JPS63309067A

JPS63309067A - 陰極線管用の偏向回路

Info

Publication number: JPS63309067A
Application number: JP63116772A
Authority: JP
Inventors: ジョン　ジェイ　フィッツジェラルド
Original assignee: Digital Equipment Corp
Current assignee: Digital Equipment Corp
Priority date: 1987-05-14
Filing date: 1988-05-13
Publication date: 1988-12-16
Anticipated expiration: 2011-02-21
Also published as: CN88102841A; AU1611888A; CN1016928B; US4864197A; AU617317B2; EP0291318A3; CA1303234C; JPH0817447B2; EP0291318A2; KR880014792A; BR8802331A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、一般に、電子回路の分野に係Ｄ、より詳細に
は、ビデオディスプレイモニタ用の陰極線管において電
子ビームの偏向を制御する回路として特に有用な新規で
且つ改良された傾斜信号発生回路に係る。

従来の技術ビデオディスプレイ装置は、可視像の形態の情報を一般
的に平らなスクリーンに表示するために陰極線管を備え
ている。陰極線管においては、電子銃からスクリーンに
向かって電子ビームが送られる。ビームがスクリーンに
当たると、スクリーン上の蛍光被膜が蛍光を発し、その
点においてユーザが観察できる光が発生される。電子銃
は、一般にスクリーンの中心に向けられているが、陰極
線管に隣接して電子銃とスクリーンとの間に配置された
コイルに発生される磁界によりビームでスクリーンの表
面を走査できるようにビームが水平及び垂直に移動され
る。ビームが走査するときには、スクリーンの表面上に
明るいパターン及び暗いパターンを発生するようにビー
ムを変更することができる。これらのパターンは、例え
ば、表示されるべき情報の形式によって、テキストのよ
うなアルファニューメリック文字であるか、グラフイン
ク像であるか、或いはその両方の組合せである。

電子ビームの走査を制御して可視ディスプレイ装置に像
を形成する際には２つの一般的な方法が実施されている
。その一方、即ち、コンピュータビデオディスプレイ及
びテレビにおいて一般に実施されている方法では、電子
ビームがラスクパターンでスクリーン上を走査され、即
ちビームが一連の水平線としてスクリーンにわたってそ
の上部から下部へと案内される。この場合、各々の線を
発生できるようにする水平の偏向と、スクリーンの上部
から下部へと一連の線を発生できるようにする垂直の偏
向は、ディスプレイ装置がラスクパターンを発生するよ
うに所定の率で変化する偏向信号を発生するように設計
された回路によって制御される。ビームがスクリーンに
わたって走査されるときには、可視像を発生するように
その振幅が変えられ、振幅が変化しない場合には、スク
リーン全体が同じ輝度にされる。

オスロスコープに典型的に用いられているもう１つの方
法では、電子ビームが一連の線としてではなく、水平偏
向回路によって発生可能にされる１本の線としてスクリ
ーンを横切って走査する。

典型的に、ユーザによってオシロスコープに入力される
信号により垂直の偏向が行なわれる。この場合、ユーザ
は、電子ビームがスクリーンを横切って走査するのに必
要な時間の関数として入力信号を分析することができる
。更に、オシロスコープの水平偏向回路を使用するもの
ではない典型的なオスロスコープでは、ユーザが別の信
号を入力して水平の偏向を行なうことができる。これに
よＤ、ユーザは、入力信号を互いに分析することができ
る。

典型的な水平偏向回路は、本質的に、別々の時間に２つ
の共振周波数を有する共振回路を備えている。この回路
は、電子ビームの偏向を制御するための磁界を発生する
偏向コイルを備えている。

本質的に、バイポーラトランジスタがオン状態からオフ
状態に切り換わったときには、共振回路が高い周波数で
動作し、その間に、コイルの電流が比較的急速に変化し
、スクリーンの右縁から左縁までビームが比較的高速で
帰線される。この帰線中に非常に高いフライバック電圧
がトランジスタにまたがって発生される。

ビームがスクリーンの左縁に完全に帰線されると、共振
回路は低い共振周波数に切り換わる。

これが生じると、コイルに流れる電流が比較的ゆっくり
と変化し、スクリーンの左縁から右縁ヘビームが比較的
ゆっくりと走査する。この走査の間に、バイポーラ１−
ランジスタは再びオンに戻Ｄ、比較的大きな電流が流れ
るときに本質的に飽和する。

