JPS6245122A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPS6245122A JPS6245122A JP60184146A JP18414685A JPS6245122A JP S6245122 A JPS6245122 A JP S6245122A JP 60184146 A JP60184146 A JP 60184146A JP 18414685 A JP18414685 A JP 18414685A JP S6245122 A JPS6245122 A JP S6245122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- plasma
- wafer
- ultraviolet rays
- oxygen gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、処理技術、特に、ウェハに付着したフォトレ
ジストを酸化除去する技術に適用し、て有効な技術に関
する。
ジストを酸化除去する技術に適用し、て有効な技術に関
する。
たとえば、半導体装置の製造においては、ウェハの選択
的なエツチング処理後、ウェハを所定のパターンにマス
クしていた有機物などからなるフォトレジストを酸化さ
せ、ガス化して除去するため、次のようなフォトレジス
ト除去装置を使用することが考えられる。
的なエツチング処理後、ウェハを所定のパターンにマス
クしていた有機物などからなるフォトレジストを酸化さ
せ、ガス化して除去するため、次のようなフォトレジス
ト除去装置を使用することが考えられる。
すなわち、所定の処理室内に平行に対向される平板電極
間にウェハを位置させ、処理室内を所定の真空度にした
のち、酸素ガスを処理室内に供給しつつ、前記電極間に
高周波電力を印加し、酸素ガスをプラズマ化させ、酸素
によるウェハ表面に付着したフォトレジストの酸化除去
反応を促進させるものである。
間にウェハを位置させ、処理室内を所定の真空度にした
のち、酸素ガスを処理室内に供給しつつ、前記電極間に
高周波電力を印加し、酸素ガスをプラズマ化させ、酸素
によるウェハ表面に付着したフォトレジストの酸化除去
反応を促進させるものである。
しかしながら、上記のような構造の装置においては、プ
ラズマの影響などによってウェハが帯電され、処理され
るウェハが損傷される場合があるという欠点がある。
ラズマの影響などによってウェハが帯電され、処理され
るウェハが損傷される場合があるという欠点がある。
さらに、他のフォトレジスト除去装置としては、酸素ガ
スに紫外線を照射することによってウェハに付着された
フォトレジストの酸素ガスによる酸化除去反応を促進さ
せることが考えられるが、フォトレジストの除去速度が
小さく処理に比較的長時間を要するという欠点があるこ
とを本発明者は見いだした。
スに紫外線を照射することによってウェハに付着された
フォトレジストの酸素ガスによる酸化除去反応を促進さ
せることが考えられるが、フォトレジストの除去速度が
小さく処理に比較的長時間を要するという欠点があるこ
とを本発明者は見いだした。
なお、半導体装置の製造におけるウェハ処理技術につい
て説明されている文献としては、株式会社工業調査会昭
和５６年１１月ｌＯ日発行「電子材料Ｊ １９Ｂ１年別
冊、Ｐ９５〜Ｐ１０２がある。
て説明されている文献としては、株式会社工業調査会昭
和５６年１１月ｌＯ日発行「電子材料Ｊ １９Ｂ１年別
冊、Ｐ９５〜Ｐ１０２がある。
［発明の目的］
本発明の目的は、被処理物をｔ’ｆＪｒ傷することなく
、迅速に処理を行うことが可能な処理技術を提供するこ
とにある。
、迅速に処理を行うことが可能な処理技術を提供するこ
とにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
〔発明の概要コ
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
すなわち、反応容器内に位置される被処理物に供給され
る処理流体をプラズマ化することによって処理反応を促
進させる処理装置に、プラズマ化された前記処理流体お
よび被処理物に紫外線を照射する光源部が備えられる構
造とすることにより、たとえばマイクロ波エネルギによ
る処理流体のプラズマ化および処理流体への紫外線の照
射による活性化によって大きな処理反応速度が得られる
ようにするとともに、プラズマの影響などによる被処理
物の損傷が、被処理物の表面に対する紫外線の照射によ
って防止されるようにして、被処理物を用傷することな
く、迅速に処理を行うことを可能にしたものである。
る処理流体をプラズマ化することによって処理反応を促
進させる処理装置に、プラズマ化された前記処理流体お
よび被処理物に紫外線を照射する光源部が備えられる構
造とすることにより、たとえばマイクロ波エネルギによ
る処理流体のプラズマ化および処理流体への紫外線の照
射による活性化によって大きな処理反応速度が得られる
ようにするとともに、プラズマの影響などによる被処理
物の損傷が、被処理物の表面に対する紫外線の照射によ
って防止されるようにして、被処理物を用傷することな
く、迅速に処理を行うことを可能にしたものである。
［実施例］
第１図は、本発明の一実施例であるフォトレジスト除去
装置の要部を示す断面図である。
装置の要部を示す断面図である。
反応容器ｌの底部には、サセプタ２が水平に位置され、
除去されるべきフォトレジスト（図示せず）が表面に付
着されたウェハ３ （被処理物）が着脱自在に載置され
ている。
除去されるべきフォトレジスト（図示せず）が表面に付
着されたウェハ３ （被処理物）が着脱自在に載置され
ている。
一方、反応容Ｈ１の上部には、たとえば合成石英などか
ら構成され、比較的広い波長域の紫外線などに対して透
明な芯部４が形成され、さらにこの窓部４には、マグネ
トロン５から放射される所定の周波数のマイクロ波６を
反応容器１の内部に導く導波管７が接続されている。
ら構成され、比較的広い波長域の紫外線などに対して透
明な芯部４が形成され、さらにこの窓部４には、マグネ
トロン５から放射される所定の周波数のマイクロ波６を
反応容器１の内部に導く導波管７が接続されている。
