JPH0817447B2

JPH0817447B2 - 陰極線管用の偏向回路

Info

Publication number: JPH0817447B2
Application number: JP63116772A
Authority: JP
Inventors: ジェイフィッツジェラルドジョン
Original assignee: ディジタルイクイプメントコーポレーション
Priority date: 1987-05-14
Filing date: 1988-05-13
Publication date: 1996-02-21
Anticipated expiration: 2011-02-21
Also published as: CN88102841A; JPS63309067A; AU1611888A; CN1016928B; US4864197A; AU617317B2; EP0291318A3; CA1303234C; EP0291318A2; KR880014792A; BR8802331A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、一般に、電子回路の分野に係り、より詳細
には、ビデオディスプレイモニタ用の陰極線管において
電子ビームの偏向を制御する回路として特に有用な新規
で且つ改良された傾斜信号発生回路に係る。

従来の技術ビデオディスプレイ装置は、可視像の形態の情報を一
般的に平らなスクリーンに表示するために陰極線管を備
えている。陰極線管においては、電子銃からスクリーン
に向かって電子ビームが送られる。ビームがスクリーン
に当たると、スクリーン上の蛍光被膜が蛍光を発し、そ
の点においてユーザが観察できる光が発生される。電子
銃は、一般にスクリーンの中心に向けられているが、陰
極線管に隣接して電子銃とスクリーンとの間に配置され
たコイルに発生される磁界によりビームでスクリーンの
表面を走査できるようにビームが水平及び垂直に移動さ
れる。ビームが走査するときには、スクリーンの表面上
に明るいパターン及び暗いパターンを発生するようにビ
ームを変更することができる。これらのパターンは、例
えば、表示されるべき情報の形式によって、テキストの
ようなアルファニューメリック文字であるか、グラフィ
ック像であるか、或いはその両方の組合せである。

電子ビームの走査を制御して可視ディスプレイ装置に
像を形成する際には２つの一般的な方法が実施されてい
る。その一方、即ち、コンピュータビデオディスプレイ
及びテレビにおいて一般に実施されている方法では、電
子ビームがラスタパターンでスクリーン上を走査され、
即ちビームが一連の水平線としてスクリーンにわたって
その上部から下部へと案内される。この場合、各々の線
を発生できるようにする水平の偏向と、スクリーンの上
部から下部へと一連の線を発生できるようにする垂直の
偏向は、ディスプレイ装置がラスタパターンを発生する
ように所定の率で変化する偏向信号を発生するように設
計された回路によって制御される。ビームがスクリーン
にわたって走査されるときには、可視像を発生するよう
にその振幅が変えられ、振幅が変化しない場合には、ス
クリーン全体が同じ輝度にされる。

オスロスコープに典型的に用いられているもう１つの
方法では、電子ビームが一連の線としてではなく、水平
偏向回路によって発生可能にされる１本の線としてスク
リーンを横切って走査する。典型的に、ユーザによって
オシロスコープに入力される信号により垂直の偏向が行
なわれる。この場合、ユーザは、電子ビームがスクリー
ンを横切って走査するのに必要な時間の関数として入力
信号を分析することができる。更に、オシロスコープの
水平偏向回路を使用するものではない典型的なオスロス
コープでは、ユーザが別の信号を入力して水平の偏向を
行なうことができる。これにより、ユーザは、入力信号
を互いに分析することができる。

典型的な水平偏向回路は、本質的に、別々の時間に２
つの共振周波数を有する共振回路を備えている。この回
路は、電子ビームの偏向を制御するための磁界を発生す
る偏向コイルを備えている。本質的に、バイポーラトラ
ンジスタがオン状態からオフ状態に切り換わったときに
は、共振回路が高い周波数で動作し、その間に、コイル
の電流が比較的急速に変化し、スクリーンの右縁から左
縁までビームが比較的高速で帰線される。この帰線中に
非常に高いフライバック電圧がトランジスタにまたがっ
て発生される。