バイポーラトランジスタは、帰線中に発生される高いフ
ライバック電圧に耐えることができるが、飽和中にはコ
レクタとベースとの領域に少数キャリアが多量に蓄積さ
れる。これによＤ、トランジスタがオフに切り換わる速
度が制限され、従って、偏向回路が電子ビームを偏向す
るように動作する周波数が制限される。その結果、これ
らの偏向回路は、通常の放送用のテレビや、コンピュー
タに使用される小型の低解像度のビデオモニタには満足
であるが、高解像度のモニタや比較的大きなスクリーン
像のモニタには充分でない。

発明が解決しようとする課題最近、複数の並列接続された金属酸化物半導体電界効果
トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）がバイポーラトランジス
タにとって代わった偏向回路が開発されている。例えば
、５ＩＤ８５ダイジエストの第４５６−４６０頁に掲載
されたに、アンドウ著の「フリッカのない２４４８Ｘ２
０８４ドツ１〜のカラーＣＲ’ｒディスプレイ（Ａ　Ｆ
ｌｉｃｋｅｒ−Ｆｒｅｅ２４４８　ｘ　２０４８　Ｄｏ
ｔｓ　Ｃｏ１ｏｒ　ＣＲＴ　Ｄｉｓｐｌａｙ）Ｊを参照
されたい、ＭＯＳＦＥＴは、一般に、キャリアをほとん
ど蓄積せず、従って、高解像度のビデオモニタに使用さ
れる高周波数偏向回路に用いることができるが、通常の
ＭＯＳＦＥＴでは、典型的に、このような回路に発生さ
れる高いフライバック電圧に酎えることができない。従
って、前記アンドウ氏の文献に述べられた回路では、特
別に開発された高電圧用のＭＯＳＦＥＴを使用しなけれ
ばならない。更に、ＭＯＳＦＥＴを並列に接続すると。

それらの全有効キャパシタンスが増加し、これによって
も回路を動作できる偏向周波数が制限される。

ＲＩｌｌを解決するための手段本発明は、高い周波数で動作できると共に、典型的な市
販の部品、特にＭＯＳＦＥＴを含むことのできる新規で
且つ改良された水平偏向回路を提供することである。

要約すれば、この新規な水平偏向回路は、偏向コイルの
電流を制御するように一緒にオン及びオフに切り換えら
れる複数の直列接続された即ちカスケード状のＭＯＳＦ
ＥＴ制御トランジスタを備えている。各トランジスタに
またがって帰線キャパシタ及び帰線ダイオードがあって
、ＭＯＳＦＥＴ制御トランジスタがオフにされたときに
発生する電圧を効果的に分割する。

帰線中に、ＭＯＳＦＥＴ制御トランジスタ間に非常に大
きなフライバック電圧が発生され、帰線キャパシタ及び
帰線ダイオードは、この電圧を制御トランジスタ間に分
配する。これによＤ、各トランジスタ間に生じる電圧が
ＭＯＳＦＥＴ制御トランジスタの数に対応する係数で減
少される。

典型的な電圧を発生する水平偏向回路では、現在入手で
きる市販のＭＯＳＦＥＴを制御トランジスタとして使用
することができる。更に、カスケード状のＭＯＳＦＥＴ
制御トランジスタのキャパシタンスは直列であるから、
これらトランジスタの正味の有効キャパシタンスは９、
トランジスタの数に対応する係数で減少される。従って
、複数の制御トランジスタは、１つのトランジスタより
も迅速に切り換わることができ、それ故、回路は高い周
波数の偏向率を受は入れることができる。

実施例本発明は、特許請求の範囲に特に指摘する。

本発明の上記及び更に別の効果は、添付図面を参照した
以下の詳細な説明より明らかとなろう。

添付図面は、本発明により構成された新規な水平偏向回
路を示している。この図面を参照すれば、この回路は、
複数のＭＯ５ＦＥＴ制御トランジスターＩＡないしＩＩ
Ｇを並列に制御する制御部分１０を備えている。ＭＯＳ
ＦＥＴ制御トランジスター１Ａないし１１Ｃは、偏向コ
イル１３を含む偏向信号発生回路１２を一緒に制御し、
偏向コイル１３は、ビデオディスプレイ管（図示せず）
の電子ビームの水平偏向を制御するための偏向磁界を発
生する。

