JPS6366414B2 - - Google Patents
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- JPS6366414B2 JPS6366414B2 JP14559881A JP14559881A JPS6366414B2 JP S6366414 B2 JPS6366414 B2 JP S6366414B2 JP 14559881 A JP14559881 A JP 14559881A JP 14559881 A JP14559881 A JP 14559881A JP S6366414 B2 JPS6366414 B2 JP S6366414B2
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- JP
- Japan
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- etching
- solution
- mixture
- present
- semiconductor crystal
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、InP半導体結晶のエツチング方法の
改良に関する。
改良に関する。
近時、各種の半導体素子にGaP、GaAsおよび
InP等の−族化合物半導体が用いられてい
る。これらの化合物半導体はSiやGe等の族半
導体にない特殊な性質を有し、高速デバイス、セ
ンサデバイスおよび光デバイス等に極めて有効な
ものである。そして最近、上記した各種デバイス
の高性能化に伴いデバイス構造が複雑な形状を有
するようになり、それら形状の形成プロセス技
術、特にエツチングによる微細パターン形成技術
が要求されるに至つている。
InP等の−族化合物半導体が用いられてい
る。これらの化合物半導体はSiやGe等の族半
導体にない特殊な性質を有し、高速デバイス、セ
ンサデバイスおよび光デバイス等に極めて有効な
ものである。そして最近、上記した各種デバイス
の高性能化に伴いデバイス構造が複雑な形状を有
するようになり、それら形状の形成プロセス技
術、特にエツチングによる微細パターン形成技術
が要求されるに至つている。
エツチングに必要なエツチング液は各種材料に
よつて異なるが、−族半導体、特にGaP、
GaAsおよびInP等にはBr2が有効である。また、
通常Br2はそのままでは非常に不安定であり、
CH3OH中に混入している場合が多い。Br2−
CH3OHは半導体結晶の両方位性の表われ易いエ
ツチング液であり、メサエツチングや逆メサエツ
チング等に効果がある。
よつて異なるが、−族半導体、特にGaP、
GaAsおよびInP等にはBr2が有効である。また、
通常Br2はそのままでは非常に不安定であり、
CH3OH中に混入している場合が多い。Br2−
CH3OHは半導体結晶の両方位性の表われ易いエ
ツチング液であり、メサエツチングや逆メサエツ
チング等に効果がある。
しかしながら、Br2−CH3OH混合液をエツチ
ング液として用いても、材料によつて両方位性が
表われ難い場合がある。特に、逆メサエツチング
の場合には、第１図に示す如く基板１上のウエス
ト部分２に第２図に示す如き逆メサ状のウエスト
形状が表われ難くなることがある。これは、エツ
チング形態が反応律速型ではなく、拡散律速型に
なつているためである。なお、上記問題は特に
InP半導体結晶のエツチングにおいて顕著であ
る。また、Br2−CH3OHに限らず、Br2−
C2H5OH混合液をエツチング液として用いる場合
にあつても上記と同様の問題があつた。
ング液として用いても、材料によつて両方位性が
表われ難い場合がある。特に、逆メサエツチング
の場合には、第１図に示す如く基板１上のウエス
ト部分２に第２図に示す如き逆メサ状のウエスト
形状が表われ難くなることがある。これは、エツ
チング形態が反応律速型ではなく、拡散律速型に
なつているためである。なお、上記問題は特に
InP半導体結晶のエツチングにおいて顕著であ
る。また、Br2−CH3OHに限らず、Br2−
C2H5OH混合液をエツチング液として用いる場合
にあつても上記と同様の問題があつた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、Br2−CH3OH混合液
或いはBr2−C2H5OH混合液を用いてInP半導体
結晶をエツチングするに際し、両方位に依存した
エツチング形状を得ることができ、メサエツチン
グおよび逆メサエツチングに適したInP半導体結
晶のエツチング方法を提供することにある。
その目的とするところは、Br2−CH3OH混合液