ビームがスクリーンの左縁に完全に帰線されると、共
振回路は低い共振周波数に切り換わる。これが生じる
と、コイルに流れる電流が比較的ゆっくりと変化し、ス
クリーンの左縁から右縁へビームが比較的ゆっくりと走
査する。この走査の間に、バイポーラトランジスタは再
びオンに戻り、比較的大きな電流が流れるときに本質的
に飽和する。

バイポーラトランジスタは、帰線中に発生される高い
フライバック電圧に耐えることができるが、飽和中には
コレクタとベースとの領域に少数キャリアが多量に蓄積
される。これにより、トランジスタがオフに切り換わる
速度が制限され、従って、偏向回路が電子ビームを偏向
するように動作する周波数が制限される。その結果、こ
れらの偏向回路は、通常の放送用のテレビや、コンピュ
ータに使用される小型の低解像度のビデオモニタには満
足であるが、高解像度のモニタや比較的大きなスクリー
ン像のモニタには充分でない。

発明が解決しようとする課題最近、複数の並列接続された金属酸化物半導体電界効
果トランジスタ（MOSFET）がバイポーラトランジスタに
とって代わった偏向回路が開発されている。例えば、SI
D85ダイジェストの第456−460頁に掲載されたK.アンド
ウ著の「フリッカのない2448×2084ドットのカラーCRT
ディスプレイ（A Flicker−Free2448 x 2048 Dots Colo
r CRT Display）」を参照されたい。MOSFETは、一般
に、キャリアをほとんど蓄積せず、従って、高解像度の
ビデオモニタに使用される高周波数偏向回路に用いるこ
とができるが、通常のMOSFETでは、典型的に、このよう
な回路に発生される高いフライバック電圧に耐えること
ができない。従って、前記アンドウ氏の文献に述べられ
た回路では、特別に開発された高電圧用のMOSFETを使用
しなければならない。更に、MOSFETを並列に接続する
と、それらの全有効キャパシタンスが増加し、これによ
っても回路を動作できる偏向周波数が制限される。

課題を解決するための手段本発明は、高い周波数で動作できると共に、典型的な
市販の部品、特にMOSFETを含むことのできる新規で且つ
改良された水平偏向回路を提供することである。

要約すれば、この新規な水平偏向回路は、偏向コイル
の電流を制御するように一緒にオン及びオフに切り換え
られる複数の直列接続された即ちカスケード状のMOSFET
制御トランジスタを備えている。各トランジスタにまた
がって帰線キャパシタ及び帰線ダイオードがあって、MO
SFET制御トランジスタがオフにされたときに発生する電
圧を効果的に分割する。

帰線中に、MOSFET制御トランジスタ間に非常に大きな
フライバック電圧が発生され、帰線キャパシタ及び帰線
ダイオードは、この電圧を制御トランジスタ間に分配す
る。これにより、各トランジスタ間に生じる電圧がMOSF
ET制御トランジスタの数に対応する係数で減少される。
典型的な電圧を発生する水平偏向回路では、現在入手で
きる市販のMOSFETを制御トランジスタとして使用するこ
とができる。更に、カスケード状のMOSFET制御トランジ
スタのキャパシタンスは直列であるから、これらトラン
ジスタの正味の有効キャパシタンスは、トランジスタの
数に対応する係数で減少される。従って、複数の制御ト
ランジスタは、１つのトランジスタよりも迅速に切り換
わることができ、それ故、回路は高い周波数の偏向率を
受け入れることができる。

実施例本発明は、特許請求の範囲に特に指摘する。本発明の
上記及び更に別の効果は、添付図面を参照した以下の詳
細な説明より明らかとなろう。

添付図面は、本発明により構成された新規な水平偏向
回路を示している。この図面を参照すれば、この回路
は、複数のMOSFET制御トランジスタ11Aないし11Cを並列
に制御する制御部分10を備えている。MOSFET制御トラン
ジスタ11Aないし11Cは、偏向コイル13を含む偏向信号発
生回路12を一緒に制御し、偏向コイル13は、ビデオディ
スプレイ管（図示せず）の電子ビームの水平偏向を制御
するための偏向磁界を発生する。