制御部１０は、変成器２０を備えておＤ、その一次巻線
２１は、■で示された電源に接続されそしてバイポーラ
トランジスタ２２によって制御される。このバイポーラ
トランジスタは、次いで、ドライバ回路２３によってス
イッチとして働くように制御される。帰線動作を開始す
るために、ドライバ回路２３は、バイポーラトランジス
タ２２がオン状態からオフ状態に切り換わることができ
るようにし、この時間中はこのトランジスタに電流が流
れることができない。帰線動作は、電子ビームがスクリ
ーンの右側の選択された位置まで完全に走査された後に
行なわれるようにタイミングどりされる。この帰線時間
中に、ビームはスクリーンの左側へ迅速に戻される。

帰線動作中に、電子ビームは、スクリーンの左側から右
側に向かって走査を開始する。走査中に、ドライバ回路
は、バイポーラトランジスタ２２をオフ状態からオン状
態へ切り換える。走査が完了すると、即ち、電子ビーム
が再びスクリーンの右側に達すると、ドライバ回路が再
びトランジスタ２２をオフにし、別の帰線動作を開始さ
せる。

変成器２０は、３つの二次巻Ｍ２４Ａないし２４Ｃを有
しておＤ、その各々は、抵抗３０Ａないし３０Ｇを経て
ＭＯＳＦＥＴ制御トランジスタ１１Ａないし１１Ｃのゲ
ートに接続されていてこれを制御する。ツェナーダイオ
ード３１Ａないし３１Ｃは、各々のＭＯＳＦＥＴ制御ト
ランジスタ１１ＡないしＩＩＧのゲート端子とソース端
子との間に接続されている。これらのトランジスター１
Ａないし］−１０は、カスケード状にされておＤ、即ち
、トランジスター１Ａのソース端子がトランジスタＩＩ
Ｂのトレイン端子に接続されそしてトランジスタＩＩＢ
のソース端子がトランジスター１Ｃのドレイン端子に接
続されるように一般的に直列に接続されている。トラン
ジスターＩＡのドレイン端子は偏向信号発生回路１２の
ノード４０に接続され、トランジスターＩＣのソース端
子はアースされている。

ノード４ｏはコイル４１を経て電源■　に接続されてい
る。通常そうであるように、コイル４１は、ビデオディ
スプレイのどこかに使用する高電圧を発生するのに用い
られる変成器の１つの巻線又は直列コイルである。偏向
コイル１３の一端もノード４ｏに接続される。線形化コ
イル４２及び整形キャパシタ７１３は、偏向コイル１３
の他端とアースとの間に直列に接続されている。線形化
コイル４２は、これに流れる電流の巾及びレベルと共に
変化するインダクタンスを有している。線形化コイル４
２の最大のインダクタンスは、偏向コイル１３のインダ
クタンスよりも約１桁小さい（即ち、１／１０である）
。

又、ノード４０とアースとの間には、１組の帰線キャパ
シタンス４４Ａないし４４Ｇと、帰線ダイオード４５Ａ
ないし４５Ｃとが接続されておＤ、帰線ダイオード４５
Ａないし４５Ｃは、直流をノード４０に向けるように極
性が定められる。

１つの帰線キャパシタ４４Ａないし４４Ｃと１つの帰線
ダイオード４５Ａないし４５Ｇが、それに対応するＭＯ
ＳＦＥＴトランジスタ１１Ａないし１１Ｃのソース端子
とドレイン端子との間に並列に接続されている。従って
、例えば、キャパシタ４４Ａとダイオード４５Ａがトラ
ンジスタＩＩＡのソース端子とトレイン端子との間に並
列に接続され、ダイオードはソース端子からドレイン端
子及びノード４０に向かって電流を導通するように極性
定めされる。帰線キャパシタンス４４Ａないし４４Ｃの
各々のキャパシタンスは整形キャパシタ４；３のキャパ
シタンスよりも実質的に低く選択され、１つの実施例に
おいては、各帰線キャパシタのキャパシタンスが整形キ
ャパシタ４３のキャパシタンスよりも約２桁小さくされ
る（即ち、１／１００にされる）。

