膜は希さ類遷移金属膜で
あるため、耐候性に劣る。そのため記録層を透明誘電体
膜でサンドイッチし、さらに基板どうしを貼り合せにす
る貼り合せ構造が一般に用いられている。
従来より研究開発が盛んにおこなわれてきた。特に近年
磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体は、消去書き換
え可能な光記録媒体として実用化寸前の状態である。と
ころが、光磁気記録媒体の記録膜は希さ類遷移金属膜で
あるため、耐候性に劣る。そのため記録層を透明誘電体
膜でサンドイッチし、さらに基板どうしを貼り合せにす
る貼り合せ構造が一般に用いられている。
第3図に従来の貼り合せ光磁気記録媒体の断面図を示
す。1はポリカーボネート基板1.2mmtで溝付きである
(溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å)。2は窒
化シリコン膜1000Å厚、3は光磁気記録層(TbFeCo,NdD
yFeCo等)450Å厚、4は窒化シリンコン膜1000Å厚であ
り、以上1,2,3,4が情報の記録面が設けられた光透過性
基板7である。そして6はポリカーボネート基板である
が溝なしで、6が他方の光透過性基板となる。6と7を
貼り合せる層が5で、UV硬化樹脂層である。
す。1はポリカーボネート基板1.2mmtで溝付きである
(溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å)。2は窒
化シリコン膜1000Å厚、3は光磁気記録層(TbFeCo,NdD
yFeCo等)450Å厚、4は窒化シリンコン膜1000Å厚であ
り、以上1,2,3,4が情報の記録面が設けられた光透過性
基板7である。そして6はポリカーボネート基板である
が溝なしで、6が他方の光透過性基板となる。6と7を
貼り合せる層が5で、UV硬化樹脂層である。
ところが、上記のように作製した貼り合せ情報記録媒体
は接着部に気泡が混入する欠点があった。気泡の混入は
空気中に於る基板貼合せて於ても発生していた。二枚の
基板に挾まれた接着剤中に混入した気泡は、記録膜層よ
りの情報読み出し、書き込み時、エラーとなってしまい
ビットエラーレートを低下させる原因となっていた。本
発明の目的は、ビットエラーレート低下の原因である接
着剤中の混入気泡をなくする情報記録媒体(ディスク構
成)を提供する事である。
は接着部に気泡が混入する欠点があった。気泡の混入は
空気中に於る基板貼合せて於ても発生していた。二枚の
基板に挾まれた接着剤中に混入した気泡は、記録膜層よ
りの情報読み出し、書き込み時、エラーとなってしまい
ビットエラーレートを低下させる原因となっていた。本
発明の目的は、ビットエラーレート低下の原因である接
着剤中の混入気泡をなくする情報記録媒体(ディスク構
成)を提供する事である。
(1) 本発明の記録媒体は情報の記録層が設けられた
光透過性基板の記録層側と、記録層が設けられていない
他方の光透過性基板とを貼り合せた構成であり、前記記
録層が設けられていない他方の光透過性基板の貼り合せ
面に、少なくとも一層の誘電体膜が成膜されている事を
特徴とする。
光透過性基板の記録層側と、記録層が設けられていない
他方の光透過性基板とを貼り合せた構成であり、前記記
録層が設けられていない他方の光透過性基板の貼り合せ
面に、少なくとも一層の誘電体膜が成膜されている事を
特徴とする。
(2) 前記誘電体膜の成分は、Al2O3,Bi2O3,CaO,CdO,
CdS,CeO2,Cd2O3,In2O3,Ia2O3,MgF,MgO,Nd2O3,Sb2O3,Si
O,SiO2,SnO2,TiO2,ZnO,ZrO2,ZnS,AlN,Si3N4,SiN,TiN,B
N,HfN,ZrNのうち少なくとも1成分以上含む事を特徴と
する。
CdS,CeO2,Cd2O3,In2O3,Ia2O3,MgF,MgO,Nd2O3,Sb2O3,Si
O,SiO2,SnO2,TiO2,ZnO,ZrO2,ZnS,AlN,Si3N4,SiN,TiN,B
N,HfN,ZrNのうち少なくとも1成分以上含む事を特徴と
する。
(3) 前記誘電体膜の膜厚が30Å以上10μm未満であ
る事を特徴とする。誘電体膜の厚さは、30A以下では島
状となり基板表面を均一に覆う事ができず、10μm以上
では成膜に多大な時間を必要とするので現実的でない。
適性な膜厚は、30Å以上で10μm以下である。
る事を特徴とする。誘電体膜の厚さは、30A以下では島
状となり基板表面を均一に覆う事ができず、10μm以上
では成膜に多大な時間を必要とするので現実的でない。
適性な膜厚は、30Å以上で10μm以下である。
〔実施例1〕 第1図に本発明で製作したディスクの構造を示す。1は
ポリカーボネート基板1.2mm厚で片面に溝が付いている
(溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ650Å)。2は窒
化シリコン膜1000Å厚,3は光磁気記録層(TbFeCo)450
Å厚、4は窒化シリコン膜1000Åで厚であり、以上1.2.