制御部10は、変成器20を備えており、その一次巻線21
は、V_Aで示された電源に接続されそしてバイポーラトラ
ンジスタ22によって制御される。このバイポーラトラン
ジスタは、次いで、ドライバ回路23によってスイッチと
して働くように制御される。帰線動作を開始するため
に、ドライバ回路23は、バイポーラトランジスタ22がオ
ン状態からオフ状態に切り換わることができるように
し、この時間中はこのトランジスタに電流が流れること
ができない。帰線動作は、電子ビームがスクリーの右側
の選択された位置まで完全に走査された後に行なわれる
ようにタイミングどりされる。この帰線時間中に、ビー
ムはスクリーンの左側へ迅速に戻される。

帰線動作中に、電子ビームは、スクリーンの左側から
右側に向かって走査を開始する。走査中に、ドライバ回
路は、バイポーラトランジスタ22をオフ状態からオン状
態へ切り換える。走査が完了すると、即ち、電子ビーム
が再びスクリーンの右側に達すると、ドライバ回路が再
びトランジスタ22をオフにし、別の帰線動作を開始させ
る。

変成器20は、３つの二次巻線24Aないし24Cを有してお
り、その各々は、抵抗30Aないし30Cを経てMOSFET制御ト
ランジスタ11Aないし11Cのゲートに接続されていてこれ
を制御する。ツェナーダイオード31Aないし31Cは、各々
のMOSFET制御トランジスタ11Aないし11Cのゲート端子と
ソース端子との間に接続されている。これらのトランジ
スタ11Aないし11Cは、カスケード状にされており、即
ち、トランジスタ11Aのソース端子がトランジスタ11Bの
ドレイン端子に接続されそしてトランジスタ11Bのソー
ス端子がトランジスタ11Cのドレイン端子に接続される
ように一般的に直列に接続されている。トランジスタ11
Aのドレイン端子は偏向信号発生回路12のノード40に接
続され、トランジスタ11Cのソース端子はアースされて
いる。

ノード40はコイル41を経て電源V_Bに接続されている。
通常そうであるように、コイル41は、ビデオディスプレ
イのどこかに使用する高電圧を発生するのに用いられる
変成器の１つの巻線又は直列コイルである。偏向コイル
13の一端もノード40に接続される。線形化コイル42及び
整形キャパシタ43は、偏向コイル13の他端とアースとの
間に直列に接続されている。線形化コイル42は、これに
流れる電流の巾及びレベルと共に変化するインダクタン
スを有している。線形化コイル42の最大のインダクタン
スは、偏向コイル13のインダクタンスよりも約１桁小さ
い（即ち、1/10である）。

又、ノード40とアースとを間には、１組の帰線キャパ
シタンス44Aないし44Cと、帰線ダイオード45Aないし45C
とが接続されており、帰線ダイオード45Aないし45Cは、
直流をノード40に向けるように極性が定められる。１つ
の帰線キャパシタ44Aないし44Cと１つの帰線ダイオード
45Aないし45Cが、それに対応するMOSFETトランジスタ11
Aないし11Cのソース端子とドレイン端子との間に並列に
接続されている。従って、例えば、キャパシタ44Aとダ
イオード45Aがトランジスタ11Aのソース端子とドレイン
端子との間に並列に接続され、ダイオードはソース端子
からドレイン端子及びノード40に向かって電流を導通す
るように極性定めされる。帰線キャパシタンス44Aない
し44Cの各々のキャパシタンスは整形キャパシタ43のキ
ャパシタンスよりも実質的に低く選択され、１つの実施
例においては、各帰線キャパシタのキャパシタンスが整
形キャパシタ43のキャパシタンスよりも約２桁小さくさ
れる（即ち、1/100にされる）。