偏向信号発生回路１２とＭＯＳＦＥＴ制御トランジスタ
１１Ａないし１１Ｃとの組合せにより誘導性−容量性の
発振回路が一般に形成されることが当業者に明らかであ
ろう。この発振回路は、偏向コイル１３と、線形化コイ
ル４２と、整形キャパシタ４３と、帰線キャパシタ４４
Ａないし４４Ｃとを含み、これらは全て直列に接続され
ている。ＭＯＳＦＥＴ制御トランジスタＩＩＡないし１
１ｃが一般的に帰線時間中にオフにされたときには、帰
線キャパシタ４４Ａないし４４Ｃと整形キャパシタとが
実際上直列に接続される。この直列に接続された帰線キ
ャパシタ４４Ａないし４４Ｃと整形キャパシタ４３との
有効キャパシタンスは、比較的小さなものであＤ、従っ
て、ＭＯＳＦＥＴ制御トランジスタＩＩＡないしＩＩＧ
がオフであるときには、発振回路が比較的高い周波数の
共振回路となる。

然し乍ら、走査時間中には、帰線キャパシタ４４Ａない
し４４Ｃをめぐる低インピーダンスのバイパスが存在す
る。この低インピーダンスのバイパスは、ＭＯＳＦＥＴ
）−ランジスタＩＩＡないし１１Ｃがオンになる前には
帰線ダイオードによって与えられ、そしてこれらトラン
ジスタがオンになった後にはこれらのトランジスタによ
って与えられ、従って、この時点での発振回路の有効な
素子は、偏向コイル１３と、線形化コイル４２と、整形
キャパシタ４３を含むだけとなる。この状態においては
、整形キャパシタ４３によって与えられる比較的大きな
キャパシタンスによＤ、低周波数の発振回路となる。

図示された偏向回路が動作を開始するときには、Ｍ　Ｏ
Ｓ　Ｆ　Ｅ　Ｔ制御トランジスタＩＩＡないしｌＩＣが
最初オンである。帰線キャパシタ４４Ａないし４４Ｃ及
び整形キャパシタ４３は充電されず、偏向ヨーク１３及
び線形化コイル４２には電流が流れない。この状態にお
いては、電源■からの電流がコイル４１を経てノード４
０へと流れ、そしてＭＯＳＦＥＴ制御トランジスターＩ
ＡないしＩＩＣに流れる。オンにされているＭＯＳＦＥ
Ｔ制御トランジスターＩＡないし１１Ｃは、本質的に、
ノード４０を、トランジスター１Ｃのソース端子に存在
するアース電圧レベルに接続する。

コイル４１を通してノード４０に流れる電流は、電源Ｖ
によって印加される電圧に比例し且つコイル４１のイン
ダクタンスに反比例する直線的な割合で増加する。コイ
ル４１の電流によりコイル４１の周りに磁界が発生され
る。

制御部１０が１〜ランジスタＩＩＡないし１１Ｃをオフ
に切り換えたときは、コイル４１の電流が低下し始める
。これによＤ、コイル４１のまねりの磁界が崩壊し始め
、帰線キャパシタ４４Ａないし４４Ｃに電流が流れて帰
線キャパシタが充電される。崩壊する磁界によＤ、ノー
ド４０の電圧レベルが大きなレベルに増加される。

帰線キャパシタ４４Ａないし４４Ｃが充電した後、コイ
ル４１及び偏向ヨーク１３を経て放電を開始する。直列
接続された偏向ヨーク１３及び線形化コイル４２の有効
インダクタンスは、コイル４１のインダクタンスよりも
相当に小さいので、はとんどの電流は偏向ヨーク１３及
び線形化コイル４２に流れる。この点において、偏向ヨ
ーク１３を含む有効回路は、帰線キャパシタ４４Ａない
し４４Ｃと、偏向ヨーク１３と、線形化コイル４２と、
整形キャパシタ４３とによって構成される。

帰線キャパシタ４４Ａないし４４Ｃ及び整形キャパシタ
の有効キャパシタンスは低くて、１つの帰線キャパシタ
のキャパシタンスの約１／３に過ぎないので、この回路
の有効周波数は高いものとなる。更に、偏向ヨーク１３
及び線形化コイル４２の電流によりそれらのまわりに磁
界が発生されると共に整形キャパシタ４３の電流により
キャパシタの充電が開始されることが明らかである。

Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ制御トランジスタがオフにされた
成る時間の後に（帰線の完了）、帰線キャパシタ４４Ａ
ないし４４Ｃが実質的に放電され、偏向ヨーク１３及び
線形化コイル４２のまわりの磁界がそれらの負のピーク
値に達する。この点においで、ノード４０の電圧レベル
はアースレベルに達し、実際には、アースよりも低いレ
ベルに達する。

