JPS6337188A - 液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な液晶物質を含有する液晶組成物に係わり
、特に強誘電性液晶材料に関するものである。

従来の技術 近年液晶表示は、腕時計、電卓等だけでなく映像機器に
も広く使われるようになり、液晶カラーテレビも市場に
出始めている。現在カラー表示用液晶パネルはネマチッ
ク液晶を用いたものがその主流を占めている。しかし、
そのネマチック液晶の諸特性は理想的とは言い難く多く
の問題を含んでいる。強誘電性液晶はその速い応答速度
、メモリー性等ネマチック液晶にはない諸特性を有して
おりデイスプレィ装置への応用が考えられ多方面から研
究が進められている。（オプトロニクス、１９８３、Ｎ
ｏ、９）以下図面をみなから強誘電性液晶について説明
する。第１）図は強誘電性液晶分子の模式図である。強
誘電性液晶は通常スメクチック液晶と呼ばれる層構造を
有する液晶で、液晶分子は層法線方向に対してθだけ傾
いた構造をとっている。また、通常強誘電性液晶分子は
、ラセミ体でない光学活性な液晶分子によって構成され
ている。

第１）図に於て、７は液晶分子、８は自発分極、９はＣ
ダイレクタ−１ＩＯはコーン、１）は層構造、１２は層
法線方向、１３は傾き角θを示している。

第１）図に示すように、強誘電性液晶分子は自発分極を
有しており、カイラルスメクチックＣ相に於いては、第
１）図の一円錐形１０　（コーン）の外側を自由に動く
ことができる０層毎に分子長軸の方向は少しだけずれて
おり全体としてはねしれ構造をとっている０次に強誘電
性液晶の表示原理について述べる。第１２図は強誘電性
液晶の動作原理図で有る。第１２図（ａｌは電圧無印加
の状態、第１２図（ｂｌは紙面裏から表方向に電圧を印
加した場合、第１２図（Ｃ）は逆方向に電圧を印加した
場合の動作原理図である。１４は層法線に対して分子長
軸が＋θ度傾いた液晶分子、１５は一θ度傾いた液晶分
子、１６は紙面表方向を向いている双極子モーメント、
１７は紙面裏方向を向いている双極子モーメント、１８
は２枚の偏光板の方向である。強誘電性液晶を透明電極
を有したガラス基板に挾みそのパネルの厚を螺旋ピッチ
以下にすると第１２図ｔａ＋のように螺旋がほどけ層に
対して分子が＋θ度傾いた領域と一〇度傾いた領域にわ
かれる。上下電極間紙面裏から表方向に電圧を印加する
ことにより第１２図＋ｂ）のようにセル全体が＋θ度傾
いたモノドメインになる。また、逆電圧を印加すると第
１２図（Ｃ１のようにセル全体が−〇度傾いたモノドメ
インになる。従って、電気光学効果による複屈折または
２色性を利用すれば＋θ度傾いた２つの状態により明暗
を表すことができる。

強誘電性液晶をデイスプレィデバイスに応用する場合、
液晶材料に要求される条件として以下のものがあげられ
る。

ｆｌ）　　室温を含む広い温度範囲で強誘電性液晶相（
たとえばカイラルスメクチックＣ相）を示す。

（２）強誘電性液晶の電界に対する応答速度τは、τ＝
η／Ｐｓ−Ｅ 但し、η；粘度 ＰＳ；自発分極 Ｅ；印加電場 で与えられる。この為、数μｓｅｃオーダーの高速応答
を実現するためには、大きな自発分極をもつことが必要
である。

（３）先述したように、強誘電性液晶の光学応答は、安
定な２状Ｂ　（ｂｉｓｔａｂｌｅ　５ｔａｔｅ）により
初めて実現される。Ｃ１ｅｒｋらによると、この状態を
実現するためには、セルギヤツブｄを螺旋ピッチル以下
にし螺旋をほどく必要がある。エヌ、ニー、クラーク、
ニス、ティー、ラガヴアル；アプル、フィズ、レフト、
、３６　８９９（１９８０）　（Ｎ、　　Ａ、　　Ｃ１
ｅｒｋ、　　Ｓ、　Ｔ、　　Ｌａｇ−ｅｒｗａｌｌ；　
ＡｐＨ，Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、、二　８９９（１９８
０））この為、セル作成上作成容易なセルギャップの厚
いセルを利用するためには、強誘電性液晶の螺旋ピッチ
を長くする必要がある。

