JPS6344750A - Manufacture of resin-sealed type semiconductor device and lead frame for semiconductor device - Google Patents
Manufacture of resin-sealed type semiconductor device and lead frame for semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法およびこれ
に用いるリードフレームに関し、より詳細には、熱放散
性を向上させることができる樹脂封止型半導体装置の製
造方法と、これに用いるリードフレームに関する。Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device and a lead frame used therein, and more particularly, to a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device and a lead frame used therein. The present invention relates to a method for manufacturing a sealed semiconductor device and a lead frame used therein.
（従来の技術およびその問題点）
従来の樹脂封止型半導体装置はリードフレームのステー
ジ部に半導体装ノブを固定し、この半導体チップとリー
ドフレームの内部リード部とをワイヤボンディングし、
しかるのちに半導体チップを樹脂封止することにより’
ＡＭされる。これらの工程のうち、半導体チップをリー
ドフレームのステージ部にたとえば金−シリコン共晶合
金により固定する工程では、商品（約４００°Ｃ）で加
熱する必要があるため、リードフレームの各部に、たと
えば、熱によって特にステージ部に近接し、かつ幅狭な
内部リード部が歪んだり、リードフレーム表面に施され
ているめっきが劣化したりする等の悪形響がある。した
がって、実際の工程では、上記の加熱処理の’５Ｓ ’
Ｗを出来るだけ小さくすることが求められる。(Prior art and its problems) In a conventional resin-sealed semiconductor device, a semiconductor device knob is fixed to a stage portion of a lead frame, and this semiconductor chip is wire-bonded to an internal lead portion of the lead frame.
By subsequently sealing the semiconductor chip with resin,
It will be AM. Among these processes, in the process of fixing the semiconductor chip to the stage part of the lead frame using, for example, a gold-silicon eutectic alloy, it is necessary to heat the product (approximately 400°C). There are adverse effects such as distortion of the narrow internal lead portion, which is particularly close to the stage portion, and deterioration of the plating applied to the surface of the lead frame due to the heat. Therefore, in the actual process, the '5S' of the above heat treatment is
It is required to make W as small as possible.
本発明は、上記問題点に這みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、半導体チップをリードフレーム
のステージ部に固定する工程における加熱処理の影響を
リードフレームのリード部に及ぼすことなく製造するこ
とができる田脂封止型半導体装置の製造方法と、この製
造方法で用いられ、かつ半導体チップの放熱性に優れる
リードフレームを提供するにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to avoid the influence of heat treatment on the lead part of the lead frame in the process of fixing a semiconductor chip to the stage part of the lead frame. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method for a resin-sealed semiconductor device that can be manufactured, and a lead frame that can be used in this manufacturing method and has excellent heat dissipation properties for semiconductor chips.
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解消するため次の構成を備える
。(Means for Solving the Problems) The present invention includes the following configuration to solve the above problems.
すなわち、半導体チップを搭載すべきステージ部と、該
ステージ部をレールに連結するステージサポートパーと
を有する第１のリードフレームと、所要のリード部を有
し、前記第１のリードフレームが重ね合わされた際その
ステージ部に搭載される半導体チップに対応する部位が
空隙に形成された第２のリードフレームとを用窓し、前
記第１のリードフレームのステージ部に半導体チップを
固定し、該半導体チップが固定された第１のリードフレ
ームと前記第２のリードフレームとを、前記空隙部位に
前記半導体チップが位Ｗするように一体に重ね合わせ、
前記半導体チップと前記第２のリードフレームのリード
部とを電気的に接続し、次いで前記半導体チップおよび
前記ステージ部、リード部等の心要部を樹脂封止するこ
とを特徴とする。That is, the first lead frame has a stage part on which a semiconductor chip is mounted, a stage support part that connects the stage part to a rail, and a required lead part, and the first lead frame is overlapped. When the semiconductor chip is mounted on the stage part of the second lead frame, the semiconductor chip is fixed to the stage part of the first lead frame. A first lead frame to which a chip is fixed and the second lead frame are stacked together so that the semiconductor chip is positioned in the gap,
The semiconductor chip and the lead portion of the second lead frame are electrically connected, and then the semiconductor chip, the stage portion, the lead portion, and other core parts are sealed with resin.
（実施例）
以下・本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細
に説明する。(Embodiments) Below, preferred embodiments of the present invention will be described in detail based on the accompanying drawings.
第１図（ａ）、（１））は、本発明に係る樹脂封止型半
導体装置を製造する際に使用されるリードフレームを示
す平面図である。FIGS. 1(a) and 1(1)) are plan views showing a lead frame used in manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the present invention.
