JPH02217429A - メッキ方法および装置 - Google Patents
メッキ方法および装置Info
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- JPH02217429A JPH02217429A JP1038761A JP3876189A JPH02217429A JP H02217429 A JPH02217429 A JP H02217429A JP 1038761 A JP1038761 A JP 1038761A JP 3876189 A JP3876189 A JP 3876189A JP H02217429 A JPH02217429 A JP H02217429A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
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-
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D5/20—Electroplating using ultrasonics, vibrations
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[概要]
メッキ方法に係り、特に半導体装置の製造方法における
バンブ形成やメタル配線形成に用いられるメッキ方法に
関し、 メッキ中に発生する気泡が半導体基板のメッキ面に付着
することを防止し、均一なメッキ層を形成して、製造歩
留まりを高め、信頼性を向上させることができるメッキ
方法およびメッキ装:Uを提供することを目的とし、 メッキ液を介して対向する基板と陽極板とに電圧を印加
して前記基板表面にメッキを施すメッキ方法において、
前記メッキ液上方の空間を減圧状態にし、前記基板表面
に生じる気泡を上方に離脱させるように構成する。
バンブ形成やメタル配線形成に用いられるメッキ方法に
関し、 メッキ中に発生する気泡が半導体基板のメッキ面に付着
することを防止し、均一なメッキ層を形成して、製造歩
留まりを高め、信頼性を向上させることができるメッキ
方法およびメッキ装:Uを提供することを目的とし、 メッキ液を介して対向する基板と陽極板とに電圧を印加
して前記基板表面にメッキを施すメッキ方法において、
前記メッキ液上方の空間を減圧状態にし、前記基板表面
に生じる気泡を上方に離脱させるように構成する。
[産業上の利用分野]
本発明はメッキ方法に係り、特に半導体装置の製造方法
におけるバンプ形成やメタル配線形成に用いられるメッ
キ方法に関する。
におけるバンプ形成やメタル配線形成に用いられるメッ
キ方法に関する。
近年、半導体集積回路の高集積化、信顆性の向上、製造
コストの低減等が進むのに伴い、TAB(Tape A
utomated Bonding>方式のためのバン
プメッキ技術やAuメッキ配線技術が要求されている。
コストの低減等が進むのに伴い、TAB(Tape A
utomated Bonding>方式のためのバン
プメッキ技術やAuメッキ配線技術が要求されている。
そこでは、半導体基板上に、厚さが均一で表面が平坦な
メッキ層が精度良く形成される必要がある。
メッキ層が精度良く形成される必要がある。
[従来の技術]
従来のメッキ方法としては、第4図に示されるような浸
漬(Dip)方式が使用されてきた。この浸漬方式は、
メッキ槽52に貯えたメッキ液54中に、ウェーハ56
をほぼ垂直に立て、このウェーハ56のメッキされるべ
きメッキ面と対向させて陽極板58を設ける。そしてこ
れらのウェーハ56と陽極板58とをそれぞれ電圧印加
手段(図示せず)の陰4ai60と陽極62とに接続し
て所定の電圧を印加することにより、バターニングされ
たレジスト64によって覆われた場所以外のウェーハ5
6のメッキ面の露出部分に電気メッキを施すものである
。
漬(Dip)方式が使用されてきた。この浸漬方式は、
メッキ槽52に貯えたメッキ液54中に、ウェーハ56
をほぼ垂直に立て、このウェーハ56のメッキされるべ
きメッキ面と対向させて陽極板58を設ける。そしてこ
れらのウェーハ56と陽極板58とをそれぞれ電圧印加
手段(図示せず)の陰4ai60と陽極62とに接続し
て所定の電圧を印加することにより、バターニングされ
たレジスト64によって覆われた場所以外のウェーハ5
6のメッキ面の露出部分に電気メッキを施すものである
。
この浸漬方式は、方法が簡単なため容易に行なうことが
できる反面、メッキ液54中に浸漬するウェーハ56ご
とにその裏面をレジスト66等で保護する必要がある等
の理由により、メッキの自動化には余り適していない。
できる反面、メッキ液54中に浸漬するウェーハ56ご
とにその裏面をレジスト66等で保護する必要がある等
の理由により、メッキの自動化には余り適していない。
そこで第5図に示されるような噴流方式が多く用いられ
るようになってきた。この噴流方式は、メッキM172
に貯えたメッキ液74上に、ウェーハ76をメッキ面を
下向きにしてほぼ水平に置く。
るようになってきた。この噴流方式は、メッキM172
に貯えたメッキ液74上に、ウェーハ76をメッキ面を
下向きにしてほぼ水平に置く。
そして第5図(a)の矢印に示されるように、循環ポン
プ78を用いてメッキ液を循環させ、つニーハフ6のメ
ッキ面に向かって上方から下方に噴流させるものである
。陽極板80はウェーハ76のメッキ面と対向させてメ
ッキ液74中にはぼ水平に設けられている。そしてこれ
らのウェーハ76は陰極コンタクトビン82を介して電
圧印加手段(図示せず)の陰極84に接続され、他方陽
極板80はその電圧印加手段の陽、f!86に接続され
ている。そしてウェーハ76と陽極板80との間に所定
の電圧を印加し、バターニングされたレジスト88によ
って覆われた場所以外のウェーハ76のメッキ面の露出
部分に電気メッキを施すものである。
プ78を用いてメッキ液を循環させ、つニーハフ6のメ
ッキ面に向かって上方から下方に噴流させるものである
。陽極板80はウェーハ76のメッキ面と対向させてメ
ッキ液74中にはぼ水平に設けられている。そしてこれ
らのウェーハ76は陰極コンタクトビン82を介して電
圧印加手段(図示せず)の陰極84に接続され、他方陽
極板80はその電圧印加手段の陽、f!86に接続され
ている。そしてウェーハ76と陽極板80との間に所定
の電圧を印加し、バターニングされたレジスト88によ
って覆われた場所以外のウェーハ76のメッキ面の露出
部分に電気メッキを施すものである。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記第4図および第5図にそれぞれ示さ
れる従来のメッキ方法においては、メッキ中に反応上必
然的に陽極62.86側の陽極板58.80表面からは
酸素の気泡が、また陰極60.84側のウェーハ56,
76メッキ面からは水素の気泡が、それぞれ発生する。
れる従来のメッキ方法においては、メッキ中に反応上必
然的に陽極62.86側の陽極板58.80表面からは
酸素の気泡が、また陰極60.84側のウェーハ56,
76メッキ面からは水素の気泡が、それぞれ発生する。
そしてウェーハ56.76メッキ面に発生する水素の気
泡68゜90は、第4図(c)および第5図(c)のウ
ェーハ56,76の拡大図にそれぞれ示されるように、
全てがウェーハ56,76のメッキ面から離脱するので
はなく、その一定部分はウェーハ5676上にバターニ
ングされているレジスト6488間のウェーハ56.7
6メッキ面に付着したまま残留する。
泡68゜90は、第4図(c)および第5図(c)のウ
ェーハ56,76の拡大図にそれぞれ示されるように、
全てがウェーハ56,76のメッキ面から離脱するので
はなく、その一定部分はウェーハ5676上にバターニ
ングされているレジスト6488間のウェーハ56.7
6メッキ面に付着したまま残留する。
特に、例えばウェーハ上にバンプを形成する場合、従来
はレジストの厚さは薄く、そのためにメッキ層が厚くな
るにしたがってレジストパターンからはみ出してマツシ
ュルーム型バンプが形成されていたが、最近の11m化
の要求によってレジストパターンからはみ出さないスト
レートバンプが形成されるようになった。そのためにレ
ジストの厚さはバンプの高さかそれ以上に1ソ<なり、
付着した気泡はますます離脱し憎くなっている。
はレジストの厚さは薄く、そのためにメッキ層が厚くな
るにしたがってレジストパターンからはみ出してマツシ
ュルーム型バンプが形成されていたが、最近の11m化
の要求によってレジストパターンからはみ出さないスト
レートバンプが形成されるようになった。そのためにレ
ジストの厚さはバンプの高さかそれ以上に1ソ<なり、
付着した気泡はますます離脱し憎くなっている。
また、第5図に示される噴流方式の場合、レジスト88
間のウェーハ76メッキ面に付着した気泡90は、逃げ
場がないだけでなく、陽極板80表面から発生した酸素
の気泡よでも付着することがあり、いっそう深刻である
。
間のウェーハ76メッキ面に付着した気泡90は、逃げ
場がないだけでなく、陽極板80表面から発生した酸素
の気泡よでも付着することがあり、いっそう深刻である
。
そしてこの付着し残留した気泡68.90は、例えばウ
ェーハ56,76メッキ面に形成したメッキ層70.9
2のメッキ厚が部分的に不足する等のメッキ異常を招き
、半導体装置の製造歩留まりを低下させ、その信顆性を
低下させるという問題を有している。
ェーハ56,76メッキ面に形成したメッキ層70.9
2のメッキ厚が部分的に不足する等のメッキ異常を招き
、半導体装置の製造歩留まりを低下させ、その信顆性を
低下させるという問題を有している。
そこで本発明は、メッキ中に発生する気泡が半導体基板
のメッキ面に付着することを防止し、均一なメッキ層を
形成して、製造歩留まりを高め、信顆性を向上させるこ
とができるメッキ方法およびメッキ装置を提供すること
を目的とする。
のメッキ面に付着することを防止し、均一なメッキ層を
形成して、製造歩留まりを高め、信顆性を向上させるこ
とができるメッキ方法およびメッキ装置を提供すること
を目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記課題は、メッキ液を介して対向する基板と陽極板と
に電圧を印加して前記基板表面にメッキを施すメッキ方
法において、前記メッキ液上方の空間を減圧状態にし、
前記基板表面に生じる気泡を上方に離脱させることを特
徴とするメッキ方法によって達成される。
に電圧を印加して前記基板表面にメッキを施すメッキ方
法において、前記メッキ液上方の空間を減圧状態にし、
前記基板表面に生じる気泡を上方に離脱させることを特
徴とするメッキ方法によって達成される。
また上記課題は、密閉されたメッキ槽と、前記メッキ槽
に貯えられたメッキ液中に設けられた陽極板と、メッキ
さ′れるべきメッキ面が前記メッキ液を介して前記陽極
板と対向するように基板を設置する設置手段と、前記陽
極板と前記基板との間に電圧を印加する電圧印加手段と
、前記メッキ槽内の前記メッキ液上方の空間を減圧状態
にする減圧手段とを有することを特徴とするメッキ装置
によって達成される。
に貯えられたメッキ液中に設けられた陽極板と、メッキ
さ′れるべきメッキ面が前記メッキ液を介して前記陽極
板と対向するように基板を設置する設置手段と、前記陽
極板と前記基板との間に電圧を印加する電圧印加手段と
、前記メッキ槽内の前記メッキ液上方の空間を減圧状態
にする減圧手段とを有することを特徴とするメッキ装置
によって達成される。
[作 用]
本発明によれば、半導体基板のメッキ面に発生する気泡
は、メッキ液上方の空間が減圧状態になっているため、
気圧差によって、半導体基板のメッキ面から容易に離脱
して上昇する。このため、気泡の付着は大幅に減少する
。
は、メッキ液上方の空間が減圧状態になっているため、
気圧差によって、半導体基板のメッキ面から容易に離脱
して上昇する。このため、気泡の付着は大幅に減少する
。
また、気泡に超音波振動を与えることにより、気泡の離
脱はさらに促進される。
脱はさらに促進される。
さらにまた、半導体基板は陽極板より下方に位置してい
るため、陽極板表面から発生した気泡が半導体基板のメ
ッキ面に付着することもない。
るため、陽極板表面から発生した気泡が半導体基板のメ
ッキ面に付着することもない。
従って、気泡の付着によるメッキ異常の発生を防ぐこと
ができる。
ができる。
[実施例]
以下、本発明によるメッキ方法およびメッキ装置を、図
示する実施例に基づいて具体的に説明する。
示する実施例に基づいて具体的に説明する。
第1図は本発明の第1の実施例によりT A、 B方式
のためのバンプメッキを行なうメッキ装置を示す断面図
である。
のためのバンプメッキを行なうメッキ装置を示す断面図
である。
密閉されたメッキ槽2中にメッキ液4が貯えられている
。このメッキ液4中に、半導体素子を形成したウェーハ
6がほぼ垂直に立てられている。
。このメッキ液4中に、半導体素子を形成したウェーハ
6がほぼ垂直に立てられている。
このウェーハ6のメッキされるべきメッキ面は、例えば
Ti(チタン)/Pd(パラジウム)からなるバリアメ
タルが形成され、その上にバンプ形成用のレジストがバ
ターニングされている。他方ウェーハ6の裏面は、全面
にレジスト等が塗布されてメッキ液4から保護されてい
る。
Ti(チタン)/Pd(パラジウム)からなるバリアメ
タルが形成され、その上にバンプ形成用のレジストがバ
ターニングされている。他方ウェーハ6の裏面は、全面
にレジスト等が塗布されてメッキ液4から保護されてい
る。
そしてウェーハ6のメッキ面と対向して例えばptから
なる陽極板8が設けられている。これらのウェーハ6と
陽極板8とは、それぞれ電圧印加手段(図示せず)の陰
極10と陽極12とに接続されている。
なる陽極板8が設けられている。これらのウェーハ6と
陽極板8とは、それぞれ電圧印加手段(図示せず)の陰
極10と陽極12とに接続されている。
そしてメッキ槽2内のメッキ液4上方の空間14は、排
気口16を介して、真空ポンプ18に接続されている。
気口16を介して、真空ポンプ18に接続されている。
さらに、メッキ槽2の下方には、超音波発振器20が設
けられている。
けられている。
次に、動作を述べる。
いま、メッキ4!2内のメッキ液4上方の空間14は、
真空ポンプ18によって、例えば20〜100 Tor
r程度の減圧状態にされている。この状態において、電
圧印加手段によりウェーハ6と陽極板8との間に所定の
電圧を印加して、ウェーハ6のメッキ面の露出している
バリアメタル上に電気メッキを施す。このメッキ中に、
反応上必然的に陽極12flllの陽極板8表面からは
酸素の気泡が、また陰極10側のウェーハ6のメッキ面
からは水素の気泡が、それぞれ発生ずる。
真空ポンプ18によって、例えば20〜100 Tor
r程度の減圧状態にされている。この状態において、電
圧印加手段によりウェーハ6と陽極板8との間に所定の
電圧を印加して、ウェーハ6のメッキ面の露出している
バリアメタル上に電気メッキを施す。このメッキ中に、
反応上必然的に陽極12flllの陽極板8表面からは
酸素の気泡が、また陰極10側のウェーハ6のメッキ面
からは水素の気泡が、それぞれ発生ずる。
そしてこれらの気泡は、メンキ液4上方の空間14が減
圧状態になっているため、気圧差によって、容易に離脱
し上昇していく。
圧状態になっているため、気圧差によって、容易に離脱
し上昇していく。
また、超音波発振器20によってウェーハ6のメッキ面
に発生する水素の気泡に超音波振動を与えることにより
、気泡のウェーハ6のメッキ面からの離脱はさらに促進
される。
に発生する水素の気泡に超音波振動を与えることにより
、気泡のウェーハ6のメッキ面からの離脱はさらに促進
される。
このように第1の実施例によれば、メッキ中にウェーハ
6のメッキ面に発生する気泡は、ウェーハ6のメッキ面
から容易に離脱して上昇していくため、ウェーハ6のメ
ッキ面への気泡の付着を大幅に減少させることができる
。これにより、メッキ異常を防ぎ、ウェーハ6の所定の
位置に厚さの均一なバンプを形成することができ、従っ
て製造歩留まりを高め、信頼性を向上させることができ
る。
6のメッキ面に発生する気泡は、ウェーハ6のメッキ面
から容易に離脱して上昇していくため、ウェーハ6のメ
ッキ面への気泡の付着を大幅に減少させることができる
。これにより、メッキ異常を防ぎ、ウェーハ6の所定の
位置に厚さの均一なバンプを形成することができ、従っ
て製造歩留まりを高め、信頼性を向上させることができ
る。
第2図は本発明の第2の実施例によるメッキ装置を示す
断面図である。
断面図である。
第2図においては、上記第1の実施例と同様にして、密
閉されたメッキ槽2、このメッキ槽2に貯えられたメッ
キ液4、真空ポンプ18によって例えば20〜100
Torr程度の減圧状態にされているメッキ槽2内のメ
ッキ液4上方の空間14、ウェーハ6および陽極板8と
それぞれ接続されている電圧印加手段(図示せず)の陰
極10と陽極12、そして超音波発振器20がそれぞれ
設けられている。
閉されたメッキ槽2、このメッキ槽2に貯えられたメッ
キ液4、真空ポンプ18によって例えば20〜100
Torr程度の減圧状態にされているメッキ槽2内のメ
ッキ液4上方の空間14、ウェーハ6および陽極板8と
それぞれ接続されている電圧印加手段(図示せず)の陰
極10と陽極12、そして超音波発振器20がそれぞれ
設けられている。
そして上記第1の実施例と異なる点は、メッキ液4中に
浸漬されているウェーハ6および陽極板8の配置である
。すなわち、ウェーハ6がそのメッキされるべきメッキ
面を上向きにしてほぼ水平にして設置され、このウェー
ハ6のメッキ面と対向して陽極板8が設けられている。
浸漬されているウェーハ6および陽極板8の配置である
。すなわち、ウェーハ6がそのメッキされるべきメッキ
面を上向きにしてほぼ水平にして設置され、このウェー
ハ6のメッキ面と対向して陽極板8が設けられている。
次に、動作を述べる。
上記第1の実施例と同様にして、真空ポンプ18により
メッキ槽2内のメッキ液4上方の空間14が減圧状態に
されている状態において、電圧印加手段によりウェーハ
6と陽、陶板8との間に所定の電圧を印加して、ウェー
ハ6のメッキ面に電気メッキを施す、そしてこのメッキ
中に、陽極板8表面およびウェーハ6メy’r面から発
生ずる酸素および水素の気泡は、メッキン覆4上方の空
間14が減圧状態になっていることにより、容易に離脱
し上昇していく。
メッキ槽2内のメッキ液4上方の空間14が減圧状態に
されている状態において、電圧印加手段によりウェーハ
6と陽、陶板8との間に所定の電圧を印加して、ウェー
ハ6のメッキ面に電気メッキを施す、そしてこのメッキ
中に、陽極板8表面およびウェーハ6メy’r面から発
生ずる酸素および水素の気泡は、メッキン覆4上方の空
間14が減圧状態になっていることにより、容易に離脱
し上昇していく。
それに加えて、第2の実施例においては、ウェーハ6が
そのメッキ面を上向きにして設置されていることにより
、上方に気泡の上昇を妨げるものがないため、ウェーハ
6メッキ面に発生する気泡は、いっそう容易にウェーハ
6メッキ面から離脱し上昇していく。
そのメッキ面を上向きにして設置されていることにより
、上方に気泡の上昇を妨げるものがないため、ウェーハ
6メッキ面に発生する気泡は、いっそう容易にウェーハ
6メッキ面から離脱し上昇していく。
このとき、ウェーハ6は陽極板8より下方に位置してい
るため、陽極板8表面から発生した酸素の気泡がウェー
ハ6のメッキ面に付着することもない。
るため、陽極板8表面から発生した酸素の気泡がウェー
ハ6のメッキ面に付着することもない。
このように第2の実施例によれば、メッキ中にウェーハ
6メッキ面に発生する気泡は、ウェーハ6メッキ面から
いっそう容易に離脱することができる。これにより、メ
ッキ異常を防ぎ、ウェーハ6の所定の位置に厚さの均一
なバンプを形成することができ、従って製造歩留まりを
高め、信頼性を向上させることができる。
6メッキ面に発生する気泡は、ウェーハ6メッキ面から
いっそう容易に離脱することができる。これにより、メ
ッキ異常を防ぎ、ウェーハ6の所定の位置に厚さの均一
なバンプを形成することができ、従って製造歩留まりを
高め、信頼性を向上させることができる。
次に、第3図を用いて、本発明の第3の実施例を説明す
る。
る。
上記第5図に示される従来のメッキ装置に本発明を適用
しようとしても、その構造上、メッキ槽内のメッキ液上
方に減圧状態にすべき閉空間を設けることができない、
そこで本発明者は、第3図に示されるような構造を有す
るメッキ装置を作製してメッキを行なった。
しようとしても、その構造上、メッキ槽内のメッキ液上
方に減圧状態にすべき閉空間を設けることができない、
そこで本発明者は、第3図に示されるような構造を有す
るメッキ装置を作製してメッキを行なった。
第3図は本発明の第3の実施例によるメッキ装置を示す
断面図である。
断面図である。
メッキ槽22中にメツ−1i−液24が貯えられている
。このメッキ槽22底面に、ウェーハ設置手段(図示せ
ず)によって、ウェーハ26がメッキされるべきメッキ
面を上向きにしてほぼ水平に設置されている。すなわち
、ウェーハ26がメッキ槽22底面をなしており、その
ウェーハ26のメッキ面側がメッキ液24に露呈されて
いる。
。このメッキ槽22底面に、ウェーハ設置手段(図示せ
ず)によって、ウェーハ26がメッキされるべきメッキ
面を上向きにしてほぼ水平に設置されている。すなわち
、ウェーハ26がメッキ槽22底面をなしており、その
ウェーハ26のメッキ面側がメッキ液24に露呈されて
いる。
また、ウェーハ26上方のメッキ液24中に、ウェーハ
26メッキ面と対向して陽極板28が設けられている。
26メッキ面と対向して陽極板28が設けられている。
そしてウェーハ26メッキ面には陰極コンタクトピン3
0が接続され、この陰極コンタクトビン30は電圧印加
手段(図示せず)の陰極32に接続されている。他方、
陽極板28はその電圧印加手段の陽極34に接続されて
いる。
0が接続され、この陰極コンタクトビン30は電圧印加
手段(図示せず)の陰極32に接続されている。他方、
陽極板28はその電圧印加手段の陽極34に接続されて
いる。
そしてメッキ液循環手段として循環ポンプ36が設置さ
れ、メッキ液24をメッキ槽22下部に設けた出口38
から流出させ、そのメッキ液24を再びメッキ槽22上
部に設けた入口40から流入させて、循環するようにな
っている。
れ、メッキ液24をメッキ槽22下部に設けた出口38
から流出させ、そのメッキ液24を再びメッキ槽22上
部に設けた入口40から流入させて、循環するようにな
っている。
そしてメッキ槽22内のメッキ液24上方の空間42は
、排気口44を介して、真空ポンプ46に接続され、さ
らにメッキ槽22の下方には、超音波発振器48が設け
られている。
、排気口44を介して、真空ポンプ46に接続され、さ
らにメッキ槽22の下方には、超音波発振器48が設け
られている。
次に、動作を述べる。
循環ポンプ36によってメッキWJ22下部の出口38
から流出したメッキ液24は、第3図の矢印に示される
ように、再びメッキ液24上方の入口110から流入し
て、メッキ槽22内でウェーハ26メッキ面に向かって
上方から下方に噴流している。また、メッキ槽22内の
メッキ液24上方の空間42は、真空ポンプ46によっ
て、例えば20〜100 Torr程度の減圧状態にさ
れている。
から流出したメッキ液24は、第3図の矢印に示される
ように、再びメッキ液24上方の入口110から流入し
て、メッキ槽22内でウェーハ26メッキ面に向かって
上方から下方に噴流している。また、メッキ槽22内の
メッキ液24上方の空間42は、真空ポンプ46によっ
て、例えば20〜100 Torr程度の減圧状態にさ
れている。
この状態において、電圧印加手段によってウェーハ26
と陽極板28との間に所定の電圧を印加して、ウェーハ
26メッキ面に電気メッキを施す。
と陽極板28との間に所定の電圧を印加して、ウェーハ
26メッキ面に電気メッキを施す。
このメッキ中には、反応上必然的に陽極34側の陽極板
28表面からは酸素の気泡が、また陰極3211!!I
のウェーハ26メッキ面からは水素の気泡が、それぞれ
発生ずる。
28表面からは酸素の気泡が、また陰極3211!!I
のウェーハ26メッキ面からは水素の気泡が、それぞれ
発生ずる。
そして上記第2の実施例と同様にして、ウェーハ26の
メッキ面に発生ずる気泡は、メッキ液24上方の空間4
2が減圧状態になっているため、気圧差によって、容易
に離脱し上昇していき、またその上方に気泡46の上昇
を妨げるものがないため、ウェーハ26メッキ面からの
離脱はさらに容易になり、また超音波発振器48によっ
てつ工−ハ26メッキ面の気泡に超音波振動を与えるこ
とにより、気泡の離脱はさらに促進され、さらにまたウ
ェーハ26は陽極板28よりも下方に位置しているため
、陽極板28表面から発生した酸素の気泡がウェーハ2
6のメッキ面に付着することもない。
メッキ面に発生ずる気泡は、メッキ液24上方の空間4
2が減圧状態になっているため、気圧差によって、容易
に離脱し上昇していき、またその上方に気泡46の上昇
を妨げるものがないため、ウェーハ26メッキ面からの
離脱はさらに容易になり、また超音波発振器48によっ
てつ工−ハ26メッキ面の気泡に超音波振動を与えるこ
とにより、気泡の離脱はさらに促進され、さらにまたウ
ェーハ26は陽極板28よりも下方に位置しているため
、陽極板28表面から発生した酸素の気泡がウェーハ2
6のメッキ面に付着することもない。
このように第3の実施例によれば、上記第2の実施例と
同様にして、メッキ中にウェーハ26のメッキ面に発生
ずる気泡46はそのメッキ面から容易に離脱するため、
気泡の付着を防止することができる。これにより、メツ
、Ii−異常を防ぎ、つ工−ハ26の所定の位置に厚さ
の均一なバンプを形成することができ、従って製造歩留
まりを高め、信顆性を向上させることができる。
同様にして、メッキ中にウェーハ26のメッキ面に発生
ずる気泡46はそのメッキ面から容易に離脱するため、
気泡の付着を防止することができる。これにより、メツ
、Ii−異常を防ぎ、つ工−ハ26の所定の位置に厚さ
の均一なバンプを形成することができ、従って製造歩留
まりを高め、信顆性を向上させることができる。
また、従来の浸漬方式の利点を引き継ぎ、メッキの自動
化をはかることができ、生産性を向上することができる
。
化をはかることができ、生産性を向上することができる
。
なお、上記第1乃至第3の実施例においては、TAB方
式のためのバンプメッキについて説明したが、バンプに
限らず、例えばAu等の金属配線のためのメッキに用い
ることもできる。
式のためのバンプメッキについて説明したが、バンプに
限らず、例えばAu等の金属配線のためのメッキに用い
ることもできる。
また、上記第1乃至第3の実施例において、メッキff
12.22内のメツ−1?JE4,24上方の空間14
.42は、20〜100Torr程度に減圧されている
が、この値はメツ−1?t4,24の粘度等によって変
更される。
12.22内のメツ−1?JE4,24上方の空間14
.42は、20〜100Torr程度に減圧されている
が、この値はメツ−1?t4,24の粘度等によって変
更される。
また、上記第3の実施例においては、ウェーハ26はそ
のメッキ面に接続された陰極コンタクトビン30を介し
て電圧印加手段の陰極32に接続されているが、ウェー
ハ26に形成された素子の種類によっては、ウェーハ2
6裏面を直接に電圧印加手段の陰極36に接続してもよ
い。
のメッキ面に接続された陰極コンタクトビン30を介し
て電圧印加手段の陰極32に接続されているが、ウェー
ハ26に形成された素子の種類によっては、ウェーハ2
6裏面を直接に電圧印加手段の陰極36に接続してもよ
い。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、メy’r液を介して対向
する基板と陽極板とに電圧を印加して基板表面にメッキ
を施すメッキ方法において、メッキ液上方の空間を減圧
状態にし、基板表面に生じる気泡を上方に離脱させるこ
とにより、メッキ中に発生する気泡が基板のメッキ面に
付着することを防止してメッキ異常を防ぎ、均一なメッ
キ層を形成することができる。これによって、製造歩留
まりを高め、信顆性を向上させることができる。
する基板と陽極板とに電圧を印加して基板表面にメッキ
を施すメッキ方法において、メッキ液上方の空間を減圧
状態にし、基板表面に生じる気泡を上方に離脱させるこ
とにより、メッキ中に発生する気泡が基板のメッキ面に
付着することを防止してメッキ異常を防ぎ、均一なメッ
キ層を形成することができる。これによって、製造歩留
まりを高め、信顆性を向上させることができる。
第1図は本発明の第1の実施例によるメッキ装置を示す
断面図、 第2図は本発明の第2の実施例によるメッキ装置を示す
断面図、 第3図は本発明の第3の実施例によるメッキ装置を示す
断面図、 第4図および第5図はそれぞれ従来のメッキ方法の説明
図である。 30.82・・・・・・陰・蜘コンタクトピン、36.
78・・・・・・循環ポンプ、 38・・・・・・出口、 4o・・・・・・入口、 64.66.88・・・・・・レジスト、68.90・
・・・・・気泡、 70.90・・・・・・メッキ層。 図において、 2.22,52.72・・・・・・メッキ槽、4.24
,54.74・・・・・・メッキ液、6.26,56.
76・・・・・・ウェーハ、8.28,58.80・・
・・・・陽極板、10.32,60.84・・・・・・
陰極、12.34,62.86・・・・・・陽極、14
.42・・・・・・空間、 16.44・・・・・・排気口、 18.46・・・・・・真空ポンプ、 20.48・・・・・・超音波発振器、第3図 第4図
断面図、 第2図は本発明の第2の実施例によるメッキ装置を示す
断面図、 第3図は本発明の第3の実施例によるメッキ装置を示す
断面図、 第4図および第5図はそれぞれ従来のメッキ方法の説明
図である。 30.82・・・・・・陰・蜘コンタクトピン、36.
78・・・・・・循環ポンプ、 38・・・・・・出口、 4o・・・・・・入口、 64.66.88・・・・・・レジスト、68.90・
・・・・・気泡、 70.90・・・・・・メッキ層。 図において、 2.22,52.72・・・・・・メッキ槽、4.24
,54.74・・・・・・メッキ液、6.26,56.
76・・・・・・ウェーハ、8.28,58.80・・
・・・・陽極板、10.32,60.84・・・・・・
陰極、12.34,62.86・・・・・・陽極、14
.42・・・・・・空間、 16.44・・・・・・排気口、 18.46・・・・・・真空ポンプ、 20.48・・・・・・超音波発振器、第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、メッキ液を介して対向する基板と陽極板とに電圧を
印加して前記基板表面にメッキを施すメッキ方法におい
て、 前記メッキ液上方の空間を減圧状態にし、前記基板表面
に生じる気泡を上方に離脱させる ことを特徴とするメッキ方法。 2、密閉されたメッキ槽と、 前記メッキ槽に貯えられたメッキ液中に設けられた陽極
板と、 メッキされるべきメッキ面が前記メッキ液を介して前記
陽極板と対向するように基板を設置する設置手段と、 前記陽極板と前記基板との間に電圧を印加する電圧印加
手段と、 前記メッキ槽内の前記メッキ液上方の空間を減圧状態に
する減圧手段と を有することを特徴とするメッキ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1038761A JPH02217429A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | メッキ方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1038761A JPH02217429A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | メッキ方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02217429A true JPH02217429A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12534268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1038761A Pending JPH02217429A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | メッキ方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02217429A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0978300A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-25 | Kondo:Kk | めっき又は洗浄用処理装置 |
KR20030026875A (ko) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 집적회로, 그 제조방법 및 제조장치 |
JP2009242868A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Toshiba Corp | めっき装置、めっき方法、および電子デバイスの製造方法 |
JP2012506496A (ja) * | 2008-10-22 | 2012-03-15 | エントン インコーポレイテッド | 硬質クロム層のガルバニー電気沈着をするための方法 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1038761A patent/JPH02217429A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0978300A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-25 | Kondo:Kk | めっき又は洗浄用処理装置 |
JP2789317B2 (ja) * | 1995-09-14 | 1998-08-20 | 株式会社コンドウ | めっき又は洗浄用処理装置 |
KR20030026875A (ko) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | 샤프 가부시키가이샤 | 반도체 집적회로, 그 제조방법 및 제조장치 |
JP2009242868A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Toshiba Corp | めっき装置、めっき方法、および電子デバイスの製造方法 |
JP2012506496A (ja) * | 2008-10-22 | 2012-03-15 | エントン インコーポレイテッド | 硬質クロム層のガルバニー電気沈着をするための方法 |
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