JPS60128447A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS60128447A JPS60128447A JP58237021A JP23702183A JPS60128447A JP S60128447 A JPS60128447 A JP S60128447A JP 58237021 A JP58237021 A JP 58237021A JP 23702183 A JP23702183 A JP 23702183A JP S60128447 A JPS60128447 A JP S60128447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- photomask
- resist film
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆａｔ 発明の技術分野
本発明はフォトマスクに係り、特に高段差を有する薄膜
パターン上に塗着されたレジスト膜を、バターニングす
るに好適なフォトマスクに関するものである。
パターン上に塗着されたレジスト膜を、バターニングす
るに好適なフォトマスクに関するものである。
ｆｂ） 技術の背景
薄膜磁気ヘッドや半導体装置等の各種微細パターンはフ
ォトレジスト及びフォトマスクを用い、露光、現像及び
エツチング処理等を行うフォトリソグラフィと呼ばれる
方法によって形成することは周知である。
ォトレジスト及びフォトマスクを用い、露光、現像及び
エツチング処理等を行うフォトリソグラフィと呼ばれる
方法によって形成することは周知である。
（Ｃ１従来技術と問題点
従来、比較的厚い薄膜によって薄膜磁気ヘッド等を製造
する場合、基板上に設けられた高段差を有する薄膜パタ
ーン上に所定のレジスト膜パターンを形成する際の露光
条件の設定が難しい。
する場合、基板上に設けられた高段差を有する薄膜パタ
ーン上に所定のレジスト膜パターンを形成する際の露光
条件の設定が難しい。
即ち、第１図に示すように高段差を有する第１の薄膜パ
ターン２と、該第１の薄膜パターン２上に第２の薄膜３
が設けられた基板１上にレジスト膜４を塗着し、該レジ
スト膜４を形成すべきパターンに対応したフォトマスク
５を用いて所定のパターンにバターニングする。この時
、前記レジスト膜４が第１の薄膜パターン２上の高段差
下部で厚く溜るため、通常の所謂段差のない平坦なレジ
スト膜を所定パターンにバターニングする露光条件を適
用した場合においては、上記高段差下部でのレジスト膜
４の基板１側部分が露光不足となり、該レジスト膜４の
現像後、第２図に示すように上記露光不足のレジスト膜
部分４ａが熔解除去されずに残ってしまう不都合があっ
た。
ターン２と、該第１の薄膜パターン２上に第２の薄膜３
が設けられた基板１上にレジスト膜４を塗着し、該レジ
スト膜４を形成すべきパターンに対応したフォトマスク
５を用いて所定のパターンにバターニングする。この時
、前記レジスト膜４が第１の薄膜パターン２上の高段差
下部で厚く溜るため、通常の所謂段差のない平坦なレジ
スト膜を所定パターンにバターニングする露光条件を適
用した場合においては、上記高段差下部でのレジスト膜
４の基板１側部分が露光不足となり、該レジスト膜４の
現像後、第２図に示すように上記露光不足のレジスト膜
部分４ａが熔解除去されずに残ってしまう不都合があっ
た。
このため前記残留した露光不足のレジスト躾部分４ａを
除去するフォトマスクを別に用意し、該フォトマスクを
用いて前記露光不足のレジスト膜４ａに追加露光を行い
、完全に除去していたが、フォトマスクの取替え、位置
合わせ等をそれぞれ２回繰り返さなくてはならずこの際
のマスク合わせ誤差によるパターンズレが生じたり、又
レジストクランシュの頻度が増加して信頼性が低下する
欠点を有していた。一方、上記高段差下部でのレジスト
膜４の基板１側部分が露光不足となることを無くするた
めに、上記レジスト膜４を、形成すべきパターンに対応
したフォトマスク５を用いて所定のパターンにバターニ
ングする際に、露光時間を長くすることも考えられるが
、この場合、フォトマスク５のマスクパターンと対向す
る露光を必要としないレジスト膜４部分に露光の一部の
光が周り込みバターニング精度を著しく低下させる欠点
があった。
除去するフォトマスクを別に用意し、該フォトマスクを
用いて前記露光不足のレジスト膜４ａに追加露光を行い