（４）強誘電性液晶の配向状態は、液晶材料の相系列に
よって異なり、特に強誘電性液晶相の高温側にスメクチ
ックＡ相（ＳｍＡ）及びコレステリック相（Ｃｈ）を有
する液晶材料が良好な配向状態が得られると考えられて
いる。即ち、強誘電性液晶材料の相系列が、たとえばカ
イラルスメクチックＣ相の場合水 ｌ　ｓ　ｏ−＊Ｃｈ−＊ＳｍＡ−”ＳｍＣ＊但し、Ｉｓ
ｏ；等方性液体 Ｃｈ；コレステリック相 ＳｍＡ　；スメクチックＡ相 ＳｍＣ＊　；カイラルスメクチックＣ相であることが望
ましい。

更に、上記のような相系列を持つ液晶材料の中でもＣｈ
相のピッチが長いものの方が配向状態が良好であると考
えられている。

以上述べた条件以外にも液晶分子の傾き角θ等に対する
様々な要求がある。

従来の強誘電性液晶材料は温度範囲だけをとりあげてみ
ても実用的な材料は数少なく、上記の条件をすべて満た
し実用に耐え得る材料は皆無に等しいのが現状であった
。

以下に従来の強誘電性液晶材料の１例を示す。

（＋）Ｐ−デシルオキシヘンジリデンｐ′アミノ２−メ
チルブチルシンナメイト（＋　ＤＯＢＡＭＢＣ）Ｃ，Ｈ
３ Ｉ　ｓ　ｏ→ＳｍＡ−３ｍＣ＊→ＳｍＧ＊１２０℃　　
９１℃　　　６０℃ 但し、ＳｍＧ＋に；カイラルスメクチックＣ相Ｐ　ｓ　
＝　４〜５　ｎ　Ｃ τ＝数百μｓｅｃ〜数ｍ５ｅｃ 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来の強誘電性液晶材料は、その温度範
囲だけをとりあげても実用的なものは少なく先述の４つ
の条件を総て満たし即デイスプレィデバイスに応用でき
る液晶材料は皆無に等しいのが現状である。又温度範囲
の拡大の為には多（の種類の強誘電性液晶材料を混合し
てやる必要が有る。このとき先述の４つの条件を満たず
ためには多くの強誘電性液晶材料単体のコレステリック
相およびカイラルスメクチックＣ相それぞれに於けるピ
ッチの左右の向き、大きさ、自発分極の極性等を総て考
慮しながら混合しなければならず、実用的な強誘電性液
晶組成物は得にくいという問題点があった。

問題点を解決するための手段 上記の問題点を解決するために本発明は、自発分掘が大
きい強誘電性液晶材料に非カイラルである（即ちねじれ
構造、自発分極を全く有さない）スメクチックＣ相を示
す液晶材料を混合するか、或いは自発分極が大きい強誘
電性液晶材料にまず捩れの向きが逆であるような液晶材
料を混合してらせんのピッチの長い強誘電性液晶組成物
を作成し、このピッチの長い液晶組成物に非カイラルで
ある（即ちねじれ構造、自発分極を全く存さない）スメ
クチックＣ相を示す液晶材料を混合することにより広い
温度範囲で強誘電性液晶相を示し、良好な配向が得られ
、数十μｓｅｃオーダーの高速応答可能な強誘電性液晶
材料を容易に得ることができる。