或いはBr2−C2H5OH混合液を用いてInP半導体
結晶をエツチングするに際し、両方位に依存した
エツチング形状を得ることができ、メサエツチン
グおよび逆メサエツチングに適したInP半導体結
晶のエツチング方法を提供することにある。
まず、本発明の概要を説明する。本発明者等
は、Br2−CH3OH混合液によるInP半導体結晶の
エツチングが常に反応律速型となるよう鋭意研究
を重ねた結果、上記混合液にH2Oを加えればよ
いことを見出した。さらに、Br2−C2H5OH混合
液の場合も同様であることを見出した。
は、Br2−CH3OH混合液によるInP半導体結晶の
エツチングが常に反応律速型となるよう鋭意研究
を重ねた結果、上記混合液にH2Oを加えればよ
いことを見出した。さらに、Br2−C2H5OH混合
液の場合も同様であることを見出した。
すなわち、本発明はBr2−CH3OH混合液或い
はBr2−C2H5OH混合液にH2Oを所定量加えたエ
ツチング液にて、InP半導体結晶をエツチングす
るようにした方法である。したがつて、エツチン
グ形態を反応律速型とすることができ、InP半導
体結晶をその両方位が表われ易い状態でエツチン
グすることができる。このため、メサエツチング
や逆メサエツチングを容易に行い得る等の効果を
奏する。
はBr2−C2H5OH混合液にH2Oを所定量加えたエ
ツチング液にて、InP半導体結晶をエツチングす
るようにした方法である。したがつて、エツチン
グ形態を反応律速型とすることができ、InP半導
体結晶をその両方位が表われ易い状態でエツチン
グすることができる。このため、メサエツチング
や逆メサエツチングを容易に行い得る等の効果を
奏する。
以下、本発明の詳細を図面を参照して説明す
る。
る。
本発明者等がBr2−CH3OH混合液にH2Oを所
定量加えた溶液をエツチング液として用い、InP
半導体結晶基板の（100）面上に＜110＞方向のマ
スクを付けてエツチングを行つたところ、第３図
ａ〜ｄに示すエツチング形状が得られた。ここ
で、Br2は0.2〔％）で一定とし、H2Oの量を変え
てエツチングを行つた。第３図ａはH2Oが０
〔％〕、ｂはH2Oが10〔％〕、ｃは15〔％〕、ｄは
H2Oが50〔％〕の場合である。これらから判るよ
うに、エツチングの形態が反応律速型か拡散律速
型かと云うことは、CH3OHに混合するH2Oの量
によつて決定することになる。したがつて、
H2Oの混合量を適当に定めることによつて、InP
半導体結晶基板３を逆メサ状にエツチングするこ
とが可能となる。
定量加えた溶液をエツチング液として用い、InP
半導体結晶基板の（100）面上に＜110＞方向のマ
スクを付けてエツチングを行つたところ、第３図
ａ〜ｄに示すエツチング形状が得られた。ここ
で、Br2は0.2〔％）で一定とし、H2Oの量を変え
てエツチングを行つた。第３図ａはH2Oが０
〔％〕、ｂはH2Oが10〔％〕、ｃは15〔％〕、ｄは
H2Oが50〔％〕の場合である。これらから判るよ
うに、エツチングの形態が反応律速型か拡散律速
型かと云うことは、CH3OHに混合するH2Oの量
によつて決定することになる。したがつて、
H2Oの混合量を適当に定めることによつて、InP
半導体結晶基板３を逆メサ状にエツチングするこ
とが可能となる。
また、本発明者等の実験によれば、CH3OHに
対するH2Oの体積比が15〔％〕を越えるとエツチ
ング形態が反応律速型となり、15〔％）以上にお
いては拡散律速型から反応律速型への極端な変移
は見られなかつた。さらに、CH3OHに対する
H2Oの体積比が50〔％〕以上になると、Br2の蒸
発が多くなりエツチング液の寿命が短くなること
が判つた。このことから、CH3OHに対するH2O
の体積比を15〜50〔％〕に設定すればよいのが判
る。
対するH2Oの体積比が15〔％〕を越えるとエツチ
ング形態が反応律速型となり、15〔％）以上にお
いては拡散律速型から反応律速型への極端な変移
は見られなかつた。さらに、CH3OHに対する
H2Oの体積比が50〔％〕以上になると、Br2の蒸
発が多くなりエツチング液の寿命が短くなること
が判つた。このことから、CH3OHに対するH2O
の体積比を15〜50〔％〕に設定すればよいのが判
る。
かくして本発明によれば、Br2−CH3OH混合
液にH2Oを所定量加えたエツチング液を用い、
InP半導体結晶基板３をエツチングすることによ
り、基板３の逆メサ形状を制御性良く作成するこ
とができる。
液にH2Oを所定量加えたエツチング液を用い、
InP半導体結晶基板３をエツチングすることによ
り、基板３の逆メサ形状を制御性良く作成するこ
とができる。
なお、上述した説明では逆メサ形状を作成する