、完全に除去していたが、フォトマスクの取替え、位置
合わせ等をそれぞれ２回繰り返さなくてはならずこの際
のマスク合わせ誤差によるパターンズレが生じたり、又
レジストクランシュの頻度が増加して信頼性が低下する
欠点を有していた。一方、上記高段差下部でのレジスト
膜４の基板１側部分が露光不足となることを無くするた
めに、上記レジスト膜４を、形成すべきパターンに対応
したフォトマスク５を用いて所定のパターンにバターニ
ングする際に、露光時間を長くすることも考えられるが
、この場合、フォトマスク５のマスクパターンと対向す
る露光を必要としないレジスト膜４部分に露光の一部の
光が周り込みバターニング精度を著しく低下させる欠点
があった。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、高段差部を有する薄膜
パターン上にレジストパターンを一露光工程によって高
段差下部に露光不足のレジスト膜を残留させることなく
、精度よく形成することのできる新規なフォトマスクを
提供することを目的とするものである。
パターン上にレジストパターンを一露光工程によって高
段差下部に露光不足のレジスト膜を残留させることなく
、精度よく形成することのできる新規なフォトマスクを
提供することを目的とするものである。
ｔｅ＞ 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、透明基板の一生面上
に所定形状の不透明膜マスクパターンを備えたフォトマ
スクであって、上記不透明膜マスクパターンと所定形状
の半透明膜を混在して設けて成ることを特徴とするフォ
トマスクを提供することによって達成される。
に所定形状の不透明膜マスクパターンを備えたフォトマ
スクであって、上記不透明膜マスクパターンと所定形状
の半透明膜を混在して設けて成ることを特徴とするフォ
トマスクを提供することによって達成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第３図は本発明に係るフォトマスクの一実施例を示す要
部断面図であり、例えば透明なガラス基板２２の一生面
上に、従来と同様の主となるクローム（Ｃｒ）等からな
る不透明クロム膜パターン２３と、新たに該不透明クロ
ム膜パターン２３の幅より所定幅分だけ広幅の酸化鉄（
Ｆｅ ０）等からなる半透明膜パターン２４が図示のよ
うに積層状に被着形成されている。
部断面図であり、例えば透明なガラス基板２２の一生面
上に、従来と同様の主となるクローム（Ｃｒ）等からな
る不透明クロム膜パターン２３と、新たに該不透明クロ
ム膜パターン２３の幅より所定幅分だけ広幅の酸化鉄（
Ｆｅ ０）等からなる半透明膜パターン２４が図示のよ
うに積層状に被着形成されている。
従って、このように形成されたフォトマスク２１を用い
て対向する例えば、高段差を有する第１の薄膜パターン
２と、該第１の薄膜パターン２上に第２のｉ膜３が設け
られた基板１上のレジスト膜４に従来よりも比較的長い
露光条件によって露光を行うと、レジスト膜４の前記不
透明クロム膜パターン２３と対応する領域は完全に遮光
されることは勿論のこと、半透明膜パターン２４と対応
する領域には適正露光となって露光の一部の光の周り込
みが防止される。更に第１の薄膜パターン２の高段差の
領域に対しては光透過量が最大となることから該高段差
下部に厚く溜ったレジスト膜４に対しては、該レジスト
膜４の底部、即ち基板１側に迄、十分に露光され、第４
図に示すようにその後の現像処理によってレジスト膜４
が残ることなく完全に除去され、パターン精度の良いレ
ジスト膜パターン６が一度の露光、現像工程により形成
することが可能となる。
て対向する例えば、高段差を有する第１の薄膜パターン
２と、該第１の薄膜パターン２上に第２のｉ膜３が設け
られた基板１上のレジスト膜４に従来よりも比較的長い
露光条件によって露光を行うと、レジスト膜４の前記不
透明クロム膜パターン２３と対応する領域は完全に遮光
されることは勿論のこと、半透明膜パターン２４と対応
する領域には適正露光となって露光の一部の光の周り込
みが防止される。更に第１の薄膜パターン２の高段差の
領域に対しては光透過量が最大となることから該高段差
下部に厚く溜ったレジスト膜４に対しては、該レジスト
膜４の底部、即ち基板１側に迄、十分に露光され、第４
図に示すようにその後の現像処理によってレジスト膜４
が残ることなく完全に除去され、パターン精度の良いレ