この場合、前記導波管７の内部には、マグネトロン５か
ら放射されるマイクロ波６のエネルギによって放電が行
われ、比較的照度の大きな紫外線８を発生する無電極放
電管９が備えられており、発生された紫外線８は、直接
、または無電極放電管９の上部近傍に配設された反射板
１０をへて下方の窓部４を透過して反応容器１の内部に
照射されるように構成されている。
ら放射されるマイクロ波６のエネルギによって放電が行
われ、比較的照度の大きな紫外線８を発生する無電極放
電管９が備えられており、発生された紫外線８は、直接
、または無電極放電管９の上部近傍に配設された反射板
１０をへて下方の窓部４を透過して反応容器１の内部に
照射されるように構成されている。
反応容器ｌの内部には、中央部が開口され、反応容器ｌ
の内部を上下に仕切るように仕切１１が水平に設けられ
ており、反応容器１の内部に位置されたサセプタ２の上
部にプラズマ発生室１２が形成されている。
の内部を上下に仕切るように仕切１１が水平に設けられ
ており、反応容器１の内部に位置されたサセプタ２の上
部にプラズマ発生室１２が形成されている。
さらに、反応容器１の上部側面には、前記プラズマ室１
２に開口される反応ガス供給管１３が接続されており、
反応ガス供給管１３を通して所定の流量の酸素ガス１４
（処理流体）が流入されるように構成されている。
２に開口される反応ガス供給管１３が接続されており、
反応ガス供給管１３を通して所定の流量の酸素ガス１４
（処理流体）が流入されるように構成されている。
また、反応容器ｌの底部には排気管１５が接続され、真
空ポンプ（図示せず）などに接続されて反応容器１の内
部が排気されるように構成されている。
空ポンプ（図示せず）などに接続されて反応容器１の内
部が排気されるように構成されている。
以下、本実施例の作用について説明する。
まず、反応容器ｌの内部のサセプタ２の上には、除去さ
れるべきフォトレジストが付着されたウエハ３が載置さ
れる。
れるべきフォトレジストが付着されたウエハ３が載置さ
れる。
次に、排気管１５を通して反応容器１の内部の排気操作
が開始され、反応容器１の内部が所定の真空度にされる
とともに、プラズマ発生室１２の内部には反応ガス供給
管１３を通して所定の流量の酸素ガス１４が流入される
。
が開始され、反応容器１の内部が所定の真空度にされる
とともに、プラズマ発生室１２の内部には反応ガス供給
管１３を通して所定の流量の酸素ガス１４が流入される
。
そして、マグネトロン５が起動され、マグネトロン５か
ら放射されるマイクロ波６は導波管７を介して反応容器
ｌの内部に導かれ、プラズマ発生室１２に流入された酸
素ガス１４がマイクロ波６のエネルギによってプラズマ
化されるとともに、導波管７の内部に設けられた無電極
放電管９から放射される紫外線８が反応容器１の内部の
プラズマ発生室１２の内部およびウェハ３の表面に照射
され、プラズマ化された酸素ガス１４がさらに活性化さ
れ、たとえば酸素ガス１４のプラズマ化のみによるフォ
トレジスト除去処理に比較して、ウェハ３の表面に付着
したフォトレジストの酸化によるガス化が迅速に行われ
、ウェハ３の表面に付着したフォトレジストが比較的短
時間に除去されさらに、ウェハ３の表面には無電極放電
管９がら放射される紫外線８が照射されているため、プ
ラズマ化された酸素ガス１４の影響などによってウェハ
３の表面に電荷が蓄積されることが回避され、ウェハ３
の表面における電荷の蓄積などに起因するウェハ３の損
傷が防止される。
ら放射されるマイクロ波６は導波管７を介して反応容器
ｌの内部に導かれ、プラズマ発生室１２に流入された酸
素ガス１４がマイクロ波６のエネルギによってプラズマ
化されるとともに、導波管７の内部に設けられた無電極
放電管９から放射される紫外線８が反応容器１の内部の
プラズマ発生室１２の内部およびウェハ３の表面に照射
され、プラズマ化された酸素ガス１４がさらに活性化さ
れ、たとえば酸素ガス１４のプラズマ化のみによるフォ
トレジスト除去処理に比較して、ウェハ３の表面に付着
したフォトレジストの酸化によるガス化が迅速に行われ
、ウェハ３の表面に付着したフォトレジストが比較的短
時間に除去されさらに、ウェハ３の表面には無電極放電
管９がら放射される紫外線８が照射されているため、プ
ラズマ化された酸素ガス１４の影響などによってウェハ
３の表面に電荷が蓄積されることが回避され、ウェハ３
の表面における電荷の蓄積などに起因するウェハ３の損
傷が防止される。
このように、酸素ガス１４がマイクロ波６によってプラ
ズマ化されると同時に、プラズマ化された酸素ガス１４
およびウェハ３の表面に紫外線８が照射されることによ
ってウェハ３に付着したフォトレジストの除去処理が進
行される構造であるため、たとえば酸素ガス１４のプラ
ズマ化のみによるフォトレジスト除去処理に比較して、
プラズマ化された酸素ガス１４がより活性化され、フォ
トレジストの酸化による除去が迅速に行われるとともに
、ウェハ３の表面に対する紫外′ｂＡ８の照射によって
、プラズマの影響などに起因するウェハ３の表面におけ
る電荷の蓄積などが回避され、電荷の蓄積などに起因す
るウェハ３のｔ員傷が防止される。
ズマ化されると同時に、プラズマ化された酸素ガス１４
およびウェハ３の表面に紫外線８が照射されることによ
ってウェハ３に付着したフォトレジストの除去処理が進
行される構造であるため、たとえば酸素ガス１４のプラ
ズマ化のみによるフォトレジスト除去処理に比較して、
プラズマ化された酸素ガス１４がより活性化され、フォ
トレジストの酸化による除去が迅速に行われるとともに
、ウェハ３の表面に対する紫外′ｂＡ８の照射によって
、プラズマの影響などに起因するウェハ３の表面におけ
る電荷の蓄積などが回避され、電荷の蓄積などに起因す
るウェハ３のｔ員傷が防止される。
さらに、前記紫外線８が、導波管７の内部に設けられ、
マグネトロン５から放射されるマイクロ波６のエネルギ
によって動作する無電極放電管９から発生される構造で
あることにより、たとえば紫外線８を発生させるための
電力を外部から供給するだめの配線構造などが省略でき
、装置の構造が簡単化できる。
マグネトロン５から放射されるマイクロ波６のエネルギ
によって動作する無電極放電管９から発生される構造で