偏向信号発生回路12とMOSFET制御トランジスタ11Aな
いし11Cとの組合せにより誘導性−容量性の発振回路が
一般に形成されることが当業者に明らかであろう。この
発振回路は、偏向コイル13と、線形化コイル42と、整形
キャパシタ43と、帰線キャパシタ44Aないし44Cとを含
み、これらは全て直列に接続されている。MOSFET制御ト
ランジスタ11Aないし11Cが一般的に帰線時間中にオフに
されたときには、帰線キャパシタ44Aないし44Cと整形キ
ャパシタとが実際上直列に接続される。この直列に接続
された帰線キャパシタ44Aないし44Cと整形キャパシタ43
と有効キャパシタンスは、比較的小さなものであり、従
って、MOSFET制御トランジスタ11Aないし11Cがオフであ
るときには、発振回路が比較的高い周波数の共振回路と
なる。

然し乍ら、走査時間中には、帰線キャパシタ44Aない
し44Cをめぐる低インピーダンスのバイパスが存在す
る。この低インピーダンスのバイパスは、MOSFETトラン
ジスタ11Aないし11Cがオンになる前には帰線ダイオード
によって与えられ、そしてこれらトランジスタがオンに
なった後にはこれらのトランジスタによって与えられ、
従って、この時点での発振回路の有効な素子は、偏向コ
イル13と、線形化コイル42と、整形キャパシタ43を含む
だけとなる。この状態においては、整形キャパシタ43に
よって与えられる比較的大きなキャパシタンスにより、
低周波数の発振回路となる。

図示された偏向回路が動作を開始するときには、MOSF
ET制御トランジスタ11Aないし11Cが最初オンである。帰
線キャパシタ44Aないし44C及び整形キャパシタ43は充電
されず、偏向ヨーク13及び線形化コイル42には電流が流
れない。この状態においては、電源V_bからの電流がコイ
ル41を経てノード40へと流れ、そしてMOSFET制御トラン
ジスタ11Aないし11Cに流れる。オンにされているMOSFET
制御トランジスタ11Aないし11Cは、本質的に、ノード40
を、トランジスタ11Cのソース端子に存在するアース電
圧レベルに接続する。コイル41を通してノード40に流れ
る電流は、電源V_Bによって印加される電圧に比例し且つ
コイル41のインダクタンスに反比例する直線的な割合で
増加する。コイル41の電流によりコイル41の周りに磁界
が発生される。

制御部10がトランジスタ11Aないし11Cをオフに切り換
えたときは、コイル41の電流が低下し始める。これによ
り、コイル41のまわりの磁界が崩壊し始め、帰線キャパ
シタ44Aないし44Cの電流が流れて帰線キャパシタが充電
される。崩壊する磁界により、ノード40の電圧レベルが
大きなレベルに増加される。

帰線キャパシタ44Aないし44Cが充電した後、コイル41
及び偏向ヨーク13を経て放電を開始する。直列接続され
た偏向ヨーク13及び線形化コイル42の有効インダクタン
スは、コイル41のインダクタンスよりも相当に小さいの
で、ほとんどの電流は偏向ヨーク13及び線形化コイル42
に流れる。この点において、偏向ヨーク13を含む有効回
路は、帰線キャパシタ44Aないし44Cと、偏向ヨーク13
と、線形化コイル42と、整形キャパシタ43とによって構
成される。帰線キャパシタ44Aないし44C及び整形キャパ
シタの有効キャパシタンスは低くて、１つの帰線キャパ
シタのキャパシタンスの約1/3に過ぎないので、この回
路の有効周波数は高いものとなる。更に、偏向ヨーク13
及び線形化コイル42の電流によりそれらのまわりに磁界
が発生されると共に整形キャパシタ43の電流によりキャ
パシタの充電が開始されることが明らかである。

MOSFET制御トランジスタがオフにされた或る時間の後
に（帰線の完了）、帰線キャパシタ44Aないし44Cが実質
的に放電され、偏向ヨーク13及び線形化コイル42のまわ
りの磁界がそれらの負のピーク値に達する。この点にお
いて、ノード40の電圧レベルはアースレベルに達し、実
際には、アースよりも低いレベルに達する。従って、偏
向ヨーク及び線形化コイルの磁界が減少し始めるとき
に、帰線ダイオード45Aないし45Cを通してノード40に電
流が流れ始める。このときの有効回路は、偏向ヨーク13
と、線形化コイル42と、整形キャパシタ43と、帰線ダイ
オード45Aないし45Cとで構成され、この回路は、整形キ
ャパシタ43のキャパシタンスが比較的高いので、比較的
周波数の低い回路となる。