第１図（ａ）において、１０は半導体チップを搭載する
第１のリードフレームを示す。１２はステージ部で、こ
のステージ部１２上に半導体チップがたとえば金−シリ
コン共晶合金によって固定される。そして、前記ステー
ジ部１２はその周縁部から放射状にヒートスプレ・ノダ
ー１４．１４・・・を延出して成る。これらヒートスプ
レッダ−１４は、半導体チップが発熱した際の熱を効率
良く放散させるためのものである。ステージ部１２はヒ
ートスプレッダ−１４から延設されるステージサポート
パー１６．１６により、リードフレームの枠部であるレ
ール１日、１８に連結されている。なお、ステージサポ
ートパー１６は、ステージ部１２から延設するようにし
てもよい。In FIG. 1(a), 10 indicates a first lead frame on which a semiconductor chip is mounted. Reference numeral 12 denotes a stage portion, onto which a semiconductor chip is fixed using, for example, a gold-silicon eutectic alloy. The stage section 12 has heat spray noders 14, 14, . . . extending radially from its peripheral edge. These heat spreaders 14 are for efficiently dissipating heat generated by the semiconductor chip. The stage part 12 is connected to a rail 18, which is a frame part of the lead frame, by a stage support part 16.16 extending from the heat spreader 14. Note that the stage support par 16 may extend from the stage portion 12.
第１図（ｂ）は、必要なリード部を有する第２のリード
フレーム２０を示す。この第２のリードフレーム２０は
内部リード２２、外部リード２４および外部リード２４
が接続するタイバー２５とレール２６、さらにダムバー
２７から成る。前記内部リード２２に囲まれる従来のス
テージ部位は空隙になっている。FIG. 1(b) shows a second lead frame 20 with the necessary leads. This second lead frame 20 has an inner lead 22, an outer lead 24, and an outer lead 24.
It consists of a tie bar 25, a rail 26, and a dam bar 27. The conventional stage portion surrounded by the internal leads 22 is a gap.
本発明に係るリードフレームは、上述したように、半導
体チップを固定するステージ部１２を有する第１のリー
ドフレーム１０と、必要なリード部を有する第２のリー
ドフレーム２０の２つのリードフレームから構成される
点に特徴がある。これらのリードフレームを使用して、
樹脂封止型半導体装置を製造するには以下のようにする
。As described above, the lead frame according to the present invention is composed of two lead frames: the first lead frame 10 having the stage part 12 for fixing the semiconductor chip, and the second lead frame 20 having the necessary lead parts. It is characterized by the fact that it is Using these lead frames,
A resin-sealed semiconductor device is manufactured as follows.
すなわち、まず、第１のリードフレーム１０上のステー
ジ部１２上に、搭載すべき半導体チップを金−シリコン
共晶合金等によって固定する。That is, first, a semiconductor chip to be mounted is fixed onto the stage section 12 on the first lead frame 10 using a gold-silicon eutectic alloy or the like.
次に・前記第１のリードフレーム１０のステージ部１２
に搭載された半導体チップと第２のリードフレーム２０
の内部リード２２とをワイヤボンディングするために、
第１のリードフレーム１゜と第２のリードフレーム２ｏ
とを重ね合わせ、カシメあるいはスポット溶接で一体に
組み立てる。Next: Stage section 12 of the first lead frame 10
The semiconductor chip mounted on the second lead frame 20
In order to perform wire bonding with the internal lead 22 of
First lead frame 1° and second lead frame 2o
and are assembled together by crimping or spot welding.
このとき、第１のリードフレーム１ｏのステージ部１２
は第２のリードフレーム２ｏの内部リード２２と電気的
に絶縁される。そのために、内部リード２２とステージ
部１２との間へ絶縁テープを介在させるか、あるいはス
テージサポートパー１６の中途に段差部を設けて、ステ
ージ部１２を内部リード２２より一段下げて内部リード
２２との間に一定の空隙を作るようにする。At this time, the stage portion 12 of the first lead frame 1o
are electrically insulated from the inner leads 22 of the second lead frame 2o. For this purpose, an insulating tape is interposed between the internal lead 22 and the stage part 12, or a stepped part is provided in the middle of the stage support par 16 to lower the stage part 12 one step below the internal lead 22. Make sure to leave a certain amount of space between them.
次に、前記内部リード２２と半導体チップ２８とをワイ
ヤボンディングしく第２図）、半導体チップ２８を樹脂
封止すればよい。Next, the internal leads 22 and the semiconductor chip 28 may be wire-bonded (FIG. 2), and the semiconductor chip 28 may be sealed with a resin.