あることにより、たとえば紫外線８を発生させるための
電力を外部から供給するだめの配線構造などが省略でき
、装置の構造が簡単化できる。
所定の時間経過後、酸素ガス１４の供給が停止されると
ともに、マグネトロン５の動作が停止され、反応容器ｌ
の内部が大気圧に復帰された後、損傷されることなく表
面に付着したフォトレジストが除去されたウェハ３が反
応容器１の外部に取り出される。
ともに、マグネトロン５の動作が停止され、反応容器ｌ
の内部が大気圧に復帰された後、損傷されることなく表
面に付着したフォトレジストが除去されたウェハ３が反
応容器１の外部に取り出される。
上記の一連の操作を繰り返すことにより、多数のウェハ
３のフォトレジスト除去処理が、ウェハ３をｉｌｌ （
ａさせることなく迅速に行われる。
３のフォトレジスト除去処理が、ウェハ３をｉｌｌ （
ａさせることなく迅速に行われる。
本発明の他の実施例として好適なものとしては、プラズ
マエツチング装置、プラズマＣＶＤ装置がある。
マエツチング装置、プラズマＣＶＤ装置がある。
［効果］
（］）１反応容器内に位置される被処理物に供給される
処理流体をプラズマ化することによって処理を促進させ
る処理装置に、前記処理流体および被処理物に紫外線を
照射する光源部が備えられた構造であるため、たとえば
処理流体のプラズマ化のみによって処理が進行される場
合に比較して、プラズマ化された処理流体が紫外線の照
射によってより活性化され、より大きな処理速度が得ら
れるとともに、紫外線が被処理物の表面に照射されるこ
とによって、たとえばプラズマの形容などに起因する被
処理物の表面における電荷の蓄積などが回避され、被処
理物の表面における電荷のＭ積などによる損傷が回避で
き、被処理物を損傷することなく、迅速に処理を行うこ
とができる。
処理流体をプラズマ化することによって処理を促進させ
る処理装置に、前記処理流体および被処理物に紫外線を
照射する光源部が備えられた構造であるため、たとえば
処理流体のプラズマ化のみによって処理が進行される場
合に比較して、プラズマ化された処理流体が紫外線の照
射によってより活性化され、より大きな処理速度が得ら
れるとともに、紫外線が被処理物の表面に照射されるこ
とによって、たとえばプラズマの形容などに起因する被
処理物の表面における電荷の蓄積などが回避され、被処
理物の表面における電荷のＭ積などによる損傷が回避で
き、被処理物を損傷することなく、迅速に処理を行うこ
とができる。
（２）、処理流体のプラズマ化が、マイクロ波エネルギ
によって行われ、光源部が、該マイクロ波エネルギによ
って紫外線を放射する無電極放電管であることにより、
たとえば紫外線を放射させるための電力を外部から供給
するための配線構造などが省略でき、装置の構造が簡単
化できる。
によって行われ、光源部が、該マイクロ波エネルギによ
って紫外線を放射する無電極放電管であることにより、
たとえば紫外線を放射させるための電力を外部から供給
するための配線構造などが省略でき、装置の構造が簡単
化できる。
＋３）、前記ｉｌｌ、 ＋２１の結果、ウェハ処理工程
における生産性が向上される。
における生産性が向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、処理流体をプラズマ化するエネルギ源として
は、マイクロ波に限らず、高周波電力などであっても良
い。
は、マイクロ波に限らず、高周波電力などであっても良
い。
さらに、光源部としては、無電極放電管に限らず、低圧
水銀ランプなどであっても良い。
水銀ランプなどであっても良い。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハのフォトレジ
スト除去技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、たとえば、プラズマエツチ
ング技術、プラズマＣＶＤ技術などに広く適用できる。
をその背景となった利用分野であるウェハのフォトレジ
スト除去技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、たとえば、プラズマエツチ
ング技術、プラズマＣＶＤ技術などに広く適用できる。
第１図は、本発明の一実施例であるフォトレジスト除去
装置の要部を示す断面図である。 １・・・反応容器、２・・・サセプタ、３・・・ウェハ
（被処理物）、４・・・窓部、５・・・マグネトロン、
６・・・マイクロ波、７・・・導波管、８・・・紫外線
、９・・・無電極放電管（光源部）、ｌＯ・・・反射板
、１１・・・仕切、１２・・・プラズマ発生室、１３・
・・反応ガス供給管、１４・・・酸素ガス（処理流体）
、１５・・・排気管。
装置の要部を示す断面図である。 １・・・反応容器、２・・・サセプタ、３・・・ウェハ
（被処理物）、４・・・窓部、５・・・マグネトロン、
６・・・マイクロ波、７・・・導波管、８・・・紫外線
、９・・・無電極放電管（光源部）、ｌＯ・・・反射板
、１１・・・仕切、１２・・・プラズマ発生室、１３・
・・反応ガス供給管、１４・・・酸素ガス（処理流体）
、１５・・・排気管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応容器内に位置される被処理物に供給される処理
流体をプラズマ化することによって処理を促進させる処
理装置であって、前記処理流体および被処理物に紫外線
を照射する光源部が備えられてなることを特徴とする処
理装置。 ２、前記処理流体のプラズマ化が、マイクロ波エネルギ
によって行われ、前記光源部が、該マイクロ波エネルギ
によって紫外線を放射する無電極放電管であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ３、前記処理流体および前記被処理物が、それぞれ酸素
ガスおよびウェハであり、前記処理装置がフォトレジス
ト除去装置であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の処理装置。 ４、前記処理流体および前記被処理物が、それぞれ酸素
ガスおよびウェハであり、前記処理装置がプラズマエッ