3.4が情報の記録層が設けられた光透過性基板7であ
る。6は溝のない平滑なポリカーボネート基板1.2mm厚
で、8は窒化シリコン1000Å厚である。6と8より構成
される光透過性基板9は5のUV硬化接着剤を介して、7
の光透過性基板と貼り合せられている。
ポリカーボネート基板1.2mm厚で片面に溝が付いている
(溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ650Å)。2は窒
化シリコン膜1000Å厚,3は光磁気記録層(TbFeCo)450
Å厚、4は窒化シリコン膜1000Åで厚であり、以上1.2.
3.4が情報の記録層が設けられた光透過性基板7であ
る。6は溝のない平滑なポリカーボネート基板1.2mm厚
で、8は窒化シリコン1000Å厚である。6と8より構成
される光透過性基板9は5のUV硬化接着剤を介して、7
の光透過性基板と貼り合せられている。
第2図は本発明の構成ディスクの貼合せ装置の概念図で
ある。10は真空チャンバーであり、11は真空ポンプ、12
はモータ、13は接着剤塗布用ディスペンサーノズル、15
はディスペンサーユニット、14はディスペンサー水平方
向移動ユニット、16は光透過性平滑基板9を支持してい
るフレーム、17は基板9の支持を開設し、光透過性基板
7(記録層が片面に設けられている)上に基板9を押し
込むスイッチである。
ある。10は真空チャンバーであり、11は真空ポンプ、12
はモータ、13は接着剤塗布用ディスペンサーノズル、15
はディスペンサーユニット、14はディスペンサー水平方
向移動ユニット、16は光透過性平滑基板9を支持してい
るフレーム、17は基板9の支持を開設し、光透過性基板
7(記録層が片面に設けられている)上に基板9を押し
込むスイッチである。
第2図に示す貼合せ装置を用いて、真空中に於て、基板
7上にUV硬化接着剤を塗布し、その後UV露光を施こし第
1図に示すディスク構造とした。結果は基板貼合せ接着
剤層中への気泡混入はなく良好なビットエラーレートが
得られた。特に気泡混入に起因するバーストエラーを皆
無にできた。
7上にUV硬化接着剤を塗布し、その後UV露光を施こし第
1図に示すディスク構造とした。結果は基板貼合せ接着
剤層中への気泡混入はなく良好なビットエラーレートが
得られた。特に気泡混入に起因するバーストエラーを皆
無にできた。
〔実施例2〕 第4図に、実施例1同様第2図に示す貼合せ装置を用い
て製作してディスク構造を示す。1′はポリメチルメタ
クリレート基板1.2mm厚で、片面に溝が付いている。
(溝ピッチ2.0μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å)。2は窒
化シリコン膜1000Å厚、3は光磁気記録層(NdDyFeCo)
470Å厚、4は窒化シリコン膜1000Å厚であり、以上
1′,2,3,4が情報の記録層が設けられた光透過性基板7
である。6は溝のない平滑なポリメチルメタクリレート
基板1.2mm厚、8aは窒化シリコン500Å厚、8bは窒化アル
ミニウム500Å厚である。6と8a,8bより構成される光透
過性基板9は、5のUV硬化接着剤を介して、7の光透過
性基板と貼り合せられている。上記構成のディスクは基
板貼り合せ接着剤層中への気泡混入がなく、良好なビッ
トエラーレートが得られた。第1図に示した構成同様、
気泡混入に起因するバーストエラーは皆無であった。
て製作してディスク構造を示す。1′はポリメチルメタ
クリレート基板1.2mm厚で、片面に溝が付いている。
(溝ピッチ2.0μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å)。2は窒
化シリコン膜1000Å厚、3は光磁気記録層(NdDyFeCo)
470Å厚、4は窒化シリコン膜1000Å厚であり、以上
1′,2,3,4が情報の記録層が設けられた光透過性基板7
である。6は溝のない平滑なポリメチルメタクリレート
基板1.2mm厚、8aは窒化シリコン500Å厚、8bは窒化アル
ミニウム500Å厚である。6と8a,8bより構成される光透
過性基板9は、5のUV硬化接着剤を介して、7の光透過
性基板と貼り合せられている。上記構成のディスクは基
板貼り合せ接着剤層中への気泡混入がなく、良好なビッ
トエラーレートが得られた。第1図に示した構成同様、
気泡混入に起因するバーストエラーは皆無であった。
〔実施例3〕 第5図に、実施例1同様第2図に示す貼合せ装置を用い
て製作したディスク構造を示す。1はポリカーボネート
基板1.2mm厚で、片面に溝が付いている。(溝ピッチ1.6
μm,溝巾0.8μm,溝深さ650Å)。2′は酸化シリコン
(SiO)膜1000Å厚、3は光磁気記録層(NdDyFeCo)800
Å厚であり、以上1,2′,3が情報の記録層が設けられた