作用 −Ｓに、液晶の温度範囲を拡大する為には、２種類以上
の分子形状の異なる液晶化合物を混合することが必要で
ある。ところが、強誘電性液晶材料を混合する際にはそ
の化合物の自発分極の極性、強誘電性液晶相の捩れの向
き、コレステリック相の捩れの向き等の物質定数を考慮
にいれ混合しなければいけない。この為、捩れ構造、自
発分極を全く有さない非カイラルなスメクチックＣ相を
温度範囲拡大の為にもちいれば、捩れの向き及び自発分
極の極性等の物質定数を考慮することなしに温度範囲の
広い液晶組成物を容易に得ることができる。非カイラル
なスメクチックＣ相を示す液晶化合物を強誘電性液晶化
合物に混合する場合その自発分極は第９図に示すように
非カイラル成分の増加と共に直線的に減少するため自発
分極の小さい強誘電性液晶化合物に非カイラルな液晶化
合物を混合するとその混合物の自発分極は極端に小さく
なってしまう。本発明の場合は、自発分極の非常に大き
な強誘電性液晶化合物に非カイラルな液晶化合物を混合
する為、その自発分極の減少はかなり抑えられ比較的自
発分権の大きい強誘電性液晶組成物が容易に得られる。

螺旋軸の捩れ方向は、カイラル部の絶対的立体配置とベ
ンゼン環からカイラル中心までの分子数が偶数か奇数か
で決定されると考えられている。エム、ツカモトティ。

オオツカ、ケイ、モリモト、ソイ。ムラカミ；ジャパン
、ジエイ、アプル、フィズ、・１土１３０７　　（１９
７５）（Ｍ、　Ｔｕｋａｍｏｔｏ、Ｔ、０ｔｓｕｋａ。

Ｋ、　Ｍｏｒｉｎ＋ｏｔｏ、Ｙ、ＭｕｒａｋａＩｌｉ；
Ｊａｐａｎ、Ｊ、　Ａｐｐｌ。

Ｐｈｙｓ、、１土　１３０１　　　（１９７５））即ち
カイラル中心の絶対立体配置が５体でありベンゼン環か
らカイラル中心までの原子数が偶数であれば捩れの方向
は右であり奇数であれば左である。又、カイラル中心の
絶対立体配置がＲ体であれば逆になる。一般にピンチを
伸すには、２つの方法が考えられる。１つは強誘電性液
晶材料にカイラルを持たない液晶材料を混合する方法と
、涙れの方向が逆である液晶材料を混合する方法である
。後者の方法によれば小量逆捩れの液晶化合物を添加す
るだけでピンチの長い強誘電性液晶材料が容易に得られ
るが混合に際しては、自発分極の極性も考慮に入れる必
要がある。一方前者の方法によると、ピッチの長い強誘
電性液晶組成物を得るためには、非カイラルな液晶化合
物の添加量は多くなるが自発分極の極性等は考慮する必
要がないため容易にピッチの長い強誘電性液晶組成物を
得ることができる。又、自発分極の極性が同一であり且
つらせんの捩れ方向が逆であるような液晶材料を混合し
ある程度ピッチを伸した液晶組成物に非カイラルの液晶
材料を混合すれば小量の非カイラル成分の添加で自発分
極の大きな、ピンチの長い、温度範囲の広い強誘電性液
晶組成物が容易に得られる。

実施例 本発明の実施例を図を用いて説明する。最初に本実施例
において、その強誘電性液晶材料の応答特性を測定した
液晶セルの構造を第６図に示す。

ここで、１は偏光板、２はガラス基板、３は透明電掻、
４はラビングにより配向処理を施した有機高分子膜、５
は強誘電性液晶層、６はセル厚を一定に保つためのスペ
ーサーを表している。このような構造のセルに１Ｉ１）
誘電性液晶材料を封入しその応答特性及び自発分極を測
定した。自発分極については三角波法を用いて測定を行
った。

又、相転位温度については、偏光顕微鏡によるｔｅｘｔ
ｕｒｅ観察及びＤＳＣにより行い、Ｓｃ＊相のピッチは
セル厚１００ミクロンの配向処理を施したセルを用い、
ｃｈ相のピッチはｃｈ相を示さない化合物についてはネ
マチック液晶と混合することによりｃｈ相とし厚さ５ミ
リの配向処理を施したガラス基板を用いた模型セルを用
い通常法により測定を行った。