ジスト膜パターン６が一度の露光、現像工程により形成
することが可能となる。
尚、上記半透明膜パターン２４は、その透明度（光透過
率）によって露光量を変えることが出来るので、前記レ
ジスト膜４が被着された薄膜ノ々ターン２の段差の高さ
に応じてその光透過率を適当に変えれば良い。又、上記
した実施例では、本発明のフォトマスクをポジ型のレジ
スト膜のノ々ターニングに用いた場合の例について説明
したが、ネカ゛型のレジスト膜のバターニングに用いた
場合にも有効である。
率）によって露光量を変えることが出来るので、前記レ
ジスト膜４が被着された薄膜ノ々ターン２の段差の高さ
に応じてその光透過率を適当に変えれば良い。又、上記
した実施例では、本発明のフォトマスクをポジ型のレジ
スト膜のノ々ターニングに用いた場合の例について説明
したが、ネカ゛型のレジスト膜のバターニングに用いた
場合にも有効である。
しかして、このような構造のフォトマスクを得るには、
種々の方法により製作することができるが、その一実施
例を第５図乃至第９図に示す。
種々の方法により製作することができるが、その一実施
例を第５図乃至第９図に示す。
まず第５図に示すように、透明な石英基板、或いはガラ
ス基板３１上の全面にクロム膜３２〔必要に応じてクロ
ム（Ｃｒ）と酸化クロム（Ｃｒ２０３ ）との混合膜を
用いても良い〕を蒸着、或いはスバ・ツタリング法によ
って被着し、更に例えばポジ型レジスト膜を用いて所定
のレジスト膜パターン３３を形成する。次ぎにこのレジ
スト膜パターン３３をマスフにして前記クロムＩ＊３２
を硝酸２セリウム・アンモニウム水溶液によってエツチ
ングした後、上記レジスト膜パターン３３をレジスト熔
解液を用いて除去することにより第６図に示すように不
透明クロム膜パターン３４を形成する。次ぎに第７図に
示すように上記不透明クロム膜パターン３４を含めたガ
ラス基板３１上の全面に、前記クロム膜３２と比較して
光透過率の大きな酸化鉄（Ｆｅ Ｏ）等からなる半透明
膜３５を被着する。しかる後第８図に示すように該半透
明膜３５上に、レジスト膜を塗着し、所定パターンにバ
ターニングしてレジスト膜パターン３６を形成する。こ
のレジスト膜パターン３６をマスクにして前記酸化鉄（
Ｆｅ Ｏ）等からなる半透明膜３５を塩酸系の溶液によ
り選択的にエツチング処理を行い、更に前記レジスト１
１ｔ４パターン３６を熔解除去することにより第９図に
示すように上記不透明クロム膜パターン３４の側縁部よ
り所定幅分大きく光周り込み防止用半透明膜パターン３
７が設けられたフォトマスクが形成される。
ス基板３１上の全面にクロム膜３２〔必要に応じてクロ
ム（Ｃｒ）と酸化クロム（Ｃｒ２０３ ）との混合膜を
用いても良い〕を蒸着、或いはスバ・ツタリング法によ
って被着し、更に例えばポジ型レジスト膜を用いて所定
のレジスト膜パターン３３を形成する。次ぎにこのレジ
スト膜パターン３３をマスフにして前記クロムＩ＊３２
を硝酸２セリウム・アンモニウム水溶液によってエツチ
ングした後、上記レジスト膜パターン３３をレジスト熔
解液を用いて除去することにより第６図に示すように不
透明クロム膜パターン３４を形成する。次ぎに第７図に
示すように上記不透明クロム膜パターン３４を含めたガ
ラス基板３１上の全面に、前記クロム膜３２と比較して
光透過率の大きな酸化鉄（Ｆｅ Ｏ）等からなる半透明
膜３５を被着する。しかる後第８図に示すように該半透
明膜３５上に、レジスト膜を塗着し、所定パターンにバ
ターニングしてレジスト膜パターン３６を形成する。こ
のレジスト膜パターン３６をマスクにして前記酸化鉄（
Ｆｅ Ｏ）等からなる半透明膜３５を塩酸系の溶液によ
り選択的にエツチング処理を行い、更に前記レジスト１
１ｔ４パターン３６を熔解除去することにより第９図に
示すように上記不透明クロム膜パターン３４の側縁部よ
り所定幅分大きく光周り込み防止用半透明膜パターン３
７が設けられたフォトマスクが形成される。
更に第１０図乃至第１４図は本発明に係るフォトマスク
を製作するための他の実施例を示すもので、本実施例に
おいては、まず第１０図に示すように透明な石英基板、
或いはガラス基板４１上の全面に、クロム膜４５と比較
して光透過率の大きな酸化鉄（Ｆｅ ０）等からなる半
透明膜４２を蒸着、或いはスパッタリング法によって被
着し、更に例えばポジ型レジスト膜を用いて所定のレジ
スト膜パターン４３を形成する。次ぎにこのレジストＨ
’Ａパターン４３をマスクにして、前記酸化鉄（Ｆｅ
