JPS6345377A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPS6345377A JPS6345377A JP18697986A JP18697986A JPS6345377A JP S6345377 A JPS6345377 A JP S6345377A JP 18697986 A JP18697986 A JP 18697986A JP 18697986 A JP18697986 A JP 18697986A JP S6345377 A JPS6345377 A JP S6345377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- film forming
- film
- reaction chamber
- circulating means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、化学的気相J&長(以下、CvDと称す)法
を利用して膜状物を形成する成膜装置に関するもので、
更に詳しくは、原料となる成膜ガスの利用効率の向上に
関するものである。
を利用して膜状物を形成する成膜装置に関するもので、
更に詳しくは、原料となる成膜ガスの利用効率の向上に
関するものである。
本発明において非成膜ガスとは、それのみでは膜形成能
を生じないガスをいう、また、成膜ガスとはエネルギー
の付与によって膜形成能を生じるガス及びち該ガスと非
成膜ガスとの混合ガスをいう。
を生じないガスをいう、また、成膜ガスとはエネルギー
の付与によって膜形成能を生じるガス及びち該ガスと非
成膜ガスとの混合ガスをいう。
[従来の技術]
従来より、この種のCVD法を用いた成膜装置としては
、プラズマ放電により成膜ガスを活性化するプラズマC
vDや、レーザーや紫外線等の光照射によって成膜ガス
を活性化する光CVD等が知られている。
、プラズマ放電により成膜ガスを活性化するプラズマC
vDや、レーザーや紫外線等の光照射によって成膜ガス
を活性化する光CVD等が知られている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、前述した成膜装置は、いずれも減圧容器
内に導入した成膜ガスや非成膜ガスを、絶えず排気系に
よって外部に排出しているので、ガスの利用効率が極め
て低いという問題点があった。
内に導入した成膜ガスや非成膜ガスを、絶えず排気系に
よって外部に排出しているので、ガスの利用効率が極め
て低いという問題点があった。
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みなされたもので
、導入される各種ガスの利用効率を向丘させた成膜装置
を提供することを目的とする。
、導入される各種ガスの利用効率を向丘させた成膜装置
を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、CVD方式の成膜装置において、その排気系
に循環に段を設けたことを特徴とする特許である。
に循環に段を設けたことを特徴とする特許である。
循環手段としては、排気路の前段に設けられるフィルタ
、純化器あるいは分a膜等の再処理器と、これらを通過
したガスをその導入口まで送り込むためのポンプ、フィ
ルタ等により構成される。
、純化器あるいは分a膜等の再処理器と、これらを通過
したガスをその導入口まで送り込むためのポンプ、フィ
ルタ等により構成される。
[作 用]
成膜装置では、生成される膜の原料となる成膜ガスを単
独で、あるいはキャリヤガスとなる非成膜ガスと組合せ
て使用している0本発明では、これらのガスのうち、成
膜反応に使用されずに排気されたガスを再び成膜用とし
て用いるようにしたものであり、このような反応成分を
循環して再利用することにより、原料の利用効率の向上
を図ることができる。
独で、あるいはキャリヤガスとなる非成膜ガスと組合せ
て使用している0本発明では、これらのガスのうち、成
膜反応に使用されずに排気されたガスを再び成膜用とし
て用いるようにしたものであり、このような反応成分を
循環して再利用することにより、原料の利用効率の向上
を図ることができる。
[実施例〕
第1図及び第2図は、いずれも本発明の実施例を示す成
膜装置の概略構成図である。
膜装置の概略構成図である。
第1図は光cvn装こに応用した場合の一例を示したも
ので、装置は、減圧容器である反応室と、この反応室内
を排気し、且つ排気されたガスを再び循環させるための
循環手段及び活性化工ネルキーをグーえるための光源部
から構成されている。
ので、装置は、減圧容器である反応室と、この反応室内
を排気し、且つ排気されたガスを再び循環させるための
循環手段及び活性化工ネルキーをグーえるための光源部
から構成されている。
反応室1内には、基体ホルダー8が設けられ、この基体
ホルダー8には被膜を堆積させるだめの基体3が取り付
けられている。なお、基体ホルダー8には、基体3を加
熱するためのヒータ(図示せず)が内設され、J&膜作
業中は一定温度に保持されている。基体3と対向する位
置には開口部が形成され、石英ガラスよりなる入射窓4
が配置されている。この入射窓4の近傍には、活性化エ
ネルギーを付与するための光源2が設けられている。こ
の光源2としては、紫外線、レーザー等の比較的エネル
ギーの大きなものが用いられる。
ホルダー8には被膜を堆積させるだめの基体3が取り付
けられている。なお、基体ホルダー8には、基体3を加