従って、偏向ヨーク及び線形化コイルの磁界が減少し始
めるときに、帰線ダイオード４５Ａないし４５Ｃを通し
てノード４０に電流が流れ始める。

このときの有効回路は、偏向ヨーク１３と、線形化コイ
ル４２と、整形キャパシタ４３と、帰線ダイオード４５
Ａないし４５Ｇとで構成され、この回路は、整形キャパ
シタ４３のキャパシタンスが比較的高いので、比較的周
波数の低い回路となる。

これと同時に、ノード４０の電圧レベルが電源Ｖのレベ
ルより低くなった後に、コイル４１の電流が逆転し始め
る。コイル４１からの電流は、電源Ｖからコイル４１を
経てノード４０へと流れて、コイル４１に磁界を再び確
立する。

電流が電源■からノード４０へ流れ始める時間の付近で
、ドライバ回路２３はＭＯ８Ｆ、ＥＴ制御トランジスタ
ーＩＡないし１１Ｃをオンに切り換えることができ、ノ
ード４０とアースとの間に帰線キャパシタ４４Ａないし
４４Ｇ及び帰線ダイオード４５Ａないし４５Ｇをめぐる
低インピーダンス路を形成することができる。これによ
Ｄ、コイル４１のまわりに磁界を発生し続けることがで
きる。前記したように、電流の増加率は、電源Ｖにより
供給される電圧に比例しそしてコイル４１のインダクタ
ンスに反比例する。

成る時間の後に、偏向ヨーク１３及び線形化コイル４２
のまわりの磁界が崩壊した後、整形キャパシタは、線形
化コイル４２及び偏向ヨーク１３を経てノード４０へ放
電を開始する。これによＤ、線形化コイル４２及び偏向
ヨーク１３に強制的に電流が流され、そのまわりに磁界
が発生されるが、前記とは逆の方向である。この点にお
いては、偏向ヨーク１３を含む有効回路は、偏向ヨーク
１３と、線形化コイル４２と、整形キャパシタ４３と、
ＭＯＳＦＥＴ制御トランジスターＩＡないし１１Ｃとで
構成されるものであるから、この有効回路は低周波数の
回路である。従って、偏向ヨーク１３に流れる電流の変
化率は比較的ゆっくりとした割合で増加する。

成る時間後に、即ち、偏向ヨークを通してノード４０に
向かう電流が選択された高いレベルに到達する付近で、
ドライバ回路２３は、再び、制御部１０がＭＯＳＦＥＴ
制御トランジスタＩＩＡないし１１Ｃをオフにできるよ
うにする。コイル４１、偏向ヨーク１３及び線形化コイ
ル４２のまわりの磁界は再び崩壊し、帰線キャパシタ４
４Ａないし４４Ｃに電流を放電する。この点において、
ビデオモニタの電子ビームを偏向するための磁界を発生
する偏向ヨーク１３を含む有効な回路は、偏向ヨーク１
３と、線形化コイル４２と、整形キャパシタ４３と、帰
線キャパシタ４４Ａないし４４Ｃとを含み、高周波数回
路を形成する。従って。

偏向ヨーク１３のまわりの磁界は、帰線キャパシタ４４
Ａないし４４Ｇに迅速に放電する。

ここでは２つの電流ソース、即ちコイル４１及び偏向ヨ
ーク１３があるので、この時点の方がその前より多くの
電流が帰線キャパシタに強制的に流され、従って、ノー
ド４０の電圧レベルが前より高いレベルに増加する。回
路の動作は、本質的に前と同様であるが、ノード４０の
電圧レベルが高いので、帰線キャパシタ４４Ａないし４
４Ｃから偏向ヨーク１３を経て放電される電流も太きく
なＤ、キャパシタ４３により大きな電荷が生じる。

回路が動作を続けるにつれて、ノード４ｏ及び整形キャ
パシタ４３にか＼る電圧と、偏向ヨークに流れる電流の
レベルとが次第に増加し、やがて、定常値に到達する。

このときには、帰線キャパシタ４−４　Ａないし４４Ｃ
へと放電される電流の大部分が偏向ヨークからのものと
なＤ、コイル４１に流れる電流は少なくなることが明ら
かである。