樹脂後は、従来同様にリードフレームの不要部を除去す
る。After resin is applied, unnecessary parts of the lead frame are removed in the same way as before.
第２図は、上記の方法で製造された半導体装置の断面図
を示す。前記ステージ部１２は内部リード２２、外部リ
ード２４の下側に位置し、半導体チップ２８と内部リー
ド２２がワイー１−３０によって接続され、ステージ部
１２、半導体チップ２８、ワイヤ３０、内部リード２２
が樹脂３２によって封止されている。FIG. 2 shows a cross-sectional view of a semiconductor device manufactured by the above method. The stage section 12 is located below the internal leads 22 and external leads 24, and the semiconductor chip 28 and the internal leads 22 are connected by wires 1-30.
is sealed with resin 32.
上述した第１のリードフレーム１ｏのステージ部１２の
形状は特に限定されるものではなく、第２のリードフレ
ーム２０のステージ部に対応する空隙にくらべてステー
ジ部１２を充分大きくすることができ、また、ステージ
部１２がら延出して形成するヒートスプレッダ−１４の
形状も熱放散性を配慮した各種の形状が選択できる。The shape of the stage portion 12 of the first lead frame 1o described above is not particularly limited, and the stage portion 12 can be made sufficiently large compared to the gap corresponding to the stage portion of the second lead frame 20. Further, the shape of the heat spreader 14 formed by extending from the stage portion 12 can be selected from various shapes with consideration given to heat dissipation performance.
（発明の効果）
本発明に係るＳｉ造方法によれば、上述したように、半
導体装ノブを搭載するための第１のリードフレームと、
所要のリード部を有する第２のリードフレームとを別体
に形成し、半導体チップをリードフレームのステージ部
に固定する工程と、ワイヤボンディングおよび樹脂封止
の工程とを別にすることができることにより、以下の顕
著な効果を奏する。(Effects of the Invention) According to the Si manufacturing method according to the present invention, as described above, the first lead frame for mounting the semiconductor device knob;
By forming a second lead frame having a required lead part separately, and separating the process of fixing the semiconductor chip to the stage part of the lead frame and the process of wire bonding and resin sealing, It has the following remarkable effects.
すなわち、内部リード、外部リードを有する第２のリー
ドフレームは、半導体チ・ノブをステージ部に固定する
際の特に高温にさらされる工程に関与しないので、この
工程における熱の影響ζこ関してはまったく配慮する必
要がない・その結果・内部リード、外部リードは、ワイ
ヤボンディング・樹脂封止およびはんだ付は処理のみを
考慮して・これらの加工工程に適する材質や表面処理を
選ぶことができる。特に、外部リードが高温処理を受け
ないので、従来のように外部リード表面が劣化すること
がなく、より信頼性の高いはんだ付けが可能である。ま
た、内部リード先端表面も劣化しないため、ワイヤボン
ディングの信頼性を高めることができる。さらに内部リ
ード、外部リードがＴ：Ｊ温にさらされて歪むことがな
いので、リードパターンが変形することを防止すること
ができる。In other words, since the second lead frame having the internal leads and external leads is not involved in the process of fixing the semiconductor chip/knob to the stage section, which is particularly exposed to high temperatures, the influence of heat in this process is reduced. There is no need to take any consideration at all.As a result, only the wire bonding, resin sealing, and soldering processes for internal and external leads are considered.Materials and surface treatments suitable for these processing steps can be selected. In particular, since the external leads are not subjected to high-temperature treatment, the surfaces of the external leads do not deteriorate as in the past, and more reliable soldering is possible. Furthermore, since the surface of the tip of the internal lead does not deteriorate, the reliability of wire bonding can be improved. Furthermore, since the internal leads and external leads are not exposed to T:J temperature and are not distorted, deformation of the lead pattern can be prevented.
また、高温の影響を受ける第１のリードフレームは、高
温に通ずる材質や表面処理を選択して使用することがで
きる。Furthermore, the first lead frame, which is affected by high temperatures, can be used by selecting a material or surface treatment that can withstand high temperatures.