熱するためのヒータ(図示せず)が内設され、J&膜作
業中は一定温度に保持されている。基体3と対向する位
置には開口部が形成され、石英ガラスよりなる入射窓4
が配置されている。この入射窓4の近傍には、活性化エ
ネルギーを付与するための光源2が設けられている。こ
の光源2としては、紫外線、レーザー等の比較的エネル
ギーの大きなものが用いられる。
反応室1へのI12ガスの導入は、供給管9により行な
われ、排気管lOの後段には循環7段として再処理器5
、ポンプ6、フィルタ7′:gが設けられている。
われ、排気管lOの後段には循環7段として再処理器5
、ポンプ6、フィルタ7′:gが設けられている。
再処理器5は、排気されたガスに含まれている有害な成
分を除去するためのもので、フィルタ、純化器あるいは
分離膜等が用いられる。ポンプ6は再処理器5を通過し
たガスを再び反応室1内に送り込むためのもので、未反
応成分を含むガスはフィルタ7を介して反応室l内に導
入される。
分を除去するためのもので、フィルタ、純化器あるいは
分離膜等が用いられる。ポンプ6は再処理器5を通過し
たガスを再び反応室1内に送り込むためのもので、未反
応成分を含むガスはフィルタ7を介して反応室l内に導
入される。
上記構成において、あらかじめ真空に排気された反応室
1内へ供給管9より成膜ガスを導入し、光源2から光照
射を行うと、成膜ガスの分子が励起・分解され、基体3
上に被膜が堆積される。
1内へ供給管9より成膜ガスを導入し、光源2から光照
射を行うと、成膜ガスの分子が励起・分解され、基体3
上に被膜が堆積される。
ここで、内部に残留しているガスは、排気管lOからす
みやかに排出され、前述した循環手段を経由して再び反
応室1内に送り込まれる。したがって、成N作業中は供
給管9からの成膜ガスの供給量を減らしても反応室1内
のガス濃度を下げることなく成膜を行うことができる。
みやかに排出され、前述した循環手段を経由して再び反
応室1内に送り込まれる。したがって、成N作業中は供
給管9からの成膜ガスの供給量を減らしても反応室1内
のガス濃度を下げることなく成膜を行うことができる。
第2図はプラズマCVD装ごに応用した場合の一例を示
したもので、装置は、反応室と、反応室から排気された
ガスの循環手段及びプラズマを発生させる電源と電極か
ら構成されている。
したもので、装置は、反応室と、反応室から排気された
ガスの循環手段及びプラズマを発生させる電源と電極か
ら構成されている。
反応室11内には一対の電極12a、 12bが配置さ
れ、高周波電源14と接続している。また、アース側の
電極12b、hには基体13が取り付けられ、内部には
加熱用のヒータ(図示せず)が内設されている。その他
、ガスの導入部及び循環手段については、前述した光c
vn装置の場合と同様に構成となっている。
れ、高周波電源14と接続している。また、アース側の
電極12b、hには基体13が取り付けられ、内部には
加熱用のヒータ(図示せず)が内設されている。その他
、ガスの導入部及び循環手段については、前述した光c
vn装置の場合と同様に構成となっている。
このプラズマCVD装置は、あらかじめ真空に排気され
た反応室ll内へ供給管9より成膜ガス及び非成膜ガス
を導入し、電極12a、 12b間に高周波を加えてプ
ラズマ放電を起こし、このプラズマによって成膜ガスの
分子を励起・分解することによって基体13上に被膜を
堆積させるものである。
た反応室ll内へ供給管9より成膜ガス及び非成膜ガス
を導入し、電極12a、 12b間に高周波を加えてプ
ラズマ放電を起こし、このプラズマによって成膜ガスの
分子を励起・分解することによって基体13上に被膜を
堆積させるものである。
このプラズマCVD装置においても、前述した循環手段
を用いることにより、原料の利用効率を向上させること
ができる。
を用いることにより、原料の利用効率を向上させること
ができる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、反応室内から排
出された残留ガスのfI環手段を設けることにより、原
料の利用効率及び反応効率が高められ、生成物の歩留り
を向上させることができる。
出された残留ガスのfI環手段を設けることにより、原
料の利用効率及び反応効率が高められ、生成物の歩留り
を向上させることができる。
また、再処理器として分離膜を使用した場合には、非成
膜ガスの完全な再利用が可能となる。
膜ガスの完全な再利用が可能となる。
第1図及び第2図は本発明の実施例を示す説明図である
。 1.11:反応室(減圧容器)、3,13:基体、5:
再処理器、6:ポンプ、7:フィルタ。
。 1.11:反応室(減圧容器)、3,13:基体、5:
再処理器、6:ポンプ、7:フィルタ。
Claims (1)
- 1)減圧容器中に原料となるガスを導入すると共に、外
部からのエネルギー付与によってガスの分子を励起・分
解し、分解生成物の化学反応によって膜状物を形成する
成膜装置において、前記減圧容器中に導入されたガスの