この時点で、整形キャパシタにか−る電圧は、電源Ｖ　
によってコイル４１に送られるものとはゾ同じであるが
、偏向ヨーク１３及び線形化コイル４２に流れる電流の
大きさ及び方向が変化するときに成る程度僅かに変化す
る。従って、定常動作の間には、整形キャパシタ４３が
電源ＶによるＢものと同様の電圧源として働き、この電源は回路の抵抗
性損失及びその他の損失を補償する。コイル４１のイン
ダクタンスが偏向ヨーク１３のインダクタンスよりもは
７１桁大きい（１０倍）ような実施例においては、整形
キャパシタ４３の電圧レベルが電源■によって与えられ
る電圧に迅速に到達し、回路の定常動作を生じさせる。

回路が定常動作に達した後に、電子ビームの偏向は、偏
向ヨーク１３に流れる電流に基づいて、次のようになる
。ＭＯＳＦＥＴ制御トランジスター１ＡないしＩＩＣが
制御部１ｏによって最初にオフに切り換えられる直前に
、偏向ヨーク１３に流れる電流はノード４０に向かう。

この状態においては、電子ビームが、ビデオモニタのス
クリーンの中心より右側、好ましくはスクリーンの右縁
に向かって偏向される。

ＭＯＳＦＥＴ制御トランジスターＩＡないし１１Ｃがオ
フにされたときには、前記したように、偏向ヨーク１３
を含む有効回路が高周波数回路となるので、偏向ヨーク
１３のまわりの磁界が急速に崩壊し、ノード４０へ、ひ
いては、帰線キャパシタ４４Ａないし４４Ｃへ電流を放
電する。偏向ヨークのまわりの磁界が急速に崩壊するこ
とによＤ、電子ビームは一スクリーンの中心に急速に復
帰する。

帰線キャパシタ４４Ａないし４４Ｇが完全に充電されて
放電を開始した後に、偏向ヨーク１３の電流は、その前
とは逆の方向に実質的に同じ割合で増加する。というの
は、偏向ヨークを含む回路がまだ高周波数回路だからで
ある。電流がこの方向に流れる状態では、電子ビームが
スクリーンの中心の左側にあるので、電流がこの方向に
迅速に増加するにつれてビームがスクリーンの左縁へと
迅速に進む。偏向ヨークにこの方向に電流が流れること
によＤ、偏向を生じ得るに必要な方向に磁界が発生され
る。スクリーンの右縁から左縁への電子ビームの迅速な
移動によって帰線が与えられる。

その後、帰線キャパシタ４４Ａないし４４Ｃがはゾ放電
しそして帰線ダイオード４５Ａないし４５Ｃがそれを効
果的にバイパスした後、回路は低周波回路となる。前記
したように、ノード４０から離れる方向に偏向ヨーク１
３に流れる電流は、このときには有効周波数が低いので
、ゆっくりとした速度で減少を開始する。従って、電子
ビームは、偏向ヨーク１３のまわりの磁界が電流の減少
と共に崩壊するにつれて、スクリーンの左縁から中心に
向かってゆっくりとした走査を開始する。

最後に、前記したように、偏向ヨークに流れる電流が方
向を逆転しノード４０に向かって流れるときには、電子
ビームがスクリーンの中心から右へ向かってその走査を
開始する。有効回路は低周波数回路であるから、この走
査もゆっくりとした速度である。電子ビームの走査は、
偏向ヨーク１３の電流がその最大値に達するまでスクリ
ーンを横切って右へ進み、次いで、ＭＯＳＦＥＴ制御ト
ランジスタＩＩＡないしＩＩＣが制御部１０によって再
びオフにされて、帰線動作を開始する。

制御部１０は、偏向ヨークの電流が減少し始める前にＭ
ＯＳＦＥＴ制御トランジスタＩＩＡないし１１Ｃをオフ
にし、スクリーンの左への電子ビームの復帰ができるだ
け迅速に行なえるようにするのが好ましい。

線形化コイル４２のインダクタンスは、これに流れる電
流の方向及びレベルと共に変化する。

線形化コイル４２は、電流がノード４０に向かって流れ
るときには非常に低いインダクタンスを有するように選
択され、従って、走査時間の終了及び帰線時間の開始に
向かう回路の動作にはほとんど影響を及ぼさない。然し
乍ら、線形化コイルは電流が偏向コイル１３を通してノ
ード４０から離れるように流れるときには回路の動作に
影響を及ぼし、特に、帰線時間の終了時と走査時間の開
始時には最大のインダクタンスを有する。線形化コイル
４２がない場合には、ＭＯＳＦＥＴ制御トランジスタＩ
ＩＡないし１１Ｃオン及びオフの切り換えによって不所
望な非対称的な走査電流が生じ、又、帰線キャパシタ４
４Ａないし４４Ｃの有効な除去及び交換もこの線形化コ
イル４２によって補正される。