実施例１ 特許請求の範囲第１項記載の化合物Ｎ）の；リイラル部
の立体配置が２Ｓ、３ＳでありＸがオクトキシ基である
化合物（Ｖ）に非カイラルの化合物として、−形式が特
許請求の範囲第４項記載の化合物（Ｉｆ）で表されるフ
ェニルピリミジン系の化合物３種類からなるスメクチッ
クＣ相を示す液晶混合物（Ｖｌ）を混合した４成分混合
系について相転位温度、自発分極、ピッチの長さ、応答
速度を測定した。以下の表１に非カイラル物質の構造と
混合比をしめした。第１図に液晶混合物（Ｖｌ）と化合
物（Ｖ）の相図を、第２図に２５℃における自発分極と
２０Ｖｐｐ印加時に於ける応答速度の４度依存を示した
。第１図より全組成範囲にわたって５３℃付近から１０
℃付近まで室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチ
ックＣ相を示している。又、第２図より自発分権の値は
非カイラル成分の増加と共にほぼ直線的に減少している
が、カイラル成分が２５ｗｔ％になっても１０ｎＣ以上
の比較的大きな自発分極をもっている。２５℃に於ける
ｚｏｖｐｐの電圧印加時の応答速度は非カイラル成分が
増加してもあまり遅くなっておらずカイラル成分が２５
−ｔ％において３３μＳｅｃという高速応答を示してい
る。またこの組成においてピッチはかなり長くなってお
り配向状態は良好であった。又、上記以外の組成の化合
物についても良好な配向が得られた。

表１　混合物（Ｖｌ）の成分 実施例２ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（１）のカイラル部
の立体配置が２３，３３でありＸがオクトキシ基である
化合物（Ｖ）に非カイラルの化合物として、−形式が特
許請求の範囲第５項記載の化合物（ＩＩ［）で表される
エステル系の化合物４種類からなるスメクチックＣ相を
示す液晶混合物（■）を混合した５成分混合系について
相転位温度、自発分極、ピッチの長さ、応答速度を測定
した。以下の表２に非カイラル物質の構造と混合比をし
めした。第３図に液晶混合物（■）と化合物（Ｖ）の相
図を、第４図に２５℃における自発分極と２ｏｖｐｐ印
加時に於ける応答速度のン、壱度依存を示した。第２閏
より全組成範囲にわたって５０℃付近から室温を含む広
い温度範囲でカイラルスメクチックＣ相を示している。

又、第４図より自発分極の値は非カイラル成分の増加と
共にほぼ直線的に減少しているが、カイラル成分が２５
ｗｔ％になっても１０ｎＣ以上の比較的大きな自発分極
をもっている。２５℃に於ける２ｏｖｐｐの電圧印加時
の応答速度は非カイラル成分が増加すると遅くなる傾向
があるが、カイラル成分が５Ｑｗｔ％において５３　μ
ｓｅｃ　、２５ｗｔ％において９５μｓｅｃという高速
応答を示している。またこれらの組成においてピッチは
かなり長くなっており配向状態は良好であった。又、上
記以外の組成の化合物についても良好な配向が得られた
。

表２　混合物（■）の成分 実施例３ 特許請求の範囲第１項記載の化合物Ｎ）のカイラル部の
立体配置が２３，３ＳでありＸがオクトキシ基である化
合物（Ｖ）のらせんの捩れ方向は右である為逆捩れの左
涙れの化合物として特許請求の範囲第７項記載の化合物
（ＩＶ）のＲがオクトキシ基である化合物（■）を用い
、非カイラルの化合物として、−Ｓ弐が特許請求の範囲
第３項記載の化合物（ＩＩ）で表されるフェニルピリミ
ジン系の化合物２種類と一般式が特許請求の範囲第４項
記載の化合物（ｌＩ［）で表されるエステル系の化合物
４種類とからなるスメクチックＣ相を示す液晶混合物＜
ｒｘ＞を混合した８成分混合系について相転位温度、自
発分極、ピッチの長さ、応答速度を測定した。以下の表
３に非カイラル物質の構造と混合比をしめした。又、測
定を行った混合系の組成は、化合物（■）が２５ｗｔ％
、混合物（ＩＸ）が７５−ｔ％であった。この混合物を
もちいて作成した液晶パネルの配向状態は非常に良好で
あった。