例を示したが、順メサ形状の作成にも本発明を適
用できるのは勿論のことである。また、Br2−
CH3OH混合液の代りにBr2−C2H5OH混合液を
用いても同様の結果が得られた。したがつて、
InP半導体結晶をエツチングするに際し、そのエ
ツチング液としてBr2−CH3OH混合液或いはBr2
−C2H5OH混合液にH2Oを所定量加えた溶液を用
いればよいことになる。その他、本発明はその要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。
例を示したが、順メサ形状の作成にも本発明を適
用できるのは勿論のことである。また、Br2−
CH3OH混合液の代りにBr2−C2H5OH混合液を
用いても同様の結果が得られた。したがつて、
InP半導体結晶をエツチングするに際し、そのエ
ツチング液としてBr2−CH3OH混合液或いはBr2
−C2H5OH混合液にH2Oを所定量加えた溶液を用
いればよいことになる。その他、本発明はその要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。
第１図は拡散律速型のエツチング例を示す断面
図、第２図は反応律速型のエツチング例を示す断
面図、第３図ａ〜ｄは本発明の作用を説明するた
めのもので同図ａは従来方法によるエツチング例
を示す断面図、同図ｂ〜ｄは本発明方法によるエ
ツチング例を示す断面図である。 １…基板、２…ウエスト部分、３…InP半導体
結晶基板。
図、第２図は反応律速型のエツチング例を示す断
面図、第３図ａ〜ｄは本発明の作用を説明するた
めのもので同図ａは従来方法によるエツチング例
を示す断面図、同図ｂ〜ｄは本発明方法によるエ
ツチング例を示す断面図である。 １…基板、２…ウエスト部分、３…InP半導体
結晶基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Br2−CH3OH混合液或いはBr2−C2H5OH混
合液をエツチング液として用いInP半導体結晶を
エツチングするに際し、前記エツチング液に
H2OをCH3OH或いはC2H5OHに対して15〜50
〔％〕の体積比となるように加えエツチング形態
が反応律速型となるようにしたことを特徴とする
InP半導体結晶のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14559881A JPS5848424A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ＩｎΡ半導体結晶のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14559881A JPS5848424A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ＩｎΡ半導体結晶のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848424A JPS5848424A (ja) | 1983-03-22 |
| JPS6366414B2 true JPS6366414B2 (ja) | 1988-12-20 |
Family
ID=15388760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14559881A Granted JPS5848424A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ＩｎΡ半導体結晶のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848424A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60172669A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-09-06 | 株式会社トスカ | 結束バンド |
| JP2677318B2 (ja) * | 1992-09-18 | 1997-11-17 | 竹内工業 株式会社 | ケーブルタイ |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14559881A patent/JPS5848424A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5848424A (ja) | 1983-03-22 |
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