図示された回路は、本質的に１発振器であるから、各部
品にまたがって非常に高い電圧及び電流が発生され、特
に、ノード４０をアースから切り離すためにＭＯＳＦＥ
Ｔ制御トランジスタ１１ＡないしＩＩＣがオフにされた
ときにはノード４０とアースとの間にフライバック電圧
が発生される。帰線キャパシタ４４Ａないし４４Ｇと帰
線ダイオード４５Ａないし４５Ｃをそれに関連したＭＯ
ＳＦＥＴトランジスタ１１Ａないし１１Ｃのドレイン端
子とソース端子との間に直列に接続することによＤ、ノ
ード４０に発生する高電圧がこれら３つのトランジスタ
ＩＩＡないし１１Ｃの間に等しく分割されることが明ら
かである。これによＤ、３つのトランジスタが帰線周期
の始めと終わりに全く同時にオン又はオフに切り換わら
なかった場合にノード４０の全電圧が個々のトランジス
タＩＩＡないし１１Ｃにまたがって呪われないようにす
る。

前記したように、制御部１０は、帰線周期の始めにトラ
ンジスタＩＩＡないし１１Ｃをオフに切り換える。この
切り換えは、最大の電流が帰線キャパシタ４．４　Ａな
いし４４Ｃに流れ込むようにするために迅速に行なわね
ばならないことが明らかであろう。制御部１０は、トラ
ンジスタＩＩＡないし１１Ｃのゲートから電流を流出さ
せて各ゲー１〜の電荷レベルを減少できるようにするこ
とによりこれらトランジスタをオフにする。同時に、ノ
ード４０の急速に増加する電圧は、トランジスタに存在
するドレイン−ゲートキャパシタンスを通してトランジ
スタのゲートへ電流を注入しようとし、これは、ゲート
の電荷を増加してトランジスタＩＩＡないし１１Ｃをオ
ンに保持しようとする。従って、オフ切り換え時間を最
小にするために、制御部１０は、この注入された電流を
受は入れるに充分な率で電流を除去しなければならない
。

然し乍ら、これは、高いゲート−ソース電圧を発生し、
これは、トランジスタＩＩＡないし１１Ｃの破壊を防止
するようにツェナーダイオード３１Ａないし３１Ｃによ
って制限される。

水平偏向回路は、３つのカスケード状のＭＯＳ　ＦＥＴ
　）−ランジスタＩＩＡないし１１Ｃを有するものとし
て説明したが、ノード４０に発生される電圧及び各トラ
ンジスタが耐えることのできる電圧に基づいて、より多
くの又はより少数のトランジスタをカスケード状に回路
接続することができると共に、それに関連して帰線ダイ
オード及び帰線キャパシタを設けることができる。然し
乍ら、各ＭＯＳＦＥＴ　トランジスタは、小さくはある
が有限の抵抗値を有しているので、カスケード状のトラ
ンジスタがオンにされたときには、その個数がノード４
０とアースとの間の直列抵抗に直接影響することが明ら
かである。この電流路の抵抗値は、整形キャパシタ４３
のキャパシタンスと、線形化コイル４２のインダクタン
スとを調整することによって補償できる。換言すれば、
例えば、ノード４ｏからカスケード状のＭＯ５ＦＥＴト
ランジスタを通る経路の大きな抵抗値は、整形キャパシ
タ４３のキャパシタンスを増加することによって補償す
ることができる。然し乍ら、トランジスタがオフである
ときには、左側の走査周期中に、整形キャパシタ４３の
キャパシタンスが非常に大きくなるが、これは、線形化
コイル４２のインダクタンスを増加することによって補
償できる。特定の回路素子のキャパシタンス、抵抗及び
インダクタンスの特定値は、両方向の偏向に必要とされ
る時間（即ち、スクリーンを横切ってビームを左から右
へ偏向するに要する時間及び帰線動作に要する時間）と
、発生する電圧及び電流とによって決まる。