０）等からなる半透明膜４２を塩酸系の溶液により選択
的にエツチング処理を行い、更に前記レジスト膜パター
ン４３を溶解除去することにより第１１図に示すように
後記する不透明クロム膜パターン４７の＋ｌＩ’ｌ縁部
より所定幅分大きい光周り込み防止用半透明膜パターン
４４を形成する。次ぎに第１２図に示すように上記半透
明膜パターン４４を含むガラス基板３１上の全面に、ク
ロム膜４５を蒸着、或いはスパックリング法によって被
着し、更に例えばポジ型レジスト膜を用いて第１３図に
示すように所定のレジス）１５１ｉパターン４６を形成
する。次ぎにこのレジストＨ’Ａパターン４６をマスク
にして、前記クロム膜４５を硝酸２セリウム・アンモニ
ウム水溶液等によってエツチングした後、上記レジスト
膜パターン４６をレジスト熔解液を用いて除去すること
により第１４図に示すように不透明クロム膜パターン４
７を形成する。
を製作するための他の実施例を示すもので、本実施例に
おいては、まず第１０図に示すように透明な石英基板、
或いはガラス基板４１上の全面に、クロム膜４５と比較
して光透過率の大きな酸化鉄（Ｆｅ ０）等からなる半
透明膜４２を蒸着、或いはスパッタリング法によって被
着し、更に例えばポジ型レジスト膜を用いて所定のレジ
スト膜パターン４３を形成する。次ぎにこのレジストＨ
’Ａパターン４３をマスクにして、前記酸化鉄（Ｆｅ
０）等からなる半透明膜４２を塩酸系の溶液により選択
的にエツチング処理を行い、更に前記レジスト膜パター
ン４３を溶解除去することにより第１１図に示すように
後記する不透明クロム膜パターン４７の＋ｌＩ’ｌ縁部
より所定幅分大きい光周り込み防止用半透明膜パターン
４４を形成する。次ぎに第１２図に示すように上記半透
明膜パターン４４を含むガラス基板３１上の全面に、ク
ロム膜４５を蒸着、或いはスパックリング法によって被
着し、更に例えばポジ型レジスト膜を用いて第１３図に
示すように所定のレジス）１５１ｉパターン４６を形成
する。次ぎにこのレジストＨ’Ａパターン４６をマスク
にして、前記クロム膜４５を硝酸２セリウム・アンモニ
ウム水溶液等によってエツチングした後、上記レジスト
膜パターン４６をレジスト熔解液を用いて除去すること
により第１４図に示すように不透明クロム膜パターン４
７を形成する。
尚、上記したクロム膜４５の選択エツチングに際して、
その下部にある半透明膜パターン４４もエッチされる恐
れがある場合には、クロム膜４５の被着工程に先立って
５ｉ０２ 、又はＡｌ２２０３等の透明１ｍを被着し−
でおくようにすれば良い。
その下部にある半透明膜パターン４４もエッチされる恐
れがある場合には、クロム膜４５の被着工程に先立って
５ｉ０２ 、又はＡｌ２２０３等の透明１ｍを被着し−
でおくようにすれば良い。
かくすれば、前記第９図で示す実施例と同様に主となる
不透明クロム膜パターン４７の側縁部より所定幅分大き
く光周り込み防止用半透明膜パターン４４が設けられた
本発明のフォトマスクを容易に得ることができる。
不透明クロム膜パターン４７の側縁部より所定幅分大き
く光周り込み防止用半透明膜パターン４４が設けられた
本発明のフォトマスクを容易に得ることができる。
（ｇｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係るフォトマ
スクの構造によれば、高段差を有する薄膜パターン上に
、レジスト膜パターンを形成する露光工程が一工程で済
むため、工程が簡略、短縮化され、従来の如きマスク合
わせ誤差の解消やレジスト・クラッシュ等が低減される
ので歩留りも向上するなど実用上優れた利点を有する。
スクの構造によれば、高段差を有する薄膜パターン上に
、レジスト膜パターンを形成する露光工程が一工程で済
むため、工程が簡略、短縮化され、従来の如きマスク合
わせ誤差の解消やレジスト・クラッシュ等が低減される
ので歩留りも向上するなど実用上優れた利点を有する。
第１図及び第２図は従来のフォトマスクを説明するため
の要部断面図、第３図及び第４図は本発明に係るフォト
マスクの一実施例及びその適用例を示す要部断面図、第
５図乃至第９図は本発明に係るフォトマスクの製造方法
の一実施例を工程順に示す要部断面図、第１０図乃至第
１４図は本発明に係るフォトマスクの製造方法の他の実
施例を工程順に示す要部断面図である。 図面において、１は基板、２は高段差を有する第１の薄
膜パターン、３は第２の薄膜、４はレジスト膜、６．３
３．３６．４３及び４６はレジスト膜パターン、２１は