これと同時に、ノード40の電圧レベルが電圧V_Bのレベ
ルより低くなった後に、コイル41の電流が逆転し始め
る。コイル41からの電流は、電源V_Bからコイル41を経て
ノード40へと流れて、コイル41に磁界を再び確立する。

電流が電源V_Bからノード40へ流れ始める時間の付近
で、ドライバ回路23はMOSFET制御トランジスタ11Aない
し11Cをオンに切り換えることができ、ノード40とアー
スとの間に帰線キャパシタ44Aないし44C及び帰線ダイオ
ード45Aないし45Cをめぐる低インピーダンス路を形成す
ることができる。これにより、コイル41のまわりに磁界
を発生し続けることができる。前記したように、電流の
増加率は、電源V_Bにより供給される電圧に比例しそして
コイル41のインダクタンスに反比例する。

或る時間の後に、偏向ヨーク13及び線形化コイル42の
まわりの磁界が崩壊した後、整形キャパシタは、線形化
コイル42及び偏向ヨーク13を経てノード40へ放電を開始
する。これにより、線形化コイル42及び偏向ヨーク13に
強制的に電流が流され、そのまわりに磁界が発生される
が、前記とは逆の方向である。この点においては、偏向
ヨーク13を含む有効回路は、偏向ヨーク13と、線形化コ
イル42と、整形キャパシタ43と、MOSFET制御トランジス
タ11Aないし11Cとで構成されるものであるから、この有
効回路は低周波数の回路である。従って、偏向ヨーク13
に流れる電流の変化率は比較的ゆっくりとした割合で増
加する。

或る時間後に、即ち、偏向ヨークを通してノード40に
向かう電流が選択された高いレベルに到達する付近で、
ドライバ回路23は、再び、制御部10がMOSFET制御トラン
ジスタ11Aないし11Cをオフにできるようにする。コイル
41、偏向ヨーク13及び線形化コイル42のまわりの磁界は
再び崩壊し、帰線キャパシタ44Aないし44Cに電流を放電
する。この点において、ビデオモニタの電子ビームを偏
向するための磁界を発生する偏向ヨーク13を含む有効な
回路は、偏向ヨーク13と、線形化コイル42と、整形キャ
パシタ43と、帰線キャパシタ44Aないし44Cとを含み、高
周波数回路を形成する。従って、偏向ヨーク13のまわり
の磁界は、帰線キャパシタ44Aないし44Cに迅速に放電す
る。

ここでは２つの電流ソース、即ちコイル41及び偏向ヨ
ーク13があるので、この時点の方がその前より多くの電
流が帰線キャパシタに強制的に流され、従って、ノード
40の電圧レベルが前より高いレベルに増加する。回路の
動作は、本質的に前と同様であるが、ノード40の電圧レ
ベルが高いので、帰線キャパシタ44Aないし44Cから偏向
ヨーク13を経て放電される電流も大きくなり、キャパシ
タ43により大きな電荷が生じる。

回路が動作を続けるにつれて、ノード40及び整形キャ
パシタ43にかゝる電圧と、偏向ヨークに流れる電流のレ
ベルとが次第に増加し、やがて、定常値に到達する。こ
のときには、帰線キャパシタ44Aないし44Cへと放電され
る電流の大部分が偏向ヨークからのものとなり、コイル
41に流れる電流は少なくなることが明らかである。この
時点で、整形キャパシタにかゝる電圧は、電源V_Bによっ
てコイル41に送られるものとほゞ同じであるが、偏向ヨ
ーク13及び線形化コイル42に流れる電流の大きさ及び方
向が変化するときに或る程度僅かに変化する。従って、
定常動作の間には、整形キャパシタ43が電源V_Bによるも
のと同様の電圧源として働き、この電源は回路の抵抗性
損失及びその他の損失を補償する。コイル41のインダク
タンスが偏向ヨーク13のインダクタンスよりもほゞ１桁
大きい（10倍）ような実施例においては、整形キャパシ
タ43の電圧レベルが電源V_Bによって与えられる電圧に迅
速に到達し、回路の定常動作を生じさせる。