光透過性基板7である。6は溝のない平滑なポリカーボ
ネート基板1.2mm厚、8′はSiO膜1000Å厚である。6と
8′より構成される光透過性基板9は、5のUV硬化接着
剤を介して、7の光透過性基板と貼り合せられている。
上記構成のディスクは、基板貼り合せ接着剤層中への気
泡混入がなく、良好なビットエラーレートが得られた。
第1図に示した構成同様、気泡混入に起因するバースト
エラーは皆無であった。
て製作したディスク構造を示す。1はポリカーボネート
基板1.2mm厚で、片面に溝が付いている。(溝ピッチ1.6
μm,溝巾0.8μm,溝深さ650Å)。2′は酸化シリコン
(SiO)膜1000Å厚、3は光磁気記録層(NdDyFeCo)800
Å厚であり、以上1,2′,3が情報の記録層が設けられた
光透過性基板7である。6は溝のない平滑なポリカーボ
ネート基板1.2mm厚、8′はSiO膜1000Å厚である。6と
8′より構成される光透過性基板9は、5のUV硬化接着
剤を介して、7の光透過性基板と貼り合せられている。
上記構成のディスクは、基板貼り合せ接着剤層中への気
泡混入がなく、良好なビットエラーレートが得られた。
第1図に示した構成同様、気泡混入に起因するバースト
エラーは皆無であった。
〔実施例4〕 第6図に、実施例1同様第2図に示す貼合せ装置を用い
て製作したディスク構造を示す。1″はポリカーボネー
ト平滑基板1.2mm厚、5aは前記平滑基板上に2P法により
形成された紫外線硬化樹脂層の凹凸であり30μm厚であ
る(溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å)。3は
光磁気記録層(HdDyFeCo)700Å厚であり、以上1″,5
a,3が情報の記録層が設けられた光透過性基板7であ
る。6は溝のない平滑なポリカーボネート基板1.2mm
厚、8は窒化シリコン1000Å厚である。6と8より構成
される光透過性基板9は、5bのUV硬化接着剤を介して、
7の光透過性基板と貼り合せられている。上記構成のデ
ィスクは、基板貼り合せ接着剤層中への気泡混入がな
く、良好なビットエラーレートが得られた。第1図に示
した構成同様、気泡混入に起因するバーストエラーは皆
無であった。
て製作したディスク構造を示す。1″はポリカーボネー
ト平滑基板1.2mm厚、5aは前記平滑基板上に2P法により
形成された紫外線硬化樹脂層の凹凸であり30μm厚であ
る(溝ピッチ1.6μm,溝巾0.8μm,溝深さ700Å)。3は
光磁気記録層(HdDyFeCo)700Å厚であり、以上1″,5
a,3が情報の記録層が設けられた光透過性基板7であ
る。6は溝のない平滑なポリカーボネート基板1.2mm
厚、8は窒化シリコン1000Å厚である。6と8より構成
される光透過性基板9は、5bのUV硬化接着剤を介して、
7の光透過性基板と貼り合せられている。上記構成のデ
ィスクは、基板貼り合せ接着剤層中への気泡混入がな
く、良好なビットエラーレートが得られた。第1図に示
した構成同様、気泡混入に起因するバーストエラーは皆
無であった。
〔実施例5〕 第7図に、実施例1同様第2図に示す貼合せ装置を用い
て製作したディスク構造を示す。1はポリカーボネート
基板1.2mm厚で片面に溝が付いている。(溝ピッチ1.6μ
m,溝巾0.8μm,溝深さ650Å)。2は窒化シリコン膜1000
Å厚、3は光磁気記録層(TbFeCo)450Å厚、4は窒化
シリコン膜1000Å厚であり、以上1,2,3,4が情報の記録
層が設けられた光透過性基板7である。5のUV硬化接着
剤を介して、2枚の光透過性基板を貼り合せた構造とな
っている。上記構成のディスクは、基板貼り合せ接着剤
層中への気泡混入がなく、良好なビットエラーレートが
得られた。第1図に示した構成同様、気泡混入に起因す
るバーストエラーは皆無であった。
て製作したディスク構造を示す。1はポリカーボネート
基板1.2mm厚で片面に溝が付いている。(溝ピッチ1.6μ
m,溝巾0.8μm,溝深さ650Å)。2は窒化シリコン膜1000
Å厚、3は光磁気記録層(TbFeCo)450Å厚、4は窒化
シリコン膜1000Å厚であり、以上1,2,3,4が情報の記録
層が設けられた光透過性基板7である。5のUV硬化接着
剤を介して、2枚の光透過性基板を貼り合せた構造とな
っている。上記構成のディスクは、基板貼り合せ接着剤
層中への気泡混入がなく、良好なビットエラーレートが
得られた。第1図に示した構成同様、気泡混入に起因す
るバーストエラーは皆無であった。
尚、光透過性基板として、ポリカーボネート、PMMA、エ
ポキシ、その他熱可塑性樹脂基板、熱硬化性樹脂基板を
使用する事ができる。誘電体膜としては、Si3N4,AlN,Si
O等、特許請求の範囲第2項記載の材料を使用する事が
できる。誘電体膜は単層であっても多層でも良く、各種