循環手段を設けたことを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18697986A JPS6345377A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18697986A JPS6345377A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6345377A true JPS6345377A (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=16198075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18697986A Pending JPS6345377A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6345377A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04259378A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-09-14 | Applied Sci & Technol Inc | 再循環高速対流リアクター |
JPH04280987A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-06 | Central Glass Co Ltd | クリーニング装置 |
JPH11189877A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 回転電極を用いた薄膜形成装置 |
CN106062247A (zh) * | 2014-03-07 | 2016-10-26 | 梅耶博格(德国)股份有限公司 | 借助过程气体循环以多重等离子体进行等离子体处理的设备 |
-
1986
- 1986-08-11 JP JP18697986A patent/JPS6345377A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04259378A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-09-14 | Applied Sci & Technol Inc | 再循環高速対流リアクター |
JPH04280987A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-06 | Central Glass Co Ltd | クリーニング装置 |
JPH11189877A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 回転電極を用いた薄膜形成装置 |
CN106062247A (zh) * | 2014-03-07 | 2016-10-26 | 梅耶博格(德国)股份有限公司 | 借助过程气体循环以多重等离子体进行等离子体处理的设备 |
JP2017510716A (ja) * | 2014-03-07 | 2017-04-13 | マイヤー・ブルガー・(ジャーマニー)・アクチエンゲゼルシャフト | 複数のプラズマにおいてプロセスガスの循環によりプラズマ処理を行うための装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07107190B2 (ja) | 光化学気相成長方法 | |
US4936940A (en) | Equipment for surface treatment | |
JPS6245122A (ja) | 処理装置 | |
JPS6345377A (ja) | 成膜装置 | |
JPS62183512A (ja) | レ−ザ誘起薄膜堆積装置 | |
JPS59207621A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JPH06210287A (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法 | |
JPH0429220B2 (ja) | ||
JP2536588B2 (ja) | 分解除去装置 | |
JP2934601B2 (ja) | 真空装置、この真空装置を使用した排気方法および前記真空装置を利用した装置 | |
JPS6334780B2 (ja) | ||
JPS63317675A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
JPS6075327A (ja) | 紫外線発生装置及びそれを用いた材料処理装置 | |
JPS62205279A (ja) | レ−ザcvd法 | |
JPS63258017A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH1018042A (ja) | 薄膜作成装置 | |
JPH07122537A (ja) | 表面処理方法及び表面処理装置 | |
JPH0717146Y2 (ja) | ウエハ処理装置 | |
JPS6365077A (ja) | レ−ザcvd装置 | |
JPH06210286A (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法 | |
JPH042693A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
JPS6034012A (ja) | 固体薄膜の製造方法 | |
JPS61119028A (ja) | 光化学気相成長装置 | |
JPS6352411A (ja) | 処理方法および装置 | |
JPH09237773A (ja) | 表面処理方法および表面処理装置 |