回路が定常動作に達した後に、電子ビームの偏向は、
偏向ヨーク13に流れる電流に基づいて、次のようにな
る。MOSFET制御トランジスタ11Aないし11Cが制御部10に
よって最初にオフに切り換えられる直前に、偏向ヨーク
13に流れる電流はノード40に向かう。この状態において
は、電子ビームが、ビデオモニタのスクリーンの中心よ
り右側、好ましくはスクリーンの右縁に向かって偏向さ
れる。

MOSFET制御トランジスタ11Aないし11Cがオフにされた
ときには、前記したように、偏向ヨーク13を含む有効回
路が高周波数回路となるので、偏向ヨーク13のまわりの
磁界が急速に崩壊し、ノード40へ、ひいては、帰線キャ
パシタ44Aないし44Cへ電流を放電する。偏向ヨークのま
わりの磁界が急速に崩壊することにより、電子ビームは
スクリーンの中心に急速に復帰する。

帰線キャパシタ44Aないし44Cが完全に充電されて放電
を開始した後に、偏向ヨーク13の電流は、その前とは逆
の方向に実質的に同じ割合で増加する。というのは、偏
向ヨークを含む回路がまだ高周波数回路だからである。
電流がこの方向に流れる状態では、電子ビームがスクリ
ーンの中心の左側にあるので、電流がこの方向に迅速に
増加するにつれてビームがスクリーンの左縁へと迅速に
進む。偏向ヨークにこの方向に電流が流れることによ
り、偏向を生じ得るに必要な方向に磁界が発生される。
スクリーンの右縁から左縁への電子ビームの迅速な移動
によって帰線が与えられる。

その後、帰線キャパシタ44Aないし44Cがほゞ放電しそ
して帰線ダイオード45Aないし45Cがそれを効果的にバイ
パスした後、回路は低周波回路となる。前記したよう
に、ノード40から離れる方向に偏向ヨーク13に流れる電
流は、このときには有効周波数が低いので、ゆっくりと
した速度で減少を開始する。従って、電子ビームは、偏
向ヨーク13のまわりの磁界が電流の減少と共に崩壊する
につれて、スクリーンの左縁から中心に向かってゆっく
りとした走査を開始する。

最後に、前記したように、偏向ヨークに流れる電流が
方向を逆転しノード40に向かって流れるときには、電子
ビームがスクリーンの中心から右へ向かってその走査を
開始する。有効回路は低周波数回路であるから、この走
査もゆっくりとした速度である。電子ビームの走査は、
偏向ヨーク13の電流がその最大値に達するまでスクリー
ンを横切って右へ進み、次いで、MOSFET制御トランジス
タ11Aないし11Cが制御部10によって再びオフにされて、
帰線動作を開始する。制御部10は、偏向ヨークの電流が
減少し始める前にMOSFET制御トランジスタ11Aないし11C
をオフにし、スクリーンの左への電子ビームの復帰がで
きるだけ迅速に行なえるようにするのが好ましい。

線形化コイル42のインダクタンスは、これに流れる電
流の方向及びレベルと共に変化する。線形化コイル42
は、電流がノード40に向かって流れるときには非常に低
いインダクタンスを有するように選択され、従って、走
査時間の終了及び帰線時間の開始に向かう回路の動作に
はほとんど影響を及ぼさない。然し乍ら、線形化コイル
は電流が偏向コイル13を通してノード40から離れるよう
に流れるときには回路の動作に影響を及ぼし、特に、帰
線時間の終了時と走査時間の開始時には最大のインダク
タンスを有する。線形化コイル42がない場合には、MOSF
ET制御トランジスタ11Aないし11Cオン及びオフの切り換
えによって不所望な非対称的な走査電流が生じ、又、帰
線キャパシタ44Aないし44Cの有効な除去及び交換もこの
線形化コイル42によって補正される。