材料の複合体であっても良い。情報記録膜としてはTbFe
Co,NdDyFeCo等の光磁気媒体、その他相変態型媒体を使
用する事ができる。使用する接着剤はUV硬化接着剤に限
定する必要はなく、嫌気性接着剤、2液硬化性接着剤で
も良い。
ポキシ、その他熱可塑性樹脂基板、熱硬化性樹脂基板を
使用する事ができる。誘電体膜としては、Si3N4,AlN,Si
O等、特許請求の範囲第2項記載の材料を使用する事が
できる。誘電体膜は単層であっても多層でも良く、各種
材料の複合体であっても良い。情報記録膜としてはTbFe
Co,NdDyFeCo等の光磁気媒体、その他相変態型媒体を使
用する事ができる。使用する接着剤はUV硬化接着剤に限
定する必要はなく、嫌気性接着剤、2液硬化性接着剤で
も良い。
以上実施例で述べた通り、貼り合せディスクの構成で、
記録層が設けられていない光透過性基板に少なくとも一
層の誘電体膜を成膜する事により、真空中での貼合せ時
の接着剤層への気泡混入を防止する効果がある。真空中
での貼合せで接着剤層に気泡が入る原因としては、光透
過性基板よりのガス放出が考えられる。誘電体膜を基板
表面に施こす事により先に述べたガス放出が抑えられ接
着剤層へ気泡が混入しなくなる効果が生ずると考えられ
る。その他、誘電体膜を成膜する事により、接着剤と光
透過性基板が直接、接触する事がなくなり、接着剤中の
モノマー、オリゴマーによる基板表層の侵しがなくなる
効果がある。接着剤による基板の侵しは、光の散乱現象
を伴なう為、ディスクの光学特性に大きな悪影響を及ぼ
す性質のものである。上記の効果が本発明で得られ、デ
ィスクのバーストビットエラーレートは大巾に改良され
た。誘電体膜の厚さは30Å以下では島状となる基板表面
を均一に覆う事ができず、10μm以上では成膜に多大な
時間を必要とするので現実的でない。適正な膜厚は30Å
以上で10μm以下である。
記録層が設けられていない光透過性基板に少なくとも一
層の誘電体膜を成膜する事により、真空中での貼合せ時
の接着剤層への気泡混入を防止する効果がある。真空中
での貼合せで接着剤層に気泡が入る原因としては、光透
過性基板よりのガス放出が考えられる。誘電体膜を基板
表面に施こす事により先に述べたガス放出が抑えられ接
着剤層へ気泡が混入しなくなる効果が生ずると考えられ
る。その他、誘電体膜を成膜する事により、接着剤と光
透過性基板が直接、接触する事がなくなり、接着剤中の
モノマー、オリゴマーによる基板表層の侵しがなくなる
効果がある。接着剤による基板の侵しは、光の散乱現象
を伴なう為、ディスクの光学特性に大きな悪影響を及ぼ
す性質のものである。上記の効果が本発明で得られ、デ
ィスクのバーストビットエラーレートは大巾に改良され
た。誘電体膜の厚さは30Å以下では島状となる基板表面
を均一に覆う事ができず、10μm以上では成膜に多大な
時間を必要とするので現実的でない。適正な膜厚は30Å
以上で10μm以下である。
第1図……本発明によるディスク構造図 第2図……ディスク貼合せ装置の概念図 第3図……従来のディスク構造図 第4図……本発明によるディスク構造図 第5図……本発明によるディスク構造図 第6図……本発明によるディスク構造図 第7図……本発明によるディスク構造図
Claims (3)
- 【請求項1】情報の記録層が設けられた光透過性基板の
記録面側と、記録層が設けられていない他方の光透過性
基板とを貼り合せた光記録媒体において、前記記録層が
設けられていない他方の光透過性基板の貼り合せ面に少
なくとも一層の誘電体膜が成膜されていることを特徴と
する光記録媒体。 - 【請求項2】前記誘電体膜の成分が、Al2O3,Bi2O3,CaO,
CdO,CdS,CeO2,Cd2O3,In2O3,Ia2O3,MgF,MgO,Nd2O3,Sb
2O3,SiO,SiO2,SnO2,TiO2,ZnO,ZrO2,ZnS,AlN,Si3N4,SiN,
TiN,BN,HfN,ZrNのうち少なくとも1成分以上含むことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光記録媒体。 - 【請求項3】前記誘導体膜の膜厚が30Å以上10μm未満
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光
記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61083010A JPH0766567B2 (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 光記録媒体 |
US07/036,240 US4800112A (en) | 1986-04-10 | 1987-04-09 | Optical recording medium |