チング装置であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の処理装置。 ５、前記処理流体および前記被処理物が、それぞれ酸素
ガスおよびウェハであり、前記処理物装置がプラズマＣ
ＶＤ装置であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60184146A JPS6245122A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 処理装置 |
| EP86306133A EP0212924A3 (en) | 1985-08-23 | 1986-08-08 | Plasma processing apparatus |
| KR1019860006615A KR870002747A (ko) | 1985-08-23 | 1986-08-12 | 프라자마 처리장치 |
| CN198686105186A CN86105186A (zh) | 1985-08-23 | 1986-08-22 | 等离子体处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60184146A JPS6245122A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245122A true JPS6245122A (ja) | 1987-02-27 |
Family
ID=16148169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60184146A Pending JPS6245122A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0212924A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6245122A (ja) |
| KR (1) | KR870002747A (ja) |
| CN (1) | CN86105186A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108723A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 基板表面処理装置および基板表面処理方法 |
| JPS63117424A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 基板表面処理方法 |
| JPS63120424A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 処理方法 |
| JPS63128722A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光処理方法 |
| JPH0213902A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 紫外光反射板 |
| KR100999588B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2010-12-08 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| JP2022181197A (ja) * | 2021-05-25 | 2022-12-07 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910003742B1 (ko) * | 1986-09-09 | 1991-06-10 | 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 | Cvd장치 |
| US4913929A (en) * | 1987-04-21 | 1990-04-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Thermal/microwave remote plasma multiprocessing reactor and method of use |
| FR2616030A1 (fr) * | 1987-06-01 | 1988-12-02 | Commissariat Energie Atomique | Procede de gravure ou de depot par plasma et dispositif pour la mise en oeuvre du procede |
| DE3855636T2 (de) * | 1987-08-28 | 1997-03-27 | Toshiba Kawasaki Kk | Plasma-Entschichtungsverfahren für organische und anorganische Schichten |
| CN1086307C (zh) * | 1997-11-28 | 2002-06-19 | 复旦大学 | 低温等离子体工业废气处理装置 |
| US6569775B1 (en) | 1999-03-30 | 2003-05-27 | Applied Materials, Inc. | Method for enhancing plasma processing performance |
| JP4799748B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2011-10-26 | 忠弘 大見 | マイクロ波プラズマプロセス装置、プラズマ着火方法、プラズマ形成方法及びプラズマプロセス方法 |
| CN107799467B (zh) * | 2016-08-30 | 2021-01-29 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种刻蚀方法、刻蚀装置及半导体晶圆分割方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59104120A (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-15 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理方法 |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP60184146A patent/JPS6245122A/ja active Pending