図示された回路は、本質的に、発振器であるから、各
部品にまたがって非常に高い電圧及び電流が発生され、
特に、ノード40をアースから切り離すためにMOSFET制御
トランジスタ11Aないし11Cがオフにされたときにはノー
ド40とアースとの間にフライバック電圧が発生される。
帰線キャパシタ44Aないし44Cと帰線ダイオード45Aない
し45Cをそれに関連したMOSFETトランジスタ11Aないし11
Cのドレイン端子とソース端子との間に直列に接続する
ことにより、ノード40に発生する高電圧がこれら３つの
トランジスタ11Aないし11Cの間に等しく分割されること
が明らかである。これにより、３つのトランジスタが帰
線周期の始めと終わりに全く同時にオン又はオフに切り
換わらなかった場合にノード40の全電圧が個々のトラン
ジスタ11Aないし11Cにまたがって現われないようにす
る。

前記したように、制御部10は、帰線周期の始めにトラ
ンジスタ11Aないし11Cをオフに切り換える。この切り換
えは、最大の電流が帰線キャパシタ44Aないし44Cに流れ
込むようにするために迅速に行なわねばならないことが
明らかであろう。制御部10は、トランジスタ11Aないし1
1Cのゲートから電流を流出させて各ゲートの電荷レベル
を減少できるようにすることによりこれらトランジスタ
をオフにする。同時に、ノード40の急速に増加する電圧
は、トランジスタに存在するドレイン−ゲートキャパシ
タンスを通してトランジスタのゲートへ電流を注入しよ
うとし、これは、ゲートの電荷を増加してトランジスタ
11Aないし11Cをオンに保持しようとする。従って、オフ
切り換え時間を最小にするために、制御部10は、この注
入された電流を受け入れるに充分な率で電流を除去しな
ければならない。然し乍ら、これは、高いゲート−ソー
ス電圧を発生し、これは、トランジスタ11Aないし11Cの
破壊を防止するようにツェナーダイオード31Aないし31C
によって制限される。

水平偏向回路は、３つのカスケード状のMOSFETトラン
ジスタ11Aないし11Cを有するものとして説明したが、ノ
ード40に発生される電圧及び各トランジスタが耐えるこ
とのできる電圧に基づいて、より多くの又はより少数の
トランジスタをカスケード状に回路接続することができ
ると共に、それに関連して帰線ダイオード及び帰線キャ
パシタを設けることができる。然し乍ら、各MOSFETトラ
ンジスタは、小さくはあるが有限の抵抗値を有している
ので、カスケード状のトランジスタがオンにされたとき
には、その個数がノード40とアースとの間の直列抵抗に
直接影響することが明らかである。この電流路の抵抗値
は、整形キャパシタ43のキャパシタンスと、線形化コイ
ル42のインダクタンスとを調整することによって補償で
きる。換言すれば、例えば、ノード40からカスケード状
のMOSFETトランジスタを通る経路の大きな抵抗値は、整
形キャパシタ43のキャパシタンスを増加することによっ
て補償することができる。然し乍ら、トランジスタがオ
フであるときには、左側の走査周期中に、整形キャパシ
タ43のキャパシタンスが非常に大きくなるが、これは、
線形化コイル42のインダクタンスを増加することによっ
て補償できる。特定の回路素子のキャパシタンス、抵抗
及びインダクタンスの特定値は、両方向の偏向に必要と
される時間（即ち、スクリーンを横切ってビームを左か
ら右へ偏向するに要する時間及び帰線動作に要する時
間）と、発生する電圧及び電流とによって決まる。

更に、MOSFETをスイッチングトランジスタ11Aないし1
1Cとして使用することにより、図示された水平偏向回路
によって迅速な偏向を行ない得ることが明らかであろ
う。MOSFETの電荷蓄積量及びキャパシタンスは、バイポ
ーラトランジスタよりも一般的に低いので、MOSFETはバ
イポーラトランジスタよりも迅速にオン及びオフに切り
換わることができ、走査と帰線との間の迅速な切り換え
が容易となる。更に、MOSFETをカスケード接続すること
により、現在入手できるMOSFETを使用することができる
と共に、これらが一緒になって偏向回路に発生する高い
電圧に耐えるようにすることができる。