KR1019870003379A KR920010028B1 (ko) | 1986-04-10 | 1987-04-09 | 광기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61083010A JPH0766567B2 (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62239443A JPS62239443A (ja) | 1987-10-20 |
JPH0766567B2 true JPH0766567B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=13790276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61083010A Expired - Lifetime JPH0766567B2 (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0766567B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01245447A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
KR0160729B1 (ko) * | 1995-10-31 | 1999-01-15 | 김광호 | 상변화형 광디스크 |
JP4748435B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2011-08-17 | 日本電気硝子株式会社 | 積層ガラスセラミック材料及び積層ガラスセラミック焼結体 |
JP2004071079A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体 |
-
1986
- 1986-04-10 JP JP61083010A patent/JPH0766567B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62239443A (ja) | 1987-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920010028B1 (ko) | 광기록 매체 | |
JPH0766567B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2872654B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP2540874B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH09274736A (ja) | 光ディスク及びその製造方法 | |
JPH11162013A (ja) | 光ディスク | |
JP2888427B2 (ja) | 光磁気記録媒体の記録再生方法 | |
JPH05198015A (ja) | 光ディスク | |
JPS6370945A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS6369048A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS5963039A (ja) | 情報記憶媒体 | |
JP2551995B2 (ja) | 光メモリ素子 | |
JPH11227334A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH0463451B2 (ja) | ||
JPS60229250A (ja) | 光デイスク | |
JPH02239447A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH02183443A (ja) | 光記録媒体 | |
JPS6369049A (ja) | 光記録媒体 | |
JPH04105821U (ja) | 情報記憶媒体 | |
JPH0766568B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH01285041A (ja) | 光メモリ媒体 | |
JP2001006216A (ja) | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 | |
JPS61265749A (ja) | 光デイスク媒体 | |
JPH09274738A (ja) | 光ディスク | |
JPH0447910B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |