JP2593638Y2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2593638Y2 JP2593638Y2 JP1992057745U JP5774592U JP2593638Y2 JP 2593638 Y2 JP2593638 Y2 JP 2593638Y2 JP 1992057745 U JP1992057745 U JP 1992057745U JP 5774592 U JP5774592 U JP 5774592U JP 2593638 Y2 JP2593638 Y2 JP 2593638Y2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体製造装置、より
詳細には、半導体ウェハーにバンプ電極や配線を形成し
たり、化成処理を施す場合に好適する噴流式のメッキ方
法や化成方法に用いる装置に関する。
詳細には、半導体ウェハーにバンプ電極や配線を形成し
たり、化成処理を施す場合に好適する噴流式のメッキ方
法や化成方法に用いる装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置を製造する場合、半導体ウェ
ハーに対し、メッキ処理を施したり、化成処理を施すこ
とがある。例えば、DHD(Double Heats
inkDiode)型ダイオードを製造する場合や、T
AB(Tape Automated Boundin
g)型半導体装置を製造する場合、半導体ウェハーに対
し、Ag、Au、Cu、半田等よりなる50〜60μm
程度のバンプ電極を形成している。また、Auその他の
金属により、配線を形成している。そして、このような
バンプ電極や配線を形成する場合、一般に図7に示す噴
流式のメッキ装置aが用いられている。具体的には、図
7のようにメッキ液bを底面の中央から導入し上方から
オーバーフローさせる噴流式のメッキ槽cと;このメッ
キ槽c内に配設された下部電極dと;メッキ槽cの上部
にメッキ槽cの上端から若干突出するように配設され、
半導体ウェハーwをその被処理面を下にして保持する複
数の陰極ピンを用いた上部電極eとを有し;半導体ウェ
ハーwの被処理面にメッキ液bを噴流させながら上下電
極e、d間に電流を流して半導体ウェハーwにメッキ処
理を施すものがある。
ハーに対し、メッキ処理を施したり、化成処理を施すこ
とがある。例えば、DHD(Double Heats
inkDiode)型ダイオードを製造する場合や、T
AB(Tape Automated Boundin
g)型半導体装置を製造する場合、半導体ウェハーに対
し、Ag、Au、Cu、半田等よりなる50〜60μm
程度のバンプ電極を形成している。また、Auその他の
金属により、配線を形成している。そして、このような
バンプ電極や配線を形成する場合、一般に図7に示す噴
流式のメッキ装置aが用いられている。具体的には、図
7のようにメッキ液bを底面の中央から導入し上方から
オーバーフローさせる噴流式のメッキ槽cと;このメッ
キ槽c内に配設された下部電極dと;メッキ槽cの上部
にメッキ槽cの上端から若干突出するように配設され、
半導体ウェハーwをその被処理面を下にして保持する複
数の陰極ピンを用いた上部電極eとを有し;半導体ウェ
ハーwの被処理面にメッキ液bを噴流させながら上下電
極e、d間に電流を流して半導体ウェハーwにメッキ処
理を施すものがある。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】しかし、従来のメッキ
装置aにあっては、図7の如く上部電極eが、メッキ液
b内に浸漬されているので、上方からオーバーフローさ
せながら半導体ウェハーwにバンブ電極や配線が形成さ
れると同時に、半導体ウェハーwを経由しないで、直接
上部電極eに電流が流れ、上部電極eもメッキされる。
このため、上部電極eに付着した析出金属と、半導体ウ
ェハーwに付着した析出金属とが接続一体化して、半導
体ウェハーwが上部電極eから取れないことがあり、無
理に取ろうとすると、半導体ウェハーwが破損すること
があった。特に、シンコンよりも機械的強度が格段に小
さいGaAs等の化合物半導体ウェハーにおいては破損
しやすかった。のみならず、一般に、上部電極eと半導
体ウェハーwの下地金属との材質が相違しているので、
両者の電解電圧が異なり、しかも、上部電極eの総面積
が、半導体ウェハーwの総被メッキ面積に対して無視で
きないため、メッキ条件の設定が非常に困難であった。
更には、上部電極eに付着したAg、Au等の析出金属
の除去が必要となり、装置の稼働率が低下するといっ
た、各種の問題点がある。
装置aにあっては、図7の如く上部電極eが、メッキ液
b内に浸漬されているので、上方からオーバーフローさ
せながら半導体ウェハーwにバンブ電極や配線が形成さ
れると同時に、半導体ウェハーwを経由しないで、直接
上部電極eに電流が流れ、上部電極eもメッキされる。
このため、上部電極eに付着した析出金属と、半導体ウ
ェハーwに付着した析出金属とが接続一体化して、半導
体ウェハーwが上部電極eから取れないことがあり、無
理に取ろうとすると、半導体ウェハーwが破損すること
があった。特に、シンコンよりも機械的強度が格段に小
さいGaAs等の化合物半導体ウェハーにおいては破損
しやすかった。のみならず、一般に、上部電極eと半導
体ウェハーwの下地金属との材質が相違しているので、
両者の電解電圧が異なり、しかも、上部電極eの総面積
が、半導体ウェハーwの総被メッキ面積に対して無視で
きないため、メッキ条件の設定が非常に困難であった。
更には、上部電極eに付着したAg、Au等の析出金属
の除去が必要となり、装置の稼働率が低下するといっ
た、各種の問題点がある。
【0004】そこで、本考案は、上部電極がメッキされ
ることなく上記問題点を完全に解消することができる半
導体製造装置を提供することを目的としている。
ることなく上記問題点を完全に解消することができる半
導体製造装置を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解法するための手段】上記目的を達成するため
に、本考案の半導体製造装置は、上方を開放した処理槽
の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして保持
し、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流させなが
ら上下電極間に電流を流して半導体ウェハーに メッキ、
化成等の処理を施す半導体製造装置において、略環状の
保護部材本体表面に支持用突部を周設したシリコンゴム
又はテフロン又はゴム又は合成樹脂よりなる保護部材を
用い、半導体ウエハーの被処理面の周囲端部を残して保
護部材の支持用突部にて支持し、該周囲端部に上部電極
を接続し、保護部材の支持用突部にて処理液が上部電極
に接触するのを防止したことを特徴とするものである。
に、本考案の半導体製造装置は、上方を開放した処理槽
の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして保持
し、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流させなが
ら上下電極間に電流を流して半導体ウェハーに メッキ、
化成等の処理を施す半導体製造装置において、略環状の
保護部材本体表面に支持用突部を周設したシリコンゴム
又はテフロン又はゴム又は合成樹脂よりなる保護部材を
用い、半導体ウエハーの被処理面の周囲端部を残して保
護部材の支持用突部にて支持し、該周囲端部に上部電極
を接続し、保護部材の支持用突部にて処理液が上部電極
に接触するのを防止したことを特徴とするものである。
【0006】
【作用】以上の如く本考案の半導体製造装置によれば、
上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被
処理面を下にして保持し、半導体ウェハーの被処理面の
周囲端部を残して保護部材の支持用突部にて処理液が上
部電極に接触するのを防止した状態で、半導体ウェハー
の被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電流
を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す
ので、半導体ウェハーの被処理面の周囲端部全体が、処
理液と接触することがないのである。更に、例えば半導
体ウェハーの被処理面の背面側から特に支持用突部の箇
所を蓋体にて押さえることにより、支持用突部とウェハ
ーの被処理面が密着して処理液が侵入するのを確実に防
止することができる。
上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被
処理面を下にして保持し、半導体ウェハーの被処理面の
周囲端部を残して保護部材の支持用突部にて処理液が上
部電極に接触するのを防止した状態で、半導体ウェハー
の被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電流
を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す
ので、半導体ウェハーの被処理面の周囲端部全体が、処
理液と接触することがないのである。更に、例えば半導
体ウェハーの被処理面の背面側から特に支持用突部の箇
所を蓋体にて押さえることにより、支持用突部とウェハ
ーの被処理面が密着して処理液が侵入するのを確実に防
止することができる。
【0007】
【実施例】本考案の詳細を更に図示した実施例により説
明する。図1から図4に示す半導体製造装置は、本考案
の第1実施例のものである。半導体製造装置Aは、処理
槽1、下部電極2、上部電極3、該上部電極3が処理液
Sに接触するのを防止するための保護部材4、蓋体5、
制御手段6で構成されている。
明する。図1から図4に示す半導体製造装置は、本考案
の第1実施例のものである。半導体製造装置Aは、処理
槽1、下部電極2、上部電極3、該上部電極3が処理液
Sに接触するのを防止するための保護部材4、蓋体5、
制御手段6で構成されている。
【0008】 まず、処理槽1は、図2の如くポリプロピ
レン等の樹脂よりなる上方を開放した容器である。
レン等の樹脂よりなる上方を開放した容器である。
【0009】 下部電極2は、図2及び図3の如く前記処
理槽1内に配設されているメッシュ状のものであり、即
ち陽極である。
理槽1内に配設されているメッシュ状のものであり、即
ち陽極である。
【0010】 そして、図4のように前記処理槽1開口面
に、段部7を設けて開口端8と支持面9を形成し、そし
て全体が略環状であり且つ断面L形状として下面10、
側面11、上面12を有する支持台13を、この開口端
8と支持面9との間に隙間14を有するように離間して
設置し、略環状シート材である保護部材本体15表面の
端部に先端の尖った支持用突部16を突設した例えばシ
リコンゴムよりなる保護部材4を前記支持台13の下面
10に載置し、この保護部材4の上に押さえ部材17を
位置させ、取付ボルト18の先端を押さえ部材17、保
護部材4に貫通するとともに、支持台13及び処理槽1
の支持面9に螺合して取り付けることにより、この取付
ボルト18により処理槽1と支持台13の隙間14の距
離を調整可能としている。更に、図4の如く保護部材4
の支持用突部16上に被処理面の周囲端部を残して半導
体ウェハーWを載置し、押さえ部材17の3箇所に切欠
部19を設け、連結片20から反対方向に直角に下片2
1、上片22をそれぞれ延設した陰極である上部電極3
の一部の上部電極板23を、下片21先端を前記保護部
材4の支持用突部16と距離をあけて通路24を形成し
た状態で、図4のように保護部材4及び支持台13の側
面11、上面12に当接するように取り付け、図2及び
図4の如く半導体ウェハーW被処理面の背面を押さえる
押圧面25を有する押圧部26を突出させた蓋体本体2
7に上部電極3の電極ピン28を等間隔に3個設け、上
部電極板23の上片22に該電極ピン28先端を当接さ
せて接続している。加えて、押さえ部材17における蓋
体5側の面にテーパー部29を設け、図3に示すように
純水の供給管30及び排出管31を設置している。ま
た、図3中32は、下部電極2に接続するための下部電
極板である。また、図4においては、上部電極板23の
先端を半導体ウェハーWの被処理面に接続しているが、
半導体ウェハーW被処理面の背面に接続することも可能
である。
に、段部7を設けて開口端8と支持面9を形成し、そし
て全体が略環状であり且つ断面L形状として下面10、
側面11、上面12を有する支持台13を、この開口端
8と支持面9との間に隙間14を有するように離間して
設置し、略環状シート材である保護部材本体15表面の
端部に先端の尖った支持用突部16を突設した例えばシ
リコンゴムよりなる保護部材4を前記支持台13の下面
10に載置し、この保護部材4の上に押さえ部材17を
位置させ、取付ボルト18の先端を押さえ部材17、保
護部材4に貫通するとともに、支持台13及び処理槽1
の支持面9に螺合して取り付けることにより、この取付
ボルト18により処理槽1と支持台13の隙間14の距
離を調整可能としている。更に、図4の如く保護部材4
の支持用突部16上に被処理面の周囲端部を残して半導
体ウェハーWを載置し、押さえ部材17の3箇所に切欠
部19を設け、連結片20から反対方向に直角に下片2
1、上片22をそれぞれ延設した陰極である上部電極3
の一部の上部電極板23を、下片21先端を前記保護部
材4の支持用突部16と距離をあけて通路24を形成し
た状態で、図4のように保護部材4及び支持台13の側
面11、上面12に当接するように取り付け、図2及び
図4の如く半導体ウェハーW被処理面の背面を押さえる
押圧面25を有する押圧部26を突出させた蓋体本体2
7に上部電極3の電極ピン28を等間隔に3個設け、上
部電極板23の上片22に該電極ピン28先端を当接さ
せて接続している。加えて、押さえ部材17における蓋
体5側の面にテーパー部29を設け、図3に示すように
純水の供給管30及び排出管31を設置している。ま
た、図3中32は、下部電極2に接続するための下部電
極板である。また、図4においては、上部電極板23の
先端を半導体ウェハーWの被処理面に接続しているが、
半導体ウェハーW被処理面の背面に接続することも可能
である。
【0011】 更に、図5は、第2実施例の半導体製造装
置における保護部材の取り付け状態を示す縦断面図であ
り、上述した支持台13及び保護部材4をガラスで一体
成形することにより保護部材4とし、半導体ウェハーW
の被処理面端部を支持するように鏡面処理して保持面3
3を形成したものであってもよい。このように、保持面
33により密着して支持することにより処理液Sが侵入
するのを防止することができるのである。
置における保護部材の取り付け状態を示す縦断面図であ
り、上述した支持台13及び保護部材4をガラスで一体
成形することにより保護部材4とし、半導体ウェハーW
の被処理面端部を支持するように鏡面処理して保持面3
3を形成したものであってもよい。このように、保持面
33により密着して支持することにより処理液Sが侵入
するのを防止することができるのである。
【0012】 保護部材4の材質としては、シリコンゴム
の他にテフロン、ゴム、合成樹脂等を用いることが可能
である。
の他にテフロン、ゴム、合成樹脂等を用いることが可能
である。
【0013】 制御手段6は、処理槽1内の複数箇所より
供給されるメッキ液等の処理液Sの流量や供給時間を調
整するものである。即ち、図例の制御手段6は、図1及
び図3に示すように処理槽1の底面に、等間隔に3個或
いは複数個の供給口34・・を設け、この供給口34と
の取合管35を設け、図1の如くそれぞれの供給口34
・・への供給の途中に流量調整弁36・・を設け、この
流量調整弁36・・により処理槽1内に供給される処理
液Sの流量や供給時間を調整するようにしたものであ
る。
供給されるメッキ液等の処理液Sの流量や供給時間を調
整するものである。即ち、図例の制御手段6は、図1及
び図3に示すように処理槽1の底面に、等間隔に3個或
いは複数個の供給口34・・を設け、この供給口34と
の取合管35を設け、図1の如くそれぞれの供給口34
・・への供給の途中に流量調整弁36・・を設け、この
流量調整弁36・・により処理槽1内に供給される処理
液Sの流量や供給時間を調整するようにしたものであ
る。
【0014】 そして、半導体製造装置A全体は、図1に
示すように処理槽1の上方に設けた半導体ウェハーWを
その被処理面を下にして保護部材4にて保持し、処理槽
1の下方の複数箇所から処理液Sが導入され、処理槽1
の支持台13の隙間14からオーバーフローさせること
により、半導体ウェハーWの被処理面をメッキ処理又は
化成処理し、オーバーフローした処理液Sは受け容器3
7で受け、ポンプ38及びフィルター39を介して、再
び処理槽1の供給口34・・から導入されるのである。
示すように処理槽1の上方に設けた半導体ウェハーWを
その被処理面を下にして保護部材4にて保持し、処理槽
1の下方の複数箇所から処理液Sが導入され、処理槽1
の支持台13の隙間14からオーバーフローさせること
により、半導体ウェハーWの被処理面をメッキ処理又は
化成処理し、オーバーフローした処理液Sは受け容器3
7で受け、ポンプ38及びフィルター39を介して、再
び処理槽1の供給口34・・から導入されるのである。
【0015】 而して、第1実施例の半導体製造装置Aに
よれば、図2及び図4に示すように取付ボルト18によ
り処理槽1と支持台13の隙間14の距離を調整した
後、保護部材4の支持用突部16にて周囲端部を残して
半導体ウェハーWの被処理面を支持し、蓋体5を閉じて
半導体ウェハーW表面の周端を押圧部26の押圧面25
にて押し込みことにより、半導体ウェハーWの被処理面
と保護部材4の支持用突部16を密着させて、更に図3
における供給管30から純水を供給するとともに排出管
31に接続された図示しないアスピレータ等で吸引して
図4中矢印方向に純水を供給するとともに押さえ部材1
7と保護部材4の支持用突部16の間の通路24内に純
水を通過させることにより、上部電極3である上部電極
板23を処理液Sに接触させることなく、図1のように
1つの流量調整弁36を開いて処理槽1の底面に設けた
供給口34から一定時間処理液Sを供給し、次にこの流
量調整弁36を閉じて他の流量調整弁36を開いて処理
槽1の底面に設けた供給口34から一定時間処理液Sを
供給し、また同様にして他の供給口34、供給口34か
ら一定時間処理液Sを供給することにより、間欠的に半
導体ウェハーWの被処理面に処理液Sが送りこまれ、処
理槽1と支持台16の間の隙間14から処理液Sをオー
バーフローすることにより、処理液Sにより半導体ウェ
ハーWの被処理面をメッキ処理又は化成処理されるので
ある。そして、オーバーフローした処理液Sは受け容器
37で受け、ポンプ38及びフィルター39を介して、
再び処理槽1内の供給口34・・から導入されるのであ
る。また、最初の段階で、取付ボルト18により処理槽
1と支持台13の隙間14の距離を調整した後、処理液
Sにより半導体ウェハーWの被処理面をメッキ処理又は
化成処理を行っている途中に、一定時間毎に処理流量を
急激に増加させることにより、処理槽1と支持台13の
隙間14に発生する細かい泡を処理液Sと一緒にオーバ
ーフローさせることができるのである。
よれば、図2及び図4に示すように取付ボルト18によ
り処理槽1と支持台13の隙間14の距離を調整した
後、保護部材4の支持用突部16にて周囲端部を残して
半導体ウェハーWの被処理面を支持し、蓋体5を閉じて
半導体ウェハーW表面の周端を押圧部26の押圧面25
にて押し込みことにより、半導体ウェハーWの被処理面
と保護部材4の支持用突部16を密着させて、更に図3
における供給管30から純水を供給するとともに排出管
31に接続された図示しないアスピレータ等で吸引して
図4中矢印方向に純水を供給するとともに押さえ部材1
7と保護部材4の支持用突部16の間の通路24内に純
水を通過させることにより、上部電極3である上部電極
板23を処理液Sに接触させることなく、図1のように
1つの流量調整弁36を開いて処理槽1の底面に設けた
供給口34から一定時間処理液Sを供給し、次にこの流
量調整弁36を閉じて他の流量調整弁36を開いて処理
槽1の底面に設けた供給口34から一定時間処理液Sを
供給し、また同様にして他の供給口34、供給口34か
ら一定時間処理液Sを供給することにより、間欠的に半
導体ウェハーWの被処理面に処理液Sが送りこまれ、処
理槽1と支持台16の間の隙間14から処理液Sをオー
バーフローすることにより、処理液Sにより半導体ウェ
ハーWの被処理面をメッキ処理又は化成処理されるので
ある。そして、オーバーフローした処理液Sは受け容器
37で受け、ポンプ38及びフィルター39を介して、
再び処理槽1内の供給口34・・から導入されるのであ
る。また、最初の段階で、取付ボルト18により処理槽
1と支持台13の隙間14の距離を調整した後、処理液
Sにより半導体ウェハーWの被処理面をメッキ処理又は
化成処理を行っている途中に、一定時間毎に処理流量を
急激に増加させることにより、処理槽1と支持台13の
隙間14に発生する細かい泡を処理液Sと一緒にオーバ
ーフローさせることができるのである。
【0016】 このように本考案に係る実施例の半導体製
造装置Aによれば、保護部材4の支持用突部16にて周
囲端部を残して半導体ウェハーWの被処理面を支持し、
蓋体5を閉じて半導体ウェハーW表面の周端を押圧部2
6の押圧面25にて押し込みことにより、半導体ウェハ
ーWの被処理面と保護部材4の支持用突部16を密着さ
せて、更に図3における供給管30から純水を供給する
とともに排出管31に接続された図示しないアスピレー
タ等で吸引して押さえ部材17と保護部材4の支持用突
部16の間の通路24内に純水を供給することにより、
上部電極3である上部電極板23を処理液Sに接触させ
ることなく、半導体ウェハーWの被処理面をメッキ処理
又は化成処理を行うことができるので、上部電極3の上
部電極板23自体がメッキ処理又は化成処理が行われる
ことがないのである。従って、従来の半導体製造装置の
ように、半導体ウェハーWと上部電極3の上部電極板2
3が付着したり、またメッキ条件の設定が非常に困難で
あったり、更には、上部電極3の上部電極板23に付着
したAg、Au等の析出金属の除去が必要となり、装置
の稼働率が低下するといった問題点を解消することがで
きるのである。また、現在、メッキ処理又は化成処理さ
れた半導体ウェハーWを切断する時等の不都合を解消す
るために、半導体ウェハーWの被処理面の周囲端部を残
して、メッキ処理又は化成処理されたものが望まれつつ
あるが、上記した半導体製造装置Aを用いることによ
り、こうした需要にも対処することができるのである。
造装置Aによれば、保護部材4の支持用突部16にて周
囲端部を残して半導体ウェハーWの被処理面を支持し、
蓋体5を閉じて半導体ウェハーW表面の周端を押圧部2
6の押圧面25にて押し込みことにより、半導体ウェハ
ーWの被処理面と保護部材4の支持用突部16を密着さ
せて、更に図3における供給管30から純水を供給する
とともに排出管31に接続された図示しないアスピレー
タ等で吸引して押さえ部材17と保護部材4の支持用突
部16の間の通路24内に純水を供給することにより、
上部電極3である上部電極板23を処理液Sに接触させ
ることなく、半導体ウェハーWの被処理面をメッキ処理
又は化成処理を行うことができるので、上部電極3の上
部電極板23自体がメッキ処理又は化成処理が行われる
ことがないのである。従って、従来の半導体製造装置の
ように、半導体ウェハーWと上部電極3の上部電極板2
3が付着したり、またメッキ条件の設定が非常に困難で
あったり、更には、上部電極3の上部電極板23に付着
したAg、Au等の析出金属の除去が必要となり、装置
の稼働率が低下するといった問題点を解消することがで
きるのである。また、現在、メッキ処理又は化成処理さ
れた半導体ウェハーWを切断する時等の不都合を解消す
るために、半導体ウェハーWの被処理面の周囲端部を残
して、メッキ処理又は化成処理されたものが望まれつつ
あるが、上記した半導体製造装置Aを用いることによ
り、こうした需要にも対処することができるのである。
【0017】
【考案の効果】本考案は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。 請求項1記載の半導
体製造装置によれば、上方を開放した処理槽の上方に半
導体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、保護部
材の支持用突部にて処理液が上部電極に接触するのを防
止した状態で、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴
流させながら上下電極間に電流を流して半導体ウェハー
にメッキ、化成等の処理を施すので、上部電極がメッキ
処理又は化成処理されることがないのである。従って、
従来の半導体製造装置のように、半導体ウェハーと上部
電極が付着したり、またメッキ条件の設定が非常に困難
であったり、更には、上部電極に付着したAg、Au等
の析出金属の除去が必要となり、装置の稼働率が低下す
るといった問題点を解消することができるのである。更
に、半導体ウェハーの被処理面の周囲端部を残して略環
状の保護部材本体表面に支持用突部を周設した保護部材
の支持用突部にで支持して閉止するので、上部電極にて
半導体ウェハーを支持するのに比べて安定した支持を行
え、しかも半導体ウェハーの被処理面の周囲端部全体
が、処理液と接触することがないので、いずれの位置か
らも上部電極を接続させることができるので、設計上の
自由がきくのである。加えて、例えば半導体ウェハーの
被処理面の背面側から特に支持用突部の箇所を蓋体にて
押さえることにより、シリコンゴム等が持つ弾力性を有
する支持用突部とウェハーの被処理面が密着して処理液
が侵入するのを完全に防止することができる。
ので、次に記載する効果を奏する。 請求項1記載の半導
体製造装置によれば、上方を開放した処理槽の上方に半
導体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、保護部
材の支持用突部にて処理液が上部電極に接触するのを防
止した状態で、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴
流させながら上下電極間に電流を流して半導体ウェハー
にメッキ、化成等の処理を施すので、上部電極がメッキ
処理又は化成処理されることがないのである。従って、
従来の半導体製造装置のように、半導体ウェハーと上部
電極が付着したり、またメッキ条件の設定が非常に困難
であったり、更には、上部電極に付着したAg、Au等
の析出金属の除去が必要となり、装置の稼働率が低下す
るといった問題点を解消することができるのである。更
に、半導体ウェハーの被処理面の周囲端部を残して略環
状の保護部材本体表面に支持用突部を周設した保護部材
の支持用突部にで支持して閉止するので、上部電極にて
半導体ウェハーを支持するのに比べて安定した支持を行
え、しかも半導体ウェハーの被処理面の周囲端部全体
が、処理液と接触することがないので、いずれの位置か
らも上部電極を接続させることができるので、設計上の
自由がきくのである。加えて、例えば半導体ウェハーの
被処理面の背面側から特に支持用突部の箇所を蓋体にて
押さえることにより、シリコンゴム等が持つ弾力性を有
する支持用突部とウェハーの被処理面が密着して処理液
が侵入するのを完全に防止することができる。
【図1】第1実施例の半導体製造装置の原理図
【図2】同じく一部断面状態の正面図
【図3】同じく処理槽の平面図
【図4】同じく要部を示す縦断面図
【図5】第2実施例の半導体製造装置における要部を示
す縦断面図
す縦断面図
【図6】従来の半導体製造装置における一部断面状態の
正面図
正面図
A 半導体製造装置 S 処理液 W 半導体ウェハー 1 処理槽 2 下部電極 3 上部電極 4 保護部材 5 蓋体 6 制御手段 7 段部 8 開口端 9 支持面 10 下面 11 側面 12 上面 13 支持台 14 隙間 15 保護部材本体 16 支持用突部 17 押さえ部材 18 取付ボルト 19 切欠部 20 連結片 21 下片 22 上片 23 上部電極板 24 通路 25 押圧面 26 押圧部 27 蓋体本体 28 電極ピン 29 テーパー部 30 供給管 31 排出管 32 下部電極板 34 供給口 35 取合管 36 流量調整弁 37 受け容器 38 ポンプ 39 フィルター
Claims (1)
- 【請求項1】 上方を開放した処理槽の上方に半導体ウ
エハーをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハ
ーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電
流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施
す半導体製造装置において、 略環状の保護部材本体表面に支持用突部を周設したシリ
コンゴム又はテフロン又はゴム又は合成樹脂よりなる保
護部材を用い、半導体ウェハーの被処理面の周囲端部を
残して保護部材の支持用突部にて支持し、該周囲端部に
上部電極を接続し、保護部材の支持用突部にて処理液が
上部電極に接触するのを防止したことを特徴とする半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992057745U JP2593638Y2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992057745U JP2593638Y2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0613137U JPH0613137U (ja) | 1994-02-18 |
JP2593638Y2 true JP2593638Y2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=13064447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1992057745U Expired - Lifetime JP2593638Y2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2593638Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2005480C2 (nl) * | 2010-10-07 | 2012-04-11 | Meco Equip Eng | Inrichting voor het eenzijdig elektrolytisch behandelen van een vlak substraat. |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP1992057745U patent/JP2593638Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0613137U (ja) | 1994-02-18 |
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