また、本発明に係るリードフレームによれば、上述した
ように、第１のリードフレームを、ステージ部からヒー
トスプレッダ−を延出する構成とし、第１のリードフレ
ームと第２のリードフレームを別体にしたので、従来の
リードフレームにくらべ充分大きなステージ部を構成す
ることが可能であり、ヒートスプレッダ−の形状等も自
由に選択できる。その結果、半導体チップから発生する
熱をより効率的に放散し得るという署〃Ｊを奏する。Further, according to the lead frame according to the present invention, as described above, the first lead frame has a structure in which the heat spreader extends from the stage part, and the first lead frame and the second lead frame are separated. Therefore, it is possible to construct a stage portion that is sufficiently larger than that of a conventional lead frame, and the shape of the heat spreader can be freely selected. As a result, the heat generated from the semiconductor chip can be dissipated more efficiently.
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。Although the present invention has been variously explained above with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to these embodiments, and it goes without saying that many modifications can be made without departing from the spirit of the invention. It is.
第１図（ａ）、（、ｂ）は本発明に係るリードフレーム
の平面図、第２図は樹脂封止後の半導体装置を示す断面
図である。
１０・・・第１のリードフレーム、
１２・・・ステージ部、 １４・・・ヒートスプレッダ
ー、 １６・・・ステージサポートバー、１８・・・レ
ール、 ２０・・・第２のリードフレーム、 ２２・
・・内部リード、 ２４・・・外部リード、 ２５・
・・タイバー・ ２６・・・レール、 ２７・・・ダム
バー、 ２８・・・半導体チップ、 ３０・・・ワイヤ
、 ３２・・・樹脂。
特許出廓人
新光電気工業株式会社
代表者光延丈喜夫FIGS. 1(a) and 1(b) are plan views of a lead frame according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the semiconductor device after being sealed with resin. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... First lead frame, 12... Stage part, 14... Heat spreader, 16... Stage support bar, 18... Rail, 20... Second lead frame, 22...
・・Internal lead, 24・・External lead, 25・
... Tie bar 26... Rail, 27... Dam bar, 28... Semiconductor chip, 30... Wire, 32... Resin. Patent distributor Shinko Electric Industry Co., Ltd. Representative Takekio Mitsunobu
Claims (1)
ジ部をレールに連結するステージサポートバーとを有す
る第１のリードフレームと、所要のリード部を有し、前
記第１のリードフレームが重ね合わされた際そのステー
ジ部に搭載される半導体チップに対応する部位が空隙に
形成された第２のリードフレームとを用意し、前記第１
のリードフレームのステージ部に半導体チップを固定し
、該半導体チップが固定された第１のリードフレームと
前記第２のリードフレームとを、前記空隙部位に前記半
導体チップが位置するように一体に重ね合わせ、前記半
導体チップと前記第２のリードフレームのリード部とを
電気的に接続し、次いで前記半導体チップおよび前記ス
テージ部、リード部等の心要部を樹脂封止することを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 ２、半導体チップを搭載すべきステージ部と、前記ステ
ージ部をレールに連結するステージサポートバーとを有
する第１のリードフレームと、所要のリード部を有し、
前記第１のリードフレームが重ね合わされた際そのステ
ージ部に搭載される半導体チップに対応する部位が空隙
に形成された第２のリードフレームとから構成されるこ
とを特徴とするリードフレーム。[Scope of Claims] 1. A first lead frame having a stage portion on which a semiconductor chip is mounted, a stage support bar connecting the stage portion to a rail, and a required lead portion; A second lead frame is prepared in which a gap is formed in a portion corresponding to a semiconductor chip to be mounted on the stage portion when the lead frames are stacked on top of each other.
A semiconductor chip is fixed to a stage portion of a lead frame, and the first lead frame to which the semiconductor chip is fixed and the second lead frame are stacked together such that the semiconductor chip is located in the gap region. the semiconductor chip and the lead portion of the second lead frame are electrically connected, and then the semiconductor chip and core parts such as the stage portion and the lead portion are sealed with resin. A method for manufacturing a sealed semiconductor device. 2. A first lead frame having a stage portion on which a semiconductor chip is to be mounted, a stage support bar connecting the stage portion to a rail, and a required lead portion;
A lead frame comprising a second lead frame in which a gap is formed in a portion corresponding to a semiconductor chip to be mounted on the stage portion of the first lead frame when the first lead frame is stacked on top of the other.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18926386A JPS6344750A (en) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | Manufacture of resin-sealed type semiconductor device and lead frame for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP18926386A JPS6344750A (en) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | Manufacture of resin-sealed type semiconductor device and lead frame for semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344750A true JPS6344750A (en) | 1988-02-25 |
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ID=16238379
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP18926386A Pending JPS6344750A (en) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | Manufacture of resin-sealed type semiconductor device and lead frame for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6344750A (en) |
Cited By (3)
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1986
- 1986-08-12 JP JP18926386A patent/JPS6344750A/en active Pending
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