フォトマスク、２２．３１及び４１はガラス基板、２３
．３４及び４７は不透明クロム膜パターン、２４゜第１
図 第２図 第３図 第５図 第６因
の要部断面図、第３図及び第４図は本発明に係るフォト
マスクの一実施例及びその適用例を示す要部断面図、第
５図乃至第９図は本発明に係るフォトマスクの製造方法
の一実施例を工程順に示す要部断面図、第１０図乃至第
１４図は本発明に係るフォトマスクの製造方法の他の実
施例を工程順に示す要部断面図である。 図面において、１は基板、２は高段差を有する第１の薄
膜パターン、３は第２の薄膜、４はレジスト膜、６．３
３．３６．４３及び４６はレジスト膜パターン、２１は
フォトマスク、２２．３１及び４１はガラス基板、２３
．３４及び４７は不透明クロム膜パターン、２４゜第１
図 第２図 第３図 第５図 第６因
Claims (1)
- 透明基板の一生面上に所定形状の不透明膜マスクパター
ンを備えたフォトマスクであって、上記不透明膜マスク
パターンと所定形状の半透明膜を混在させて設けて成る
ことを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237021A JPS60128447A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237021A JPS60128447A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128447A true JPS60128447A (ja) | 1985-07-09 |
Family
ID=17009209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58237021A Pending JPS60128447A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128447A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0455856A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | フォトマスク |
| US5389474A (en) * | 1990-04-19 | 1995-02-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Mask for photolithography |
| US6902259B2 (en) | 1998-03-02 | 2005-06-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Direct imaging polymer fluid jet orifice |
| CN113805428A (zh) * | 2020-06-15 | 2021-12-17 | 株式会社Sk电子 | 接近式曝光用光掩模 |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP58237021A patent/JPS60128447A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5389474A (en) * | 1990-04-19 | 1995-02-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Mask for photolithography |
| JPH0455856A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-24 | Matsushita Electron Corp | フォトマスク |
| US6902259B2 (en) | 1998-03-02 | 2005-06-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Direct imaging polymer fluid jet orifice |
| CN113805428A (zh) * | 2020-06-15 | 2021-12-17 | 株式会社Sk电子 | 接近式曝光用光掩模 |
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