以下に測定結果をしめす。

転移温度 ＩＳＯ→Ｃｈ−４ＳｍＡ→ＳｍＣ＊→Ｃ６９℃　６２℃
　　４９℃　　−１５℃融点；５℃ 自発分極；６．５ｎＣ（３３℃） ｃｈ相のピッチ；無限大 ＳｍＣ＋に相のピッチ；無限大 応答速度；８５μｓｅｃ　　（２５℃、４０Ｖ）（以　
下　余　白） 表３　混合物（ＩＸ）の成分 実施例４ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（１）のカイラル部
の立体配置が２３，３ＳでありＸがヘプタノイルオキシ
基である化合物（Ｘ）に非カイラル物質として特許請求
の範囲第４項記載の一般式（ＩＩ）で表されるフェニル
ピリミジン系の化合物３種類を混合したスメクチックＣ
相を示す混合物（Ｖｌ）を用いた４成分系についてピン
チの長さを測定し、この液晶組成物を用いた液晶表示装
置の応答特性を測定した。以下に測定の結果を示す。

非カイラル化合物の構造と組成は表１にしめした。

又、測定を行った混合系の組成は、化合物（Ｘ）が２５
ｉ１ｔ％、混合物（Ｖ［）が７５ｗｔ％であった。

この混合物をもちいて作成した液晶セルの配向状態は非
常に良好であった。以下に測定結果をしめす。

実施例５ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（＋）のカイラル部
の立体配置が２３，３ＳでありＸがヘプタノイルオキシ
基である化合物（Ｘ）のらせんのねじれ方向は右である
為、逆ねじれの化合物としてねじれ方向が左の化合物（
ＩＶ）のカイラル部の立体配置が３体でありＲ゛がオク
トキシ基である化合物（■）を用いピッチを伸した液晶
材料に非カイラル物質として特許請求の範囲第４項記載
のフェニルピリミジン系の化合物２種類と特許請求の範
囲第５項記載のエステル系の化合物４種類を混合したス
メクチックＣ相を示す混合物（ＩＸ）を用いた８成分系
について相転移温度、とノ千の長さ、自発分極、応答速
度について測定を行った。

用いた非カイラル混合物の構造と組成は表３にしめした
。化合物（Ｘ）のピッチは化合物（■）を７５−ｔ％い
れると発散する。そこで、カイラル化合物としって化合
物（Ｘ）が２５ｗｔ％、化合物（■）が７５−ｔ％の混
合物（ＸＩ）を用いた。第５図に混合物（■）と混合物
（ＩＸ）の相図を、第６図に２５℃に於ける自発分極と
４４Ｖｐｐの電圧印加時の応答速度の濃度依存をしめし
た。第５図より全組成範囲にわたり５５℃−４５℃付近
から室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ
相を示しており、特に混合物（ＩＸ）が２５−ｔ％にお
いては、５３℃から１３℃までカイラルスメクチックＣ
相をしめしており第６図よりこの組成での応答速度は１
００μＳｅｃという高速応答を示した。又、この組成に
おいてピッチはかなり長くなっており配向状態は非常に
良好であった。又、上記以外の組成の化合物についても
良好な配向を示した。

実施例６ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（１）のカイラル部
の立体配置が２Ｓ、３ＳでありＸがヘプタノイルオキシ
基である化合物（Ｘ）及び化合物（Ｖ）のらせんのねじ
れ方向は右である為、逆ねじれの化合物としてねじれ方
向が左の化合物（ＩＶ）のカイラル部の立体配置が３体
でありＲ。