-
1986
- 1986-08-08 EP EP86306133A patent/EP0212924A3/en not_active Withdrawn
- 1986-08-12 KR KR1019860006615A patent/KR870002747A/ko not_active Application Discontinuation
- 1986-08-22 CN CN198686105186A patent/CN86105186A/zh active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63108723A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 基板表面処理装置および基板表面処理方法 |
| JPS63117424A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 基板表面処理方法 |
| JPS63120424A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 処理方法 |
| JPS63128722A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光処理方法 |
| JPH0213902A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 紫外光反射板 |
| KR100999588B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2010-12-08 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US8312840B2 (en) | 2008-03-25 | 2012-11-20 | Eugene Technology Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method |
| JP2022181197A (ja) * | 2021-05-25 | 2022-12-07 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0212924A3 (en) | 1989-06-21 |
| EP0212924A2 (en) | 1987-03-04 |
| CN86105186A (zh) | 1987-06-03 |
| KR870002747A (ko) | 1987-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6245122A (ja) | 処理装置 | |
| US5753886A (en) | Plasma treatment apparatus and method | |
| US4987284A (en) | Downstream microwave plasma processing apparatus having an improved coupling structure between microwave plasma | |
| KR101029984B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JPS6320833A (ja) | アツシング装置 | |
| JPS60202928A (ja) | 光励起反応装置 | |
| JP2002083803A (ja) | エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 | |
| US4974542A (en) | Photochemical vapor reaction apparatus | |
| JPS6352411A (ja) | 処理方法および装置 | |
| JP2001044175A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06349776A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6379323A (ja) | 処理装置 | |
| JPS58113377A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPS602773B2 (ja) | ホトレジスト膜の除去方法 | |
| JPS6075327A (ja) | 紫外線発生装置及びそれを用いた材料処理装置 | |
| JPS62237729A (ja) | シリコン酸化物のドライエツチング方法 | |
| JPH04107914A (ja) | プラズマ灰化装置 | |
| JP2007207915A (ja) | 光源装置、基板処理装置、基板処理方法 | |
| JPH07283203A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPS6396924A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59208838A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH07142193A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH05347282A (ja) | アッシング装置及びその処理方法 | |
| JPH05243138A (ja) | 紫外線発生装置およびそれを用いた処理方法 | |
| JPS61123143A (ja) | レジスト灰化方法 |