更に、ＭＯＳＦＥＴをスイッチングトランジスタＩＩＡ
ないし１１Ｃとして使用することによＤ、図示された水
平偏向回路によって迅速な偏向を行ない得ることが明ら
かであろう。ＭＯＳＦＥＴの電荷蓄積量及びキャパシタ
ンスは、バイポーラトランジスタよりも一般的に低いの
で、ＭＯＳＦＥＴはバイポーラトランジスタよりも迅速
にオン及びオフに切り換わることができ、走査と帰線と
の間の迅速な切り換えが容易となる。更に１Ｍ○Ｓ　Ｆ
ＥＴをカスケード接続することによＤ、現在入手できる
ＭＯＳＦＥＴを使用することができると共に、これらが
−緒になって偏向回路に発生する高い電圧に耐えるよう
にすることができる。

以上の説明は、本発明の特定の実施例に限定された。然
し乍ら、本発明に種々の変更や修正を加えても、本発明
の幾つかの又は全ての効果を達成できることは明らかで
ある。それ故、本発明の真の精神及び範囲内に入るこれ
らの修正や変更は、全て、特許請求の範囲内に包含され
るものとする。

【図面の簡単な説明】

添付図面は、本発明によって構成された水平偏向回路を
示す回路図である。１０・・・制御部１１Ａ−１１Ｃ・・・ＭＯＳＦＥＴ）−ランジスタ１２
・・・偏向信号発生回路１３・・・偏向コイル　　２０・・・変成器２１・・・
一次巻線２２・・・バイポーラトランジスタ２３・・・ドライバ回路２４Ａ−２４Ｃ・・・二次巻線３０Ａ−３０Ｇ・・・抵抗３１Ａ−３１Ｇ・・・ツェナーダイオード４ｏ・・・ノ
ード　　４１・・・コイル４２・・・線形化コイル４３・・・整形キャパシタ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）陰極線管内の電子ビームの偏向を制御するための
磁気偏向信号を発生する偏向回路において、Ａ、走査時間及び帰線時間を識別する選択された状態を
有する制御タイミング信号を発生するタイミング手段と
、Ｂ、上記の制御タイミング信号によって全て並列に制御
されて走査時間中にはオン状態にされそして帰線時間中
にはオフ状態にされる複数のカスケード状のＭＯＳＦＥ
Ｔトランジスタを含んだスイッチング手段と、Ｃ、上記カスケード状のＭＯＳＦＥＴトランジスタにま
たがって上記スイッチング手段に接続されていて、走査
時間中には電子ビームを或る方向に偏向することができ
そして帰線時間中には逆の方向に偏向することができる
ように上記磁気偏向信号を発生する偏向手段とを具備す
ることを特徴とする偏向回路。
（２）上記タイミング手段は、一次巻線と複数の二次巻
線とを有する変成器手段を備えており、二次巻線の数は
、上記スイッチング手段におけるＭＯＳＦＥＴトランジ
スタの数に対応し、Ａ、上記一次巻線は電源及びスイッチに接続され、この
スイッチは、上記電源により、走査時間中には一次巻線
を付勢しそして帰線時間中には一次巻線を消勢すること
ができ、そしてＢ、各々の二次巻線は１つのＭＯＳＦＥＴトランジスタ
のゲートに接続されていて、走査時間中にはＭＯＳＦＥ
Ｔトランジスタをオン状態にしそして帰線時間中にはオ
フ状態にするように制御する請求項１に記載の偏向回路
。
（３）各二次巻線と、それに関連したＭＯＳＦＥＴトラ
ンジスタのゲート端子との間に接続された抵抗手段と、
上記ゲート端子の電圧レベルを制限するように各ゲート
端子に接続された電圧制限手段とを更に備えた請求項２
に記載の偏向回路。
（４）上記偏向手段は、Ａ、ノードに電流を供給するための電源に接続された付
勢可能なコイルより成る電力コイル手段を備え、上記ス
イッチング手段は上記ノードを制御するように接続され
、Ｂ、更に、上記ノードに接続されていて、電流の大きさ
及び方向に応答して、上記電子ビームの偏向を制御する
ための磁界を発生する偏向コイル手段を備え、Ｃ、更に、上記電子ビームの偏向量を制御するように上
記偏向コイル手段に流れる電流の率を制御するための偏
向制御手段を備え、そしてＤ、各々が１つの上記ＭＯＳ
ＦＥＴトランジスタのソース端子とドレイン端子との間
に並列に接続された複数の帰線キャパシタ及び帰線ダイ
オードを含み、関連したＭＯＳＦＥＴトランジスタがオ
フ状態にある間に帰線を制御するための帰線手段を更に
備えている請求項１に記載の偏向回路。