がオクトキシ基である化合物（■）を用いピッチを伸し
た液晶材料に非カイラル物質として特許請求の範囲第４
項記載のフェニルピリミジン系の化合物２種類と特許請
求の範囲第５項記載のエステル系の化合物し種類を混合
したスメクチックＣ相を示す混合物（ＩＸ）を用いた日
成分系について相転移温度、ピッチの長さ、自発分極、
応答速度について測定を行った。用いた非カイラル混合
物の構造と組成は表２にしめした。化合物（Ｖ）と化合
物（Ｘ）の混合比は５０ｗｔ％としこの混合物のピッチ
は化合物（■）を７５−ｔ％いれると発散する。そこで
、カイラル化合物として化合物（Ｖ）＋化合物（Ｘ）が
２５−ｔ％、化合物（■）が７５ｗｔ％の混合物（Ｘｎ
）を用い、た。この組成のカイラル物質に５０−ｔ％の
非カイラル混合物（ＩＸ）を混合した液晶組成物の転移
温度、ピッチ、自発分極、応答速度について測定をおこ
なった。以下にその結果を示す。又、この組成の液晶組
成物をもちいて作成した液晶パネルの配向状態は非常に
良好であった。

転移温度 Ｉ　ｓ　ｏ　→Ｃｈ−４ＳｍＡ＝ＳｍＣ＊＝Ｃ６７，５
℃　５９℃　　５０℃　　−１５，６℃融点；２．６℃ 自発分ｉ；　１５．４ｎＣ（２５℃） ｃｈ相のピンチ；無限大 ＳｍＣ＋に相のピッチ；無限大 応答速度；３０μ５ｅｅ（２５℃４４　Ｖｐｐ）実施例
７ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置が２３．３３でありＲがノニルオキシカルボ
ニルオキシ基である化合物（ＸＩＩＩ）のらせんのねじ
れ方向は右である為、逆ねじれの化合物としてねじれ方
向が左の化合物（ＴＶ）のカイラル部の立体配置が８体
でありＲ゛がオクトキシ基である化合物（■）を用いピ
ンチを伸した液晶材料に非カイラル物質として特許請求
の範囲第４項記載のフェニルピリミジン系の化合物２種
類と特許請求の範囲第５項記載のエステル系の化合物４
種類を混合したスメクチックＣ相を示す混合物（ＩＸ）
を用いた。用いた非カイラル混合物の構造と組成は表３
にしめした。化合物（Ｘ［ｌ）のピッチは化合物（■）
を７５ｗｔ％いれると発散する。

そこで、カイラル化合物として化合物（ＸＩ［［）が２
５−１％、化合物（■）が７５−ｔ％の混合物（ＸＩＶ
）を用いた。第７図に混合物（ＩＸ）と混合物（ＸＩＶ
）の相図を、第８図に２５℃に於ける応答速度をしめし
た。測定に用いた混合物の組成は、化合物（ＸＩ［）１
２．５ｗｔ％、化合物（ＸＩＩ［）が３７．５ｗｔ％、
混合物（ＩＸ）が５０−１％であった。以下に転移温度
、ピッチ、自発分極、応答速度の測定結果を示す。又、
この組成においてピッチはかなり長くなっており配向状
態は非常に良好であった。