以上の説明は、本発明の特定の実施例に限定された。
然し乍ら、本発明に種々の変更や修正を加えても、本発
明の幾つかの又は全ての効果を達成できることは明らか
である。それ故、本発明の真の精神及び範囲内に入るこ
れらの修正や変更は、全て、特許請求の範囲内に包含さ
れるものとする。

【図面の簡単な説明】

添付図面は、本発明によって構成された水平偏向回路を
示す回路図である。 10……制御部 11A−11C……MOSFETトランジスタ 12……偏向信号発生回路 13……偏向コイル、20……変成器 21……一次巻線 22……バイポーラトランジスタ 23……ドライバ回路 24A−24C……二次巻線 30A−30C……抵抗 31A−31C……ツェナーダイオード 40……ノード、41……コイル 42……線形化コイル 43……整形キャパシタ 44A−44C……帰線キャパシタ 45A−45C……帰線ダイオード

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】陰極線管内の電子ビームの偏向を制御する
ための磁気偏向信号を発生する偏向回路において、 A.走査時間及び帰線時間を識別する選択された状態を有
する制御タイミング信号を発生するタイミング手段と、 B.上記の制御タイミング信号によって全て並列に制御さ
れて走査時間中にはオン状態にされそして帰線時間中に
はオフ状態にされる複数のカスケード状のMOSFETトラン
ジスタを含んだスイッチング手段と、 C.上記カスケード状のMOSFETトランジスタにまたがって
上記スイッチング手段に接続されて、走査時間中には電
子ビームを或る方向に偏向することができそして帰線時
間中には逆の方向に偏向することができるように上記磁
気偏向信号を発生する偏向手段と、を具備し、 D.上記タイミング手段は、一次巻線と複数の二次巻線と
を有する変成器手段を備えており、一次巻線は電源及び
スイッチに接続され、このスイッチは、上記電源によ
り、走査時間中には一次巻線を付勢しそして帰線時間中
には一次巻線を消勢することができ、そして二次巻線の
数は、上記スイッチング手段におけるMOSFETトランジス
タの数に対応し、各々の二次巻線は１つのMOSFETトラン
ジスタのゲートに接続されていて、走査時間中にはMOSF
ETトランジスタをオン状態にしそして帰線時間中にはオ
フ状態にするように制御し、更に、 E.各二次巻線とそれに関連したMOSFETトランジスタのゲ
ート端子との間に接続された抵抗手段と、複数のツェナ
ーダイオードとを備えており、各ツェナーダイオード
は、各MOSFETトランジスタのゲートとソースの間に接続
されて走査時間中には電圧保護を与えそして帰線時間中
にはゲートとソースの間に負電圧を与えてMOSFETトラン
ジスタから残留電荷を除去し、MOSFETトランジスタを迅
速に完全にオフ状態にする、ことを特徴とする偏向回路。
【請求項２】上記偏向手段は、 A.ノードに電流を供給するための電源に接続された付勢
可能なコイルより成る電力コイル手段を備え、上記スイ
ッチング手段は上記ノードを制御するように接続され、 B.更に、上記ノードに接続されていて、電流の大きさ及
び方向に応答して、上記電子ビームの偏向を制御するた
めの磁界を発生する偏向コイル手段を備え、 C.更に、上記電子ビームの偏向量を制御するように上記
偏向コイル手段に流れる電流の率を制御するための偏向
制御手段を備え、そして D.各々が１つの上記MOSFETトランジスタのソース端子と
ドレイン端子との間に並列に接続された複数の帰線キャ
パシタ及び帰線ダイオードを含み、関連したMOSFETトラ
ンジスタがオフ状態にある間に帰線を制御するための帰
線手段を更に備えている請求項１に記載の偏向装置。