又、上記以外の組成の化合物についても良好な配向を示
した。

転移温度 Ｉｓｏ−４Ｃｈ−４ＳｍＡ→ＳｍＣ＊→Ｃ５７，６℃　
５３℃　　３４℃　　−２４℃融点、−７．５℃ 自発分１ｉ；９．１５ｎＣ（２５℃） ｃｈ相のピッチ；無限大 ＳｍＣ＊相のピッチ；無限大 応答速度；４５μｓｅｃ　　（２５℃、４０Ｖｐｐ）実
施例８ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（１）のカイラル部
の立体配置が２３．３３でありＲがノニルオキシカルボ
ニルオキシ基である化合物（ＸＩＩＩ）及び化合物（Ｖ
）のらせんのねじれ方向は右である為、逆ねじれの化合
物としてねしれ方向が左の化合物（ＩＶ）のカイラル部
の立体配置が８体でありＲ゛がオクトキシ基である化合
物（■）を用いピッチを伸した液晶材料に非カイラル物
質として特許請求の範囲第４項記載のフェニルピリミジ
ン系の化合物２種類と特許請求の範囲第５項記載のエス
テル系の化合物４種類を混合したスメクチックＣ相を示
す混合物（■）を用いた日成分系について相転移温度、
ピッチの長さ、自発分極、応答速度について測定を行っ
た。用いた非カイラル混合物の構造と組成は表３にしめ
した。化合物（Ｘ　Ｉ［［＞と化合物（Ｖ）の混合比は
５０−ｔ％としこの混合物のピッチは化合物（■）を７
５ｗｔ％いれると発散する。そこで、カイラル化合物と
して化合物（ＸＩＩＩ）十化合物（Ｖ）が２５匈ｔ％、
化合物（■）が７５ｗｔ％の混合物を用いた。この組成
のカイラル物質に５０ｗｔ％の非カイラル混合物（ＩＸ
）を混合した液晶組成物の転移温度、ピッチについて測
定をおこなった。以下にその結果を示す。又、この組成
の液晶組成物をもちいて作成した液晶パネルの配向状態
は非常に良好であった。

転移温度 Ｉ　　ｓ　　ｏ−ｅｃ　ｈ−＊ＳｍＡ−”ＳｍＣ＊−＝
Ｃ６６，７℃　　５９℃　　　５１℃　　　−９℃ｃｈ
相のピッチ；無限大 ＳｍＣ＊相のピッチ；無限大 発明の効果 以上のように本発明は自発分極の大きい強誘電性液晶材
料に非カイラルの液晶材料を混合するかあるいは、自発
分極の大きい強誘電性液晶材料に逆ねじれの液晶材料を
混合してピンチをのばしたものに非カイラルの液晶材料
を混合することにより、自発分権の大きい高速応答可能
な強誘電性液晶材料を提供するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１における混合系の相図、第２
図は本発明の実施例１における強誘電性液晶セルの応答
速度と自発分極の濃度依存の特性図、第３図は本発明の
実施例２における混合系の相図、第４図は本発明の実施
例２における強誘電性液晶セルの応答速度と自発分極の
４度依存の特性図、第５図は本発明の実施例５における
混合系の相図、第６図は本発明の実施例５における強誘
電性液晶セルの応答速度と自発分極の濃度依存の特性図
、第７図は本発明の実施例７における混合系の相図、第
８図は本発明の実施例７における強誘電性液晶セルの応
答特性図、第９図はカイラル物質に非カイラル物質を混
合した時の自発分極の濃度依存の特性図、第１０図は強
誘電性液晶セルの構成図、第１）図は強誘電性液晶の模
式図、第１２図は強誘電性液晶の動作原理を示した模式
図である。 １・・・・・・偏光板、２・・・・・・上下のガラス基
板、３・・・・・・透明電極、４・・・・・・配向処理
を施した有機配向膜、５・・・・・・強誘電性液晶相、
６・・・・・・セル厚を一定に保つためのスペーサー、
７・・・・・・強誘電性液晶分子、８・・・・・・自発
分極、９・・・・・・Ｃダイレクタ−５１０・・・・・
・コーン、１）・・・・・・層、１２・・・・・・層法
線、１３・・・・・・分子の層法線に対する傾き角θ、
１４・・・・・・層法線に対して分子の長軸が＋θ傾い
た液晶分子、１５・・・・・・層法線に対して分子の長
軸が−θ傾いた液晶分子、１６・・・・・・紙面表方向
を向いている双橿子モーメント、１７・・・・・・紙面
裏方向を向いている双掻子モーメント、１８・・・・・
・２枚の偏光板の方向。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ばか１名含弗州亀（
？ｔｃ／ｃｔｒｌ＋ 自勇５づ’１ｍ　　（ｎｃ１０ｎ２） 第９区 カイラル員分の皇！　γ０ 第５図 〔×〕の１予γ。 第６図 第７図 ＯＳＯノθ０ （Ｘｌｌ１３の重量２ 第８図 （乙ｔｓｅｃン 甲７Ｓ社〔仲〕 第１０図 第１）図

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（ I ） （但し、式中ＸはＲ−、ＲＯ−、ＲＣＯＯ−、ＲＯＣＯ
   Ｏ−のいずれかであり、Ｒはアルキル基を示す）で表さ
   れるカイラル部がラセミ体をなさない液晶化合物と非カ
   イラルなスメクチックＣ相を示す液晶化合物をそれぞれ
   １種類以上含有することを特徴とする液晶組成物。
2. （２）強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（ I ） （但し、式中ＸはＲ−、ＲＯ−、ＲＣＯＯ−、ＲＯＣＯ
   Ｏ−のいずれかであり、Ｒはアルキル基を示す）で表さ
   れるカイラル部がラセミ体をなさない液晶化合物にこの
   化合物とらせんの捩れ方向が逆である化合物を混合して
   なる液晶組成物と非カイラルなスメクチックＣ相を示す
   液晶化合物をそれぞれ１種類以上含有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の液晶組成物。
3. （３）強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（ I ） （但し、式中ＸはＲ−、ＲＯ−、ＲＣＯＯ−、ＲＯＣＯ
   Ｏ−のいずれかであり、Ｒはアルキル基を示す）で表さ
   れるカイラル部がラセミ体をなさない液晶化合物にこの
   化合物とらせんの捩れ方向が逆であり且つ自発分極の極
   性が同一である化合物を混合してなる液晶組成物と非カ
   イラルなスメクチックＣ相を示す液晶化合物をそれぞれ
   １種類以上含有することを特徴とする特許請求の範囲第
   １項、第２項のいずれかに記載の液晶組成物。
4. （４）前記非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化
   合物の少なくとも１種類が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（II） （但し、式中Ｒ、Ｒ’はそれぞれアルキル基またはアル
   コキシ基を示す）で表されることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項、第２項、第３項のいずれかに記載の液晶
   組成物。
5. （５）前記非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化
   合物の少なくとも１種類が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（III） （但し、式中Ｒ、Ｒ’はそれぞれアルキル基またはアル
   コキシ基を示す）で表されることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項、第２項、第３項のいずれかに記載の液晶
   組成物。
6. （６）前記非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化
   合物が少なくとも、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（II） ▲数式、化学式、表等があります▼……（III） （但し、式中Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、Ｒ”はそれぞれアルキル
   基またはアルコキシ基を示す）で表される組成物を含む
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、第３
   項、第４項、第５項のいずれかに記載の液晶組成物。
7. （７）前記非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化
   合物の少なくとも１種類が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（II） （但し、式中Ｒ、Ｒ’はそれぞれアルキル基またはアル
   コキシ基を示す）で表され前記化合物（ I ）とらせん
   のねじれ方向が逆の化合物の少なくとも１種類が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（IV） （但し、式中Ｒはアルキル基、又はアルコキシ基を示す
   ）で表されるカイラル部がラセミ体をなさない液晶化合
   物であることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２
   項、第３項、第４項のいずれかに記載の液晶組成物。
8. （８）前記非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化
   合物の少なくとも１種類が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（III） （但し、式中Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシ基
   を示す）で表され前記化合物（ I ）とらせんのねじれ
   方向が逆の化合物の少なくとも１種類が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（IV） （但し、式中Ｒはアルキル基、アルコキシ基を示す）で
   表されるカイラル部がラセミ体をなさない液晶化合物で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、
   第３項、第５項のいずれかに記載の液晶組成物。
9. （９）前記非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化
   合物が少なくとも、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（II） ▲数式、化学式、表等があります▼……（III） （但し、式中Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、Ｒはそれぞれアルキル基
   またはアルコキシ基を示す）で表される組成物を含み、
   前記化合物（ I ）とらせんのねじれ方向が逆の化合物
   の少なくとも１種類が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼……（IV） （但し、式中Ｒはアルキル基、アルコキシ基を示す）で
   表されるカイラル部がラセミ体をなさない液晶化合物で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、
   第３項、第４項、第５項、第６項のいずれかに記載の液
   晶組成物。